CN102933687A - 硅酸盐发光材料及其制备方法 - Google Patents

硅酸盐发光材料及其制备方法 Download PDF

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Abstract

提供一种硅酸盐发光材料。发光材料分子式为:Ln2-x-ySiO5:Cex,Tby,Agz,其中,Ln为Y、Gd、La、Lu中的一种,0<x≤0.05,0.01≤y≤0.25,0<z≤0.005。该发光材料的制备方法包括如下步骤:称取Ln、Ce、Tb、Ag的源化合物和硅气凝胶;将硅气凝胶溶解在Ag的源化合物的醇溶液中,搅拌、干燥、煅烧、得到含Ag的硅气凝胶;将称取的Ln、Ce、Tb的源化合物与含Ag的硅气凝胶混合后,在还原气氛下煅烧,得到硅酸盐发光材料。

Description

硅酸盐发光材料及其制备方法 技术领域
本发明属于发光材料技术领域,具体涉及一种硅酸盐发光材料及其制备方法。
背景技术
20世纪60 年代,Ken Shoulder 提出了基于场发射阴极阵列(FEAs)电子束微型装置的设想,于是利用FEAs设计和制造平板显示与光源器件的研究引起了人们的极大兴趣。这种新型的场发射器件的工作原理与和传统的阴极射线管(CRT)类似,是通过电子束轰击红、绿、蓝三色荧光粉发光实现成像或照明用途,该种器件在亮度、视角、响应时间、工作温度范围、能耗等方面均具有潜在的优势。
制备优良性能场发射器件的关键因素之一是高性能荧光粉体的制备。目前场发射器件所采用的荧光材料主要是一些用于传统阴极射线管和投影电视显像管的硫化物系列、氧化物系列和硫氧化物系列荧光粉。对于硫化物和硫氧化物系列荧光粉来说,发光亮度较高,且具有一定的导电性,但在大束流电子束的轰击下容易发生分解,放出单质硫“毒化”阴极针尖,并生成其他沉淀物覆盖在荧光粉表面,降低了荧光粉的发光效率,缩短了场发射器件的使用寿命。氧化物荧光粉稳定性能好,但发光效率不够高,并且材料一般为绝缘体,两者性能都有待改进和提高。
技术问题
有鉴于此,本发明提供一种共掺杂有Ce3+、Tb3+和Ag离子的硅酸盐发光材料,该硅酸盐发光材料的稳定性和发光效率高。
以及,提供一种制备工艺简单、成本低的硅酸盐发光材料制备方法。
技术解决方案
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案是:
一种硅酸盐发光材料,其分子通式为:Ln2-x-ySiO5:Cex,Tby,Agz,其中,Ln为Y、Gd、La、Lu中的一种,x的取值范围为0<x≤0.05,y的取值范围为0.01≤y≤0.25,z的取值范围为0<z≤0.005。
以及,一种硅酸盐发光材料制备方法,其包括如下步骤:
按照通式Ln2-x-ySiO5:Cex,Tby,Agz中相应元素的化学计量比,称取Ln的源化合物、Ce 的源化合物、Tb的源化合物、Ag的源化合物和硅气凝胶;其中,Ln为Y、Gd、La、Lu中的一种;x的取值范围为0<x≤0.05,y的取值范围为0.01≤y≤0.25,z的取值范围为0<z≤0.005;
将硅气凝胶溶解在Ag的源化合物的醇溶液中,然后依次搅拌、干燥、煅烧,得到含Ag的硅气凝胶;
将称取的所述Ln的源化合物、Ce 的源化合物、Tb的源化合物与含有Ag的硅气凝胶混合后,在还原气氛下煅烧,得到通式为Ln2-x-ySiO5:Cex,Tby,Agz的所述硅酸盐发光材料。
有益效果
