CN103222352A - 多层布线基板 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于提供一种多层布线基板(100)，其将高密度布线区域和高频传输区域安装于同一基板上，其中，作为至少高频传输区域使用的绝缘层的材料，通过使用介质损耗角正切(tanδ)小于0.01的树脂材料，使得能够在高频传输区域传输40GHz以上的信号频率。绝缘层由聚合性组合物形成，所述聚合性组合物含有：环烯烃单体、聚合催化剂、交联剂、具有2个亚乙烯基的双官能化合物及具有3个亚乙烯基的三官能化合物，且所述双官能化合物和所述三官能化合物的含有比例以重量比的值(双官能化合物/三官能化合物)计为0.5～1.5。

Description

多层布线基板

技术领域

本发明涉及包含用于搭载LSI、IC等半导体元件的基板在内的多层布线基板，特别通常涉及高频用途的能够降低电气信号损失的半导体元件搭载基板及多层布线基板。

背景技术

多层布线基板广泛应用于搭载半导体元件并与该半导体元件一同收纳于同一封装体中而构成半导体装置，或者搭载多个电子器件(半导体装置或其他有源器件、电容器或电阻元件等无源器件等)而构成信息设备、通信设备、显示装置等电子装置(例如，参照专利文献1)。随着这些半导体装置或信息设备等的近年来的高速传输化和小型化，信号频率的高频化和信号布线密度的高密度化不断发展，要求同时实现高频信号的传输和高密度布线。

但是，通过信号频率的高频化和信号布线密度的高密度化，传输损失增大，因此难以确保传输信号的可靠性，在同一基板上实现信号布线的高密度化和高频信号的传输的课题尚未解决。

另一方面，专利文献2提出了一种在同一基板上实现高频信号传输部的传输损失的降低和低频信号传输部的高密度化的多层布线基板。具体而言，专利文献2提出的多层布线基板具有第一布线区域和第二布线区域，所述第一布线区域夹着第一绝缘层，层叠有多个第一布线层；所述第二布线区域具有该第一绝缘层厚度2倍以上厚度的第二绝缘层，且将具有上述第一布线层宽度2倍以上的宽度的第二布线层设置在上述第二绝缘层上。这样，在将第一布线区域和第二布线区域一体地构成于同一基板上的情况下，就能够将第一布线区域主要作为低频信号传输部使用，且将第二布线区域主要作为高频信号传输部使用，所述第一布线区域，交替地层叠有布线图案和绝缘层；相对于第一布线区域而言，所述第二布线区域的绝缘层的厚度为2倍以上且布线宽度为2倍以上。

在这种构成的多层布线基板中，例如在第一布线区域，主要能够传输1GHz以下的频率信号，在第二布线区域主要能够传输超过1GHz的高频信号高速优选1cm以上的长距离。

因此，专利文献2提案的多层布线基板在由第一布线区域保持高安装密度且由第二布线区域长距离地传输高频信号的情况下，能够抑制传输信号的劣化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2007-288180号公报

专利文献2：国际公开WO2009/147956号公报

发明内容

发明要解决的问题

专利文献2的提案在问题解决上呈现出很优异的发展，但其中使用的绝缘层的电介质损失大，可传输的最大频率停留在16.1GHz。因此可知，不适用于要求进一步高性能化的情况。

因而，本发明的目的在于提供一种在同一基板上实现高频信号传输部的传输损失的降低和低频信号传输部的高密度化的多层布线基板，即提供具有超过16.1GHz的最大频率的多层布线基板。

解决问题的方法

根据本发明可得到一种夹着绝缘层层叠多个布线层而成的多层布线基板，其具有：交替层叠有布线层和绝缘层的第一布线区域、相对于该第一布线区域、绝缘层的厚度为2倍以上且布线层的宽度为2倍以上的第二布线区域，所述第一布线区域和所述第二布线区域一体地形成于同一基板上，其中，所述绝缘层由树脂材料(交联树脂成型体)构成，所述树脂材料通过使聚合性组合物进行本体聚合并进行交联而形成，所述聚合性组合物含有：环烯烃单体、聚合催化剂、交联剂、具有2个亚乙烯基的双官能化合物、及具有3个亚乙烯基的三官能化合物，且所述双官能化合物和所述三官能化合物的含有比例以重量比的值(双官能化合物/三官能化合物)计为0.5～1.5。所述树脂材料通常具有小于0.01的介质损耗角正切(tanδ)。

在这样构成的多层布线基板中，第一布线区域主要作为低频信号传输部进行使用，第二布线区域主要作为高频信号传输部进行使用。

另外，在本发明中，向第一布线区域传输的信号使用的“低频”的术语表示向第一布线区域传输的信号的频率比向第二布线区域传输的信号的频率低的意思，另一方面，向第二布线区域传输的信号使用的“高频”的术语是向第二布线区域传输的信号的频率比向第一布线区域传输的信号的频率高的意思。

在本发明中，“布线图案”或“布线”是按照JISC3005测定的比电阻低于1kΩ-cm的材料形成的线路，以包含电路在内的概念使用。导体的截面形状不局限于矩形，也可以为圆形、椭圆形、其他形状。另外，绝缘体的截面形状也没有特别限制。

在本发明中，优选可以使得所述第二布线区域包括具有第三绝缘层和设置在该第三绝缘层上的第三布线层的部分，所述第三绝缘层比所述第二绝缘层的厚度厚，所述第三布线层比所述第二布线层的宽度宽。

在本发明中，优选通过使构成所述第二布线区域的绝缘层的电介质厚度为40μm以上、布线宽度为30μm以上，能够更有效地抑制传输主要超过8GHz的高频信号1cm以上的长距离时的信号损失的劣化。

在本发明中，优选通过在所述第一布线区域和第二布线区域的边界部的绝缘层上，贯通该绝缘层形成有导体，并使该导体接地，能够抑制第一布线区域和第二布线区域的信号的相互电耦合，能够抑制来自相互的信号布线的放射噪音。

当前通常使用的信号布线的特性阻抗为50Ω，但通过对所述第一及第二布线区域的布线宽度和电介质(绝缘层)厚度及布线厚度进行设计使得特性阻抗优选达到100Ω以上，能够抑制在布线中流动的电流，能够降低传输损失。

另外，通过所述第一布线区域和第二布线区域的绝缘层使用介质损耗角正切(tanδ)为0.002以下这样的绝缘材料，能够抑制传输信号的劣化。特别是，在所述第一布线区域及所述第二布线区域中，至少所述第二布线区域的绝缘层优选使用其相对介电常数为3.7以下且介质损耗角正切为0.0015以下的绝缘材料。

发明效果

根据本发明，通过第一布线区域保持高安装密度，并且通过第二布线区域可以抑制长距离传输高频信号时传输信号的劣化，能够在同一基板上实现多层布线基板的信号布线的高密度化和传输信号的高频化，并且能够将可传输的最大频率设为40～80GHz或其以上。

附图说明

图1是表示第一比较例1的多层布线基板的构造的剖面图；

图2是表示图1所示的多层布线基板的制作流程的剖面图；

图3是表示第二比较例2的多层布线基板的构造的剖面图；

图4是表示第三比较例3的多层布线基板的构造的剖面图；

图5是表示第一比较例1的传输线路及作为比较例的在多层布线基板中的第二布线区域形成有微带线(Microstrip line)构造的传输线路的传输损失和信号频率之间的关系的图；

图6是在采用相对介电常数2.6、10GHz的介质损耗角正切0.01的电介质时求出的针对布线宽度、电介质厚度(绝缘层厚度)和传输损失之间的关系的特性图；

图7是在采用相对介电常数2.6、10GHz的介质损耗角正切0.01的电介质时求出电介质厚度(绝缘层厚度)和传输损失之间的关系的特性图；

图8是在相对介电常数及介质损耗角正切不同的情况下为进行比较而表示电介质厚度(绝缘层厚度)和传输损失之间的关系的特性图；

图9是表示在除频率条件以外与图8同等条件下得到的电介质厚度(绝缘层厚度)和传输损失之间的关系的特性图；

图10是表示第四比较例4的多层布线基板的构造的剖面图；

图11是用于对图10所示的多层布线基板的制作流程进行说明的图；

图12是表示在第四比较例4中使用的微带线的布线尺寸的例子的图；

图13是表示模拟了作为第四比较例4而试制的多层布线基板的截面光学显微镜观察图像的图；

图14是表示在第四比较例4中制作的微带线的传输特性的图；

图15是表示在第四比较例4中制作的微带线的传输特性和高频RLGC模型的计算结果的图；

图16是表示在第四比较例4中制作的微带线的可传输的距离特性的图；

图17是表示在第四比较例4中制作的微带线的电力消耗特性的图；

图18表示将在第四比较例4中制作的微带线的传输特性换算为将传输距离10cm的损失控制在-3db时可传输的频率fp和每一根布线的电力消耗P_board来表示并与传统例进行比较；

图19是用于对本发明的多层布线基板中使用的绝缘层的特性进行说明的图，在此是表示在使布线层的膜厚(10μm)恒定的状态下使绝缘层的膜厚变化时的布线层的宽度和特性阻抗之间关系的曲线图；

图20是用于对本发明的多层布线基板中使用的绝缘层的特性进行说明的图，在此是表示相对于形成绝缘层的聚合性组合物的膜厚而言以一定比例使布线层的宽度及膜厚变化后的绝缘层的膜厚和传输损失(S21)之间关系的曲线图；

图21是用于对本发明的多层布线基板中使用的绝缘层的特性进行说明的图，在此是表示使绝缘层的膜厚、布线层的膜厚及宽度恒定时的频率和传输损失之间关系的曲线图；

图22是用于对本发明的多层布线基板中使用的绝缘层的特性进行说明的图，在此是表示使绝缘层的膜厚及布线层的宽度比图3厚时的频率和传输损失之间关系的曲线图；

图23是用于对本发明的多层布线基板中使用的绝缘层的特性进行说明的图，在此是表示使绝缘层的膜厚及布线层的宽度比图4进一步厚时的频率和传输损失之间关系的曲线图；

图24是表示本发明第一实施方式的多层布线基板的构造的剖面图。

符号说明

100  多层布线基板

101  第一布线区域(高密度安装区域)

102  第二布线区域(高频传输区域)

103a、103b、103c、103d  第一～第四布线层

104、104a、104b、104c、104d  绝缘层

105  导电膜(接地电极)

具体实施方式

(第一比较例1)

