CN103031533B - 一种可实时数据处理的原子层沉积设备 - Google Patents
一种可实时数据处理的原子层沉积设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103031533B CN103031533B CN201110300813.9A CN201110300813A CN103031533B CN 103031533 B CN103031533 B CN 103031533B CN 201110300813 A CN201110300813 A CN 201110300813A CN 103031533 B CN103031533 B CN 103031533B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- data processing
- processing module
- component
- computer
- atomic layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 88
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 8
- 238000011022 operating instruction Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明涉及一种半导体工艺设备，尤其是涉及一种可实时数据处理的原子层沉积设备。所述原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件和控制部件；所述控制部件包括计算机和数据处理模块；所述计算机与所述数据处理模块连接，所述数据处理模块分别与所述真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件连接。本发明通过采用计算机和数据处理模块，提高了原子层沉积设备的处理速度，减少设备故障，使得整个设备结构简洁清晰，各个部件之间的关系变得简单，便于组装、生产和维护。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体工艺设备，尤其是涉及一种可实时数据处理的原子层沉积设备。
背景技术
传统的原子层沉积设备包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件和控制部件，控制部件与其它各部件之间相互连接，实现数据指令的发送接收。然而，原子层沉积设备的控制部件多采用计算机实现，计算机需要和各个部件直接联系，按照各部件的输入输出接口提供适配器，然后根据一定的通信协议完成数据指令的交互，如图1所示。
但是，现有原子层沉积设备的控制结构采用多个数据传输接口和器件，计算机需要协调和调度多个控制器件，可能会导致控制指令不能实时完成，从而影响原子层沉积设备的薄层沉积效果。另外，在原子层沉积设备运行过程中，需要不断地获取和分析各部件的数据，而薄膜（或薄层）的沉积生长要求原子层沉积设备的处理速度尽可能快，否则无法得到期望的薄膜（或薄层），由于现有原子层沉积设备采用计算机接口直接通信控制，计算机接收数据、分析处理数据和发送指令数据的速度与薄膜（或薄层）的沉积生长所要求的处理速度存在一定差距，而且随着薄层的厚度不断减小，原子层沉积设备结构的不断复杂，这个差距会越来越大，最终导致原子层沉积设备失效。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可实时数据处理的原子层沉积设备，所述设备数据处理速度快，故障少，结构简洁清晰，便于组装、生产和维护。
为了达到上述目的，本发明采用的技术方案为：
一种可实时数据处理的原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件和控制部件；所述控制部件包括计算机和数据处理模块；所述计算机与所述数据处理模块连接，所述数据处理模块分别与所述真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件连接；
其中，所述计算机，用于显示***操作界面、接收外部命令、显示***各部件运行中的参数，向数据处理模块发送运行指令和数据和对设备其它部件进行控制，并从数据处理模块接收指令数据，对接收到的指令数据进行分析；所述数据处理模块，用于对所述真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件发送的数据进行处理。
上述方案中，所述加热部件中的温控器通过RS232串口与所述数据处理模块连接。
上述方案中，所述真空部件中的压力传感器和真空计分别通过RS232和RS485串口与所述数据处理模块连接。
上述方案中，所述数据处理模块和所述真空部件中的电压电流放大模块连接，所述电压电流放大模块和继电器连接，所述继电器下端为泵组电源。
上述方案中，所述数据处理模块与所述等离子体产生部件中的射频电源连接。
上述方案中，所述数据处理模块与所述气路部件中的质量流量控制器以及各个电磁阀相连。
与现有技术方案相比，本发明采用的技术方案产生的有益效果如下：
本发明通过采用计算机和数据处理模块，提高了原子层沉积设备的处理速度，减少设备故障，使得整个设备结构简洁清晰，各个部件之间的关系变得简单，便于组装、生产和维护。
附图说明
图1为现有技术中原子层沉积设备的原理框图；
图2为本发明实施例提供的原子层沉积设备的原理框图；
图3为本发明实施例提供的原子层沉积设备的结构图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明技术方案进行详细描述。
如图2所示，本发明实施例提供一种可实时数据处理的原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件和控制部件。控制部件包括计算机25和数据处理模块26，计算机25与数据处理模块26连接，数据处理模块26分别与真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件连接。其中，计算机25，用于显示***操作界面、接收外部命令、显示***各部件运行中的参数，向数据处理模块发送运行指令和数据和对设备其它部件进行控制，并从数据处理模块接收指令数据，对接收到的指令数据进行分析；数据处理模块26，用于对真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件发送的数据进行处理。
本发明在计算机25的基础上，加入了数据处理模块26，用于实时快速处理数据，目的是缓解计算机的运算压力，提高设备运行速度。
计算机25作为原子层沉积设备中的控制中枢，对原子层沉积设备的真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件进行控制操作，控制设备各个部件之间的信息交流，是整个设备的调度中心，负责设备中涉及的数据处理的主要部分，完成设备中指令分析和发送、接收和处理其它部件的请求，实现控制功能，保证设备良好运行。
