CN102812570A - 用于转换发光波长的均匀膜层结构及其形成方法 - Google Patents
用于转换发光波长的均匀膜层结构及其形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102812570A CN102812570A CN2010800582587A CN201080058258A CN102812570A CN 102812570 A CN102812570 A CN 102812570A CN 2010800582587 A CN2010800582587 A CN 2010800582587A CN 201080058258 A CN201080058258 A CN 201080058258A CN 102812570 A CN102812570 A CN 102812570A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- fluorescent
- stratum granulosum
- layer structure
- film layer
- cementation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 77
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 107
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 80
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 35
- 210000000498 stratum granulosum Anatomy 0.000 claims description 118
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 24
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 claims description 13
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 12
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 17
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000007613 slurry method Methods 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- NHDHVHZZCFYRSB-UHFFFAOYSA-N pyriproxyfen Chemical compound C=1C=CC=NC=1OC(C)COC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 NHDHVHZZCFYRSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 241001025261 Neoraja caerulea Species 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000013536 elastomeric material Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- -1 lamellar body Substances 0.000 description 1
- 239000006194 liquid suspension Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
一种用于转换发光波长的均匀膜层结构及其形成方法,该形成均匀膜层结构的方法包括:提供一对象的第一表面,于该第一表面上形成至少一萤光颗粒层,其中,该萤光颗粒为萤光体粉末或包括萤光体粉末及粘合材料;以及于该萤光颗粒层上形成第一粘固层,以固定该萤光颗粒层,借此使萤光体粉末占据该经粘固各该萤光颗粒的萤光颗粒层75%以上的体积。
Description
相关申请的交叉引用
本申请案主张与本案同一申请人于2009年12月26日申请的第61/284,792号美国临时申请案的优先权,其概括及合并的全文并入本文做为参考。此申请案也与本案申请人于2009年10月05日申请的第12/587,290号美国专利案、2009年10月05日申请的第12/587,281号美国专利案、以及2009年10月05日申请的第12/587,291号美国专利案相关,其概括及合并的全文并入本文做为参考。
技术领域
本发明涉及一种形成均匀膜层结构的方法,尤指一种关于用于转换LED发光波长的均匀膜层结构及其形成方法。
背景技术
本发明为一般关于材料制程及光学设备技术。更特定而言,本发明的实施例提供用以形成均匀材料层的方法及***,其可用于光学装置,像是LED装置中透镜的萤光体层。此处所使用的「萤光体」是指任何发光材料,其吸收一种波长的光以及发射不同波长的光。在此,「萤光体」及「波长转换材料」的用语可交替地使用。
萤光体材料已经广泛地使用于产生白光的LED封装或各种具有蓝泵LEDs(blue pump LEDs)(例如,萤光体转换的绿色或红色)的光色。于蓝色LED芯片或封装组件的上沉积萤光体材料的传统方法包含:
浆液方法:萤光颗粒散布于硅树脂环氧树脂或溶剂填充材料中以形成萤光体混合物,其借由像是喷涂或浸渍涂布或分配或在杯内的萤光体或制模于支撑结构上等各种技术将该萤光体混合物施用至LED表面或封装透镜材料。
电泳沉积(EPD):萤光颗粒散布至电化学溶液以及借由跨接在LED晶圆及电化学溶液的偏压电压沉积于LED晶圆上。
