CN103189459A - 粘结膜及半导体晶片加工用带 - Google Patents

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adhesive film
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青山真沙美
石渡伸一
盛岛泰正
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Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

本发明提供通过胶粘剂层吸收空气中的水分降低而软化，可以抑制拾取错误的发生的粘结膜及半导体晶片加工用带。本发明的粘结膜是包括基材膜及被设于该基材膜上的粘结剂层的粘结膜，透湿度为10.0g/m2/day以下。此外，本发明的半导体晶片加工用带为具有：由基材膜及被设于该基材膜上的粘结剂层构成的粘结膜，及被设于粘结剂层上的胶粘剂层的晶片加工用带；粘结膜的透湿度为10.0g/m2/day以下。

Description

粘结膜及半导体晶片加工用带
技术领域
本发明涉及将半导体晶片切断为半导体芯片，制造半导体装置而使用的粘结膜及半导体晶片加工用带。
背景技术
作为在半导体装置的制造工序使用的半导体晶片加工用带，提出了具有在粘结膜(切割带，dicing tape)上层压胶粘剂层(模片接合膜，die bonding film)的结构的半导体晶片加工用带(例如，参照专利文献1)，也已经被实用化。
在半导体装置的制造工序，在半导体晶片贴附半导体晶片加工用带后，实施使用切割刀片将半导体晶片切断(切割)为芯片单元的工序、展开半导体晶片加工用带的工序，进而还包括由胶粘剂层以及粘结剂层拾取(pick-up)被切断的芯片的工序、通过附着于芯片的胶粘剂层将芯片安装于基板等的工序。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平02-32181号公报
发明内容
发明所要解决的问题
然而，在记载于前述专利文献1的半导体晶片加工用带中，会有在输送中或保管中胶粘剂层吸收空气中的水分而***，降低切削性的情形。
在这样的情况下，切割时，发生胡须状的切削屑，这些切削屑与基材膜或粘结剂层的切削屑一起被切割而在相邻的芯片间熔融粘结，在拾取时，会有相邻于要拾取的芯片的芯片附随地被拾取的拾取错误(双重切割)的问题。
因此，本发明的目的在于提供降低因胶粘剂层吸收空气中的水分而软化的情形，而可以抑制拾取(pick-up)错误的发生的粘结膜及半导体晶片加工用带。
用于解决问题的方法
为了解决前述课题，本发明的粘结膜，其特征在于，其是包括基材膜及被设于该基材膜上的粘结剂层的粘结膜，透湿度为10.0g/m2/day以下。
此外，本发明的半导体晶片加工用带，其特征在于，其具有：包括基材膜及被设于该基材膜上的粘结剂层的粘结膜，及被设于前述粘结剂层上的胶粘剂层的晶片加工用带，其中，前述粘结膜的透湿度为10.0g/m2/day以下。
此外，在前述半导体晶片加工用带中，前述粘结膜与前述胶粘剂层合计的吸水率优选在2.0体积％以下。
发明效果
本发明的粘结膜及半导体晶片加工用带，在胶粘剂层被接合于粘结膜而被输送/保管的情况下，降低由于胶粘剂层吸收空气中的水分而导致软化的情形，可以抑制拾取错误的发生。
附图说明
图1是表示本发明的半导体晶片加工用带的一例的剖面图。
图2的(a)是表示半导体晶片W与环状框被贴合于半导体晶片加工用带的状态的剖面图，(b)是表示切割后的半导体晶片加工用带与半导体晶片的剖面图，(c)是表示展开后的半导体晶片加工用带与半导体晶片的剖面图。
具体实施方式
以下，根据附图详细说明本发明的实施方式。
