KR101604323B1 - 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법 및 반도체 웨이퍼 가공용 테이프 - Google Patents

반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법 및 반도체 웨이퍼 가공용 테이프 Download PDF

Info

Publication number
KR101604323B1
KR101604323B1 KR1020157001148A KR20157001148A KR101604323B1 KR 101604323 B1 KR101604323 B1 KR 101604323B1 KR 1020157001148 A KR1020157001148 A KR 1020157001148A KR 20157001148 A KR20157001148 A KR 20157001148A KR 101604323 B1 KR101604323 B1 KR 101604323B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive layer
adhesive
semiconductor wafer
printing
tape
Prior art date
Application number
KR1020157001148A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150027802A (ko
Inventor
아츠시 히라이즈미
히로미츠 마루야마
노보루 사쿠마
마사미 아오야마
Original Assignee
후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 filed Critical 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20150027802A publication Critical patent/KR20150027802A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101604323B1 publication Critical patent/KR101604323B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68377—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support with parts of the auxiliary support remaining in the finished device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

접착제층의 접착제 사용량의 절약이나, 제조 공정의 간소화(특히 접착제층의 커트 공수(工數)의 삭감), 제품의 품질 향상을 도모하는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 제조 방법이 개시되어 있다. 　당해 제조 방법에서는, 지지용 필름(11) 상에, 다이본딩용 접착제를, 반도체 웨이퍼의 사이즈와 거의 동일하거나 그보다도 크게, 스크린 인쇄 또는 그라비아 인쇄함으로써 접착제층(12)을 형성하는 인쇄 공정과, 접착제층(12)을 건조시키는 건조 공정을 포함한다.