下面，在说明本发明的实施方式以前，先基于附图对比较例进行说明。

如图1所示，第一比较例1的多层布线基板100具有第一布线区域(多层布线区域)101和第二布线区域(多层布线区域)102。第一布线区域(多层布线区域)101通过将板状或膜状的绝缘层104a、104b和布线103a交替地层叠而成。第二布线区域(多层布线区域)102在绝缘层104上具有布线103b，所述绝缘层104，相对于第一布线区域101的每一层的绝缘层厚度H1而言，具有2倍以上的绝缘层厚度H2。布线103b的布线宽度W2相对于第一布线区域101的布线103a的布线宽度W1为2倍以上。105为导电膜。

第一比较例的多层布线基板100例如作为半导体元件封装基板来使用。就该多层布线基板100而言，主要在从半导体元件的端子传输的信号的频率超过1GHz且传输距离超过1cm这样的用途中使用第二布线区域102，在其以外的用途中使用第一布线区域101。

第二布线区域102中的绝缘层厚度H2没有特别限制，但优选通过为40μm以上的膜厚，能够大大地减少超过1GHz的高频信号的传输损失。布线103b的宽度W2没有特别限制，但优选通过为30μm以上的布线宽度，能够大大地减少超过1GHz的高频信号的传输损失。

另外，第一布线区域101的特性阻抗没有特别限制，但通过对第二布线区域102的布线宽度和电介质(绝缘层)厚度及布线厚度进行设计从而使得特性阻抗优选为100Ω以上，能够抑制在布线中流动的电流，特别是能够降低高频的传输损失。

第一布线区域101中的布线间距离G1没有特别限制。第一布线区域101和第二布线区域102的边界的布线间距离G2没有特别限制，但通过使布线距离G2达到第二布线区域102的绝缘层厚度H2以上，能够抑制布线间的耦合，能够抑制串音噪声(Crosstalk noise)。第一布线区域101中的布线层的厚度T1没有特别限制。第二布线区域102中的布线层的厚度T2没有特别限制，但由于在设传输信号频率为f、布线103b的导电率为σ、其导磁率为μ的情况下，电磁波进入布线的深度d用下述的数学式1来表示，因此优选其值为d以上。

[数学式1]

$d=\frac{1}{\sqrt{\mathrm{\πf\μ\σ}}}$

将第一布线区域101和第二布线区域102一体地构成于同一基板上的方法例如如下进行。

如图2(a)所示，首先将绝缘层104(图1)的下部绝缘层104a形成为片状。在其下部绝缘层104a的下面，形成铜等导电膜105，并且在下部绝缘层104a的上部形成铜等布线层103。导电膜105及布线层103例如可通过电镀法、溅射法、有机金属CVD法、Cu等金属膜的粘接法等来形成Cu膜。

接着，如图2(b)所示，通过光刻法等使布线层103图案化，形成期望图案的布线103a。布线103a构成第一布线区域101中的布线图案，但第二布线区域102中的布线层通过蚀刻法等来去除。紧接着，如图2(c)所示，在形成有布线103a的下部绝缘层104a上形成上部绝缘层104b。上部绝缘层104b与例如下部绝缘层104a同样形成为片状，并通过例如挤压法，贴合在下部绝缘层104a上。

其后，如图2(d)所示，在上部绝缘层104b上形成布线层103。接下来，如图2(e)所示，通过光刻法等使上部绝缘层104b上的布线层103图案化，将第一布线区域101的布线103a也形成在上部绝缘层104b上，并且将第二布线区域102的布线103b形成在上部绝缘层104b上。

另外，上部绝缘层104b也可以用例如旋转涂布法、涂布法等来形成。

(第二比较例2)

如图3所示，在第二比较例2中，在图1说明的最上层的布线103a、103b上形成绝缘层104c，并且分别在绝缘层104c上的第一布线区域101上形成布线103a，在第二布线区域102中、在不是在形成有布线103b的第一部分而是第二部分上形成有布线103c。在第二布线区域102的第二部分，在最上层的布线103c下的绝缘层上未形成布线层，该绝缘层的厚度H3为H1的3倍以上，另外布线103c的宽度W3也优选比第一部分的布线103b的宽度W2大。在第二比较例中，第二布线区域(多层布线区域)102由具有相对于第一布线区域(多层布线区域)101的每一层的绝缘层厚度H1为2倍以上的多种绝缘层厚度H2、H3规定的绝缘层104，且除了由具有相对于布线103a的布线宽度W1为2倍以上的多种布线宽度W2、W3规定的布线103b、103c之外，具有与第一比较例同样的构成。

在下述中，对与上述第一比较例通用的部件赋予同一符号，省略其部分说明，下面仅对不同点进行详细说明。

在第二比较例中，在第二布线区域102中的具有多种绝缘层厚度的布线中，布线下部的绝缘层厚度较厚的构造的布线，即厚度H3的绝缘层上的布线103c能够进一步抑制高频信号的传输损失。另外，在图3中由103b和103c这两种来代表第二布线区域102中的布线，但第二布线区域102中的布线构造的绝缘层厚度和布线宽度不局限于两种。另外，只要满足与第一布线区域101的布线构造的关系即可，不对第二布线区域102中的布线构造的绝缘层厚度和布线宽度的组合进行限制。

(第三比较例3)

参照图4对第三比较例3进行说明。在此，在第一布线区域101和第二布线区域102的边界区域设有通(VIA)孔即沿纵方向将绝缘层贯通的孔，用导电体填埋该孔，以隔着该导电体将布线106与接地电极105连接的方式形成，除这点以外，具有与第一比较例同样的结构。通过配置与接地电极105连接的通孔导电体及布线106，能够抑制第一布线区域101中的布线的信号和第二布线区域102中的布线的信号的电耦合，能够抑制对在第二布线区域102中传输的信号的噪音。

在图4中，将布线106与作为接地电极的导电膜105连接，但是只要布线106与接地电极连接即可，与接地电极的位置关系没有限制。另外，布线106的截面构造及通孔导电体的截面构造不局限于矩形。

另外，为代替如图4所示的采用通过一个通孔与接地电极(导电膜)105连接的构成，也可以首先通过贯通上部绝缘层104b的第一通孔，与面向下部绝缘层104a的表面设置的面(ランド)连接，其次，由贯通下部绝缘层104a的第二通孔将该面和接地电极105连接。该例作为实施例2，后面进行详细说明。在这种情况下，第一通孔和第二通孔也可以不为一直线而是错开配置。

另外，也可以在图4的构造的上部，如图3所示形成绝缘层104c，并且在绝缘层104c上的第二布线区域102内的布线103b和布线103c之间的绝缘层104c上设置接地布线，使其经由通孔与接地电极105连接。

下面，对第一比较例1的更详细的构成进行说明。

参照图1，通过以上记载的方法，在同一基板上分别形成有如下两种微带线构造，所述一种微带线，作为上述第一比较例1记载的多层布线构造的第一布线区域101，绝缘层104b的厚度H1为40μm，布线103a的布线宽度W1为104μm、布线厚度T1为12μm；所述另一种微带线，作为第二布线区域102，绝缘层104的厚度H2为80μm，布线103b的布线宽度W2为215μm、布线厚度T2为12μm。

本比较例1的第一布线区域101中的布线间距离G1为100μm，第一布线区域101的布线103a和第二布线区域102的布线103b的布线间距离G2为150μm。另外，作为绝缘层104，使用了通过空腔谐振法而求出的1GHz的相对介电常数为2.5，且1GHz的介质损耗角正切为0.01这样的聚环烯烃系绝缘材料。另外，作为布线103a、103b、导电膜105，通过电镀法形成电阻率为1.8μΩ-cm的金属铜。

在图5中用实线表示通过S参数法测定的该多层布线基板100中的第二布线区域102的相对于信号频率的传输损失的结果。

另外，在将第一布线区域101的每一根布线的占有截面积视为1的情况下，本例的多层布线基板100中的布线的占有截面积为10.1。

(传统例1)

除具有如下的微带线构造这点以外，与第一比较例1同样地，制造出多层布线基板100，所述微带线构造是作为第二布线区域102具有与第一布线区域101相同的构造，绝缘层104的厚度H2为40μm，布线103b的布线宽度W2为104μm。在图5中用虚线表示通过S参数法测定的该第二布线区域102的相对于信号频率的传输损失的结果。

另外，在将第一布线区域101的每一根布线的占有截面积视为1的情况下，传统例1的多层布线基板100中的布线的占有截面积为7.0。

(传统例2)

除具有如下的微带线构造这点以外，与第一比较例1同样地，制造出多层布线基板100，所述微带线构造为作为第一布线区域101，具有与第二布线区域102相同的构造，绝缘层厚度为80μm，布线宽度为215μm。

该多层布线基板100中的第二布线区域102的相对于信号频率的传输损失为与第一比较例1的第二布线区域102的相对于信号频率的传输损失同等的值。

另外，在将第一布线区域101的每一根布线的占有截面积视为1的情况下，传统例2的多层布线基板100中的布线的占有截面积为29.9。

如图5所示，第一比较例1与传统例1相比，可确认能够降低高频信号的传输损失。另外，第一比较例1与传统例2相比，确认能够减小布线的占有截面积。

图6是在使用相对介电常数ε_r=2.6、10GHz下的介质损耗角正切tanδ=0.01的电介质时求出的针对布线宽度W、电介质厚度(绝缘层厚度)H和传输损失之间的关系的特性图。

另外，图7是在使用相对介电常数ε_r=2.6、10GHz下的介质损耗角正切tanδ=0.01的电介质时求出的电介质厚度(绝缘层厚度)和传输损失之间的关系的特性图。如图7所示，当绝缘层的厚度为40μm以上时，传输损失就极低。

另一方面，图8是为了对采用相对介电常数ε_r=2.6、10GHz的介质损耗角正切tanδ=0.01的电介质(图中，左侧)和相对介电常数ε_r=3.4、10GHz的介质损耗角正切tanδ=0.023的电介质(图中，右侧)传输10GHz的信号时的电介质厚度(绝缘层厚度)和传输损失之间的关系进行比较而表示的图。

图9表示的是在除频率5GHz以外其余与图8同等的条件下得到的电介质厚度(绝缘层厚度)和传输损失之间的关系。如图9的左侧所示，可知当绝缘层的相对介电常数ε_r=2.6、介质损耗角正切tanδ=0.01时，与图9的右侧相比，传输损失极低。