本实施方式涉及的半导体晶片加工用带15，如图1所示，其是具有在基材膜11上层压了粘结剂层12的粘结膜14，在粘结剂层12上层压了胶粘剂层13的切割/模片接合膜(die bonding film)。另外，粘结剂层12及胶粘剂层13，配合于使用工序或装置而被预先切断为特定形状(预切)也可。相应于晶片W(参照图2(a))层压被预切的胶粘剂层13的情况下，在晶片W被贴合的部分有胶粘剂层13，在切割用的环状框20(参照图2(a))被贴合的部分没有胶粘剂层13仅存在粘结剂层12。一般而言，胶粘剂层13不易与被胶粘体剥离，所以通过使用被预切的胶粘剂层13，环状框20可贴合于粘结剂层12，可得到不容易产生对使用后的环状框20的糊残留的效果。此外，本发明的半导体晶片加工用带15包括每1张晶片被切断而层压的形态以及形成多个晶片的长条薄片卷取为滚筒状的形态。以下，针对基材膜11、粘结剂层12、及胶粘剂层13分别详细说明。
<基材膜>
作为构成基材膜的材料，没有特别限定，优选选自聚烯烃及聚氯乙烯。
作为前述聚烯烃，可以举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离子聚合物(ionomer)等的α-烯烃的均聚物或共聚物或这些的混合物等。
作为后述的粘结剂层使用通过放射线照射而固化且粘结力降低的类型的情况下，基材膜优选为放射线透过性。从强度及芯片的拾取性的确保的观点来看，基材膜的厚度优选为50～300μm。此外，基材膜可为单层，也可以多层构成。
<粘结剂层>
粘结剂层可以在基材膜上涂布粘结剂而制造。作为粘结剂层没有特别限制，只要是具有在展开时胶粘剂层及半导体晶片不剥离的程度的保持性，或拾取时具有容易与胶粘剂层剥离的特性者即可。为了提高拾取性，粘结剂层优选具放射线固化性。
例如，优选向粘结剂所使用的公知的氯化聚丙烯树脂、丙烯酸树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、加成反应型有机聚硅氧烷系树脂、硅酮丙烯酸酯树脂、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、聚异戊二烯或苯乙烯丁二烯共聚物或其的加氢物等各种弹性体等或其混合物中，适当地配合放射线聚合性化合物而制备粘结剂。此外，添加各种表面活性剂或表面平滑剂也可。粘结剂层的厚度没有特别限定，适当设定也可，优选为1～30μm。
聚合性化合物使用例如通过光照射能够三维网状化的在分子内至少具有2个以上的光聚合性碳-碳双键的低分子量化合物，或具有光聚合性碳-碳双键基为取代基的聚合物或低聚物。具体而言，可以适用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(trimethylolpropane triacrylate)、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二丙烯酸1，4-丁二酯、二丙烯酸1，6-己二酯、聚二丙烯酸乙二醇酯、或丙烯酸低聚酯等，硅酮丙烯酸酯等、丙烯酸或各种丙烯酸酯类的共聚物等。
此外，除了前述那样的丙烯酸系化合物以外，也可使用氨基甲酸酯丙烯酸系低聚物。氨基甲酸酯丙烯酸系低聚物通过如下所述地获得：使聚酯型或聚醚型等的多元醇化合物，与多元的异氰酸酯化合物(例如，2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、1，3-二甲苯基二异氰酸酯、1，4-二甲苯基二异氰酸酯、二苯基甲烷-4，4-二异氰酸酯等)反应而得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物，与使具有羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如，2-羟乙基丙酸酯、2-羟乙基甲基丙烯酸酯、2-羟丙基丙酸酯、2-羟丙基甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸乙二醇酯等)反应而获得。
另外，粘结剂层也可为选自前述树脂的2种以上混合后的物质。此外，以上所举的粘结剂的材料，优选使表面自由能在40mJ/m2以下，而且在分子结构中包含尽可能多的三氟甲烷基、二甲基甲硅烷基、长链烷基等无极性基。
另外，粘结剂层的树脂中除了配合将放射线照射于基材膜而使粘结剂层固化的放射线聚合性化合物以外，也可以适当配合丙烯酸系粘结剂、光聚合引发剂、固化剂等而制备粘结剂。
