CN103050505A - 有机像素及其制造方法和包括其的装置 - Google Patents

有机像素及其制造方法和包括其的装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103050505A
CN103050505A CN2012103871791A CN201210387179A CN103050505A CN 103050505 A CN103050505 A CN 103050505A CN 2012103871791 A CN2012103871791 A CN 2012103871791A CN 201210387179 A CN201210387179 A CN 201210387179A CN 103050505 A CN103050505 A CN 103050505A
Authority
CN
China
Prior art keywords
organic
electrode
contact
insulating barrier
conversion region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012103871791A
Other languages
English (en)
Inventor
秋教轸
誥成后藤
金奎植
金允璟
朴敬培
徐振豪
薛相哲
李景镐
李光熙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN103050505A publication Critical patent/CN103050505A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation
    • H10K39/32—Organic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/709—Circuitry for control of the power supply
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/79—Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/771—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising storage means other than floating diffusion
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

本发明提供了一种有机像素，包括：包括像素电路的半导体基板；互连层，具有形成在半导体基板上的第一接触和第一电极；和形成在互连层上的有机光电二极管。例如，有机光电二极管包括：形成在第一电极上的绝缘层；第二电极；和形成在第一接触、绝缘层和第二电极之间的光电转换区。光电转换区包括给电子有机材料和受电子有机材料。有机光电二极管还可以包括电连接到第一接触的第二接触。第二接触与绝缘层之间的水平距离可以小于或等于数微米，例如10微米。

Description

有机像素及其制造方法和包括其的装置
技术领域
本发明构思的示例实施方式涉及一种有机光电二极管，例如涉及包括有机光电二极管的有机像素、该有机像素的制造方法和操作方法和/或包括该有机像素的装置，该有机像素可以响应于传送控制信号的电压来划分并执行电荷累积操作和电荷传输操作。
背景技术
光电二极管是光电转换元件或光电探测器的示例，其可以将光能转换为诸如电流或电压的电信号。
光电二极管可以具有P-N结结构或PIN结构，通过利用光电效应来产生自由电子和空穴。
由于光电转换功能或光电探测功能，光电二极管被广泛用在CMOS图像传感器中。CMOS图像传感器可以包括多个像素传感器的阵列作为图像传感器。多个像素传感器可以由CMOS工艺和/或与其相关的特定工艺制造。多个像素传感器的每个可以包括诸如光电二极管的光电探测器，还可以包括有源放大器。
从该阵列输出的像素信号通过各种处理工序，例如相关双采样（CDS）和模拟到数字转换，被转换为数字信号。该数字信号可以通过图像信号处理器被处理，经处理的信号可以通过显示器显示。
通过显示器显示的图像质量可以根据包括例如光电二极管的像素传感器的性能来确定。因此，已经开展了提高像素传感器的性能的研究和开发。
发明内容
根据发明构思的示例实施方式，有机像素可以包括：互连层，在具有像素电路的半导体基板上，该互连层具有第一接触和第一电极；和在互连层上的有机光电二极管。该有机光电二极管可以包括：在第一电极上的绝缘层；第二电极；和在第一接触、绝缘层和第二电极之间的光电转换区。光电转换区可以包括给电子有机材料和受电子有机材料。
第一电极和光电转换区可以被绝缘层绝缘。
有机光电二极管还可以包括电连接到第一接触的第二接触。第一电极和光电转换区可以被绝缘层绝缘，第二接触与绝缘层之间的距离小于或等于数微米，例如，小于10微米（μm）。
有机像素可以是处于4T操作模式中的单元。
互连层还可以包括：通孔，连接第一接触与像素电路的连接节点；和金属线，提供传送控制信号到第一电极。
连接节点可以为像素电路的浮置扩散节点和连接到浮置扩散节点的中间存储节点中的至少一个。
像素电路还可以包括开关，开关配置为响应于开关信号连接中间存储节点和浮置扩散节点。
绝缘层的厚度小于或等于数微米，例如，10微米。第二电极可以是诸如ITO的透明电极。
互连层可以还包括连接该接触和像素电路的通孔以及提供传送控制信号到第一电极的金属线。
根据发明构思的示例实施方式，图像传感器可以包括如这里所述的有机像素和行驱动器，该行驱动器配置为输出用于控制有机像素的电荷传输操作的传送控制信号。
有机像素可以包括：包括像素电路的半导体基板、具有第一接触和第一电极的互连层、和半导体基板上的互连层上的有机光电二极管。该有机光电二极管可以包括：在第一电极上的绝缘层；第二电极；和在第一接触、绝缘层和第二电极之间形成并具有给电子有机材料和受电子有机材料的光电转换区。
有机光电二极管还可以包括电连接到第一接触的第二接触，第一电极和光电转换区被绝缘层绝缘，第二接触与绝缘层之间的距离小于或等于数微米，例如，小于10微米（μm）。
互连层还可以包括：通孔，连接第一接触和像素电路；和金属线，提供传送控制信号到第一电极。行驱动器可以在光电荷累积操作期间提供具有第一电平的传送控制信号到金属线并可以在光电荷传输期间提供具有低于第一电平的第二电平的传送控制信号到金属线。通孔可以被连接到像素电路的浮置扩散节点或连接到连接于像素电路的浮置扩散节点的中间存储节点。
图像传感器还可以包括开关。开关可以配置为响应于从行驱动器输出的开关信号连接中间存储节点和浮置扩散节点。
根据发明构思的示例实施方式，图像处理装置可以包括如这里所述的具有有机像素的图像传感器和行驱动器，该行驱动器输出用于控制有机像素的电荷传输操作的传送控制信号。
图像传感器还可以包括电连接到第一接触的第二接触。第一电极和光电转换区可以被绝缘层绝缘，第二接触与绝缘层之间的距离可以小于或等于数微米，例如，小于10微米（μm）。
图像传感器中的互连层还可以包括：通孔，连接该接触与像素电路；和金属线，提供传送控制信号到第一电极。行驱动器可以在光电荷累积操作期间提供具有第一电平的传送控制信号到金属线并可以在光电荷传输期间提供具有低于第一电平的第二电平的传送控制信号到金属线。
