CN102800630A - 一种阵列基板及其制备方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供的阵列基板及其制备方法和显示装置，涉及显示面板的制造领域，能够减少COA制造技术中MASK工艺次数，简化工艺步骤，进而保证生产质量。在衬底基板上形成半导体有源层、栅绝缘层和栅极的图形；在形成有半导体有源层、栅绝缘层和栅极的基板上形成遮光层的图形；在形成有遮光层的基板上形成第一彩色滤光层和第二彩色滤光层的图形；在形成有第一彩色滤光层和第二彩色滤光层的基板上形成第三彩色滤光层及贯穿彩色滤光层的过孔图形；在形成有第一彩色滤光层、第二彩色滤光层、第三彩色滤光层和贯穿彩色滤光层的过孔的基板上形成像素电极和源/漏电极的图形。本发明实施例用于CF整合到TFT阵列基板的生产制造。

Description

一种阵列基板及其制备方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示面板制造领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法和显示装置。
背景技术
传统的TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)，薄膜场效应晶体管液晶显示器)基板是由一片TFT阵列基板，与另一片彩膜基板(Color Filter)对盒而成。
而新型的彩色滤光片整合薄膜晶体管阵列基板(Color Filter OnArray，简称COA)技术，是在TFT阵列制造工艺完成之后，再在阵列基板上进行彩色滤光片的制造工艺，也就是将彩膜制于TFT阵列基板上。由于它有着布线精确，无需因对盒工艺而增加遮光层的宽幅，从而可以提高透过率高，将彩色滤光片与阵列基板集成与阵列基板上，COA技术无需彩色滤光片因此制造成本较低、更利于轻薄化等优点而被人所重视和研究。
但现有的COA制造技术中需要多次进行MASK工艺处理，不仅工艺复杂，成本较高，繁杂的工艺步骤致使质量难以保证。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置，能够减少COA制造技术中MASK工艺次数，简化工艺步骤，进而保证生产质量。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
在衬底基板上形成半导体有源层、栅绝缘层和栅极的图形；
在形成有所述半导体有源层、所述栅绝缘层和所述栅极的基板上形成遮光层的图形；
在形成有所述遮光层的基板上形成第一彩色滤光层和第二彩色滤光层的图形；
在形成有所述第一彩色滤光层和所述第二彩色滤光层的基板上形成第三彩色滤光层及贯穿彩色滤光层的过孔图形；
在形成有所述第一彩色滤光层、所述第二彩色滤光层、所述第三彩色滤光层和所述贯穿彩色滤光层的过孔的基板上形成像素电极和源/漏电极的图形。
一方面，提供一种彩色滤光片整合薄膜晶体管阵列基板，包括：
基板；
形成于所述基板上的半导体有源层、栅极绝缘层、栅极；
形成于所述半导体有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极上的遮光层、第一彩色滤光层、第二彩色滤光层和第三彩色滤光层，其中，贯穿彩色滤光层形成有过孔；
形成于所述第一彩色滤光层、所述第二彩色滤光层和所述第三彩色滤光层上的像素电极和源/漏电极；
所述源/漏电极通过所述贯穿彩色滤光层的过孔与所述半导体有源层实现电连接。
另一方面，提供了一种显示装置，包括：上述阵列基板的制作方法制得的阵列基板。
本发明实施例提供了阵列基板及其制备方法和显示装置，制备阵列基板时，可以通过一次构图工艺制得半导体有源层、栅绝缘层、及栅线；再通过一次构图工艺制得彩色滤光层；并再通过一次构图工艺制得像素电极、源漏极，这种制备方法在保证TFT阵列基板功能的前提下，相对现有技术而言，减少了构图工艺的使用数量，简化工艺步骤，进而保证了阵列基板和包含有该阵列基板的显示装置的在COA技术上，生产质量得以提高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图一；
图2为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图二；
图3为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图三；
图4为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图四；
图5为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图五；
图6为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图六；
图7为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图七；
图8为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图八；
图9为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图九；
图10为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图十；
图11为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图十一；
图12为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图十二；
图13为本发明实施例提供的阵列基板的制作过程示意图十三；
图14为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图15为本发明实施例提供的制作阵列基板的流程图；
