CN103280539A - 有机发光二极管结构、制作其的方法及显示面板 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 328
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 148
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 52
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 26
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NCMAYWHYXSWFGB-UHFFFAOYSA-N [Si].[N+][O-] Chemical compound [Si].[N+][O-] NCMAYWHYXSWFGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910003471 inorganic composite material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000002650 habitual effect Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种有机发光二极管结构、制作有机发光二极管结构的方法及显示面板，有机发光二极管结构包含薄膜晶体管以及有机发光二极管。有机发光二极管制作于平坦化层上且具有上表面，上表面实质上与基板平行且有机发光二极管中各层亦彼此实质上平行。有机发光二极管的各层的大部分皆具有均匀的厚度，以使有机发光二极管可表现均匀的亮度。平坦化层覆盖薄膜晶体管，而位于薄膜晶体管之上的平坦化层亦为一绝缘层所覆盖。制作一开口，开口穿透位于薄膜晶体管之上的平坦化层和绝缘层以露出薄膜晶体管的部分漏极，使有机发光二极管的上电极与薄膜晶体管的漏极电性连接。此外在薄膜晶体管之上的绝缘层，亦设置有多个具有均一高度的间隙子以保护像素结构。
Description
技术领域
本发明涉及一种主动式矩阵有机发光二极管(AMOLED)结构，特别是关于一种被应用在显示面板上，具有N型薄膜晶体管的主动式矩阵有机发光二极管。
背景技术
主动式矩阵有机发光二极管(active-matrix organic light-emitting diode,AMOLED)是一种应用于移动装置、电视和其它显示面板的显示技术，其主动式矩阵意指背板的像素定址技术。在公知技术中，有机发光二极管(OLED)通常包含阴极层、电子传输层(ETL)、发光层(EML)、空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)以及阳极层。
如图1a所示的标准型有机发光二极管(normal OLED)，其可被制作于基板或是薄膜晶体管(TFT)17上，包含电子传输层12、发光层13、空穴传输层14以及空穴注入层15的层状结构亦可称为有机主动层。如图2a所示为标准型有机发光二极管的像素电路制作于N型薄膜晶体管上，而应用该像素电路的影像显示器通常具有“影像残存”(image sticking)的缺陷。
因此，一种以相反顺序制作的倒置型有机发光二极管(inverted OLED)亦被发展出来，如图1b所示，先在基板或薄膜晶体管17上形成阴极11，接着以不同于标准型的相反顺序制作其有机主动层，最后制作阳极16于有机主动层上。如图2b中为倒置型有机发光二极管的像素电路制作于N型薄膜晶体管上。
目前在制造倒置型有机发光二极管仍有许多技术上的困难。由于在制作顺序中最先形成的阴极通常使用低功函数的材料，其化学活性高容易被氧化，而在制作顺序中最后形成的阳极的溅镀工艺亦会损伤下层的有机主动层。再者，图1b中所示的倒置型有机发光二极管相较于图1a中所示的标准型有机发光二极管，需要较高的操作电压，而较高的操作电压会降低有机发光二极管的使用寿命。
标准型有机发光二极管和倒置型有机发光二极管皆应用在显示面板上。如图3所示的典型的显示面板，显示面板1具有显示区域100，且显示区域100具有许多像素10形成阵列。显示区域接收由数据驱动器200传送的数据信号，以及由栅极驱动器300传送的栅极线信号。每一个像素10阵列具有多个彩色次像素。如图4所示，像素10阵列具有三个彩色次像素20R、20G、20B分别接受来自数据线221、222、223以及来自栅极线231的栅极线信号。其中数据线224是对应于下一行的像素，而栅极线232是对应于下一列的像素。在公知技术中每一个彩色次像素包含如图2a或图2b中所示的一个像素电路。