根据发明构思的示例实施方式，图像处理装置可以包括如这里所述的图像传感器和配置为控制图像传感器的操作的处理器。
这里所述的图像传感器中的有机像素的互连层还可以包括连接第一接触与像素电路的连接节点的通孔和提供传送控制信号到第一电极的金属线。图像传感器的行驱动器可以在光电荷累积操作期间提供具有第一电平的传送控制信号到金属线并可以在光电荷传输期间提供具有低于第一电平的第二电平的传送控制信号到金属线。
图像处理装置的有机像素可以是处于4T操作模式中的单元。
图像处理装置可以是蜂窝电话、智能电话、平板个人电脑、数码相机或其他类似装置或者可以包括在这些装置中。
根据发明构思的示例实施方式，有机像素可以包括：包括像素电路的半导体基板；在基板上的第一电极，第一电极电连接到传送控制信号；在基板上的第一接触，第一接触与第一电极相邻并电连接到像素电路；和在第一电极上的有机光电二极管，有机光电二极管可以包括：光电转换区；在光电转换区上的第二电极；和绝缘层，插设在第一电极与光电转换区之间并配置为作为防止光电转换区中产生的电荷被传输到第一电极的势垒。有机像素还可以包括电连接到第一接触的第二接触，第二接触与绝缘层之间的距离小于或等于10微米。
光电转换区可以包括给电子有机材料和受电子有机材料。
第一电极可以配置为响应于传送控制信号控制光电荷累积操作和光电荷传输操作。
根据发明构思的示例实施方式，制造有机像素的方法可以包括：在半导体基板上形成具有第一接触和第一电极的互连层，半导体基板具有像素电路；和在互连层上形成包括第二电极的有机光电二极管。形成有机光电二极管可以包括：在第一电极上形成绝缘层；和在第一接触、绝缘层和第二电极之间形成具有给电子有机材料和受电子有机材料的光电转换区。
该制造方法还可以包括在第一接触上形成第二接触，使得第二接触电连接到第一接触。光电转换区可以形成在第二接触、绝缘层和第二电极之间。
形成光电转换区可以包括在形成包括受电子有机材料的第二有机层之前形成包括给电子有机材料的第一有机层。
形成光电转换区可以包括在形成包括受电子有机材料的第二有机层之后形成包括给电子有机材料的第一有机层。根据其他示例实施方式，形成光电转换区可以包括形成混合了给电子有机材料和受电子有机材料的有机材料。
根据示例实施方式，图像传感器的制造方法可以包括使用上述有机像素制造方法形成有机像素。
根据示例实施方式，有机像素的操作方法，包括具有绝缘层和在绝缘层上的给电子有机材料和受电子有机材料的有机光电二极管的有机像素的操作方法可以包括：通过有机像素的电极接收传送控制信号，和响应于传送控制信号的电压执行电荷累积操作和电荷传输操作，电荷累积操作在形成于电极上的绝缘层附近累积光电荷，电荷传输操作通过与电极分离的接触传输该累积的光电荷到像素电路。
当电压具有第一电平时可以执行电荷累积操作，当电压具有低于第一电平的第二电平时可以执行电荷传输操作。
给电子有机材料和受电子有机材料可以形成异质p-n结。
附图说明
从结合附图的下列简要描述中，示例实施方式将得到更清楚地理解。如这里描述的，图1-12代表非限制示例实施方式。
图1是根据本发明构思的示例实施方式的包括有机光电二极管的有机像素的截面图；
图2是图1所示的包括有机光电二极管和像素电路的有机像素的电路图的示例实施方式；
图3是图1所示的包括有机光电二极管和像素电路的有机像素的电路图的另一示例实施方式；
图4是图1所示的包括有机光电二极管和像素电路的有机像素的电路图的另一示例实施方式；
图5示出光电荷累积操作的示例和光电荷传输操作的示例，用于解释图1所示的有机像素的操作；
图6示出与图5所示的有机像素的光电荷累积操作和光电荷传输操作相应的能带图；
图7是示出图5所示的有机像素的操作的示例流程图；
图8是示出图1所示的包括有机像素的图像处理装置的示例实施方式的框图；
图9是图示包括图1所示的有机像素的图像处理装置的另一示例实施方式的框图；
图10A至图10E示出图1所示的有机像素的制造工艺的示例实施方式；
图11A至图11F示出图1所示的有机像素的制造工艺的示例实施方式；
图12A至图12G示出图1所示的有机像素的制造工艺的另一示例实施方式。
应该注意，这些附图旨在示出在某些示例实施方式中使用的方法、结构和/或材料的一般特征，并对下面提供的文字描述进行补充。然而，这些附图不是按比例的，并非精确反映任何给定实施方式的精确结构或性能特性，不应该理解为限定或限制示例实施方式包含的值或性质的范围。例如，为了清晰可以减小或夸大分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和定位。在各个附图中相似或相同的附图标记的使用旨在表示存在相似或相同的元件或特征。
具体实施方式
现在将参考附图更充分地描述示例实施方式，在附图中示出了示例实施方式。然而，示例实施方式可以以许多不同的形式实施且不应解释为限于这里阐释的实施例。而是，提供这些示例实施方式使得本公开充分和完整，且向本领域的技术人员全面地传达示例实施方式的范围。在附图中，为了清晰可以夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。相似的附图标记通篇指示相似的元件，因此将省略对它们的描述。
将理解，当元件被称为“连接到”或“耦接到”另一元件时，它可以直接连接到或耦接到其它元件，或可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接连接到”或“直接耦接到”其它元件时，则没有中间元件存在。如这里所用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或更多的任何及所有组合。用于描述元件或层之间的关系的其他词语应该以类似的方式理解（例如，“在……之间”与“直接在……之间”，“相邻”与“直接相邻”，“在……上”与“直接在……上”）。
将理解，虽然术语第一、第二等可以在此处使用来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，这些元件、部件、区域、层和/或部分应不受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分。因此，以下讨论的第一元件、第一部件、第一区域、第一信号、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二信号、第二层或第二部分，而不背离示例实施方式的教导。
在这里为了描述的方便，可以使用空间相对术语，诸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等，来描述一个元件或特征和其他（诸）元件或（诸）特征如图中所示的关系。将理解，空间相对术语旨在包含除了在图中所绘的方向之外装置在使用或操作中的不同方向。例如，如果在图中的装置被翻转，被描述为在其他元件或特征的“下方”或“下面”的元件则应取向在所述其他元件或特征的“上方”。因此，示范性术语“下方”可以包含下方和上方两个取向。装置也可以有其它取向（旋转90度或其它取向）且相应地解释这里所使用的空间相对描述符。
这里所使用的术语是只为了描述特定的实施方式的目的且不旨在限制本发明概念。如这里所用的，单数形式“一”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文清楚地指示另外的意思。还将理解，在此使用的术语“包括”和/或“包含”指定了存在所述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但不排除一个或多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或增加。
