CN103178194A - 一种大功率白光led封装结构及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种大功率白光LED封装结构，通过第一次旋转涂覆，在LED芯片上表面及侧壁上涂覆一层由小颗粒荧光粉混合而成的内层荧光胶，烘干后，再利用自动点胶机喷点，在内层荧光胶上表面、LED芯片上方对应的局部位置涂覆一层由超大颗粒荧光粉混合而成的外层荧光胶。本发明利用外层荧光胶不易浸润已烘干的内层荧光胶的特性，使得外层荧光胶只在LED芯片上方正对应的局部位置形成一凸包。本发明无需掺入扩散剂等即可使用超大颗粒荧光粉，不但很大程度的提高了光效、而且避免荧光粉大量沉淀在LED芯片侧边位置而产生黄圈现象的技术不足。

Description

一种大功率白光LED封装结构及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种大功率白光LED封装结构及其制备方法，属于半导体发光器件制造技术领域。
背景技术
随着LED外延材料和芯片水平的不断提高，白光LED以体积小、寿命长、绿色环保，并能满足各种恶劣环境要求的优点而大获发展，而功率型白光LED已成为重要的固体照明光源之一，其封装技术也得到了前所未有的发展。但是功率型白光LED的封装仍然存在诸多问题，首要的是发光效率仍旧不高，其次是发射光谱不均匀。如蓝光芯片经激发相应波长的荧光粉后，因荧光粉颗粒沉淀等因素造成的混光不好而存在黄圈、蓝圈等现象。功率型白光LED一般采用封装较大颗粒的荧光粉激发方式获得，通常需要掺入扩散剂以防止荧光粉发生沉淀、获得较好的光谱，但是扩散剂的掺入通常会严重影响光通量的大小，使得光效急剧下降。
中国专利CN101404317A公开一种大功率白光LED封装方法，将LED晶片固晶在基座内、烘烤焊线后，在基座内点透明硅胶，使得透明硅胶覆盖LED晶片，然后用透镜盖住整个基座，再从透镜边缘的侧耳小孔处向透镜与基座粘合形成的空腔内注满荧光胶。最终提高了LED光色的一致性，但相比其他技术专利，该专利对提高光效效果不明显。
中国专利CN101369623A提供一种LED芯片上涂敷荧光粉的工艺，将荧光粉和胶水按照一定比例混合后，经多次涂敷烘烤固化，直至碗杯中的胶水和荧光粉混合物固化后的液面与碗杯上边缘平齐，无凹痕出现。有效解决荧光粉一次涂敷固化中的荧光粉沉淀和聚集现象。中国专利CN101714598A公开了一种白光LED封装过程中荧光粉分层沉淀的方法，将添加剂、黄色荧光粉、硅胶按一定比例均匀混合做脱泡处理，将该材料填充到白光LED大功率支架碗杯内，保持2小时后进行分段烘烤，经70℃、90℃、110℃，再到150℃分别保持1～2小时，制成白光LED成品。该发明特意采用分层沉淀的方式，使得荧光粉沉淀均匀，有效改善产品一致性差的问题。将荧光粉经多次涂覆烘烤、或分段进行烘烤一定程度上能够起到改善光圈、增强产品均匀性的作用，但同时常常会引入荧光粉分层现象，仍不能获得高光效、高均匀性的白光LED。
中国专利CN101661987A公开了一种白光LED封装结构及其封装方法，其方法是先在LED芯片上涂覆有隔热透明材料层，隔热透明材料层上再涂覆有荧光粉层，重点关注大功率白光LED的散热问题，通过在芯片表面先涂覆一层隔热透明材料层起到隔热的作用。形成的透明材料层和荧光粉层的结构是透镜结构，或是在荧光粉层上设置一透镜结构。其荧光粉层的结构为：先与隔热透明材料层形成接触的是一层红色荧光粉层，再在红色荧光粉层外侧涂覆一层YAG荧光粉层，这样可以得到显色质量稳定的大功率白光LED。
中国专利CN102185087A公开一种大功率LED封装结构，其结构中采用一种大颗粒混合小颗粒荧光粉，使涂覆的荧光胶大于芯片侧边位置，形成与所盖的透镜弧度一致的弧形。其涂覆的荧光胶是在大颗粒中混入小颗粒，大、小颗粒的半径、用量各满足一定的比例关系。大颗粒中掺入小颗粒能起到一定的改善光色质量的作用，但是由于一次完成涂覆，涂覆高度大于芯片侧边位置，这样就使得芯片侧边仍然沉积有大量荧光粉，避免不了黄圈现象的再出现。