Description

반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법 및 반도체 웨이퍼 가공용 테이프{METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR-WAFER-PROCESSING TAPE AND SEMICONDUCTOR-WAFER-PROCESSING TAPE}
본 발명은 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법 및 당해 제조 방법에 의해 제조되는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼의 가공용 테이프로서, 지지용의 수지 필름 상에 반도체 웨이퍼의 사이즈와 거의 동일하거나 그보다도 크게, 원형으로 형성된 접착층을 갖는 다이본딩 테이프에, 동일하게 원형으로 형성된 점착 테이프(다이싱 테이프)가 적층된 다이싱·다이본딩 필름이 있다.
이러한 다층 테이프의 일반적인 제조 방법으로서, 수지 필름의 편면(片面) 전체면을 덮도록 접착제를 코터(coater)로 도포하고, 그 후 반도체 웨이퍼의 사이즈에 알맞도록 일부를 남기고, 불필요 부분을 제거하는 방법에 의해 형성하고, 점착 테이프를 적층화시켜, 점착 테이프를 링 프레임에 알맞은 형상으로 커트하는 제조 방법이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1).
일본공개특허공보 2007-002173호
종래의 제조 방법에서는, 수지 필름의 편면 전체면에 접착제를 도포하여 접착제층을 일단 형성하고, 그 후 웨이퍼 사이즈 상당으로 그 부분을 프리커트 후, 불필요 부분을 제거하기 때문에, 접착제층 중 불필요 부분으로서 폐각되는 부분의 양이 많아진다는 문제가 있었다. 특히 다이본딩용의 접착 테이프와 같이 고가의 재료를 이용하는 경우, 불필요 부분으로서 폐기되는 부분의 양을 저감시키는 것이, 제품 수율을 올리는 데에 있어서 강하게 요구된다.
또한, 다이싱·다이본딩 필름을 제조하는 경우, 종래의 제법에서는, 접착제층의 형성, 접착제층의 프리커트, 불필요 부분의 제거, 점착 테이프의 접합, 점착 테이프의 프리커트와, 공수(工數)가 많아, 라인이 길어진다는 문제가 있었다. 라인 길이의 제한 등으로부터, 경우에 따라서는, 접착제층을 프리커트한 후, 접착제층의 위로부터 일단 세퍼레이터를 접합하여 롤 형상으로 권취한 후, 라인을 바꾸고, 세퍼레이터를 박리하여 접착제층에 점착 테이프를 접합하고, 점착 테이프의 프리커트를 행할 필요가 있어, 이 경우, 추가로 공수가 증가해 버린다.
또한, 종래의 방법으로 접착 테이프를 제조하는 경우, 지지측의 수지 필름 상에서 접착제층을 반도체 웨이퍼 형상으로 커트할 필요가 있기 때문에, 접착제층을 커트할 때에 지지 필름의 표면에 접착제층의 커트 부분을 따르는 절입이 발생하는 문제가 있었다. 즉, 도 10에 나타내는 바와 같이, 지지용 필름(11) 상에 접착제층(12)을 형성하고, 그 후에 접착제층(12)을 커트하면, 접착제층(12)의 외주부가 수직으로 커트되고, 그 커트날의 선단에 의해 지지 필름(11)에 커트 흠집(40)이 형성된다. 이러한 경우, 커트날에 의한 절입 부분에 필름 먼지 등의 이물이 부착되기 쉬워지는 점에서, 제품의 품질 향상을 도모하는 데에 있어서는, 커트 흠집의 발생을 가능한 한 억제하는 것이 요망된다.
따라서, 본 발명의 주된 목적은, 접착제층의 접착제 사용량의 절약이나 제조 공정의 간소화(특히 접착제층의 커트 공수의 삭감), 제품의 품질 향상을 도모할 수 있는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
이상의 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 의하면,
제1 수지 필름 상에, 다이본딩용 접착제를, 반도체 웨이퍼의 사이즈와 거의 동일하거나 그보다도 크게, 스크린 인쇄 또는 그라비아 인쇄함으로써 접착제층을 형성하는 인쇄 공정과,
상기 접착제층을 건조시키는 건조 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법이 제공된다.
본 발명에 의하면, 인쇄 공정에서 접착제를 스크린 인쇄 또는 그라비아 인쇄함으로써, 필요한 부분에만 접착제를 도포할 수 있기 때문에, 접착제층의 불필요 부분을 제거할 필요가 없어져, 접착제의 사용량을 절약할 수 있다.
이러한 경우에, 접착제층의 커트 공정도 삭감할 수 있어 제조 공정의 간소화를 도모할 수 있고, 제1 수지 필름에 대하여 커트 흠집이 형성되는 경우도 없기 때문에 제품의 품질 향상을 도모할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시 형태(제1 실시 형태)에 따른 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 개략 구성을 나타내는 측면도이다.
도 2는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 공정을 설명하는 도면이다.
도 3은 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 장치의 개념도이다.
도 4는 종래의 제조 방법에 의해 형성된 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 1의 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층의 변형예를 나타내는 도면이다.
도 6은 제2 실시 형태의 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 측면도이다.
도 7은 제2 실시 형태의 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 공정을 설명하는 도면이다.
도 8은 제3 실시 형태의 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 측면도이다.
도 9는 제3 실시 형태의 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 공정을 설명하는 도면이다.
도 10은 종래의 제조 방법에 의한 문제점을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 샘플의 접착제층의 외주부(경사부)를 설명하기 위한 도면이다.
(발명을 실시하기 위한 형태)
＜제1 실시 형태＞
　이하, 본 발명의 제1 실시 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
　도 1에는, 본 실시 형태에 있어서의 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 측면도를 나타냈다.
　이 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)는, 제1 수지 필름을 이루는 지지용 필름(11), 다이본딩용 접착제로 이루어지는 접착제층(12), 다이싱용 점착제로 이루어지는 점착제층(13) 및 제2 수지 필름을 이루는 기재 필름(14)이 이 순서로 적층된 것이다.
지지용 필름(11)은, 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 제조시에 접착제층(12)을 지지하는 것이며, 접착제층(12)의 보호 필름으로서도 기능하는 것이다.
접착제층(12)은, 반도체 웨이퍼에 접합되고, 다이싱된 후에 칩을 픽업할 때, 점착제층(13)과 박리하여 칩에 부착하고, 칩을 기판이나 리드 프레임에 고정할 때의 접착제로서 사용되는 것이다.
점착제층(13)은, 다이싱시에 있어서 반도체 웨이퍼 및 개편화된 칩을 보유지지할 때의 점착제로서 사용되는 것이다.
기재 필름(14)은, 다이싱 후의 익스팬드에 의해 칩 및 접착제층(12)을 분단하기 위한 익스팬드 가능한 테이프이다.
우선, 각층의 성분에 대해서 설명한다.
＜지지용 필름(11)＞
지지용 필름(11)으로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름이 적합하게 이용된다. 또한, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 이외에, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름을 사용할 수 있고, 이들 플라스틱 필름은 표면을 이형 처리하여 사용할 수도 있다.
＜접착제층(12)＞
접착제층(12)은, 특별히 한정되는 것이 아니고, 다이싱·다이본딩 테이프에 일반적으로 사용되는 다이본딩 테이프이면 좋지만, 가요성을 갖고 또한 찢어지기 쉬우면 반도체 제조 공정의 수율을 향상시키는 데에 적합하다.
가요성을 갖고 또한 찢어지기 쉬운 접착제층으로 하기 위해서는, (ⅰ)∼(ⅲ) 중 적어도 1개의 조건을 충족하는 것이 좋고, 바람직하게는 2개의 조건을 충족하는 것이 좋고, 보다 바람직하게는 3개의 조건 모두를 충족하는 것이 좋다.
(i) 접착제층의 B스테이지 상태의 25℃에 있어서의 파단 연신이 40％ 이하이며, 바람직하게는 10％ 이하이며, 보다 바람직하게는 3％ 이하이다.
(ⅱ) B스테이지 상태의 접착제층(12)의 25℃에 있어서의 파단 강도가 0.1㎫ 이상 10㎫ 이하이다.
(ⅲ) 25℃에서 10㎐에 있어서의 동적 점탄성 측정에 의한 탄성률이 1∼3000㎫이며, 25℃에서 900㎐에 있어서의 동적 점탄성 측정에 의한 탄성률이 4000∼20000㎫이다.
파단 연신이 40％ 초과인 경우에는, 찢어지기 쉬움이 부족하여 반도체 제조 공정의 수율이 향상되지 않을 가능성이 있기 때문에 부적당하다.
마찬가지로, 파단 강도가 0.1㎫ 미만인 경우는 접착제층(12)의 가요성이 부족하여, 취급성이 저하될 가능성이 있고, 10㎫ 초과인 경우, 찢어지기 쉬움이 부족하여 반도체 제조 공정의 수율이 향상되지 않을 가능성이 있기 때문에 부적당하다.
25℃에서 10㎐에 있어서의 탄성률은 10∼1500㎫인 것이 바람직하고, 100∼1200㎫인 것이 보다 바람직하다. 이 탄성률이 1㎫ 미만이면, 찢어지기 쉬움이 부족하여 반도체 제조 공정의 수율이 향상되지 않을 가능성이 있고, 3000㎫를 초과하면, 취급시에 접착제층(12)에 크랙이 발생할 가능성이 있어 바람직하지 않다. 또한, 25℃에서 900㎐에 있어서의 탄성률은, 5000∼15000㎫인 것이 바람직하다. 이 탄성률이 4000㎫ 미만이면 찢어지기 어려워지는 경향이 있고, 20000㎫를 초과하면 취급시에 크랙이 발생하기 쉬운 경향이 있다.
접착제층(12)을 구성하는 성분은, 상기 특성을 만족하는 것이면 특별히 제한은 없지만, 고분자 성분, 열경화성 성분 및 필러를 포함하는 것이 바람직하고, 추가로 이들 외에, 경화촉진제, 촉매, 첨가제, 커플링제 등을 포함해도 좋다.
또한, 파단 강도나 파단 연신은, 접착제층(12)에 포함되는 고분자 성분이 많고, 필러가 적을수록 높아지고, 탄성률은 고분자 성분이 적고, 필러가 많을수록 높아지는 경향이 있기 때문에, 이들 성분(성분 비율)은, 파단 강도나 파단 연신이 상기에서 설명한 일정한 수치 범위 내가 되도록 조절하는 것이 중요하다.
고분자 성분으로서는, 접착제층(12)의 상기 특성을 만족시키는 것이면 특별히 제한은 없지만, 그 유리 전이 온도(이하, Tg)가 －30℃∼50℃에서 중량 평균 분자량이 1만∼100만인 것이 바람직하다. Tg가 50℃를 초과하면, 접착제층(12)의 유연성이 낮은 점에서 문제이고, Tg가 －30℃ 미만이면, 접착제층(12)의 유연성이 지나치게 높기 때문에, 접착제층(12)이 찢어지기 어려운 점에서 문제이다. 또한, 중량 평균 분자량이 1만 미만이면 접착제층(12)의 내열성이 저하되는 점에서 문제이고, 분자량이 100만을 초과하면 접착제층(12)의 유동성이 저하되는 점에서 문제이다.
접착제층(12)의 찢어지기 쉬움이나 내열성의 관점에서, Tg가 －20℃∼40℃에서 중량 평균 분자량이 10만∼90만의 고분자 성분이 보다 바람직하고, Tg가 －10℃∼50℃에서 중량 평균 분자량이 5만∼100만의 고분자 성분이 바람직하고, Tg가 －10℃∼30℃에서 중량 평균 분자량이 50만∼90만의 고분자 성분이 특히 바람직하다.
또한, 중량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피법(GPC)으로 표준 폴리스티렌에 의한 검량선을 이용한 폴리스티렌 환산값이며, 펌프로서 히타치제작소 제조 L-6000을 사용하고, 칼럼으로서 히타치화성공업(주) 제조 겔팩(Gelpack) GL-R440, 겔팩 GL-R450 및, 겔팩 GL-R400M(각 10.7㎜φ×300㎜)을 이 순서로 연결한 칼럼을 사용하고, 용리액으로서 테트라하이드로푸란을 사용하여, 시료 120㎎을 THF 5ml에 용해시킨 샘플에 대해서, 유속 1.75mL/분으로 측정한 값이다.
고분자 성분으로서, 구체적으로는, 폴리이미드, 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리아미드, 부타디엔 고무, 아크릴 고무, (메타)아크릴 수지, 우레탄 수지, 폴리페닐렌에테르 수지, 폴리에테르이미드 수지, 페녹시 수지, 변성 폴리페닐렌에테르 수지, 페녹시 수지, 폴리카보네이트 및 그들의 혼합물 등을 들 수 있다.