参考截面图在这里描述了示例实施方式，该截面图是理想化实施方式（和中间结构）的示意图。因此，可以预期由于例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，示例实施方式不应理解为限于这里所示的区域的特定形状，而是包括由于例如制造引起的形状的偏离。例如，示出为矩形的注入区通常具有倒圆或弯曲的特征和/或在其边缘具有注入浓度的梯度而不是从注入区到非注入区的二元变化。类似地，通过注入形成的埋入区可以在埋入区和通过其发生注入的表面之间的区域中产生一些注入。因此，图中示出的区域本质上是示意性的且它们的形状不旨在示出器件的区域的实际形状且不旨在限制示例实施方式的范围。
除非另有限定，否则这里使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有示例实施方式所属技术领域的普通技术人员通常理解的意思。还将理解，例如那些在通用词典中定义的术语应该被解释为具有与相关技术和/或本申请的语境中一致的意思，且不应理解为理想化或形式化的意思，除非明确地如此限定。
图1是根据发明构思的示例实施方式的包括有机光电二极管的有机像素的截面图。参照图1，有源有机像素传感器10（在下文称为“有机像素”）可以包括具有像素电路21（或像素电路区）的半导体基板20、形成在半导体基板20上的互连层30、和形成在互连层30上的有机光电二极管40。
将参照图2、图3和图4解释包括晶体管的像素电路21、21A、21B和21C。
从有机光电二极管40输出的光电荷（或光电子）可以通过互连层30被传输到半导体基板20的像素电路21。此外，传送控制信号TG可以通过互连层30的金属线37提供到第一电极35，该传送控制信号TG可以控制有机光电二极管40的电荷累积操作和电荷传输操作。
连接半导体基板20和有机光电二极管40的互连层30可以包括第一接触31a、通孔33、第一电极35和金属线37。
除每个部件31a、33、35和37之外，互连层30可以是介电材料。因此，互连30也可以被称为“介电层”。
第一接触31a可以通过通孔33电连接到包含在像素电路21中的连接节点23。通孔33是垂直电连接的示例。
第一电极35可以接收通过金属线37输入的传送控制信号TG。
有机光电二极管40可以形成在第一电极35上并包括作为势垒的绝缘层41、第二电极49和光电转换区43。例如，绝缘层41可以将光电转换区43与第一电极35电绝缘，由此防止光电转换区43中产生的电荷传输到第一电极35。
绝缘层41的厚度可以为10微米（μm）或以下。绝缘层41可以是与互连层30的介电材料相同的材料或不同的材料。
第二电极49可以是透明电极。例如，第二电极49可以是由铟锡氧化物（ITO）或掺杂锡的氧化铟制成的电极。
光电转换区43可以包括给电子（electron donating）有机材料和受电子（electron accepting）有机材料。
当第一有机层45由包括给电子有机材料和受电子有机材料之一的层形成时，第二有机层47可以由包括受电子有机材料和给电子有机材料中另一个的层形成。例如，当第一有机层45是n型有机材料时，第二有机层47可以是p型有机材料。
因此，第一有机层45和第二有机层47可以形成异质p-n结。给电子有机材料可以是响应于光而产生施主的材料，受电子有机材料可以是响应于光而产生受主的材料。
根据示例实施方式，光电转换区域43可以是混合给电子有机材料和受电子有机材料的有机材料。
第一接触31a与绝缘层41之间的水平距离G1可以短于第一接触31a与第一电极35之间的水平距离G2。根据示例实施方式，电连接到第一接触31a的第二接触31b可以形成在第一接触31a上以增加光电荷传输操作期间的光电荷传输速度。根据示例实施方式，每个接触31a或31b与绝缘层41之间的水平距离G1可以小于或等于10微米（μm）。
图2是图1所示的包括有机光电二极管和像素电路的有机像素的电路图的示例实施方式。图2所示的有机像素可以被称为处于4T操作模式或4晶体管有源像素传感器中的单元。在4T操作模式中的单元涉及包括四个晶体管TX、RX、SF和SX的概念。
参照图2，有机光电二极管40’可以包括有机光电二极管OPD和控制元件，例如传输晶体管（transfer transistor）TX，其可以根据传送控制信号TG来控制光电荷累积操作和光电荷传输操作。例如，第一电极35可以作为传输晶体管TX的栅极。
图2的相应于图1所示的像素电路21的像素电路21A可以包括复位晶体管RX、驱动晶体管SF、选择晶体管SX和/或偏置电路AL。
浮置扩散节点FD可以作为连接节点23。因此，浮置扩散节点FD可以连接到通孔33。
复位晶体管RX可以连接在供应操作电压Vpix的电源线PL与浮置扩散节点FD之间，并可以响应于复位信号RG来复位浮置扩散节点FD。在复位操作期间，操作电压Vpix可以供应到连接节点23。
作为读出晶体管的驱动晶体管SF响应于浮置扩散节点FD的电压而操作并可以作为源随器（source follower）。
响应于选择信号SEL而操作的选择晶体管SX可以将通过驱动晶体管SF输出的像素信号传送到列线CL。偏置电路AL可以作为有源负载并可以给像素电路21A提供偏置电流。
图3是包括图1所示的有机光电二极管和像素电路的有机像素的电路图的另一示例实施方式。图3所示的有机像素是4T操作模式中的单元，其类似于图1所示的有机像素，但是还包括在浮置晶体管TX与浮置扩散节点FD之间的连接节点23，例如中间存储节点SN。
参照图1和图3，像素电路21B可以包括作为连接节点23的中间存储节点SN，中间存储节点SN可以连接到浮置扩散节点FD和通孔33两者。例如，中间存储节点SN可以作为势垒。因此，中间存储节点SN的电压可以固定为恒定电压，例如0V。
图4是包括图1所示的有机光电二极管和像素电路的有机像素的电路图的又一示例实施方式。参照图1和图4，像素电路21C可以包括连接在连接节点23与浮置扩散节点FD之间的开关TX2。中间存储节点SN可以作为连接节点23并作为势垒。因此，中间存储节点SN的电压可以固定为恒定电压，例如0V。中间存储节点SN可以连接到通孔33。根据示例实施方式，像素电路21B或21C可以包括势垒，取代中间存储节点SN，该势垒与行驱动器（图8的130）的操作无关。
图5示出图1所示的有机像素的光电荷累积操作的示例和光电荷传输操作的示例。图6示出相应于图5所示的有机像素的光电荷累积操作和光电荷传输操作的能带图。图7是示出图5所示的有机像素的操作的流程图。
第一有机层45可以是n型有机材料，第二有机层47可以是p型有机材料。能带图（例如欧姆接触）示出第二电极49与绝缘层41之间的能带图。
参照图5和图7，当具有第一电平V1的传送控制信号TG通过金属线37提供到第一电极35且例如0V的接地电压或低于接地电压的负电压提供到第二电极49时，多个光生电荷（例如自由电子）累积处的势阱44可以形成在绝缘层41上且多个空穴可以朝第二电极49移动（S10）。
例如，由于图6的左侧所示的能带结构，使用势阱44的电荷累积操作CHARE ACCUMULATION可以在有机光电二极管40中进行。
