CN103009236A - 用于在半导体制造中实施抛光工艺的方法和装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了用于制造半导体器件的装置。该装置包括用于对晶圆实施抛光工艺的抛光头。该装置包括可旋转地连接至抛光头的保持环。保持环可用于紧固将被抛光的晶圆。该装置包括位于保持环内的软材料部件。软材料部件比硅软。软材料部件用于在抛光工艺期间研磨晶圆的倾斜区域。该装置包括可旋转地连接至抛光头的喷嘴。喷嘴用于在抛光工艺期间向晶圆的倾斜区域散布清洁溶液。本发明还提供了用于在半导体制造中实施抛光工艺的方法和装置。
Description
技术领域
本发明一般地涉及半导体领域，更具体地来说，涉及半导体制造装置及其方法。
背景技术
半导体集成电路(IC)工业经历了快速发展。IC材料和设计的技术进步已经产生了多代IC，其中，每一代都比前一代具有更小和更复杂的电路。然而，这些进步增加了处理和制造IC的复杂度，并且对于这些将被实现的进步，需要IC处理和制造的类似开发。在集成电路演进的过程中，功能密度(即，每单位芯片面积互连器件的数量)通常增加，同时几何尺寸(即，可使用制造工艺创建的最小部件(或线))减小。
为了制造这些半导体器件，实施多个半导体制造工艺。这些工艺中的一种是化学机械抛光(CMP)工艺，实施该CMP工艺以抛光晶圆的表面。然而，传统的CMP工艺会具有晶圆擦伤问题，这会导致晶圆验收测验失败或低晶圆产量。
因此，虽然现有的CMP工艺一般足以用于它们预期的目的，但它们不能在每一个方面都完全满足要求。
发明内容
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种半导体制造装置，包括：抛光头；保持结构，连接至所述抛光头，其中，所述保持结构用于将晶圆保持在适当位置；以及嵌入所述保持结构的部件，其中，所述部件比所述晶圆软，以及其中，所述部件用于与所述晶圆的倾斜区域进行接触。
在该半导体制造装置中，所述保持结构通过旋转的柔性机构连接至所述抛光头，使得所述保持结构用于围绕所述晶圆旋转360度。
在该半导体制造装置中，所述保持结构的旋转用于从所述晶圆去除倾斜缺陷。
在该半导体制造装置中，所述旋转的柔性机构包括跟踪球。
在该半导体制造装置中，所述保持结构用于与所述抛光头的旋转相独立地进行旋转。
该半导体制造装置还包括：喷嘴，连接至所述抛光头，所述喷嘴用于向所述晶圆散布清洁溶液。
在该半导体制造装置中，所述喷嘴通过旋转的柔性机构连接至所述抛光头，使得所述喷嘴进行旋转，以向所述晶圆的所述倾斜区域散布所述清洁溶液。
在该半导体制造装置中，所述部件具有凹部，所述凹部用于在其中容纳所述晶圆的所述倾斜区域。
在该半导体制造装置中，所述半导体制造装置用于实施化学机械抛光(CMP)工艺。
根据本发明的另一方面，提供了一种在半导体制造中使用的抛光头，包括：保持环，可旋转地连接至所述抛光头，其中，所述保持环用于紧固将被抛光的晶圆；软材料部件，位于所述保持环内，其中，所述软材料部件比硅软，并且所述软材料部件用于在抛光工艺期间研磨所述晶圆的倾斜区域；以及喷嘴，可旋转地连接至所述抛光头，其中，所述喷嘴用于在所述抛光工艺期间向所述晶圆的所述倾斜区域散布清洁溶液。
在该抛光头中，所述保持环和所述喷嘴都通过跟踪球连接至所述抛光头，所述跟踪球允许进行360度旋转运动。
在该抛光头中，与所述抛光头相对于所述晶圆的表面的移动独立地实施所述保持环围绕所述晶圆的所述倾斜区域的旋转。
在该抛光头中，所述保持环用于通过循环地围绕所述倾斜区域研磨所述软材料部件来松动位于所述倾斜区域的不期望有的颗粒；以及所述喷嘴用于通过所述清洁溶液从所述晶圆冲洗掉所述颗粒来去除松动的不期望有的颗粒。
在该抛光头中，所述软材料部件被成型为具有有角凹部，在所述有角凹部中容纳所述晶圆的所述倾斜区域。