使用光聚合引发剂的情况下，例如可以使用异丙基苯偶姻醚、异丁基苯偶姻醚、二苯甲酮、米蚩酮(Michler′s ketone)、氯噻吨酮(Chlorothioxanthone)、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苯偶酰二甲基缩酮、α-羟基环己基苯酮、2-羟基甲基苯基丙烷等。这些光聚合引发剂的配合量优选相对于丙烯酸系共聚物100质量份为0.01～30质量份，更优选为1～10质量份。
另外，粘结剂中存在低分子成分的话，基材膜制造后在长期保管时，低分子成分有移动至粘结剂层表面而损害粘结剂特性的可能，所以期望凝胶分率高，通常在60％以上，优选为70％以上。此处，所谓凝胶分率是由以下方法算出的。称取粘结剂层约0.05g，在二甲苯(xylene)50毫升中在120℃下浸渍24小时后，以200网目的不锈钢制金属网过滤，使金属网上的不溶解成分在110℃下进行120分钟的干燥。其次，称重干燥了的不溶解成分的质量，以下列所示的式1算出凝胶分率。
凝胶分率(％)＝(不溶解成分的质量/称取的粘结剂层的质量)×100(式1)
粘结膜的透湿度为10.0g/m2/day以下。这样，通过使粘结膜的透湿度在10.0g/m2/day以下，半导体晶片加工用带，在每1张晶片被切断而层压的状态，或者是长条的薄片卷取为滚筒状的状态下被运送/保管的途中，空气中的水蒸气很难由外侧向内侧透过，所以到达胶粘剂层的水分量会减少，降低胶粘剂层的软化。因此，切割时的胡须状的切削屑的发生也会减少，可以抑制这些切削屑与基材膜或粘结剂层的切削屑一起被切割而在相邻的芯片间熔融粘结，在拾取时发生拾取错误。
为了使粘结膜的透湿度降低，作为用于基材膜的高分子，使用聚乙烯、聚丙烯、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene Naphthalate，PEN)等透湿度低的聚合物即可。此外，通过增大基材膜的厚度，也可以使粘结膜的透湿度降低。进而，为了使粘结膜的透湿度降低，使粘结剂层的厚度增厚即可。此外，通过提高粘结剂层的交联密度也可以使透湿度降低。为了降低交联密度，只要增加固化剂量，或者粘结剂层中使用羟基多的聚合物即可。
<胶粘剂层>
胶粘剂层起到如下功能：在半导体晶片被贴合而切断后，拾取芯片时，被切断的胶粘剂层从粘结剂层剥离而附着于芯片，作为使芯片固定于封装基板或引线框时的结合膜(bonding film)而发挥功能。
胶粘剂层是预先使胶粘剂薄膜化的层，例如可以使用被用于胶粘剂的公知的聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚酯酰亚胺树脂、苯氧基树脂、聚砜树脂、聚醚砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚酮树脂、氯化聚丙烯树脂、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、聚丙烯酰胺、三聚氰胺树脂等或其混合物，为了使胶粘剂层13的裁断性更好，优选包含丙烯酸系共聚物、环氧树脂，丙烯酸系共聚物的Tg为10℃以上。进而，无机填料优选含有50％以上。此外，为了强化对芯片或引线框的胶粘力，期望将硅烷偶联剂或者钛偶联剂作为添加剂加入前述材料或其混合物。胶粘剂层的厚度没有特别限定，通常优选为5～100μm左右。
环氧树脂只要固化而呈现胶粘作用者即可，没有特别限制，可以使用二官能基以上，且优选分子量不足5000的环氧树脂，更优选分子量不足3000的环氧树脂。此外，优选可以使用分子量500以上、更优选分子量800以上的环氧树脂。
