CN103283143A - Rc振荡电路 - Google Patents

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Abstract

本发明的RC振荡电路具备放大器和相移电路。相移电路至少包括3个由1个电阻和1个电容器形成的RC电路元件。RC电路元件中的至少1个，包括1个可变电阻和1个可变电容器。可变电阻由第一电极、第二电极、半导体膜的一部分、强电介质膜的一部分和第四电极形成。可变电容器由第二电极、第三电极、第五电极、强电介质膜的另外的一部分、半导体膜的另外的一部分和常电介质膜形成。

Description

RC振荡电路
技术领域
本发明涉及RC振荡电路。
背景技术
图5表示专利文献1(特别是图2(b))中公开的、现有技术的RC振荡电路。该现有技术的RC振荡电路，具备放大器1和相移电路2。相移电路2至少包括3个由1个电阻和1个电容器形成的RC电路元件。在图5中设有第一RC电路元件31a、第二RC电路元件31b和第三RC电路元件31c。如图5所示，第一～第三RC电路元件31a～31c具备第一～第三电阻41a～41c和第一～第三电容器51a～51c。
放大器1的输出端子，与第一电容器51a的一个端子连接。第一电容器51a的另一个端子，经由第一节点61a，与第二电容器51b的一个端子连接。第一电阻41a的一个端子与第一节点61a连接。第一电阻41a的另一个端子接地。
第二电容器51b的另一个端子，经由第二节点61b，与第三电容器51c的一个端子连接。第二电阻41b的一个端子与第二节点61b连接。第二电阻41b的另一个端子接地。
第三电容器51c的另一个端子，经由第三节点61c，与放大器1的输入端子连接。第三电阻41c的一个端子与第三节点61c连接。第三电阻41c的另一个端子接地。
放大器1的电源接入时，RC振荡电路以与各电阻41a～41c的电阻值和各电容器51a～51c的电容值对应的振荡频率进行振荡。
专利文献2(对应于美国专利申请公开第2008/0150646号公报)，公开了使用可变电阻和可变电容器的RC振荡器。
先行技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-258880号公报
专利文献2：日本特开2008-160798号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明的目的在于，提供一种能够大范围调制振荡频率的新型且非易失性的RC振荡电路。
用于解决课题的技术手段
为了实现该目的，本发明的RC振荡电路为具备放大器和相移电路的RC振荡电路，放大器具备输出端子和输入端子，相移电路具备至少3个RC电路元件。RC电路元件分别具备电阻和电容器。电容器串联连接在输出端子和输入端子之间。RC电路元件中至少1个RC电路元件为包括可变电阻和可变电容器的可变RC电路元件。可变RC电路元件具备第一电极、第二电极、第三电极、第四电极和第五电极、强电介质膜、半导体膜和常电介质膜。Z轴为强电介质膜的法线方向，X轴为与Z轴正交的方向。强电介质膜和半导体膜沿Z轴层叠，在半导体膜的正侧的面配置有第一电极、第二电极和常电介质膜，第二电极沿X轴夹于第一电极和常电介质膜之间。在强电介质膜的背侧的面，配置有第四电极和第五电极，第四电极与第五电极电绝缘。在沿Z轴的透视图中，第四电极夹于第一电极和第二电极之间。可变电阻由第一电极、第二电极、强电介质膜的一部分、半导体膜的一部分和第四电极形成。强电介质膜的另外的一部分、半导体膜的另外的一部分和常电介质膜夹于第三电极和第五电极之间。可变电容器由第二电极、第三电极、第五电极、强电介质膜的另外的一部分、半导体膜的另外的一部分和常电介质膜形成。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种能大范围调制振荡频率的新型且非易失性的RC振荡电路。
附图说明
图1表示实施方式的RC振荡电路。
图2A表示实施方式的可变RC电路元件的截面图。
图2B为实施方式的可变RC电路元件的沿Z轴的透视图。
图2C表示可变RC电路元件的等效电路图。
图3A表示将实施方式的可变电阻的电阻值设定为规定的值的流程。
图3B表示将实施方式的可变电阻的电阻值设定为规定的值的流程。
图4A表示将实施方式的可变电容器的电容值设定为规定的值的流程。
图4B表示将实施方式的可变电容器的电容值设定为规定的值的流程。
图5表示现有技术的RC振荡电路的概略图。
具体实施方式
(实施方式)
以下参照附图说明本发明的实施方式的RC振荡电路。
图1表示实施方式的RC振荡电路的概略图。该RC振荡电路，具备放大器1和相移电路2。相移电路2具备3个以上的RC电路元件。其中，1个以上的RC电路元件为可变RC电路元件3。其他的RC电路元件能够为具备固定的电阻值和电容值的RC电路元件。如图1所示，相移电路2具备的所有的RC电路元件能够为可变RC电路元件3。在此，3个可变RC电路元件3以3a、3b、3c表示。