由图6～图9也可确认，与第一比较例1同样，能够降低高频信号的传输损失，特别可确认通过增大电介质厚度即绝缘层厚度、减小绝缘层的相对介电常数及介质损耗角正切而实现的传输损失的降低效果显著。另外，传输损失的降低效果在相对介电常数为2.7以下、介质损耗角正切为0.015以下时显著。

(第四比较例4)

以组合图3、图4说明的第二、第三比较例2、3得到的多层布线基板作为第四比较例4，参照图10对该多层布线基板100进行说明。该多层布线基板100可称为多种电介质厚度混装/高阻抗印刷布线基板，其构造能够将安装密度的下降抑制到最小限度，且在一个印刷布线基板100上具有能够以低电力消耗来传输GHz频带特别是10GHz以上的超高频信号的区域。

如下所述归纳该多种电介质厚度混装/高阻抗印刷布线基板的特征。

A)在一个印刷布线基板100上，具有用于传输1GHz以下的低频/直流电源的高密度安装区域101，以及能够以低损失实现超过1GHz的高频传输的高频传输区域102。

B)高密度安装区域101尽可能微细地形成布线宽度W，实现安装密度的提高。为了抑制布线损失，电介质厚度H不进行极端的膜化。另外，为了将高密度安装区域101的布线特性阻抗Z1保持在125Ω以上，且实现低电力消耗，也需要抑制电介质膜的薄膜化。例如，使用相对介电常数ε_r＝2.60的聚环烯烃树脂膜，在电介质膜厚为H1＝40μm、布线高度为T＝10μm的情况下，特性阻抗Z1＝125Ω的布线宽度为W1＝9.4μm。该布线可通过平滑镀敷印刷布线技术来实现。

C)高频传输区域102具有第一部分和第二部分。为了抑制布线金属损失，在第一部分，使电介质膜厚为高密度安装区域101的电介质膜厚的2倍(H2＝2×H1)或其以上，在第二部分，使电介质膜厚为3倍(H2’＝3×H1)或其以上。该电介质膜厚可通过应用堆叠(build up)多层印刷布线基板的形成方法来实现。即在布线图案化时，通过蚀刻去除高频传输区域102的下层电介质树脂膜上的电镀铜布线，在其上堆叠第二层及第三层树脂膜，由此不用重新导入特殊的工序即可实现。使高频传输区域102的特性阻抗Z2为100Ω以上。这是为了降低电力消耗，并且抑制随着电介质树脂膜厚的布线宽度的增加，提高安装密度。例如，在使用相对介电常数ε_r＝2.60的电介质树脂膜且使电介质膜厚为H2＝80μm、布线高度为T＝10μm的情况下，特性阻抗为Z2＝50Ω的布线宽度为W2＝209μm。另一方面，在以特性阻抗Z2＝100Ω来设计布线的情况下，W2＝52μm，既能够实现1/2的电力消耗又能够抑制布线宽度的增大。另外，第二部分的布线的宽度W2’比第一部分的布线的宽度W2大(优选为2倍以上)。

D)高频传输区域102和高密度安装区域101的边界为了降低布线间的信号的电耦合，且抑制与传输信号重叠的串音噪声，通过通孔来设置噪音屏蔽(シールド)。即使在高频传输区域102，为了降低第一部分和第二部分的布线间的信号的电耦合，也通过通孔设置噪音屏蔽。

在本实施例中，采用如下所述的构成，来代替如上述的图4所示通过一个通孔导电体来与接地电极(导电膜)105连接的构成。首先，由贯通下部绝缘层104a的通孔导电体，使设置于下部绝缘层104a的表面的面和接地电极(导电膜)105连接，接下来，由贯通上部绝缘层104b的通孔导电体，连接设置于下部绝缘层104a的表面的面，进而通过通孔导电体连接设置于上部绝缘层104b的表面的面和设置于绝缘层104c的表面的面。

为了验证第四比较例4的多种电介质厚度混装/高阻抗印刷布线基板的效果，进行了下面的实验。

首先，通过图11所示的堆叠多层印刷布线基板的制作流程，试制出多种电介质厚度混装/高阻抗印刷布线基板。电介质树脂膜使用厚度H＝40μm的聚环烯烃树脂，将作为高密度安装区域101的具有电介质厚度H1＝40μm、布线宽度W1＝10μm、布线高度T＝10μm的布线的区域(特性阻抗Z1＝123Ω)和作为高频传输区域102的具有H2＝80μm、W2＝50μm、T＝10μm的微带线的布线区域(特性阻抗Z2＝101Ω)试制在同一基板上，对多种电介质厚度混装/高阻抗印刷布线基板进行了验证。

在高频传输区域102，通过在蚀刻时去除第一层的镀铜布线，与第二层的电介质树脂膜一起使膜厚为2×H＝H2＝80μm。该工艺流程可通过利用了在聚环烯烃树脂上形成平滑镀敷的技术的堆叠多层印刷布线基板的布线形成工序来实现。

接着，为了确认高频传输区域102的传输特性，通过与图11同样的工艺，形成微带线构造，对其高频传输特性进行了判定。电介质膜厚通过将H＝40μm的聚环烯烃树脂重叠二层或三层，制成H2＝80μm和H2’＝120μm。布线的特性阻抗试制出Z0＝50Ω和Z0＝100Ω两种。将试制出的微带线构造的布线尺寸表示在图12中。

通过将上述的微带线的传输特性和H＝40μm的微带线的传输特性的实测值进行比较，来对电介质膜厚的不同给传输特性带来的影响进行实测，验证了多种电介质厚度混装/高阻抗印刷布线基板的优越性。另外，利用高频RLGC模型，分析上述的多种电介质厚度混装/高阻抗印刷布线基板的传输特性，确认了其优越性。

图13表示的是模拟使用低介电常数、低介质损耗、平滑镀敷电介质树脂膜而制作出的多种电介质厚度混装/高阻抗印刷布线基板(作为第四比较例4而制作出的多层布线基板)的截面光学显微镜观察图像的图。作为图中左侧的高密度安装区域，在每一层H1＝40μm的电介质膜上形成宽度W1＝10μm的布线，作为图中左侧的高频传输区域，在相当于两层电介质膜的膜厚H2＝80μm上，准确地形成有布线宽度W2＝50μm的布线。由此表示通过堆叠多层印刷布线基板工艺，可形成多种电介质厚度混装/高阻抗印刷布线基板。

图14表示的是在第四比较例4中制作出的微带线的高频传输特性。通过在使用低介电常数、低介质损耗、平滑镀敷电介质树脂膜而降低了传输损失，然后再将电介质膜厚制成H2＝80μm或H2’＝120μm，从而以-3dB/10cm的传输损失实现超过10GHz的超高频传输。验证了即使使特性阻抗为Z0＝100Ω并将布线微细化，也将传输损失抑制到与Z0＝50Ω的微带线大致相同的损失。这是因为由于布线金属损失约等于布线电阻÷(特性阻抗)×2，因此即使通过布线的微细化而布线电阻增大，也能够通过使特性阻抗增大，来防止布线损失的增大。这样，通过提高特性阻抗，能够将布线微细化，因此即使在高频信号传输区域，也能够抑制面内的安装密度的下降，并且能够传输超过10GHz的传输信号10cm以上，且能够将每一根布线的电力消耗抑制到传统的1/2以下。

图15表示的是与图14相同的传输特性的实测结果和利用高频RLGC模型而得到的传输特性的计算结果。模型中使用的聚环烯烃树脂的电介质特性、布线尺寸使用图12的值。布线电阻率为ρ＝1.72μΩ-cm，不考虑表面粗糙度引起的布线损失的增大。发现，在各自的膜厚中，实测结果和高频RLGC模型的计算结果良好地一致，可知不存在由于电介质-金属界面的粗糙度及电介质树脂膜的层叠而导致的树脂膜界面对传输特性的影响。

图16表示的是通过在第四比较例4中制作出的微带线的传输特性计算出的可传输距离。可传输距离定义为/S21/为-3dB以下的信号传输距离。验证了当在印刷布线基板上以大致必要的传输距离10cm进行比较时，可传输H2＝80μm、Z0＝100Ω且fp＝13.0GHz、H2’＝120μm、Z0＝100Ω且fp＝16.1GHz这样的超高频。

图17表示的是从该传输特性计算出的每一根布线传输10cm时的电力消耗。通过使特性阻抗Z0高至100Ω，且降低了传输损失，在传输10GHz的信号时的每一根布线每10cm的电力消耗在H2＝80μm、Z0＝100Ω的情况下，为P_board＝13.3mW的电力消耗，在H2’＝120μm、Z0＝100Ω时，为P_board＝12.6mW的电力消耗，与传统形成在环氧树脂上的H＝40μm、Z0＝50Ω的微带线的电力消耗51.3mW相比，抑制到了电力消耗的约1/4，大幅度实现了低电力消耗。确认了即使在低频区域，也因将特性阻抗制成了2倍而能够将电力消耗降低到1/2。

在图18中，表示将在第四比较例4中制作的微带线的传输特性通过换算为将传输距离10cm的损失控制为-3db时可传输的频率fp和每一根布线的电力消耗P_board来表示并与传统例进行比较。通过使用多种电介质压力混装布线构造，能够在保持安装密度的同时，以传统的1/2以下的低电力消耗来实现10GHz以上的信号传输，实现超高频、低电力消耗、高密度印刷布线基板，所述多种电介质压力混装布线(複数誘電体圧混載配線)构造使用了低介电常数、低介电损失、平滑镀敷技术，使用了聚环烯烃树脂作为电介质树脂膜。

在以上说明的第一～第四比较例1～4中，如上所述能够得到优异的特性，但传输最大频率停留在16.1GHz，还需要进一步的高性能化。

本发明的特征为作为绝缘层的材料，使用日本特愿2009-294703号说明书中记载的聚合性组合物材料。

在此，对本发明使用的聚合性组合物材料进行概要说明。如日本特愿2009-294703号说明书所述，该聚合性组合物材料含有：环烯烃单体、聚合催化剂、交联剂、具有2个亚乙烯基的双官能化合物及具有3个亚乙烯基的三官能化合物，且上述双官能化合物和上述三官能化合物的含有比例以重量比的值(双官能化合物/三官能化合物)计为0.5～1.5。另外，作为双官能化合物优选双官能甲基丙烯酸酯化合物，作为三官能化合物优选三官能甲基丙烯酸酯化合物。另外，根据期望，也可以在上述的聚合性组合物中添加填充剂、聚合调整剂、聚合反应延迟剂、链转移剂、防老剂及其他配合剂。