发明内容
发明概述：
针对现有技术的不足，本发明提供一种大功率白光LED封装结构，通过第一次旋转涂覆，在LED芯片上表面及侧壁上涂覆一层由小颗粒荧光粉混合而成的内层荧光胶，烘干后，再利用自动点胶机喷点，在内层荧光胶上表面、LED芯片上方对应的局部位置涂覆一层由超大颗粒荧光粉混合而成的外层荧光胶。本发明利用外层荧光胶不易浸润已烘干的内层荧光胶的特性，使得外层荧光胶只在LED芯片上方正对应的局部位置形成一凸包。本发明无需掺入扩散剂等即可使用超大颗粒荧光粉，不但很大程度的提高了光效、而且避免荧光粉大量沉淀在LED芯片侧边位置而产生黄圈现象的技术不足。
本发明还提供上述大功率白光LED封装结构的制备方法。
术语说明：
LED：Light Emitting Diode，发光二极管。
本发明的技术方案如下：
一种大功率白光LED封装结构，包括自下而上设置的LED大功率支架、反射碗杯、蓝光LED芯片、荧光胶、透明硅胶和透镜；所述的反射碗杯设置在LED大功率支架上，所述的蓝光LED芯片通过导电银胶或高导热绝缘胶设置在反射碗杯内；所述的蓝光LED芯片通过金线与LED大功率支架电连接；在蓝光LED芯片上由内而外涂覆有内层荧光胶和外层荧光胶，内层荧光胶内含的荧光粉颗粒尺寸小于外层荧光胶内含的荧光粉颗粒尺寸；所述内层荧光胶的涂覆范围是整个蓝光LED芯片及露出的反射碗杯底面，所述反射碗杯底面上内层荧光胶的厚度小于蓝光LED芯片的厚度；所述外层荧光胶完全包覆蓝光LED芯片的上表面及侧壁，呈凸包状，所述凸包状的外层荧光胶的底面半径小于内层荧光胶底面的半径；所述LED大功率支架的上方设置有透镜，透镜内填充有透明硅胶。
蓝光LED芯片自侧壁以外至反射碗杯边缘的位置内荧光粉越多就越易产生光圈，本申请为了有效避免光圈的产生，即在芯片以外的范围设置尽量少的荧光粉。为了避免在涂覆内层荧光胶时荧光粉颗粒产生沉淀，在内层荧光胶内采用颗粒较小的荧光粉颗粒；为了提高光效，本申请的外层荧光胶内采用较大的荧光粉颗粒。
所述内层荧光胶为：荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为1∶7～1∶5的比例混合而成，荧光粉颗粒粒径范围：7～13μm。
优选的，所述内层荧光胶，其荧光粉颗粒与透明硅胶的质量比为1∶6；
所述外层荧光胶为：荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为3∶10的比例混合而成，荧光粉颗粒粒径范围：20～23μm。
所述透明硅胶的折射率均为1.5。
所述的内层荧光胶厚度为大于所述蓝光LED芯片厚度的1/2，并小于所述蓝光LED芯片的厚度，所述呈凸包状的外层荧光胶的上表面高度低于或等于反射碗杯的上端边沿。
所述的蓝光LED芯片的尺寸范围为24～50mil。
所述的透镜为聚碳酸酯透镜(PC透镜)。
一种上述大功率白光LED封装结构的制备方法，方法步骤如下：
1)固晶、焊线：采用导电银胶或高导热绝缘胶将蓝光LED芯片固定在反射碗杯内，并经150℃～180℃固化烘烤60～90min，然后再用金线将蓝光LED芯片焊接在LED大功率支架上；
2)配制内层荧光胶：粒径为7～13μm的荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为1∶5～1∶7的比例混合搅拌均匀，经真空箱加热脱泡，形成内层荧光胶；
3)将步骤2)制得的内层荧光胶采用旋转涂覆方式涂覆在蓝光LED芯片上，经150℃固化烘烤10～15min；烘烤后内层荧光胶分布的外观结构如图2所示；
4)配制外层荧光胶：粒径为20～23μm的荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为3∶10的比例混合搅拌均匀，经真空箱加热脱泡，形成外层荧光胶；