특히, 관능성 모노머를 포함하는 중량 평균 분자량이 10만 이상인 고분자 성분, 예를 들면, 글리시딜아크릴레이트 또는 글리시딜메타크릴레이트 등의 관능성 모노머를 함유하고, 또한 중량 평균 분자량이 10만 이상인 에폭시기 함유 (메타)아크릴 공중합체 등이 바람직하다. 에폭시기 함유 (메타)아크릴 공중합체로서는, 예를 들면, (메타)아크릴에스테르 공중합체, 아크릴 고무 등을 사용할 수 있으며, 아크릴 고무가 보다 바람직하다. 아크릴 고무는, 아크릴산 에스테르를 주성분으로 하고, 주로, 부틸아크릴레이트와 아크릴로니트릴 등의 공중합체나, 에틸아크릴레이트와 아크릴로니트릴 등의 공중합체 등으로 이루어지는 고무이다.
고분자 성분은, 접착제층(12)의 전체 중량으로부터 필러의 중량을 뺀 중량에 대하여, 50중량％ 이하 포함되는 것이 바람직하고, 35중량％ 이하 포함되는 것이 보다 바람직하고, 25중량％ 이상 35중량％ 이하 포함되는 것이 특히 바람직하다. 고분자 성분의 배합량이 많으면 접착제층(12)의 파단성이 악화되는 경향이 있고, 배합량이 적으면 접착시의 유동성이 지나치게 크기 때문에, 보이드가 발생하는 경향이 있다.
열경화성 성분으로서는, 에폭시 수지, 시아네이트 수지, 페놀 수지 및 그의 경화제 등이 있지만, 내열성이 높은 점에서, 에폭시 수지가 바람직하다. 에폭시 수지는, 경화하여 접착 작용을 갖는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 비스페놀 A형 에폭시 등의 2관능 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지나 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다. 또한, 다관능 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 복소환 함유 에폭시 수지 또는 지환식 에폭시 수지 등, 일반적으로 알려져 있는 것을 적용할 수 있다.
또한, 본 발명의 접착제층(12)에는, B스테이지 상태의 접착제층(12)의 파단 강도, 파단 연신의 저감, 접착제의 취급성의 향상, 열전도성의 향상, 용융 점도의 조정, 틱소트로픽성의 부여 등을 목적으로 하여 필러, 바람직하게는 무기 필러를 배합하는 것이 바람직하다.
무기 필러로서는, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 규산 칼슘, 규산 마그네슘, 산화 칼슘, 산화 마그네슘, 알루미나, 질화 알루미늄, 붕산 알루미늄 위스커, 질화 붕소, 결정성 실리카, 비정성(非晶性) 실리카, 안티몬 산화물 등을 들 수 있다. 열전도성 향상을 위해서는, 알루미나, 질화 알루미늄, 질화 붕소, 결정성 실리카, 비정성 실리카 등이 바람직하다. 용융 점도의 조정이나 틱소트로픽성의 부여의 목적으로는, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 규산 칼슘, 규산 마그네슘, 산화 칼슘, 산화 마그네슘, 알루미나, 결정성 실리카, 비정성 실리카 등이 바람직하다. 또한, 내습성을 향상시키기 위해서는 알루미나, 실리카, 수산화 알루미늄, 안티몬 산화물이 바람직하다.
상기 필러량은 접착제층(12)의 전체 중량에 대하여 5중량％ 이상 90중량％ 이하인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 35중량％ 이상 70중량％ 이하이다. 배합량이 많아지면, 접착제층(12)의 저장 탄성률의 상승, 접착성의 저하, 보이드 잔존에 의한 전기 특성의 저하 등의 문제가 일어나기 쉬워지기 때문에 90중량％ 이하로 하는 것이 특히 바람직하다. 또한, 필러의 비중은 1∼10g/㎤인 것이 바람직하다.
＜점착제층(13)＞
점착제층(13)의 성분에 특별히 제한은 없고, 다이싱시에 있어서 접착제층(12)과의 박리를 발생시키지 않고 칩 플라잉 등의 불량을 발생하지 않을 정도의 보유지지성이나, 픽업시에 있어서 접착제층(12)과의 박리가 용이해지는 특성을 갖는 것이면 좋다. 다이싱 후의 픽업성을 향상시키기 위해, 점착제층(13)은 방사선 경화성의 것이 바람직하고, 경화 후에 접착제층(12)과의 박리가 용이한 재료인 것이 바람직하다.
예를 들면, 분자 중에 요오드값 0.5∼20의 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물 (A)에, 폴리이소시아네이트류, 멜라민·포름알데하이드 수지 및, 에폭시 수지로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물 (B)를 부가 반응시켜 이루어지는 폴리머를 함유하는 것이 바람직하다. 여기에서, 방사선이란, 자외선과 같은 광선, 또는 전자선 등의 전리성 방사선이다.
점착제층(13)의 주성분 중 하나인 화합물 (A)에 대해서 설명한다.
화합물 (A)의 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합의 도입량은 요오드값으로 0.5∼20, 바람직하게는 0.8∼10으로 한다. 요오드값이 0.5 이상이면, 방사선 조사 후의 점착력의 저감 효과를 얻을 수 있고, 요오드값이 20 이하이면, 방사선 조사 후의 점착제의 유동성이 충분하고, 연신 후의 소자 간극을 충분히 얻을 수 있기 때문에, 픽업시에 각 소자의 화상 인식이 곤란해진다는 문제를 억제할 수 있다. 또한, 화합물 (A) 그 자체에 안정성이 있어, 제조가 용이해진다.
화합물 (A)는, 유리 전이점이 －70℃∼0℃인 것이 바람직하고, －66℃∼－28℃인 것이 보다 바람직하다. 유리 전이점 Tg가 －70℃ 이상이면, 방사선 조사에 수반하는 열에 대한 내열성이 충분하고, 0℃ 이하이면, 표면 상태가 거친 웨이퍼에 있어서의 다이싱 후의 반도체칩의 비산 방지 효과가 충분히 얻어진다.
상기 화합물 (A)는 어떻게 하여 제조된 것이라도 좋지만, 예를 들면, 아크릴계 공중합체와 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을 혼합한 것이나, 관능기를 갖는 아크릴계 공중합체 또는 관능기를 갖는 메타크릴계 공중합체 (A1)과, 그 관능기와 반응할 수 있는 관능기를 갖고, 또한, 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물 (A2)를 반응시켜 얻은 것이 이용된다.
화합물 (A)의 분자량은, 30만∼100만 정도가 바람직하다. 30만 미만에서는, 방사선 조사에 의한 응집력이 작아지고, 웨이퍼를 다이싱할 때에, 소자의 어긋남이 발생하기 쉬워져, 화상 인식이 곤란해지는 경우가 있다. 이 소자의 어긋남을, 최대한 방지하기 위해서는, 분자량이, 40만 이상인 편이 바람직하다. 또한, 분자량이 100만을 초과하면, 합성시 및 도포시에 겔화될 가능성이 있다. 또한, 본 발명에 있어서의 분자량이란, 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.
또한, 화합물 (A)가, 수산기값 5∼100이 되는 OH기를 가지면, 방사선 조사 후의 점착력을 감소함으로써 픽업 미스의 위험성을 더욱 저감할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 화합물 (A)가, 산값 0.5∼30이 되는 COOH기를 갖는 것이 바람직하다. 여기에서, 화합물 (A)의 수산기값이 지나치게 낮으면, 방사선 조사 후의 점착력의 저감 효과가 충분하지 않고, 지나치게 높으면, 방사선 조사 후의 점착제의 유동성을 손상시키는 경향이 있다. 또한 산값이 지나치게 낮으면, 테이프 복원성의 개선 효과가 충분하지 않고, 지나치게 높으면 점착제의 유동성을 손상시키는 경향이 있다.
다음으로, 점착제층의 다른 하나의 주성분인 화합물 (B)에 대해서 설명한다.
화합물 (B)는, 폴리이소시아네이트류, 멜라민·포름알데하이드 수지 및, 에폭시 수지로부터 적어도 1종 선택되는 화합물이며, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이 화합물 (B)는 가교제로서 작용하고, 화합물 (A) 또는 기재 필름과 반응한 결과 생긴 가교 구조에 의해, 화합물 (A) 및 (B)를 주성분으로 한 점착제의 응집력을, 점착제 도포 후에 향상할 수 있다.
화합물 (B)의 첨가량으로서는, 화합물 (A) 100중량부에 대하여 0.1∼10중량부로 하는 것이 바람직하고, 0.4∼3중량부로 하는 것이 보다 바람직하다. 그 양이 0.1중량부 미만에서는 응집력 향상 효과가 충분하지 않은 경향이 있고, 10중량부를 초과하면 점착제의 배합 및 도포 작업 중에 경화 반응이 급속하게 진행하여, 가교 구조가 형성되기 때문에, 작업성이 손상되는 경향이 있다.
또한, 점착제층(13)에는 광중합 개시제 (C)가 포함되어 있는 것이 바람직하다.
점착제층(13)이 포함되는 광중합 개시제 (C)에 특별히 제한은 없고, 종래 알려져 있는 것을 이용할 수 있다. 광중합 개시제 (C)의 첨가량으로서는, 화합물 (A) 100중량부에 대하여 0.01∼5중량부로 하는 것이 바람직하고, 0.01∼4중량부로 하는 것이 보다 바람직하다.
또한 필요에 따라서 점착 부여제, 점착 조정제, 계면활성제 등, 혹은 그 외의 개질제 및 관용 성분을 배합할 수 있다. 점착제층(13)의 두께는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 통상 2∼50㎛이다.
＜기재 필름(14)＞
기재 필름(14)으로서는, 방사선 투과성인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 통상, 플라스틱, 고무 등을 이용하고, 방사선을 투과하는 한에 있어서 특별히 제한되는 것은 아니지만, 자외선 조사에 의해 방사선 경화성 점착제를 경화시키는 경우에는, 이 기재로서는 광투과성이 좋은 것을 선택할 수 있다.
이러한 기재로서 선택할 수 있는 폴리머의 예로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리부텐-1, 폴리-4-메틸펜텐-1, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 메틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 아이오노머 등의 α-올레핀의 단독 중합체 또는 공중합체 혹은 이들의 혼합물, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트 등의 엔지니어링 플라스틱, 폴리우레탄, 스티렌-에틸렌-부텐 또는 펜텐계 공중합체, 폴리아미드-폴리올 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머 및, 이들의 혼합물을 열거할 수 있다.
또한, 소자 간극을 크게 하기 위해서는, 네킹(기재 필름(14)을 방사상 연신했을 때에 일어나는 힘의 전파성 불량에 의한 부분적인 연신의 발생)이 최대한 적은 것이 바람직하고, 폴리우레탄, 분자량 및 스티렌 함유량을 한정한 스티렌-에틸렌-부텐 또는 펜텐계 공중합체 등을 예시할 수 있으며, 다이싱시의 연신 혹은 휨을 방지하려면 가교한 기재 필름(14)을 이용하면 효과적이다. 기재 필름(14)의 두께는, 강신도 특성, 방사선 투과성의 관점에서 통상 20∼300㎛가 적당하다.
또한, 기재 필름(14)의 방사선 경화성의 점착제층(13)을 도포하는 측과 반대측 표면을 텍스처 가공 또는 활제(滑劑) 코팅하면, 블로킹 방지, 기재 필름(14) 상에 점착제층(13)이 형성된 다이싱 테이프의 방사상 연신시의 다이싱 테이프와 지그와의 마찰을 감소하는 것에 의한 기재 필름(14)의 네킹 방지 등의 효과가 있기 때문에 바람직하다.
＜반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법＞
전술한 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 제조는, 도 2에 나타내는 공정에 의해 행해진다.
우선, 지지용 필름(11)을 풀어내고(스텝 A1), 풀어내어진 지지용 필름(11) 상에 대하여, 전술한 접착제층(12)을 구성하는 성분을 포함하는 접착제를 이용하여 스크린 인쇄 또는 그라비아 인쇄를 행하고, 접착제층(12)을 형성하는 인쇄 공정을 행한다(스텝 A2).
다음으로, 인쇄된 접착제층(12)을 건조시키는 건조 공정을 행한다(스텝 A3).
그 후, 지지용 필름(11) 상에 형성된 접착제층(12)에 있어서의 지지용 필름(11)과 대향하는 면에 대하여, 기재 필름(14) 상에 점착제층(13)이 형성된 다이싱 테이프(15)를, 접착제층(12)과 점착제층(13)이 접하도록 라미네이트하여 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)로 하는 접합 공정을 행한다(스텝 A4).
그리고 마지막으로, 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 롤 형상으로 권취한다(스텝 A5).
도 3에는, 이러한 제조 방법에 의해 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 제조하는 제조 장치(30)의 개념도를 나타냈다.
이 제조 장치(30)는, 지지용 필름(11)을 풀어내는 풀어냄 기기(31)와, 인쇄 공정을 행하는 인쇄기(32), 건조 공정을 행하는 건조로(35), 접합 공정을 행하는 접합부(36), 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 권취하는 권취기(38)가 순서대로 나열된 구성으로 되어 있다.