下文将对上述的环烯烃单体、聚合催化剂、交联剂、双官能化合物及三官能化合物、填充剂、聚合调整剂、聚合反应延迟剂、链转移剂、防老剂及其他配合剂等进行描述。

本发明涉及将对日本特愿2009-294703号说明书记载的聚合性组合物进行本体聚合并进行交联而成的树脂材料(以下，简称为X-L-1)作为绝缘层而使用的多层布线基板。对该基板的电气特性进行了测定，其结果可知，在室温(25℃)且1GHz下，表示介质损耗特性的tanδ通常为0.0012，与专利文献2的tanδ相比是极小的。另外可知，上述的树脂材料通常具有3.53的相对介电常数εr。另一方面，在专利文献2的tanδ中，在1GHz下，具有0.01的tanδ、2.5的相对介电常数。

参照图19，其表示的是由介质损耗角正切(tanδ)为0.0012的树脂材料X-L-1形成绝缘层时的特性阻抗和导电体层的宽度之间的关系。在图19中，如图19的上部所示，制作出在由铜形成的导线11上形成有厚度H的上述的绝缘层13，且在该绝缘层13上具有由宽度W且厚度10μm的铜形成的导线15的微带线，并进行了测定。在此，通过使绝缘层13的厚度(布线高度)H及导线15的宽度W变化，来测定特性阻抗的变化。

由图19可知，随着绝缘层13的厚度H越来越厚，微带线的特性阻抗越来越高，另一方面，随着导线15的宽度W越来越窄，特性阻抗越来越高。

参照图20，其表示的是使由tanδ为0.0012、相对介电常数εr为3.53的树脂材料形成的绝缘层的膜厚H变化并且使导线15的膜厚T及宽度W随着绝缘层的膜厚H的变化而变化的情况下传输损失S21的变化。在此，作为导线15，使用具有1.72μΩ·cm的固有电阻(低效率)ρ的导线15，加上10GHz的信号后的每10cm的传输损失S21/10cm示于图20的纵轴上，绝缘层的膜厚H示于横轴。

在此，表示的是将导线15的高度T制成绝缘层13的膜厚H的0.25倍且将导线15的宽度W制成绝缘层13的膜厚H的0.378倍时的传输损失。在这种情况下，该微带线的特性阻抗Z0为100Ω。

由图20可知，随着绝缘层13的膜厚H越来越薄，导线15及微带线整体的传输损失S21越来越大，特别是，当膜厚H比20μm薄时，传输损失S21就从-7dB急剧地增大到-12dB。另一方面，图20也表示出当绝缘层13的膜厚H超过50μm时，就能够使传输损失S21在-3dB以下。因而可知，如果绝缘层13的膜厚H为40μm左右，且特性阻抗Z0为100Ω，则即使使布线层的宽度W及膜厚T薄到10μm左右，也能够充分地传输低于10GHz频率的信号，例如，8GHz频率的信号。

另外，根据本发明人等的实验，在将具有上述的0.0012的tanδ及3.53的相对介电常数εr的绝缘层13的膜厚H恒定于130μm，并且将导线15的膜厚T固定于15μm的状态下，当使导线15的宽度W变化时，就能够使微带线的特性阻抗Z0变化。例如，在将导线15的膜厚T及宽度W分别制成15μm及276μm时，特性阻抗Z0为50Ω。

进而，在将上述的绝缘层13的膜厚H恒定于130μm的状态下，在将导线15的膜厚T及宽度W分别制成15μm及276μm时，能够将特性阻抗Z0制成100Ω，在将导线15的膜厚T及宽度W分别制成15μm及8.3μm的情况下，能够使特性阻抗Z0为150Ω。

另外，在将上述的绝缘层13的膜厚H保持在130μm、将导线15的膜厚T保持在15μm的状态下，将导线15的宽度W制成10μm及20μm时的特性阻抗Z0分别为147.5Ω及131.9Ω。

参照图21，其表示的是绝缘层13的膜厚H为130μm、导线15的膜厚T及宽度W分别为15μm及60μm时的微带线的传输特性。在图21中，横轴为频率(GHz)，纵轴为每10cm的传输损失S21。在这种情况下，可知，微带线总体(Total)的传输损失S21在42GHz以下时保持在-3dB以下，直到超过40GHz的极高的频率区域，都能够以低传输损失进行信号传输。

接着，参照图22，其表示的是使绝缘层13的膜厚H比图21厚时的微带线的传输特性。与图21同样，在图22中，横轴表示频率(GHz)，纵轴表示每10cm的传输损失S21。具体而言，在图22中，表示的是使绝缘层13的膜厚H厚至195μm时的传输特性。另外，导线15的膜厚T及宽度W分别为15μm及95μm。即在图22中，表示的是使绝缘层13的膜厚H比图21厚65μm且将导线15的宽度W加宽后的微带线的传输特性。由图22可知，直到65GHz，都能够将微带线总体(Total)的传输损失保持在-3dB以下。

进而，参照图23，其表示的是与图21及图22同样的微带线的传输特性，在此，表示的是将导线15的膜厚与图21及图22同样地保持在15μm，并且将绝缘层13的膜厚H及导线15的宽度W分别制成260μm及131μm的情况。由图23也可知，直到83GHz，每10cm的传输损失都保持在-3dB以下。

由图21～图23可知，通过将绝缘层13的膜厚H加厚及将导线15的宽度W加宽，直到高的频率，都能够进行信号传输。具体而言，在将绝缘层13的膜厚H制成65μm左右，且将布线层15的厚度T及宽度W分别制成15μm及10μm左右时，至少可得到8GHz的最大频率，当将绝缘层13的膜厚H加厚至130μm时，可得到40GHz以上的最大频率。进而，当将绝缘层13的膜厚H加厚至195μm及260μm时，分别可得到60GHz及80GHz以上的最大频率。

参照图24，其表示的是本发明一实施方式的多层布线基板。图示的多层布线基板100可称为多种电介质厚度混装/高阻抗印刷布线基板，其构造能够将安装密度的下降抑制到最小限度，且在一个印刷布线基板100上，具有能够以低电力消耗来传输GHz频带特别是40GHz、60GHz及80GHz以上的超高频信号的区域。

具体而言，图示的多层布线基板100从表面上划分为高密度区域101和高频传输区域102。在此，高频传输区域102通常是传输超过8GHz的高频信号例如具有40GHz以上的频率的信号的区域，另一方面，高密度区域101通常是传输8GHz以下的低频信号例如具有低于8GHz的频率的信号的区域。

高密度区域101及高频传输区域102设置于单一基板105上，例如，接地电极或印刷基板上。在高密度区域101中，在单一基板105上设有：具有0.0012的tanδ及3.53的相对介电常数εr的第一绝缘层104a、由铜等形成的第一布线层103a。进而，在第一布线层103a上，形成有第二绝缘层104b、第二布线层103b，以下同样地，依次层叠有第三绝缘层104c、第三布线层103c、第四绝缘层104d及第四布线层103d。在图示的例子中，第一～第四绝缘层104a～104d以由上述的具有0.0012的tanδ及3.53的相对介电常数εr的树脂即树脂材料(X-L-1)形成的绝缘层来说明。

在高密度区域101，交替地形成有绝缘层104和布线层103。在此，各绝缘层104a～104d的膜厚H为65μm，各布线层103a～103d的膜厚T为15μm，宽度W1为10μm。进而，形成各布线层103a～103d的图案间的间隔也为10μm左右。在这种情况下，高密度区域101的特性阻抗Z1为122Ω。

另一方面，高频传输区域102与高密度区域101相比，取较宽的布线层间厚度方向的间隔及各布线层的布线图案间的横向的间隔，并且高频传输区域102的绝缘层由上述的树脂材料(X-L-1)形成。图24所示的高频传输区域102具有与设置在基板105上的面106电连接的多个噪音屏蔽。在图示的例子中，在高频传输区域102和高密度区域101的边界上，设有从第二绝缘层104b的表面到达面106的通孔导电体112a，该通孔导电体112a作为噪音屏蔽来发挥作用。即通过配置通孔导电体112a，能够降低高密度区域101的布线和高频传输区域102的布线间的电耦合，能够抑制与传输信号重叠的串音噪声。

另外，在高频传输区域102的第二绝缘层104b上，设有宽度W为60μm的第二布线层103b。高频传输区域102的第二布线层103b设置在距面106的距离为130μm的位置上。构成宽度W2为60μm的第二布线层103b的图案具有100Ω的特性阻抗。

进而，在高频传输区域102的第三绝缘层104c及第四绝缘层104d上，分别设有包含宽度W3及宽度W4的图案的第三及第四布线层103c及103d。第三及第四布线层103c及103d的布线图案分别具有95μm及131μm的宽度W3及宽度W4，分别设置在膜厚H3及H4的第三及第四绝缘层104c及104d上。在图示的例子中，膜厚H3及H4分别为195μm及260μm。包含第三及第四布线层103c及103d的图案的特性阻抗为100Ω。由此可知，高频传输区域102的第二～第四布线层103b～103d的特性阻抗Z0全都为100Ω。

进一步参照图24时，在高频传输区域102的第二布线层103b和第三布线层103d之间及高频传输区域102的第三布线层103c和第四布线层103d之间，分别配置有作为噪音屏蔽的通孔导电体112b。通过配置通孔导电体112b，能够抑制第三布线层103c及第四布线层103d之间的串音噪声。

如下所述归纳图示的多种电介质厚度混装/高阻抗印刷布线基板的特征。

在一个印刷布线基板100上，具有例如用于传输8GHz以下的低频、直流电源的高密度安装区域101、能够以低损失来实现超过80GHz的高频传输的高频传输区域102。

图示的高频传输区域102具有第一部分、第二部分及第三部分。为了抑制布线金属损失，电介质膜厚在第一部分，具有为高密度安装区域101的绝缘层的膜厚的2倍(H2＝2×H1)或其以上的厚度，在第二部分，具有为3倍(H2’＝3×H1)或其以上的厚度，进而，在第三部分，具有4倍或其以上的厚度。通过该关系，高频传输区域102的第一～第三部分分别具有40GHz、60GHz及超过80GHz的最大频率。

图24所示的绝缘层膜厚可通过应用堆叠多层印刷布线基板的形成方法来实现。

即，在布线图案化时，通过蚀刻将高频传输区域102的下层电介质树脂膜上的电镀铜布线除去，然后在其上堆叠第二层、第三层及第四层的树脂膜，由此不用重新导入特殊的工序就能够实现。

