CN102925727B - 高性能Zn@W-Cu热用复合材料的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种ZnW-Cu热用复合材料的制备方法,其特征是采用磁控溅射的方法,以Zn块为靶材或者采用真空热镀工艺,以纯度为99.9%的Zn粉在W粉表面包覆一层高纯Zn膜,得到ZnW粉,再将ZnW粉、Cu粉按照体积百分比为W=70.0%~90.0%,Cu=10.0%~30.0%进行球磨混合均匀,然后将混合均匀粉末在100-400MPa下进行冷等静压获得坯体,最后将坯体放入氢气炉中进行气氛烧结,得到ZnW-Cu热用复合材料。本发明可以在较低的烧结温度下获得致密度高、W-Cu之间结合力强、导热、导电性好的W-Cu复合材料,具有W-Cu复合材料结构可控,Zn的添加量极少且实现定向包覆等优点。
Description
技术领域
本发明涉及W-Cu复合材料领域,特别是涉及一种高性能ZnW-Cu热用复合材料的低温制备方法,所谓高性能ZnW-Cu热用复合材料是指具有致密度高达96.0%以上、导热率约为200W/mK、电阻率低于1.7×10-7Ω·m的ZnW-Cu热用复合材料。
背景技术
W-Cu复合材料是由高熔点、低热膨胀系数的钨和高电导率、高热导率及良好塑性的铜组成的假性合金材料。由于钨、铜在固相和液相中都不互溶,因此W-Cu复合材料结合了单质钨和铜两者的优点,具有高密度、高强度、良好的延展性、良好的导电性和良好的导热性等特点。由于具有众多的优良性能,目前W-Cu复合材料正被广泛的用于电触头材料、电火花加工和电极材料、火箭喷嘴、大规模集成电路的电子封装材料及微电子器件的热沉材料等。
目前在W-Cu复合材料应用中,对其致密度要求都较高,例如用作电火花的W-Cu复合材料的致密度要达到95%以上,而用作电子封装材料和热沉材料的W-Cu复合材料则具有较高的气密性和强度,致密度要达到97%以上。由于钨与铜不互溶,二者形成的是一种典型的假性合金,因此粉末冶金是获得这种金属复合材料的有效方法之一,但是其完全致密化一直是未能很好解决的问题。目前制备高致密度的W-Cu复合材料的传统方法主要有高温液相烧结、浸渗等。Bhalla等采用***压实法制备了高钨含量的W-Cu复合材料,利用***力实现高温液相烧结,获得了较为致密的W-Cu复合材料;梁容海等人对高钨触头合金的熔浸机理进行了探讨,获得了高质量的W-Cu复合材料熔浸制品。虽然这些传统的制备方法可以获得致密度较高的W-Cu复合材料,但是它们都很容易引起试样形状的变形,成分偏差和耗时耗材等。为此,广大科研工作者发展了机械合金化法、使用纳米粉末法及活化烧结法等一些新型的制备方法。J. L. Johnson等添加过渡族元素Pd、Ni、Co、Fe对W-Cu复合材料进行活化烧结,在1100oC以上获得相对密度达到95.0%以上的W-Cu复合材料;Dae-Gun Kim等人通过机械球磨W粉和CuO混合粉末,然后在H2气氛下,在1200oC时制备了全致密的W-Cu复合材料。其中,由于活化烧结法可以在不大幅度降低试样的热电等性能的前提下,大幅度降低烧结温度,提高试样整体的性能而受到越来越广泛的重视,例如陈平安等以Zn为烧结助剂在850oC的温度下烧结制备了致密度为97.0%的W-Cu复合材料。虽然以Zn为烧结助剂可以大幅度降低W-Cu复合材料的致密化温度,但是以粉末形式加入到W-Cu粉末中很容易引起Zn及W、Cu的分布不均匀,产生Zn的团聚及Zn与Cu的优先反应,从而降低了Zn作为烧结助剂的作用。
根据所查阅的国内外专利与文献的结果表明:目前还没有在W颗粒表面包覆Zn,然后在低温下通过无压烧结制备致密的W-Cu复合材料的报道。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:针对现有制备工艺的不足,以Zn包覆W,提供一种在低温下制备较高致密度的W-Cu复合材料制备方法,该方法烧结温度低,工艺可控,所制备的W-Cu复合材料具有致密度高,导热、导电性好的特点。
本发明解决其技术问题采用以下的技术方案:
