CN103151430B - 纳米金属粒实现led的低温金属界面连接的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明属于LED芯片制备领域，其公开了一种纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，包括如下步骤：将纳米金属颗粒浆料制备在金属热沉的热沉镀层表面；将LED芯片放置在纳米颗粒浆料上，并且使LED芯片背面的金属层与纳米颗粒浆料充分接触；无氧气氛下，对步骤S1进行低温回流处理，实现LED芯片与金属热沉的金属界面连接。本发明采用微纳米金属颗粒浆料作为热界面材料，可以与现有的封装设备与生产线相匹配，也就是说可以直接取代现有的Sn基焊料，(SnPb焊料、SnAgCu焊料等)，在较低的温度下获得LED晶片与金属热沉的金属界面连接，可以有效地降低生产成本、提高生产效率。

Description

纳米金属粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法

技术领域

本发明涉及LED芯片制备领域，尤其涉及一种纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法。

背景技术

随着集成电路技术的不断发展，电子产品向轻、薄、短、小并且功能多样化以及高可靠性方向发展，从而对电子封装技术提出新的要求。为了适应这种特殊需要，倒装芯片技术日益得到广泛的应用。倒装晶片技术是通过在芯片表面形成凸点，晶片翻转与地板形成连接，减小了封装尺寸，满足了电子产品的高性能(如高速、高频、更小的引脚)，并且封装密度高，而且使产品具有良好的电学性能和传热性能。基于上述优点，倒装芯片技术成为最有潜力的能够适应高密度电子封装要求的一种重要技术。概括起来，FC技术的主要特点是：基板上直接安装芯片；对应的互连位置必须有焊点-凸点；羁绊和芯片的焊点成镜像对称；同时实现电气和机械连接。可见，在倒装芯片封装过程中，凸点形成是工艺过程中的关键。

图1所示为传统倒装芯片凸点的结构，其组成包括：芯片1、钝化层2、铝焊盘3、凸点下金属层UBM(Under-Bump Metallurgy)4、凸点5。凸点5即是在芯片铝电极焊区上形成的凸起电极，通过该电极使芯片实装在PCB等封装基板上。为达到凸点金属5与铝焊盘3及钝化层2良好的粘附性，又要防止凸点金属5与铝焊盘3生成不希望有的金属间化合物，一般应先在凸点金属下制备有粘附层、扩散阻挡层和导电层的多层金属化层4。典型的粘附金属有Cr、Ti、Ni、TiN等，扩散阻挡层金属有W、Mo、Ni等，导电金属则常用Au、Cu、Pb/Sn等，这种多种金属化层常采用溅射、蒸发、化学镀、电镀等方法来完成。凸点金属5的制作材料多为Au、Cu、Pb/Sn、In或它们的组合。形成凸点5的方法 主要有电镀法、化学镀法、钉头凸点形成法、模板印刷焊料法及热注射焊料法等。

在这些凸点中，Pb/Sn焊料凸点因具有突出优点而备受重视。由于它是半球形，在倒装焊时随着焊料熔化可自对准定位，能控制Pb/Sn焊料的塌陷程度及凸点高度，所以又称为可控塌陷芯片连接技术(C4)。合金焊料虽然具有较高的热导率和可靠性，但是合金焊料的导电、导热性能不如纯金属好，并且由于钎焊过程中钎剂挥发等因素会产生空洞的存在，以及钎料与铜焊盘之间会生成金属界面化合物层从而存在着较大的界面热阻。基于上述原因，合金钎料作为热界面材料，并不能很好的满足大规模集成高密度封装的导热需要。更重要的是，当封装密度增加凸点的尺寸减小时，合金凸点会被焊盘金属吃掉，形成厚厚的金属间化合物层，尤其是在器件工作过程中，也即在通电和高温的情况下，金属间化合物不断生长，有可能整个凸点全部变成了金属间化合物，这样不仅增大了界面热阻，降低了导热能力。而且由于元素的迁移、空洞的产生等因素，有可能造成焊点机械连接失效，因此焊料合金已经不能满足高密度互连小尺寸凸点的需求。传统焊料以SnPb合金为主，随着工业领域环境保护意思的不断增强，欧盟WEEE、ROHS等禁Pb法令相继实施，我国也开始颁布无Pb法令，封装产业开始对无Pb焊料提出更高的要求，但是目前的无Pb焊料并不能很好的满足高密度封装的需要。

聚合物凸点是一种导电聚合物，主要是用环氧树脂导电胶来连接。其特点是凸点制作工艺简单，连接温度低于160摄氏度，并可采用廉价的基板，是一种高效、低成本的互连凸点。但是任何胶黏剂都不能直接与Al电极相连接，要采用金焊盘，界面接触电阻大，而且主题是环氧树脂等有机物，其可靠性没有金属凸点理想。而且存在热阻不稳定从而升温时会导致电路参数漂移，容易吸潮导致焊接时模块开裂等失效行为。