在上述硅酸盐发光材料及其制备方法中,该硅酸盐发光材料中掺杂了Ce3+和Tb3+,在电子束激发下能发射暖白光,另外,该硅酸盐发光材料中的Ag单质有效提高了该硅酸盐发光材料的稳定性和发光效率;在该硅酸盐发光材料制备方法中,通过先制备含Ag的硅气凝胶,再与其他组分混合并煅烧,即可获得发光材料,从而使得制备工艺简单、成本低,具有广阔的生产应用前景。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明,附图中:
图1是本发明实施例4制备的硅酸盐发光材料在加速电压为5KV下的阴极射线激发下的阴极射线发光光谱与Y1.89SiO5:Ce0.01 ,Tb0.1荧光粉发光光谱对比图,其中,曲线10是本发明实施例4制备的Y1.89SiO5:Ce0.01,Tb0.1,Ag0.0007发光材料的发光光谱图;曲线11是Y1.89SiO5:Ce0.01,Tb0.1荧光粉发光光谱图。
图2是本发明实施例7制备的硅酸盐发光材料在5kv加速电压激发下的阴极射线发光光谱;
图3为本发明硅酸盐发光材料制备工艺流程图。
本发明的实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明实施例硅酸盐发光材料,其分子通式为:Ln2-x-ySiO5:Cex,Tby,Agz,其中,Ln为Y、Gd、La、Lu中的一种,x的取值范围为0<x≤0.05,y的取值范围为0.01≤y≤0.25,z的取值范围为0<z≤0.005。
上述x的取值范围优选为0.001≤x≤0.04,y的取值范围优选为0.03≤y≤0.2,z的取值范围优选为0.00003≤z≤0.003。
在上述硅酸盐发光材料中掺杂了Ce3+和Tb3+,在电子束激发下能发射暖白光,另外,该硅酸盐发光材料中的Ag单质有效提高了该硅酸盐发光材料的稳定性和发光效率。适当调整该硅酸盐发光材料中各元素的比例,如该硅酸盐发光材料分子通式Ln2-x-ySiO5:Cex,Tby,Agz中x的取值范围优选为0.001≤x≤0.04,y的取值范围优选为0.03≤y≤0.2,z的取值范围优选为0.00003≤z≤0.003,能进一步提高该硅酸盐发光材料的稳定性和发光效率。Ln是该硅酸盐发光材料的重要组成元素,它起到组成发光材料分子结构的作用,由于Y、Gd、La、Lu的性质相近,所以可以相互间取代,而不改变发光材料分子结构。
以及,本发明硅酸盐发光材料制备方法,如图3所示,其制备工艺流程包括如下步骤:
S1. 按照通式Ln2-x-ySiO5:Cex,Tby,Agz中相应元素的化学计量比,称取Ln的源化合物、Ce 的源化合物、Tb的源化合物、Ag的源化合物和硅气凝胶;其中,Ln为Y、Gd、La、Lu中的一种;x的取值范围为0<x≤0.05,y的取值范围为0.01≤y≤0.25,z的取值范围为0<z≤0.005;
S2. 将硅气凝胶溶解在Ag的源化合物的醇溶液中,然后依次搅拌、干燥、煅烧,得到含Ag的硅气凝胶;
S3. 将称取的所述Ln的源化合物、Ce 的源化合物、Tb的源化合物与含有Ag的硅气凝胶混合后,在还原气氛下煅烧,得到通式为Ln2-x-ySiO5:Cex,Tby,Agz的所述硅酸盐发光材料。
上述硅酸盐发光材料制备方法的S1步骤中,所述的Ln的源化合物优选为Ln的氧化物、硝酸盐、碳酸盐、草酸盐中的至少一种;Ce 的源化合物优选为Ce的氧化物、硝酸盐、碳酸盐、草酸盐中的至少一种;Tb的源化合物优选为Tb的氧化物、硝酸盐、碳酸盐、草酸盐中的至少一种;所述Ag的源化合物优选为Ag的硝酸盐或/和纳米Ag胶粒;硅气凝胶使用的气凝胶是直接市购的,如来自纳诺高科股份有限公司生产。
上述硅酸盐发光材料制备方法的S2步骤中,所述搅拌过程是在50~75℃、超声条件下进行,且搅拌时间为0.5~3h,超声是为了使硅气凝胶与Ag的源化合物在醇溶液中充分混合,超声处理的时间优选但不仅仅限于10min;所述干燥过程是在60~150℃下进行;所述煅烧过程是在600~1000℃下进行。