在该抛光头中，所述抛光头用于实施化学机械抛光(CMP)工艺。
根据本发明的又一方面，提供了一种半导体制造的方法，包括：在保持结构内放置晶圆，所述保持结构包括比所述晶圆软且用于与所述晶圆的倾斜区域进行接触的部件；围绕所述晶圆的所述倾斜区域旋转所述保持结构，以通过所述保持结构的所述部件抛光所述晶圆的所述倾斜区域；向所述晶圆散布清洁溶液；以及抛光所述晶圆的表面。
在该方法中，旋转包括倾斜缺陷从所述晶圆的所述倾斜区域松动；以及散布包括从所述晶圆洗掉所述松动的倾斜缺陷。
在该方法中，所述保持结构和所述喷嘴都可旋转地连接至所述抛光头，以及其中，通过相对于抛光垫移动所述抛光头来实施抛光。
在该方法中，相互独立地实施旋转所述保持结构和抛光。
在该方法中，所述保持结构和所述喷嘴都通过跟踪球连接至所述抛光头。
附图说明
当结合附图进行阅读时，根据以下详细描述更好地理解本发明的多个方面。应该强调的是，根据工业的标准实践，各种部件没有按比例绘制。实际上，为了讨论的清楚，可以任意增加或减小各种部件的尺寸。
图1是根据本发明各个方面的晶圆抛光头的简化示意图。
图2A至图2C是根据本发明各个方面的图1的晶圆抛光头的各个部件的示意图。
图3是根据本发明各个方面的晶圆和作为图1的晶圆抛光头的一部分的保持结构的示意性俯视图。
图4是根据本发明各个方面的保持结构和耦合机构的示意图。
图5A和图5B是根据本发明各个方面的晶圆的倾斜区域和保持结构的一部分的示意性几何形状和尺寸图。
图6至图8是根据本发明各个方面的处于各个制造阶段的晶圆抛光头的示意图。
图9是示出根据本发明各个方面的实施晶圆抛光工艺的方法的流程图。
具体实施方式
应该理解，以下发明提供了用于实施各个实施例的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下描述部件和配置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例而不用于限制。例如，以下第一部件形成在第二部件上方的描述可以包括第一和第二部件被形成为直接接触的实施例，并且还可以包括附加部件可以形成在第一和第二部件之间使得第一和第二部件没有直接接触的实施例。此外，本发明可以在各个实例中重复参考标号和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，并且其本身并没有指定所讨论的各个实施例和/或结构之间的关系。
在半导体制造期间，可以实施诸如化学机械抛光(CMP)工艺的抛光工艺以抛光和平坦化晶圆的表面。然而，通过先前工艺(例如，通过先前的光刻或沉积工艺)在晶圆上积聚残留颗粒。尤其是，如果在晶圆的倾斜区域上(即，在晶圆的侧面上)积聚颗粒，则这些颗粒难以去除。这至少部分由于晶圆的倾斜区域(bevel region)比晶圆的顶面和底面更不容易接近且更加难以冲洗的事实。换言之，可以在晶圆表面上散布冲洗溶液，以洗掉表面上的颗粒或残留物，但是相同的冲洗溶液不能够有效地到达倾斜区域。因此，冲洗溶液不能够有效且充分地洗掉沉积在晶圆的倾斜区域上的颗粒或残留物。在CMP工艺期间，这些颗粒可以与CMP抛光头的抛光垫接触，并且导致晶圆表面的擦伤。晶圆上的擦伤导致晶圆故障或产量降低。
根据本发明的各个方面，以下讨论实施充分减少晶圆擦伤的晶圆抛光工艺的改进方法和装置。图1是CMP抛光头100的简化示意性部分截面图。晶圆110被放置在抛光头的下方。在实施例中，晶圆110为掺杂诸如硼的P型掺杂物的硅衬底(例如，P型衬底)或者掺杂诸如磷的N型掺杂物的硅衬底(例如，N型衬底)。在其他实施例中，晶圆110可以包括其他元素半导体，诸如锗和金刚石。在又一些实施例中，晶圆110可以任选地包括化合物半导体和/或合金半导体。此外，晶圆110可包括外延层(epi层)，可以发生应变来用于性能提高，并且可以包括绝缘体上硅(SOI)结构。晶圆110还可以包括通过半导体器件形成的电路。这些半导体器件可包括晶体管、电阻器、电容器、电感器等。