上述传统方法的问题在于LED表面上或LED封装内部厚度均匀性差异。浆液方法通常形成具有厚度不一的颗粒层,导致LED的光色点不一致以及萤光体转换LED的颜色均匀性变差。此外,该些传统方法很难于非平坦表面上形成均匀的萤光体层。以这些传统方法满足照明应用上的要求遂面临相当大的挑战。
已知以远程萤光体技术(remote phosphor)应用萤光体硅树脂至LED非平坦封装表面上的一个问题在于萤光体涂布均匀性。因为萤光体-硅树脂混合物的粘度通常高于固化的LED封装胶体,也因此,造成萤光体-硅树脂的曲率较大,也就是,萤光体层中央区厚度大于外缘。在远程萤光体技术应用方面,在LED二次光学组件上形成均匀萤光体涂层也存在相同的挑战。
因此,如何提供一种用于转换发光波长的均匀膜层结构,以改善LED的光学性质,实为一重要课题。
发明内容
本发明提供以高产率沉积均匀萤光颗粒层至各种LED封装结构或LED芯片的制造方法。本发明部分实施例可应用于用以涂布萤光体至LED二次光学组件上。此处所使用的「萤光体(phosphor)」是指任何吸收一种波长的光以及发射不同波长的光的发光材料。
具体而言,本发明揭露一种形成均匀膜层结构的方法,其包括:提供一物件的第一表面;于该第一表面上形成至少一萤光颗粒层(layerof phosphor particles),其中,该萤光颗粒为萤光体粉末(phosphorpowders),且每一该萤光颗粒层中的萤光颗粒至少与另一萤光颗粒连接,而令该萤光颗粒层中的萤光颗粒无一与其其它萤光颗粒无连接关系;以及于该萤光颗粒层上形成第一粘固层,以固接该萤光颗粒层。
于本发明的具体实施例中,该第一粘固层可为粘合颗粒(binderparticales)的层。
本发明还提供一种形成均匀膜层结构的方法,其包括:提供第一表面;于该第一表面上形成至少一层萤光颗粒层,其中,各该萤光颗粒包括萤光体粉末及粘合材料;以及粘固各该萤光颗粒。
在萤光颗粒包括萤光体粉末及粘合材料的具体实施例中,该萤光颗粒为萤光体粉末及粘合材料的混合物或该粘合材料包覆萤光体粉末所形成者,而粘固该萤光颗粒的步骤是指加热该粘合材料,以粘固各该萤光颗粒。该萤光体粉末占有该经粘固各该萤光颗粒的萤光颗粒层75%以上的体积。另外,还可于该萤光颗粒层上形成第一粘固层,再加热该粘合材料及第一粘固层以固化该萤光颗粒层。
于本发明的具体实施例中,该物件的第一表面可由具有粘性的第二粘固层所提供。于另一本发明的具体实施例,该第一粘固层可为防潮(moisture resistant)材料层,例如聚对二甲苯(parylene)。
于本发明的具体实施例中,该方法还可包括转移步骤,如将该经固化的萤光颗粒层转移至另一物件的第二表面上或上方;或者将该经粘固各该萤光颗粒的萤光颗粒层转移至另一物件的第二表面上或上方。该第二表面可为LED透镜、二次光学组件(secondary optics)、LED封装体、LED晶粒或LED晶圆的表面。
于本发明的具体实施例,与该萤光颗粒层接触的第一粘固层的表面可具有透镜轮廓,该透镜轮廓是未与该萤光颗粒层接触的第一粘固层的表面。在萤光颗粒包括萤光体粉末及粘合材料的实施例中,若该萤光颗粒层上形成有第一粘固层,与该萤光颗粒层接触的第一粘固层表面也可具有透镜轮廓,且该透镜轮廓是未与该萤光颗粒层接触的第一粘固层的表面。
本发明还提供一种用于转换发光波长的均匀膜层结构,其包括:第一粘固层;以及形成并固化于该第一粘固层上的萤光颗粒层,其中,各该萤光颗粒包括萤光体粉末及粘合材料,且该萤光体粉末占有该萤光颗粒层75%以上的体积。
该第一粘固层可为防潮(moisture resistant)者,例如聚对二甲苯(parylene)。
于本发明的具体实施例,该结构中还可包括承载体,其借由该第一粘固层接合该萤光颗粒层,使该第一粘固层介于该承载体与萤光颗粒层之间,且该承载体选自LED透镜、二次光学组件(secondary oprics)、LED封装体、LED晶粒或LED晶圆。
于本发明的具体实施例中,未与该萤光颗粒层接触的第一粘固层表面具有透镜轮廓。
相较于传统方法,萤光体通常散布于硅树脂或液体中以及接着置于LED表面或封装件上,无法使萤光颗粒能有效均匀散布于硅树脂或液体中,且于散布有萤光颗粒的硅树脂或液体涂覆于LED组件或封装件上后,也无从有效控制萤光颗粒的分布均匀度,遂会导致现有方法所形成的萤光颗粒层中的萤光颗粒有的会聚集连结一起,有的会独立存在,遂会造成LED成品的光色点不一致及颜色均匀度不符需求等问题。本发明于LED封装表面或二次光学组件的表面或LED晶粒的表面或LED表面形成均匀膜层的方法,则可有效避免上揭现有问题的发生。本发明提供的方法还可包括下列步骤:
1)于一物件的第一表面上形成均匀的萤光颗粒层;
2)在固化该萤光颗粒层的制程期间最小化粒子于第一表面上的移动;
3)转移该经固化的萤光颗粒层至诸如LED封装表面或LED表面的所欲表面。该转移可以模制成型制程(molding processing)完成、或贴附胶层或施加等向力至封装胶体表面,例如对表面为正向的压力,以移除可造成形成于压制头表面颗粒分布变形的剪切力。
附图说明
通过下述更佳实施例的叙述及其对应的附图可更全面地了解本发明。
图1A及图1B为本发明的均匀膜层结构的形成方法的第一实施例的示意图,其中,图1B’为显示第一粘固层为粘合颗粒层的示意图;
图2为本发明均匀膜层结构的形成方法的第二实施例的示意图;
图3A及图3B为本发明均匀膜层结构的形成方法及其结构的第三实施例的示意图;
图4为显示转移萤光颗粒层至所欲的第二表面上或上方的方法;
图5A至图5C为显示透过模具转移萤光颗粒层的示意图;
图6A至图6C为显示萤光颗粒层转移至各种表面的示意图;
图7为显示用于大量生产的第一表面数组示意图;
图8A及图8B为显示在二表面之间施以等向压力的方法及装置剖示图;以及
图9A至图9D为显示根据本发明相较于借由浆液方法形成萤光颗粒层的分布说明及萤光颗粒层的包装结构。
具体实施方式