在图1中，相移电路2具备第一可变RC电路元件3a、第二可变RC电路元件3b和第三可变RC电路元件3c。如图1所示，第一～第三可变RC电路元件3a～3c具备第一～第三可变电阻4a～4c和第一～第三可变电容器5a～5c。
放大器1的输出端子，与第一可变电容器5a的一个端子连接。第一电容器5a的另一个端子，经由第一节点6a，与第二可变电容器5b的一个端子连接。第一可变电阻4a的一个端子与第一节点6a连接。第一可变电阻4a的另一个端子接地。
第二电容器5b的另一个端子，经由第二节点6b，与第三可变电容器5c的一个端子连接。第二可变电阻4b的一个端子与第二节点6b连接。第二可变电阻4b的另一个端子接地。
第三可变电容器5c的另一个端子，经由第三节点6c，与放大器1的输入端子连接。第三可变电阻4c的一个端子与第三节点6c连接。第三可变电阻4c的另一个端子接地。
如图1所示，可变电容器5a～5c电串联连接在放大器1的输出端子和输入端子之间。
接着对可变RC电路元件3的结构进行详细说明。
图2A、图2B和图2C，分别表示可变RC电路元件3的截面图，沿Z轴的透视图、等效电路图。可变RC电路元件3具备第一电极17、第二电极18、第三电极19、第四电极12和第五电极13、强电介质膜14、半导体膜15和常电介质膜16。Z轴为强电介质膜14的法线方向。X轴为与Z轴正交的方向。Y轴为与Z轴和X轴双方正交的方向。
第一电极17～第五电极13的例子为由铂膜和钛膜构成的层叠体。
强电介质膜14的材料的例子为Pb(Zr，Ti)O3、Sr(Bi，Ta)O，或Bi12TiO20。
半导体膜15的材料例如为ZnO、GaN或InGaZnO。
强电介质膜14和半导体膜15沿Z轴层叠。在半导体膜15的正侧的面，配置有第一电极17、第二电极18和常电介质膜16。沿着X轴，第二电极18夹于第一电极17和常电介质膜16之间。在强电介质膜14的背侧的面，配置有第四电极12和第五电极13。在沿Z轴的透视图中，第四电极12夹于第一电极17和第二电极18之间。
可变电阻4由第一电极17、第二电极18、强电介质膜14的一部分、半导体膜15的一部分和第四电极12形成。
强电介质膜14的另外的一部分、半导体膜15的另外的一部分和常电介质膜16夹于第三电极19和第五电极13之间。可变电容器5由第二电极18、第三电极19、第五电极13、强电介质膜14的另外的一部分、半导体膜15的另外的一部分和常电介质膜16形成。
放大器1的电源接入时，RC振荡电路与各可变电阻4a～4c的电阻值和各可变电容器5a～5c的电容值相应地，以下面的(公式1)表示的振荡频率f0进行振荡。
[公式1]
f 0 = 1 2 π R 1 R 2 ( C 1 C 2 + C 2 C 3 + C 3 C 1 ) + R 3 R 1 ( C 2 C 3 + C 3 C 1 ) + R 2 R 3 C 2 C 3
R1、R2、R3分别表示可变电阻4a、4b、4c的电阻值。
C1、C2、C3分别表示可变电容器5a、5b、5c的电容值。
如图2C所示，可变电阻4的电阻值相当于形成于第一电极17和第二电极18之间的电阻的值。可变电容器5的电容值相当于形成在第二电极18和第三电极19之间的电容的值。
根据(公式1)，通过对各可变电阻4a～4c的电阻值和各可变电容器5a～5c的电容值进行调整，实现对振荡频率的调制。
接着，对于将可变电阻4的电阻值和可变电容器5的电容值，调整为规定的值的具体的流程进行说明。
图3A表示将相对于从第一电极17和第二电极18中选择的至少一个电极为正的电位施加至第四电极12，使强电介质膜14的自发极化20的方向为朝向半导体膜15侧的状态。在该状态下，通过与自发极化20和耦合，在形成于强电介质膜14和半导体膜15之间的界面蓄积电子22。其结果是，第一电极17和第二电极18之间的电阻值变小。
另一方面，图3B表示相对于从第一电极17和第二电极18中选择的至少一个电极为负的电位施加至第四电极12，使自发极化20的方向为朝向第四电极12侧的状态。在该状态下，通过自发极化20和电子之间产生的斥力，使形成于强电介质膜14和半导体膜15之间的界面耗尽化。其结果是，第一电极17和第二电极18之间的电阻值变大。
依赖于所有的自发极化20之中朝向半导体膜15侧的自发极化的比例，蓄积的电子22的量连续变化。这意味着，根据施加的电位的值，电阻值连续地变化。这样，基于可变电阻4需要的电阻值，在从第一电极17和第二电极18中选择的至少一个电极与第四电极12之间施加电位差。
施加的电位差被除去后，由于强电介质膜14的非易失性，自发极化20的方向不变化。由此，电阻值得以保持。这意味着，可变电阻4为非易失性。
图4A表示将相对于从第二电极18和第三电极19中选择的至少一个电极为正的电位施加至第五电极13，使强电介质膜14的自发极化21的方向为朝向半导体膜15侧的状态。在该状态下，通过与自发极化21的耦合，在形成于强电介质膜14和半导体膜15之间的界面蓄积电子23。蓄积的电子23如电极一般动作，第二电极18的虚拟的面积增加。电容器具备的电极的面积越大，电容器的电容值越大，这是公知的。其结果是，第二电极18和第三电极19之间的电容值变大。