하기에서는, 제조 장치(30)의 구성을 설명하면서, 이것을 이용한 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 제조 방법의 각 공정의 처리에 대해서 설명한다.
[스텝 A1(풀어냄 공정)]
풀어냄 기기(31)는, 롤 형상의 지지용 필름(11)을 보유지지하고 있고, 이 풀어냄 기기(31)로부터 제조 작업의 진행에 수반하여 순차 지지용 필름(11)이 풀어내어진다. 이 풀어냄 기기(31)로부터 풀어내어진 지지용 필름(11)은 인쇄 공정을 행하는 인쇄기(32)로 이송된다.
[스텝 A2(인쇄 공정)]
인쇄기(32)는, 지지용 필름(11) 상에 접착제층(12)을 인쇄 방법에 의해 형성하는 것이다. 이 인쇄기(32)에 의해, 송입되는 지지용 필름(11) 상에 단속적으로 반도체 웨이퍼의 사이즈와 거의 동일하거나 그보다도 큰 복수의 접착제층(12)이 형성된다. 여기에서 말하는 「거의 동일」이란, 반도체 웨이퍼의 사이즈보다 작은 사이즈도 포함하지만, 적어도 당해 반도체 웨이퍼로부터 분할되는 모든 칩을 덮을 수 있는 사이즈를 의미한다.
인쇄 공정에서는, 접착제를 잉크로서 이용하여, 반도체 웨이퍼의 사이즈에 알맞은 형상의 접착제층(12)을 형성한다. 「반도체 웨이퍼의 사이즈에 알맞은 형상」이란, 바람직하게는 원형 형상이며, 반도체 웨이퍼에 오리엔테이션 플랫이나 노치가 있으면 그 형상에도 대응할 수 있는 형상을 포함하고, 적어도 반도체칩을 접착하는 면적을 갖는 다각형상이면 좋다.
이와 같이, 인쇄 공정에 의해 반도체 웨이퍼의 사이즈에 알맞은 형상의 접착제층(12)을 형성함으로써, 후에 접착제층(12)을 웨이퍼 사이즈로 커트하는 공정을 생략할 수 있다.
즉, 이 제조 방법에서는, 접착제층(12)을 반도체 웨이퍼의 사이즈에 알맞은 형상으로 절단한다는 절단 공정의 처리를 실행할 필요가 없다. 이에 따라, 접착제층(12)이나 지지용 필름(11)에 커트 흠집이 발생하는 것을 방지할 수 있기 때문에, 커트 흠집의 발생에 수반하는 이물의 잔존을 방지할 수 있어, 제품의 품질을 향상할 수 있다. 또한, 필요한 부분에만 인쇄되기 때문에, 접착제층(12)에 이용하는 재료의 로스를 대폭으로 삭감하는 것이 가능하게 된다.
인쇄기(32)의 인쇄 방법으로서는, 스크린 인쇄, 그라비아 인쇄, 볼록판 인쇄, 오목판 인쇄, 잉크젯 인쇄 등을 이용할 수 있고, 소망하는 접착제층(12)의 두께를 얻을 수 있는 인쇄 방법을 선택해도 좋다.
상기 인쇄 방법 중에서는, 스크린 인쇄법과 그라비아 인쇄법이 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 패턴 인쇄에 적합하고, 당해 인쇄 공정에서는, 스크린 인쇄 또는 그라비아 인쇄를 행하여 접착제층(12)을 형성한다.
스크린 인쇄에 관해서는, 점착 재료(접착제)의 고형분율이나 스크린판의 메시 사이즈에도 의하지만, 일반적으로 수㎛ 내지 백수십㎛의 두께의 인쇄가 가능하고, 1회당의 인쇄 두께를 넓게 조정할 수 있기 때문에, 생산성이 높은 제조가 가능하다.
스크린 인쇄의 인쇄기 또는 인쇄 방식으로서는, 매엽식 인쇄기, 매엽식 인쇄를 연속으로 인쇄할 수 있도록 한 롤 to 롤식, 롤 to 롤식의 로터리 스크린 인쇄기가 있지만, 로터리 스크린 인쇄기를 이용하면, 통상의 매엽식 스크린 인쇄기보다도 고속 인쇄할 수 있기 때문에, 보다 생산 효율을 높일 수 있다.
그라비아 인쇄에 대해서는, 1회당의 도포 막두께는 수㎛ 정도이지만, 로터리식으로 고속으로 접착제층(12)을 제조 가능하기 때문에, 두께가 얇은 접착제층(12)(수㎛)을 대상으로 한 경우, 생산성에 유리하다.
스크린 인쇄나 그라비아 인쇄의 인쇄 방법은, 형성하고자 하는 접착제층(12)의 두께에 따라 선정할 수 있고, 접착제층(12)의 두께가 수㎛∼10㎛ 정도의 경우는 그라비아 인쇄를 선정하고, 접착층의 두께가 5∼10㎛ 이상인 경우는, 스크린 인쇄를 선정하는 것이 바람직하다.
인쇄 공정에서 이용하는 접착제(다이본딩용 접착제)는, 전술한 접착제층(12)에 포함되는 재료를 용제에 용해 혹은 분산한 것을 이용한다. 용제는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 사이클로헥사논이나 메틸에틸케톤이 바람직하다.
이 용제를 5∼80중량％ 혼합하여, 접착제의 인쇄시의 분위기 온도에 있어서의 점도를 최적인 범위로 조정한다.
풀어냄 기기(31)에서 인쇄기(32)를 거쳐 건조로(35)의 입구에 이르기까지의 범위(영역)는 온습도 제어부(33) 내에 배치되고, 온습도 제어부(33) 내에서는 온습도 조정기(34)에 의해 온도 및 습도를 소정값으로 유지하는 것이 가능하게 되어 있다. 이 온습도 제어부(33)의 온도 및 습도는, 접착제의 조성이나 용제의 종류 등에 따라 적절한 온도 및 습도가 선택된다.
또한, 적어도 인쇄를 하는 부분이 온습도 제어부(33) 내에 배치되어 있으면 좋지만, 인쇄를 하는 부분에서 건조로(35)까지의 사이도 온습도 제어부(33) 내에 배치되어 있는 것이 바람직하다. 그러나, 고품질인 제품을 제공한다는 관점에서, 도 3에서 나타내는 장치 구성으로 제조하는 것이 바람직하지만, 건조로 길이나 제조 장소의 실내 환경, 점착제에 포함되는 용제 종류에서 상황이 상이하기 때문에, 반드시 제조 설비에 온습도 제어부(33)나 온습도 조정기(34)를 갖는 것이 필수는 아니다.
스크린 인쇄나 그라비아 인쇄시의 판(版)분리성이나 두께 정밀도, 접착제의 점도 변화를 생각하면, 접착제에 포함되는 용제의 증발 속도를 가능한 한 억제하는 편이 바람직하다. 그러나 접착제에 건조지연 작용이 있는 용제를 지나치게 혼입하면, 건조 공정에서의 생산성 저하나 설비 비용 상승으로 연결되기 때문에, 인쇄 공정 분위기에서의 온습도 관리를 행하여, 증발 속도의 제어를 행한다. 이 온습도 관리에 의해 10℃ 이하, 바람직하게는 5℃ 이하로 하고, 접착제에 포함되는 용제의 증기압을 100㎜Hg 이하로 하는 것이 바람직하지만, 50㎜Hg 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 30㎜Hg 이하로 하는 것이 특히 바람직하다. 이와 같이 온습도 관리를 행함으로써, 접착제에 포함되는 용제의 증발 속도를 억제할 수 있어, 접착제의 점도의 안정성을 도모하는 것이 가능하게 된다.
스크린 인쇄로 접착제를 도포하는 경우, 접착제층(12)이 특징적인 표면 및 단면 형상을 갖기 때문에, 일반적인 코터에 의한 도포 방법이나 커트날에 의한 단면 커트 공법으로 제조되는 제품과 비교하여 품질적으로 유리하다.
또한, 스크린 인쇄의 경우는, 접착제의 점도를, 6Pas 이하, 바람직하게는 0.05∼5Pas(0.05Pas 이상이고 5Pas 이하)로 조정하는 것이 좋다. 접착제의 점도가 작은 경우, 예를 들면 0.05Pas보다 작은 정도의 경우는, 스크린판으로부터 접착제가 투과되어, 양호한 인쇄를 할 수 없게 될 가능성이 있기 때문에, 주의가 필요하다.
그라비아 인쇄의 경우는, 접착제의 점도를, 10Pas 이하, 바람직하게는 0.01∼수Pas(0.01Pas 이상이고 수 Pas 이하)로 조정하는 것이 좋다. 이것은 인쇄시에 판동(版胴)으로부터 접착제가 떨어지기 어렵고, 지지용 필름(11)에 접착제의 전사 얼룩이 발생하여, 인쇄의 품질(핀 홀 등)에 영향을 주기 때문이다.
또한, 그라비아 인쇄에 있어서도 스크린 인쇄와 동일하게 패턴 인쇄이기 때문에, 스크린 인쇄에서 서술한 동일한 효과를 기대할 수 있다.
[스텝 A3(건조 공정)]
인쇄 공정에 의해 접착제층(12)이 형성된 지지용 필름(11)은, 접착제층(12)에 포함되는 용제를 휘발시키는 건조 공정을 행하는 건조로(35)로 이송된다.
건조 공정에서는, 건조로(35) 내의 온도나 건조 시간을, 접착제의 조성이나 용제의 종류 등에 따라 적절하게 선택하고, 바람직하게는 상온∼200℃의 온도에서 접착제층(12)을 몇 분 정도 건조시킨다.
[스텝 A4(접합 공정)]
건조 공정에 의해 접착제층(12)이 건조된 지지용 필름(11)은, 기재 필름(14) 상에 점착제층(13)이 형성된 다이싱 테이프(15)와 접합하는 접합 공정을 행하는 접합부(36)로 이송된다. 접착제층(12)은 인쇄 공정에 의해 이미 반도체 웨이퍼의 형상에 알맞은 형상으로 되어 있어, 건조 공정에 이어서 접합 공정을 행하는 것이 가능하게 된다. 이에 따라, 제조 라인의 길이를 짧게 할 수 있다.
접합 공정(접합부(36))에서는, 지지용 필름(11)과 다이싱 테이프(15)를 롤러(37) 사이에 끼우고 롤러(37) 사이에 소정의 압력을 더하여, 지지용 필름(11) 상에 형성된 접착제층(12)과 다이싱 테이프(15)의 점착제층(13)이 접하도록, 지지용 필름(11)과 다이싱 테이프(15)를 접합한다. 롤러(37) 사이의 압력은 적절히 설정할 수 있지만, 선압(線壓) 1∼5㎫로 행하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 지지용 필름(11), 접착제층(12), 점착제층(13) 및 기재 필름(14)이 이 순서로 적층된 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)가 완성된다.
[스텝 A5(권취 공정)]
완성된 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 권취기(38)에 의해 권취하고, 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 롤 형상으로 한다.
이상의 실시 형태에 의하면, 인쇄 공정에서는, 점도 조정을 행한 접착제를 이용하여 스크린 인쇄 또는 그라비아 인쇄하여 접착제층(12)을 형성하기 때문에, 접착제층(12)의 불필요 부분의 제거에 의한 낭비가 배제되어 접착제 사용량을 절약할 수 있다.
또한 본 실시 형태에 의하면, 접착제층(12)의 불필요 부분의 커트 공정도 불필요하기 때문에, 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 공정을 간소화할 수 있고, 나아가서는 커트 흠집의 발생에 수반하는 이물의 잔존이 방지되어 제품의 품질을 향상시킬 수도 있다.
제조 공정의 간소화에 대해서는, 다음과 같은 효과도 갖는다.
즉, 종래의 제조 방법에서는, 단락 0006의 설명에 있었던 바와 같이, 라인 길이의 제한 등이 있는 경우에, 접착제층의 형성, 접착제층의 프리커트, 세퍼레이터의 접합, 라인의 변경, 세퍼레이터의 박리………와 같은 공정을 거칠 필요가 있다. 이 경우, 접착제층과 세퍼레이터를 접합시킬 때는, 밀착성을 올리기 위해 가열 롤로 40∼백수십℃ 정도의 범위에서 가열하면서 접합 처리를 행할 필요가 있고, 추가로 그 후에는 세퍼레이터를 박리하고 나서 점착 테이프(다이싱 테이프(15))를 접합할 필요가 있었다.
이에 대하여, 본 실시 형태에 따른 접합 공정에서는, 접착제층(12)을 직접 점착제층(13)에 접합시키기 때문에, 밀착성이 높고, 가열 롤을 이용하는 일 없이, 상온하에서 접합시킬 수 있다. 따라서 본 실시 형태에 의하면, 제조 라인 길이를 짧게 하는 것뿐만 아니라, 종래의 제조 방법에서 필요했던 가열 롤 설비가 불필요해져, 설비 투자를 억제할 수도 있다.
커트 흠집의 발생의 억제에 수반하는 제품의 품질 향상에 대해서도, 상세하게 설명한다.
종래 제법으로 제작된 다이싱·다이본딩 테이프(50)의 단면을 도 4에 나타낸다.
도 4로부터 알 수 있는 바와 같이, 다이싱·다이본딩 테이프(50)에서는, 접착제층(12)의 외주부가 프리커트날에 의해 거의 수직으로 커트되어 있고, 지지 필름(11)에 커트 흠집(40)이 형성된다. 여기에서, 「커트 흠집(40)」이란, 지지용 필름(11)의 접착제층(12)측의 표면에 오목하게 절입이 들어가 있는 상태를 말한다. 이러한 경우, 접착제층(12)과 다이싱 테이프(15)를 접합할 때에, 커트 흠집(40)의 형성에 수반하여 그 부분에 이물이 잔존하거나, 접착제층(12)의 외주부에 보이드(공극)가 발생하거나 할 가능성이 있다.
이에 대하여, 본 실시 형태와 같이, 접착제의 점도를 최적 범위(스크린 인쇄의 경우는 바람직하게는 0.05∼5Pas, 그라비아 인쇄의 경우는 바람직하게는 0.01∼수Pas)로 조정하거나 인쇄 환경의 온습도를 제어하거나 하고, 접착제층(12)을 스크린 인쇄 또는 그라비아 인쇄로 형성한 경우, 도 1에 나타내는 바와 같이, 지지용 필름(11)에 커트 흠집(40)은 형성되지 않고, 접착제층(12)의 외주부(측연부)에는 이것을 단면에서 보면 완만하게 경사진 경사부(12a)가 형성되어, 접착제층(12)과 점착제층(13)과의 사이에서 밀착성이 양호해지고(높아지고), 보이드도 발생하기 어려워진다.
또한, 접착제의 점도가 클 때는(예를 들면 스크린 인쇄의 경우에 있어서 6Pas 정도일 때는), 도 5와 같이, 접착제층(12)의 외주부에서 두께가 약간 증대되고, 이것을 단면에서 보면, 약간 볼록부 형상을 나타낸 볼록부(12b)가 형성되는 경우가 있다(외주단으로부터 1㎜ 정도의 내측의 범위에서, 반도체 웨이퍼에 접하는 두께에 대하여 ＋수∼30％ 정도). 이러한 경우, 접착제층(12)의 외주부와 점착제층(13)과의 층간 밀착이 높아져, 접착제층(12)과 다이싱 테이프(15)의 라미네이트를 양호하게 실시할 수 있는 효과가 있다.
