CN103034365A - 触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施例公开一种触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置，涉及显示器制造领域，能够减少触摸显示产品生产过程中的制程工艺，同时提高开口率增加产品附加值。该触控显示电路结构，包括触控单元和显示单元；与所述触控单元连接的第一扫描线、第二扫描线、检测信号线、数据线及信号控制线；与所述显示单元连接的栅线和数据线；其中所述触控单元包括第一开关晶体管、第二开关晶体管、第一电容、触控电极及放大晶体管。本发明的实施例应用于显示器制造。

Description

触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示器制造领域，尤其涉及一种触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置。
背景技术
AD-SDS(Advanced-Super Dimensional Switching，简称为ADS，高级超维场开关)技术显示凭借其宽广的视角、更高的对比率、更高的分辨率及更明亮的颜色呈现，逐渐被消费者所追捧。在ADS模式下，通过同一层平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及不同层的狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。对in cell touch(像素单元内部触控)技术关注将越来越大，目前大部分厂家对于触控技术的实现还是在显示显示装置的出光侧设置一层用于触控的电容薄膜、有少部分厂家在ADS显示模组上使用in cell touch技术，并已经成功量产，但是发明人发现在现有技术中，存在产品制程工艺繁琐，且制成品开口率较低的问题。
发明内容
本发明的实施例提供一种触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置，能够减少触摸显示产品生产过程中的制程工艺，节约成本，同时能够提高产品开口率增加附加值。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种触控显示电路结构，包括触控单元和显示单元；与所述触控单元连接的第一扫描线、第二扫描线、检测信号线、数据线及信号控制线；与所述显示单元连接的栅线和数据线；
其中所述触控单元包括第一开关晶体管、第二开关晶体管、第一电容、触控电极及放大晶体管；
所述第一开关晶体管的源极连接所述数据线，所述第一开关晶体管的栅极连接所述信号控制线；
所述触控电极连接所述第一开关晶体管的漏极；
所述放大晶体管的栅极连接所述触控电极，所述放大晶体管的源极连接所述第二扫描线；
所述第二开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第二开关晶体管的源极连接所述放大晶体管的漏极，所述第二开关晶体管的漏极连接所述检测信号线；
所述第一电容的第一极连接所述第二扫描线，所述第一电容的第二极连接所述触控电极。
可选的，所述显示单元包括：
第三开关晶体管及第二电容；
其中所述第三开关晶体管的栅极连接所述栅线，所述第三晶体管的源极连接所述数据线；
所述第二电容的第一极连接所述第三开关晶体管的漏极，所述第二电容的第二极连接接地端。
可选的，所述第一电容的第一极为与所述显示单元的像素电极同层的透明导电材料；所述第一电容的第二极为与所述显示单元的公共电极同层的透明导电材料。
可选的，所述第三开关晶体管为“P”型晶体管或“N型晶体管”。
可选的，所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管为“P”型晶体管或“N型晶体管”；
所述放大晶体管为“P”型晶体管。
一方面，提供一种触控显示电路结构的驱动方法，包括：
第一阶段，第一开关晶体管、第二开关晶体管和放大晶体管截止，栅线输入扫描信号、本极数据线输入控制信号控制所述显示单元处于显示状态；