另外，堆叠多层印刷布线基板的形成方法自身与上述的形成方法同样，因此在此省略说明。

高频传输区域102的特性阻抗Z优选为100Ω以上。这是为了降低电力消耗，并且抑制随着电介质树脂膜厚的增加而布线宽度增加，从而提高安装密度。

另外，本发明不局限于上述的实施方式，在本发明的范围内，可进行种种改变。例如，本发明的布线构造也可用于微带布线构造以外的布线构造，例如，带布线构造或其他多层布线构造。

接着，对本发明使用的聚合性组合物材料进行说明。如上所述，本发明使用的聚合性组合物含有环烯烃单体、聚合催化剂、交联剂、具有2个亚乙烯基的双官能化合物及具有3个亚乙烯基的三官能化合物。

下面，对上述的聚合性组合物使用的环烯烃单体、聚合催化剂、交联剂、双官能化合物及三官能化合物等进行说明。

另外，对作为预浸料坯等而优选使用的对上述聚合性组合物进行本体聚合而成的交联性树脂成型体及对上述聚合性组合物进行本体聚合并交联而成的交联树脂成型体进行说明。本发明的绝缘层由该交联树脂成型体构成。

(环烯烃单体)

本发明使用的环烯烃单体具有由碳原子形成的脂环构造，且是在该脂环构造中具有一个聚合性碳-碳双键的化合物。在本说明书中，“聚合性碳-碳双键”指的是可链型聚合(开环聚合)的碳-碳双键。在开环聚合中，存在离子聚合、自由基聚合及易位聚合等种种形态，但在本发明中，通常指的是易位开环聚合。

作为环烯烃单体的脂环构造，可以举出：单环、多环、稠环、桥环及它们的组合多环等。构成各脂环构造的碳原子数没有特别限制，但通常为4～30个，优选为5～20个，更优选为5～15个。

环烯烃单体也可以具有烷基、链烯基、亚烷基及芳基等碳原子数1～30的烃基、羧基及酸酐基等极性基作为取代基，但从以得到的层叠体为低介质损耗角正切的观点考虑，优选不具有极性基即仅由碳原子和氢原子构成的环烯烃单体。

作为环烯烃单体，可任意地使用单环的环烯烃单体和多环的环烯烃单体中。从使得到的层叠体的介质特性及耐热性的特性高度平衡的观点考虑，优选多环的环烯烃单体。作为多环的环烯烃单体，特别优选降冰片烯系单体。

“降冰片烯系单体”指的是在分子内具有降冰片烯环构造的环烯烃单体。例如可以举出：降冰片烯类、二环戊二烯类及四环十二烯类等。

作为环烯烃单体，也可任意地使用不具有交联性的碳-碳不饱和键的环烯烃单体和具有一个以上交联性的碳-碳不饱和键的环烯烃单体中。

在本说明书中，“交联性的碳-碳不饱和键”指的是不参与开环聚合而可参与交联反应的碳-碳不饱和键。交联反应是形成交联结构的反应，存在缩合反应、加成反应、自由基反应及易位反应等种种形态，但在此，通常指的是自由基交联反应或易位交联反应，特别是自由基交联反应。作为交联性的碳-碳不饱和键，可以举出芳香族碳-碳不饱和键以外的碳-碳不饱和键，即脂肪族碳-碳双键或三键，在此指的是脂肪族碳-碳双键。在具有一个以上交联性的碳-碳不饱和键的环烯烃单体中，不饱和键的位置没有特别限制，除存在于由碳原子形成的脂环构造内以外，也可以存在于该脂环构造以外的任意位置，例如，存在于侧链的末端及内部。例如，上述脂肪族碳-碳双键可作为乙烯基(CH₂＝CH-)、亚乙烯基(CH₂＝C＜)或1,2-亚乙烯基(-CH＝CH-)而存在，从良好地发挥自由基交联反应性的观点考虑，优选以乙烯基及/或亚乙烯基的形式存在，更优选以亚乙烯基的形式存在。

作为不具有交联性的碳-碳不饱和键的环烯烃单体，例如可以举出：环戊烯、3-甲基环戊烯、4-甲基环戊烯、3,4-二甲基环戊烯、3,5-二甲基环戊烯、3-氯环戊烯、环己烯、3-甲基环己烯、4-甲基环己烯、3,4-二甲基环己烯、3-氯环己烯及环庚烯等单环环烯烃单体；降冰片烯、5-甲基-2-降冰片烯、5-乙基-2-降冰片烯、5-丙基-2-降冰片烯、5,6-二甲基-2-降冰片烯、1-甲基-2-降冰片烯、7-甲基-2-降冰片烯、5,5,6-三甲基-2-降冰片烯、5-苯基-2-降冰片烯、四环十二烯、三环[5.2.1.0^2,6]癸-3,8-二烯(DCP)、1,4,5,8-二亚桥甲基-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氢萘(TCD)、1,4,4a,9a-四氢-1,4-亚甲基芴(MTF)、2-甲基-1,4,5,8-二桥亚甲基-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氢萘、2-乙基-1,4,5,8-二桥亚甲基-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氢萘、2,3-二甲基-1,4,5,8-二桥亚甲基-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氢萘、2-己基-1,4,5,8-二桥亚甲基-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氢萘、2-亚乙基-1,4,5,8-二桥亚甲基-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氢萘、2-氟-1,4,5,8-二桥亚甲基-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氢萘、2-亚乙基-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氢-1,4:5,8-二桥亚甲基萘(ETD)、1,5-二甲基-1,4,5,8-二桥亚甲基-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氢萘、2-环己基-1,4,5,8-二桥亚甲基-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氢萘、2,3-二氯-1,4,5,8-二桥亚甲基-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氢萘、2-异丁基-1,4,5,8-二桥亚甲基-1,2,3,4,4a,5,8,8a-八氢萘、1,2-二氢二环戊二烯、5-氯-2-降冰片烯、5,5-二氯-2-降冰片烯、5-氟-2-降冰片烯、5,5,6-三氟-6-三氟甲基-2-降冰片烯、5-氯甲基-2-降冰片烯、5-甲氧基-2-降冰片烯、5,6-二羧基-2-降冰片烯无水物、5-二甲基氨基-2-降冰片烯及5-氰基-2-降冰片烯等降冰片烯系单体，优选为不具有交联性的碳-碳不饱和键的降冰片烯系单体。

作为具有一个以上交联性的碳-碳不饱和键的环烯烃单体，例如可以举出：3-乙烯基环己烯、4-乙烯基环己烯、1,3-环戊二烯、1,3-环己二烯、1,4-环己二烯、5-乙基-1,3-环己二烯、1,3-环庚二烯及1,3-环辛二烯等单环环烯烃单体；5-亚乙基-2-降冰片烯、5-亚甲基-2-降冰片烯、5-亚异丙基-2-降冰片烯、5-乙烯基-2-降冰片烯、5-烯丙基-2-降冰片烯、5,6-二亚乙基-2-降冰片烯、二环戊二烯及2,5-降冰片二烯等降冰片烯系单体，优选为具有一个以上交联性的碳-碳不饱和键的降冰片烯系单体。

这些环烯烃单体可以分别单独或者组合使用两种以上。

作为本发明的聚合性组合物使用的环烯烃单体，优选包含具有一个以上交联性的碳-碳不饱和键的环烯烃单体。如果使用这种环烯烃单体时，则会提高得到的层叠体的可靠性，故优选。

在本发明的聚合性组合物中配合的环烯烃单体中，具有一个以上交联性的碳-碳不饱和键的环烯烃单体和不具有交联性的碳-碳不饱和键的环烯烃单体的配合比例只要根据期望而适当选择即可，但以重量比的值(具有一个以上交联性的碳-碳不饱和键的环烯烃单体/不具有交联性的碳-碳不饱和键的环烯烃单体)计，通常为5/95～100/0，优选为10/90～90/10，更优选为15/85～70/30的范围。如果该配合比例处在这种范围内，则对于得到的层叠体而言，能够高度地提高耐热性，故优选。

另外，只要不阻碍本发明效果的体现，本发明的聚合性组合物也可以包含可与以上的环烯烃单体共聚的任意单体。

(聚合催化剂)

作为本发明使用的聚合催化剂，如果是能够将上述环烯烃单体聚合的聚合催化剂，就没有特别限制，但本发明的聚合性组合物在后述的交联性树脂成型体的制造中，优选直接供本体聚合来使用，通常优选使用易位聚合催化剂。

作为易位聚合催化剂，可以举出可对上述环烯烃单体进行易位开环聚合的通常以过渡金属原子为中心原子而多个离子、原子、多原子离子及化合物等进行键合而成的络合物。作为过渡金属原子，使用5族、6族及8族(根据长周期元素周期表，以下相同)的原子。各族的原子没有特别限制，但作为5族的原子，例如可以举出：钽，作为6族的原子，例如可以举出：钼及钨，作为8族的原子，例如可以举出：钌及锇。作为过渡金属原子，其中优选8族的钌及锇。即，作为本发明使用的易位聚合催化剂，优选以钌或锇为中心原子的络合物，更优选以钌为中心原子的络合物。作为以钌为中心原子的络合物，优选卡宾化合物配位于钌而成的钌卡宾络合物。在此，“卡宾化合物”是具有亚甲基自由基的化合物的总称，是指(＞C：)所示的无电荷的具有二价碳原子(卡宾碳)的化合物。钌卡宾络合物由于本体聚合时的催化活性优异，因此在将本发明的聚合性组合物提供给本体聚合而得到交联性树脂成型体的情况下，在得到的成型体上，来源于未反应的单体的臭气少，可得到生产率良好且质量优良的成型体。另外，相对于氧及空气中的水分而言，比较稳定，不易失活，因此即使在大气下也可使用。

上述易位聚合催化剂可以分别单独或者组合使用两种以上。易位聚合催化剂的使用量以摩尔比(易位聚合催化剂中的金属原子﹕环烯烃单体)计，通常为1﹕2,000～1﹕2,000,000，优选为1﹕5,000～1﹕1,000,000，更优选为1﹕10,000～1﹕500,000的范围。

易位聚合催化剂可以根据期望溶解或悬浮于少量的不活性溶剂中进行使用。作为这种溶剂，可以举出：正戊烷、正己烷、正庚烷、流动石蜡及矿物油精等链状脂肪族烃；环戊烷、环己烷、甲基环己烷、二甲基环己烷、三甲基环己烷、乙基环己烷、二乙基环己烷、十氢萘、二环庚烷、三环癸烷、六氢茚及环辛烷等脂环式烃；苯、甲苯及二甲苯等芳香族烃；茚或四氢萘等具有脂环和芳香环的烃；硝基甲烷、硝基苯及乙腈等含氮烃；二乙基醚或四氢呋喃等含氧烃等。其中，优选使用链状脂肪族烃、脂环式烃、芳香族烃及具有脂环和芳香环的烃。