另一方面，图4B表示将相对于从第二电极18和第三电极19中选择的至少一个电极为负的电位施加至第五电极13，使自发极化21的方向为朝向第五电极13侧的状态。在该状态下，通过自发极化21和电子之间产生的斥力，使形成于强电介质膜14和半导体膜15之间的界面耗尽化。其结果是，电容值变小。
依赖于所有的自发极化21之中朝向半导体膜15侧的自发极化的比例，蓄积的电子23的量连续变化。这意味着，根据施加电位的值，电容值连续地变化。这样，基于可变电容器5需要的电容值，在从第二电极18和第三电极19中选择的至少一个电极与第五电极13之间施加电位差。
施加的电位差被除去后，由于强电介质膜14的非易失性，自发极化21的方向不变化。由此，电容值得以保持。这意味着，可变电容5b为非易失性。
如以上所说明的那样，独立地调整电阻值和电容值。由后述的实施例可知，首先调整电阻值，粗略地调制振荡频率。接着，调整电容值，将振荡频率调制至正确的值。
如图2A所示，电阻4和电容器5共用第二电极18，所以第四电极12需要与第五电极13电绝缘。万一第四电极12与第五电极13电连接时，就不能独立地调整电阻值和可变值。这意味着不能将振荡频率调整为所期望的值。
第一电极17如图2C所示，需要隔着电阻4与第二电极18电绝缘。万一第一电极17在不使用电阻而与第二电极18电连接时，电阻4失去功能。
(实施例)
以下参照实施例对本发明进行更详细的说明。
(可变RC电路元件3的制造)
将厚度30nm的由钌酸锶(Strontium ruthenate，SrRuO3，以下称为SRO)形成的氧化物导电膜，在由钛酸锶(strontium titanate，SrTiO3)形成的(001)单晶基板上，通过脉冲激光沉积(以下称为PLD)法堆积。堆积时的基板的温度为700℃。堆积后，通过光刻和离子铣削(ionmilling)法形成第四电极12和第五电极13。
在基板的温度为700℃的状态下，使用PLD法在SRO上堆积由厚度450nm的锆钛酸铅(Pb(Zr，Ti)O3，以下称为PZT)形成的强电介质膜14。之后，基板的温度下降至400℃。接着，堆积由厚度30nm的氧化锌(ZnO)形成的半导体膜15。
在半导体膜15上形成图案化后的抗蚀剂后，将由厚度5nm的钛膜和厚度30nm的铂膜形成的层叠体，在室温下通过电子束蒸镀法进行堆积。堆积后，通过剥离(lift off)法形成第一电极17和第二电极18。
在半导体膜15、第一电极17和第二电极18上，通过室温下的高频溅射法堆积由厚度100nm的氮化硅形成的常电介质膜16。之后，通过光刻和干法蚀刻除去无用的部分。在常电介质膜16上形成图案化后的抗蚀剂后，将由厚度5nm的Ti层和厚度30nm的Pt膜形的层叠体，在室温下通过电子束蒸镀法进行堆积。堆积后，通过剥离法形成第三电极19。这样，得到可变RC电路元件3。
(可变RC电路元件3的评价)
将0伏特、0伏特和-5伏特，分别施加至第一电极17、第二电极18和第四电极12后，测定第一电极17和第二电极18之间产生的电阻4的值。得到的电阻值为10.6千兆欧姆。
将0伏特、0伏特和+5伏特，分别施加至第一电极17、第二电极18和第四电极后，测定第一电极17和第二电极18之间产生的电阻4的值。得到的电阻值为2.52千欧姆。
将0伏特、0伏特和-10伏特，分别施加至第二电极18、第三电极19和第五电极13后，测定第二电极18和第三电极19之间产生的电容5的值。得到的电容值为3.62皮法。
将0伏特、0伏特和+10伏特分别施加至第二电极18、第三电极19和第五电极13后，测定第二电极18和第三电极19之间产生的电容5的值。得到的电容值为6.79皮法。
(RC振荡电路的制造和评价)
使用这样得到的3个可变RC电路元件3a、3b、3c和放大器1，得到图1所示的RC振荡电路。如表1所示，使电阻值和电容值变化后，接入放大器1的电源。得到的振荡频率如(表1)所示。
[表1]
由(表1)可知，首先通过调整各可变电阻4a～4c的电阻值，将振荡频率粗略设定为数Hz到数MHz的范围的值。接着，通过调整各可变电容器5a～5c的电容值，对振荡频率进行微调。
产业上的可利用性
本发明的RC振荡电路，能够作为微型计算机的基准时钟使用。
符号说明
1 放大器
2 相移电路
3a-3c 可变RC电路元件
4a-4c 可变电阻
5a-5c 可变电容器
6a-6c 节点
31a-31c RC电路元件
41a-41c 电阻
51a-51c 电容器
61a-61c 节点
12 第四电极
13 第五电极
14 强电介质膜
15 半导体膜
16 常电介质膜
17 第一电极
18 第二电极
19 第三电极
20 强电介质膜14的一部分的、自发极化
21 强电介质膜14的另外的一部分的、自发极化
22 在强电介质膜14和半导体膜15的界面的一部分蓄积的电子
23 在强电介质膜14和半导体膜15的界面的另一部分蓄积的电子