发明内容
本发明的一态样提供一种在基板上制作有机发光二极管结构的方法，其中该基板具有一开关结构，该开关结构包含一薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有一源极、一栅极、以及一漏极。该方法包含以下步骤：
形成一第一绝缘层在该开关结构上；
形成一第一电极层在部分的该第一绝缘层上；
形成一第二绝缘层在该第一电极层和另一部分的该第一绝缘层上；
提供一第一开口，其穿透该第二绝缘层以露出部分的该第一电极层；以及提供一第二开口，其穿透该第一绝缘层和该第二绝缘层以露出部分的该漏极；
形成一有机主动层，其通过该第一开口而覆盖于所露出的部分该第一电极层上；以及
形成一第二电极层于该第二绝缘层和该有机主动层上，以使部分的该第二电极层和该有机主动层电性连接，进而与该第一电极层形成一发光二极管，而另一部分的该第二电极层通过第二开口和露出的该漏极电性连接。
根据本发明的不同实施例，该开关结构包含：
一第一金属层，配置于部分该基板上，以形成该栅极；
一第三绝缘层，配置于该基板以及该第一金属层上；
一半导体层，其配置于该第一金属层上方的部分该第三绝缘层上，以形成一通道层；以及
一第二金属层，配置于该第三绝缘层上，以分别形成该漏极和该源极在该第一金属层上方，且该漏极和该源极分别电性连接于该通道层，在该通道层和该漏极之间、以及该通道层和该源极之间有一保护层。
根据本发明的不同实施例，该有机主动层包含：
一电子传输层，其相邻于该第二电极层；一空穴传输层，其相邻于该第一电极层；一发光层，其位于该电子传输层及该空穴传输层之间、以及一空穴注入层，其位于该空穴传输层及该第一电极层之间。
根据本发明的不同实施例，该制作有机发光二极管结构的方法更包含配置一个或多个间隙子于该第二绝缘层上。
根据本发明的一个实施例，该开关结构包含：
一半导体层，配置于部分该基板上以形成一通道层；
一第三绝缘层，覆盖于该基板及该半导体层；
一第一金属层，配置于部分该第三绝缘层上，以形成该栅极；
一第四绝缘层，覆盖该第一金属层以及其他部分的该第三绝缘层，其中一第一开口穿透该第四绝缘层和该第三绝缘层，以露出该通道层的一第一部分、以及一第二开口穿透该第四绝缘层和该第三绝缘层，以露出该通道层一第二部分；以及
一第二金属层，配置于该第四绝缘层的一第一部分与一第二部分，以分别形成该漏极和该源极，且该漏极通过该第一开口而与露出的该通道层的第一部分电性连接，而该源极通过该第二开口与露出的该通道层的该第二部分电性连接。
本发明的另一态样提供一有机发光二极管结构，包含：
一开关结构位于一基板上，其中该开关结构包含一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包含一源极、一栅极、以及一漏极；
一第一绝缘层，配置于该开关结构上；
一第一电极层，配置于部分的该第一绝缘层上；
一第二绝缘层，覆盖该第一电极层和另一部分的该第一绝缘层，其中一第一开口穿透该第二绝缘层，以露出部分的该第一电极层、以及一第二开口穿透该第一绝缘层和该第二绝缘层，以露出部分的该漏极；
一有机主动层，通过该第一开口而配置于露出的部分的该第一电极层上；以及
一第二电极层，配置于该第二绝缘层以及该有机主动层上，以使部分的该第二电极层与该有机主动层电性连接，且另一部分的该第二电极层通过该第二开口与露出的该漏极电性连接。
根据本发明的不同实施例，该开关结构包含：
一第一金属层，配置于部分该基板上以形成该栅极；
一第三绝缘层，覆盖该基板以及该第一金属层；
一半导体层，配置于该第一金属层上方的部分该第三绝缘层上，以形成一通道层；以及
一第二金属层，配置于该第三绝缘层上，用以分别形成该漏极和该源极于该第一金属层上方，该漏极和该源极分别和该通道层具有电性连接。根据本发明的不同实施例，该开关结构更包含一保护层，其位于该通道层和该漏极之间、以及该通道层和该源极之间。
根据本发明的不同实施例，该有机主动层包含：
一电子传输层，其邻接于该第二电极层；一空穴传输层，其邻接于该第一电极层；一发光层，其配置于该电子传输层及该空穴传输层之间；以及一空穴注入层，其配置于该空穴传输层及该第一电极层之间。
根据本发明的不同实施例，该有机发光二极管结构更包含一或多个间隙子，其配置于该第二绝缘层上。