또한, 인쇄된 접착제층(12)의 외주부의 내측(중심측)은, 스크린판에 의해 실용상 문제없는 두께 정밀도로 억제하는 것이 가능하다. 그렇기 때문에 반도체 웨이퍼는, 지지 필름(11)을 벗긴 후에 접착제층(12)의 평활면측과 접합되어, 접착제층(12)의 외주부의 볼록부(12b)에 의한 영향은 없다. 단, 반도체칩의 픽업성의 관점에서, 접착제를, 적어도 당해 반도체 웨이퍼로부터 분할되는 모든 칩을 덮을 수 있는 사이즈보다 크게 인쇄하여, 접착제층(12)의 볼록부(12b)의 형성 범위와 반도체칩이 겹치지 않도록, 반도체 웨이퍼 사이즈에 대하여 접착제층(12)의 인쇄 면적을 약간 크게 취하는(설계하는) 것이 바람직하다.
＜제2 실시 형태＞
다음으로, 제2 실시 형태에 대해서 설명한다.
또한, 기본적으로는, 전술한 제1 실시 형태와 동일한 구성을 갖고 있고, 이하, 동일한 구성을 갖는 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙여 설명을 생략하고, 주로 상이한 부분에 대해서 설명한다.
도 6에는 본 실시 형태에 있어서의 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 측면도를 나타냈다.
본 실시 형태에서는, 점착제층(13)도 인쇄 방법에 의해 형성되어 있다.
본 실시 형태의 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 제조는, 도 7에 나타내는 공정에 의해 행해진다.
도 7의 공정에서는, 도 2에 나타낸 공정에 있어서의 다이싱 테이프(15)를 라미네이트하는 접합 공정(스텝 A4)을 대신하여, 원형 인쇄가 완료된 다이싱 테이프(15)를 라미네이트하는 접합 공정(스텝 A11)을 행한다.
전술한 접합 공정(스텝 A11)에서 이용되는 다이싱 테이프(15)는, 수지 필름을 이루는 기재 필름(14) 상에 링 프레임의 사이즈와 거의 동일하거나 그보다도 큰 원형의 점착제층(13)을 형성한 것이다. 여기에서 말하는 「거의 동일」이란, 링 프레임의 사이즈(외경)보다 작은 사이즈도 포함하지만, 적어도 링 프레임의 내경보다 커 링 프레임과 접촉할 수 있는 사이즈를 의미한다.
이러한 접합 공정에서는, 원형으로 형성된 접착제층(12)의 중심과, 원형으로 형성된 점착제층(13)의 중심이 일치하여 동심원이 되도록, 지지용 필름(11)과 다이싱 테이프(15)를 접합한다.
다이싱 테이프(15)의 점착제층(13)은, 원형으로 형성된 접착제층(12)과 거의 동일한 크기의 원형으로 형성해도 좋지만, 접착제층(12)보다도 큰 원형으로 형성하는 것이 바람직하다.
점착제층(13)을 접착제층(12)보다도 큰 원형으로 형성하면, 반도체 웨이퍼가 접합되는 부분에는 접착제층(12)이 있고, 링 프레임이 접합되는 부분에는 접착제층(12)이 없고 점착제층(13)만이 존재하게 된다. 일반적으로, 접착제층(12)은 피착체와 박리하기 어렵기 때문에, 이와 같이 함으로써 링 프레임을 점착제층(13)과 접합할 수 있어, 사용 후의 테이프 박리시에 링 프레임으로의 접착물 잔재를 발생하기 어렵다는 효과가 얻어진다.
이 다이싱 테이프(15)는, 지지용 필름(11)에 접착제층(12)을 형성하는 공정(스텝 A1 내지 A3)과 동일한 공정에 의해 제조된다.
즉, 다이싱 테이프(15)는, 기재 필름(14) 상에 점착제층(13)을 인쇄 방법에 의해 형성하는 인쇄 공정과, 인쇄된 점착제층(13)을 건조시키는 건조 공정에 의해 제조된다.
인쇄 공정에서 이용하는 점착제(다이싱용 점착제)는, 전술한 점착제층(13)에 포함되는 재료를 용제에 용해 혹은 분산한 것을 이용한다.
용제는 특별히 한정되는 것은 아니지만 점착제의 점도가 0.05∼5Pas가 되도록 조제하는 것이 바람직하고, 0.05∼1Pas로 하는 것이 보다 바람직하다.
또한, 인쇄 공정 분위기에서의 온습도 관리에 의해 10℃ 이하, 바람직하게는 5℃ 이하로 하고, 점착제에 포함되는 용제의 증기압을 100㎜Hg 이하로 하는 것이 바람직하지만, 50㎜Hg 이하로 하는 것이 보다 바람직하고, 30㎜Hg 이하로 하는 것이 특히 바람직하다. 이와 같이 온습도 관리를 행함으로써, 점착제에 포함되는 용제의 증발 속도를 억제할 수 있어, 점착제의 점도의 안정성을 도모하는 것이 가능하게 된다.
또한 인쇄 공정 분위기를 온습도 관리할 때, 경우에 따라서는 결로가 발생할 가능성이 있지만, 온습도 제어부(33)와 건조로(35)와의 사이의 벽면에 단열재를 형성하는, 또는 인쇄 후에서 건조로(35)에 이르기까지의 동안을 단계적으로 온습도 관리하는 등의 대책을 행해 두는 것이 바람직하다.
이와 같이, 다이싱 테이프(15)에 대해서도 인쇄 공정에 의해 링 프레임의 사이즈에 알맞은 형상의 점착제층(13)을 형성함으로써, 후에 점착제층(13)을 커트하는 공정을 생략할 수 있어, 점착제층(13)이나 기재 필름(14)에 커트 흠집이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 커트 흠집의 발생에 수반하는 이물의 잔존을 방지할 수 있어, 제품의 품질을 향상할 수 있다. 또한, 필요한 부분에만 인쇄되기 때문에, 점착제층(13)에 이용하는 재료의 로스를 대폭으로 삭감하는 것이 가능하게 된다
종래 제법에 있어서는, 다이싱·다이본딩 테이프와 같은 다층 접착 테이프를 제작함에 있어서, 다이본딩 테이프를 제작 후에 접착제층을 반도체 웨이퍼 형상으로 커트하고, 다음으로 다이싱 테이프를 접합한 후에 다이싱 테이프측도 외주면을 커트하여 제작된다. 이 경우, 접착 필름을 적층할 때마다 커트 공정이 필요해져 다단 공정을 필요로 하고 있었다.
이것에 대하여, 본 실시 형태와 같이 인쇄 공정에 의해 접착제층(12), 점착제층(13)을 형성함으로써, 간편한 공정으로 제조가 가능하게 되어, 다층화 테이프를 제작하는 생산 효율을 향상시킬 수 있다.
＜제3 실시 형태＞
다음으로, 제3 실시 형태에 대해서 설명한다.
또한, 기본적으로는, 전술한 제1 실시 형태와 동일한 구성을 갖고 있고, 이하, 동일한 구성을 갖는 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙여 설명을 생략하고, 주로 상이한 부분에 대해서 설명한다.
도 8에는 본 실시 형태에 있어서의 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 측면도를 나타냈다.
본 실시 형태의 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)는 접착제층(12)만을 갖는다.
본 실시 형태의 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 제조는, 도 9에 나타내는 공정에 의해 행해진다.
도 9의 공정에서는, 도 2에 나타낸 공정에 있어서의 다이싱 테이프를 라미네이트하는 접합 공정(스텝 A4)을 대신하여, 커버 필름(16)을 라미네이트하는 접합 공정(스텝 A21)을 행한다.
또한, 커버 필름(16)으로서는, 지지용 필름(11)에 이용할 수 있는 재질로 이루어지는 필름을 이용할 수 있다.
또한, 전술한 제1 내지 제3 실시 형태에서는, 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 예로서 다이싱·다이본딩 테이프나 다이본딩 테이프를 나타냈지만, 그 외 다이싱 테이프나, 반도체 웨이퍼 이면을 연삭하는 백그라인드 공정에서 반도체 웨이퍼의 회로 패턴 형성면(웨이퍼 표면)을 보호하기 위한 표면 보호 테이프 등, 여러 가지 반도체 웨이퍼 가공·보호 용도의 테이프 제조 공정에 대해서 본 발명을 적용하는 것이 가능하다.
또한, 장척의 지지용 필름(11)을 이용하여 연속적으로 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 제조하는 방법을 나타냈지만, 반도체 웨이퍼 1매분의 반도체 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 제조하는 방법에도 본 발명을 적용 가능하다.
다음으로, 본 발명의 효과를 명확하게 하기 위해 행한 실시예에 대해서 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
[점착 테이프의 제작]
(1) 점착 테이프 1의 제작
이소옥틸아크릴레이트, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 및 메틸메타크릴레이트로 이루어지고, 질량 평균 분자량 80만, 유리 전이 온도 －30℃의 아크릴계 공중합체 화합물을 제작했다.
그 후, 이 공중합체 화합물 100중량부에 대하여, 방사선 경화성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물로서, 트리메틸올프로판트리메타크릴레이트를 20중량부, 경화제로서 폴리이소시아네이트 화합물 콜로네이트 L(CORONATE L)(닛폰폴리우레탄 가부시키가이샤 제조, 상품명) 7중량부, 추가로 광중합 개시제로서 이르가큐어(Irgacure) 184(니혼치바가이기 가부시키가이샤 제조, 상품명) 5중량부를 더하여, 방사선 경화성의 점착제를 얻었다.
이 점착제를, 폴리프로필렌 수지와 수소화 스티렌-부타디엔 공중합체로 이루어지는, 두께 100㎛의 기재 필름에 대하여 도포한 후, 열풍 건조로에서 건조시켜, 건조 후의 두께가 10㎛인 점착제층과 기재 필름과의 적층체인 점착 테이프 1을 얻었다.
(2) 점착 테이프 2의 제작
이소노닐아크릴레이트, 2-하이드록시에틸아크릴레이트 및 메틸메타크릴레이트로 이루어지고, 질량 평균 분자량 80만, 유리 전이 온도 －30℃의 아크릴계 공중합체 화합물을 제작했다.
그 후, 이 공중합체 화합물 100중량부에 대하여, 경화제로서 폴리이소시아네이트 화합물 콜로네이트 L(닛폰폴리우레탄 가부시키가이샤 제조, 상품명) 9중량부를 더하여, 점착제를 얻었다.
이 점착제를, 점착 테이프 1과 동일한 기재 필름에, 점착 테이프 1과 동일하게 도포하고, 건조시켜 점착 테이프 2를 얻었다.
[접착제의 조제]
(1) 접착제 1의 조제
에폭시 수지로서 비스페놀 F형 에폭시 수지(에폭시 당량 160, 토토카세이 가부시키가이샤 제조 상품명 YD-8170C를 사용) 30중량부, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(에폭시 당량 210, 토토카세이 가부시키가이샤 제조 상품명 YDCN-703을 사용) 10중량부; 에폭시 수지의 경화제로서 페놀 노볼락 수지(다이닛폰잉키카가쿠고교 가부시키가이샤 제조 상품명 플라이오펜(Plyophen) LF2882를 사용) 27중량부; 아크릴계 공중합체(겔 투과 크로마토그래피에 의한 중량 평균 분자량 70만, Tg는 4℃, 나가세켐텍스 가부시키가이샤 제조 상품명 SG-708-6을 사용) 28중량부; 경화촉진제로서 이미다졸계 경화촉진제(시코쿠카세이고교 가부시키가이샤 제조 큐어졸(Curezol) 2PZ-CN을 사용) 0.1중량부; 실리카 필러(silica filler)(아드마파인 가부시키가이샤 제조, S0-C2(비중: 2.2g/㎤)를 사용) 132중량부; 실란커플링제로서(닛폰유니카 가부시키가이샤 제조 상품명 A-189를 사용) 0.25중량부로 이루어지는 조성물에, 메틸에틸케톤 10질량부를 더하여, 교반 혼합하고, 진공 탈기하여, 접착제 1을 얻었다.
얻어진 접착제 바니스의 점도를, B형 점도계(토키산교　TVB-10)로 측정한 결과, 5℃에서의 점도는 5.0Pas, 25℃에서의 점도는 4.5Pas였다.
(2) 접착제 2의 조제
메틸에틸케톤을 50질량부 더한 이외는, 접착제 1과 동일하게 하여 접착제 2를 얻었다. 얻어진 접착제 바니스의 점도를 측정한 결과, 5℃에서의 점도는 1.0Pas, 25℃에서의 점도는 0.05Pas였다.
(3) 접착제 3의 조제
메틸에틸케톤을 60질량부 더한 이외는, 접착제 1과 동일하게 하여 접착제 3을 얻었다. 얻어진 접착제 바니스의 점도를 측정한 결과, 5℃에서의 점도는 0.04Pas였다.
(4) 접착제 4의 조제
메틸에틸케톤을 8.0질량부 더한 이외는, 접착제 1과 동일하게 하여 접착제 4를 얻었다. 얻어진 접착제 바니스의 점도를 측정한 결과, 5℃에서의 점도는 6.0Pas였다.
(5) 접착제 5의 조제
메틸에틸케톤을 5질량부 더한 이외는, 접착제 1과 동일하게 하여 접착제 5를 얻었다. 얻어진 접착제 바니스의 점도를 측정한 결과, 5℃에서의 점도는 11.0Pas였다.
(6) 접착제 6의 조제
메틸에틸케톤을 80질량부 더한 이외는, 접착제 1과 동일하게 하여 접착제 5를 얻었다. 얻어진 접착제 바니스의 점도를 측정한 결과, 5℃에서의 점도는 0.01Pas였다.
[샘플의 제작]
(1) 실시예 1
지지용 필름으로서의 PET 필름(두께 25㎛) 상에, 롤 to 롤형의 매엽식 스크린 인쇄법에 의해, 접착제 1을 직경 φ320㎜, 건조 후의 인쇄 두께 20㎛, 피치 60㎜가 되도록 인쇄하여, 접착제층을 형성했다.
인쇄 공정에 있어서의 온도 등은, 인쇄부의 분위기가 5℃, 40％ RH가 되도록 제어하고, 온습도 제어부에 있어서의 용제의 증기압을 30㎜Hg 정도로 했다.
인쇄 공정에 의해 접착제층을 형성한 후에, 건조로에 있어서 150℃의 온도에서 1분 정도 건조시키는 건조 공정을 행했다.
그 후, 별도 제작한 점착 테이프 1을 선압 2㎫로 접합하는 접합 공정을 행하여, 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 제작했다.
(2) 실시예 2
접착제 1을 대신하여 접착제 2를 이용한 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 제작했다.
(3) 실시예 3