(交联剂)

本发明的聚合性组合物使用的交联剂是为了在将该聚合性组合物提供给聚合反应而得到的聚合物(环烯烃聚合物)中引发交联反应而使用的。因此，该聚合物能够成为可后交联的热塑性树脂。在此，“可后交联”的意思是，可以通过对该树脂进行加热，来进行交联反应，从而形成为交联树脂。以上述聚合物为基体材料树脂的交联性树脂成型体通过加热进行熔融，由于粘度高，因此其形状得以保持，另一方面，在接触任意部件的情况下，在其表面上，相对于该部件的形状，发挥追随性，最终交联而固化。本发明的交联性树脂成型体的这种特性被认为，在将该交联性树脂成型体层叠然后加热熔融、交联而得到的层叠体中，有助于层间密合性及布线嵌入性的体现。

作为本发明的聚合性组合物使用的交联剂，没有特别限制，但通常优选使用自由基产生剂。作为自由基产生剂，例如可以举出：有机过氧化物、重氮化合物及非极性自由基产生剂等，优选为有机过氧化物及非极性自由基产生剂。

作为有机过氧化物，例如可以举出：叔丁基过氧化氢、对烷过氧化氢及异丙苯过氧化氢等过氧化氢类；二异丙苯过氧化物、叔丁基异丙苯过氧化物、α,α’-双(叔丁基过氧化-间异丙基)苯、二叔丁基过氧化物、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧化)-3-己炔及2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧化)己烷等二烷基过氧化物类；二丙酰基过氧化物或苯甲酰过氧化物等二酰基过氧化物类；2,2-二(叔丁基过氧化)丁烷、1,1-二(叔己基过氧化)环己烷、1,1-二(叔丁基过氧化)-2-甲基环己烷及1,1-二(叔丁基过氧化)环己烷等过氧化缩酮类；叔丁基过氧化乙酸酯或叔丁基过氧化苯甲酸酯等过氧化酯类；叔丁基过氧化异丙基碳酸酯或二(异丙基过氧化)二碳酸酯等过氧化碳酸酯类；叔丁基三甲基甲硅烷基过氧化物等烷基甲硅烷基过氧化物类；3,3,5,7,7-五甲基-1,2,4-三氧杂环庚烷(oxepane)、3,6,9-三乙基-3,6,9-三甲基-1,4,7-三氧杂环壬烷(トリパーオキソナン)及3,6-二乙基-3,6-二甲基-1,2,4,5-四

烷等环状过氧化物类。其中，从相对于聚合反应的阻碍少的方面考虑，优选二烷基过氧化物类、过氧化缩酮类、及环状过氧化物类。

作为重氮化合物，例如可以举出：4,4’-双叠氮苯亚甲基(4-甲基)环己酮或2,6-双(4’-叠氮苯亚甲基)环己酮等。

作为非极性自由基产生剂，可以举出：2,3-二甲基-2,3-二苯基丁烷、3,4-二甲基-3,4-二苯基己烷、1,1,2-三苯基乙烷、及1,1,1-三苯基-2-苯基乙烷等。

在将自由基产生剂作为交联剂进行使用的情况下，根据固化(将本发明的聚合性组合物提供给聚合反应而得到的聚合物的交联)的条件适当选择1分钟半衰期温度，通常为100～300℃，优选为150～250℃，更优选为160～230℃的范围。在此，1分钟半衰期温度是自由基产生剂的一半的量在1分钟内进行分解的温度。自由基产生剂的1分钟半衰期温度只要参照例如各自由基产生剂制造公司(例如，日本油脂株式会社)的商品目录及网站即可。

上述自由基产生剂可以分别单独使用或者组合使用两种以上。作为自由基产生剂在本发明聚合性组合物中的配合量，相对于环烯烃单体100重量份而言，通常为0.01～10重量份，优选为0.1～10重量份，更优选为0.5～5重量份的范围。

(交联助剂)

本发明的聚合性组合物使用具有2个亚乙烯基的双官能化合物(以下，有时简称为双官能化合物)和具有3个亚乙烯基的三官能化合物(以下，有时简称为三官能化合物)，这些化合物作为交联助剂发挥功能。这些化合物都不参与开环聚合反应，但通过亚乙烯基，可参与由交联剂诱导的交联反应。在本发明的聚合性组合物中，双官能化合物和三官能化合物以重量比的值(双官能化合物/三官能化合物)计，以0.5～1.5的含有比例使用。

如上所述，将本发明的聚合性组合物提供给聚合反应而得到的聚合物可成为可后交联的热塑性树脂。本发明的交联性树脂成型体以这种聚合物为基体材料树脂。

本发明的双官能化合物和三官能化合物都在构成本发明的交联性树脂成型体的聚合物中，实质上以游离状态而存在，因而，对该聚合物体现增塑效应。因此，当对该成型体进行加热时，聚合物熔融并呈现适度的流动性。另一方面推测到，当继续进行该成型体的加热时，会由交联剂诱导交联反应，双官能化合物和三官能化合物都参与交联反应，并呈现与聚合物的键合反应性，以游离状态存在的化合物随着交联反应的进行而减少，在交联反应的结束时点，实质上没有以游离状态存在的化合物。双官能化合物和三官能化合物虽然都呈现如上所述的特性，但就与聚合物的键合反应性而言，三官能化合物比双官能化合物高，因此，与三官能化合物相比，增塑效应可通过双官能化合物来长时间地体现。交联助剂以出于在得到的层叠体中提高交联密度且提高层叠体的耐热性的目的而使用，但在交联性树脂成型体的加热时，当由构成该成型体的聚合物提前形成交联构造时，会得不到充分的聚合物的流动性，交联性树脂成型体表面对其他部件的追随性会下降。在这一点上，当组合使用双官能化合物和三官能化合物时，在聚合物中，即使在三官能化合物的增塑效应的体现消失以后，也能够期待双官能化合物的增塑效应的持续体现，通过交联性树脂成型体，可适度地发挥上述追随性，另一方面，基体材料树脂的交联密度随着交联的进行而提高。推测到，在本发明的聚合性组合物中，因为以上述比例组合使用给定的双官能化合物和三官能化合物，在得到的层叠体中，基体材料树脂和其他部件的层间密合性得到提高，除此之外，通过基体材料树脂可得到适度高的交联密度，总体来说剥离强度增强，另外，耐热性也提高。

在双官能化合物和三官能化合物的含有比例低于0.5的情况下，在得到的层叠体中，得不到充分的剥离强度，在双官能化合物和三官能化合物的含有比例超过1.5的情况下，在层叠体中，耐热性不充分。

在形成本发明的聚合性组合物的双官能化合物和三官能化合物中，亚乙烯基由于交联反应性优异，因此优选以异丙烯基或甲基丙烯酰基的形式存在，更优选以甲基丙烯酰基的形式存在。

作为具有2个亚乙烯基的双官能化合物的具体例，可以举出：对二异丙烯基苯、间二异丙烯基苯、及对二异丙烯基苯等具有2个异丙烯基的双官能化合物；乙二醇二甲基丙烯酸酯、1,3-丁二醇二甲基丙烯酸酯、1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、1，6-己二醇二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、及2,2’-双(4-甲基丙烯酰氧基二乙氧基苯基)丙烷等具有2个甲基丙烯基的双官能化合物等。作为具有2个亚乙烯基的双官能化合物，优选具有2个甲基丙烯基的双官能化合物(双官能甲基丙烯酸酯化合物)。

作为具有3个亚乙烯基的三官能化合物的具体例，可以举出三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯及季戊四醇三甲基丙烯酸酯等具有3个甲基丙烯基的三官能化合物等。作为具有3个亚乙烯基的三官能化合物，优选具有3个甲基丙烯基的三官能化合物(三官能甲基丙烯酸酯化合物)。

在本发明的聚合性组合物中，特别优选将双官能甲基丙烯酸酯化合物和三官能甲基丙烯酸酯化合物组合使用。根据这种组合，在交联性树脂成型体中，加热固化时的树脂流动性提高，该成型体表面对其他部件的随动性提高，另外，在层叠体中，剥离强度及耐热性高度平衡，非常优选。

在本发明的聚合性组合物中，从提高得到的交联性树脂成型体的树脂流动性，进而提高得到的层叠体的耐热性的观点考虑，双官能化合物和三官能化合物的含有比例以重量比的值(双官能化合物/三官能化合物)计，优选为0.7～1.4，更优选为0.8～1.3。

上述双官能化合物和三官能化合物可以分别单独使用或者组合使用两种以上。从良好地保持得到的层叠体的介质损耗角正切的观点考虑，配合到本发明的聚合性组合物中的双官能化合物和三官能化合物的总配合量，相对于环烯烃单体100重量份而言，通常为0.1～100重量份，优选为0.5～50重量份，更优选为1～30重量份。

另外，只要不阻碍表现出本发明的效果，本发明的聚合性组合物也可以包含例如氰尿酸三烯丙酯等其他交联助剂。

(聚合性组合物)

本发明的聚合性组合物以上述的环烯烃单体、聚合催化剂、交联剂、双官能化合物及三官能化合物为必需成分，根据期望，可添加填充剂、聚合调整剂、聚合反应延迟剂、链转移剂、防老剂及其他配合剂。

在本发明中，从使层叠体高功能化的观点考虑，优选在聚合性组合物中配合填充剂。本发明的聚合性组合物与目前预浸料坯及层叠体的制造中使用的将环氧树脂等溶于溶剂而成的聚合物清漆相比粘度低，因此能够容易高比例地配合填充剂。因而，在得到的交联性树脂成型体及层叠体中，可以超过传统预浸料坯或层叠体的极限含量地含有填充剂。

作为填充剂，可任意使用有机填充剂及无机填充剂中。只要根据期望而适当选择即可，但通常优选使用无机填充剂。作为这种无机填充剂，例如可以举出：低线性膨胀填充剂及非卤素阻燃剂。