根据本发明的不同实施例，该开关结构包含：
一半导体层，其配置于部分该基板上以形成一通道层；
一第三绝缘层，覆盖该基板以及该半导体层；
一第一金属层，其配置于该第三绝缘层上，以形成该栅极；
一第四绝缘层，覆盖该第一金属层以及其他部分的该第三绝缘层上，其中一第一开口穿透该第四绝缘层和该第三绝缘层，以露出该通道层的一第一部分、以及一第二开口穿透该第四绝缘层和该第三绝缘层，以露出该通道层的一第二部分；以及
一第二金属层，其配置于该第四绝缘层的一第一部分与第二部分上，以分别形成该漏极和该源极，且该漏极通过该第一开口与露出的该通道层的该第一部分电性连接，而该源极通过该第二开口与露出的该通道层的第二部分电性连接。
本发明的又一态样提供一种显示面板，该显示面板包含：
一基板；以及
多个有机发光二极管结构，配置于该基板上，其中每个该有机发光二极管结构包含：
一开关结构配置于一基板上，该开关结构包含一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包含一源极、一栅极、以及一漏极；
一第一绝缘层，配置于该开关结构上；
一第一电极层，其配置于部分该第一绝缘层上；
一第二绝缘层，覆盖该第一电极层和另一部分该第一绝缘层，其中一第一开口穿透该第二绝缘层，以露出部分的该第一电极层、以及一第二开口穿透该第一绝缘层和该第二绝缘层，以露出部分该漏极；
一有机主动层，其通过该第一开口配置于露出的部分该第一电极层上；
一第二电极层，配置于该第二绝缘层以及该有机主动层上，其中部分该第二电极层与该有机主动层电性连接，且另一部分该第二电极层通过该第二开口与露出的部分该漏极电性连接；以及
一或多个间隙子，其位于该第二绝缘层上，其中该有机主动层包含：
一电子传输层，其相邻于该第二电极层；
一空穴传输层，其相邻于该第一电极层；
一发光层，其配置于该电子传输层和该空穴传输层之间；以及
一空穴注入层，其配置于该空穴传输层和该第一电极层之间。
根据本发明的一实施例，该开关结构包含：
一第一金属层，配置于该基板的一部分上，以形成该栅极；
一第三绝缘层，覆盖该基板和该第一金属层；
一半导体层，配置于该第一金属层上方的部分该第三绝缘层上，以形成一通道层；
一第二金属层，配置于该第三绝缘层上，以分别形成该漏极和该源极于该第一金属层上方，该漏极和该源极分别和该通道层具有电性连接；以及
一保护层，配置于该通道层和该漏极之间、以及该通道层和该源极之间。
根据本发明的一实施例，该开关结构包含：
一半导体层，配置于部分该基板上，以形成一通道层；
一第三绝缘层，覆盖该基板及该半导体层；
一第一金属层，配置于部分的该第三绝缘层上，以形成该栅极；
一第四绝缘层，覆盖该第一金属层和其他部分的该第三绝缘层上，其中一第一开口穿透该第四绝缘层和该第三绝缘层，以露出该通道层的一第一部分、以及一第二开口穿透该第四绝缘层和该第三绝缘层，以露出该通道层一第二部分；以及
一第二金属层，配置于该第四绝缘层的一第一部分与一第二部分上，以分别形成该漏极和该源极，且该漏极通过该第一开口与露出的该通道层的该第一部分电性连接，而该源极通过该第二开口与露出的该通道层的该第二部分电性连接。
本发明所提供的有机发光二极管以标准型有机发光二极管的顺序被制作，而其实际操作方式却如同倒置型有机发光二极管，具有可以减少或消除残影(image sticking)现象的优点。同时本发明提供层状的有机发光二极管(OLED)结构，其中在有机发光二极管的各层，实质上相互平行。有机发光二极管于平坦层上制作，平坦层的顶部表面与基材平行。据此，有机发光二极管的每一层的主要部分，可以均匀厚度制作，使有机发光二极管发出均匀亮度。更进一步来说，既然有机发光二极管的顶部绝缘层为平坦化的平面，间隙子亦能以统一的高度，制作于绝缘层的顶部，以保护像素结构不被其位于上方的基材损害。当有机发光二极管应用于主动式矩阵有机发光二极管显示器时，每一个有机发光二极管结构均具有开关元件，可启动或关闭有机发光二极管。
为让本发明的上述特征和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举比较例与实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
本申请的上述和其他态样、特征及其他优点参照说明书内容并配合附加附图得到更清楚的了解，其中：
图1a为一般有机发光二极管；
图1b为倒置型有机发光二极管；
图2a具有图1a中的标准型有机发光二极管的典型像素内电路；
图2b具有图1b中的倒置型有机发光二极管的典型像素内电路；