以下借由特定的具体实施例说明本发明的实施方式,熟习此技艺的人士可由本说明书所揭示的内容了解本发明的其它优点与功效。本发明也可借由其它不同的具体实施例加以施行或应用,本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用,在不悖离本创作的精神下进行各种修饰与变更。
第一实施例
请参阅图1A及图1B,其为本发明的均匀膜层结构的形成方法的第一实施例,该方法通过于一模具的第一表面101上形成至少一萤光颗粒层10,该萤光颗粒层10中的萤光颗粒为萤光体粉末所构成者;以及于该萤光颗粒层10上形成第一粘固层12,以固接该萤光颗粒层10。
萤光体用以转换或改变光波长,例如,转换或改变LED式的光源。一般用于此目的的萤光体包括钇铝石榴石(YAG)材料、铽铝石榴石(TAG)材料、ZnSeS+材料以及硅铝氮氧化物(SiAlON)材料(如α-SiALON)等等。然而,根据本发明的实施例,转换或改变入射光的波长的任何材料均可用作萤光体材料。此处所使用的术语「萤光体」表示具有转换或改变光波长至另一波长能力的所有材料,包含不同波长转换或波长改变材料的混合物或结合物。又本实施例中,萤光颗粒是指粉末状的萤光体本身。
形成实质均匀的萤光颗粒层10是为用以达成高品质的光转换的关键。在本实施例中,如图1A所示,其采用静电电荷制程以于如模具的第一表面101上沉积实质均匀的萤光颗粒层10。该静电电荷制程的细节可参考第12/587,290号美国专利,其用于并入本文做为参考。举例而言,形成该萤光颗粒层10的步骤是于该第一表面101上形成静电荷,以及使该带有静电荷的第一表面101靠近并吸附该萤光颗粒以形成该萤光颗粒层10。不同于浆液环境中的传统电化学电荷制程,静电电荷制程是在非液体环境中实行。也就是,该沉积程序不需维持萤光颗粒以及粘合剂在液体悬浮液中分布的均匀度,也无此问题。相对地,在本发明的部分实施例中,萤光颗粒以及粘合材料分别形成及/或施用于模具的第一表面上。
因此,本发明所使用的静电电荷制程可准确地控制萤光颗粒包覆密度以及层厚度。在实施例中,该制程可重复的实施于相同表面上,以在半球形表面、不同形状的凹或凸表面或平坦表面上建立单一或多层的均匀含颗粒发光材料层。从而形成具有高包覆密度(packing density)的颗粒层并均匀地分布于物件或组件的表面上。此外,单一层中所吸引的萤光颗粒可包含多种萤光体(萤光体粉末),也就是具有不同颜色的萤光体,或者可形成各层的颜色不同的多层中。多层的萤光颗粒层的形成是以重复该制程而形成。此外,该萤光颗粒层可包含萤光颗粒及其它填充颗粒。
如图1B所示,在形成萤光颗粒层10之后,接着借由第一粘固层12固定该萤光颗粒层10,以最小化萤光颗粒的移动。
该第一粘固层12可为可固化材料,例如硅树脂、环氧树脂、玻璃、软化材料(softens)或用于LED封装的任何适当材料。在一些实施例中,像是介电层的薄膜可设置于萤光颗粒层上。例如,可使用CVD、PVD、电子束蒸镀或其它沉积方法沉积例如SiO2层的介电层或聚对二甲苯(parylene)。在一实施例中,所沉积的层填充于萤光颗粒层的内部区域,如颗粒间隙。但实质上第一粘固层形成于该萤光颗粒层上,并在随后制程步骤期间提供足够的结合力。
使用介电质膜以稳固粒子的优点之一是沉积膜的折射率可调整以匹配最大光萃取。介电质材料膜为在低制程温度沉积较佳,从而该膜为相当多孔的。多孔介电质膜足以支撑萤光颗粒以在随后制程期间消除萤光颗粒的移动,且也允许粘合材料(用于粘附萤光颗粒至LED封装体)穿透填充于颗粒粉体内的空间。
在另一实施例中,第一粘固层12也可具有高热传导性以促进自萤光体层的散热效率。
在另一实施例中,第一粘固层12可为具有优异的抗湿气性能,如聚对二甲苯,以避免萤光体或LED在湿/热操作条件期间退化。
在第一粘固层12的另一实施方式中,请参阅图1B’,该第一粘固层12粘合颗粒(binder particales)12a层。
诸如硅树脂或环氧树脂化合物或热塑性塑料或玻璃的粘合颗粒可借由静电吸引至萤光颗粒层10的顶面。第一表面101可视需要在粘合颗粒12a吸附制程期间受热至预定温度。此为尽快地软化与第一表面101上的萤光颗粒层10接触的粘合颗粒12a。
之后,可在预定温度固化模具的第一表面上的萤光颗粒层10及粘合颗粒12a以彼此黏合萤光颗粒。
第二实施例
请参阅图2,其为本发明均匀膜层结构的形成方法的第二实施例。
本实施例与前述实施例大致相同,其差异在于该模具的第一表面101是由具有粘性的第二粘固层14所提供。更具体而言,该萤光颗粒层10形成于第二粘固层14的表面(即第一表面)上,并夹置于第一粘固层12及第二粘固层14之间。本实施例第二粘固层14的材质、形成方式及态样可如前述内容实施。
第三实施例
请参阅图3A及图3B,其为本发明均匀膜层结构的形成方法的第三实施例,该形成均匀膜层的方法包括:于第一表面101上形成至少一层萤光颗粒层10’,各该萤光颗粒包括萤光体粉末及粘合材料;以及粘固各该萤光颗粒。
在本实施例中,先准备预涂覆的萤光颗粒,该萤光颗粒为萤光体粉末10a与粘合材料10b混合的混合物或被黏合材料10b包覆,例如硅树脂、环氧树脂、热固性或热塑性聚合物黏合材料。可以悬辊法(rolling-suspension)令聚合物粘合材料涂覆萤光体粉末10a,接着干燥分离溶剂。或者,可以类似形成聚合物模压成型化合物的方式实行,其中,结合聚合物及添加物以获得需要的物理及化学性质的混合物。换言之,萤光颗粒可视为与聚合物结合的填充物。视所选择的制程技术,该萤光体-聚合物混合物可制成液体、橡胶、片体、固体或粉末形式。预涂覆的萤光颗粒的优点之一为对于萤光体沉积程序于LED芯片表面上或LED封装结构上制造程序的容易性,即使使用现有的模具制程技术也可达成。
形成该萤光颗粒层的步骤是于该第一表面101上形成静电荷,以及使该带有静电荷的第一表面101靠近并吸附该预涂覆的萤光颗粒以形成该萤光颗粒层。该预涂覆的萤光颗粒可带静电电荷或不带电,且接着被吸引至以静电电荷充电的第一表面101上。经加热该粘合材料,即能粘固各该萤光颗粒。该萤光体粉末为占有该经粘固各该萤光颗粒的萤光颗粒层75%以上的体积。在具体实施时,在形成预定厚度的萤光颗粒层后,接着可使第一表面101受热至预定温度以固化粘合材料。随后,萤光颗粒彼此结合,而使每一萤光颗粒至少与另一萤光颗粒连结,较佳为每一萤光颗粒均与邻接的萤光颗粒连结,且可在随后制程步骤期间有效地消除颗粒移动而使萤光颗粒均相互连接。