例如，可以举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、脂环式环氧树脂、脂肪族链状环氧树脂、酚醛清漆(Phenol Novolac，PN)型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂(cresolnovolac epoxy resin)、双酚A酚醛清漆型环氧树脂、双酚的二缩水甘油基醚化物、萘二酚(naphthalene diol)的二缩水甘油基醚化物、苯酚类的二缩水甘油基醚化物、醇类的二缩水甘油基醚化物、及这些的烷基取代物、卤化物、加氢物等二官能基环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂。此外，也可以适用多官能基环氧树脂或含杂环环氧树脂等，一般已知的物质。这些可以单独使用或组合两种以上使用。进而，在不损害特性的范围内，也可包含环氧树脂以外的成分作为杂质。
作为丙烯酸系共聚物，例如，可以使用含有环氧基的丙烯酸共聚物。含有环氧基的丙烯酸共聚物包含0.5～6重量％的具有环氧基的丙烯酸缩水甘油酯或者甲基丙烯酸缩水甘油酯(glycidylmethacrylate)。为了得到高胶粘力，优选为0.5重量％以上，若在6重量％以下则可以抑制凝胶化。
作为官能基单体使用的丙烯酸缩水甘油酯(glycidyl acrylate)或者甲基丙烯酸缩水甘油酯(glycidyl methacrylate)的量为0.5～6重量％的共聚物比。总之，本发明中含有环氧基的丙烯酸共聚物是将丙烯酸缩水甘油酯(glycidyl acrylate)或者甲基丙烯酸缩水甘油酯(glycidylmethacrylate)作为原料，对所得到的共聚物使用0.5～6重量％的量所得到的共聚物。剩下部分可以使用甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸甲酯等具有碳数为1～8的烷基的丙烯酸烷酯、甲基丙烯酸烷酯、及苯乙烯或丙烯腈等的混合物。其中，特别优选(甲基)丙烯酸乙酯和/或(甲基)丙烯酸丁酯。混合比率优选考虑共聚物的Tg而进行调整。聚合方法没有特别的限制，例如可以举出珠状聚合、溶液聚合等，通过这些方法而得到共聚物。含有环氧基的丙烯酸共聚物的重均分子量在10万以上，在此范围的话胶粘性及耐热性很高，优选为30万～300万，更优选为50万～200万。在300万以下的话，通过降低流动性，可以减少如下的可能性：含有环氧基的丙烯酸共聚物向根据需要而被形成在贴附半导体元件的支撑构件上的配线电路的填充性降低。
另外，重均分子量是以凝胶渗透色谱法(GPC，gel permeationchromatography)使用根据标准聚苯乙烯的标准曲线的聚苯乙烯换算值。
作为无机填料没有特别限制，可以举出例如：氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶质二氧化硅、非晶质二氧化硅等。这些可以使用1种或并用2种以上。为了提高热传导性，优选氧化铝、氮化铝、氮化硼、结晶性二氧化硅、非晶质二氧化硅等。由特性的平衡的观点来看，优选二氧化硅。
填料的平均粒径优选为0.002～2μm，更优选为0.008～0.5μm，进一步优选为0.01～0.05μm。填料的平均粒径不足0.002μm的话，对被胶粘体的湿润性会降低，有胶粘性降低的倾向，超过2μm的话根据填料添加的补强效果变小，有耐热性降低的倾向。在此，所谓平均粒径是指通过TEM、SEM等测定的填料100个的粒径所求得的平均值。
对于半导体晶片加工用带，由使粘结剂层与胶粘剂层之间的剥离性更好的观点来看，粘结膜与胶粘剂层合计的吸水率优选在2.0体积％以下。以往，在拾取时，为了使粘结剂层与胶粘剂层之间的剥离变得容易，而增大由晶片加工用带的下侧通过针顶起半导体芯片的力或顶起高度，但是近年来，半导体芯片有变薄的倾向，半导体芯片薄的情况下，顶起的力太大的话，会有芯片破损的问题。粘结膜与胶粘剂层的合计吸水率为2.0体积％以下的话，胶粘剂层软化，在切削时与粘结剂层一起黏合，或者是粘结膜吸收的水分向胶粘剂层移动，可以降低二者的黏合，所以粘结剂层与胶粘剂层之间的剥离性变好。因此，没有必要增大针的顶起力，所以即使半导体芯片薄的情况下，也可以进行良好的拾取。