图3为典型显示面板的示意图，其具有显示区域，其像素内部使用有机发光二极管；
图4示意一个像素的示意图，该像素具有三色的次像素；
图5a至图5k显示根据本发明的实施例，制作具有N型薄膜晶体管的有机发光二极管结构的流程；
图6a至图6n显示根据本发明的另一实施例，制作具有N型薄膜晶体管的有机发光二极管结构的流程。
其中，附图标记
1：显示面板 20B：彩色次像素
10：像素阵列 20：基板
100：显示区域 22：栅极
200：数据驱动器 24：绝缘层
300：栅极驱动器 26：第二绝缘层
221：数据线 32：通道层
222：数据线 34：保护层
223：数据线 36：漏极
224：数据线 38：源极
231：栅极线 40：N型薄膜晶体管
232：栅极线 41：薄膜晶体管
11：阴极 50：平坦化层
12：电子传输层 60：有机发光二极管
13：发光层 62：阳极层
14：空穴传输层 64：有机主动层
15：空穴注入层 66：阴极层
16：阳极 70：间隙子
17：基材或薄膜晶体管 71：间隙子
18：标准型有机发光二极管 150：第二开口
19：倒置型有机发光二极管 152：第一开口
20R：彩色次像素 161：第一开口
20G：彩色次像素 162：第二开口L：光
具体实施方式
本发明的目的及优点，通过下列实施例中伴随附图与元件符号的详细叙述后，将更为显著。
为了使本发明内容的叙述更加详尽与完备，可参照所附的附图及以下所述各种实施例，附图中相同的号码代表相同或相似的元件，并且为求清楚说明，元件的大小或厚度可能夸大显示，并未依照原尺寸作图。此外，为简化附图起见，一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示之。然而，应了解到所提供的实施例并非用以限制本发明所涵盖的范围。这些实务上的细节不应用以限制本发明。
本发明中的“上”、“下”、“前”、“后”等用语，均为便于说明根据本发明的实施例中元件的相对位置或时间顺序所采的描述，而非用限制的目的。而结构运作的描述非用以限制其执行的顺序，任何由元件重新组合的结构，所产生具有均等功效的装置，皆为本发明所涵盖的范围。
本发明提供一种像素元件的制造流程。如图2b所示，有机发光二极管的阴极连接至N型晶体管的漏极(D)。如图5c所示，N型薄膜晶体管40包含栅极22、漏极36以及源极38。薄膜晶体管40进一步包含通道层32以及保护层34。如图5i、图5k所示，有机发光二极管60包含阳极层62、阴极层66以及配置于阳极层62和阴极层66之间的有机主动层64。阴极层66和N型薄膜晶体管40的漏极36电性连接。有机主动层64如图1a中有机发光二极管所示，有机主动层64可包含配置于阳极层上的空穴注入层(HIL)、配置于空穴注入层上的空穴传输层(HTL)、配置于空穴传输层上的发光层(EML)以及位于发光层和阴极层之间的电子传输层(ETL)。
相较于图2a中所示的像素电路，图2b中所示的像素电路其具有可以减少或消除残影(image sticking)现象的优点。本发明所提供的像素结构依据图2b所示的像素电路。
本发明提供一种像素电路，其被制作于基板20上，基板20可为硬质基材或可挠式基板，硬质基材例如玻璃基板。根据本发明的实施例，第一金属层22配置于部分的基材20上，以形成薄膜晶体管40的栅极，参见图5a到图5c。绝缘层24配置于基材20和第一金属层22上(见图5b)。N型半导体层32配置于第一金属层22的上方的部分绝缘层24上，以形成薄膜晶体管40的通道层。N型半导体层32可由例如氧化物半导体、硅半导体或有机物半导体所组成。氧化物半导体可包含氧化锌、氧化铟、氧化镓、氧化锡或氧化锗等其中之一或多者。硅半导体可包含结晶型半导体或非晶型半导体。保护层34其配置于通道层32的一部分上。提供第二金属层，其置于该绝缘层24的一部分、通道层32、以及保护层34上，以分别形成薄膜晶体管40的漏极36以及源极38(见图5c)。如图5d所示，平坦化层50，其置于绝缘层24和薄膜晶体管40上，完全覆盖晶体管以提供与基板20的上表面实质平行的平坦表面。平坦化层50可由有机材料、有机及无机复合材料，如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、钛氧化物以及铝氧化物所组成。