Claims (4)

1.一种RC振荡电路，其特征在于，具备：
放大器，和
相移电路，其中
所述放大器具备输出端子和输入端子，
所述相移电路至少具备3个的RC电路元件，
所述各RC电路元件具备电阻和电容器，
所述电容器串联连接在所述输出端子与所述输入端子之间，
所述RC电路元件中至少1个RC电路元件为包括可变电阻和可变电容器的可变RC电路元件，
所述可变RC电路元件具备第一电极、第二电极、第三电极、第四电极和第五电极、强电介质膜、半导体膜和常电介质膜，
Z轴为所述强电介质膜的法线方向，
X轴为与所述Z轴正交的方向，
所述强电介质膜和所述半导体膜沿所述Z轴层叠，
在所述半导体膜的正侧的面，配置所述第一电极、所述第二电极和所述常电介质膜，
沿着所述X轴，所述第二电极夹于所述第一电极与所述常电介质膜之间，
在所述强电介质膜的背侧的面，配置所述第四电极和所述第五电极，
所述第四电极与所述第五电极电绝缘，
在沿所述Z轴的透视图中，所述第四电极夹于所述第一电极与所述第二电极之间，
所述可变电阻由所述第一电极、所述第二电极、所述强电介质膜的一部分、所述半导体膜的一部分和所述第四电极形成，
所述强电介质膜的另外的一部分、所述半导体膜的另外的一部分和所述常电介质膜，夹于所述第三电极与所述第五电极之间，
所述可变电容器由所述第二电极、所述第三电极、所述第五电极、所述强电介质膜的所述另外的一部分、所述半导体膜的所述另外的一部分和所述常电介质膜形成。
2.一种使RC振荡电路振荡的方法，其特征在于，包括：
准备权利要求1所述的所述RC振荡电路的工序(a)；和
接入所述放大器的电源，以与所述可变电阻的电阻值和所述可变电容器的电容值对应的振荡频率使所述RC振荡电路振荡的工序(b)。
3.一种使RC振荡电路振荡的方法，其特征在于，包括：
准备权利要求1所述的所述RC振荡电路的工序(a)；
在从所述第一电极和所述第二电极中选择的至少一个电极与所述第四电极之间施加电位差，将所述可变电阻的电阻值设定为规定的值的工序(b)；
在从所述第二电极和所述第三电极中选择的至少一个电极与所述第五电极之间施加电位差，将所述可变电容器的电容值设定为规定的值的工序(c)；和
接入所述放大器的电源，以与所述工序(b)中设定的所述电阻值和所述工序(c)中设定的所述电容值对应的振荡频率使所述RC振荡电路振荡的工序(d)。
4.一种设定RC振荡电路的振荡频率的方法，其特征在于，具备：
准备权利要求1所述的所述RC振荡电路的工序(a)；
在从所述第一电极和所述第二电极中选择的至少一个电极与所述第四电极之间施加电位差，将所述可变电阻的电阻值设定为规定的值的工序(b)；和
在从所述第二电极和所述第三电极中选择的至少一个电极与所述第五电极之间施加电位差，将所述可变电容器的电容值设定为规定的值的工序(c)。
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Cited By (1)

