CN103247531A

CN103247531A - 薄膜晶体管及其制作方法及显示器

Info

Publication number: CN103247531A
Application number: CN2012100326261A
Authority: CN
Inventors: 李冠锋
Original assignee: Innolux Shenzhen Co Ltd; Chi Mei Optoelectronics Corp
Current assignee: Innocom Technology Shenzhen Co Ltd; Innolux Shenzhen Co Ltd; Chi Mei Optoelectronics Corp
Priority date: 2012-02-14
Filing date: 2012-02-14
Publication date: 2013-08-14
Anticipated expiration: 2032-02-14
Also published as: CN103247531B

Abstract

本发明一实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：于一基板上依序形成一栅极、一栅绝缘层、以及一主动层；形成一绝缘金属氧化物层覆盖主动层，其中绝缘金属氧化物层包含一第一金属的金属氧化物；于形成一金属层覆盖主动层，金属层包括一第二金属；于金属层上形成以一沟槽分隔的一源极与一漏极；移除沟槽暴露出的金属层；以及对金属层与绝缘金属氧化物层进行一退火工艺，以使金属层与绝缘金属氧化物层反应而形成一导电性复合金属氧化物层，其包含第一金属与第二金属。

Description

薄膜晶体管及其制作方法及显示器

技术领域

本发明有关于一种薄膜晶体管，且特别是有关于一种底栅极薄膜晶体管。

背景技术

随着显示科技的日益进步，人们借着显示器的辅助可使生活更加便利，为求显示器轻、薄的特性，促使平面显示器(flat panel display，FPD)成为目前的主流。在诸多平面显示器中，液晶显示器(liquid crystal display，LCD)具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等优越特性，因此，液晶显示器深受消费者欢迎。

液晶显示器主要是由主动阵列基板、彩色滤光基板与位于两基板之间的液晶层所构成。主动阵列基板具有主动区以及周边电路区。主动阵列位于主动区内，而具有多个底栅极薄膜晶体管的驱动电路则位于周边电路区内。

于现有技术中，底栅极薄膜晶体管的工艺会遭遇到一些问题，例如在形成源极与漏极时，容易损伤位于其下的主动层，以致于背通道受损。

发明内容

本发明一实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：提供一基板；于基板上形成一栅极以及一栅绝缘层覆盖栅极；于栅绝缘层上形成一主动层，其中主动层位于栅极上方；于栅绝缘层上形成一绝缘金属氧化物层覆盖主动层，其中绝缘金属氧化物层包含一第一金属的金属氧化物；于绝缘金属氧化物层上形成一金属层，金属层覆盖主动层，其中金属层包括一不同于第一金属的第二金属；于金属层上形成一源极与一漏极，源极与漏极位于主动层上且以一沟槽分隔于栅极的相对两侧，沟槽暴露出部分金属层；移除沟槽暴露出的金属层，以暴露出部分绝缘金属氧化物层；以及对金属层与绝缘金属氧化物层进行一退火工艺，以使金属层与绝缘金属氧化物层反应而形成一导电性复合金属氧化物层，其包含第一金属与第二金属，其中导电性复合金属氧化物层电连接主动层与源极、以及电连接主动层与漏极。

本发明一实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：提供一基板；于基板上形成一栅极以及一栅绝缘层覆盖栅极；于栅绝缘层上形成一主动层，其中主动层位于栅极上方；于栅绝缘层上形成一绝缘金属氧化物层覆盖主动层，其中绝缘金属氧化物层包含一金属的金属氧化物；于绝缘金属氧化物层上形成一掩膜层，掩膜层具有一第一开口与一第二开口分别暴露出绝缘金属氧化物层的一第一部分与一第二部分，第一部分与第二部分分别位于栅极的相对两侧上方；进行一退火工艺，以将第一部分与第二部分分别还原成一第一导电部与一第二导电部，第一导电部与第二导电部的材质为金属或是一氧含量低于绝缘金属氧化物层的导电金属氧化物；移除掩膜层；以及于第一导电部与第二导电部上分别形成一源极与一漏极。