当具有低于第一电平V1的第二电平V2的传送控制信号TG通过金属线37提供到第一电极35且例如0V的接地电压或低于接地电压的负电压提供到第二电极49时，累积在势阱44中的多个光生电荷（例如多个自由电子）可以提供到接触31a和31b、互连层33的通孔33、以及互连节点23（例如浮置扩散节点FD或中间存储节点SN）中的至少一个（S20）。
例如，由于图6的右侧所示的能带结构，电荷传输操作CHARGETRANSFER可以在有机光电二极管40中进行。
如上所述，示例实施方式的有机像素10可以响应于供应到第一电极35的传送控制信号TG的电压水平而单独执行电荷累积操作CHAREACCUMULATION和电荷传输操作CHARGE TRANSFER。
图8是示出包括图1所示的有机像素的图像处理装置的示例实施方式的框图。参照图1和图8，图像处理器件100可以是便携装置，例如数码相机、蜂窝电话、智能电话或平板个人电脑（PC），或者是其他类似的装置。
图像处理装置100可以包括光学透镜103、图像传感器110、数字信号处理器200和/或显示器300。
图像传感器110可以对于通过光学透镜103拍摄到或捕捉到的物体101产生图像数据IDATA。例如，图像传感器110可以是CMOS图像传感器。图像传感器110可以包括像素阵列120、行驱动器130、时序发生器140、相关双采样（CDS）模块150、比较模块152、模拟到数字转换模块154、控制寄存器模块160、斜坡信号发生器170和缓冲器180。
像素阵列120可以包括布置成矩阵形式的多个有机像素10。该多个有机像素10的每个的结构和操作在上文参照图1至图6进行了解释。
行驱动器130可以基于时序发生器140的控制而驱动多个控制信号TG、RG、SEL或TG2用于控制像素矩阵120中的多个有机像素10的每个的操作。时序发生器140可以基于控制寄存器模块160的控制而控制行驱动器130、CDS模块150、模拟到数字转换模块154和斜坡信号发生器170的操作。
CDS模块150可以对包含在像素阵列120中的多个列线的每个所输出的每个像素信号（P1至Pm：m是自然数）进行相关双采样。比较模块152可以将从CDS模块150输出的多个经相关双采样的像素信号的每个与从斜坡信号发生器170输出的斜坡信号进行比较，并可以输出多个比较信号。
模拟到数字转换模块154可以将从比较模块152输出的多个比较信号的每个转换为多个数字信号的每个，并可以输出该多个数字信号到缓冲器180。控制寄存器模块160可以基于数字信号处理器200的控制而控制时序发生器140、斜坡信号发生器170和缓冲器180的操作。
缓冲器180可以将与模拟到数字转换模块154所输出的多个数字信号相应的图像数据IDATA传输到数字信号处理器200。
数字信号处理器200可以包括图像信号处理器210、传感器控制器220和接口230。
图像信号处理器210可以控制传感器控制器220和接口230，该传感器控制器220可以控制控制寄存器模块160。根据示例实施方式，图像传感器110和数字信号处理器200可以包含在单个封装中，例如包含在多芯片封装中。根据另一示例实施方式，图像传感器110和图像信号处理器210可以包含在不同的封装中。
图像信号处理器210可以处理从缓冲器180传输的图像信号IDATA，且可以将经处理的图像信号传输到接口230。传感器控制器220可以基于图像信号处理器210的控制而产生用于控制控制寄存器模块160的各种控制信号。
接口230可以将在图像信号处理器210中处理的图像数据传输到显示器300。显示器300可以显示从接口230输出的图像数据。显示器300可以是薄膜晶体管-液晶显示器（TFT-LCD）、发光二极管（LED）显示器、有机LED（OLED）显示器或有源矩阵OLED（AMOLED）显示器。
图9是示出包括图1所示的有机像素的图像处理装置的示例实施方式的另一框图。参照图9，图像处理装置200可以是可以使用移动行业处理器接口
Figure BDA00002249920700121
的图像处理装置，例如便携装置，诸如个人数字助理（PDA）、便携媒体播放器（PMP）、蜂窝电话、智能电话或平板电脑。
图像处理装置200可以包括应用处理器210、图像传感器220和/或显示器230。包括在应用处理器210中的相机串行接口（CSI）主机212可以通过相机串行接口（CSI）与图像处理器220的CSI装置221进行串口通信。根据示例实施方式，解序列化器DES可以包括在CSI主机212中且序列化器SER可以包括在CSI装置221中。
图像传感器220可以涉及包括以上参照图1解释的有机像素10的图像传感器。例如，图像传感器220可以包括图8所示的图像传感器110。
包括在应用处理器210中的显示器串行接口（DSI）主机211可以通过显示器串行接口执行与显示器230的DSI装置231的串口通信。根据示例实施方式，序列化器SER可以包括在DSI主机211中且解序列化器DES可以包括在DSI装置231中。
图像处理装置200可以还包括可与应用处理器210通信的RF芯片240。图像处理装置200的PHY（物理层）213和RF芯片240的PHY241可以根据MIPI DigRF发送和接收数据。图像处理装置200可以包括GPS接收器250、存储器252如动态随机存取存储器（DRAM）、包含在非易失性存储器如NAND闪存中的数据存储装置254、扩音器256或扬声器258。
此外，图像处理装置200可以通过使用至少一个通信协议（或通信标准），例如超宽带（UWB）260、无线局域网（WLAN）262、全球互通微波存取（WiMAX）264或长期演进（LTETM），与外部装置通信。
图10A至图10E示出图1示出的有机像素的制造工艺的示例实施方式。参照图1和图10A至图10E详细解释了不包括形成第二接触31b的有机像素10的制造工艺。
包括例如浮置扩散节点FD或中间存储节点SN的连接节点23的像素电路21可以形成在半导体基板20的内部和/或外部。包括通孔33、第一接触31a、金属线37和第一电极35的互连层30可以形成在半导体基板20上（图10A）。
绝缘层41可以形成在互连层30上（图10B）。这里，绝缘层41可以是介电层。绝缘层41可以被蚀刻使得第一接触31a的至少一部分可以被暴露（图10C）。
根据示例实施方式，绝缘层41可以被选择性地蚀刻以在第一接触31a与绝缘层41之间形成间隙G1。根据示例实施方式，绝缘层41可以被蚀刻使得部分的第一接触31a被暴露。间隙G1可以小于或等于10微米（μm）。
第一有机层45可以形成在第一接触31a、间隙G1和绝缘层41的每个上，第二有机层47可以形成在第一有机层45上（图10D）。因此，形成了包括有机材料的光电转换区43。当间隙G1为0时（例如，当不形成间隙G1时），第一有机层45可以形成在第一接触31a和绝缘层41的每个上。第二电极49，例如透明电极，可以形成在第二有机层47上（图10E）。
图11A至图11F示出图1所示的有机像素的制造工艺的示例实施方式。参照图1和图11A至图11F详细解释了包括形成第二接触31b的有机像素10的制造工艺。
图11A至图11C示出的制造工艺与图10A至图10C示出的制造工艺相同。因此，将省略其描述。
第二接触31b，例如有机光电二极管接触，可以形成在第一接触31a上（图11D）。第一有机层45可以形成在第二接触31b、间隙G1和绝缘层41的每个上，第二有机层47可以形成在第一有机层45上（图11E）。然而，当不形成间隙G1时，第一有机层45可以形成在第二接触31b和绝缘层41的每个上。第二电极49，例如透明电极，可以形成在第二有机层47上（图11F）。