在本实施例中,还可包括于该萤光颗粒层上形成第一粘固层12,如图3B所示,该第一粘固层为聚对二甲苯;然后加热该粘合材料10b及第一粘固层12以固定该萤光颗粒层10’。
此外,同样地,该制程可重复的实施于相同表面上,以在半球形表面、不同形状的凹或凸表面或平坦表面上建立单一或多层的均匀含颗粒发光材料层。从而形成具有高包覆密度(packing density)的颗粒层并均匀地分布于表面上。此外,单一层中所吸引的萤光颗粒可包含多种萤光体(萤光体粉末),意即具有不同颜色的萤光体,或者可形成颜色不同之层的多层结构。多层的萤光颗粒层的形成为重复该制程而为之。萤光颗粒层也可包含萤光颗粒及其它填充颗粒。
根据前述的制法,本发明还提供一种用于转换发光波长的均匀膜层结构,其包括:第一粘固层12;以及形成并固定于该第一粘固层12上的萤光颗粒层10’,其中,各该萤光颗粒包括萤光体粉末及粘合材料,且该萤光体粉末占有该萤光颗粒层75%以上的体积。
第四实施例
请参阅图4及图5,其进一步说明本发明均匀膜层结构的形成方法,其主要包括将萤光颗粒层转移至所欲的另一装置或物件的第二表面上或上方。本实施例中,是将前述第一或第二实施例的经固化的萤光颗粒层,或者第三实施例的经粘固各该萤光颗粒的萤光颗粒层转移至另一装置或物件的第二表面上或上方。
如图4所示,于特定压力下以适合的胶层5紧压第一表面101于第二表面102上,以于第二表面102上设置萤光体层,以及在预定温度固化。如图4所示,该第二表面102为LED透镜的表面,是种在第二表面102上转移萤光颗粒层的透镜整体可称为转移透镜(transferlens)。此外,第二表面102也可为二次光学组件(secondary optics)、LED封装体、LED晶粒或LED晶圆的表面。又,该LED透镜的第二表面102及/或其它表面上被覆有如聚对二甲苯的防潮膜。
此外,若转移的萤光颗粒层为根据第三实施例所形成者,该胶层5可为图3B的第一粘固层12,故第一粘固层12只需在转移步骤时固化。
根据此方法所得的在用于转换发光波长的均匀膜层结构中,还包括提供第二表面102的承载体,且该承载体选自LED透镜、二次光学组件(secondary optics)、LED封装体、LED晶粒或LED晶圆。该承载体是借由该第一粘固层12(或胶层5)接合该萤光颗粒层10,使该第一粘固层12介于该承载体与萤光颗粒层10之间。又,该承载体为LED透镜,且该LED透镜的表面上被覆有如聚对二甲苯的防潮膜。
请参阅图5,其说明转移萤光颗粒层至另一装置或组件的第二表面102的另一方法。该第一表面101可为第一模具51的表面之一,如图5A、图5B及图5C所示。第一模具51与第二模具52接合时构成的模具腔室中可填充热可固化材料6,像是硅树脂、环氧树脂或甚至热塑性塑料或玻璃,其可在升高的温度融化以及重新形成。该第一模具51与第二模具52可由金属或非导体材料所形成。
具有萤光颗粒层10(或10’)的第一模具51压合于第二模具52上,从而将萤光颗粒层10置入如透镜外形的腔室内。在模压制程期间,萤光颗粒层10仍承载于第一模具51表面的表面上,如此萤光颗粒的分布在模压制程期间并未受影响。加热该模具以硬化热可固化材料6,以及如图5C所示,随后分离第一模具51及第二模具52。在分离之后,该萤光颗粒层10形成于如透镜的封装体表面上。图5C所示的透镜也为转移透镜的实施例。
此外,若该萤光颗粒层10根据第一实施例所形成者,则可整合图1B及图5A至图5C的步骤来完成第一粘固层,以得到具有透镜轮廓的第一粘固层。换言之,与该萤光颗粒层10接触的第一粘固层表面具有透镜轮廓,且该透镜轮廓未与该萤光颗粒层接触的第一粘固层的表面。
另一方面,若该萤光颗粒层10是根据第三实施例所形成者,热可固化材料6可直接接合于萤光颗粒层10上作为第一粘固层,则与该萤光颗粒层10接触的第一粘固层表面6a也可具有透镜轮廓。而用于转换发光波长的均匀膜层结构中,未与该萤光颗粒层10接触的第一粘固层表面6a具有透镜轮廓。
本实施例的制程技术可以适当对应的压制工具(molding tool)延伸应用萤光颗粒层至各种形状的表面,诸如凹形表面,例如透镜或覆盖物的内表面,如图6A所示;凸形表面,像是透镜或覆盖物的外表面,如图6B所示;平坦表面或板体,如图6C所示。
第五实施例
如图7所示,第一表面101可组构成用于大量生产的数组。第一表面101的头部表面可根据本发明对应封装表面或其它所欲的萤光颗粒层的轮廓而塑造。
第六实施例
本实施例提供施加等向力至封装表面的方法。这些方法可利用于转移萤光颗粒层至曲面上,如图1所示的将萤光颗粒层10转移至另一弯曲的封装表面,以提供介于二表面的正向压力及无剪切力。
如图8A所示的实施例,膨胀性材料81敷设于支撑件80的曲型表面层内侧。压制头82的外表面为如硅树脂的弹性材料,其如支撑件80内的膨胀性材料81。当温度上升时,膨胀性材料81的体积扩张,施加等向力于曲型表面层上。在特定实施例中,该萤光颗粒层10形成于使用例如上述方法之一的曲型表面层上。曲型表面层邻接于接收表面位置,例如,透镜或封装材料。膨胀性材料的温度上升,使萤光颗粒层10受压制于接收表面上。施加于二表面的压力则使该萤光体层转移至接收表面。
根据实施例,二表面的距离为可选择的。在一实例中,二表面可互为接触。在另一实例中,二表面之间可具有间隔。该间隔可为几微米至200微米或更大。在另一实例中,膨胀性材料81构成引起二表面之间的实质均匀压力。膨胀性材料81的例子包括可膨胀微球(Expancel)、在升高温度时膨胀的其它适合材料或其组合的材料。
在一实施例中,萤光颗粒层10是在凸形表面上,其可借由膨胀性材料81排出。在另一实施例中,萤光颗粒层10是在如图8B所示凹形表面上,其可借由设置于萤光颗粒层10外部上的膨胀性材料层向内推。