점착 테이프 1을 대신하여 점착 테이프 2를 이용한 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 제작했다.
(4) 실시예 4
점착 테이프 1을 대신하여 점착 테이프 2를 이용한 이외는, 실시예 2와 동일하게 하여 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 제작했다.
(5) 비교예 5
접착제 1을 대신하여 접착제 3을 이용한 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 제작했다.
(6) 실시예 6
접착제 1을 대신하여 접착제 4를 이용한 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 제작했다.
(7) 실시예 7
인쇄 공정에 있어서의 온도를 실온(25℃)으로 한 이외는, 실시예 1과 동일하게 하여 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 제작했다.
(8) 실시예 8
인쇄 공정에 있어서의 온도를 실온(25℃)으로 한 이외는, 실시예 2와 동일하게 하여 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 제작했다.
(9) 실시예 9
지지용 필름으로서의 PET 필름(두께 25㎛) 상에, 그라비아 인쇄법에 의해, 접착제 2를 직경 φ320㎜, 건조 후의 인쇄 두께 5㎛, 피치 40㎜가 되도록 인쇄하여, 접착제층을 형성했다.
　인쇄 공정에 있어서의 온도 등은, 인쇄부 환경이 5℃, 40％RH가 되도록 조정하여, 용제의 증기압을 30㎜Hg 정도로 했다.
인쇄 공정에 의해 접착제층을 형성한 후에, 건조로에 있어서 150℃의 온도에서 1분 정도 건조시키는 건조 공정을 행했다.
그 후, 별도 제작한 점착 테이프 2를 선압 2㎫로 접합하는 접합 공정을 행하여, 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 제작했다.
(10) 실시예 10
접착제 2을 대신하여 접착제 1을 이용한 이외는, 실시예 9와 동일하게 하여 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 제작했다.
(11) 비교예 11
접착제 2를 대신하여 접착제 5를 이용한 이외는, 실시예 9와 동일하게 하여 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 제작했다.
(12) 실시예 12
접착제 2를 대신하여 접착제 6을 이용한 이외는, 실시예 9와 동일하게 하여 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 제작했다.
[샘플(접착제층)의 평가]
(1) 파단 강도, 파단 연신
B스테이지 상태의 접착제층의 25℃에 있어서의 파단 강도, 파단 연신을, 폭 10㎜, 길이 30㎜, 두께 20㎛의 시료에 대해서, 인장 시험기(이마다세이사쿠쇼 제조 디지털 하중계 SV55)를 이용하여 척(chuck) 간 거리 20㎜, 인장 속도 0.5m/min에서의 응력, 왜곡 곡선을 측정하고, 그리고 나서, 하기식에 의해 얻었다.
파단 강도(㎩)＝최대 강도(N)/시료의 단면적(㎡)
파단 연신(％)＝(파단시의 시료의 척 간 길이(㎜)－20)/20×100
(2) 탄성률(저장 탄성률)
B스테이지 상태의 접착제층의 저장 탄성률을, 동적 점탄성 측정 장치(레오로지사 제조, DVE-V4)를 이용하여 측정했다(샘플 사이즈: 길이 20㎜, 폭 4㎜, 막두께 75㎛, 온도 범위 －30∼100℃, 승온(昇溫) 속도 5℃/min, 인장 모드, 10㎐ 또는 900㎐, 자동 정하중).
(3) 접착제층의 단면 형상
인쇄부를 마이크로톰 또는 면도칼날로 단면 커트하고, 당해 단면을 히타치하이테크노로지즈 제조 현미경(TM-1000)으로 단면 관찰하여, 두께나 사이즈, 형상 등을 계측했다.
(4) 평가 결과
(4.1) 실시예 1
실시예 1의 샘플에서는 접착제층 1을 스크린 인쇄에 의해 형성하고 있다.
건조 공정 후(접합 공정 전)의 접착제층 1의 파단 강도, 파단 연신을 측정한 결과, 파단 강도는 5.0㎫이며, 파단 연신은 15％였다.
건조 공정 후(접합 공정 전)의 접착제층의 탄성률은 25℃/10㎐에서 2500㎫이며, 25℃/900㎐에서 8000㎫였다.
건조 공정 후(접합 공정 전)의 접착제층 1을 커트(종단)하여 외주부의 단면을 현미경 관찰한 결과, 외주 측연부가 완만하게 경사져 있는 것을 알 수 있었다. 구체적으로는, 접착제층 1을 평면에서 보았을 경우의 목표의 인쇄 직경 320㎜에 대하여, 실제의 인쇄 직경은 321㎜였다.
(4.2) 실시예 9
실시예 9의 샘플에서는 접착제층 9를 그라비아 인쇄에 의해 형성하고 있다.
건조 공정 후(접합 공정 전)의 접착제층 9의 파단 강도, 파단 연신을 측정한 결과, 파단 강도는 3㎫이며, 파단 연신은 15％였다.
건조 공정 후(접합 공정 전)의 접착제층 9의 탄성률은 25℃/10㎐로 2500㎫이며, 25℃/900㎐로 8000㎫였다.
건조 공정 후(접합 공정 전)의 접착제층 9를 커트(종단)하여 외주부의 단면을 현미경 관찰한 결과, 외주 측연부가 완만하게 경사져 있는 것을 알 수 있었다. 구체적으로는, 접착제층 9를 평면에서 보았을 경우의 목표의 인쇄 직경 320㎜에 대하여, 실제의 인쇄 직경은 321㎜였다.
(4.3) 그 외
상기 실시예 1, 9를 포함하는 샘플의 접착제층의 제조 조건이나 특성(평가 결과) 등을, 표 1에 나타낸다.
또한, 표 1 중, 「두께 정밀도」의 평가에 대해서는, 접착제층을 스크린 인쇄로 형성한 실시예 1∼4, 6∼8, 비교예 5의 샘플에서는 당해 접착제층의 두께를 20㎛로 설계하고, 접착제층을 그라비아 인쇄로 형성한 실시예 9∼10, 12, 비교예 11의 샘플에서는 당해 접착제층의 두께를 5㎛로 설계하고, 실제의 접착제층의 두께가 그 설계값(목표값)에 대하여 ±1.5㎛의 범위 이내에 들어간 경우에는 「○(양호)」라고 평가하고, 이러한 범위 외의 경우에는 「－」라고 기재했다.
Figure 112015004536367-pct00001
[정리]
접착제층을 스크린 인쇄로 형성한 실시예 1∼4, 6∼8의 샘플에 있어서, 간이한 공정에 의해 양호한 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 얻을 수 있었다.
특히 실시예 1∼4는, 접착제의 점도가 0.05Pas 이상 5Pas 이하이며, 인쇄 공정에 있어서의 온도가 10℃ 이하이기 때문에, 스크린판의 눈막힘에 의한 결점수가 거의 보이지 않아, 인쇄 수율이 향상되는 것이 확인되었다.
또한 실시예 1∼4, 6∼8에서는, 접착제층의 두께도, 고체층에서 ±1.5㎛의 범위 내로 억제할 수 있었다.
또한 실시예 1∼4, 6∼8에서는, 종래 공법(코터에 의한 도포)에 대하여 접착제 사용량은 약 50％로 대폭 저감했다.
실시예 6은, 접착제의 점도가 5Pas 초과이지만, 인쇄는 실시 가능했다. 실시예 6에서는, 접착제층의 외주부를 단면에서 보면 약간 볼록부 형상을 나타내고 있었다(외주단으로부터 1㎜ 정도의 범위에서, 웨이퍼에 접하는 두께에 대하여 20％정도). 실시예 6에서는, 외주부 부근은 두께 불균일이 있기 때문에, 가능한 한 반도체칩으로의 접합은 피하는 편이 좋지만, 외주로부터 1㎜ 정도 내측의 부분에 대해서는, 두께 정밀도가 목표값 ±1.5㎛ 이내로 양호하고, 반도체칩의 접착제층으로서 활용할 수 있다고 판단할 수 있다.
이들 샘플에 대하여, 비교예 5에서는, 접착제의 점도가 0.05Pas 미만이기 때문에, 인쇄 형상의 주연부에서 가장자리측으로 갈수록 두께가 감소하는 형상 퍼짐이 현저하게 발생함과 함께, 접착제를 스크린판에 올렸을 때에 액 흐름이 발생했기 때문에, 양호한 인쇄를 실시하는 것이 어려워졌다(스크린 인쇄되어 있지 않다고 판단했다).
다른 한편, 접착제층을 그라비아 인쇄로 형성한 실시예 9∼10, 12의 샘플에 대해서는, 모든 샘플에서 양호한 접착제층의 인쇄를 얻을 수 있었다.
실시예 9∼10, 12에 대해서도, 스크린 인쇄와 동일하게, 종래 공법(코터에 의한 도포)에 대하여 접착제 사용량은 약 50％로 대폭 저감했다.
이들 샘플에 대하여, 비교예 11에서는, 접착제의 점도가 11Pas로 크고, 인쇄면에 긁힘이 보여, 양호한 인쇄를 할 수 없었다(그라비아 인쇄되어 있지 않다고 판단했다).
실시예 2
[샘플의 제작]
(1) 실시예 13∼17
실시예 1의 샘플을 제작한 것과 동일하게, 지지용 필름으로서의 PET 필름 상에, 롤 to 롤형의 매엽식 스크린 인쇄법에 의해, 접착제를 인쇄하여, 접착제층을 형성했다.
이러한 인쇄 공정에서는, 표 2에 나타내는 바와 같이, 접착제의 점도와 건조 후의 인쇄 두께(설계 두께)를 샘플마다 변동시켜, 제조 조건을 설정했다. 접착제는 접착제 1의 성분과 동일하지만, 메틸에틸케톤의 배합량만을 조정하여 점도를 제어했다.
그 후, 실시예 1의 샘플을 제작한 것과 동일하게, 건조 공정, 접합 공정의 각 처리를 실행하여, 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 제작했다.
(2) 실시예 18∼19
실시예 9의 샘플을 제작한 것과 동일하게, 지지용 필름으로서의 PET 필름 상에, 그라비아 인쇄법에 의해, 접착제를 인쇄하여, 접착제층을 형성했다.
이러한 인쇄 공정에서도, 표 2에 나타내는 바와 같이, 접착제의 점도와 건조 후의 인쇄 두께(설계 두께)를 샘플마다 변동시켜, 제조 조건을 설정했다. 접착제는 접착제 2의 성분과 동일하지만, 메틸에틸케톤의 배합량만을 조정하여 점도를 제어했다.
그 후, 실시예 9의 샘플을 제작한 것과 동일하게, 건조 공정, 접합 공정의 각 처리를 실행하여, 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 제작했다.
(3) 비교예 20∼22
실시예 1의 샘플과 동일한 재료를 이용하여 접착제층을 형성했다.
상세하게는, 지지용 필름으로서의 PET 필름(두께 25㎛)의 편면 전면(前面) 상에, 접착제를 코터로 도포하여 일단 접착제층을 형성하고, 그 후 이러한 접착제층을 직경 φ320㎜, 피치 60㎜가 되도록 프리커트했다.
이러한 공정에서도, 표 2에 나타내는 바와 같이, 접착제의 점도와 건조 후의 인쇄 두께(설계 두께)를 샘플마다 변동시켜, 제조 조건을 설정했다. 접착제는 접착제 1의 성분과 동일하지만, 메틸에틸케톤의 배합량만을 조정하여 점도를 제어했다.
그 후에는, 실시예 1의 샘플을 제작한 것과 동일하게, 건조 공정, 접합 공정의 각 처리를 실행하여, 반도체 웨이퍼 가공용 테이프를 제작했다.
[샘플(접착제층)의 평가]
실시예 13∼17, 18∼19, 비교예 20∼22의 샘플을, 마이크로톰 또는 면도칼날로 단면 커트하고, 당해 접착제층의 경사부를 히타치하이테크노로지즈 제조 현미경(TM-1000)으로 단면 관찰하여, 두께나 형상 등을 계측했다.
여기에서는, 단면 관찰을 행할 때, 도 11에 나타내는 바와 같이, 접착층(12)의 외주부를 단면에서 보았을 때의 접착제층(12)의 경사부(12a)에 관하여, 경사부(12a)에 있어서의 두께(수직 방향의 거리)를 「t」로, 경사부(12a)에 있어서의 수평 방향의 거리를 「ΔR」로 하여, 각 거리를 측정하고, 접착제층의 경사부의 형상을 나타내는 파라미터를 「ΔR/t」로 하여, 이러한 파라미터를 산출했다.
경사부(12a)의 두께 t 및 수평 방향의 거리 ΔR의 각 측정값과, 형상 파라미터 ΔR/t의 산출값을, 표 2에 나타낸다.
Figure 112015004536367-pct00002
[정리]
접착제층을 스크린 인쇄 또는 그라비아 인쇄로 형성한 실시예 13∼17, 18∼19의 샘플과, 접착제층을 도포·프리커트하여 형성한 비교예 20∼22의 샘플에서, 각 샘플의 접착제층의 경사부를 단면 관찰하면, 그 비교 결과로부터, 실시예 13∼17, 18∼19의 샘플에서는, 접착제층의 두께 t가 2∼150㎛인 범위 내에 있어서, 형상 파라미터 ΔR/t의 수치 범위가 대체로 이하의 식 (1)의 조건을 충족하고 있었다.
0.4≤ΔR/t≤100　…　(1)
이러한 실시예 13∼17, 18∼19의 샘플에서는, 접착제층과 점착제층과의 밀착성이 양호하여, 보이드의 발생이 대폭으로 억제되었다고 생각되어, 식 (1)의 조건을 충족하는 것이 유용하다는 것을 알 수 있었다.
이들 샘플에 대하여, 비교예 20∼22의 샘플에서는, 식 (1)의 조건을 충족하지 않아, 접착제층과 점착제층과의 밀착성이 실시예 13∼17, 18∼19의 샘플보다도 뒤떨어져 있었다.
또한 실시예 13∼17, 18∼19의 샘플에서는, 지지용 필름에 커트 흠집(도 10 참조)도 없기 때문에, 커트날에 의한 절입 부분에 필름 먼지 등의 이물이 잔존하는 바와 같은 일도 없어, 제품의 품질 향상이 달성되었다.
본 발명은, 지지용 필름에 대하여 접착제층을 형성한 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법으로서, 접착제층의 접착제 사용량의 절약이나 제조 공정의 간소화(특히 접착제층의 커트 공수의 삭감), 제품의 품질 향상을 도모하는 데에 특히 적합하게 이용할 수 있다.
10 : 반도체 웨이퍼 가공용 테이프
11 : 지지용 필름(제1 수지 필름)
12 : 접착제층
12a : 경사부
12b : 볼록부
13 : 점착제층
14 : 기재 필름(제2 수지 필름)
15 : 다이싱 테이프
16 : 커버 필름