要使粘结膜与胶粘剂层的合计的吸水率降低，作为用于基材膜的聚合物，使用聚丙烯、聚乙烯等吸水率低的聚合物也可。此外，通过缩小基材膜的厚度，也可以使吸水率降低。此外，粘结剂层通过减少羟基、氨基、磺基、羧基等的官能基或酰胺键、醚键部分，并增加甲基或芳香族羟基的导入量，可以降低吸水率。此外，通过胶粘剂层使用丙烯酸等吸水率低的聚合物，也可以降低吸水率。此外，针对用于胶粘剂层的环氧树脂或苯酚等，通过使用分子量低的物质，也可以降低吸水率。进而，通过降低胶粘剂层所含的无机填料的量，也可降低吸水率。
其次，对于使用图1所示的本发明的半导体晶片加工用带15来制造附胶粘剂层的半导体芯片的方法，参照图2的同时进行说明。
(贴合工序)
首先，如图2(a)所示，在半导体晶片加工用带15的胶粘剂层13贴合半导体晶片W的背面，同时在粘结剂层12的特定位置贴合环状框20。
(切割工序)
通过吸附台22，由基材膜11面侧吸附支撑晶片加工用带15，使用未图示的刀片，机械方式切断半导体晶片W，分割为多个半导体芯片C(图2(b))。另外，此时，胶粘剂层13或粘结剂层12、基材膜11的一部分也适当地被切割。此时，粘结膜的透湿度为10.0g/m2/day以下，所以在半导体晶片加工用带的输送/保管中，空气中的水蒸气不容易由外侧向内侧透过，因为胶粘剂层的软化被降低，所以胡须状的切削屑的产生也降低。
(照射工序)
接着，将放射线由基材膜11的下面照射至粘结剂层12而使粘结剂层12固化。固化的粘结剂层12的粘结力降低，所以可以剥离粘结剂层12上的胶粘剂层13。另外，以多个层构成粘结剂层的情况下，为了将胶粘剂层13由粘结剂层12剥离，可以使至少对应于晶片的粘结剂层部分固化而没有必要使粘结剂层整体固化。
(展开工序)
照射工序后，将保持被分割的多个半导体芯片C的半导体晶片加工用带15载置于展开装置的台座21上。接着，如图2(c)所示，使中空圆柱形状的顶起构件23，由半导体晶片加工用带15的下面侧上升，使前述粘结膜14向环状框20的直径方向及圆周方向拉伸。
(拾取工序)
实施展开工序之后，使粘结膜14在展开的状态下，直接实施拾取芯片C的拾取工序。具体而言，由粘结膜14的下侧通过针(未图示)顶起芯片C，同时由粘结膜14的上面侧用吸附夹具(未图示)吸附芯片C，使单片化的芯片C与胶粘剂层13一起拾取。由于减少在切割工序中胶粘剂层13的胡须状的切削屑的发生，可以抑制如下所述的情形：这些切削屑与基材膜11或粘结剂层12的切削屑一起在相邻的芯片间熔融粘结，发生拾取错误。进而，在粘结膜14与胶粘剂层13的合计吸水率在2.0体积％以下的情况下，粘结剂层12与胶粘剂层13之间的剥离变得容易进行，所以即使半导体芯片C的厚度薄的情况下，也可以良好地拾取。
(模片接合(die bonding)工序)
接着，实施拾取工序后，实施模片接合工序。具体而言，通过在拾取工序中与芯片C一起被拾取的胶粘剂层，使半导体芯片胶粘于引线框或封装基板等，而制造半导体装置。
由此，胶粘剂层被接合于粘结膜而被输送/保管的情况下，可以降低由于胶粘剂层吸收空气中的水分而导致软化的情形，抑制拾取错误的发生。
其次，针对本发明的实施例进行说明，但本发明并不被限定于这些实施例。
(粘结膜的制备)
(粘结膜1)
使在50℃预先干燥48小时的低密度聚乙烯(NOVATECH LL(日本聚乙烯株式会社制造，商品名))熔融，使用挤出机将基材膜成型为厚度100μm的长条膜状。在溶剂的甲苯400g中，加入丙烯酸正丁酯128g、丙烯酸-2-乙基己酯307g、甲基丙烯酸甲酯67g、甲基丙烯酸1.5g、作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰的混合液，适当地调整滴加量，调整反应温度及反应时间，而得具有官能基的聚合物溶液。其次，向此聚合物溶液中，加入作为具有放射线固化性碳碳双键及官能基的化合物的另外由甲基丙烯酸与乙二醇所合成的甲基丙烯酸-2-羟乙酯2.5g、作为阻聚剂的氢醌，适当调整滴加量，而且调整反应温度及反应时间，得到具有放射线固化性碳碳双键的化合物(A)的溶液。接着，向化合物(A)溶液中，相对于化合物(A)溶液中的化合物(A)100质量份，加入聚异氰酸酯(COLONATE L(日本聚氨酯公司制造，商品名))1质量份，并加入和混合聚合引发剂(ILUGACURE184(CHIBAGAIGII社制造，商品名))0.5质量份、作为溶剂的醋酸乙酯150质量份而制备放射线固化性的粘结剂组成物。在成型的基材膜上，以干燥后的膜厚成为10μm的方式涂布前述粘结剂组成物，在110℃干燥10分钟而得到粘结膜1。