5)将步骤4)制得的外层荧光胶采用自动点胶方式喷点在步骤3)固化烘烤后的内层荧光胶上表面、且与蓝光LED芯片相对，立即经140-160℃烘烤3-7min，再转入110-130℃烘烤20-40min，形成包络蓝光LED芯片的凸包状，即制得半成品白光LED；利用步骤3)烘烤后，外层荧光胶与固化的内层荧光胶之间不容易发生浸润的特性，最终得到荧光胶的分布结构，如图3所示；
6)对步骤5)制得的半成品白光LED，盖上透镜，在透镜内填满透明硅胶，经90-110℃烘烤1-1.5h固化，制得大功率型白光LED。
优选的，所述步骤2)配制内层荧光胶时：荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为1∶6的比例混合搅拌均匀。
优选的，所述的透明硅胶的折射率均为1.5。
经步骤3)固化烘烤后所述的内层荧光胶厚度为大于所述蓝光LED芯片厚度的1/2，并小于所述蓝光LED芯片的厚度；步骤5)所述呈凸包状的外层荧光胶的上表面高度低于或等于反射碗杯的上端边沿。
所述的蓝光LED芯片的尺寸范围为24～50mil。
所述的透镜为聚碳酸酯透镜(PC透镜)。
本发明的优势在于：
本发明采用两次不同的涂覆工艺涂覆荧光胶，使得LED芯片侧面的荧光粉沉淀明显减少：所述两次涂覆的荧光胶内的荧光粉的粒径大小不同、粉胶配比不同，继而大颗粒荧光粉主要集中在LED芯片上表面。本发明在不采用扩散剂前提下，既能有效防止黄圈的产生，保证光谱的均匀性，又能提高大功率型白光LED的发光光效。
附图说明
图1现有功率型白光LED封装荧光胶分布结构示意图；
图2本发明经步骤3)固化烘烤后内层荧光胶的分布结构示意图；
图3本发明经步骤5)后制得半成品白光LED的结构示意图；
图4本发明的一种大功率白光LED封装结构示意图；
图5a为如图1所述LED封装发光正面俯视图；
图5b为本发明所述的LED封装发光正面俯视图；
图示1-4中，1-1、LED大功率支架；1、反射碗杯；2、蓝光LED芯片，3、内层荧光胶；4、外层荧光胶；5、现有功率型白光LED封装的荧光胶结构；6、露出的反射碗杯底面；7、凸包状的外层荧光胶的底面半径；8、内层荧光胶底面的半径；9、反射碗杯的上端边沿；10、透明硅胶；11、透镜。
具体实施方式
下面结合说明书附图和实施例对本发明做详细的说明，但不限于此。
实施例1、
如图4所示，一种大功率白光LED封装结构，包括自下而上设置的LED大功率支架1-1、反射碗杯1、蓝光LED芯片2、荧光胶、透明硅胶10和透镜11；所述的反射碗杯1设置在LED大功率支架1-1上，所述的蓝光LED芯片2通过导电银胶或高导热绝缘胶设置在反射碗杯1内；所述的蓝光LED芯片2通过金线与LED大功率支架1-1电连接；在蓝光LED芯片2上由内而外涂覆有内层荧光胶3和外层荧光胶4，内层荧光胶3内含的荧光粉颗粒尺寸小于外层荧光胶4内含的荧光粉颗粒尺寸；所述内层荧光胶3的涂覆范围是整个蓝光LED芯片2及露出的反射碗杯底面6，所述反射碗杯底面上内层荧光胶3的厚度小于蓝光LED芯片2的厚度；所述外层荧光胶4完全包覆蓝光LED芯片2的上表面及侧壁，呈凸包状，所述凸包状的外层荧光胶4的底面半径7小于内层荧光胶底面的半径8；所述LED大功率支架1-1的上方设置有透镜11，透镜11内填充有透明硅胶10。所述的蓝光LED芯片2的尺寸为24mil。
所述内层荧光胶3为：荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为1∶6的比例混合而成，荧光粉颗粒粒径范围：7～13μm。所述外层荧光胶4为：荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为3∶10的比例混合而成，荧光粉颗粒粒径范围：20～23μm。所述透明硅胶10的折射率均为1.5。所述的内层荧光胶3厚度为大于所述蓝光LED芯片2厚度的1/2，并小于所述蓝光LED芯片2的厚度，所述呈凸包状的外层荧光胶4的上表面高度低于或等于反射碗杯的上端边沿9。
所述的透镜11为聚碳酸酯透镜(PC透镜)。
实施例2、
如图2-3所示。如实施例1所述一种上述大功率白光LED封装结构的制备方法，方法步骤如下：