上述S2步骤中,选取的硅气凝胶的孔径优选为20~100nm,气孔率优选为92~98%;所述煅烧优选在600~1300℃下热处理0.5~3h;所述醇溶液优选但不仅仅限于乙醇溶液,Ag的源化合物在醇溶液中的浓度优选为1.5×10-5 ~1.25×10-3mol/L。
上述硅酸盐发光材料制备方法的S3步骤中,所述在还原气氛下煅烧的煅烧温度优选为1300~1600℃,时间优选为1~8h;所述还原气氛优选为N2与H2还原气氛、CO的还原气氛、H2的还原气氛中的一种,其中,N2与H2还原气氛中的N2与H2的体积比优选但不仅仅限于为95:5,在该还原气氛中煅烧是为了将在燃烧过程中生成的+4价Ce、Tb离子和Ag离子还原成+3价Ce、Tb离子和Ag单质,从而生成Ln2-x-ySiO5:Cex,Tby,Agz化合物,有效保证Ln2-x-ySiO5:Cex,Tby,Agz的发光性能。其中,还原气氛是指还原性气体按体积比含量小于10%的混合气体。
在该硅酸盐发光材料制备方法中,采用高温固相法先通过制备含Ag的硅气凝胶,再与其他组分混合并煅烧,即可获得发光材料,从而使得制备工艺简单、成本低,具有广阔的生产应用前景。
以下通过多个实施例来举例说明硅酸盐发光材料的不同组成及其制备方法,以及其性能等方面。
实施例1
高温固相法制备Y1.989SiO5:Ce0.001,Tb0.01,Ag0.00003
首先称取硅气凝胶0.3g,溶解到10ml含有AgNO3 1.5×10-5mol/L的乙醇溶液中,在50℃下搅拌3h,然后超声处理10min,再在60℃干燥,将干燥后的样品研磨均匀,在600℃下预煅烧4h,制得含有Ag的硅气凝胶。称取Y2(CO3)3 1.4201g,Ce2(CO3)3 0.0009g,Tb2(CO3)3 0.0099g和含有Ag的硅气凝胶0.2404g混合均匀,再在95%N2+5%H2还原气氛下于1300℃保温烧结8 h,所得到产物冷却至室温,即得到Y1.989SiO5:Ce0.001,Tb0.01,Ag0.00003发光材料,在电子束激发下发射暖白光。
实施例2
高温固相法制备La1.962SiO5:Ce0.008,Tb0.03,Ag0.00007
首先称取硅气凝胶0.4g,溶解到20ml含有纳米Ag胶粒2.345×10-5mol/L的乙醇溶液中,在60℃下搅拌2h,然后超声10min,再在80℃干燥,将干燥后的样品研磨均匀,在800℃下预煅烧2h,制得含有Ag的硅气凝胶。称取La2O3 1.2784g,CeO2 0.0055g,Tb4O7 0.0224g和含有Ag的硅气凝胶0.2404 g混合均匀,再在95%N2+5%H2还原气氛下1450℃保温烧结4 h,所得到产物冷却至室温,即得到La1.962SiO5:Ce0.008,Tb0.03,Ag0.00007发光材料,在电子束激发下发射暖白光。
实施例3
高温固相法制备Gd1.76SiO5:Ce0.04,Tb0.2,Ag0.001
首先称取硅气凝胶1.0 g,溶解到30ml含有纳米Ag胶粒5.43×10-4mol/L的甲醇溶液中,在70℃下搅拌0.5h,然后超声10min,再在150℃干燥,将干燥后的样品研磨均匀,在1000℃下预煅烧0.5 h,制得含有Ag的硅气凝胶。称取Gd(NO3)3 2.4168g,Ce(NO3)3 0.0521g,Tb(NO3)3 0.2760g和含有Ag的硅气凝胶0.2404g混合均匀,再在CO的还原气氛下1600℃保温烧结1h,所得到产物冷却至室温,即得到Gd1.76SiO5:Ce0.04,Tb0.2,Ag0.001发光材料,在电子束激发下发射暖白光。