如图5e和图5f所示，导电层配置于部分平坦化层50上，以形成有机发光二极管60(见图5i)的阳极层62，以及另一绝缘层52配置于阳极层62的顶部以及剩余部份的平坦化层50上。导电层(阳极层62)为氧化铟锡(ITO)、银、铝、氧化铟锡(IZO)或这些的组合所组成。如图5g所示，制作穿透绝缘层52的第一开口152，以露出部分的阳极层62，借此定义发光二极管60的有效发光区。另制作穿透绝缘层52和平坦化层50的第二开口150，以露出部分漏极36。二个或二个以上的间隙子70配置于绝缘层52的顶部，以保护像素结构不被位于上方的基材(图示中未绘出)损伤。有机主动层64配置于露出的部分阳极层62上，如图5h所示。为完成像素结构，电性连接层66配置于有机主动层64的顶部上，作为发光二极管60的阴极层，同时亦作为由发光二极管60到薄膜晶体管40的漏极36的电性连接者，如图5i所示。
值得注意的是，因为间隙子70具有较宽的底部，可搭配用以沉积导电层66的沉积罩，使得导电层66不会沉积到间隙子70上方，如此便避免了导电层66与其相邻像素之间的电性连接。或者，亦可以通过沉积导电性的薄膜于绝缘层52、有机主动层64、以及间隙子70之上，然后再将导电性的薄膜以图案化制作成所需的形状，以作为导电层66。根据本发明的另一实施例，间隙子具有较宽的顶部，如图5j及图5k所示。因为间隙子71具有如图5j及图5k所示的形状，使配置导电层66的沉积工艺可在真空下进行。因为间隙子71具有较宽的顶部，所以就算沉积导电层时在间隙子的顶部沉积有导电层，当导电层66沉积后，在相邻像素之间亦不会形成连续的导电路径。又或者，导电层66可经细金属掩膜(fine metal mask,FMM)进行沉积、以喷墨方式(inkjetprinting,IJP)印刷、或以激光致热显影(laser-induced thermal imaging,LITI)方式制作。
在本发明的不同实施例中，配置在基材20上的第一层为N型半导体层32，其形成薄膜晶体管的通道层，如图6a所示。然后第一绝缘层24配置于基板20上，以覆盖通道层32(见图6b)，第一金属层22配置于部分绝缘层24上，以形成薄膜晶体管的栅极，如图6c所示。接着第二绝缘层26配置于第一绝缘层24上，以覆盖第一金属层22，如图6d所示。如图6e所示，制作第一开口161，其穿透第一绝缘层24和第二绝缘层26，以露出通道层32的第一部分，以及制作第二开口162，其亦穿透第一绝缘层24和第二绝缘层26，以露出通道层32的第二部分。如图6f所示，第二金属层通过第一开口161配置于露出的通道层32的第一部分，以形成薄膜晶体管41的漏极36；而第二金属层通过第二开口162配置于露出的通道层32的第二部分，以形成薄膜晶体管41的源极38。平坦化层50配置于第二绝缘层26以及薄膜晶体管41上，其完全覆盖该晶体管，如图6g所示。
如图6h和图6i所示，导体层配置于部分平坦化层50上，以作为发光二极管60(见图6m和图6n)的阳极层62，以及第三绝缘层52配置于阳极层62的顶部以及剩余部份的平坦化层50之上。如图6j所示，制作第一开口152穿透第三绝缘层52，形成阳极层62的露出部分并将其定义为发光二极管60的有效发光区。制作第二开口150穿透第三绝缘层52和平坦化层50，使漏极36具有一露出部分。二个或二个以上的具有较宽的顶部的间隙子71配置于第三绝缘层52的顶部(见图6k)，以保护像素结构而不被位于其上方的基材损害(图未绘制)。有机主动层64配置于阳极层62的露出部分上，如图6l所示。为完成像素结构，电性连接层66配置于有机主动层64的顶部，以作为发光二极管60的阴极层，同时亦作为由发光二极管60至薄膜晶体管41的漏极36的电性连接者，如图6m所示。或者，一个或多个具有较宽的底部的间隙子70配置于该绝缘层52的顶部，如图6n所示。
值得注意的是，间隙子70、71可由配置于第三绝缘层52上的光阻材料所组成。举例来说，间隙子70可由正型光阻材料所组成，而间隙子71则可由负型光阻所组成。更进一步来说，有机主动层64以及电性连接层66可经数种方法制作，举例来说，有机主动层64以及电性连接层66可通过细金属掩膜(finemetal mask,FMM)以阴影掩膜方法(shadow-mask method)进行沉积、或以喷墨方式(inkjet printing,IJP)印刷制作。有机主动层64以及电性连接层66亦可由激光致热显影(laser-induced thermal imaging,LITI)方法制作。保护层34(图5c)、绝缘层26(图6d)、以及绝缘层50(图5f及图6i)可由有机材料、有机和无机的复合材料、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、钛氧化物、以及铝氧化物所组成。漏极36和源极38(图5c)可经第二金属层沉积于绝缘层24之后，以蚀刻第二金属层的方式制作。为了保护通道层(N型半导体层)32不至于被过度蚀刻，在部分的通道层32上提供保护层34，如图5c所示。