1)固晶、焊线：采用导电银胶或高导热绝缘胶将蓝光LED芯片2固定在反射碗杯1内，并经150℃～180℃固化烘烤60～90min，然后再用金线将蓝光LED芯片2焊接在LED大功率支架1-1上；
2)配制内层荧光胶3：粒径为7～13μm的荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为1∶6的比例混合搅拌均匀，经真空箱加热脱泡，形成内层荧光胶3；
3)将步骤2)制得的内层荧光胶3采用旋转涂覆方式涂覆在蓝光LED芯片2上，经150℃固化烘烤10～15min；烘烤后内层荧光胶3分布的外观结构如图2所示；经步骤3)固化烘烤后所述的内层荧光胶厚度为大于所述蓝光LED芯片厚度的1/2，并小于所述蓝光LED芯片的厚度；
4)配制外层荧光胶4：粒径为20～23μm的荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为3∶10的比例混合搅拌均匀，经真空箱加热脱泡，形成外层荧光胶4；
5)将步骤4)制得的外层荧光胶4采用自动点胶方式喷点在步骤3)固化烘烤后的内层荧光胶3上表面、且与蓝光LED芯片2相对，立即经150℃烘烤5min，再转入120℃烘烤30min，形成包络蓝光LED芯片2的凸包状，即制得半成品白光LED；利用步骤3)烘烤后，外层荧光胶4与固化的内层荧光胶3之间不容易发生浸润的特性，最终得到荧光胶的分布结构，如图3所示；步骤5)所述呈凸包状的外层荧光胶的上表面高度低于或等于反射碗杯的上端边沿；
6)对步骤5)制得的半成品白光LED，盖上透镜11，在透镜11内填满透明硅胶10，经100℃烘烤1小时固化，制得大功率型白光LED。
实施例3、
如实施例1所述的一种大功率白光LED封装结构，所不同之处在于，所述的蓝光LED芯片2的尺寸为50mil。所述内层荧光胶3为：荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为1∶5的比例混合而成。
实施例4、
如实施例3所述一种上述大功率白光LED封装结构的制备方法，方法步骤如下：
1)固晶、焊线：采用导电银胶或高导热绝缘胶将蓝光LED芯片2固定在反射碗杯内1，并经150℃～180℃固化烘烤60～90min，然后再用金线将蓝光LED芯片2焊接在LED大功率支架1-1上；
2)配制内层荧光胶3：粒径为7～13μm的荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为1∶5的比例混合搅拌均匀，经真空箱加热脱泡，形成内层荧光胶；
3)将步骤2)制得的内层荧光胶3采用旋转涂覆方式涂覆在蓝光LED芯片2上，经150℃固化烘烤10～15min；烘烤后内层荧光胶3分布的外观结构如图2所示；经步骤3)固化烘烤后所述的内层荧光胶厚度为大于所述蓝光LED芯片厚度的1/2，并小于所述蓝光LED芯片的厚度；
4)配制外层荧光胶4：粒径为20～23μm的荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为3∶10的比例混合搅拌均匀，经真空箱加热脱泡，形成外层荧光胶4；
5)将步骤4)制得的外层荧光胶4采用自动点胶方式喷点在步骤3)固化烘烤后的内层荧光胶3上表面、且与蓝光LED芯片2相对，立即经160℃烘烤6min，再转入120℃烘烤35min，形成包络蓝光LED芯片2的凸包状，即制得半成品白光LED；利用步骤3)烘烤后，外层荧光胶4与固化的内层荧光胶3之间不容易发生浸润的特性，最终得到荧光胶的分布结构，如图3所示；步骤5)所述呈凸包状的外层荧光胶的上表面高度低于或等于反射碗杯的上端边沿；
6)对步骤5)制得的半成品白光LED，盖上透镜11，在透镜11内填满透明硅胶10，经100℃烘烤1.5h固化，制得大功率型白光LED。
对比例、
采用常规制备工艺制成的大功率白光LED封装，如图1所示：其结构为在蓝光LED芯片上制备单层荧光胶5，所述蓝光LED芯片的尺寸为：24mil，所述单层荧光胶5的成分与实施例1所述的内层荧光胶3的成分完全相同。图5a为如图1所述LED封装发光正面俯视图。