应用正向力至表面主要用以消除剪切力,该剪切力可在颗粒贴附加至封装表面期间,扰乱形成于压制机工具表面上颗粒分布。
如图8A所示的实施例之一,压制头82是以像是硅树脂的膨胀性材料制成。膨胀性容器(vessel)可嵌埋在压制头82内。膨胀性容器可以液体或Expancel或具有Expancel的液体填充。如上所述,萤光颗粒形成均匀层于头部区域上。在一实施例中,光纤导引蓝光LED可安装至压制机头部内以就地监视压制机头部的萤光体粉末的量被吸引至所欲的光色点。
在萤光颗粒转移期间,具有萤光颗粒的工具头部接着再压制封装表面,同时工具头部借由升温或注入空气至头部而膨胀。一旦头部膨胀,压制机头部提供正向于封装体表面的等向力,以在固化程序期间消除粒子移动。
提供用以转移萤光颗粒层至另一表面的等向力的类似方法可应用于以膨胀性头部适当设计的各种表面,如图8B所示凹形表面的头部设计。
请参阅图9A至图9D,其为显示根据本发明相较于借由浆液方法形成萤光颗粒层的分布说明及萤光颗粒层的封装结构。如图9A所示的根据本发明实施例沉积萤光颗粒的包覆结构,萤光颗粒18为高度地叠覆(packed)于表面上。萤光体粉末占据该萤光颗粒层75%以上的体积。此难以由如图9B所示的萤光体硅树脂混合物的浆液方法实现。如图9A所示的此类高密度叠覆的萤光颗粒18可加强逸散萤光颗粒18内的光转换所产生的热。此是因为产生的热可经由相互连接的颗粒传导分散,而非通过浆液方法中仍需透过充填于颗粒间的热传导效率差的硅树脂传导。加强热逸散也可增加转换效率以及改善因热的光衰减。
根据本发明的实施例,对于应用包含不同光性质的多种萤光颗粒层,不同的萤光颗粒18、19可沉积于如图9C所示的层结构中,萤光颗粒19是在层结构内与萤光颗粒18互为分层。在浆液方法中,不同的萤光颗粒分布于硅树脂层中,如图9D所示的萤光体硅树脂混合物。
根据本发明图9C中此类层状结构的实施例,可借由萤光颗粒不同性质的次序最佳化提升光色品质,以最小化介于萤光体粒子的不同光性质之间的光再吸收,也提升光转换效率。
上述实施例仅例示性说明本发明的特征和功用,而非用于限制本发明。任何熟习此项技艺的人士均可在不违背本发明的精神及范畴下,对上述实施例进行修饰与改变。因此,本发明的权利保护范围,应如权利要求书所载。
Claims (26)
1.一种形成均匀膜层结构的方法,其包括:
提供一物件的第一表面;
于该第一表面上形成至少一萤光颗粒层,令该萤光颗粒层中的萤光颗粒无一与其其它萤光颗粒无连接关系;以及
于该萤光颗粒层上形成第一粘固层,以固定该萤光颗粒层。
2.根据权利要求1所述的形成均匀膜层结构的方法,其特征在于,该第一表面是由具有粘性的第二粘固层所提供。
3.根据权利要求1所述的形成均匀膜层结构的方法,其特征在于,该第一粘固层为粘合颗粒层。
4.根据权利要求3所述的形成均匀膜层结构的方法,其特征在于,是透过静电吸附法形成该粘合颗粒层。
5.根据权利要求1所述的形成均匀膜层结构的方法,其特征在于,形成该萤光颗粒层的步骤包括于该第一表面上形成静电荷;以及使该带有静电荷的第一表面靠近并吸附该萤光颗粒以形成该萤光颗粒层。
6.根据权利要求1所述的形成均匀膜层结构的方法,其特征在于,该第一粘固层为聚对二甲苯。
7.根据权利要求1所述的形成均匀膜层结构的方法,其特征在于,该萤光颗粒包括多种萤光体粉末。
8.根据权利要求1所述的形成均匀膜层结构的方法,其特征在于,该方法还包括将该经固化的萤光颗粒层转移至另一物件的第二表面上。
9.根据权利要求1所述的形成均匀膜层结构的方法,其特征在于,未与该萤光颗粒层接触的第一粘固层表面具有透镜轮廓。
10.一种形成均匀膜层结构的方法,其包括:
提供第一表面;
于该第一表面上形成至少一萤光颗粒层,其中,各该萤光颗粒包括萤光体粉末及粘合材料;以及
粘固各该萤光颗粒。
11.根据权利要求10所述的形成均匀膜层结构的方法,其特征在于,该萤光颗粒为该萤光体粉末及粘合材料的混合物或该粘合材料包覆萤光体粉末所形成者,且该萤光颗粒的粘固是以加热该粘合材料以粘固各该萤光颗粒的方式为之,其中,该萤光体粉末占据该经粘固各该萤光颗粒的萤光颗粒层75%以上的体积。
12.根据权利要求10所述的形成均匀膜层结构的方法,其特征在于,该第一表面是由具有粘性的第二粘固层所提供。
13.根据权利要求10所述的形成均匀膜层结构的方法,其特征在于,该方法还包括于该萤光颗粒层上形成一第一粘固层;以及加热该粘合材料及第一粘固层以固定该萤光颗粒层。
14.根据权利要求13所述的形成均匀膜层结构的方法,其特征在于,未与该萤光颗粒层接触的第一粘固层表面具有透镜轮廓。
15.根据权利要求13所述的形成均匀膜层结构的方法,其特征在于,该第一粘固层为聚对二甲苯。
16.根据权利要求10所述的形成均匀膜层结构的方法,其特征在于,形成该萤光颗粒层的步骤包括于该第一表面上形成静电荷;以及使该带有静电荷的第一表面靠近并吸附该萤光颗粒以形成该萤光颗粒层。
17.根据权利要求10所述的形成均匀膜层结构的方法,其特征在于,该萤光颗粒包括多种萤光体粉末。
18.根据权利要求10所述的形成均匀膜层结构的方法,其特征在于,该方法还包括将经粘固各该萤光颗粒的萤光颗粒层转移至第二表面。
19.根据权利要求18所述的形成均匀膜层结构的方法,其特征在于,该第二表面为LED透镜、二次光学组件、LED封装体、LED晶粒或LED晶圆的表面。
20.根据权利要求19所述的形成均匀膜层结构的方法,其特征在于,该LED透镜的第二表面上被覆有防潮膜。
21.一种用于转换发光波长的均匀膜层结构,其包括:
形成于一物件的第一表面上的第一粘固层;以及
形成并固定于该第一粘固层上的萤光颗粒层,其中,各该萤光颗粒包括萤光体粉末及粘合材料,且该萤光体粉末占有该萤光颗粒层75%以上的体积。
22.根据权利要求21所述的用于转换发光波长的均匀膜层结构,其特征在于,该第一粘固层为聚对二甲苯。
23.根据权利要求21所述的用于转换发光波长的均匀膜层结构,其特征在于,该萤光颗粒包括多种萤光体粉末。