综上所述，本发明提供层状的有机发光二极管(OLED)结构，其中在有机发光二极管的各层，实质上相互平行。有机发光二极管于平坦层上制作，平坦层的顶部表面与基材平行。据此，有机发光二极管的每一层的主要部分，可以均匀厚度制作，使有机发光二极管发出均匀亮度。更进一步来说，既然有机发光二极管的顶部绝缘层为平坦化的平面，间隙子亦能以统一的高度，制作于绝缘层的顶部，以保护像素结构不被其位于上方的基材损害。当有机发光二极管应用于主动式矩阵有机发光二极管显示器时，每一个有机发光二极管结构均具有开关元件，如薄膜晶体管(TFT)，作为启动或关闭有机发光二极管之用。根据本发明的不同实施例，平坦化层完整覆盖开关元件，甚至，部分的平坦化层亦被顶部绝缘层所覆盖。有机发光二极管的阳极形成于平坦化层上，并未与薄膜晶体管具有电性连接。据此，为了使有机发光二极管的先前形成的阴极，与薄膜晶体管的漏极具有电性连接，故制作开口，其穿透顶部绝缘层以及平坦化层，使得漏极具有露出的部分，有机发光二极管的阴极和薄膜晶体管的漏极，通过开口而具有电性连接。据此，本发明的有机发光二极管以标准型有机发光二极管的顺序被制作，而其实际操作方式却如同倒置型有机发光二极管。
有机发光二极管结构更包含一或多个间隙子，其形成于第二绝缘层上。间隙子可为多种形状，举例来说，可为具有较宽的顶部或为具有较宽的底部，亦可顶部与底部的宽度相同。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (20)
1.一种在一基板上制作一有机发光二极管结构的方法，其特征在于，包含：
提供一开关结构于该基板上，其中该开关结构包含一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包含一源极、一栅极、以及一漏极；
形成一第一绝缘层于该开关结构上；
形成一第一电极层于部分的该第一绝缘层上；
形成一第二绝缘层于该第一电极层和另一部分的该第一绝缘层上；
形成一第一开口，其穿透该第二绝缘层，以露出部分的该第一电极层，以及形成一第二开口，其穿透该第一绝缘层和第二绝缘层，以露出部分的该漏极；
形成一有机主动层，其通过该第一开口而覆盖于所露出的部分该第一电极层上；以及
形成一第二电极层于该第二绝缘层和该有机主动层上，以使部分的该第二电极层和该有机主动层电性连接，进而与该第一电极层形成一发光二极管，而另一部分的该第二电极层通过该第二开口和露出的该部分漏极电性连接。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含:
配置一个或多个间隙子于该第二绝缘层上。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中该一个或多个间隙子具有一较宽的底部。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中该一个或多个间隙子具有一较宽的顶部。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，其中形成该第二电极层的步骤包含：
形成一导电层于该一个或多个间隙子、该第二绝缘层、以及该有机主动层之上；以及
图案化该导电层以形成该第二电极层于该第二绝缘层和该有机主动层之上。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，其中形成该第二电极层的步骤包含：
形成一导电层于该一个或多个间隙子、该第二绝缘层、以及该有机主动层之上，以形成该第二电极层。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该有机主动层包含：
一电子传输层，其相邻于该第二电极层；
一空穴传输层，其相邻于该第一电极层；以及
一发光层，其位于该电子传输层和该空穴传输层之间。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，其中该有机主动层还包含一空穴注入层，其位于该空穴传输层与该第一电极层之间。
9.一种有机发光二极管结构，其特征在于，包含：