低线性膨胀填充剂是线性膨胀系数普遍低的无机填充剂。通过配合到本发明的聚合性组合物中，能够提高得到的层叠体的机械强度，并能够降低线性膨胀系数，故优选。

作为低线性膨胀填充剂的线性膨胀系数，通常为15ppm/℃以下。低线性膨胀填充剂的线性膨胀系数可利用热机械分析装置(TMA)来测定。作为这种低线性膨胀填充剂，如果是工业上所使用的填充剂，就可以没有特别限制地使用。例如可以举出：二氧化硅、二氧化硅球、氧化铝、氧化铁、氧化锌、氧化镁、氧化锡、氧化铍、钡铁氧体及锶铁氧体等无机氧化物；碳酸钙、碳酸镁及碳酸氢钠等无机碳酸盐；硫酸钙等无机硫酸盐；滑石、粘土、云母、高岭土、粉煤灰、蒙脱石、硅酸钙、玻璃及玻璃珠等无机硅酸盐等，优选为二氧化硅。

非卤素阻燃剂由不含卤原子的阻燃性化合物构成。若配合到本发明的聚合性组合物中，则可以提高得到的层叠体的阻燃性，而且不用担心在层叠体燃烧时产生二

英，故优选。作为非素卤阻燃剂，只要是工业上所使用的阻燃剂就可以没有特别限制地使用。例如可以举出：氢氧化铝或氢氧化镁等金属氢氧化物阻燃剂；二甲基膦酸铝或二乙基膦酸铝等膦酸盐阻燃剂；氧化镁或氧化铝等金属氧化物阻燃剂；三苯基磷酸酯、三甲苯基磷酸酯、三(二甲苯基)磷酸酯、甲苯基二苯基磷酸酯、间苯二酚双(二苯基)磷酸酯、双酚A双(二苯基)磷酸酯、及双酚A双(二甲苯基)磷酸酯等膦酸盐以外的含磷阻燃剂；三聚氰胺衍生物类、胍类及异氰脲酸类等含氮阻燃剂；聚磷酸铵、磷酸三聚氰胺、聚磷酸三聚氰胺、聚磷酸蜜白胺、磷酸胍、及磷腈类等含有磷及氮两者的阻燃剂等。作为非卤素阻燃剂，优选金属氢氧化物阻燃剂、膦酸盐阻燃剂、及膦酸盐以外的含磷阻燃剂。作为含磷阻燃剂，特别优选三甲苯基磷酸酯、间苯二酚双(二苯基)磷酸酯、双酚A双(二苯基)磷酸酯、及双酚A双(二甲苯基)磷酸酯。

本发明的聚合性组合物使用的填充剂的粒径(平均粒径)只要根据期望而适当选择即可，但作为三维地看粒子时的长度方向和宽度方向的长度的平均值，通常为0.001～50μm，优选为0.01～10μm，更优选为0.1～5μm的范围。

这些填充剂可以分别单独使用或者组合使用两种以上。配合到本发明的聚合性组合物中的配合量相对于环烯烃单体100重量份而言，通常为50重量份以上，优选为50～1,000重量份，更优选为50～750重量份，进一步优选为100～500重量份的范围。

出于控制聚合活性或提高聚合反应率的目的而配合聚合调整剂，例如可以举出：三烷氧基铝、三苯氧基铝、二烷氧基烷基铝、烷氧基二烷基铝、三烷基铝、二烷氧基氯化铝、烷氧基烷基氯化铝、二烷基氯化铝、三烷氧基钪、四烷氧基钛、四烷氧基锡、及四烷氧基锆等。这些聚合调整剂可以分别单独使用或者组合使用2种以上。聚合调整剂的配合量例如以摩尔比(易位聚合催化剂中的金属原子:聚合调整剂)计通常为1:0.05～1:100，优选为1:0.2～1:20，更优选为1:0.5～1:10的范围。

聚合反应延迟剂可抑制本发明的聚合性组合物的粘度增加。因此，配合有聚合反应延迟剂的聚合性组合物作为交联性树脂成型体，例如，在制作预浸料坯时，能够容易且均匀地含浸于纤维状强化材料，故优选。

作为聚合反应延迟剂，可以使用三苯基膦、三丁基膦、三甲基膦、三乙基膦、二环己基膦、乙烯基二苯基膦、烯丙基二苯基膦、三烯丙基膦、及苯乙烯基二苯基膦等膦化合物；苯胺或吡啶等路易斯碱等。其配合量只要根据期望适宜调整即可。

本发明的聚合性组合物根据期望也可配合链转移剂。在得到的交联性树脂成型体中，由于在其加热固化时，表面的追随性可提高，因此在将这种成型体层叠且加热熔融、交联而得到的层叠体中，层间密合性提高，故优选。

链转移剂可以具有一个以上交联性的碳-碳不饱和键。作为链转移剂的具体例，可以举出：1-己烯、2-己烯、苯乙烯、乙烯基环己烷、烯丙基胺、丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚、乙基乙烯基醚、甲基乙烯基酮、2-(二乙基氨基)乙基丙烯酸酯、及4-乙烯基苯胺等不具有交联性的碳-碳不饱和键的链转移剂；二乙烯基苯、甲基丙烯酸乙烯酯、甲基丙烯酸烯丙酯、甲基丙烯酸苯乙烯基酯、丙烯酸烯丙酯、甲基丙烯酸十一烯酯、丙烯酸苯乙烯基酯、及乙二醇二丙烯酸酯等具有1个交联性的碳-碳不饱和键的链转移剂；烯丙基三乙烯基硅烷或烯丙基甲基二乙烯基硅烷等具有2个以上交联性的碳-碳不饱和键的链转移剂等。其中，在得到的层叠体中，从使剥离强度和耐热性高度平衡的观点考虑，优选具有1个以上交联性的碳-碳不饱和键，更优选具有一个交联性的碳-碳不饱和键。这种链转移剂中，优选各具有1个乙烯基和甲基丙烯基的链转移剂，特别优选甲基丙烯酸乙烯酯、甲基丙烯酸烯丙酯、甲基丙烯酸苯乙烯基酯、及甲基丙烯酸十一烯酯等。

这些链转移剂可以分别单独使用或者组合使用两种以上。作为配合到本发明的聚合性组合物中的链转移剂的配合量，考虑得到的层叠体的剥离强度和耐热性的平衡，相对于环烯烃单体100重量份而言，通常为0.01～10重量份，优选为0.1～5重量份。

另外，作为防老剂，配合选自由酚类防老剂、胺类防老剂、磷类防老剂及硫黄类防老剂构成的组中的至少一种防老剂不会阻碍交联反应，能够高度地提高得到的层叠体的耐热性，故优选。其中，优选酚类防老剂和胺类防老剂，更优选酚类防老剂。这些防老剂可以分别单独使用或者组合使用两种以上。防老剂的使用量根据期望适当选择，但相对于环烯烃单体100重量份而言，通常为0.0001～10重量份，优选为0.001～5重量份，更优选为0.01～2重量份的范围。

在本发明的聚合性组合物中可配合其他配合剂。作为其他配合剂，可使用着色剂、光稳定剂、及发泡剂等。作为着色剂，使用染料或颜料等。染料的种类多种多样，只要适当选择公知的染料进行使用即可。这些其他配合剂可以分别单独使用或者组合使用两种以上，其使用量在无损作为聚合性组合物的效果的范围内，适当选择。

本发明的聚合性组合物可以将上述成分混合而得到。作为混合方法，只要按照常用方法即可，例如，制备在适当的溶剂中溶解或分散有聚合催化剂的液体(催化液)，另外制备环烯烃单体及交联剂等必需成分、及根据期望配合有其他配合剂等的液体(单体液体)，可通过在该单体液体中添加该催化液进行搅拌来制备。

(交联性树脂成型体)

本发明的交联性树脂成型体可通过对上述聚合性组合物进行本体聚合来得到。作为对聚合性组合物进行本体聚合而得到交联性树脂成型体的方法，例如可以举出：(a)将聚合性组合物涂布在支承体上，接下来进行本体聚合的方法；(b)将聚合性组合物注入成型模具内，接下来进行本体聚合的方法；(c)使聚合性组合物含浸于纤维状强化材料，接下来进行本体聚合的方法等。

本发明使用的聚合性组合物由于粘度低，因此(a)方法的涂布能够顺利地实施，在(b)方法的注入中，即使是复杂形状的空间部，也能够使聚合性组合物迅速充满而且不发生气泡，在(c)的方法中，能够使聚合性组合物迅速且无遗漏地含浸于纤维状强化材料。

根据(a)的方法，可得到膜状或板状等交联性树脂成形体。该成形体的厚度通常为15mm以下，优选为5mm以下，更优选为0.5mm以下，最优选为0.1mm以下。作为支承体，例如可以举出：由聚四氟乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、聚乙烯、聚碳酸酯、聚萘二酸乙二醇酯、聚芳酯、及尼龙等树脂构成的膜或板；由铁、不锈钢、铜、铝、镍、铬、金、及银等金属材料构成的膜或板等。其中，优选使用金属箔或树脂膜。从作业性等观点考虑，金属箔或树脂膜的厚度通常为1～150μm，优选为2～100μm，更优选为3～75μm。作为金属箔，优选其表面平滑，作为其表面粗糙度(Rz(微观不平度十点平均高度))，以通过AFM(原子力显微镜)测定的值计，通常为10μm以下，优选为5μm以下，更优选为3μm以下，进一步优选为2μm以下。只要金属箔的表面粗糙度为上述范围，则例如在得到的高频电路基板中，可抑制高频传输中噪音、延迟、及传输损失等的发生，故优选。另外，金属箔的表面优选用硅烷偶联剂、硫醇偶联剂、及钛酸酯偶联剂等公知的偶联剂或粘接剂等进行处理。根据(a)的方法，例如在使用铜箔作为支承体的情况下，可以得到带树脂的铜箔[Resin Coated Copper(RCC)]。

作为在支承体上涂布本发明的聚合性组合物的方法，可以举出：喷涂法、浸涂法、辊涂法、帘涂法、模涂法及狭缝涂布法等公知的涂布方法。

根据期望使涂布在支承体上的聚合性组合物干燥，接下来，进行本体聚合。本体聚合在规定的温度下对聚合性组合物进行加热来进行。作为聚合性组合物的加热方法，没有特别限定，可以举出：将涂布于支承体的聚合性组合物装载在加热板上进行加热的方法、利用压机边加压边加热(热压)的方法、用加热后的辊进行按压的方法、在加热炉内进行加热的方法等。