Claims (9)

  1. 수지 필름 상에, 다이본딩용 접착제를, 반도체 웨이퍼의 사이즈와 거의 동일하거나 그보다도 크게, 스크린 인쇄 또는 그라비아 인쇄함으로써 접착제층을 형성하는 인쇄 공정과,
    상기 접착제층을 건조시키는 건조 공정
    을 포함하는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법에 의해 제조된 반도체 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서,
    상기 건조 공정 후의 상기 접착제층의 외주부가 단면에서 보았을 때 완만하게 경사져 있고, 그 경사부의 두께를 t로, 수평 방향의 거리를 ΔR로 한 경우에, 식 (1)의 조건을 충족하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프.
    0.4≤ΔR/t≤100　…　(1)
  2. 제1 수지 필름 상에, 다이본딩용 접착제를, 반도체 웨이퍼의 사이즈와 거의 동일하거나 그보다도 크게, 스크린 인쇄 또는 그라비아 인쇄함으로써 접착제층을 형성하는 인쇄 공정과,
    상기 접착제층을 건조시키는 건조 공정과,
    상기 제1 수지 필름의 상기 접착제층이 형성된 면에 대하여, 제2 수지 필름 상에 다이싱용 점착제로 이루어지는 점착제층이 형성된 다이싱 테이프를, 상기 접착제층과 상기 점착제층이 접하도록 접합하는 접합 공정
    을 포함하는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법에 의해 제조된 반도체 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서,
    상기 건조 공정 후의 상기 접착제층의 외주부가, 단면에서 보았을 때, 완만하게 경사져 있고, 그 경사부의 두께를 t로, 수평 방향의 거리를 ΔR로 한 경우에, 식 (1)의 조건을 충족시키는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프.
    0.4≤ΔR/t≤100　…　(1)
  3. 제1 수지 필름 상에, 다이본딩용 접착제를, 반도체 웨이퍼의 사이즈와 거의 동일하거나 그보다도 크게, 스크린 인쇄 또는 그라비아 인쇄함으로써 접착제층을 형성하는 인쇄 공정과,
    상기 접착제층을 건조시키는 건조 공정과,
    상기 제1 수지 필름의 상기 접착제층이 형성된 면에 대하여, 제2 수지 필름 상에 다이싱용 점착제로 이루어지는 점착제층이 형성된 다이싱 테이프를, 상기 접착제층과 상기 점착제층이 접하도록 접합하는 접합 공정
    을 포함하는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법에 있어서,
    상기 인쇄 공정에서는, 상기 건조 공정 후의 상기 접착제층의 외주부를 단면에서 보았을 때 완만하게 경사지게 하고, 그 경사부의 두께를 t로, 수평 방향의 거리를 ΔR로 한 경우에, 식 (1)의 조건을 충족시키는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법.
    0.4≤ΔR/t≤100　…　(1)
  4. 제3항에 있어서,
    상기 인쇄 공정에서는, 상기 접착제층을, 상기 반도체 웨이퍼의 사이즈에 알맞은 형상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 인쇄 공정에서는, 상기 다이본딩용 접착제를, 적어도 당해 반도체 웨이퍼로부터 분할되는 모든 칩을 덮도록 인쇄하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 접합 공정에서는, 상기 다이싱 테이프로서, 상기 제2 수지 필름 상에, 상기 다이싱용 점착제를 링 프레임의 사이즈와 거의 동일하거나 그보다도 크게 스크린 인쇄 또는 그라비아 인쇄함으로써 상기 점착제층을 형성한 것을, 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
KR1020157001148A 2012-07-26 2013-07-24 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법 및 반도체 웨이퍼 가공용 테이프 KR101604323B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012165936 2012-07-26
JPJP-P-2012-165936 2012-07-26
PCT/JP2013/070040 WO2014017537A1 (ja) 2012-07-26 2013-07-24 半導体ウエハ加工用テープの製造方法及び半導体ウエハ加工用テープ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150027802A KR20150027802A (ko) 2015-03-12
KR101604323B1 true KR101604323B1 (ko) 2016-03-17