发明内容

基于上述问题，本发明所要解决的问题在于提供一种纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法。

一种纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，包括如下步骤：

S1、将纳米金属颗粒浆料制备在金属热沉的热沉镀层表面；

S2、将经扩晶处理的LED芯片放置在金属热沉上，并使芯片背面的金属层与纳米金属浆料充分接触。

S3、无氧气氛下，对步骤S2进行低温回流处理，获得LED芯片与热沉的低热阻金属界面连接；

所述纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，步骤S1中：

所述热沉镀层为银镀层或者金镀层；

纳米金属颗粒浆料中，金属颗粒的粒径为几十纳米～几百纳米；

所述纳米金属颗粒浆料是通过点胶机将纳米金属颗粒制备在热沉镀层表面的或通过印刷方式将纳米金属颗粒制备在热沉镀层表面的；

所述纳米金属颗粒浆料为纳米银颗粒浆料、纳米SnAgCu合金浆料或者纳米Sn颗粒浆料。

所述纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，步骤S3中，低温回流处理时，回流温度为100～150℃，回流保温时间为2～60秒。

所述纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，步骤S3中，所述焊接技术包括在现有的固晶机台上的回流焊接或在回流炉中的回流焊接；LED芯片背面的金属层为银、Au-Sn或者Sn。

本发明采用微纳米金属颗粒浆料作为热界面材料，可以与现有的封装设备与生产线相匹配，也就是说可以直接取代现有的Sn基焊料，在较低的温度下获得金属凸点，可以有效地降低生产成本、提高生产效率。本发明获得金属凸点与凸点下金属层(UBM)之间通过原子扩散实现金属连接，而传统的焊料凸点 与UBM层之间形成厚厚的合金层，从而可以有效地降低界面热阻和接触电阻，提高LED芯片工作时的热量散出能力。

本发明在低温下获得金属凸点，但是经历第一低温回流焊后，已经不再是微纳米颗粒，从而具有较高的熔化温度，可以承受后续的高温工作环境，该种工艺可以有效地避免液态热界面材料或者低温焊料所存在的缺点。

附图说明

图1为传统倒装芯片凸点的结构

图2为本发明纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备工艺流程图。

具体实施方式

一种纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，如图2所示，包括如下步骤：

S1、将纳米金属颗粒浆料制备在金属热沉的热沉镀层(也就是凸点下金属层，Under-Bump Metallurgy，即UBM)表面；

S2、将经扩晶处理的LED芯片放置在金属热沉上，并使芯片背面的金属层与纳米金属浆料充分接触。

S3、无氧气氛下，对步骤S2进行低温回流处理，获得LED芯片与热沉的低热阻金属界面连接；

所述纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，步骤S1中：

所述热沉镀层为银镀层或者金镀层；

纳米金属颗粒浆料中，金属颗粒的粒径为几个纳米～几百纳米；

所述纳米金属颗粒浆料是通过点胶机将纳米金属颗粒制备在热沉镀层表面的或通过印刷方式将纳米金属颗粒制备在热沉镀层表面的；其中，后者比前者有更高的生产效率，并且成本也会低一些，但是前者适用于高密度小尺寸凸点 的制作；用模板印刷的方法，采用不同的模板，控制印刷压力间隙高度等控制凸点尺寸大小；采用点胶的方式，用不同的点胶头、控制压力等参数获得不同尺寸的凸点；

所述纳米金属颗粒浆料为纳米银颗粒浆料、纳米SnAgCu合金浆料或者纳米Sn颗粒浆料。

所述纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，步骤S2中，低温回流处理时，回流温度为100～150℃，回流保温时间为2～60秒；根据浆料成分的不同，鉴于浆料中含有挥发性助剂，直接回流焊即可，为了保护凸点不被氧化也可以选择在氢气或者惰性气氛保护下(即无氧气氛)低温回流处理；由于微纳米金属颗粒浆料的熔点比较低，在较低温度(100～150℃)下纳米金属颗粒浆料就可以熔化，冷却后变成金属凸点；根据浆料成分的不同，选择合适的最佳的回流温度，纳米金属颗粒浆料熔化的同时，实现与热沉镀层熔合连接，同时凸点也具有比较好的质量。通过保温一段时间，使纳米金属颗粒充分熔化，有机物充分挥发，减少凸点内部的空洞等缺陷。

所述纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，步骤S3中，所述焊接技术包括在现有的共晶机台上的回流焊接或在回流炉中的回流焊接；LED芯片背面的金属层为银、Au-Sn或者Sn。

所述纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，步骤S3中结束后，还需进行清洗处理：

所述发明根据微纳米金属浆料种类的不同，所含的助剂等载体的不同，在回流焊接后如果有有机物残留，为了减少这些有机物的腐蚀性和提高LED的可靠性，可以添加清洗工艺，通常采用工业酒精、丙酮或者去离子水进行清洗。