图12A至图12G是根据另一示例实施方式的图1示出的有机像素的制造方法的示例。图12A对应于图10A。绝缘层41可以在互连层30上形成为厚的（图12B）。
绝缘层41可以被蚀刻使得第一接触31a可以被暴露（图12C）。图12C至图12F解释包括间隙G1的有机像素的制造工艺；然而本发明的有机像素可以不包括间隙G1。
第二接触31b可以形成在第一接触31a上（图12D）。此外，第二接触31b和绝缘层41可以被平坦化（图12E）。例如，第二接触31b和绝缘层41可以通过化学机械抛光工艺（CMP工艺）被平坦化。第一有机层45可以形成在第二接触31b、间隙G1和绝缘层41的每个上，第二有机层47可以形成在第一有机层45上（图12F）。第二电极49，例如透明电极，可以形成在第二有机层47上（图12G）。
如参照图10A至图12G描述的，在根据示例实施方式的有机像素10的制造工艺中可以形成或可以不形成第二接触31b和/或间隙G1。
包括具有根据示例实施方式的结构的有机光电二极管的有机像素可以响应于传送控制信号的电压而单独地执行电荷累积操作和电荷传输操作。有机像素可以减少热噪声，因此可以减少kT/C（或kTC）采样噪声、暗电流和/或根据该暗电流的散粒噪声。
在有机像素处于图像传感器的上部的情况下，可以容易地提高填充因子。结果，由于光子散粒噪声可以减小且/或图像传感器的灵敏度和/或信噪比可以提高，光学效率可以提高。
此外，由于包括有机像素和相关双采样模块的图像传感器可以减小相关双采样模块中的相关双采样噪声，图像传感器的性能可以提高。
而且，由于有机光电二极管可以形成在例如硅的半导体基板上面而不是形成在半导体基板中，在半导体基板内部可以产生空闲空间。由于该空闲空间可以用作用于有源放大器的空间，所以可以进一步减小有源放大器中产生的闪烁噪声和/或热噪声。
虽然已经参照示例实施方式具体示出并描述了示例实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，可以在这些实施方式中进行形式和细节的各种改变，而不背离由权利要求所限定的示例实施方式的精神和范围。
本申请要求于2011年10月14日提交的韩国专利申请第No.10-2011-0105205的优先权，其全部内容通过引用结合在此。

Claims (30)

1.一种有机像素，包括：
互连层，在包括像素电路的半导体基板上，所述互连层包括第一接触和第一电极；和
有机光电二极管，在所述互连层上，
其中所述有机光电二极管包括：
绝缘层，在所述第一电极上；
第二电极；和
光电转换区，在所述第一接触、所述绝缘层和所述第二电极之间，所述光电转换区包括给电子有机材料和受电子有机材料。
2.根据权利要求1所述的有机像素，其中所述第一电极和所述光电转换区被所述绝缘层绝缘。
3.根据权利要求2所述的有机像素，其中所述有机光电二极管还包括电连接到所述第一接触的第二接触，
其中所述第一电极和所述光电转换区被所述绝缘层绝缘，所述第二接触与所述绝缘层之间的距离小于或等于10微米。
4.根据权利要求1所述的有机像素，其中所述有机像素是处于4晶体管操作模式中的单元。
5.根据权利要求1所述的有机像素，其中所述互连层还包括：
通孔，连接所述第一接触与所述像素电路的连接节点；和
金属线，提供传送控制信号到所述第一电极。
6.根据权利要求5所述的有机像素，其中所述连接节点为所述像素电路的浮置扩散节点和连接到所述浮置扩散节点的中间存储节点中的至少一个。
7.根据权利要求6所述的有机像素，还包括开关，所述开关配置为响应于开关信号连接所述中间存储节点和所述浮置扩散节点。
8.根据权利要求1所述的有机像素，其中所述绝缘层的厚度小于或等于10微米。
9.根据权利要求1所述的有机像素，其中所述第二电极是透明电极。
10.一种图像传感器，包括：
根据权利要求1所述的有机像素；和
行驱动器，配置为输出用于控制所述有机像素的电荷传输操作的传送控制信号。
11.根据权利要求10所述的图像传感器，其中所述有机光电二极管还包括电连接到所述第一接触的第二接触，
其中所述第一电极和所述光电转换区被所述绝缘层绝缘，所述第二接触与所述绝缘层之间的距离小于或等于10微米。
12.根据权利要求10所述的图像传感器，其中所述互连层还包括：
通孔，连接所述第一接触和所述像素电路；和
金属线，提供传送控制信号到所述第一电极，
其中所述行驱动器在光电荷累积操作期间提供具有第一电平的传送控制信号到所述金属线并在光电荷传输期间提供具有低于所述第一电平的第二电平的传送控制信号到所述金属线。
13.一种图像处理装置，包括：
根据权利要求10所述的图像传感器；和
处理器，配置为控制所述图像传感器的操作。
14.根据权利要求13所述的图像处理装置，其中所述有机光电二极管还包括电连接到所述第一接触的第二接触，
其中所述第一电极和所述光电转换区被所述绝缘层绝缘，所述第二接触与所述绝缘层之间的距离小于或等于10微米。
15.根据权利要求13所述的图像处理装置，其中所述互连层还包括：
通孔，连接所述接触与所述像素电路；和
金属线，提供所述传送控制信号到所述第一电极，
其中所述行驱动器在光电荷累积操作期间提供具有第一电平的传送控制信号到所述金属线并在光电荷传输期间提供具有低于所述第一电平的第二电平的传送控制信号到所述金属线。
16.根据权利要求13所述的图像处理装置，其中所述有机像素是处于4晶体管操作模式中的单元。
17.根据权利要求13所述的图像处理装置，其中所述图像处理装置是蜂窝电话、智能电话、平板个人电脑或数码相机。
18.一种有机像素，包括：
半导体基板，包括像素电路；
第一电极，在所述基板上，所述第一电极电连接到传送控制信号；
第一接触，在所述基板上，所述第一接触与所述第一电极相邻并电连接到所述像素电路；和
有机光电二极管，在所述第一电极上，所述有机光电二极管包括：
光电转换区，
第二电极，在所述光电转换区上，和
绝缘层，插设在所述第一电极与所述光电转换区之间，所述绝缘层配置为作为防止所述光电转换区中产生的电荷被传输到第一电极的势垒。
19.根据权利要求18所述的有机像素，还包括：
第二接触，电连接到所述第一接触，所述第二接触与所述绝缘层之间的距离小于10微米。
20.根据权利要求18所述的有机像素，其中所述光电转换区包括给电子有机材料和受电子有机材料。
21.根据权利要求18所述的有机像素，其中所述第一电极配置为响应于所述传送控制信号控制光电荷累积操作和光电荷传输操作。
22.一种制造有机像素的方法，包括：
在半导体基板上形成包括第一接触和第一电极的互连层，所述半导体基板包括像素电路；和
在所述互连层上形成包括第二电极的有机光电二极管，
其中形成所述有机光电二极管包括：
在所述第一电极上形成绝缘层；和
在所述第一接触、所述绝缘层和所述第二电极之间形成包括给电子有机材料和受电子有机材料的光电转换区。
23.根据权利要求22所述的方法，还包括：
在所述第一接触上形成第二接触，使得所述第二接触电连接到所述第一接触，其中所述光电转换区形成在所述第二接触、所述绝缘层和所述第二电极之间。
24.根据权利要求22所述的方法，其中形成所述光电转换区包括在形成包括受电子有机材料的第二有机层之前形成包括给电子有机材料的第一有机层。
25.根据权利要求22所述的方法，其中形成所述光电转换区包括在形成包括受电子有机材料的第二有机层之后形成包括给电子有机材料的第一有机层。
26.根据权利要求22所述的方法，其中形成所述光电转换区包括形成混合了所述给电子有机材料和所述受电子有机材料的有机材料。