本发明提供的W-Cu复合材料的低温制备方法,具体是:以Zn块为靶材采用磁控溅射的方法,或者以纯度为99.9%的Zn粉采用真空热镀工艺在W粉表面包覆一层高纯Zn膜,得到ZnW粉,再将ZnW粉、Cu粉按照体积百分比为W=70.0%~90.0%,Cu=10.0%~30.0%进行球磨混合均匀,然后将混合均匀粉末在100-400MPa下进行冷等静压获得坯体,最后将坯体放入氢气炉中进行气氛烧结,得到ZnW-Cu热用复合材料。
所述磁控溅射的工艺为:真空度为1×10-3~1×10-4Pa,功率为50-120W,溅射时间为5-15min,温度为90-200oC。所述真空热镀工艺为:真空度为1×10-3~1×10-4Pa,温度为400-700oC,保温时间为30-60min。所述气氛烧结工艺为:烧结温度为800oC~1000oC,保温时间为30min~90min,H2气氛中。
所述的Zn块靶材,其纯度为99.99%。
所述的高纯Zn粉,其纯度为99.9%。
所述的W粉,其纯度为99.9%,粒径为2~10μm。
所述的Cu粉,其纯度为99.9%,粒径为1~10μm。
本发明与现有技术相比具有以下主要的优点:
采用以Zn包覆W颗粒,控制无压烧结工艺制度(烧结温度、保温时间),制备出致密度高(大于96.0%)、导热率高(200W/mK左右)、电阻率低(1.7×10-7Ω·m左右)的W-Cu复合材料,该复合材料的致密度高达96.0%以上。
本发明烧结温度与文献报道结果相比较低,仅为800-1000oC,保温30min~90min,且采用工业容易获得的原料和球磨混料方式,烧成产品成分与混料后以及设计成分的吻合度高;因此具有工艺可控、制备时间短、成本低(能耗低)、致密度高、热学、电学性能好等优点。
附图说明
图1为W-Cu复合材料的制备工艺流程图。
图2-图8为所制备的W-Cu复合材料的显微结构图片。
具体实施方式
为了更好地理解本发明,下面结合实施例作进一步说明。
实施例1:
以磁控溅射为例,将经过表面处理后W粉置于磁控溅射的样品台中,以Zn块体为靶材,首先在W粉颗粒表面包覆一层高纯Zn膜,再将ZnW颗粒与Cu粉体积百分比按照W:Cu=70:30%在QM-3SP2型(南京大学仪器厂)球磨机上进行球磨混合均匀,然后将混合均匀的粉末进行在400MPa下进行冷等静压获得坯体,其中W粉粒径为5μm,Cu粉粒径为10μm;最后放入氢气气氛炉中,按指定烧结工艺进行无压烧结,烧结工艺为800oC-90min,具体来说,升温至800oC,在800oC保温90min,随炉自然降温,得到致密ZnW-Cu复合材料。
对W粉表面处理的方法是:将一定量的W粉在17%的盐酸中搅拌1h,然后用蒸馏水清洗至pH为7,真空烘干。
所述磁控溅射的工艺为:真空度为1×10-3~1×10-4Pa,功率为50W,溅射时间为15min,温度为200oC。
所述冷等静压的工艺为:压力为400MPa,保压5min。
采用阿基米德排水方法测得该ZnW-Cu复合材料的密度为16.15g/cm3,致密度达99.8%,热导率为230.5 W/mK,电阻率为0.85×10-7Ω·m。该复合材料显微结构如图2所示,从图2中可以看出ZnW-Cu复合材料十分致密,没有大的孔洞,W粉、Cu粉分布均匀。
实施例2:
以磁控溅射为例,将经过表面处理后W粉置于磁控溅射的样品台中,以Zn块体为靶材,首先在W颗粒表面包覆一层高纯Zn膜,然后将ZnW粉、Cu粉体积比按照W:Cu=90:10%在QM-3SP2型(南京大学仪器厂)球磨机上进行球磨混合均匀,然后将粉末进行在100MPa下进行冷等静压获得坯体,其中W粒径为10μm,Cu粒径为50μm,然后放入氢气气氛炉中,按指定烧结工艺进行无压烧结,烧结工艺为1000oC-30min,具体来说,升温至1000oC,在1000oC保温30min,随炉自然降温,得到致密W-Cu复合材料。
对W粉表面处理的方法是:将一定量的W粉在17%的盐酸中搅拌1h,然后用蒸馏水清洗至pH为7,真空烘干。
所述磁控溅射的工艺为:真空度为1×10-3~1×10-4Pa,功率为120W,溅射时间为5min,温度为90oC。
所述冷等静压的工艺为:压力为100MPa,保压5min。
采用阿基米德排水方法测得该W-Cu复合材料的密度为17.71g/cm3,致密度达97.0%,热导率为200.2 W/mK,电阻率为1.7×10-7Ω·m。该复合材料显微结构如图3所示,从图3中可以看出W-Cu复合材料十分致密,W、Cu分布均匀。
实施例3:
以磁控溅射为例,将经过表面处理后W粉置于磁控溅射的样品台中,以Zn块体为靶材,首先在W颗粒表面包覆一层高纯Zn膜,然后将ZnW粉、Cu粉体积比按照W:Cu=80:20vol%在QM-3SP2型(南京大学仪器厂)球磨机上进行球磨混合均匀,然后将粉末进行在300MPa下进行冷等静压获得坯体,其中W粒径为10μm,Cu粒径为10μm;然后放入氢气气氛炉中,按指定工艺进行无压烧结,烧结工艺为900oC-60min,具体来说,升温至900oC,在900oC保温60min,随炉自然降温,得到致密W-Cu复合材料。
对W粉表面处理的方法是:将一定量的W粉在17%的盐酸中搅拌1h,然后用蒸馏水清洗至pH为7,真空烘干。
所述磁控溅射的工艺为:真空度为1×10-3~1×10-4Pa,功率为100W,溅射时间为10min,温度为150oC。
所述冷等静压的工艺为:压力为300MPa,保压5min。
采用阿基米德排水方法测得该W-Cu复合材料的密度为16.90g/cm3,致密度达98.1%,热导率为210.1 W/mK,电阻率为1.58×10-7Ω·m。该复合材料的显微结构如图4所示,从图4中可以看出W-Cu复合材料十分致密,W、Cu分布均匀。
实施例4:
以真空热镀为例,将经过表面处理后W粉置于真空炉中,以高纯Zn粉为原料,首先在W颗粒表面包覆一层高纯Zn膜,然后将ZnW粉、Cu粉体积比按照W:Cu=80:20vol%在QM-3SP2型(南京大学仪器厂)球磨机上进行球磨混合均匀,然后将粉末进行在400MPa下进行冷等静压获得坯体,其中W粒径为10μm,Cu粒径为10μm;然后放入氢气气氛炉中,按指定工艺进行无压烧结,烧结工艺为800oC-90min,具体来说,升温至800oC,在800oC保温90min,随炉自然降温,得到致密W-Cu复合材料。
对W粉表面处理的方法是:将一定量的W粉在17%的盐酸中搅拌1h,然后用蒸馏水清洗至pH为7,真空烘干。
所述真空热镀工艺为:真空度为1×10-3~1×10-4Pa,温度为400oC,保温时间为60min。
所述冷等静压的工艺为:压力为400MPa,保压5min。
采用阿基米德排水方法测得该W-Cu复合材料的密度为16.95g/cm3,致密度达98.4%,热导率为205.1 W/mK,电阻率为1.5×10-7Ω·m。该复合材料的显微结构如图5所示,从图5中可以看出W-Cu复合材料十分致密,W、Cu分布均匀。
实施例5:
以真空热镀为例,将经过表面处理后W粉置于真空炉中,以高纯Zn粉为原料,首先在W颗粒表面包覆一层高纯Zn膜,然后将ZnW粉、Cu粉体积比按照W:Cu=70:30vol%在QM-3SP2型(南京大学仪器厂)球磨机上进行球磨混合均匀,然后将粉末进行在400MPa下进行冷等静压获得坯体,其中W粒径为10μm,Cu粒径为10μm;然后放入氢气气氛炉中,按指定工艺进行无压烧结,烧结工艺为1000oC-30min,具体来说,升温至1000oC,在1000oC保温30min,随炉自然降温,得到致密W-Cu复合材料。
对W粉表面处理的方法是:将一定量的W粉在17%的盐酸中搅拌1h,然后用蒸馏水清洗至pH为7,真空烘干。
所述真空热镀工艺为:真空度为1×10-3~1×10-4Pa,温度为700oC,保温时间为30min。
所述冷等静压的工艺为:压力为400MPa,保压5min。
采用阿基米德排水方法测得该W-Cu复合材料的密度为15.86g/cm3,致密度达98.0%,热导率为220.1 W/mK,电阻率为1.1×10-7Ω·m。该复合材料的显微结构如图6所示,从图6中可以看出W-Cu复合材料十分致密,W、Cu分布均匀。
实施例6:
以真空热镀为例,将经过表面处理后W粉置于真空炉中,以高纯Zn粉为原料,首先在W颗粒表面包覆一层高纯Zn膜,然后将ZnW粉、Cu粉体积比按照W:Cu=90:10vol%在QM-3SP2型(南京大学仪器厂)球磨机上进行球磨混合均匀,然后将粉末进行在100MPa下进行冷等静压获得坯体,其中W粒径为10μm,Cu粒径为10μm;然后放入氢气气氛炉中,按指定工艺进行无压烧结,烧结工艺为900oC-60min,具体来说,升温至900oC,在900oC保温60min,随炉自然降温,得到致密W-Cu复合材料。
对W粉表面处理的方法是:将一定量的W粉在17%的盐酸中搅拌1h,然后用蒸馏水清洗至pH为7,真空烘干。
所述真空热镀工艺为:真空度为1×10-3~1×10-4Pa,温度为500oC,保温时间为40min。
所述冷等静压的工艺为:压力为100MPa,保压5min。
采用阿基米德排水方法测得该W-Cu复合材料的密度为17.80g/cm3,致密度达97.5%,热导率为198.2 W/mK,电阻率为1.9×10-7Ω·m。该复合材料的显微结构如图7所示,从图7中可以看出W-Cu复合材料十分致密,W、Cu分布均匀。
实施例7:
以真空热镀为例,将经过表面处理后W粉置于真空炉中,以高纯Zn粉为原料,首先在W颗粒表面包覆一层高纯Zn膜,然后将ZnW粉、Cu粉体积比按照W:Cu=80:20vol%在QM-3SP2型(南京大学仪器厂)球磨机上进行球磨混合均匀,然后将粉末进行在200MPa下进行冷等静压获得坯体,其中W粒径为10μm,Cu粒径为10μm;然后放入氢气气氛炉中,按指定工艺进行无压烧结,烧结工艺为900oC-90min,具体来说,升温至900oC,在900oC保温90min,随炉自然降温,得到致密W-Cu复合材料。
对W粉表面处理的方法是:将一定量的W粉在17%的盐酸中搅拌1h,然后用蒸馏水清洗至pH为7,真空烘干。
所述真空热镀工艺为:真空度为1×10-3~1×10-4Pa,温度为500oC,保温时间为60min。
所述冷等静压的工艺为:压力为200MPa,保压5min。
采用阿基米德排水方法测得该W-Cu复合材料的密度为16.87g/cm3,致密度达97.9%,热导率为205.4 W/mK,电阻率为1.5×10-7Ω·m。该复合材料的显微结构如图8所示,从图8中可以看出W-Cu复合材料十分致密,W、Cu分布均匀。
Claims (7)
1. 一种ZnW-Cu热用复合材料的制备方法,其特征是以Zn块为靶材采用磁控溅射的方法,或者以纯度为99.9%的Zn粉采用真空热镀工艺在W粉表面包覆一层高纯Zn膜,得到ZnW粉,再将ZnW粉、Cu粉按照体积百分比为W=70.0%~90.0%,Cu=10.0%~30.0%进行球磨混合均匀,然后将混合均匀粉末在100-400MPa下进行冷等静压获得坯体,最后将坯体放入氢气炉中进行气氛烧结,得到ZnW-Cu热用复合材料。
2. 根据权利要求1所述的ZnW-Cu热用复合材料的制备方法,其特征在于所述磁控溅射的工艺为:真空度为1×10-3~1×10-4Pa,功率为50-120W,溅射时间为5-15min,温度为90-200oC。
3. 根据权利要求1所述的ZnW-Cu热用复合材料的制备方法,其特征在于所述真空热镀工艺为:真空度为1×10-3~1×10-4Pa,温度为400-700oC,保温时间为30-60min。
4. 根据权利要求1所述的ZnW-Cu热用复合材料的制备方法,其特征在于所述气氛烧结工艺为:烧结温度为800oC~1000oC,保温时间为30min~90min,H2气氛中。
5.根据权利要求1所述的ZnW-Cu热用复合材料的制备方法,其特征在于所述的Zn靶材的纯度为99.99%。
6. 根据权利要求1所述的ZnW-Cu热用复合材料的制备方法,其特征在于所述的W粉的纯度为99.9%,粒径为2~10μm。
7.根据权利要求1所述的ZnW-Cu热用复合材料的制备方法,其特征在于所述的Cu粉的纯度为99.9%,粒径为1~10μm。
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CN102925727A (zh) | 2013-02-13 |
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