Family

ID=49997346

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157001148A KR101604323B1 (ko) 2012-07-26 2013-07-24 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법 및 반도체 웨이퍼 가공용 테이프

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5607843B2 (ko)
KR (1) KR101604323B1 (ko)
CN (1) CN104508798B (ko)
TW (1) TWI545643B (ko)
WO (1) WO2014017537A1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5863914B1 (ja) 2014-09-05 2016-02-17 古河電気工業株式会社 半導体加工用テープ及びこれを使用して製造する半導体装置の製造方法
JP6407060B2 (ja) * 2015-02-25 2018-10-17 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ
JP7056886B2 (ja) * 2015-09-28 2022-04-19 リンテック株式会社 粘着シート、及び粘着シートの製造方法
JP6967506B2 (ja) * 2016-02-23 2021-11-17 リンテック株式会社 フィルム状接着剤複合シート及び半導体装置の製造方法
JP6991475B2 (ja) * 2017-05-24 2022-01-12 協立化学産業株式会社 加工対象物切断方法
JP7046586B2 (ja) * 2017-12-14 2022-04-04 日東電工株式会社 接着フィルムおよびダイシングテープ付き接着フィルム
WO2023281906A1 (ja) * 2021-07-09 2023-01-12 日東電工株式会社 熱硬化性接着シート

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001214137A (ja) 2000-02-02 2001-08-07 Toyo Ink Mfg Co Ltd 粘着シート及び該シートの製造方法
JP2009147201A (ja) 2007-12-17 2009-07-02 Denki Kagaku Kogyo Kk ダイシングシート、その製造方法、および電子部品の製造方法
JP2011137057A (ja) 2009-12-25 2011-07-14 Nitto Denko Corp チップ保持用テープ、チップ状ワークの保持方法、チップ保持用テープを用いた半導体装置の製造方法、及び、チップ保持用テープの製造方法
JP2011210927A (ja) 2010-03-30 2011-10-20 Lintec Corp シート貼付方法およびウエハ加工方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61112345A (ja) * 1984-11-07 1986-05-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2004273895A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの分割方法
WO2011129272A1 (ja) * 2010-04-13 2011-10-20 積水化学工業株式会社 半導体チップ接合用接着材料、半導体チップ接合用接着フィルム、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
JP5767478B2 (ja) * 2011-01-27 2015-08-19 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ加工用テープの製造方法及び半導体ウエハ加工用テープ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001214137A (ja) 2000-02-02 2001-08-07 Toyo Ink Mfg Co Ltd 粘着シート及び該シートの製造方法
JP2009147201A (ja) 2007-12-17 2009-07-02 Denki Kagaku Kogyo Kk ダイシングシート、その製造方法、および電子部品の製造方法
JP2011137057A (ja) 2009-12-25 2011-07-14 Nitto Denko Corp チップ保持用テープ、チップ状ワークの保持方法、チップ保持用テープを用いた半導体装置の製造方法、及び、チップ保持用テープの製造方法
JP2011210927A (ja) 2010-03-30 2011-10-20 Lintec Corp シート貼付方法およびウエハ加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104508798A (zh) 2015-04-08
CN104508798B (zh) 2017-03-08
JP5607843B2 (ja) 2014-10-15
JPWO2014017537A1 (ja) 2016-07-11
TW201411709A (zh) 2014-03-16
KR20150027802A (ko) 2015-03-12
WO2014017537A1 (ja) 2014-01-30
TWI545643B (zh) 2016-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101604323B1 (ko) 반도체 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법 및 반도체 웨이퍼 가공용 테이프
TWI403568B (zh) 半導體裝置製造用薄膜及半導體裝置的製造方法
TWI458005B (zh) 半導體裝置用膜及半導體裝置
JP2012069586A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法、及び、半導体装置の製造方法
JP2011187571A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2004134689A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2004356412A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2011174042A (ja) 半導体装置製造用フィルム及び半導体装置の製造方法
CN109148350B (zh) 切割带一体型粘接性片
WO2010064376A1 (ja) 半導体装置製造用フィルムロール
JP2011137057A (ja) チップ保持用テープ、チップ状ワークの保持方法、チップ保持用テープを用いた半導体装置の製造方法、及び、チップ保持用テープの製造方法
TW201923868A (zh) 黏晶膜、切晶黏晶膜及半導體裝置製造方法
JP2009147201A (ja) ダイシングシート、その製造方法、および電子部品の製造方法
TW201543561A (zh) 切晶黏晶膜、附切割片材之切晶黏晶膜、半導體裝置、及半導體裝置之製造方法
WO2015146254A1 (ja) 樹脂膜形成用シート積層体
TW202121513A (zh) 半導體裝置的製造方法、以及切晶黏晶一體型膜及其製造方法
TW201906962A (zh) 切晶帶一體型背面保護膜
TW202035605A (zh) 接著膜、附有切晶帶之接著膜、及半導體裝置製造方法
KR102171423B1 (ko) 수지막 형성용 시트
TWI437070B (zh) Wafer processing tape and semiconductor processing method using the same
JP5767478B2 (ja) 半導体ウエハ加工用テープの製造方法及び半導体ウエハ加工用テープ
JP6278178B2 (ja) ウエハ加工用テープ
JP7402052B2 (ja) 長尺積層シートおよびその巻収体
TW202028392A (zh) 切晶黏晶膜
KR101602025B1 (ko) 점착 필름 및 반도체 웨이퍼 가공용 테이프

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190218

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200218

Year of fee payment: 5