焊接完毕，根据纳米银浆的组分，如果有有机残留，则需要对固晶后的支架进行等离子清洗，最后烘干以备下一道工序。实验证明，烧结后的接合金属层致密，热导率高可以达到200W/K.m，其导热性能明显优于现有的银胶、银浆和焊料共晶连接。接合金属界面还具有较高的剪切强度，能够满足LED晶片的 机械连接要求，并且接合界面主要成分是Ag，在老化过程中基本不存在金属间化合物的生长和接合界面金属层的消耗问题，可以很好的解决现有的焊料连接界面的金属间化合物生长导致界面热阻变大甚至连接界面失效问题。

本发明采用微纳米金属颗粒浆料作为热界面材料，可以与现有的封装设备与生产线相匹配，也就是说可以直接取代现有的Sn基焊料，在较低的温度下获得金属凸点，可以有效地降低生产成本、提高生产效率。本发明获得金属凸点与凸点下金属层(UBM)之间通过原子扩散实现金属连接，而传统的焊料凸点与UBM层之间形成厚厚的合金层，从而可以有效地降低界面热阻和接触电阻，提高LED芯片工作时的热量散出能力。

本发明在低温下获得金属凸点，但是经历第一低温回流焊后，已经不再是微纳米颗粒，从而具有较高的熔化温度，可以承受后续的高温工作环境，该种工艺可以有效地避免液态热界面材料或者低温焊料所存在的缺点。

下面结合附图，对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。

实施例1

一种纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，包括如下步骤：

S1、将粒径为数十纳米的银颗粒浆料制备在热沉镀层表面；

S2、将经扩晶处理的LED芯片背面的银层放置在热沉上的纳米金属浆料层上，并使LED芯片背面的金属层与热沉表面的镀层充分接触；

S3、氢气气氛下，100℃下，对步骤S1进行银颗粒浆料进行低温回流处理30秒，获得银凸点。

实施例2

一种纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，包括如下步骤：

S1、将粒径为数十纳米SnAgCu合金浆料制备在金属基板电极层表面；

S2、氮气气氛下，180℃下，对步骤S1进行SnAgCu合金浆料进行低温回流处理1分钟，获得SnAgCu合金凸点；

S3、将经扩晶处理的LED芯片背面的Au-Sn合金层放置在SnAgCu合金凸点上，并通过超声焊接技术，使LED芯片背面的Au-Sn合金层与SnAgCu合金凸点焊接成一体，纳米SnAgCu合金颗粒实现LED的低温金属界面连接。

实施例3

一种纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，包括如下步骤：

S1、将粒径为数十纳米Sn浆料制备在陶瓷电极层表面；

S2、氮气气氛下，200℃下，对步骤S1进行Sn浆料进行低温回流处理10分钟，获得Sn凸点；

S3、将经扩晶处理的LED芯片背面的Sn层放置在Sn凸点上，并通过超声焊接技术，使LED芯片背面的Sn合金层与Sn凸点焊接成一体，纳米Sn颗粒实现LED的低温金属界面连接。

应当理解的是，上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细，并不能因此而认为是对本发明专利保护范围的限制，本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，适用于倒装芯片,其特征在于，包括如下步骤：

S1、将纳米金属颗粒浆料制备在金属热沉的热沉镀层表面；

S2、将经扩晶处理的LED芯片放置在金属热沉上，并使芯片背面的金属层与纳米金属颗粒浆料充分接触；

S3、无氧气氛下，对步骤S2得到的产物进行低温回流处理，获得LED芯片与热沉的低热阻金属界面连接。

2.根据权利要求1所述的纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述热沉镀层为Ag镀层、Au镀层。

3.根据权利要求1所述的纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，其特征在于，步骤S1中，纳米金属颗粒浆料中，金属颗粒的粒径为几个纳米～几百纳米。

4.根据权利要求1所述的纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述纳米金属颗粒浆料是通过点胶机将纳米金属颗粒制备在热沉镀层表面的。

5.根据权利要求1所述的纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述纳米金属颗粒浆料是通过印刷方式将纳米金属颗粒制备在热沉镀层表面的。

6.根据权利要求1至5任一所述的纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述纳米金属颗粒浆料为纳米银颗粒浆料、纳米SnAgCu合金浆料或者纳米Sn颗粒浆料。

7.根据权利要求1所述的纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，其特征在于，步骤S3中，低温回流处理时，回流温度为100～150℃，回流保温时间为5～60秒。

8.根据权利要求1所述的纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述回流包括在现有的共晶机台上的回流焊接或在回流路中的回流焊接。

9.根据权利要求1所述的纳米金属颗粒实现LED的低温金属界面连接的制备方法，其特征在于，步骤S3中，LED芯片背面的金属层为银、Au-Sn或者Sn。