第二阶段，所述第一开关晶体管导通，所述第二开关晶体管和所述放大晶体管截止，所述数据线输入重置信号为第一电容的第二极充电，所述栅线输入扫描信号关闭所述显示单元；
第三阶段，所述第一开关晶体管截止，所述第二开关晶体管导通，第二扫描线提供耦合脉冲信号，当触控电极受到触摸时，所述第一电容的第二极放电直至所述放大晶体管的栅极和源极的电压差等于所述放大晶体管的阈值电压，所述放大晶体管导通并处于放大状态将所述第二扫描线提供耦合脉冲信号放大输出至检测信号线。
可选的，还包括：
所述第一阶段，所述第三开关晶体管导通；
所述第二阶段和所述第三阶段所述第三开关晶体管截止。
一方面，提供一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的至少一个像素单元包括上述任一触控显示电路结构。
可选的，所述检测信号线为所述阵列基板上的一条数据线，包含所述触控显示电路结构的本级像素单元处于所述检测信号线与所述本级像素单元的数据线之间，所述检测信号线为所述本级像素单元的前一级像素单元提供显示驱动信号。
一方面，提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。
本发明的实施例提供一种触控显示电路结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置，将触控结构的电路和显示单元的电路集成在一起，能够通过显示单元的制程流程同时形成本发明实施例提供的触控结构，能够减少触摸显示产品生产过程中的制程工艺，节约成本，同时能够提高产品开口率增加附加值。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的实施例提供的一种触控显示电路结构示意图；
图2为本发明的实施例提供的一种触控显示电路结构的驱动信号时序状态示意图；
图3为本发明的实施例提供的一种触控显示电路结构触控电极电压变化示意图；
图4为本发明的实施例提供的一种阵列基板显示电路结构示意图；
图5为本发明的实施例提供的一种显示单元为ADS模式的阵列基板示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明所有实施例中采用的开关晶体管和放大晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件，由于这里采用的开关晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。在本发明实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。按附图中的形态规定晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、信号输出端为漏极。此外本发明实施例所采用的开关晶体管包括P型开关晶体管和N型开关晶体管两种，其中，P型开关晶体管在栅极为低电平时导通，在栅极为高电平时截止，N型开关晶体管为在栅极为高电平时导通，在栅极为低电平时截止；放大晶体管包括P型和N型，其中P型放大晶体管在栅极电压为低电平(栅极电压小于源极电压)，且栅极源极的压差的绝对值大于阈值电压时处于放大状态，可以将源极的输入电压放大后在漏极输出；其中N型放大晶体管的栅极电压为高电平(栅极电压大于源极电压)，且栅极源极的压差的绝对值大于阈值电压时处于放大状态，可以将源极的输入电压放大后在漏极输出，当然本发明的实施例只是采用了P型的放大晶体管。
参照图1所示，为本发明的实施例提供的一种触控显示电路结构，包括触控单元1和显示单元2；与触控单元1连接的第一扫描线S1、第二扫描线S2、检测信号线Dn-1、数据线Dn及信号控制线K1；与显示单元2连接的栅线Gn和数据线Dn；
其中触控单元1包括第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2、第一电容C1、触控电极N1及放大晶体管T3；
第一开关晶体管T1的源极连接数据线Dn，第一开关晶体管T1的栅极连接信号控制线K1；
触控电极N1连接第一开关晶体管T1的漏极；
放大晶体管T3的栅极连接触控电极N1，放大晶体管T3的源极连接第二扫描线S2；
第二开关晶体管T2的栅极连接第一扫描线S1，第二开关晶体管T2的源极连接放大晶体管T3的漏极，第二开关晶体管T2的漏极连接检测信号线Dn-1；
第一电容C1的第一极连接第二扫描线S2，第一电容C1的第二极连接触控电极N1。
这里第一电容可以在制作显示单元的制程工艺中形成。
优选的，结合制作ADS模式的显示单元2制作第一电容，其中第一电容的一极与制作显示单元的公共电极的同一次构图工艺形成，第一电容的另一极与制作显示单元的像素电极的同一次构图工艺形成，即第一电容的第一极为与显示单元的像素电极同层的透明导电材料；第一电容的第二极为与显示单元的公共电极同层的透明导电材料。即在制作显示单元2的公共电极和像素电极时，保留触控单元1的部分公共电极和部分像素电极，利用触控单元1的公共电极层与像素电极之间的交叠形成第一电容。当然，触控单元1和显示单元2这两个区域的公共电极之间和像素电极之间都是断开的。例如图5，显示单元2的公共电极59为狭缝电极，像素电极55为板状电极。
当然，其中第一电容的一极可以与制作显示单元的像素电极的同一次构图工艺形成，第一电容的另一极与制作显示单元的公共电极的同一次构图工艺形成。
进一步的，触控电极N1与制作显示单元2的像素电极在同一次构图工艺形成，即由显示单元的像素电极同层的透明导电材料构成；且第一电容C1的第二极与触控电极N1通过过孔连接。当然过孔的深度由制作显示单元的公共电极与像素电极之间的距离而定。
进一步的，触控单元1的所有晶体管与显示单元2的晶体管同步形成。
进一步的，第二开关晶体管T2和放大晶体管T3位于触控电极N1的一侧，第一开关晶体管T1位于触控电极N1相对的另一侧。
进一步的，第一扫描线S1、第二扫描线S2、及信号控制线K1均与显示单元2的栅线同步形成；且与栅线平行设置，均位于显示单元2的间隙之间，不影响显示单元2的开口率。其中，如图5所示，显示单元2的栅线可以与显示单元2的栅极52在同一次构图工艺中形成。
进一步的，为了布线需要和信号的输入，同一触控显示电路结构的第一扫描线S1、第二扫描线S2位于靠近第二开关晶体管T2和放大晶体管T3的一侧，即位于栅线Gn的外侧，栅线Gn内侧连接显示单元2的第三开关晶体管T4；信号控制线K1位于靠近第一开关晶体管T1的一侧，即位于栅线Gn+1(未示出)的外侧，栅线Gn+1内侧连接Gn+1行的显示单元。
进一步的，第一开关晶体管T1，第二开关晶体管T2以及放大晶体管T3均可以通过制作显示单元2时在触控单元1中保留的数据线层(例如数据线Dn)作为连接线，与其他部件进行连接，并在需要的地方进行过孔连接。例如：第二开关晶体管T2的栅极通过制作显示单元2在触控单元1中保留的数据线层(例如数据线Dn)作为连接线，连接第一扫描线S1，并在需要的地方进行过孔连接。比如，在该连接线靠近第一扫描线S1的一端进行过孔连接。过孔的深度和位置，取决于第一扫描线S1与数据线层的层间距离以及部件之间的位置关系。其中，如图5所示，显示单元2中的数据线层可以与源极56，漏极57在同一次构图工艺中形成。
所述构图工艺可以包括制作图形的掩膜、曝光、显影、光刻，刻蚀等过程。
举例来说，采用构图工艺在基板上形成栅极，具体为：首先在基板上沉积栅极层薄膜，然后涂布光刻胶，利用掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理来形成光刻胶图案，接着利用该光刻胶图案作为蚀刻掩模，通过刻蚀等工艺去除相应的电极层，并且去除剩余的光刻胶，最终在基板上形成栅极图形。
可选的，显示单元2包括：
第三开关晶体管T4及第二电容C2；其中第二电容C2包括显示单元2的像素电极与公共电极之间的液晶电容及第三开关晶体管T4的寄生电容；
其中第三开关晶体管T4的栅极连接栅线Gn，第三晶体管T4的源极连接数据线Dn；
像素电极作为第二电容C2的第一极连接第三开关晶体管T4的漏极，公共电极作为第二电容T2的第二极连接接地端VSS。
可选的，第一开关晶体管T1和第二开关晶体管T2为“P”型晶体管或“N型晶体管”；放大晶体管T3为“P”型晶体管。