本发明一实施例提供一种薄膜晶体管，包括：一基板；一栅极，配置于基板上；一栅绝缘层，配置于基板上并覆盖栅极；一主动层，配置于栅绝缘层上并位于栅极上方；一保护导电层，配置于主动层上，且具有分别位于栅极的相对两侧的一第一导电部与一第二导电部，第一导电部与第二导电部以一沟槽分隔，其中保护导电层为一含有一第一金属的金属层、一含有第一金属的金属氧化物层、或是一同时包含第一金属与一第二金属的导电性复合金属氧化物层；一绝缘金属氧化物层，配置于主动层上，且位于沟槽中，以电性隔离第一导电部与第二导电部，其中绝缘金属氧化物层为一含有第一金属的金属氧化物层；以及一源极与一漏极，分别配置于第一导电部与第二导电部上。

本发明是利用金属层作为刻蚀分隔部时的刻蚀停止层，以保护其下的绝缘金属氧化物层与主动层。并且，在移除金属层时利用绝缘金属氧化物层作为保护层，以保护位于绝缘金属氧化物层下的主动层。之后，利用退火工艺使绝缘金属氧化物层与金属层反应而形成导电性复合金属氧化物层，以电连接主动层与源极、以及电连接主动层与漏极。

附图说明

图1A至图1D绘示本发明一实施例的薄膜晶体管的工艺剖面图。

图2绘示本发明另一实施例的薄膜晶体管的工艺剖面图。

图3A至图3C绘示本发明另一实施例的薄膜晶体管的工艺剖面图。

图4A至图4D绘示本发明另一实施例的薄膜晶体管的工艺剖面图。

图5绘示本发明一实施例的显示器的剖面图。

附图标号：

110～基板；

120～栅极；

130～栅绝缘层；

140～主动层；

150、410～绝缘金属氧化物层；

160～金属层；

170～保护导电层；

172～源极；

174～漏极；

176～分隔部；

178、186～沟槽；

180～导电性复合金属氧化物层；

182～第一导电部；

184～第二导电部；

190～界面层；

412～第一部分；

412a～第一导电部；

414～第二部分；

414a～第二导电部；

420～掩膜层；

422～第一开口；

424～第二开口；

500～显示器；

510～薄膜晶体管基板；

520～基板；

530～显示介质；

P～光阻层；

T1～厚度。

具体实施方式

以下将详细说明本发明实施例的制作与使用方式。然而，应注意的是，本发明提供许多可供应用的发明概念，其可以多种特定型式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本发明的特定方式，非用以限制本发明的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。在图式中，实施例的形状或是厚度可扩大，以简化或是方便标示。再者，图中未绘示或描述的元件，为所属技术领域中具有通常知识者所知的形式。

图1A至图1D绘示本发明一实施例的薄膜晶体管的工艺剖面图。请参照图1A，提供一基板110，例如一玻璃基板。接着，于基板110上形成一栅极120以及一栅绝缘层130覆盖栅极120。在一实施例中，栅极120的材质可包括铝(Al)与钼(Mo)、或是其他适合的导电材料。栅绝缘层130的材质例如为二氧化硅或是其他具有高介电常数的介电材料。

然后，于栅绝缘层130上形成一主动层140，其中主动层140位于栅极120上方。主动层140的材质例如为铟镓锌氧化物(IGZO，indium-gallium-zinc-oxide)、或是其他适于作为主动层的半导体材料。

之后，于栅绝缘层130上形成一绝缘金属氧化物层150覆盖主动层140，其中绝缘金属氧化物层150包含一第一金属的金属氧化物，例如氧化铝。形成绝缘金属氧化物层150的方法例如为在溅镀金属的同时通入氧气以直接将金属氧化物镀在主动层140上。绝缘金属氧化物层150的厚度T1例如约为100埃至300埃。在一实施例中，绝缘金属氧化物层150的厚度T1约为150埃至250埃。