(粘结膜2)
除替代低密度聚乙烯而使用高密度聚乙烯(NOVATECH HD，日本聚乙烯株式会社制造，商品名)以外，与粘结膜1同样进行而得到粘结膜2。
(粘结膜3)
除使基材膜的膜厚为70μm以外，与粘结膜2同样进行而得到粘结膜3。
(粘结膜4)
除使基材膜的膜厚为70μm以外，与粘结膜1同样进行而得到粘结膜4。
(粘结膜5)
除替代低密度聚乙烯而使用EVA(NOVATECH EVA，日本聚乙烯株式会社制造，商品名)以外，与粘结膜1同样进行而得到粘结膜5。
(粘结膜6)
除替代低密度聚乙烯而使用聚丙烯(NOVATECH PP，日本POLYPRO株式会社制造，商品名)以外，与粘结膜1同样进行而得到粘结膜6。
(粘结膜7)
除替代低密度聚乙烯而使用聚酰胺(尼龙MXD6，三菱气体化学株式会社制造，商品名)以外，与粘结膜1同样进行而得到粘结膜7。
(胶粘膜的调整)
(胶粘膜1)
将作为环氧树脂的甲酚酚醛清漆型环氧树脂(cresol novolacepoxy resin)(环氧当量197、分子量1200、软化点70℃)15重量份，丙烯酸树脂(质均分子量：80万，玻璃化转变温度-17℃)70重量份，作为固化剂的酚醛清漆(Phenol Novolac，PN)树脂(羟基当量104、软化点80℃)15重量份，作为促进剂的2-苯基咪唑(2-Phenylimidazole)(CUREZOLE2PZ，四国化成株式会社制造，商品名)1份在有机溶剂中搅拌而得到胶粘剂清漆(varnish)。将所得到的胶粘剂清漆，涂布于厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜上，以120℃加热干燥10分钟制作了胶粘膜1。
(胶粘膜2)
将作为环氧树脂的甲酚酚醛型环氧树脂(cresol novolac epoxyresin)(环氧当量197、分子量1200、软化点70℃)5重量份，作为硅烷偶联剂的3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷0.5质量份、平均粒径1.0μm的二氧化硅填料50质量份，丙烯酸树脂(质均分子量：80万，玻璃化转变温度-17℃)40质量份，作为固化剂的酚醛清漆树脂(PhenolNovolac，PN)(羟基当量104、软化点80℃)5重量份，作为促进剂的2-苯基咪唑(2-Phenylimidazole)(CUREZOLE2PZ，四国化成株式会社制造，商品名)1份在有机溶剂中搅拌而得到粘结剂清漆(varnish)。将所得到的胶粘剂清漆，涂布于厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜上，以120℃加热干燥10分钟制作了胶粘膜2。
(胶粘膜3)
除了替代丙烯酸树脂而使用由2，2′-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、3，3′，4，4′-联苯基四羧酸二酐及均苯四甲酸酐所合成的质均分子量为5万的聚酰亚胺树脂以外，与胶粘膜2同样地制作。
(胶粘膜4)
除了替代丙烯酸树脂而使用由2，2′-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、3，3′，4，4′-联苯基四羧酸二酐及均苯四甲酸酐所合成的质均分子量为5万的聚酰亚胺树脂以外，与胶粘膜1同样地制作。
(第1实施例)
将粘结膜1～5及胶粘膜1分别切成直径370mm、320mm的圆形，贴合粘结膜的粘结剂层与胶粘膜的胶粘剂层。最后，由胶粘剂层剥离胶粘膜的PET膜，而得表1的组合的切割模片接合膜(dicing diebonding film)(实施例1～3、比较例1～2)。
<透湿度>
针对粘结膜1～5，根据JIS K7129-C(根据气相层析法测定的水蒸气透过度)来测定透湿度。测定条件为温度25±0.5℃，相对湿度差为90±2％。结果显示于表1。
[表1]
Figure BDA00003116069800141