24.根据权利要求21所述的用于转换发光波长的均匀膜层结构,其特征在于,该物件用于供该第一粘固层接合该萤光颗粒层,使该第一粘固层介于该物件与萤光颗粒层之间,且该物件选自LED透镜、二次光学组件、LED封装体、LED晶粒或LED晶圆。
25.根据权利要求21所述的用于转换发光波长的均匀膜层结构,其特征在于,该物件为LED透镜,且该LED透镜的表面上被覆有防潮膜。
26.根据权利要求21所述的用于转换发光波长的均匀膜层结构,其特征在于,未与该萤光颗粒层接触的第一粘固层表面具有透镜轮廓。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US28479209P | 2009-12-26 | 2009-12-26 | |
US61/284,792 | 2009-12-26 | ||
PCT/US2010/062129 WO2011079325A1 (en) | 2009-12-26 | 2010-12-27 | Uniform film-layered structure that converts the wavelength of emitted light and method for forming the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102812570A true CN102812570A (zh) | 2012-12-05 |
Family
ID=44196166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010800582587A Pending CN102812570A (zh) | 2009-12-26 | 2010-12-27 | 用于转换发光波长的均匀膜层结构及其形成方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2517272A4 (zh) |
JP (1) | JP5639662B2 (zh) |
KR (2) | KR20120083936A (zh) |
CN (1) | CN102812570A (zh) |
DE (1) | DE112010004424T5 (zh) |
GB (1) | GB2488936B (zh) |
TW (1) | TWI452733B (zh) |
WO (1) | WO2011079325A1 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103030097A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-04-10 | 中北大学 | 基于静电场自聚焦的圆片级低维纳米结构的制备方法 |
CN106129228A (zh) * | 2016-07-06 | 2016-11-16 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 量子点封装体及其制备方法、发光装置和显示装置 |
CN113024251A (zh) * | 2019-12-09 | 2021-06-25 | 上海航空电器有限公司 | 具有平凹形结构薄膜的高显色性激光照明用荧光陶瓷及其制备方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9480125B2 (en) * | 2009-05-15 | 2016-10-25 | Achrolux Inc | Light-emitting structure and a method for fabricating the same |
TWI459600B (zh) * | 2012-07-06 | 2014-11-01 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體封裝體及其製造方法 |
DE102012106949A1 (de) | 2012-07-30 | 2014-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils |
TWI499094B (zh) * | 2013-01-25 | 2015-09-01 | Achrolux Inc | Led封裝件及其製法 |
JP6923820B2 (ja) * | 2018-10-31 | 2021-08-25 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージの製造方法および発光装置の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1033902A (zh) * | 1987-12-30 | 1989-07-12 | 依莱特技术公司 | 电致发光板型灯及其制造方法 |
CN1236968A (zh) * | 1998-05-22 | 1999-12-01 | 三星电管株式会社 | 用于显示装置的荧光层的制造方法 |
US6635987B1 (en) * | 2000-09-26 | 2003-10-21 | General Electric Company | High power white LED lamp structure using unique phosphor application for LED lighting products |
CN1849180A (zh) * | 2003-07-09 | 2006-10-18 | 福莱金属公司 | 沉积和构图方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL135549C (zh) * | 1966-04-22 | |||