接着，于绝缘金属氧化物层150上形成一金属层160，金属层160覆盖主动层140，其中金属层160包括一不同于第一金属的第二金属。金属层160的材质例如为钛、或是其他适合的金属材料。

然后，可选择性地于金属层160上形成一保护导电层170，保护导电层170包括位于主动层140上的一源极172、一漏极174以及一位于源极172与漏极174之间的分隔部176，其中源极172与漏极174分别位于栅极120的相对两侧。保护导电层170的材质可包括铝、钼、钛、铜、或是其他适合的导电材料。在本实施例中，保护导电层170的材质包括铝与钼。之后，于保护导电层170上形成一光阻层P覆盖源极172与漏极174，并暴露出分隔部176。

之后，请同时参照图1A与图1B，以光阻层P为掩膜进行一湿式刻蚀工艺，以移除分隔部176并暴露出部分金属层160。详细而言，移除分隔部176之后会在源极172与漏极174之间留下一沟槽178，且沟槽178暴露出部分金属层160。在一实施例中，金属层160为一钛层，由于湿式刻蚀工艺不易刻蚀钛，因此，金属层160可作为湿式刻蚀工艺的刻蚀停止层。

接着，请参照图1C，可选择性地以源极172与漏极174为掩膜，进行一干式刻蚀工艺，以移除沟槽178暴露出的金属层160，进而暴露出部分绝缘金属氧化物层150。

然后，请参照图1D，对金属层160与绝缘金属氧化物层150进行一退火工艺，以使金属层160与绝缘金属氧化物层150反应而形成一导电性复合金属氧化物层180。退火工艺的工艺温度例如约为300℃至700℃，工艺时间例如为30分钟以上。

详细而言，由于导电性复合金属氧化物层180由包含第一金属的绝缘金属氧化物层150与包含第二金属的金属层160反应而成，因此，导电性复合金属氧化物层180为一同时包含第一金属与第二金属的导电层。在一实施例中，第一金属为铝，绝缘金属氧化物层150为氧化铝(Al₂O₃)层，第二金属为钛，导电性复合金属氧化物层180为钛铝氧化物(TiAl₂O₅)层。

导电性复合金属氧化物层180电连接主动层140与源极172、以及电连接主动层140与漏极174。详细而言，导电性复合金属氧化物层180具有分别位于栅极120的相对两侧的一第一导电部182与一第二导电部184，且第一导电部182与第二导电部184以一沟槽186分隔，其中绝缘金属氧化物层150位于沟槽186中，以电性隔离第一导电部182与第二导电部184。源极172与漏极174分别位于第一导电部182与第二导电部184上。金属层160位于第一导电部182与源极172之间、以及位于第二导电部184与漏极174之间。

在一实施例中，源极172与漏极174的长度大致与所对应的金属层160相同。详细而言，源极172的长度大致相同于金属层160的位于第一导电部182与源极172之间的部分的长度。漏极174的长度大致相同于金属层160的位于第二导电部184与漏极174之间的部分的长度。在一实施例中，主动层140的长度小于栅极120的长度。

值得注意的是，由于导电性复合金属氧化物层180(例如钛铝氧化物)的导电性质接近半导体，故可与同为半导体材质的主动层140的接触阻抗相匹配，故可良好地电连接主动层140与源极172(或漏极174)。

此外，绝缘金属氧化物层150的与金属层160相邻的部分必须完全反应成导电性复合金属氧化物层180以电连接主动层140与源极172(或漏极174)，但是金属层160并不一定要完全反应成导电性复合金属氧化物层180。图1D是绘示金属层160并未完全反应的实施例，但不限于此，在其他实施例中，如图2所示，金属层160可完全反应成导电性复合金属氧化物层180。

由前述可知，本实施例是利用金属层160作为刻蚀分隔部176时的刻蚀停止层，以保护其下的绝缘金属氧化物层150与主动层140。因此，本实施例可避免现有技术因直接刻蚀掉分隔部以至于损害其下的主动层的问题。并且，在移除金属层160时利用绝缘金属氧化物层150作为保护层，以保护位于绝缘金属氧化物层150下的主动层140。之后，利用退火工艺使绝缘金属氧化物层150的连接主动层140与源极172的部分、以及连接主动层140与漏极174的部分与金属层160反应而形成导电性复合金属氧化物层180，以电连接主动层140与源极172、以及电连接主动层140与漏极174。