27.一种制造图像传感器的方法，包括：
形成权利要求22所述的有机像素。
28.一种有机像素的操作方法，该有机像素包括有机光电二极管，该有机光电二极管具有绝缘层和在所述绝缘层上的给电子有机材料和受电子有机材料，所述操作方法包括：
通过所述有机像素的电极接收传送控制信号，所述电极电连接到所述绝缘层；和
响应于所述传送控制信号的电压执行电荷累积操作和电荷传输操作，所述电荷累积操作在形成于所述电极上的所述绝缘层附近累积光电荷，所述电荷传输操作通过与所述电极分离的接触传输该累积的光电荷到像素电路。
29.根据权利要求28所述的操作方法，其中当所述电压具有第一电平时执行所述电荷累积操作，当所述电压具有低于所述第一电平的第二电平时执行电荷传输操作。
30.根据权利要求28所述的操作方法，其中所述给电子有机材料和所述受电子有机材料形成异质p-n结。
CN2012103871791A 2011-10-14 2012-10-12 有机像素及其制造方法和包括其的装置 Pending CN103050505A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2011-0105205 2011-10-14
KR1020110105205A KR101774491B1 (ko) 2011-10-14 2011-10-14 유기 포토다이오드를 포함하는 유기 픽셀, 이의 제조 방법, 및 상기 유기 픽셀을 포함하는 장치들

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103050505A true CN103050505A (zh) 2013-04-17

Family

ID=48063094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012103871791A Pending CN103050505A (zh) 2011-10-14 2012-10-12 有机像素及其制造方法和包括其的装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US8836839B2 (zh)
KR (1) KR101774491B1 (zh)
CN (1) CN103050505A (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104733488A (zh) * 2013-12-20 2015-06-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 有机图像传感器及其形成方法
CN104733489A (zh) * 2013-12-20 2015-06-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 有机图像传感器及其形成方法
CN104980679A (zh) * 2014-04-14 2015-10-14 亚德诺半导体集团 基于纯差分信号的mipi dsi/csi-2接收器***
US11509846B2 (en) 2017-08-22 2022-11-22 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging device and electronic apparatus for miniturization of pixels and improving light detection sensitivity
US11778841B2 (en) 2018-07-30 2023-10-03 Sony Corporation Photoelectric conversion element, solid-state imaging device, and electronic device

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201415685A (zh) * 2012-10-12 2014-04-16 Ultimate Image Corp 有機發光二極體照明裝置
US9419181B2 (en) * 2013-05-13 2016-08-16 Infineon Technologies Dresden Gmbh Electrode, an electronic device, and a method for manufacturing an optoelectronic device
US9548336B2 (en) 2014-04-24 2017-01-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensors and electronic devices including the same
KR102355558B1 (ko) * 2014-07-31 2022-01-27 삼성전자주식회사 이미지 센서
JP6555867B2 (ja) 2014-09-26 2019-08-07 キヤノン株式会社 撮像装置
JP6808316B2 (ja) * 2015-12-04 2021-01-06 キヤノン株式会社 撮像装置、および、撮像システム
JP7020770B2 (ja) * 2015-12-04 2022-02-16 キヤノン株式会社 撮像装置、および、撮像システム
JP6808317B2 (ja) * 2015-12-04 2021-01-06 キヤノン株式会社 撮像装置、および、撮像システム
KR102491580B1 (ko) 2015-12-15 2023-01-25 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
JP6727831B2 (ja) * 2016-02-09 2020-07-22 キヤノン株式会社 光電変換装置、および、撮像システム
TWI756207B (zh) * 2016-03-01 2022-03-01 日商新力股份有限公司 成像元件、堆疊型成像元件、固態成像裝置及用於固態成像裝置之驅動方法
JP6780421B2 (ja) * 2016-03-01 2020-11-04 ソニー株式会社 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、固体撮像装置の駆動方法
JP6890295B2 (ja) * 2016-03-17 2021-06-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 撮像装置
JP2018060910A (ja) * 2016-10-05 2018-04-12 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子および固体撮像装置
JP6926450B2 (ja) * 2016-11-22 2021-08-25 ソニーグループ株式会社 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
JP6929643B2 (ja) * 2016-12-27 2021-09-01 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム
EP4280284A3 (en) * 2017-06-21 2024-01-24 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging element, stacked imaging element, and solid-state imaging apparatus
JP7099073B2 (ja) * 2017-06-21 2022-07-12 ソニーグループ株式会社 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置
TW201911549A (zh) * 2017-08-16 2019-03-16 日商索尼股份有限公司 攝像元件、積層型攝像元件及固體攝像裝置
EP4350772A3 (en) * 2017-08-31 2024-06-05 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging element, laminated imaging element, and solid-state imaging device
EP3806153A4 (en) * 2018-06-05 2021-07-21 Sony Semiconductor Solutions Corporation IMAGING DEVICE
DE112019003868T5 (de) 2018-07-30 2021-04-22 Sony Semiconductor Solutions Corporation Festkörper-bildgebungselement und elektronische vorrichtung
KR102625276B1 (ko) 2018-10-10 2024-01-12 삼성전자주식회사 이미지 센서
KR20200085983A (ko) 2019-01-07 2020-07-16 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 제조 방법
KR102578655B1 (ko) 2019-01-24 2023-09-13 삼성전자주식회사 이미지 센서

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1870284A (zh) * 2005-05-03 2006-11-29 三星电子株式会社 有机薄膜晶体管阵列板及其制造方法
US20080225142A1 (en) * 2007-03-16 2008-09-18 Fujifilm Corporation Solid-state imaging device
CN101931050A (zh) * 2003-08-25 2010-12-29 株式会社半导体能源研究所 有机器件以及具有该有机器件的电子设备
CN101964352A (zh) * 2009-07-23 2011-02-02 索尼公司 固体摄像器件、其制造方法和电子装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100190334A1 (en) 2003-06-24 2010-07-29 Sang-Yun Lee Three-dimensional semiconductor structure and method of manufacturing the same
KR100889365B1 (ko) 2004-06-11 2009-03-19 이상윤 3차원 구조의 영상센서와 그 제작방법
KR100610481B1 (ko) 2004-12-30 2006-08-08 매그나칩 반도체 유한회사 수광영역을 넓힌 이미지센서 및 그 제조 방법
JP4538353B2 (ja) 2005-03-25 2010-09-08 富士フイルム株式会社 光電変換膜積層型カラー固体撮像素子
KR100782463B1 (ko) 2005-04-13 2007-12-05 (주)실리콘화일 3차원 구조를 갖는 이미지 센서의 분리형 단위화소 및 그제조방법
KR20080008562A (ko) * 2006-07-20 2008-01-24 삼성전자주식회사 어레이 기판의 제조방법, 어레이 기판 및 이를 갖는표시장치
KR101138869B1 (ko) * 2006-12-22 2012-05-14 삼성전자주식회사 유기발광 디스플레이의 단위 화소부 구동소자의 제조방법
JP5235348B2 (ja) 2007-07-26 2013-07-10 富士フイルム株式会社 放射線撮像素子
JP5515660B2 (ja) * 2009-11-13 2014-06-11 セイコーエプソン株式会社 半導体装置用基板の製造方法
JP5509846B2 (ja) 2009-12-28 2014-06-04 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP5533046B2 (ja) 2010-03-05 2014-06-25 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器
JP5542091B2 (ja) * 2010-05-18 2014-07-09 富士フイルム株式会社 固体撮像素子及び撮像装置
JP2012064709A (ja) * 2010-09-15 2012-03-29 Sony Corp 固体撮像装置及び電子機器
JP6029266B2 (ja) * 2011-08-09 2016-11-24 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システムおよび撮像装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101931050A (zh) * 2003-08-25 2010-12-29 株式会社半导体能源研究所 有机器件以及具有该有机器件的电子设备
CN1870284A (zh) * 2005-05-03 2006-11-29 三星电子株式会社 有机薄膜晶体管阵列板及其制造方法
US20080225142A1 (en) * 2007-03-16 2008-09-18 Fujifilm Corporation Solid-state imaging device
CN101964352A (zh) * 2009-07-23 2011-02-02 索尼公司 固体摄像器件、其制造方法和电子装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104733488A (zh) * 2013-12-20 2015-06-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 有机图像传感器及其形成方法
CN104733489A (zh) * 2013-12-20 2015-06-24 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 有机图像传感器及其形成方法
CN104733488B (zh) * 2013-12-20 2017-11-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 有机图像传感器及其形成方法