晶圆110具有倾斜区域110A，其包括位于其侧面上的部分晶圆110。通过先前的制造工艺，残留物或颗粒115形成在晶圆110的倾斜区域110A上方。残留物或颗粒115还可以被称为倾斜缺陷115。在以下段落中，更加详细地描述去除倾斜缺陷115的方法和装置(以避免抛光期间的晶圆擦伤)。
CMP抛光头包括位于晶圆110上方的隔膜120。隔膜120可包括柔性或柔韧材料，例如合成橡胶。在一个实施例中，在抛光期间，隔膜120压在晶圆110上并与晶圆表面接触。晶圆抛光工艺期间隔膜120的使用可以减小晶圆110的变形。
CMP抛光头包括保持环130(也被称为保持器环)。在抛光工艺期间，晶圆110通过保持环130来紧固。保持环130包括相对较硬的材料组成，例如，其中密封不锈钢环的聚亚苯基硫化物或聚碳酸酯。如果保持环130与晶圆110的倾斜区域110A进行直接接触，则保持环130的硬度可能引起问题。例如，如果在倾斜区域被抛光的同时保持环130与晶圆110的倾斜区域110A进行物理接触，则晶圆110会经历破裂。此外，倾斜缺陷115会粘在保持环130和晶圆110的倾斜区域110A之间，结果将不利于去除。这些是传统CMP抛光头所面对的一些问题。
为了解决传统CMP抛光头的这些缺点，图1中的CMP抛光头100的保持环130包括嵌入式软材料部件140。软材料部件140具有比晶圆软的材料组成。在实施例中，软材料部件140比硅软。例如，软材料部件140可包括海绵材料。在一些实施例中，软材料部件140与倾斜缺陷115进行直接的物理接触。软材料部件140的软度允许从晶圆110擦掉倾斜缺陷115而不引起晶圆110的破裂。
保持环130通过旋转的柔性结构(例如，圆筒(cylinder)150)连接至CMP抛光头100的剩余部分。圆筒150其中包括跟踪球，其连接至保持环130并允许保持环130旋转360度。圆筒150还可以上下移动以调整保持环130的位置。保持环130的位置和旋转移动(通过圆筒150进行)的灵活性允许保持环130用于抛光晶圆110的倾斜区域110A，以去除倾斜缺陷115。
CMP抛光头100还包括：一个或多个喷嘴160。喷嘴160被定位为与晶圆110的倾斜区域110A相邻。在抛光工艺期间，喷嘴160用于散布清洁溶液(诸如去离子水(DIW)或化学物质)来清洁倾斜区域110A并冲掉倾斜缺陷115。
CMP抛光头100还包括内管170，其为用于压力检测的传感器部件。
图2A至图2C是图1的CMP抛光头100的各种部件的分解截面图。图2A示出了CMP抛光头100的部件100A。其中，部件100A包括隔膜120、喷嘴160和内管170。图2B示出了CMP抛光头100的部件100B。其中，部件10B包括圆筒150。图2C示出了CMP抛光头100的部件100C。部件100C包括保持环130、其包括软材料部件140。
在抛光工艺期间，压力通过部件100A传送至晶圆110，并且CMP抛光头部件100A、100B和100C可以组合在一起以实施抛光头的旋转移动。抛光头可以穿过晶圆110的上表面(或下表面)进行移动(图1)，以对晶圆表面进行平坦化。同时，CMP抛光头部件100B和100C可以进行组合以实施保持环130的旋转移动，可以与抛光头的旋转独立地实施该旋转移动。换句话说，可以与移动抛光头以抛光晶圆110的表面同时地旋转保持环130(具体地，软材料部件140)以抛光晶圆110的倾斜区域110A。
在图3中示出了抛光晶圆的倾斜区域110A的工艺，该图3示出了保持环130和晶圆110的示意性俯视图。如图3所示，晶圆110位于包含嵌入式软材料部件140的保持环130内。倾斜缺陷115驻留在晶圆110的边缘或倾斜区域110A上。随着在抛光工艺期间晶圆110的上表面被抛光，保持环130也进行旋转。保持环130的旋转使得保持环130的软材料部件140与倾斜缺陷115进行物理接触并研磨缺陷以使其松动。