图3A至图3C绘示本发明另一实施例的薄膜晶体管的工艺剖面图。在另一实施例中，请参照图3A，可在形成金属层160之前，在绝缘金属氧化物层150上沉积一界面层190，界面层190包含第一金属与第二金属的氧化物，界面层190例如包括钛铝氧化物(Ti_0.2Al_0.8O_X，TAO，其中0.2≤X＜1.4)。之后，可在界面层190上形成金属层160、源极172、与漏极174。

然后，请参照图3B，可移除沟槽178暴露出的金属层160以及位于沟槽178下方的界面层190。之后，请参照图3C，对金属层160、界面层190、与绝缘金属氧化物层150进行一退火工艺，以使金属层160、界面层190、与绝缘金属氧化物层150反应而形成一导电性复合金属氧化物层180。

图4A至图4D绘示本发明另一实施例的薄膜晶体管的工艺剖面图。值得注意的是，本实施例的元件相同于图1A至图1D的实施例的元件，材质、结构与制作方法相同，因此，于此不再赘述。

首先，请参照图4A，提供一基板110。接着，以相同于图4A的方法，在基板110上依序形成一栅极120、一栅绝缘层130、以及一主动层140。然后，于栅绝缘层130上形成一绝缘金属氧化物层410覆盖主动层140，其中绝缘金属氧化物层410包含一金属的金属氧化物。

形成绝缘金属氧化物层410的方法例如为在溅镀金属的同时通入氧气以直接将金属氧化物镀在主动层140上。在一实施例中，金属为铜、钼、或铝，绝缘金属氧化物层410为一氧化铜层、一氧化钼层、或是一氧化铝层。

接着，于绝缘金属氧化物层410上形成一掩膜层420，掩膜层420具有一第一开口422与一第二开口424分别暴露出绝缘金属氧化物层410的一第一部分412与一第二部分414。第一部分412与第二部分414分别位于栅极120的相对两侧上方。掩膜层420的材质例如为光阻材料或是适合的有机材料。

然后，请参照图4B，例如在一低压环境中进行一退火工艺，以将第一部分412与第二部分414分别还原成一第一导电部412a与一第二导电部414a。低压环境的压力例如是小于100毫托耳。退火工艺的温度例如约100℃至400℃。

详细而言，本实施例是藉由退火工艺移除第一部分412与第二部分414所具有的氧分子，以形成导电度较高的第一导电部412a与第二导电部414a，其中第一导电部412a与第二导电部414a的材质可为金属或是一氧含量低于绝缘金属氧化物层410的导电金属氧化物。

值得注意的是，在进行退火工艺之后，对于绝缘金属氧化物层410而言，只有掩膜层420暴露出的部分(第一部分412与第二部分414)才会转变成具有导电性质的第一导电部412a与第二导电部414a，其余被掩膜层420遮蔽的部分由于氧分子并未被移除故依然保有绝缘的性质。因此，绝缘金属氧化物层410的保有绝缘的性质的部分可分隔于第一导电部412a与第二导电部414a之间，以使第一导电部412a与第二导电部414a电性绝缘。

之后，请参照图4C，移除掩膜层420。然后，请参照图4D，于第一导电部412a与第二导电部414a上分别形成一源极172与一漏极174。源极172与漏极174的形成方法可类似于图1A与图1B所示的形成方法。

由前述可知，本实施例是藉由在主动层140上形成绝缘金属氧化物层410，并以掩膜层420搭配退火工艺的方式将绝缘金属氧化物层410的预定连接源极172与漏极174的部分还原成第一导电部412a与第二导电部414a，以电连接主动层140与源极172、以及电连接主动层140与漏极174。在退火工艺之后，绝缘金属氧化物层410的保有绝缘特性的部分可分隔于第一导电部412a与第二导电部414a之间，且可作为形成源极172与漏极174时的保护层。