US5019748A (en) * | 1986-12-12 | 1991-05-28 | E-Lite Technologies, Inc. | Method for making an electroluminescent panel lamp as well as panel lamp produced thereby |
JPH11233832A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-08-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオードの形成方法 |
JP2002216622A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-08-02 | Harison Toshiba Lighting Corp | 蛍光ランプの製造方法 |
US6576488B2 (en) * | 2001-06-11 | 2003-06-10 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor |
JP2003197977A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Okaya Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオードの製造方法 |
US7224000B2 (en) * | 2002-08-30 | 2007-05-29 | Lumination, Llc | Light emitting diode component |
JP4492378B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2010-06-30 | 豊田合成株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
US8563339B2 (en) * | 2005-08-25 | 2013-10-22 | Cree, Inc. | System for and method for closed loop electrophoretic deposition of phosphor materials on semiconductor devices |
US7344952B2 (en) * | 2005-10-28 | 2008-03-18 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs |
JP2008060542A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-03-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置、発光装置の製造方法、及びこれを備えた光源装置 |
JP4835333B2 (ja) * | 2006-09-05 | 2011-12-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の形成方法 |
US9196799B2 (en) * | 2007-01-22 | 2015-11-24 | Cree, Inc. | LED chips having fluorescent substrates with microholes and methods for fabricating |
JP2008187089A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Yuri Kagi Kofun Yugenkoshi | 発光ダイオードのランプフード |
US7999283B2 (en) * | 2007-06-14 | 2011-08-16 | Cree, Inc. | Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes |
KR100973238B1 (ko) * | 2008-03-26 | 2010-07-30 | 서울반도체 주식회사 | 형광체 코팅방법 및 장치 그리고 형광체 코팅층을 포함하는led |
TWI508331B (zh) * | 2008-11-13 | 2015-11-11 | Maven Optronics Corp | 用於形成螢光轉換型發光元件之薄膜螢光層的系統及方法、以及用於螢光轉換型發光元件之薄膜螢光層 |
US9480125B2 (en) * | 2009-05-15 | 2016-10-25 | Achrolux Inc | Light-emitting structure and a method for fabricating the same |
US8323748B2 (en) * | 2009-05-15 | 2012-12-04 | Achrolux Inc. | Methods for forming uniform particle layers of phosphor material on a surface |
-
2010
- 2010-12-27 KR KR1020127016526A patent/KR20120083936A/ko active Application Filing
- 2010-12-27 WO PCT/US2010/062129 patent/WO2011079325A1/en active Application Filing
- 2010-12-27 GB GB1210550.8A patent/GB2488936B/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-27 DE DE112010004424T patent/DE112010004424T5/de not_active Withdrawn