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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10725987B2 (en) * 2014-11-25 2020-07-28 Sap Se Forced ordering of a dictionary storing row identifier values

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0336806A (ja) * 1989-07-04 1991-02-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 移相型ｒｃ発振装置
JPH03178205A (ja) * 1989-12-07 1991-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 移相型ｃｒ発振装置
EP0561560A1 (en) 1992-03-18 1993-09-22 Security Tag Systems, Inc. Frequency divider with variable capacitance
JP2002258880A (ja) 2001-03-06 2002-09-11 Sekiguchi Kikai Hanbai Kk 電波放出装置
US7295081B2 (en) * 2005-08-29 2007-11-13 Micron Technology, Inc. Time delay oscillator for integrated circuits
KR100782796B1 (ko) * 2006-10-31 2007-12-05 삼성전기주식회사 발진 주파수의 조정이 가능한 ｒｃ 발진회로와 그 발진방법
TW200828781A (en) 2006-12-21 2008-07-01 Holtek Semiconductor Inc Variable and multi-combination RC oscillator
JP2009212168A (ja) * 2008-02-29 2009-09-17 Sony Corp 可変容量素子、可変容量素子の調整方法、可変容量デバイス、及び電子機器
JP5081069B2 (ja) * 2008-06-09 2012-11-21 パナソニック株式会社 半導体記憶装置
US8004871B2 (en) 2008-05-26 2011-08-23 Panasonic Corporation Semiconductor memory device including FET memory elements
JP2010267705A (ja) * 2009-05-13 2010-11-25 Panasonic Corp 半導体メモリセルおよびその製造方法
WO2011046555A1 (en) * 2009-10-15 2011-04-21 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Device having inductor and memcapacitor
US8339208B2 (en) * 2010-06-08 2012-12-25 The Hong Kong University Of Science And Technology Method and apparatus for tuning frequency of LC-oscillators based on phase-tuning technique

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108419348A (zh) * 2018-04-28 2018-08-17 广东格林莱光电科技有限公司 它激式高频电子镇流器及灯具

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