根据(b)的方法，能够得到任意形状的交联性树脂成型体。作为其形状，可以举出：片状、膜状、柱状、圆柱状及棱柱状等。

作为在此使用的模具，可以使用现有公知的成型模具，例如，对开模构造即具有芯模和腔模的成型模具，向它们的空隙部(腔)内注入聚合性组合物，使其进行本体聚合。芯模和腔模以形成处于作为目的的成形品的形状内的空隙部的方式制作。成型模具的形状、材质、大小等没有特别限制。另外，也可以准备玻璃板或金属板等板状成型模具和规定厚度的隔板，通过向由两块板状成型模具夹着隔板而形成的空间内注入聚合性组合物进行本体聚合，来得到片状或膜状的交联性树脂成型体。

将聚合性组合物填充于成型模具的腔内时的填充压力(注入压力)通常为0.01～10MPa，优选为0.02～5MPa。当填充压力过低时，就处于不能良好地进行形成于腔内周面的转印面的转印的倾向，当填充压力过高时，就必须提高成型模具的刚性，不经济。合模压力通常为0.01～10MPa的范围内。作为聚合性组合物的加热方法，可以举出：利用配设于成型模具的电热器或蒸汽加热器等加热装置的方法、在电炉内对成型模具进行加热的方法等。

为得到片状或膜状的交联性树脂成型体优选使用(c)的方法。得到的成型体的厚度通常为0.001～10mm，优选为0.005～1mm，更优选为0.01～0.5mm的范围。只要在该范围内，则会提高层叠时的赋形性、及层叠体的机械强度及韧性等，因而优选。例如，聚合性组合物向纤维状强化材料的含浸通过利用喷涂法、浸涂法、辊涂法、帘涂法、模涂法及狭缝涂布法等公知的方法，将聚合性组合物的规定量涂布于纤维状强化材料，然后根据期望在其上重叠保护膜，并用辊等从上侧进行按压来进行。在使聚合性组合物含浸于纤维状强化材料以后，通过将含浸物加热到规定温度，来使聚合性组合物进行本体聚合，得到期望的交联性树脂成型体。交联性树脂成型体中，作为纤维状强化材料的含量，通常为10～90重量%，优选为20～80重量%，更优选为30～70重量%的范围。只要在该范围内，会使层叠体的介质特性和机械强度平衡，故优选。

作为纤维状强化材料，可以使用无机系和/或有机系的纤维。例如可以举出：PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)纤维、芳纶(aramid)纤维、超高分子量聚乙烯纤维、聚酰胺(尼龙)纤维、及液晶聚酯纤维等有机纤维；玻璃纤维、碳纤维、氧化铝纤维、钨纤维、钼纤维、钛纤维、钢纤维、硼纤维、碳化硅纤维、及二氧化硅纤维等无机纤维等。其中，优选有机纤维或玻璃纤维，特别优选芳纶纤维、液晶聚酯纤维、及玻璃纤维。作为玻璃纤维，可以优选使用E玻璃、NE玻璃、S玻璃、D玻璃、及H玻璃等纤维。

这些纤维可以单独使用一种或组合使用两种以上。作为纤维状强化材料的形态，没有特别限制，例如可以举出：毡、斜纹布、及无纺布等。

作为在纤维状强化材料中含浸有聚合性组合物而成的含浸物的加热方法，例如可以举出如下两种方法等，一种方法是，将含浸物设置在支承体上，然后如上述(a)的方法那样进行加热；另一种方法是，事先在模具内设置纤维状强化材料，在该模具内，使聚合性组合物含浸，得到含浸物，然后如上述(b)的方法那样进行加热。

在上述(a)、(b)及(c)中的任一种方法中，用于使聚合性组合物聚合的加热温度通常均为30～250℃，优选为50～200℃，更优选为90～150℃的范围，且为交联剂、通常为自由基产生剂的1分钟半衰期温度以下，优选为1分钟半衰期温度的10℃以下，更优选为1分钟半衰期温度的20℃以下。另外，聚合时间只要适当选择即可，但通常为1秒钟～20分钟，优选为10秒钟～5分钟。通过在这种条件下对聚合性组合物进行加热，可以得到未反应单体少的交联性树脂成型体，故优选。

构成如上所述得到的交联性树脂成型体的聚合物实质上没有交联构造，例如，可溶于甲苯。该聚合物的分子量以用凝胶渗透色谱法(洗提液：四氢呋喃)测定的聚苯乙烯换算的重均分子量计，通常为1,000～1,000,000，优选为5,000～500,000，更优选为10,000～100,000的范围。

本发明的交联性树脂成型体是可后交联的树脂成型体，但也可以是其构成树脂的一部分被交联而成的成型体。例如，在模具内对聚合性组合物进行了本体聚合时，模具的中心部分不易散发聚合反应热，因此模具内的局部的温度有时会过高。在高温部，往往发生交联反应，产生交联。但是，如果易散发热量的表面部由可后交联的交联性的树脂形成，则本发明的交联性树脂成型体能够充分发挥期望的效果。

本发明的交联性树脂成型体是本体聚合完结以后而得到的成型体，在保管中，不必担心会进一步进行聚合反应。另外，本发明的交联性树脂成型体含有自由基产生剂等交联剂，但只要不加热到发生交联反应的温度以上，就不会发生表面硬度变化等不良情况，保存稳定性优异。

本发明的交联性树脂成型体例如，作为预浸料坯，优选用于本发明的交联树脂成型体及层叠体的制造。

(交联树脂成型体)

在此说明的交联树脂成型体是对本发明的聚合性组合物进行本体聚合且对得到的聚合物进行交联而成的。这种交联树脂成型体可通过例如对上述交联性树脂成型体进行交联来得到。交联性树脂成型体的交联可以通过将该成型体保持在构成该成型体的聚合物中产生交联反应的温度以上来进行。加热温度通常为由交联剂诱导交联反应的温度以上。例如，在使用自由基产生剂作为交联剂的情况下，通常为1分钟半衰期温度以上，优选为比1分钟半衰期温度高5℃以上的温度，更优选为比1分钟半衰期温度高10℃以上的温度。通常为100～300℃，优选为150～250℃的范围。加热时间为0.1～180分钟，优选为0.5～120分钟，更优选为1～60分钟的范围。

另外，通过将本发明的聚合性组合物保持在上述交联性树脂成型体进行交联的温度以上，具体而言，通过以在此记载的温度及时间进行加热，也能够使环烯烃单体的本体聚合和由该聚合产生的环烯烃聚合物的交联反应同时进行，从而制造本发明的交联树脂成型体。在这样制造交联树脂成型体的情况下，基于上述(a)的方法，例如，如果使用铜箔作为支承体，就能够得到覆铜层叠板〔Copper Clad Laminates(CCL)〕。

下面，对本发明可采取的实施方式进行记载。

(方式1)

一种半导体装置，其使用了上述各实施方式的多层布线基板作为半导体元件的搭载基板。

(方式2)

如方式1所示的半导体装置，其中，上述半导体元件和上述多层布线基板收纳于同一封装体中。

(方式3)

如方式1或2所述的半导体装置，其中，在上述第一布线区域传输频率为8GHz以下的信号，在上述第二布线区域传输频率超过8GHz的信号。

(方式4)

如方式1～3中任一项所述的半导体装置，其中，上述第二布线区域包含传输超过8GHz的信号1cm以上的部分。

(方式5)

一种电子装置，其使用了上述各实施方式的多层布线基板作为多个电子器件的搭载基板。

(方式6)

如方式5所示的电子装置，其中，上述多个电子器件和上述多层布线基板收纳于同一容器中。

(方式7)

如方式5或6所述的电子装置，其中，在上述第一布线区域传输频率为8GHz以下的信号，在上述第二布线区域传输频率超过8GHz的信号。

(方式8)

如方式5～7中任一项所述的半导体装置，其中，上述第二布线区域包含传输超过8GHz的信号1cm以上的部分。

Claims (14)

1.一种多层布线基板，为夹着绝缘层层叠多个布线层而成的多层布线基板，其具有：

交替层叠有布线层和绝缘层的第一布线区域；

相对于该第一布线区域、绝缘层的厚度为2倍以上且布线层的宽度为2倍以上的第二布线区域；

所述第一布线区域和所述第二布线区域一体地形成于同一基板上，

其中，所述绝缘层由树脂材料构成，所述树脂材料通过使聚合性组合物进行本体聚合并进行交联而成，

所述聚合性组合物含有：环烯烃单体、聚合催化剂、交联剂、具有2个亚乙烯基的双官能化合物、以及具有3个亚乙烯基的三官能化合物，且所述双官能化合物和所述三官能化合物的含有比例以重量比的值(双官能化合物/三官能化合物)计为0.5～1.5。

2.如权利要求1所述的多层布线基板，其中，所述第二布线区域包括具有第三绝缘层和设置在该第三绝缘层上的第三布线层的部分，所述第三绝缘层比所述第二绝缘层的厚度厚，所述第三布线层比所述第二布线层的宽度宽。

3.如权利要求1或2所述的多层布线基板，其中，所述第二布线区域中，布线层的布线宽度为30μm以上且绝缘层的厚度为40μm以上。

4.如权利要求1～3中任一项所述的多层布线基板，其中，在所述第一布线区域和所述第二布线区域的边界部的绝缘层上，贯通该绝缘层形成有导体，且该导体接地。

5.如权利要求1～4中任一项所述的多层布线基板，其中，所述第二布线区域中由布线层形成的布线图案的特性阻抗为100Ω以上。

6.如权利要求1～5中任一项所述的多层布线基板，其中，在所述第一及所述第二布线区域中，至少所述第二布线区域的绝缘层由其相对介电常数为3.7以下且介质损耗角正切为0.0015以下的树脂材料形成。

7.一种半导体装置，其使用了权利要求1～6中任一项所述的多层布线基板作为半导体元件的搭载基板。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中，所述半导体元件和所述多层布线基板收纳于同一封装体中。

9.如权利要求7或8所述的半导体装置，其中，在所述第一布线区域传输频率为8GHz以下的信号，在所述第二布线区域传输频率超过8GHz的信号。

10.如权利要求7～9中任一项所述的半导体装置，其中，所述第二布线区域包含传输超过8GHz的信号1cm以上的部分。

11.一种电子装置，其使用了权利要求1～6中任一项所述的多层布线基板作为多个电子器件的搭载基板。

12.如权利要求11所述的电子装置，其中，所述多个电子器件和所述多层布线基板收纳于同一容器中。

13.如权利要求11或12所述的电子装置，其中，在所述第一布线区域传输频率为8GHz以下的信号，在所述第二布线区域传输频率超过8GHz的信号。

14.如权利要求11～13中任一项所述半导体装置，其中，所述第二布线区域包含传输超过8GHz的信号1cm以上的部分。

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