值得注意的是，虽然前述多个实施例是以具有底栅极结构的薄膜晶体管为例作说明，但本发明不限于此，举例来说，本发明的薄膜晶体管结构与制作方法亦可应用在具有顶栅极结构的薄膜晶体管上。

图5绘示本发明一实施例的显示器的剖面图。请参照图5，本实施例的显示器500包括一薄膜晶体管基板510、一基板520以及一夹于薄膜晶体管基板510与基板520之间的显示介质530。薄膜晶体管基板510可为前述图1D、图2、图3C与图4D所示的薄膜晶体管基板，显示介质530可为液晶层或有机发光层。基板520例如为彩色滤光基板或是透明基板。

综上所述，本发明是利用金属层作为刻蚀分隔部时的刻蚀停止层，以保护其下的绝缘金属氧化物层与主动层。并且，在移除金属层时利用绝缘金属氧化物层作为保护层，以保护位于绝缘金属氧化物层下的主动层。之后，利用退火工艺使绝缘金属氧化物层与金属层反应而形成导电性复合金属氧化物层，以电连接主动层与源极、以及电连接主动层与漏极。

由前述可知，本发明是藉由在主动层上形成绝缘金属氧化物层，并以掩膜层搭配退火工艺的方式将绝缘金属氧化物层的预定连接源极与漏极的部分还原成第一导电部与第二导电部，以电连接主动层与源极、以及电连接主动层与漏极。在退火工艺之后，绝缘金属氧化物层的保有绝缘特性的部分可分隔于第一导电部与第二导电部之间，且可作为形成源极与漏极时的保护层。

本发明虽以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明的范围，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当以权利要求所界定的为准。

Claims

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述的方法包括：

提供一基板；

于所述基板上形成一栅极以及一栅绝缘层覆盖所述栅极；

于所述栅绝缘层上形成一主动层，其中所述主动层位于所述栅极上方；

于所述栅绝缘层上形成一绝缘金属氧化物层覆盖所述主动层，其中所述绝缘金属氧化物层包含一第一金属的金属氧化物；

于所述绝缘金属氧化物层上形成一金属层，所述金属层覆盖所述主动层，其中所述金属层包括一不同于所述第一金属的第二金属；

于所述金属层上形成一源极与一漏极，所述源极与所述漏极位于所述主动层上且以一沟槽分隔于所述栅极的相对两侧，所述沟槽暴露出部分所述金属层；

移除暴露于所述沟槽所述金属层，以暴露出位于所述沟槽的所述绝缘金属氧化物层；以及

对所述金属层与所述绝缘金属氧化物层进行一退火工艺，以使所述金属层与所述绝缘金属氧化物层于彼此重叠处产生反应而形成一导电性复合金属氧化物层，其包含所述第一金属与所述第二金属，其中所述导电性复合金属氧化物层连接所述主动层与所述源极、以及连接所述主动层与所述漏极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述第一金属为铝，所述绝缘金属氧化物层为一氧化铝层，所述第二金属为钛，所述导电性复合金属氧化物层为一钛铝氧化物层。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，形成所述源极与所述漏极的步骤包括：

于所述金属层上形成一保护导电层，所述保护导电层包括位于所述主动层上的一源极、一漏极以及一位于所述源极与所述漏极之间的分隔部；

于所述保护导电层上形成一光阻层覆盖所述源极与所述漏极，并暴露出所述分隔部；以及

以所述光阻层为掩膜进行一湿式刻蚀工艺，以移除所述分隔部并暴露出部分所述金属层。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，移除所述沟槽暴露出的所述金属层的步骤包括：

以所述源极与所述漏极为掩膜，进行一干式刻蚀工艺。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在形成所述金属层之前，所述制作方法更包括：