在倾斜缺陷115松动的同时，喷嘴160(图3中未示出)向倾斜区域110A散布诸如DIW或化学物质的清洁溶液，以洗掉倾斜缺陷115。应该理解，在一些实施例中，喷嘴160还可以在抛光工艺结束之后散布溶液。如上所讨论的，保持环110的软材料部件140允许倾斜缺陷115被去除而没有使晶圆破裂。此外，喷嘴160洗掉倾斜缺陷115的实施简化了倾斜缺陷区域工艺，这是因为现有的CMP抛光头可以要求独立的清洁抛光头以散布清洁溶液来洗掉倾斜缺陷。相比较，喷嘴160在CMP抛光头100内的集成帮助节省成本并减少制造工艺时间。
图4是上面根据本发明的实施例讨论的圆筒150和保持环130更加详细的示意性截面图。保持环130(包含嵌入式软材料部件140)通过可旋转机构200连接至圆筒150。可旋转机构200能够在所有方向上旋转360度。在本文所示的实施例中，可旋转机构200包括跟踪球。在可选实施例中，其他适当的设备可用于实施可旋转机构200。
可旋转机构200的旋转灵活性允许保持环130以预期方式动态地旋转，例如，围绕晶圆110的倾斜区域110A旋转360度(图1和图3)。应该理解，喷嘴160均可以通过诸如跟踪球的类似可旋转机构连接至CMP抛光头的部件100A。如此，喷嘴160的定位和喷射角度可以通过跟踪球进行灵活调整。
圆筒150还包括杆210，圆筒150通过杆210连接至CMP抛光头部件100A。在实施例中，杆210可伸缩，这允许圆筒150垂直上下移动(因此允许保持环130垂直上下移动)。例如，一旦完成晶圆倾斜抛光工艺，保持环130可以向上移动。
图5A和图5B分别是晶圆110的一部分和包含软材料部件140的保持环130的示意性部分截面图。更详细地，图5A示出了根据实施例的晶圆110的倾斜区域110A的几何形状和尺寸条件，以及图5B示出了根据实施例的用于嵌入式软材料部件140的几何形状和尺寸要求。
参照图5A，倾斜区域110A是晶圆110的有角(或弯曲)端部。有角端部的曲率(其可以通过角度来测量)在图5A中表示为R1和R2。有角端部具有倾斜上表面和下表面，该倾斜上表面和下表面分别与晶圆110的上表面和下表面形成角度Angle1和Angle2。有角端部的这些倾斜上表面和下表面分别具有横向尺寸(宽度)A1和A2以及分别具有垂直尺寸(高度)B2和B3。有角端部的侧面具有垂直尺寸B1。晶圆110具有厚度(垂直尺寸)T。在所示实施例中，T基本上等于B1、B2和B3的总和。
参照图5B，软材料部件140具有有角凹部240，其被配置为容纳晶圆110的倾斜区域110A。有角凹部240具有在图5B中表示为r1和r2的曲率。有角凹部240具有倾斜上表面和下表面，该倾斜上表面和下表面分别与平行于晶圆110的上表面和下表面的线形成角度Angle3和Angle4。有角凹部240的这些倾斜上表面和下表面分别具有横向尺寸(宽度)a1和a2以及分别具有垂直尺寸(高度)b2和b3。有角凹部240的侧面具有垂直尺寸b1。有角凹部240具有垂直尺寸t，在所示实施例中，t基本上等于b1、b2和b3的总和。嵌入式软材料部件140具有垂直尺寸t’。软材料部件140还具有用于其顶边的水平尺寸a3和用于其底边的水平尺寸a4。
在实施例中，以下几何形状和尺寸条件为真：
t’＞t＞T
a1，a2＞A1，A2
a3，a4＞a1，a2
b1＞B1
b2，b3＞B2，B3
r1，r2＞R1，R2
Angle3，Angle4＞Angle1，Angle2
上面列出的这些几何形状和尺寸条件帮助确保晶圆110的倾斜区域110A可以充分且有效地容纳在保持环130的软材料部件140的凹部240内。此外，上面列出的这些几何形状和尺寸条件还帮助确保在倾斜区域110A和软材料部件140之间创建物理接触的最佳量。以这种方式，倾斜区域110A(和形成在其上的缺陷)可以在上述倾斜抛光和喷嘴冲洗工艺期间有效地松动并洗掉。