数据处理模块26作为原子层沉积设备中的辅助数据处理中心，负责对原子层设备的真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件发送的数据进行处理，数据处理模块中固化了具体的数据处理程序，通过分析各个部件的请求，启用相应的处理程序，实时快速的返回处理结果。在此之前，需要做的工作是对原子层沉积设备中全部涉及数据处理的任务进行详细分析，将只需要计算结果以及可以延时处理的数据处理类型分配给数据处理模块，其它的任务则全部需要通过计算机完成。数据处理模块除了进行数据处理外，还可作为原子层设备的真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件和计算机之间交流的通道，数据处理模块可以将这四个部件中不涉及数据处理的请求直接传送给计算机，计算机作为响应，将响应结果通过数据处理模块发送给其它部件。数据处理模块具有强大的数据处理功能，分担了计算机发送、接收指令和数据和对指令、数据进行分析处理的计算压力，承担很大一部分原子层设备运行过程中的处理数据的操作，使计算机可以专注于协调和控制真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件之间的运行，让原子层沉积设备稳定快速的工作，满足薄膜（或薄层）的沉积生长所要求的处理速度。
如图3所示，本发明中计算机25和数据处理模块26连接，计算机25用于显示***操作界面、接收外部命令、显示***各部件运行中的参数，向数据处理模块26发送运行指令和数据和对设备其它部件进行控制，并从数据处理模块26接收指令数据，对接收到的指令数据进行分析，协调和控制整个原子层沉积设备运行在正常工作状态。加热部件中的温控器24通过RS232串口与数据处理模块26连接，真空部件中的压力传感器和真空计27分别通过RS232和RS485串口与数据处理模块26连接，数据处理模块26作为射频电源16、质量流量控制器1、质量流量控制器23、电压电流放大模块29和数据处理模块26的数据信息交流处理通道，使得整个控制部件结构清晰，便于生产。数据处理模块26和电压电流放大模块29连接，电压电流放大模块29和继电器28连接，继电器28下端为泵组电源22。数据处理模块26和气路部件中的电磁阀2至电磁阀9相连。
使用本发明时，先启动计算机25，进入原子层沉积设备控制***界面，该界面包括原子层沉积设备使用说明文件、***的框架结构示意图、动画显示原子层沉积设备的运行过程、原子层沉积设备主程序，通过计算机25对设备的控制参数进行设置和实时显示。参数设置完毕后，计算机25将控制设备完成如下操作：
（1）计算机25通过数据处理模块26发送开启命令，电源电流放大模块29输出高电压，控制继电器28的接通，进而开启控制泵组电源22，启动机械泵21和分子泵20。数据处理模块26和气路部件中的电磁阀2至电磁阀9相连，对电磁阀2至电磁阀5的控制是为了调节气路通断，对电磁阀6至电磁阀9的控制分别是为了调节气路部件中的源瓶10至源瓶13的通断。数据处理模块26将计算机25的指令、数据传送到质量流量控制器和电磁阀中，打开手动阀门14和手动阀门15，对沉积室19和管路进行抽气，抽本底真空（约到5×10-4torr）；数据处理模块26对温控器24、热电偶提供的温度信息进行分析处理，将结果返回给计算机25，计算机25监控加热盘、源瓶、管路、腔壁的温度，决定各个待加热部件继续加热或停止加热，使它们工作在设置的温度状态，完成对气路部件、加热部件的控制。
（2）通过计算机25设置流量计大小，并保存该值，打开质量流量控制器1、质量流量控制器23、电磁阀2、电磁阀3，气体30、气体31将进入气路，对气路部件进行充气，计算机25对***压强实时监控，当***达到所需工作压强时，关闭上述质量流量控制器和电磁阀，停止充气。
（3）设置沉积工作所需要的参数，计算机25将参数加入控制命令中，发送到数据处理模块26，数据处理模块26作为信息通道，将计算机25的指令发送到射频电源16的接收部件中，控制射频电源16的开启以及对输出功率的设定，同时，射频电源匹配器17保证射频电源16为等离子体产生***18提供稳定的功率。射频电源16的输出功率作为数据处理模块26的接收量反馈给计算机25，计算机25对该功率进行分析，以使等离子体产生部件中的等离子体产生***18工作在稳定的状态，从而完成对等离子体产生部件的控制并进行沉积。
（4）沉积结束后，计算机25控制整个设备空运行n个周期，对原子层沉积设备进行吹扫净化，发送指令，打开电磁阀5至电磁阀9，开启源瓶10至源瓶13，对沉积室19进行净化。
（5）吹扫结束后，关闭程序，完成原子层沉积的全部工作。
本发明中数据处理模块选择了德州仪器公司的DSP芯片TMS320C6748，该芯片采用最低成本与最低功耗的C6000处理器，集成SATA的处理器，可支持大容量数据存储，高达300MHz的C674x内核为高精度及宽动态范围提供浮点工作能力，能够极好的满足设备的工作需求，使计算机的控制性能得到更好表现。
综上所述，本发明通过采用计算机和数据处理模块，提高了原子层沉积设备的处理速度，减少设备故障，使得整个设备结构简洁清晰，各个部件之间的关系变得简单，便于组装、生产和维护。本发明在进行原子层沉积时，可确保原子层沉积设备稳定可靠的运行，并具有互锁功能，能够有效预防***在不当操作下会造成的性能损伤，运算速度也能够满足沉积实验的需求。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种可实时数据处理的原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件和控制部件，其特征在于：所述控制部件包括计算机和数据处理模块；所述计算机与所述数据处理模块连接，所述数据处理模块分别与所述真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件连接；
其中，所述计算机，用于显示***操作界面、接收外部命令、显示***各部件运行中的参数，向数据处理模块发送运行指令和数据和对所述设备其它部件进行控制，并从数据处理模块接收指令数据，对接收到的指令数据进行分析；
所述数据处理模块，用于对所述真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件发送的数据进行处理，所述数据处理模块将所述真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件中不涉及数据处理的请求直接传送给计算机；
其中，所述加热部件中的温控器通过RS232串口与所述数据处理模块连接；
其中，所述真空部件中的压力传感器和真空计分别通过RS232和RS485串口与所述数据处理模块连接；
其中，所述数据处理模块和所述真空部件中的电压电流放大模块连接，所述电压电流放大模块和继电器连接，所述继电器下端为泵组电源；
其中，所述数据处理模块与所述等离子体产生部件中的射频电源连接；