一开关结构，位于一基板上，其中该开关结构包含一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包含一源极、一栅极、以及一漏极；
一第一绝缘层，配置于该开关结构上；
一第一电极层，配置于部分该第一绝缘层上；
一第二绝缘层，覆盖该第一电极层以及另一部分该第一绝缘层，其中一第一开口穿透该第二绝缘层，以露出部分的该第一电极层、以及一第二开口穿透该第一绝缘层以及该第二绝缘层，以露出部分的该漏极；
一有机主动层，通过该第一开口而配置于露出的部分该第一电极层上；以及
一第二电极层，配置于该第二绝缘层以及该有机主动层上，以使部分该第二电极层与该有机主动层电性连接，且另一部分的该第二电极层通过该第二开口与露出的部分该漏极电性连接。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管结构，其特征在于，其中该开关结构包含：
一第一金属层，配置于部分该基板上，以形成该栅极；
一第三绝缘层，配置于该基板以及该第一金属层上；
一半导体层，配置于该第一金属层上方的部分该第三绝缘层上，以形成一通道层；以及
一第二金属层，配置于不同部分的该第三绝缘层上，用以分别形成该漏极和该源极在该第一金属层上方，且该漏极和该源极分别电性连接于该通道层。
11.根据权利要求10所述的有机发光二极管结构，其特征在于，其中该开关结构还包含：
一保护层，其位于部分该漏极和该通道层之间以及部分该源极和该通道层之间。
12.根据权利要求9所述的有机发光二极管结构，其特征在于，其中该有机主动层包含：
一电子传输层，其相邻于该第二电极层；
一空穴传输层，其相邻于该第一电极层；以及
一发光层，其配置于该电子传输层及该空穴传输层之间。
13.根据权利要求12所述的有机发光二极管结构，其特征在于，其中该有机主动层还包含：
一空穴注入层，其位于该空穴传输层和该第一电极层之间。
14.根据权利要求9所述的有机发光二极管结构，其特征在于，还包含：
一个或多个间隙子，配置于该第二绝缘层上，其中该间隙子具有一较宽的顶部。
15.根据权利要求9所述的有机发光二极管结构，其特征在于，还包含：
一个或多个间隙子，配置于该第二绝缘层上，其中该间隙子具有一较宽的底部。
16.根据权利要求9所述的有机发光二极管结构，其特征在于，其中该开关结构包含：
一半导体层，配置于部分该基板上以形成一通道层；
一第三绝缘层，覆盖该基板以及该半导体层；
一第一金属层，配置于部分该第三绝缘层上，以形成该栅极于该通道层上方；
一第四绝缘层，覆盖该第一金属层以及其他部分的该第三绝缘层，其中一第一开口穿透该第四绝缘层和该第三绝缘层，以露出该通道层的一第一部分、以及一第二开口穿透该第四绝缘层和该第三绝缘层，以露出该通道层的一第二部分；以及
一第二金属层，配置于该第四绝缘层的一第一部分与一第二部分上，以分别形成该漏极和该源极，且该漏极通过该第一开口与露出的该通道层的该第一部分电性连接，而该源极通过该第二开口与露出的该通道层的该第二部分电性连接。
17.一种显示面板，其特征在于，其包含；
一基板；以及
多个有机发光二极管结构，配置于该基板上，其中每个该有机发光二极管结构包含：
一开关结构配置于该基板上，该开关结构包含一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包含一源极、一栅极、以及一漏极；
一第一绝缘层，配置于该开关结构上；
一第一电极层，配置于部分该第一绝缘层上；
一第二绝缘层，覆盖该第一电极层和另一部分该第一绝缘层，其中一第一开口穿透该第二绝缘层，以露出部分的该第一电极层、以及一第二开口穿透该第一绝缘层和该第二绝缘层，以露出部分该漏极；
一有机主动层，其通过该第一开口配置于露出的部分该第一电极层上；
一第二电极层，配置于该第二绝缘层以及该有机主动层上，其中部分该第二电极层与该有机主动层电性连接，且另一部分该第二电极层通过该第二开口与露出的部分该漏极电性连接；以及
一个或多个间隙子，其位于该第二绝缘层上，其中，该有机主动层包含：
一电子传输层，其相邻于该第二电极层；
一空穴传输层，其相邻于该第一电极层；
一发光层，配置于该电子传输层和该空穴传输层之间；以及
一空穴注入层，配置于该空穴传输层和该第一电极层之间。
18.根据权利要求17所述的显示面板，其特征在于，其中该开关结构包含；
一第一金属层，配置于该基板的一部分上以形成该栅极；
一第三绝缘层，覆盖该基板和该第一金属层；
一半导体层，配置于该第一金属层上方的部分该第三绝缘层上，以形成一通道层；
一第二金属层，配置于该第三绝缘层上，以分别形成该漏极和该源极于该第一金属层上方，该漏极和该源极分别和该通道层具有电性连接；以及
一保护层，配置于该通道层和部分该漏极之间、以及该通道层和部分该源极之间。
19.根据权利要求17所述的显示面板，其特征在于，其中该开关结构包含：
一半导体层，配置于部分该基板上，以形成一通道层；
一第三绝缘层，覆盖该基板以及该半导体层；
一第一金属层，配置于部分该第三绝缘层上，以形成该栅极；
一第四绝缘层，覆盖该第一金属层和其他部分的该第三绝缘层上，其中一第一开口穿透该第四绝缘层和该第三绝缘层，以露出该通道层的一第一部分、以及一第二开口穿透该第四绝缘层和该第三绝缘层，以露出该通道层一第二部分；以及
一第二金属层，配置于该第四绝缘层的一第一部分与一第二部分上，以分别形成该漏极和该源极，且该漏极通过该第一开口与露出的该通道层的该第一部分电性连接，而该源极通过该第二开口与露出的该通道层的该第二部分电性连接。
20.根据权利要求17所述的显示面板，其特征在于，其中该一个或多个间隙子具有一顶部面积以及一底部面积，该底部面积大于或小于该顶部面积。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/438,071 US8648337B2 (en) | 2012-04-03 | 2012-04-03 | Active matrix organic light-emitting diode |
| US13/438,071 | 2012-04-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103280539A true CN103280539A (zh) | 2013-09-04 |
| CN103280539B CN103280539B (zh) | 2015-08-12 |
Family
ID=49063020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310067781.1A Active CN103280539B (zh) | 2012-04-03 | 2013-03-04 | 有机发光二极管结构、制作其的方法及显示面板 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8648337B2 (zh) |
| EP (1) | EP2834849B1 (zh) |
| CN (1) | CN103280539B (zh) |
| TW (1) | TWI514561B (zh) |
| WO (1) | WO2013149495A1 (zh) |
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| CN110911467A (zh) * | 2019-12-05 | 2020-03-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN110911467B (zh) * | 2019-12-05 | 2023-04-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光显示面板及其制备方法、显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20130256703A1 (en) | 2013-10-03 |
| EP2834849A4 (en) | 2015-11-25 |
| EP2834849B1 (en) | 2018-04-18 |
| US8648337B2 (en) | 2014-02-11 |
| EP2834849A1 (en) | 2015-02-11 |
| CN103280539B (zh) | 2015-08-12 |
| TW201342588A (zh) | 2013-10-16 |
| TWI514561B (zh) | 2015-12-21 |
| WO2013149495A1 (en) | 2013-10-10 |
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| C06 | Publication | ||
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