图6至图8是处于抛光工艺的各个阶段的CMP抛光头100的简化示意性截面图。参照图6，在制造的晶圆倾斜抛光阶段中，通过CMP抛光头100来抛光晶圆110的倾斜区域110A。通过保持环130紧固晶圆110。晶圆110的倾斜区域110A与嵌入保持环130内的软材料部件140进行物理接触。如上所讨论的，保持环130能够围绕晶圆110旋转360度。以这种方式，倾斜缺陷115从倾斜区域110A中松动。
参照图7，在制造的冲洗阶段，喷嘴160向晶圆110的倾斜区域110A喷射冲洗溶液，例如DIW或化学物质。由于倾斜缺陷115已经通过保持环130的旋转从图6所示先前的制造阶段松动，所以冲洗溶液的喷射帮助从晶圆110冲掉倾斜缺陷115。还应该理解，由于喷嘴160灵活旋转，所以可以将喷嘴配置为还向晶圆110的前表面上喷射清洁溶液，从而去除驻留在晶圆110的前表面上的任何缺陷。喷嘴160在CMP抛光头100(与独立的处理抛光头相对)内的集成帮助简化制造工艺并减少制造成本，这是因为可以使用单个制造抛光头在一个制造阶段中同时进行晶圆抛光和清洁。
在该阶段期间，位于晶圆110下方的内部压盘300可用于向晶圆110的底面或背面散布清洁溶液。内部压盘300可以装配有类似于喷嘴160的旋转柔性喷嘴。可以从这些喷嘴散布清洁溶液以清洗晶圆110的背面并去除设置在其上的缺陷。
参照图8，在制造的晶圆表面抛光阶段中，保持环130向上移动(例如，通过图4的可伸缩棒210)。晶圆110的背面压在抛光垫350上。抛光垫具有硬且平滑的表面。CMP抛光头100旋转晶圆110，并使该晶圆相对于抛光垫350横向移动。以这种方式，晶圆110的背面可以通过抛光垫进行平坦化。应该理解，可以以相同方式平坦化晶圆110的正面或顶面(通过使晶圆110倒装)。由于已经在先前工艺中有效去除了倾斜缺陷，所以缺陷颗粒不太可能粘在抛光垫和晶圆表面之间。因此，充分消除了晶圆擦伤。
图9是示出根据本发明的各个方面的实施抛光工艺的方法400的流程图。然而，应该理解，可以在图9的方法400之前、之间和之后实施附加工艺，但是为了简化本文没有讨论这些工艺。方法400包括框410，其中，将晶圆置于保持环结构内。保持环结构包括比晶圆软且用于与晶圆的倾斜区域进行接触的部件。方法400包括框420，其中，保持环结构围绕晶圆的倾斜区域旋转，以通过保持结构的部件抛光晶圆的倾斜区域。方法400包括框430，其中，向晶圆散布清洁溶液。方法400包括框440，其中，晶圆的表面被抛光并进行后清洁。
根据本发明各个方面公开的CMP抛光头相对于传统的CMP抛光头提供了许多优点，应该理解，CMP抛光头的其他实施例可以提供不同的优点，并且对于所有实施例并不要求特定优点。通过嵌入保持环的软材料部件提供了一个优点。软材料部件可以用于研磨晶圆的倾斜区域。嵌入部件的软度减小了晶圆倾斜抛光工艺期间晶圆断裂的可能性，从而提高了晶圆产量。
通过旋转柔性耦合机构(例如，跟踪球)提高了另一优点，保持环通过该机构连接至CMP抛光头。旋转柔性连接机构允许保持环具有动态旋转移动。因此，保持环可用于通过围绕晶圆旋转并利用其嵌入式软材料部件研磨晶圆的倾斜区域来抛光晶圆的倾斜区域。倾斜区域的抛光松动倾斜缺陷(该倾斜缺陷可以是在先前制造工艺中形成在晶圆上的不期望的颗粒或残留物)，使得稍后可以有效去除该倾斜缺陷。
通过喷嘴提供了又一优点。根据本发明的各个方面，喷嘴集成到CMP抛光头中，例如，其可以旋转地连接至CMP抛光头。因此，可以在晶圆抛光工艺期间在晶圆上散布清洁溶液以洗掉缺陷颗粒。相比较，传统的CMP方法和装置可以要求独立的清洁抛光头用于清洁晶圆表面。因此，本文喷嘴的集成缩短了制造时间并减少了制造成本。此外，喷嘴可以通过旋转柔性连接机构连接至CMP抛光头，这允许喷嘴指向精确的预期清洁区域，因此有效地清洁该区域。