可选的，第三开关晶体管T4为“P”型晶体管或“N型晶体管”。
本发明的实施例提供的触控显示电路结构，将触控结构的电路和显示单元的电路集成在一起，能够通过显示单元的制程流程同时形成本发明实施例提供的触控结构，能够减少触摸显示产品生产过程中的制程工艺，节约成本，同时能够提高产品开口率增加附加值。
参照以上各实施例提供的触控显示电路本发明实施例还提供了以上各实施例触控显示电路的驱动方法：
第一阶段，第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2和放大晶体管T3截止，栅线Gn输入扫描信号、数据线Dn输入控制信号控制显示单元2处于显示状态；
第二阶段，第一开关晶体管T1导通，第二开关晶体管T2和放大晶体管T3截止，数据线Dn输入重置信号为第一电容C1的第二极充电，栅线Gn输入扫描信号关闭显示单元2；
第三阶段，第一开关晶体管T1截止，第二开关晶体管T2导通，第二扫描线S2提供耦合脉冲信号，当触控电极N1受到触摸时，第一电容C1的第二极放电直至放大晶体管T3的栅极和源极的电压差等于放大晶体管T3的阈值电压，放大晶体管T3导通并处于放大状态将第二扫描线S2提供的耦合脉冲信号放大输出至检测信号线Dn-1。
进一步的，第一阶段，第三开关晶体管T4导通；第二阶段和第三阶段第三开关晶体管T4截止。
这里对第一开关晶体管T1、所述第二开关晶体管T2、放大晶体管T3和第三开关晶体管T4均采用“P”型晶体管为例进行说明。参照图1提供的电路图及图2提供的触控显示电路的信号时序状态示意图，对本发明实施例提供一种触控显示电路的驱动方法进行详细说明，具体包括：
第一阶段，即图2中所示的时序状态示意图中的第一时间段，栅线Gn、第二扫描线S2施加低电平信号，信号控制线K1及第一扫描线S1施加高电平，数据线Dn施加输出灰阶信号，此时显示单元的第三开关晶体管T4导通，由于数据线Dn施加输出灰阶信号，此时显示单元处于显示阶段；第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2及放大晶体管均处于截止状态，因此触控单元不工作。
第二阶段，即图2中所示的时序状态示意图中的第二时间段，栅线Gn、第一扫描线S2施加高电平信号，信号控制线K1及第二扫描线S1施加低电平，数据线Dn施加高电平重置信号，此时显示单元的第三开关晶体管T4截止，显示结束；触控单元的第一开关晶体管T1导通，此时数据线Dn上施加的高电平重置信号为与触控电极N1连接的第一电容C1充电，此时触控电极N1连接的A节点的电压升高至V1，该过程为下一阶段做准备。
第三阶段，即图2所示的时序状态示意图中的第三时间段，栅线Gn、信号控制线K1、第二扫描线S2均施加高电平信号，第一扫描线施加低电平信号，此时显示单元的第三开关晶体管T4截止，触控单元的第一开关晶体管截止；第二开关晶体管T2导通；此阶段第二扫描线S2为第一电容的一极提供高电平，形成耦合电容，参照图3所示，由于在第二阶段为第一电容充电在触控电极上形成电压V1，当手指对触控电极N1上方触摸时，则会导致触控电极上的电压下降，此时信号控制线K1为第一电容提供的耦合电压同样会保持放大晶体管T3的源极电压，由于放大晶体管T3的栅极连接触控电极，则当触控电极上的电压下降至V2，产生的电压降ΔV满足放大晶体管的导通条件时(这里导通条件即栅极电压和源极电压差的绝对值大于晶体管的导通阈值电压，由于采用P型晶体管因此晶体管导通时栅极电压小于源极电压)，放大晶体管T3导通并处于放大状态，由于第二开关晶体管T2导通，则放大晶体管T3会将第二扫描线S2上的高电平信号放大后输出至检测信号线Dn-1，此时通过第一扫描线S1确定第一坐标方向，通过检测信号线Dn-1上输出的信号变化值确定与第一坐标方向垂直的第二坐标方向，便可定位到触摸位置。
这里以第一扫描线S1的信号为X轴坐标方向的信号，以检测信号线Dn-1的信号为Y轴坐标方向坐标方向，当第一扫描线S1输入信号时，便确定了X轴方向的坐标，此时由于第二开关晶体管T2导通，则放大晶体管T3会将第二扫描线S2上的高电平信号放大后输出至检测信号线Dn-1，此时当检测到检测信号线Dn-1上的信号变化情况时，边同时确定了X、Y两个坐标轴上的坐标位置，据此便确定了触摸位置。
这里在第三阶段结束之后，本级之后的其他栅线陆续输入控制信号，实现其他像素的驱动，由于阵列基板上每条数据线上的信号设计是相同的，因此，对于本发明的实施例所提供的触控显示电路是分时驱动的，即在触控阶段数据线输入的是用作触控的信号，而在显示阶段输入用作像素驱动灰阶信号，此外根据上述的驱动时序状态图，可知数据线在第二阶段和第三阶段是不用作显示灰阶信号输入的，因此触控信号在用作信号检测线Dn-1的上一级数据线上输出不会影响到显示装置的正常灰阶输出，而当放大晶体管T3将第二扫描线S2上的高电平信号放大后输出至检测信号线Dn-1时，便可通过检测信号线Dn-1检测到此时的信号与原先输入的触控信号的变化值。
本发明的实施例对具体的晶体管的类型不做限制，当然在采用全P型时，更加有利于制程过程中减少工艺流程，同时由于所有晶体管可以同时形成更加有利于器件性能的统一，这里就体现出了采用LTPS工艺的优势，使用这种工艺形成的晶体管器件，除了载流子迁移速率高以外(可以将晶体管做小，提高开口率)，另外，能够使得放大晶体管T3具有较高的击穿电压，同时，放大晶体管T3的栅极信号会随手指的触控而降低，因此使用P型晶体管更容易实现放大晶体管T3栅源之间的压差的绝对值(栅极电压Vg＜源极电压Vs)大于Vth。
本发明的实施例提供一种阵列基板，该阵列基板的至少一个像素单元包括上述实施例提供的任一触控显示电路结构。可选的，检测信号线为阵列基板上的一条数据线，包含触控显示电路结构的本级像素单元处于检测信号线与本级像素单元的数据线之间，检测信号线为本级像素单元的前一级像素单元提供显示驱动信号。
其中包含本发明实施例提供的触控显示电路结构的像素单元在阵列基板上的分布密度根据该阵列基板能够提供的像素大小、对触控精度的要求可以任意设置，当对触控精度要求高时相应的增加设置的密度，当然这样会对影响到面板的整体透过率，如图4所示，本发明的实施例提供了一种触控显示电路在阵列基板上4×4分布的显示单元电路结构示意图，即在阵列基板上按横向或纵向每四个像素单元中有一个包含有本发明的实施例所提供的触控显示电路结构。此外如图4所示，包含本发明的实施例提供的触控显示电路结构的像素单元中的检测信号线(前一级像素单元的数据线)Dn-1，检测信号线作Dn-1为阵列基板上的一条数据线与包含触控显示电路结构的本级像素单元的数据线相邻，本级像素单元处于检测信号线与本级像素单元的数据线之间，该检测信号线连接前一级像素单元的显示单元为其提供显示驱动信号。
其中图4还给出了触控显示电路所在的当前像素单元在阵列基板上与对应的信号线的连接结构，参照图4所示，以包含本发明的实施例提供的触控显示电路的像素单元41为例，该触控显示电路结构分别连接栅线Gn、第一扫描线S1、第二扫描线S2、信号控制线K1、数据线Dn及检测信号线Dn-1(上一级像素单元的数据线)；此外图中还给出了下一级像素单元的数据线Dn+1、上一级栅线Gn-1(即在时序上先于本级的栅线Gn给出开关信号的栅线)、下一级栅线Gn+1(即在时序上紧邻本级的栅线Gn下一个给出开关信号的栅线)。
如图5所示，本发明的实施例提供的一种显示单元为ADS模式的阵列基板。其中，在衬底基板51上形成有栅极522，在栅极52上形成有栅极绝缘层53，栅极绝缘层53上形成有有源层54，有源层54上形成有像素电极55和源极56、漏极57，其中像素电极55与漏极57连接，在像素电极55和源极56、漏极57上形成有保护层58，在保护层58上形成有公共电极59，其中公共电极59为狭缝状电极，像素电极55为板状电极。当然本发明不局限于该种结构的ADS模式，在此不作限定。例如还可以是公共电极59为板状电极，像素电极55为狭缝状电极。该结构的具体制作工艺和工作原理为现有技术，在此不再赘述。
本发明的实施例提供的阵列基板，将触控结构的电路和显示单元的电路集成在一起，能够通过显示单元的制程流程同时形成本发明实施例提供的触控结构，能够减少触摸显示产品生产过程中的制程工艺，节约成本，同时能够提高产品开口率增加附加值。