其中，所述数据处理模块与所述气路部件中的质量流量控制器以及各个电磁阀相连。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110300813.9A CN103031533B (zh) | 2011-09-29 | 2011-09-29 | 一种可实时数据处理的原子层沉积设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110300813.9A CN103031533B (zh) | 2011-09-29 | 2011-09-29 | 一种可实时数据处理的原子层沉积设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103031533A CN103031533A (zh) | 2013-04-10 |
| CN103031533B true CN103031533B (zh) | 2016-04-13 |
Family
ID=48018922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110300813.9A Active CN103031533B (zh) | 2011-09-29 | 2011-09-29 | 一种可实时数据处理的原子层沉积设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103031533B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114300333B (zh) * | 2021-11-22 | 2024-01-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 射频电源控制***、方法及半导体工艺设备 |
| CN117279181A (zh) * | 2022-01-04 | 2023-12-22 | 成都沃特塞恩电子技术有限公司 | 一种微波等离子体控制*** |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101715602A (zh) * | 2007-06-04 | 2010-05-26 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜方法和成膜装置 |
| CN102127756A (zh) * | 2011-02-21 | 2011-07-20 | 东华大学 | 一种脉冲调制射频等离子体增强原子层沉积装置及方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101285788B (zh) * | 2008-05-20 | 2011-10-12 | 中山大学 | 一种热电材料测量仪 |
-
2011
- 2011-09-29 CN CN201110300813.9A patent/CN103031533B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101715602A (zh) * | 2007-06-04 | 2010-05-26 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜方法和成膜装置 |
| CN102127756A (zh) * | 2011-02-21 | 2011-07-20 | 东华大学 | 一种脉冲调制射频等离子体增强原子层沉积装置及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103031533A (zh) | 2013-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7844433B2 (en) | System, method and program for designing a utility facility and method for manufacturing a product by the utility facility | |
| WO2013075297A1 (zh) | 基于云计算的远程实时监控*** | |
| CN105721170B (zh) | 基于sdn网络架构的多控制器的节能方法及装置 | |
| CN103031533B (zh) | 一种可实时数据处理的原子层沉积设备 | |
| WO2011106916A1 (zh) | 基于云计算的建筑物能耗预测分析***及方法 | |
| CN107861392A (zh) | 一种智能家电的数据管理平台及方法 | |
| CN107783504A (zh) | Ads注入器ⅱ真空控制*** | |
| CN103031546B (zh) | 一种原子层沉积设备及其使用方法 | |
| CN103031544A (zh) | 一种可快速处理数据的原子层沉积设备 | |
| Li et al. | Comparison of Levenberg-Marquardt method and Path Following interior point method for the solution of optimal power flow problem | |
| CN103031532B (zh) | 一种安全性高的原子层沉积设备 | |
| CN103046024B (zh) | 一种防回流的原子层沉积设备及其使用方法 | |
| CN103031545B (zh) | 一种沉积室容积可调节的原子层沉积设备 | |
| CN103046022B (zh) | 基于可伸缩腔室的原子层沉积设备及其使用方法 | |
| CN113189912B (zh) | 车间设备能源在线监测与控制*** | |
| CN102759902B (zh) | 多媒体计量整合管理***智能控制平台 | |
| CN210607177U (zh) | 一种等离子气体用的传输装置 | |
| CN108011875A (zh) | 智能控制方法和智能终端控制设备 | |
| CN108988575A (zh) | 一种高可靠性发电机组 | |
| WO2017067367A1 (zh) | 一种水***的节能集中控制*** | |
| CN104319819A (zh) | 嵌入式风机群并网有功协调控制器 | |
| CN103194733A (zh) | 一种原子层沉积设备 | |
| CN203012466U (zh) | 一种高真空多靶磁控溅射镀膜机 | |
| CN202759286U (zh) | 一种复合供电终端管理*** | |
| CN206192116U (zh) | 一种中频感应炉控制*** |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |