CN102951601B - 用于制造微机械结构的方法和微机械结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种用于制造微机械结构的方法和一种微机械结构。该微机械结构包括：由第一材料制成的第一微机械功能层（3），它具有被掩埋的、具有第一端部（E1）和第二端部（E2）的通道（6'）；在第二微机械功能层（11）中的具有封罩（12，13）的微机械传感器结构（S1，S2），该第二微机械功能层设置在第一微机械功能层（3）之上；在第二微机械功能层（11）中的边缘区域（R），该边缘区域（R）包围传感器结构（S1，S2）并且定义包含传感器结构（S1，S2）的内侧（RI）和背离传感器结构（S1，S2）的外侧（RA）；其中，第一端部（E1）位于所述外侧（RA）并且第二端部（E2）位于所述内侧（RI）。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于制造微机械结构的方法和一种微机械结构。
背景技术
尽管可以应用在任意的微机械元件上，但本发明及其所基于的问题借助加速度传感器和转速传感器来解释。
DE 195 37 814 A1公开了一种用于制造微机械传感器、例如加速度传感器和转速传感器的方法。产生可运动的硅结构，其运动通过确定电容变化来定量地检测。可运动的硅结构在蚀刻步骤中产生，其中，在硅层中产生具有大长宽比的沟槽。在第二步骤中去除微机械硅功能层下面的牺牲层、例如氧化层。在后续步骤中将这样获得的可运动的硅结构密封地封闭，例如通过晶片罩，该晶片罩通过密封玻璃钎焊过程施加。根据用途而定，在通过晶片罩封闭的容积内部以所期望的或适合的压力封闭一气体氛围。
在转速传感器中一般包含非常低的压力，例如1mbar数量级。其原因是，在这些转速传感器中，部分可运动的结构被谐振地驱动。在压力很低时可以以相对较低的电压由于非常低的阻尼而简单地激励所期望的振动。
而在加速度传感器中一般不期望传感器陷入振动，这在施加相应的外部加速度时是可能的。因此这些加速度传感器在较高的压力下运行，例如在500mbar。附加地也经常使这些加速度传感器的表面设置有有机涂层，它们防止可运动的结构的粘接。
如果要制造非常小的且成本有利的转速传感器与加速度传感器的组合，可以这样实现，其方式是，在一个芯片上不仅集成转速传感器而且集成加速度传感器。两个传感器同时在一个衬底上制成。通过晶片罩使这种传感器组合在衬底水平面上封装，该晶片罩为每个芯片提供两个分开的空穴。
转速传感器和加速度传感器的空穴中所需的不同压力例如可以通过使用吸气剂实现。为此在转速传感器的空穴中局部地装入适合的吸气剂。在两个空穴中首先包围一高压力。接着通过温度调节步骤激活吸气剂，然后吸气剂将转速传感器的空穴容积泵浦或吸气到低压力。
发明内容
根据本发明，提出一种用于制造微机械结构的方法，具有以下步骤：在由第一材料制成的第一微机械功能层中形成通道；用由第二材料制成的覆盖层封闭所述沟道，以便形成具有第一端部和第二端部的被掩埋的通道；在所述覆盖层上方形成由第三材料制成的第二微机械功能层；在第二微机械功能层中结构化一微机械传感器结构和一边缘区域，其中，该边缘区域包围所述传感器结构并且定义包含所述传感器结构的内侧和背离所述传感器结构的外侧，其中，所述第一端部位于该外侧并且所述第二端部位于该内侧；在第一蚀刻步骤中在第一和第二端部上打开所述被掩埋的通道，其中，第一蚀刻介质通过结构化的第二微机械功能层引导到第一和第二端部上并且对于第一微机械功能层和对于第二微机械功能层选择性地蚀刻覆盖层；在所述边缘区域上形成一罩，由此，打开后的被掩埋的通道形成所述外侧与所述内侧之间的流体连通。
根据本发明，还提出一种微机械结构，具有：由第一材料制成的第一微机械功能层，该第一微机械功能层具有被掩埋的通道，该被掩埋的通道具有第一端部和第二端部；在第二微机械功能层中的具有封罩的微机械传感器结构，该第二微机械功能层设置在第一微机械功能层之上；在第二微机械功能层中的边缘区域，其中，该边缘区域包围所述传感器结构并且定义包含该传感器结构的内侧和背离该传感器结构的外侧；其中，该第一端部位于所述外侧，该第二端部位于所述内侧。
本发明的基本思想是，在罩的边缘区域的下面设置被掩埋的通道，使得该通道形成被封罩的容积与周围之间的流体连通。
如果要成本有利地制成传感器组合（例如转速传感器与加速度传感器），则通过按照本发明的方法能够实现，设置一具有两个空穴区域的罩式传感器（Kappensensor），首先这样安置晶片罩（Kappenwafer），使得加速度传感器的空穴在期望的低压下被气密地封闭。接着通过按照本发明的被掩埋的通道在转速传感器的空穴区域中产生期望的氛围，然后将被掩埋的通道封闭。
按照本发明的制造方法与用于加速度传感器和转速传感器或其它已知的、具有罩的微机械传感器的已知制造工艺兼容。
按照本发明的制造技术是成本有利的、简单且可靠的。
附图说明
下面借助实施例结合附图详细解释本发明的其它特征和优点。附图示出：
图1a），b），c）至图11a），b），c）用于解释按照本发明实施方式的用于制造微机械结构的方法的示意性横截面图，其中，各图a）分别示出沿着线A-A'的横剖面图，各图b）分别示出沿着线B-B'的部分剖面图，各图c）分别示出俯视图。
具体实施方式
在附图中相同的附图标记表示相同的或功能相同的部件。
参考图1a）至c），附图标记1表示硅半导体衬底，例如硅晶片。
在硅半导体衬底1上首先沉积一绝缘层2、例如氧化硅层。接着将呈多晶硅层3形式的第一微机械功能层在绝缘层2上沉积、掺杂并在多晶硅区域3a，3b，3c，3d中相应于要形成的微机械传感器布局来结构化。
此外参考图2a）至2c），在结构化的、具有区域3a，3b，3c，3d的第一微机械功能层3上沉积另一绝缘层4，例如也是一氧化硅层，使得区域3a，3b，3c，3d被掩埋在其下面。该绝缘层4在进一步的工艺过程中用作掩膜层。
如在图3a）至3c）中所示，接着在区域3a上直到其右边缘例如通过相应的光刻工艺在以后要形成的被掩埋的通道的长度范围上形成具有第一宽度B1的长形开口5。有利地，开口5的宽度B1选择在多晶硅制成的第一微机械功能层3的层厚的数量级或者甚至选择得更小些。
按照图4a）至4c），在形成长形开口5之后，在使用绝缘层4作为掩膜层的情况下，例如用SF6等离子蚀刻位于掩膜层下的第一微机械功能层3的区域3a。蚀刻过程可以有利地穿透整个第一微机械功能层3实施，但不是必须的。在选择适合的蚀刻介质的情况下，蚀刻过程自动地停止在位于下面的绝缘层2上。
如尤其由图4b）看出，通过蚀刻过程形成的通道6这样设置，使得它具有第二宽度B2，该宽度大于位于上面的开口5的第一宽度B1。这在以后的工艺过程中导致，可以封闭开口5，而不会完全地或意外强烈地填塞位于下面的沟道6。
参考图5a）至5c），在下一工艺步骤中沉积一覆盖层7、例如另一氧化硅层，并由此封闭通道6，即形成被掩埋的通道6'，它在纵向上具有第一端部E1和第二端部E2。如上所述，被掩埋的通道6'在覆盖层7的高度上封闭，因为第一宽度B1相对较小。这样制造的被掩埋的通道6'形成以后的用于对被罩住的容积或部分容积供给流体的通风通道的基础。
此外，参考图6a）至6c），在下一工艺步骤中在覆盖层7中形成接触开口9a，9b，9c，9d，它们向下延续直到薄的第一微机械功能层1，使得该功能层以后可以被位于上面的功能层接触。
如在图7a）至7c）中所示，接着在具有接触区域9的覆盖层7的上面沉积一由多晶硅构成的相对厚的第二微机械功能层11并掺杂。
接着沉积一金属层并结构化，由此对外建立用于传感器结构S1，S2以后的电连接的键合面10。
然后将第二微机械功能层11结构化。尤其在第二微机械功能层11中设置一第一传感器装置S1以及一第二传感器装置S2，第一传感器装置S1在本例中形成加速度传感器，第二传感器装置S2在本例中形成转速传感器。
此***绕具有传感器装置S1，S2的传感器结构设置一边缘区域R以及设置一中间区域MI，该边缘区域包围传感器结构，该中间区域将传感器结构分成两个传感器S1，S2，这两个传感器以后用作罩的接触区域。
该边缘区域R尤其定义包含传感器结构S1，S2的内侧RI和背离传感器结构S1，S2的外侧RA，其中，被掩埋的通道6'的第一端部位于外侧RA而第二端部E2位于内侧RI。
如尤其由图7a）看到的那样，覆盖层7在两个端部E1，E2上露出，或者说第二微机械功能层11在其上面被去除，使得第一和第二端部E1，E2在以后的蚀刻过程中可以从上侧达到。
如在图8a）至8c）中所示，接着进行牺牲层蚀刻过程，例如通过HF气相蚀刻，它部分地去除绝缘层2，4和覆盖层7。通过该蚀刻过程尤其释放传感器装置S1，S2，即，使其在所期望的位置上可运动。
被掩埋的用于输送流体的通道6'也在该蚀刻过程中被打开并且也在其垂直尺寸上被扩大，如尤其从图8b）看到的那样，在该蚀刻过程中蚀刻介质通过结构化的第二微机械功能层11引导到其第一和第二端部E1，E2处。因为该蚀刻过程针对多晶硅选择性地只蚀刻氧化物，第一和第二微机械功能层3，11的所形成的微机械功能结构保持完整。
此外参考图9a）至9c），传感器结构的微机械传感器装置S1，S2在适合于传感器装置S2的压力和相应适合的气体氛围下用晶片罩13通过密封玻璃层12封闭，其中，密封玻璃层12设置在边缘区域R和中间区域MI上。晶片罩13尤其具有分隔区域13a，它通过密封玻璃层12耦合在多晶硅制成的第二微机械硅功能层11的脚座形中间区域MI上。由此，这样实施用晶片罩13形成封罩，使得形成两个空穴区域14a，14b，它们相互气密地隔绝。