- 2010-12-27 EP EP10840212.4A patent/EP2517272A4/en not_active Withdrawn
- 2010-12-27 KR KR1020157005281A patent/KR20150036785A/ko active Search and Examination
- 2010-12-27 CN CN2010800582587A patent/CN102812570A/zh active Pending
- 2010-12-27 JP JP2012546252A patent/JP5639662B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-27 TW TW099146216A patent/TWI452733B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1033902A (zh) * | 1987-12-30 | 1989-07-12 | 依莱特技术公司 | 电致发光板型灯及其制造方法 |
CN1236968A (zh) * | 1998-05-22 | 1999-12-01 | 三星电管株式会社 | 用于显示装置的荧光层的制造方法 |
US6635987B1 (en) * | 2000-09-26 | 2003-10-21 | General Electric Company | High power white LED lamp structure using unique phosphor application for LED lighting products |
CN1849180A (zh) * | 2003-07-09 | 2006-10-18 | 福莱金属公司 | 沉积和构图方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103030097A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-04-10 | 中北大学 | 基于静电场自聚焦的圆片级低维纳米结构的制备方法 |
CN103030097B (zh) * | 2012-12-12 | 2015-06-17 | 中北大学 | 基于静电场自聚焦的圆片级低维纳米结构的制备方法 |
CN106129228A (zh) * | 2016-07-06 | 2016-11-16 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 量子点封装体及其制备方法、发光装置和显示装置 |
CN108417698A (zh) * | 2016-07-06 | 2018-08-17 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 量子点封装体及其制备方法、发光装置和显示装置 |
CN108417698B (zh) * | 2016-07-06 | 2020-09-11 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 量子点封装体及其制备方法、发光装置和显示装置 |
CN113024251A (zh) * | 2019-12-09 | 2021-06-25 | 上海航空电器有限公司 | 具有平凹形结构薄膜的高显色性激光照明用荧光陶瓷及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2517272A4 (en) | 2015-04-08 |
KR20150036785A (ko) | 2015-04-07 |
JP2013516074A (ja) | 2013-05-09 |
GB201210550D0 (en) | 2012-07-25 |
TW201135982A (en) | 2011-10-16 |
GB2488936B (en) | 2015-03-25 |
GB2488936A (en) | 2012-09-12 |
TWI452733B (zh) | 2014-09-11 |
WO2011079325A1 (en) | 2011-06-30 |
DE112010004424T5 (de) | 2012-11-08 |
EP2517272A1 (en) | 2012-10-31 |
JP5639662B2 (ja) | 2014-12-10 |
KR20120083936A (ko) | 2012-07-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102812570A (zh) | 用于转换发光波长的均匀膜层结构及其形成方法 | |
CN102428578B (zh) | 于led封装结构上形成均匀萤光材料层的方法与器件 | |
JP5604002B2 (ja) | 発光構造及びその製造方法 | |
TWI608760B (zh) | 形成螢光粉轉換發光元件之方法 | |
KR101404911B1 (ko) | 발광 디바이스의 제조 방법 | |
CN101248539A (zh) | 颜色转换的发光二极管 | |
TW201135984A (en) | Method for transferring a uniform phosphor layer on an article and light-emitting structure fabricated by the method | |
CN101567410A (zh) | Led芯片的封装方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20121205 |