本发明的一种宽泛形式涉及半导体制造装置。该半导体制造装置包括：抛光头；保持结构，连接至抛光头，其中，保持结构用于将晶圆保持在适当位置；以及嵌入保持结构的部件，其中，该部件比晶圆软，以及其中，该部件用于与晶圆的倾斜区域进行接触。
抛光头包括：保持环，可旋转地耦合至抛光头，其中，保持环用于紧固将被抛光的晶圆；软材料部件，位于保持环内，其中，软材料部件比硅软，并且其中，软材料部件用于在抛光工艺期间研磨晶圆的倾斜区域；以及喷嘴，可旋转地连接至抛光头，其中，喷嘴用于在抛光工艺期间向晶圆的倾斜区域散布清洁溶液。
本发明的又一宽泛形式涉及制造半导体器件的方法。该方法包括：在保持结构内放置晶圆，保持结构包括比晶圆软且用于与晶圆的倾斜区域进行接触的部件；保持结构围绕晶圆的倾斜区域旋转以通过保持结构的部件抛光晶圆的倾斜区域；向晶圆散布清洁溶液；以及抛光晶圆的表面。
前面概述了多个实施例的特征，使得本领域的技术人员可以更好地理解以上详细描述。本领域的技术人员应该意识到，他们可以容易地将本发明作为基础来设计或修改用于实施与本文引入实施例相同的目的和/或实现相同优点的其他工艺和结构。本领域的技术人员还应该意识到，这种等效构造不背离本发明的主旨和范围，并且他们可以进行各种改变、替换和修改而不背离本发明的主旨和范围。
Claims (10)
1.一种半导体制造装置，包括：
抛光头；
保持结构，连接至所述抛光头，其中，所述保持结构用于将晶圆保持在适当位置；以及
嵌入所述保持结构的部件，其中，所述部件比所述晶圆软，以及其中，所述部件用于与所述晶圆的倾斜区域进行接触。
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，所述保持结构通过旋转的柔性机构连接至所述抛光头，使得所述保持结构用于围绕所述晶圆旋转360度。
3.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其中，所述保持结构的旋转用于从所述晶圆去除倾斜缺陷。
4.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其中，所述旋转的柔性机构包括跟踪球。
5.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其中，所述保持结构用于与所述抛光头的旋转相独立地进行旋转。
6.根据权利要求1所述的半导体制造装置，还包括：喷嘴，连接至所述抛光头，所述喷嘴用于向所述晶圆散布清洁溶液。
7.根据权利要求6所述的半导体制造装置，其中，所述喷嘴通过旋转的柔性机构连接至所述抛光头，使得所述喷嘴进行旋转，以向所述晶圆的所述倾斜区域散布所述清洁溶液。
8.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，所述部件具有凹部，所述凹部用于在其中容纳所述晶圆的所述倾斜区域。
9.一种在半导体制造中使用的抛光头，包括：
保持环，可旋转地连接至所述抛光头，其中，所述保持环用于紧固将被抛光的晶圆；
软材料部件，位于所述保持环内，其中，所述软材料部件比硅软，并且所述软材料部件用于在抛光工艺期间研磨所述晶圆的倾斜区域；以及
喷嘴，可旋转地连接至所述抛光头，其中，所述喷嘴用于在所述抛光工艺期间向所述晶圆的所述倾斜区域散布清洁溶液。
10.一种半导体制造的方法，包括：
在保持结构内放置晶圆，所述保持结构包括比所述晶圆软且用于与所述晶圆的倾斜区域进行接触的部件；
围绕所述晶圆的所述倾斜区域旋转所述保持结构，以通过所述保持结构的所述部件抛光所述晶圆的所述倾斜区域；
向所述晶圆散布清洁溶液；以及
抛光所述晶圆的表面。
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