在所述绝缘金属氧化物层上形成一界面层，所述界面层包含所述第一金属与所述第二金属的氧化物，

其中移除所述沟槽暴露出的所述金属层的步骤更包括：

移除位于所述沟槽下方的所述界面层。

6.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述的方法包括：

提供一基板；

于所述基板上形成一栅极以及一栅绝缘层覆盖所述栅极；

于所述绝缘金属氧化物层上形成一掩膜层，所述掩膜层具有一第一开口与一第二开口分别暴露出所述绝缘金属氧化物层的一第一部分与一第二部分，所述第一部分与所述第二部分分别位于所述栅极的相对两侧上方；

进行一退火工艺，以将所述第一部分与所述第二部分分别还原成一第一导电部与一第二导电部，所述第一导电部与所述第二导电部的材质为所述金属或是一氧含量低于所述绝缘金属氧化物层的导电金属氧化物；

移除所述掩膜层；以及

于所述第一导电部与所述第二导电部上分别形成一源极与一漏极。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，进行所述退火工艺的步骤包括：

于一低压环境中进行所述退火工艺。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述低压环境的压力小于100毫托耳。

9.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述退火工艺的温度约100℃至400℃。

10.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述的薄膜晶体管包括：

一基板；

一栅极，配置于所述基板上；

一栅绝缘层，配置于所述基板上并覆盖所述栅极；

一主动层，配置于所述栅绝缘层上并位于所述栅极上方；

一保护导电层，配置于所述主动层上，且具有分别位于所述栅极的相对两侧的一第一导电部与一第二导电部，所述第一导电部与所述第二导电部以一沟槽分隔，其中所述保护导电层为一含有一第一金属的金属层、一含有所述第一金属的金属氧化物层、或是一同时包含所述第一金属与一不同于所述第一金属的第二金属的导电性复合金属氧化物层；

一绝缘金属氧化物层，配置于所述主动层上，且位于所述沟槽中，以电性隔离所述第一导电部与所述第二导电部，其中所述绝缘金属氧化物层为一含有所述第一金属的金属氧化物层；以及

一源极与一漏极，分别配置于所述第一导电部与所述第二导电部上。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘金属氧化物层的氧含量高于所述保护导电层的氧含量。

12.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，包含所述第一金属与所述第二金属的所述导电性复合金属氧化物层为一钛铝氧化物层。

13.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，含有所述第一金属的所述金属氧化物层为一氧化铜层、一氧化钼层、或是一氧化铝层。

14.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，含有所述第一金属的所述金属层为一铜层、一钼层、或一铝层。

15.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属为铜、钼、或铝，且所述绝缘金属氧化物层为一氧化铜层、一氧化钼层、或是一氧化铝层。

16.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述主动层的材质包括铟镓锌氧化物。

17.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，当所述保护导电层为包含所述第一金属与所述第二金属的所述导电性复合金属氧化物层时，所述薄膜晶体管更包括：

一金属层，位于所述第一导电部与所述源极之间、以及位于所述第二导电部与所述漏极之间，所述金属层包括所述第二金属。

18.如权利要求17所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极与所述漏极的长度大致与所对应的所述金属层的长度相同。

19.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，当所述保护导电层为包含所述第一金属与所述第二金属的所述导电性复合金属氧化物层时，所述第一金属为铝，所述绝缘金属氧化物层为一氧化铝层，所述第二金属为钛，所述导电性复合金属氧化物层为一钛铝氧化物层。

20.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘金属氧化物层的厚度约为100埃至300埃。

21.如权利要求20所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘金属氧化物层的厚度约为150埃至250埃。

22.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述主动层的长度小于栅极的长度。

23.一种显示器，其特征在于，所述的显示器包括：

一薄膜晶体管基板，设有多个如权利要求10所述的薄膜晶体管；

一基板，与所述薄膜晶体管基板相对设置；以及

一显示介质，形成于所述薄膜晶体管基板与所述基板之间。

24.如权利要求23所述的显示器，其特征在于，所述显示介质为一液晶层。

25.如权利要求23所述的显示器，其特征在于，所述显示介质为一有机发光层。