实施例4
高温固相法制备Y1.89SiO5:Ce0.01,Tb0.1,Ag0.0007
首先称取硅气凝胶0.4g,溶解到15ml含有纳米Ag胶粒3.1266×10-4mol/L的乙醇溶液中,在60℃下搅拌1.5h,然后超声10min,再在70℃干燥,将干燥后的样品研磨均匀,在800℃下预煅烧2h,制得含有Ag的硅气凝胶。称取Y2O3 0.8535g,CeO2 0.0055g,Tb4O7 0.0747g,和煅烧后的硅气凝胶0.2404g混合均匀,再在95%N2+5%H2还原气氛下1500℃保温烧结4h,所得到产物冷却至室温,即得到Y1.89SiO5:Ce0.01,Tb0.1,Ag0.0007发光材料,在电子束激发下发射暖白光。图1是Y1.89SiO5:Ce0.01,Tb0.1荧光粉与本实施例制备的硅酸盐发光材料的阴极射线发光光谱对比图,其中图中10是指本实施例制备的硅酸盐发光材料,11是指Y1.89SiO5:Ce0.01,Tb0.1荧光粉荧光粉。如图1所示,可以看出本实施例的发光材料在360~500nm内有较强的宽带发射谱,并且在544nm处有个窄带峰,544nm处的发光强度高于Y1.89SiO5:Ce0.01,Tb0.1的发光强度,本实施例制备得到的发光材料的发光强度超出未掺杂Ag的Y1.89SiO5:Ce0.01,Tb0.1荧光粉的38%,本实施例的发光材料具有稳定性好、发光效率较高的特点。
实施例5
高温固相法制备Lu1.73SiO5:Ce0.02,Tb0.25,Ag0.003
首先称取硅气凝胶 0.35g,溶解到25ml含有AgNO3 7.08×10-4mol/L的丙醇溶液中,在65℃下搅拌1.5h,然后超声10min,再在120℃干燥,将干燥后的样品研磨均匀,在1000℃下预煅烧2h,制得含有Ag的硅气凝胶。称取Lu2(C2O4)3 2.1244g,Ce2(CO3)3 0.0184g,Tb2(C2O4)3 0.2909g和煅烧后的硅气凝胶0.2404g混合均匀,再在H2还原气氛下1400℃保温烧结6h,所得到产物冷却至室温,即得到Lu1.73SiO5:Ce0.02,Tb0.25,Ag0.003发光材料,在电子束激发下发射暖白光。
实施例6
高温固相法制备Gd1.9SiO5:Ce0.05,Tb0.05,Ag0.005
首先称取硅气凝胶0.3 g,溶解到20ml含有AgNO3 1.25×10-3mol/L的乙醇溶液中,在60℃下搅拌2h,然后超声10min,再在100℃干燥,将干燥后的样品研磨均匀,在800℃下预煅烧2h,制得含有Ag的硅气凝胶。称取Gd2(C2O4)3 2.1983g,Ce2(C2O4)3 0.0540g,Tb2(C2O4)3 0.0582g,和煅烧后的硅气凝胶0.2404g混合均匀,再在95%N2+5%H2还原气氛下1450℃保温烧结4 h,所得到产物冷却至室温,即得到Gd1.9SiO5:Ce0.05,Tb0.05,Ag0.005发光材料,在电子束激发下发射暖白光。
实施例7
高温固相法制备Y1.89SiO5:Ce0.01,Tb0.1,Ag0.0004
首先称取硅气凝胶0.28 g,溶解到15ml含有纳米Ag胶粒1.2266×10-4mol/L的乙醇溶液中,在60℃下搅拌2h,然后超声10min,再在70℃干燥,将干燥后的样品研磨均匀,在900℃下预煅烧2h,制得含有Ag的硅气凝胶。称取Y2O3 0.8535g,CeO2 0.0055g,Tb4O7 0.0747g和含有Ag的硅气凝胶0.2404g混合均匀,再在95%N2+5%H2还原气氛下1450℃保温烧结4 h,所得到产物冷却至室温,即得到Y1.89SiO5:Ce0.01,Tb0.1,Ag0.0004发光材料,在电子束激发下发射暖白光。