加速度传感器S 1的空穴区域14a相对于外侧RA通过被掩埋的通道6'打开，而转速传感器S2的空穴区域14b相对于外侧RA并且相对于加速度传感器的空穴区域14a封闭。在封罩过程之后最终确定转速传感器S2的压力和气氛，例如在转速传感器S2的空穴区域14b中存在为了无损失地驱动所需的1mbar的低压力。
现在可以通过相应的泵循环和通风循环通过被掩埋的通道6'从外侧RA对加速度传感器S1设置（未示出的）有机防粘附层，或者可以选择性地只在加速度传感器S1上应用其它的调整机制，以保证其无故障的运行可靠性。
最后，参考图10a）至10c），接着对加速度传感器的空穴区域14a在压力和气氛方面进行适合的调整，例如在那里调整500mbar的压力，例如通过加入漆层15或BCB层。这些材料通过被掩埋的通道6'进入第一空穴区域14a深处。通过例如在O2等离子中整面回蚀，可以将原先平面地位于整个结构上的漆层15或BCB层在该装置的干扰位置上再去除，而在更深的期望的位置上、例如在被掩埋的通道6'的第一端部上被保留，以便最终封闭该通道。
如由图11a）和11c）看出的那样，有时期望的是，保留键合面10区域中的漆层15或BCB层用于绝缘。
尽管上面借助于两个实施例解释了本发明，但是本发明不局限于此，而是可以以各种方式变化。
尽管借助于优选实施例描述了本发明，但是本发明不局限于此。尤其是，上述材料和布局只是示例性的，而不局限于所解释的示例。
通过用于通风的被掩埋的通道的不同的横截面和/或长度、例如曲折形状，或者通过这种被掩埋的通道的数量，可以调整具有加速度传感器的第一空穴区域的用气体充注的速度或者泵抽速度。
应用领域也是多种多样的并且不局限于加速度传感器和转速传感器。因此例如也可以将微机械磁场传感器或者需要低压力的任意其它传感器与需要较高压力的传感器、例如加速度传感器组合。
同样可以设想，在芯片内制成具有单独的空穴的附加区域，并且，通过特殊的气体通道几何形状和适合地控制直到封闭被掩埋的通道的时间，在多于两个的空穴区域中建立不同的气氛或者压力，如在上面的实施例中存在的那样，例如对于第一传感器装置建立最小内压力，对于第二传感器装置建立中等压力，而对于第三传感器装置建立相对高的压力等。
用于具有两个以上不同压力的传感器的应用例可以是组合的转速、加速度和磁场传感器，或者也可以是转速传感器与多轴加速度传感器的组合，其中，例如z通道的较高阻尼要通过与x-/y-传感器相比较小的压力来平衡，以便在传递特性上实现可相比的机械带宽。
Claims (7)
1.一种用于制造微机械结构的方法，具有以下步骤：
在由第一材料制成的第一微机械功能层(3)中形成通道(6)；
用由第二材料制成的覆盖层(7)封闭所述通道(6)，以便形成具有第一端部(E1)和第二端部(E2)的被掩埋的通道(6')；
在所述覆盖层(7)上方形成由第三材料制成的第二微机械功能层(11)；
在第二微机械功能层(11)中结构化一微机械传感器结构(S1，S2)和一边缘区域(R)，其中，该边缘区域(R)包围所述传感器结构(S1，S2)并且定义包含所述传感器结构(S1，S2)的内侧(RI)和背离所述传感器结构(S1，S2)的外侧(RA)，其中，所述第一端部(E1)位于该外侧(RA)并且所述第二端部(E2)位于该内侧(RI)；
在第一蚀刻步骤中在第一和第二端部(E1，E2)上打开所述被掩埋的通道(6')，其中，第一蚀刻介质通过结构化的第二微机械功能层(11)引导到第一和第二端部(E1，E2)上并且对于第一微机械功能层(3)和对于第二微机械功能层(11)选择性地蚀刻覆盖层(7)；
在所述边缘区域(R)上形成一罩(12，13)，由此，打开后的被掩埋的通道(6')形成所述外侧(RA)与所述内侧(RI)之间的流体连通；
通过打开后的被掩埋的通道(6')在具有被封罩的传感器结构(S1，S2)的内侧(RI)中形成预定的气氛；并且
封闭所述第一端部(E1)。
2.如权利要求1所述的方法，其中，通过一封闭层(15)的沉积和部分回蚀来进行所述第一端部(E1)的封闭。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中，将所述传感器结构(S1，S2)这样结构化，使得它具有一具有第一空穴区域(14a)的第一传感器装置(S1)和一具有第二空穴区域(14b)的第二传感器装置(S2)，并且，所述罩(12，13)的形成这样进行，使得第二空穴区域(14b)相对于所述外侧(RA)和所述第一空穴区域(14a)被封闭，由此，打开后的被掩埋的通道(6')形成所述外侧(RA)与所述第一空穴区域(14a)之间的流体连接。