<拾取性试验>
将前述实施例1～3、比较例1～2涉及的切割模片接合膜分别重叠300张，放置于温度25度、湿度70％RH的氛围中72小时后，分别由其上将第10张切割模片接合膜在70℃加热10秒钟贴合于厚度100μm及75μm的晶片上后，切割为10×10mm。其后，通过空冷式高压汞灯对粘结剂层照射200mJ/cm2的紫外线之后，针对晶片中央部的芯片250个，根据模片接合(die bonder)装置(CPS-100FM(NECMACHINERY株式会社制造、商品名))进行拾取试验。被保持了由粘结剂层剥离的胶粘剂层的芯片，在相邻的芯片不会附随着被拾取的情况下为拾取成功者，若拾取成功率达99％以上的话判定为良好而以○符号表示，不足99％的情况下判定为不良，以×符号表示。这些结果显示于表2。
[表2]
Figure BDA00003116069800151
在比较例1～2中，粘结膜的透湿度超过10.0g/m2/day，所以空气中的水蒸气由外侧向内侧透过而胶粘剂层由于吸水而软化，在切割时发生胡须状的切削屑，频繁发生双模片导致的拾取错误。相对于此，在实施例1～3，粘结膜的透湿度在10.0g/m2/day以下，所以空气中的水蒸气很难透过，胶粘剂层的软化减少，所以在切割时发生的胡须状的切削屑减少，充分减少拾取错误。
(第2实施例)
将粘结膜1，6～7及胶粘膜1～4分别切成直径370mm、320mm的圆形，贴合粘结膜的粘结剂层与胶粘膜的胶粘剂层。最后，由胶粘剂层剥离胶粘膜的PET膜，而得到表3的组合的切割模片接合膜(dicing die bonding film)(实施例4～7、比较例3～4)。针对粘结膜1，6～7，与第1实施例同样进行透湿度试验，针对所有的粘结膜确认了透湿度在10.0g/m2/day以下。
<吸水率>
将前述实施例4～7、比较例3～4涉及的切割模片接合膜切成50mm×50mm的大小而作为试样。将此试样在50℃的炉中干燥24小时者，在干燥机冷却至室温测定重量。其后，在23±1.0℃的蒸馏水中浸渍试样24小时，取出而通过Carl Fischer水分计算出吸水率。结果显示于表3。
[表3]
实施例4 实施例5 实施例6 实施例7 比较例3 比较例4
胶粘剂 1 2 3 1 4 3
带 1 1 6 6 6 7
吸水率(％) 1.1 1.8 0.8 1.5 2.3 3.3
<拾取性试验>
针对实施例1、4～6、比较例3～4涉及的切割模片接合膜(dicingdie bonding film)，与前述第1实施例同样进行拾取试验。其中，晶片的厚度为100μm及50μm。被拾取的芯片上被保持着由粘结剂层剥离的胶粘膜者为拾取成功者，若拾取成功率达99％以上的话判定为良好而以○符号表示，不足99％的情况下判定为不良，以×符号表示。这些结果显示于表4。
[表4]
比较例3～4因粘结膜的透湿度在10.0g/m2/day以下，所以对厚度100μm的晶片，可以良好地进行拾取，粘结膜与胶粘剂层合计的吸水率超过2.0体积％，所以粘结剂层与胶粘剂层之间的剥离性变差，对于厚度50μm的晶片拾取错误频繁发生。相对于此，在实施例4～7中，粘结膜与胶粘剂层合计的吸水率在2.0体积％以下，粘结剂层与胶粘剂层之间的剥离性很好，对于厚度50μm的薄的晶片也充分减少拾取错误。
【符号说明】
11：基材膜
12：粘结剂层
13：胶粘剂层
14：粘结膜
15：半导体晶片加工用带
20：环状框(ring frame)
21：台座
22：吸附台
23：顶起构件

Claims (3)

1.一种粘结膜，其特征在于，其是包括基材膜及被设于该基材膜上的粘结剂层的粘结膜，透湿度为10.0g/m2/day以下。
2.一种半导体晶片加工用带，其特征在于，其是具有：包括基材膜及被设于该基材膜上的粘结剂层的粘结膜，及被设于所述粘结剂层上的胶粘剂层的晶片加工用带，其中，所述粘结膜的透湿度为10.0g/m2/day以下。
3.根据权利要求2所述的半导体晶片加工用带，其特征在于，所述粘结膜与所述胶粘剂层合计的吸水率在2.0体积％以下。
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