本发明的实施例提供一种显示装置，该显示装置包括上述实施例提供的阵列基板。另外，显示装置还可以为电子纸、手机、电视、数码相框等等显示设备。
本发明实施例提供的显示装置，将触控结构的电路和显示单元的电路集成在一起，能够通过显示单元的制程流程同时形成本发明实施例提供的触控结构，能够减少触摸显示产品生产过程中的制程工艺，节约成本，同时能够提高产品开口率增加附加值。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种触控显示电路结构，其特征在于，包括触控单元和显示单元；与所述触控单元连接的第一扫描线、第二扫描线、检测信号线、数据线及信号控制线；与所述显示单元连接的栅线和数据线；
其中所述触控单元包括第一开关晶体管、第二开关晶体管、第一电容、触控电极及放大晶体管；
所述第一开关晶体管的源极连接所述数据线，所述第一开关晶体管的栅极连接所述信号控制线；
所述触控电极连接所述第一开关晶体管的漏极；
所述放大晶体管的栅极连接所述触控电极，所述放大晶体管的源极连接所述第二扫描线；
所述第二开关晶体管的栅极连接所述第一扫描线，所述第二开关晶体管的源极连接所述放大晶体管的漏极，所述第二开关晶体管的漏极连接所述检测信号线；
所述第一电容的第一极连接所述第二扫描线，所述第一电容的第二极连接所述触控电极。
2.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述显示单元包括：
第三开关晶体管及第二电容；
其中所述第三开关晶体管的栅极连接所述栅线，所述第三晶体管的源极连接所述数据线；
所述第二电容的第一极连接所述第三开关晶体管的漏极，所述第二电容的第二极连接接地端。
3.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述第一电容的第一极为与所述显示单元的像素电极同层的透明导电材料；所述第一电容的第二极为与所述显示单元的公共电极同层的透明导电材料。
4.根据权利要求2所述的电路结构，其特征在于，所述第三开关晶体管为“P”型晶体管或“N型晶体管”。
5.根据权利要求1～4任一项所述的电路结构，其特征在于，所述第一开关晶体管和所述第二开关晶体管为“P”型晶体管或“N型晶体管”；
所述放大晶体管为“P”型晶体管。
6.一种触控显示电路结构的驱动方法，其特征在于，包括：
第一阶段，第一开关晶体管、第二开关晶体管和放大晶体管截止，栅线输入扫描信号、本极数据线输入控制信号控制所述显示单元处于显示状态；
第二阶段，所述第一开关晶体管导通，所述第二开关晶体管和所述放大晶体管截止，所述数据线输入重置信号为第一电容的第二极充电，所述栅线输入扫描信号关闭所述显示单元；
第三阶段，所述第一开关晶体管截止，所述第二开关晶体管导通，第二扫描线提供耦合脉冲信号，当触控电极受到触摸时，所述第一电容的第二极放电直至所述放大晶体管的栅极和源极的电压差等于所述放大晶体管的阈值电压，所述放大晶体管导通并处于放大状态将所述第二扫描线提供的所述耦合脉冲信号放大输出至检测信号线。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：
所述第一阶段，所述第三开关晶体管导通；
所述第二阶段和所述第三阶段所述第三开关晶体管截止。
8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的至少一个像素单元包括权利要求1～5任一项所述的触控显示电路结构。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述检测信号线为所述阵列基板上的一条数据线，包含所述触控显示电路结构的本级像素单元处于所述检测信号线与所述本级像素单元的数据线之间，所述检测信号线为所述本级像素单元的前一级像素单元提供显示驱动信号。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8或9所述的阵列基板。
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