4.如权利要求1或2所述的方法，其中，为了形成所述通道(6)，在第一微机械功能层(3)上沉积由第二材料制成的掩膜层(4)并且这样结构化该掩膜层，使得它具有一开口(5)，该开口在要形成的通道(6)的长度范围上具有第一宽度(B1)，其中，在第二蚀刻步骤中，第二蚀刻介质通过该开口(5)引导到第一微机械功能层(3)上并且对该掩膜层(4)选择性地蚀刻第一微机械功能层(3)以形成所述通道(6)，其中，该通道(6)的第二宽度(B2)大于所述第一宽度(B1)。
5.一种微机械结构，具有：
由第一材料制成的第一微机械功能层(3)，该第一微机械功能层具有被掩埋的通道(6')，该被掩埋的通道具有第一端部(E1)和第二端部(E2)；
在第二微机械功能层(11)中的具有封罩(12，13)的微机械传感器结构(S1，S2)，该第二微机械功能层设置在第一微机械功能层(3)之上；
在第二微机械功能层(11)中的边缘区域(R)，其中，该边缘区域(R)包围所述传感器结构(S1，S2)并且定义包含该传感器结构(S1，S2)的内侧(RI)和背离该传感器结构(S1，S2)的外侧(RA)；
其中，该第一端部(E1)位于所述外侧(RA)，该第二端部(E2)位于所述内侧(RI)，其中，该第一端部(E1)是封闭的，并且，在具有被封罩的传感器结构(S1，S2)的内侧(RI)中形成预定的气氛。
6.如权利要求5所述的微机械结构，其中，形成有具有第一空穴区域(14a)的第一传感器装置(S1)和具有第二空穴区域(14b)的第二传感器装置(S2)，其中，所述封罩(12，13)这样形成，使得第二空穴区域(14b)相对于所述外侧(RA)和所述第一空穴区域(14a)是封闭的，其中，所述第二端部(E2)在所述第一空穴区域(14a)中形成。
7.如权利要求6所述的微机械结构，其中，该第一传感器装置(S1)具有加速度传感器，该第二传感器装置(S2)具有转速传感器。
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101643193A (zh) * | 2008-08-04 | 2010-02-10 | 罗伯特.博世有限公司 | 具有带有不同大气内压力的空腔的微机械装置 |
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| HUP0600488A2 (en) * | 2006-06-13 | 2008-05-28 | Mta Mueszaki Fiz Es Anyagtudom | Method for producing micromechanical elements can be integrated into cmos technology, carrying monolith si and monolith sio produced by porous si micromanufacturing process |
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| US20120274647A1 (en) * | 2011-04-26 | 2012-11-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Piezoelectric resonators and fabrication processes |
| US20130032385A1 (en) * | 2011-08-03 | 2013-02-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Metal thin shield on electrical device |
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Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN101643193A (zh) * | 2008-08-04 | 2010-02-10 | 罗伯特.博世有限公司 | 具有带有不同大气内压力的空腔的微机械装置 |
| CN102009942A (zh) * | 2009-09-03 | 2011-04-13 | 罗伯特·博世有限公司 | 微*** |
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