该Y1.89SiO5:Ce0.01,Tb0.1,Ag0.0004硅酸盐发光材料在5kv加速电压激发下的阴极射线发光光谱如图2所示,由图2可以看出本实施例的发光材料在360~500nm内有较强的宽带发射谱,并且在544nm处有个窄带峰,这与实施例4制备的硅酸盐发光材料性能极其相似,从而说明本发明实施例硅酸盐发光材料性能稳定。本实施例及实施例4中发光图谱均是在5KV加速电压的阴极射线激发下以岛津RF-5301PC光谱仪为检测器分析得出。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

  1. 一种硅酸盐发光材料,其分子通式为:Ln2-x-y SiO5:Cex,Tby,Agz,其中,Ln为Y、Gd、La、Lu中的一种,x的取值范围为0<x≤0.05,y的取值范围为0.01≤y≤0.25,z的取值范围为0<z≤0.005。
  2. 如权利要求1所述的硅酸盐发光材料,其特征在于:所述x的取值范围为0.001≤x≤0.04,y的取值范围为0.03≤y≤0.2,z的取值范围为0.00003≤z≤0.003。
  3. 一种硅酸盐发光材料制备方法,其包括如下步骤:
    按照通式Ln2-x-ySiO5:Cex,Tby,Agz中相应元素的化学计量比,称取Ln的源化合物、Ce 的源化合物、Tb的源化合物、Ag的源化合物和硅气凝胶;其中,Ln为Y、Gd、La、Lu中的一种;x的取值范围为0<x≤0.05,y的取值范围为0.01≤y≤0.25,z的取值范围为0<z≤0.005;
    将硅气凝胶溶解在Ag的源化合物的醇溶液中,然后依次搅拌、干燥、煅烧,得到含Ag的硅气凝胶;
    将称取的所述Ln的源化合物、Ce 的源化合物、Tb的源化合物与含有Ag的硅气凝胶混合后,在还原气氛下煅烧,得到通式为Ln2-x-ySiO5:Cex,Tby,Agz的所述硅酸盐发光材料。
  4. 如权利要求3所述的硅酸盐发光材料制备方法,其特征在于:
    所述Ln的源化合物为Ln的氧化物、硝酸盐、碳酸盐、草酸盐中的至少一种;
    所述Ce 的源化合物为Ce的氧化物、硝酸盐、碳酸盐、草酸盐中的至少一种;
    所述Tb的源化合物为Tb的氧化物、硝酸盐、碳酸盐、草酸盐中的至少一种;
    所述Ag的源化合物为Ag的硝酸盐或/和纳米Ag胶粒。
  5. 如权利要求3所述的硅酸盐发光材料制备方法,其特征在于:所述含Ag的硅气凝胶制备步骤中:所述搅拌过程是在50~75℃、超声条件下进行,且搅拌时间为0.5~3h;所述干燥过程是在60~150℃下进行;所述煅烧过程是在600~1000℃下进行。
  6. 如权利要求3或5所述的硅酸盐发光材料制备方法,其特征在于:所述Ag的醇溶液中,Ag离子的浓度为1.5×10-5~1.25×10-3mol/L,溶剂为乙醇。
  7. 如权利要求3或5所述的硅酸盐发光材料制备方法,其特征在于:所述选取的硅气凝胶的孔径为20~100nm,气孔率为92~98%。
  8. 如权利要求3或5所述的硅酸盐发光材料制备方法,其特征在于:所述含Ag的硅气凝胶制备步骤中的煅烧是在600~1300℃下热处理0.5~3h。
  9. 如权利要求3所述的硅酸盐发光材料制备方法,其特征在于:所述在还原气氛下煅烧的煅烧温度为1300~1600℃,时间为1~8h。
  10. 如权利要求3或9所述的硅酸盐发光材料制备方法,其特征在于:所述还原气氛为N2与H2混合还原气氛、CO还原气氛、H2还原气氛中的一种。
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