CN104733489B (zh) * 2013-12-20 2017-11-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 有机图像传感器及其形成方法
CN104980679A (zh) * 2014-04-14 2015-10-14 亚德诺半导体集团 基于纯差分信号的mipi dsi/csi-2接收器***
CN104980679B (zh) * 2014-04-14 2018-09-07 亚德诺半导体集团 基于纯差分信号的mipi dsi/csi-2接收器***
US11509846B2 (en) 2017-08-22 2022-11-22 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging device and electronic apparatus for miniturization of pixels and improving light detection sensitivity
US11743614B2 (en) 2017-08-22 2023-08-29 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging device and electronic apparatus with a charge storage unit electrically connected to each of a lower electrode of a phase difference detection pixel, an adjacent pixel and a normal pixel via a capacitance, wherein the capacitance connected to the adjacent pixel is greater than a capacitance connected to the normal pixel
US11778841B2 (en) 2018-07-30 2023-10-03 Sony Corporation Photoelectric conversion element, solid-state imaging device, and electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
US9673258B2 (en) 2017-06-06
US8836839B2 (en) 2014-09-16
US20130093932A1 (en) 2013-04-18
US20150054995A1 (en) 2015-02-26
KR20130040439A (ko) 2013-04-24
KR101774491B1 (ko) 2017-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103050505A (zh) 有机像素及其制造方法和包括其的装置
US9805476B2 (en) Distance sensor and image processing system including the same
KR102263042B1 (ko) 픽셀, 상기 픽셀을 포함하는 이미지 센서, 및 상기 픽셀을 포함하는 이미지 처리 시스템
KR102101839B1 (ko) 포토게이트 구조와 감지 트랜지스터를 포함하는 cmos 이미지 센서, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 이미지 처리 시스템
KR102345065B1 (ko) 고체 촬상 소자 및 그 구동 방법 및 전자 기기
KR101967835B1 (ko) 이미지 센서의 단위 픽셀 및 이를 포함하는 픽셀 어레이
KR101709941B1 (ko) 이미지 센서, 이를 포함하는 이미지 처리 장치, 및 이미지 센서 제조 방법
KR102155480B1 (ko) 이미지 센서, 이를 포함하는 이미지 처리 시스템, 및 이를 포함하는 휴대용 전자 장치
KR20140148103A (ko) 이미지 센서, 이의 제조 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 이미지 처리 장치
US9165966B2 (en) CMOS image sensors including an isolation region adjacent a light-receiving region
US20150029355A1 (en) Image sensors and imaging devices including the same
US9704911B2 (en) Image sensor having vertical transfer gate for reducing noise and electronic device having the same
KR20150068219A (ko) 이미지 센서, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 이미지 처리 시스템
US9549140B2 (en) Image sensor having pixels each with a deep trench isolation region as a photo gate for outputting image signals in response to control signals from a row driver and method of operating the image sensor
KR20160025939A (ko) 이미지 센서, 및 상기 이미지 센서의 픽셀
KR20160015788A (ko) 광 전하 저장 소자와 이를 포함하는 장치들
KR100298199B1 (ko) 피엔 다이오드를 갖는 씨모스 이미지센서의 단위화소
KR20180015378A (ko) 이미지 센서 및 이를 포함하는 이미지 처리 장치
CN105791719A (zh) 图像传感器及其操作方法
US9219094B2 (en) Backside illuminated image sensor
KR102380819B1 (ko) 이미지 센서
US20200099878A1 (en) Cmos image sensor with multiple stage transfer gate
CN103855110A (zh) 执行热复位的图像传感器及方法和包括图像传感器的设备
US20230144373A1 (en) Pixel array and devices including the same
KR20140126622A (ko) 이미지 센서

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130417

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication