CN102817001A - 溅镀机及其磁铁的控制方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title abstract description 6
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 235000019994 cava Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000009183 running Effects 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000737 Duralumin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
一种溅镀机及其磁铁的控制方法，此溅镀机包括一腔室、一靶材载板、一遮罩、一磁铁、一驱动机构及一程式化控制器。腔室具有一腔室开口。靶材载板位于腔室内。屏蔽覆盖腔室开口，屏蔽具有一小于腔室开口且曝露靶材载板的屏蔽开口。磁铁位于腔室内。驱动机构连接磁铁，以驱动磁铁于靶材载板上移动。程序化控制器连接于驱动机构，以驱动磁铁沿一具有两第一端点的第一路径及一具有两第二端点的第二路径移动，第一路径与第二路径均跨越屏蔽开口，两第二端点都介于两第一端点间。磁铁于两第一端点所占空间不重迭于磁铁于两第二端点所占空间。
Description
技术领域
本发明关于一种金属薄膜的沉积设备，尤其是一种溅镀机及其磁铁的控制方法。
背景技术
在液晶显示面板、等离子显示面板或是半导体的微型电路的工艺中，为了制作出各形状的金属线或是金属接点，制造者需要将金属薄膜形成于基板上。一般来说，将金属薄膜形成于基板上的方法可分为物理气相沉积(Physical VaporDeposition，简称PVD)方法以及化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)方法。其中，PVD法主要可分为溅镀(Sputtering)法、电阻加热蒸镀法以及电子鎗加热蒸镀法。所谓的溅镀法，是指于一真空***中，通入惰性气体（如氩气，Argon，简称Ar）于一溅镀机的一腔室内。溅镀机利用磁场或电场产生等离子，等离子游离氩气中的离子，以使离子轰击一靶材。当靶材被离子轰击后，靶材表面(正面)的靶材原子脱离溅出并且飞向基板（被溅镀物）。最后，飞向基板的靶材原子会附着于基板的表面，以在基板的表面上堆积而形成一层金属薄膜。
一般来说，溅镀机由一腔室、一承载盘、一靶材载板、一屏蔽以及一磁铁所构成。承载盘用以承载一基板，同时承载板连接一正电极。腔室对应于承载盘，屏蔽以及靶材载板设于腔室内。一负电极则连接载有一靶材的靶材载板。磁铁设置于靶材载板上。磁铁以及靶材分别设于靶材载板的相对两表面。磁铁适于产生磁场线。磁铁沿着一固定路径移动，其中此固定路径为一直线。另外，固定路径具有一中点以及两端点。于现有技术中，当磁铁于固定路径的两端点间往返移动时，磁铁于对称于中继点的位置上的速度都相同。在进行溅镀的过程中，磁铁所产生的磁场线用以对靶材表面附近的等离子内的电子产生作用力，使电子以螺旋的方式进行移动。如此，相较于不具有磁铁的溅镀机，具有磁铁的溅镀机可提高电子移动时碰撞氩气的次数。当电子碰撞氩气的次数越多时，氩气的离子数目也会增加。当氩气的离子数目增加时，将会有更多的靶材原子被离子轰击而脱离，而使得更多的靶材原子附着于基板的表面。由上述可得知，藉由磁铁的磁场线作用，相较于不具有磁铁的溅镀机，具有磁铁的溅镀机可提升溅镀机的溅镀（形成金属薄膜）速率。
但是，于现有技术中，当磁铁沿着固定路径于靶材载板上移动时，因为磁铁于两端点的停留时间较长，容易导致相对于固定路径两端点的靶材产生过多的脱离。当靶材相对于两端点之处产生过多的脱离时，靶材即无法继续使用，制造者必须更换另一新的靶材以继续进行溅镀。从另外一个角度来看，当靶材相对于两端点之处产生过多的脱离时，即表示靶材相对于固定路径的中点附近之处仍具有足够的材料以进行溅镀。如此一来，虽然靶材相对于中点附近仍具有可利用的材料，但靶材却无法继续使用而需更换另一新的靶材。是故，现有技术的磁铁的控制方法将造成靶材的浪费，进而产生增加液晶显示面板的生产成本的问题。
发明内容
本发明提供一种溅镀机及其磁铁的控制方法，其中溅镀机的磁铁具有两位于同一直线的移动路径，借以解决现有技术的溅镀过程中，靶材的边缘会产生过多的脱离，进而造成生产成本增加的问题。
本发明的一实施例揭露一溅镀机，其包括一腔室、一靶材载板、一屏蔽、一磁铁、一驱动机构以及一程序化控制器。腔室具有一腔室开口。靶材载板位于腔室内。屏蔽覆盖腔室开口，屏蔽具有一屏蔽开口，屏蔽开口小于腔室开口，并且屏蔽开口曝露靶材载板。磁铁位于腔室内，并且靶材载板介于屏蔽与磁铁之间。驱动机构连接于磁铁，用以驱动磁铁于靶材载板上移动。程序化控制器连接于驱动机构，用以经由驱动机构驱动磁铁沿一第一路径以及一第二路径移动，第一路径具有两第一端点，第二路径具有两第二端点，第一路径与第二路径均跨越屏蔽开口，第二路径的两第二端点介于第一路径的两第一端点之间，并且磁铁于两第一端点所占据的空间不重迭于磁铁于两第二端点所占据的空间。
其中，该屏蔽开口包括彼此相对的两侧缘，该第二路径由一该侧缘朝向另一该侧缘延伸，该屏蔽开口自该屏蔽的一内壁面贯穿该屏蔽，该磁铁位于一该第二端点时，该磁铁于该内壁面的一正交投影覆盖一该侧缘，该磁铁位于另一该第二端点时，该磁铁于该内壁面的另一正交投影覆盖另一该侧缘。
其中，该驱动机构包括：一滑轨，该磁铁以可滑动的方式配置于该滑轨上，该滑轨定义出该第一路径以及该第二路径，其中该第二路径重迭于该第一路径；一传动件，连接于该磁铁；以及一致动器，连接于该传动件以及该程序化控制器，用以受该程序化控制器的控制而经由该传动件驱动该磁铁沿着该滑轨滑动。
其中，更包括一直流电源，该直流电源包括一正极以及一负极，该屏蔽连接于该正极，该靶材载板连接于该负极。
其中，更包括一接地的环型挡墙，该屏蔽包括一板体以及一环型墙体，该屏蔽开口贯穿该板体，该环型墙***于该板体上并且环绕该屏蔽开口，该环型挡墙围绕该环型墙体。
其中，该磁铁于平行于该第一路径的方向上的宽度小于两个相邻的该第一端点与该第二端点的距离。
其中，该磁铁于平行于该第一路径的方向上的宽度小于两个相邻的该第一端点与该第二端点的距离的一半。
在本发明的另一实施例揭露一磁铁的控制方法，用以在一溅镀过程中控制一靶材的消耗，此磁铁的控制方法的步骤包括将靶材配置于一磁铁与一屏蔽之间，屏蔽与一直流电源的正极连接，并且屏蔽包括一屏蔽开口。使磁铁于一第一路径的两第一端点之间往返，以使部分的靶材自靶材表面脱离，而形成对应于两第一端点的两第一凹陷，其中第一路径跨越屏蔽开口。当任一两第一凹陷的深度大于一临界值时，使磁铁于一第二路径的两第二端点之间往返并且第二路径不经过两第一端点，以使部分的靶材自靶材表面脱离，而形成对应于两第二端点的两第二凹陷，其中第二路径跨越屏蔽开口，两第二端点介于两第一端点之间，以使两第一凹陷与两第二凹陷彼此间隔一大于零的距离。
1.根据权利要求8所述的磁铁的控制方法，其特征在于，该屏蔽开口包括彼此相对的两侧缘，该第二路径由一该侧缘朝向另一该侧缘延伸，该屏蔽开口自该屏蔽的一内壁面贯穿该屏蔽，
该磁铁位于一该第二端点时，该磁铁于该内壁面的一正交投影覆盖一该侧缘，
该磁铁位于另一该第二端点时，该磁铁于该内壁面的另一正交投影覆盖另一该侧缘。
其中，该第一路径具有至少一对中继点，该对中继点的位置对称于该第一路径的一中点，该磁铁经过该对中继点的速度不相同。
其中，该屏蔽开口包括彼此相对的两侧缘，该第二路径由一该侧缘朝向另一该侧缘延伸，该屏蔽开口自该屏蔽的一内壁面贯穿该屏蔽，该磁铁位于一该第二端点时，该磁铁于该内壁面的一正交投影覆盖一该侧缘，该磁铁位于另一该第二端点时，该磁铁于该内壁面的另一正交投影覆盖另一该侧缘。
其中，该第一路径具有至少一对中继点，该对中继点的位置对称于该第一路径的一中点，该磁铁经过该对中继点的速度不相同。
基于上述的实施例，由于溅镀机的磁铁沿第一路径以及第二路径相对于靶材移动，其中第二路径的两第二端点介于第一路径的两第一端点之间，且磁铁于两第一端点所占据的空间不重迭于磁铁于两第二端点所占据的空间。是以，相较于现有技术而言，当溅镀机进行溅镀时，溅镀机可有效利用靶材，以使靶材均匀地脱离，进而使靶材原子形成至基板上，同时可避免靶材的浪费，进而解决生产成本增加的问题。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为本发明的一实施例的溅镀机的剖面示意图。
图2为本发明的一实施例的磁铁的控制方法的流程图。
图3为图1的溅镀机的磁铁于溅镀的过程中沿第一路径的移动示意图。
图4为图1的溅镀机的磁铁于溅镀的过程中沿第二路径的移动示意图。
图5为图1的5-5剖切线的示意图。
图6为图1的溅镀机的滑轨以及磁铁的示意图。
图7为图6的磁铁的行进距离与速度的坐标图。
图8为本发明的另一实施例的溅镀机的剖面示意图。
图9为图8的9-9剖切线的示意图。
其中，附图标记：
100：溅镀机
110：腔室
112：腔室开口
120：屏蔽
122：屏蔽开口
123、124：侧缘
125：板体
126：环型墙体
128：内壁面
130：靶材载板
132：冷却水路
140：磁铁
150：驱动机构
152：滑轨
154：传动件
156：致动器
160：程序化控制器
170：环型挡墙
180：承载盘
181：碳板
182：加热器
184：冷却水路
200：靶材
210、212：第一凹陷
220、222：第二凹陷
230：靶材表面
240：铟胶
310：第一路径
312、314：第一端点
320：第二路径
322、324：第二端点
330：第三路径
332、334：第三端点
340、342：中继点
350：中点
400：基板
510、512：第一投影区
520、522：第二投影区
530、532：第三投影区
D1：临界值
D2：距离
具体实施方式
根据本发明的实施例揭露一种溅镀机，溅镀机适于承载一基板，溅镀机用对基板进行溅镀工艺，以使一靶材脱离，而使靶材形成至基板上。
请参照图1，图1为本发明的一实施例的溅镀机的剖面示意图。在本实施例中，溅镀机100包括一腔室110、一屏蔽120、一靶材载板130、一磁铁140、一驱动机构150以及一程序化控制器160。
腔室110具有一腔室开口112。靶材载板130适于承载一靶材（未绘示）。另外，靶材载板130对应于腔室开口112。靶材载板130内例如设有一冷却水路132，冷却水路132用以冷却靶材。磁铁140位于腔室110内且设置于靶材载板130上。另外，靶材载板130介于屏蔽120与磁铁140之间。
在本实施例中，靶材载板130的材质为铜，但非用以限定本发明。
屏蔽120覆盖腔室开口112。屏蔽120包括一板体125以及一环型墙体126。板体125具有一内壁面128，内壁面128面对靶材载板130。环型墙体126位于板体125上。此外，屏蔽120具有一屏蔽开口122，屏蔽开口122自内壁面128贯穿屏蔽120的板体125，以使屏蔽开口122曝露靶材载板130。环型墙体126环绕屏蔽开口122，屏蔽开口122小于腔室开口112，屏蔽开口122包括彼此相对的两侧缘123、124。
驱动机构150连接于磁铁140。驱动机构150用以驱动磁铁140于靶材载板130上移动。于本实施例以及本发明的部分的其它实施例中，驱动机构150设于腔室110内，且驱动机构150包括一滑轨152、一传动件154以及一致动器156。滑轨152设于靶材载板130上，而磁铁140以可滑动的方式配置于滑轨152上，传动件154连接于磁铁140。致动器156连接于传动件154以及程序化控制器160，致动器156用以受程序化控制器160的控制而经由传动件154驱动磁铁140沿着滑轨152往返移动。
程序化控制器160连接于驱动机构150的致动器156。于本实施例以及本发明之部分的其它实施例中，程序化控制器160设于腔室110内。程序化控制器160用以经由传动件154以及致动器156来驱动磁铁140沿着滑轨152移动。
在本实施例以及本发明的部分的其它实施例中，溅镀机100更包括一承载盘180（Susceptor），承载盘180用以承载一基板（未绘示），同时基板对应于屏蔽120的屏蔽开口122。承载盘180包括一碳板181、一加热器182以及一冷却水路184。加热器182用以对基板加热。碳板181为一绝缘体，且碳板181主要用以吸收加热器182运作时的热能并进行散热。冷却水路184设于加热器182下方，冷却水路184用以冷却加热器182。
当溅镀机100运作时，溅镀机100连接一直流电源。直流电源的一负极连接于靶材载板130，且直流电源的一正极连接屏蔽120。藉由上述的电源连接方式，一电场可以形成于溅镀机100内。
于一实施例中，溅镀机100更包括一环型挡墙170，环型挡墙170设于靶材载板130的边缘，同时环型挡墙170围绕环型墙体126。环型挡墙170用以预防溅镀机100进行溅镀时靶材的回镀。另外，环型挡墙170为接地。
以下介绍磁铁140的移动路径。滑轨152定义出一第一路径310以及一第二路径320，磁铁140可沿第一路径310以及第二路径320移动。第一路径310具有两第一端点312、314以及一中点350。第一端点312对应于侧缘123，而第一端点314对应于侧缘124。第二路径320由侧缘123朝向侧缘124延伸，第二路径320具有两第二端点322、324。第二端点322对应于侧缘123，而第二端点324对应于侧缘124。第一路径310与第二路径320均跨越屏蔽开口122。在本实施例中，第二路径320重迭于第一路径310，同时第一路径310以及第二路径320都为直线。
再者，第二路径320的两第二端点322、324介于第一路径310的两第一端点312、314之间。同时，磁铁140于两第一端点312、314时所占据的空间不重迭于磁铁140于两第二端点322、324所占据的空间。磁铁140于平行于第一路径310的方向上的宽度小于两个相邻的第一端点312与第二端点322的距离。于另一侧，磁铁140于平行于第一路径310的方向上的宽度小于两个相邻的第一端点314与第二端点324的距离（如图5所示，图5为图1的5-5剖切线的示意图）。
以下介绍溅镀机100的磁铁140的控制方法的流程图。请同时参照图2以及图3，图2为本发明的一实施例的磁铁的控制方法的流程图，图3为图1的溅镀机的磁铁于溅镀的过程中沿第一路径的移动示意图。
首先，将一靶材200配置于磁铁140与屏蔽120之间（S110）。首先，一铟胶240涂布于靶材载板上，一靶材200配置于铟胶240上。靶材200的靶材表面230对应于腔室开口112。同时，将一基板400配置于一承载盘180上。此外，更将直流电源的正极连接于屏蔽120，并且将直流电源的负极连接于靶材载板130。
在本实施例中，靶材200的材质可为铝（Aluminum，简称Al）、铝合金（Aluminum alloy）、铜（Copper，简称Cu）、金（Gold，简称Au）、铟锡氧化物（Indium Tin Oxide，简称ITO）或钼（Molybdenum，简称MO）。基板400的材质为玻璃。但上述的材质都非用以限定本发明。
接着，使磁铁140于第一路径310的两第一端点312、314之间往返，以使部分的靶材200自靶材表面230脱离（S130），而形成对应于两第一端点312、314的两第一凹陷210、212。其中第一路径310跨越屏蔽开口122。也就是说，即溅镀机110开始对基板400进行溅镀时，程序化控制器160驱动磁铁140于滑轨152上移动。磁铁140利于促使靶材200自靶材表面230脱离。由于磁铁140于第一路径310上往返移动时，磁铁140停留于两第一端点312、314的时间较长，而容易使对应于两第一端点312、314的靶材200脱离。所以，当靶材200的靶材表面230上的原子进行脱离时，于对应于第一端点312、314的靶材200上分别产生两第一凹陷210、212。
请同时参照图3以及图4，图4为图1的溅镀机的磁铁于溅镀过程中沿第二路径的移动示意图。然后，当任一两第一凹陷210、212的深度大于一临界值D1时，使磁铁140于一第二路径320的两第二端点322、324之间往返并且第二路径320不经过两第一端点312、314，以使部分的靶材200自靶材表面230脱离（S150），而形成对应于两第二端点322、324的两第二凹陷220、222（如图4所示）。第二路径320跨越屏蔽开口122。此时，因为靶材200的两第一凹陷210、212的深度大于临界值D1，即两第一凹陷210、212接近至靶材载板130时，程序化控制器160调整磁铁140改为于第二路径320的两第二端点322、324之间往返。如此，磁铁140不再经过相对于靶材200的第一凹陷210、212处，是故，两第一凹陷210、212的深度不会再加深。
在本实施例以及本发明的部分的其它实施例中，当磁铁140位于第二端点322时，磁铁140于内壁面128的一正交投影覆盖侧缘123，磁铁140位于第二端点324时，磁铁于内壁面128的另一正交投影覆盖侧缘124。两第二端点322、324介于两第一端点312、314之间，以使两第一凹陷210、212与两第二凹陷220、222彼此间隔一大于零的距离D2（磁铁140的移动方式如图5所示，图5为图1的5-5剖切线的示意图，第一投影区510、512分别为磁铁140位在第一端点310、第一端点312时于内壁面128的正交投影，第二投影区520、522分别为磁铁140位在第二端点320、第二端点322时于内壁面128的正交投影）。
在本发明中，正交投影定义为投影线垂直于投影面的投影。也就是说，在本实施例以及部分的其它实施例中，当磁铁140位于第二端点322时，磁铁140的一垂直内壁面128的投影面会覆盖侧缘123；磁铁140位于第二端点324时，磁铁140的一垂直内壁面128的投影面会覆盖侧缘124。意即磁铁140于第二路径320进行往返移动时，磁铁140覆盖屏蔽开口122。
于现有技术中，现有技术的磁铁仅可对称于中点以进行同速度的移动。在本实施例中，相较于现有技术，磁铁140的移动速度可根据实际需求于同一路径上的不同区间内进行不同速度的变化。以下将介绍磁铁140于滑轨152上的移动速度区间。请同时参照图6以及图7，图6为图1的溅镀机的滑轨以及磁铁的示意图。图7为图6的磁铁的行进距离与速度的坐标图。第一路径310具有一对中继点340、342，中继点340、342的位置对称于第一路径310的中点350，且磁铁140经过上述的中继点340、342的速度不相同。举例来说，在本实施例中，第一路径310的总长度为570公厘（millimeter，mm），中继点340位于中点350以及第一端点312的中端，中继点342位于中点350以及第一端点314的中端。磁铁140自第一路径310的第一端点312至第一端点314进行移动。由图7可得知，当磁铁140位于中继点340时，磁铁140的速度为490（公厘/秒，mm/s）；当磁铁140位于中继点342时，磁铁140的速度为430（mm/s）。换句话说，即本实施例的磁铁140的移动速度并不对称于中点350。如此一来，本实施例的溅镀机100更能有效调整靶材200各部分的厚度，以利于溅镀时靶材200的充分利用以及靶材200的原子的均匀脱离。
图1的实施例非用以限制磁铁140的尺寸与宽度以及第一路径310与第二路径320之间的距离。为了更有效利用靶材200，磁铁140更可具有彼此相互重迭的三条以上的移动路径。请同时参照图8以及图9，图8为本发明的另一实施例的溅镀机的剖面示意图，图9为图8的9-9剖切线的示意图。其中相同的标号代表着与前述实施例相同或是类似的组件。在本实施例中，除了原先的第一路径310以及第二路径320外，磁铁140于滑轨152上更具有一第三路径330，且第三路径330具有两第三端点332、334。第三端点332介于第一端点312以及第二端点322之间，第三端点334介于第一端点314以及第二端点324之间。同时，磁铁140于平行于第一路径310的方向上的宽度小于相邻的第一端点312与第二端点332的距离的一半。另一侧，磁铁140于平行于第一路径310的方向上的宽度小于相邻的第一端点314与第二端点324的距离的一半（如图9所示，第一投影区510、512分别为磁铁140位在第一端点310、第一端点312时于屏蔽120的内壁面128的正交投影，第二投影区520、522分别为磁铁140位在第二端点320、第二端点322时于内壁面128的正交投影，第三投影区530、532分别为磁铁140位在第三端点330、第三端点332时于内壁面128的正交投影）。是故，在本实施例以及部分的其它实施例中，磁铁140更可具有介于第一路径310以及第二路径320之间的第三路径330，且第三端点332、334所占据的空间不重迭于磁铁140于两第一端点312、314或两第二端点322、324所占据的空间。如此一来，当磁铁140的宽度越小时，磁铁140即可具有更多跨越屏蔽开口122的复数个移动路径。因此，当磁铁140具有三种以上彼此重迭的移动路径时，更可有效利用靶材200以对基板400进行溅镀。
基于上述的实施例，由于溅镀机的磁铁具有两种以上不同长度的移动路径，因此当溅镀机进行溅镀，而靶材的两端点产生过深的凹陷时，溅镀机自动调整磁铁的移动路径，使第二移动路径不重迭于已产生过深的凹陷的第一动路径的两端点，以避免靶材的两端点产生过多的脱离，进而损坏溅镀机的靶材载板。是以，相较于现有技术而言，本实施例所揭露的溅镀机及其磁铁的控制方法，能有效控制靶材的脱离，进而可重复使用原本应被更换的靶材。同时，藉由可自由调整磁铁的移动速度，更能调整靶材各部分的厚度，达到充分利用靶材的效果。如此一来，采用上述实施例的溅镀机的液晶显示面板工艺，避免了靶材的浪费，以达到降低生产成本的功效。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种溅镀机，其特征在于，包括：
一腔室，具有一腔室开口；
一靶材载板，位于该腔室内；
一屏蔽，覆盖该腔室开口，该屏蔽具有一屏蔽开口，该屏蔽开口小于该腔室开口，并且该屏蔽开口曝露该靶材载板；
一磁铁，位于该腔室内，并且该靶材载板介于该屏蔽与该磁铁之间；
一驱动机构，连接于该磁铁，用以驱动该磁铁于该靶材载板上移动；以及
一程序化控制器，连接于该驱动机构，用以经由该驱动机构驱动该磁铁沿一第一路径以及一第二路径移动，该第一路径具有两第一端点，该第二路径具有两第二端点，该第一路径与该第二路径均跨越该屏蔽开口，该第二路径的该两第二端点介于该第一路径的该两第一端点之间，并且该磁铁于该两第一端点所占据的空间不重迭于该磁铁于该两第二端点所占据的空间。
2.根据权利要求1所述的溅镀机，其特征在于，该屏蔽开口包括彼此相对的两侧缘，该第二路径由一该侧缘朝向另一该侧缘延伸，该屏蔽开口自该屏蔽的一内壁面贯穿该屏蔽，
该磁铁位于一该第二端点时，该磁铁于该内壁面的一正交投影覆盖一该侧缘，
该磁铁位于另一该第二端点时，该磁铁于该内壁面的另一正交投影覆盖另一该侧缘。
3.根据权利要求1所述的溅镀机，其特征在于，该驱动机构包括：
一滑轨，该磁铁以可滑动的方式配置于该滑轨上，该滑轨定义出该第一路径以及该第二路径，其中该第二路径重迭于该第一路径；
一传动件，连接于该磁铁；以及
一致动器，连接于该传动件以及该程序化控制器，用以受该程序化控制器的控制而经由该传动件驱动该磁铁沿着该滑轨滑动。
4.根据权利要求1所述的溅镀机，其特征在于，更包括一直流电源，该直流电源包括一正极以及一负极，该屏蔽连接于该正极，该靶材载板连接于该负极。
5.根据权利要求1所述的溅镀机，其特征在于，更包括一接地的环型挡墙，该屏蔽包括一板体以及一环型墙体，该屏蔽开口贯穿该板体，该环型墙***于该板体上并且环绕该屏蔽开口，该环型挡墙围绕该环型墙体。
6.根据权利要求1所述的溅镀机，其特征在于，该磁铁于平行于该第一路径的方向上的宽度小于两个相邻的该第一端点与该第二端点的距离。
7.根据权利要求1所述的溅镀机，其特征在于，该磁铁于平行于该第一路径的方向上的宽度小于两个相邻的该第一端点与该第二端点的距离的一半。
8.一种磁铁的控制方法，用以在一溅镀过程中控制一靶材的消耗，其特征在于，其步骤包括：
将该靶材配置于一磁铁与一屏蔽之间，该屏蔽与一直流电源的一正极连接，并且该屏蔽包括一屏蔽开口；
使该磁铁于一第一路径的两第一端点之间往返，以使部分的该靶材自该靶材表面脱离，而形成对应于该两第一端点的两第一凹陷，其中该第一路径跨越该屏蔽开口；以及
当任一该两第一凹陷的深度大于一临界值时，使该磁铁于一第二路径的两第二端点之间往返并且该第二路径不经过该两第一端点，以使部分的该靶材自该靶材表面脱离，而形成对应于该两第二端点的两第二凹陷，其中该第二路径跨越该屏蔽开口，
该两第二端点介于该两第一端点之间，以使该两第一凹陷与该两第二凹陷彼此间隔一大于零的距离。
9.根据权利要求8所述的磁铁的控制方法，其特征在于，该屏蔽开口包括彼此相对的两侧缘，该第二路径由一该侧缘朝向另一该侧缘延伸，该屏蔽开口自该屏蔽的一内壁面贯穿该屏蔽，
该磁铁位于一该第二端点时，该磁铁于该内壁面的一正交投影覆盖一该侧缘，
该磁铁位于另一该第二端点时，该磁铁于该内壁面的另一正交投影覆盖另一该侧缘。
10.根据权利要求8所述的磁铁的控制方法，其特征在于，该第一路径具有至少一对中继点，该对中继点的位置对称于该第一路径的一中点，该磁铁经过该对中继点的速度不相同。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW101120330A TWI438297B (zh) | 2012-06-06 | 2012-06-06 | 濺鍍機及其磁鐵的控制方法 |
| TW101120330 | 2012-06-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102817001A true CN102817001A (zh) | 2012-12-12 |
| CN102817001B CN102817001B (zh) | 2014-05-14 |
Family
ID=47301437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210272078.XA Expired - Fee Related CN102817001B (zh) | 2012-06-06 | 2012-08-01 | 溅镀机及其磁铁的控制方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102817001B (zh) |
| TW (1) | TWI438297B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103911592A (zh) * | 2014-03-19 | 2014-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种磁控溅射装置及方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI730862B (zh) * | 2020-08-03 | 2021-06-11 | 國立陽明交通大學 | 製造具厚度變化的薄膜的方法 |
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| JPH11350123A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-21 | Hitachi Ltd | 薄膜製造装置および液晶表示基板の製造方法 |
| JP2001335930A (ja) * | 2000-05-25 | 2001-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JP4082852B2 (ja) * | 2000-07-13 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜形成装置 |
| CN102465268A (zh) * | 2010-11-08 | 2012-05-23 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 磁控源和磁控溅射设备、以及磁控溅射方法 |
-
2012
- 2012-06-06 TW TW101120330A patent/TWI438297B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-08-01 CN CN201210272078.XA patent/CN102817001B/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN103911592A (zh) * | 2014-03-19 | 2014-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种磁控溅射装置及方法 |
| CN103911592B (zh) * | 2014-03-19 | 2016-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种磁控溅射装置及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI438297B (zh) | 2014-05-21 |
| TW201350599A (zh) | 2013-12-16 |
| CN102817001B (zh) | 2014-05-14 |
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