如图4所示，采用本发明所述的方法制备大功率白光LED封装结构，所述蓝光LED芯片的尺寸同为：24mil。图5b为本发明所述的LED封装发光正面俯视图。
如图5a、5b所示，相比于常规制备工艺制备的LED封装，本发明的大功率白光LED封装所散发出的光谱均匀性能得到大大提高，光圈减少，蓝光LED芯片的光功率与最终白光出射光通量的转换效率提高5％以上。

Claims (10)

1.一种大功率白光LED封装结构，包括自下而上设置的LED大功率支架、反射碗杯、蓝光LED芯片、荧光胶、透明硅胶和透镜；其特征在于，所述的反射碗杯设置在LED大功率支架上，所述的蓝光LED芯片通过导电银胶或高导热绝缘胶设置在反射碗杯内；所述的蓝光LED芯片通过金线与LED大功率支架电连接；在蓝光LED芯片上由内而外涂覆有内层荧光胶和外层荧光胶，内层荧光胶内含的荧光粉颗粒尺寸小于外层荧光胶内含的荧光粉颗粒尺寸；所述内层荧光胶的涂覆范围是整个蓝光LED芯片及露出的反射碗杯底面，所述反射碗杯底面上内层荧光胶的厚度小于蓝光LED芯片的厚度；所述外层荧光胶完全包覆蓝光LED芯片的上表面及侧壁，呈凸包状，所述凸包状的外层荧光胶的底面半径小于内层荧光胶底面的半径；所述LED大功率支架的上方设置有透镜，透镜内填充有透明硅胶。
2.如权利要求1所述的一种大功率白光LED封装结构，其特征在于，所述内层荧光胶为：荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为1∶7～1∶5的比例混合而成，荧光粉颗粒粒径范围：7～13μm；优选的，所述内层荧光胶，其荧光粉颗粒与透明硅胶的质量比为1∶6。
3.如权利要求1所述的一种大功率白光LED封装结构，其特征在于，所述外层荧光胶为：荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为3∶10的比例混合而成，荧光粉颗粒粒径范围：20～23μm。
4.如权利要求1所述的一种大功率白光LED封装结构，其特征在于，所述透明硅胶的折射率均为1.5。
5.如权利要求1所述的一种大功率白光LED封装结构，其特征在于，所述的内层荧光胶厚度为大于所述蓝光LED芯片厚度的1/2，并小于所述蓝光LED芯片的厚度，所述呈凸包状的外层荧光胶的上表面高度低于或等于反射碗杯的上端边沿。
6.如权利要求1所述的一种大功率白光LED封装结构，其特征在于，所述的蓝光LED芯片的尺寸范围为24～50mil；所述的透镜为PC透镜。
7.如权利要求1所述的一种大功率白光LED封装结构的制备方法，其特征在于，方法步骤如下：
1)固晶、焊线：采用导电银胶或高导热绝缘胶将蓝光LED芯片固定在反射碗杯内，并经150℃～180℃固化烘烤60～90min，然后再用金线将蓝光LED芯片焊接在LED大功率支架上；
2)配制内层荧光胶：粒径为7～13μm的荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为1∶5～1∶7的比例混合搅拌均匀，经真空箱加热脱泡，形成内层荧光胶；
3)将步骤2)制得的内层荧光胶采用旋转涂覆方式涂覆在蓝光LED芯片上，经150℃固化烘烤10～15min；
4)配制外层荧光胶：粒径为20～23μm的荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为3∶10的比例混合搅拌均匀，经真空箱加热脱泡，形成外层荧光胶；
5)将步骤4)制得的外层荧光胶采用自动点胶方式喷点在步骤3)固化烘烤后的内层荧光胶上表面、且与蓝光LED芯片相对，立即经140-160℃烘烤3-7min，再转入110-130℃烘烤20-40min，形成包络蓝光LED芯片的凸包状，即制得半成品白光LED；
6)对步骤5)制得的半成品白光LED，盖上透镜，在透镜内填满透明硅胶，经90-110℃烘烤1-1.5h固化，制得大功率型白光LED。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤2)配制内层荧光胶时：荧光粉颗粒与透明硅胶按质量比为1∶6的比例混合搅拌均匀。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述的蓝光LED芯片的尺寸范围为24～50mil，所述的透明硅胶的折射率均为1.5；所述的透镜为PC透镜。
10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，经步骤3)固化烘烤后所述的内层荧光胶厚度为大于所述蓝光LED芯片厚度的1/2，并小于所述蓝光LED芯片的厚度；步骤5)所述呈凸包状的外层荧光胶的上表面高度低于或等于反射碗杯的上端边沿。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104953005A (zh) * 2014-03-27 2015-09-30 江苏稳润光电有限公司 一种大功率led封装
CN105304787A (zh) * 2014-06-30 2016-02-03 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种led薄膜芯片白光封装结构及其制备方法
CN105715978A (zh) * 2016-04-26 2016-06-29 广州市尤特新材料有限公司 一种led光源
CN106449685A (zh) * 2016-10-24 2017-02-22 江苏钜芯集成电路技术股份有限公司 用于感光芯片封装的喷胶工艺
CN107046090A (zh) * 2017-03-31 2017-08-15 华南理工大学 一种基于真空吸附的图形化远程荧光片制备方法
CN107255229A (zh) * 2017-07-24 2017-10-17 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 一种新型便组装的一体化灯具及其制造方法
CN107425096A (zh) * 2017-07-21 2017-12-01 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 一种远程涂覆荧光粉片及其制备方法
CN108022919A (zh) * 2017-11-02 2018-05-11 江苏稳润光电科技有限公司 一种提高白光led的入bin率方法
CN109728152A (zh) * 2017-10-27 2019-05-07 深圳市聚飞光电股份有限公司 Led封装方法及led
CN113671751A (zh) * 2021-08-18 2021-11-19 安徽芯瑞达科技股份有限公司 一种近零OD背光模组及其Mini LED灯珠制作方法
CN113964258A (zh) * 2021-10-29 2022-01-21 广东晶科电子股份有限公司 Led封装结构及其制作方法
CN117414984A (zh) * 2023-12-18 2024-01-19 四川华体照明科技股份有限公司 一种led荧光胶涂覆装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101262032A (zh) * 2007-03-07 2008-09-10 光宝科技股份有限公司 白光发光二极管
EP2230700A2 (en) * 2009-03-20 2010-09-22 Everlight Electronics Co. Ltd. Light emitting diode package structure and manufacturing method thereof
CN201829530U (zh) * 2010-09-02 2011-05-11 深圳市海隆兴光电子有限公司 一种led白光二极管光源灯

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101262032A (zh) * 2007-03-07 2008-09-10 光宝科技股份有限公司 白光发光二极管
EP2230700A2 (en) * 2009-03-20 2010-09-22 Everlight Electronics Co. Ltd. Light emitting diode package structure and manufacturing method thereof
CN201829530U (zh) * 2010-09-02 2011-05-11 深圳市海隆兴光电子有限公司 一种led白光二极管光源灯

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104953005A (zh) * 2014-03-27 2015-09-30 江苏稳润光电有限公司 一种大功率led封装
CN105304787A (zh) * 2014-06-30 2016-02-03 山东浪潮华光光电子股份有限公司 一种led薄膜芯片白光封装结构及其制备方法
CN105715978A (zh) * 2016-04-26 2016-06-29 广州市尤特新材料有限公司 一种led光源
CN106449685B (zh) * 2016-10-24 2018-09-21 江苏钜芯集成电路技术股份有限公司 用于感光芯片封装的喷胶工艺
CN106449685A (zh) * 2016-10-24 2017-02-22 江苏钜芯集成电路技术股份有限公司 用于感光芯片封装的喷胶工艺
CN107046090A (zh) * 2017-03-31 2017-08-15 华南理工大学 一种基于真空吸附的图形化远程荧光片制备方法
CN107046090B (zh) * 2017-03-31 2023-04-21 华南理工大学 一种基于真空吸附的图形化远程荧光片制备方法
CN107425096A (zh) * 2017-07-21 2017-12-01 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 一种远程涂覆荧光粉片及其制备方法
CN107255229A (zh) * 2017-07-24 2017-10-17 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 一种新型便组装的一体化灯具及其制造方法
CN109728152A (zh) * 2017-10-27 2019-05-07 深圳市聚飞光电股份有限公司 Led封装方法及led
CN108022919A (zh) * 2017-11-02 2018-05-11 江苏稳润光电科技有限公司 一种提高白光led的入bin率方法
CN113671751A (zh) * 2021-08-18 2021-11-19 安徽芯瑞达科技股份有限公司 一种近零OD背光模组及其Mini LED灯珠制作方法
CN113671751B (zh) * 2021-08-18 2024-05-14 安徽芯瑞达科技股份有限公司 一种近零od背光模组
CN113964258A (zh) * 2021-10-29 2022-01-21 广东晶科电子股份有限公司 Led封装结构及其制作方法
CN113964258B (zh) * 2021-10-29 2023-11-14 广东晶科电子股份有限公司 Led封装结构及其制作方法
CN117414984A (zh) * 2023-12-18 2024-01-19 四川华体照明科技股份有限公司 一种led荧光胶涂覆装置
CN117414984B (zh) * 2023-12-18 2024-02-23 四川华体照明科技股份有限公司 一种led荧光胶涂覆装置

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