图16为本发明另一实施例提供的阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供的阵列基板10的制作方法，如图15所示，该方法包括：
A1、在衬底基板1上形成半导体有源层20、栅绝缘层30和栅极40的图形。
示例性的，如图1所示，在衬底基板10上依次采用化学气相沉积或热蒸发的方法形成半导体有源层薄膜、栅极绝缘层薄膜和栅极金属层薄膜，如先沉积半导体有源层，再沉积氮化硅，氧化硅、氮氧化硅等材料中的一种，形成栅绝缘层薄膜，再沉积钼、铜等金属材料中的一种(制作栅线、栅极的材料)，形成栅金属薄膜。
然后对半导体有源层薄膜、栅极绝缘层薄膜上的栅极金属层薄膜上涂布光刻胶50。
如图2所示，涂覆一层光刻胶50后，通过双色调掩膜版进行一次曝光，其中，双色调掩膜版包括：灰色调掩膜版和半色调掩膜版，如通过半色调掩膜版，显影后形成第一光刻胶完全保留区域101，第一光刻胶部分保留区域102及第一光刻胶完全去除区域103，第一光刻胶完全保留区域101对应栅极40的图形，第一光刻胶部分保留区域102对应半导体有源层20的图形，第一光刻胶完全去除区域103对应栅极40和半导体有源层20以外的区域。然后对第一光刻胶完全去除区域103进行刻蚀，去除栅极金属层薄膜、栅绝缘层薄膜和半导体有源层薄膜。
如图3所示，再对光刻胶50进行灰化处理，将第一光刻胶部分保留区域102的光刻胶去除掉，同时第一光刻胶完全保留区域101的光刻胶减薄，这是由于光刻胶完全保留区域101也会受到灰化处理的影响，涂覆的光刻胶会被减薄。
如图4所示，再通过刻蚀工艺去除对应半导体有源层20上的栅极金属薄膜和栅绝缘层薄膜，即剥离第一光刻胶完全保留区域101的光刻胶50后，最终形成半导体有源层20、栅极绝缘层30、栅极40的图形。，
A2、在形成有半导体有源层20、栅绝缘层30和栅极40的基板上形成遮光层70的图形。
进一步的，也可以在形成有半导体有源层、栅绝缘层和栅极的基板上形成第一保护层和遮光层的图形，本实施例以形成第一保护层为优选方案，不形成第一保护层的阵列基板制造方法也在保护范围之内。
示例性的，如图5所示，在所述半导体有源层20、栅绝缘层30、栅极4上形成第一保护层60和遮光层70的图形。
如图6所示，在栅极40上方形成第一保护层60薄膜，然后在形成有第一保护层60薄膜的基板上形成黑色挡光材料，在黑色挡光材料上涂覆光刻胶，利用掩膜版进行曝光、显影后形成第二光刻胶完全保留区域201和第二光刻胶完全去除区域202，第二光刻胶完全保留区域201对应栅极上方，第二光刻胶完全保留区域201以外的区域对应第二光刻胶完全去除区域202。对涂覆了光刻胶的黑色挡光材料进行刻蚀，将第二光刻胶完全去除区域202的黑色挡光材料去除，最后剥离光刻胶，在栅极40上方形成黑矩阵的图形，即在栅极40上方形成遮光层70的图形。
A3、在形成有遮光层70的基板上形成第一彩色滤光层和第二彩色滤光层的图形。
A4、在形成有第一彩色滤光层和第二彩色滤光层的基板上形成第三彩色滤光层80及贯穿彩色滤光层的过孔图形90。
需要说明的是，第一彩色滤光层、第二彩色滤光层和第三彩色滤光层80的颜色不做限制，可以是第一彩色滤光层为红色、第二彩色滤光层为绿色、第三彩色滤光层80为蓝色，也可以是其他顺序排列，也可是为其他的基色，每个彩色滤光层对应一个像素区域，每组彩色滤光层包括一个第一彩色滤光层、一个第二彩色滤光层和一个第三彩色滤光层，每组彩色滤光层对应三个相邻的像素区域，阵列基板包括多个第一彩色滤光层、多个第二彩色滤光层和多个第三彩色滤光层，例如，在阵列基板上，第一彩色滤光层以红色为例，红色滤光层对应像素区域可以称为红色像素区域，以此类推还包括绿色像素区域和蓝色像素区域，每组彩色滤光层的排列顺序也不受限制，不以本实施例的举例为限制。
示例性的，如图7、图8所示，在形成有红色滤光层的基板上和绿色滤光层的基板上形成蓝色滤光层，剥离光刻胶后，在半导体有源层20上方形成过孔图形。在蓝色滤光层上涂覆光刻胶，再利用掩膜版进行曝光、显影后，形成第三光刻胶完全保留区域301和第三光刻胶完全去除区域302，第三光刻胶完全去除区域302对应栅极40的两侧、半导体有源层20的上方的过孔图形区域，而第三光刻胶完全保留区域301则对应蓝红色像素区域和该红色像素区域的栅极上方两过孔之间的滤光层上方除了过孔图形以外所有的区域。对第三光刻胶完全去除区域302进行刻蚀，将第三光刻胶完全去除区域302的蓝红色滤光层、红色滤光层、绿色滤光层去除形成贯穿红彩色滤光层的过孔图形90，进一步的，若A2中制备有第一保护层，则将第三光刻胶完全去除区域302的蓝彩色滤光层、红色滤光层、绿色滤光层去除和第一保护层去除，以形成贯穿彩色滤光层的过孔图形90。
依照上述方法依次制备第一彩色滤光层、第二彩色绿光层，并在形成有第一彩色滤光层和第二彩色滤光层的基板上形成第三彩色滤光层以及贯穿各彩色滤光层的过孔。
进一步的，彩色滤光层也可以直接采用彩色感光树脂材料，这样在形成第一彩色滤光层、第二彩色滤光层和第三彩色绿光层的图形时，仅需要曝光、显影工序即可直接形成贯穿彩色滤光层的过孔，节省刻蚀工序。当然，如果若A2中制备有第一保护层，则将彩色滤光层完全去除区域302的蓝彩色滤光层、红色滤光层、绿色滤光层通过显影去除，并通过刻蚀工序去除第一保护层，以形成贯穿彩色滤光层的过孔图形90。
A5、在形成有第一彩色滤光层、第二彩色滤光层、第三彩色滤光层80和贯穿彩色滤光层的过孔90的基板上形成像素电极10和源/漏电极110的图形。
进一步的，如果上述工艺步骤中制备了第一保护层60，则在形成有第一彩色滤光层、第二彩色滤光层、第三彩色滤光层和贯穿彩色滤光层和第一保护层过孔的基板上形成像素电极和源/漏电极的图形。
示例性的，如图9所示，在形成有第一彩色滤光层、第二彩色滤光层、第三彩色滤光层80和贯穿彩色滤光层和第一保护层60的过孔90的基板上沉积源/漏像素电极层1100，再在源/漏像素电极层1100上沉积源/漏极金属110，沉积完成后在源/漏极金属110上涂覆一层光刻胶50，通过双色调掩膜版，如半色调掩膜版进行一次曝光，显影后形成第四光刻胶完全保留区域401，第四光刻胶部分保留区域402及第四光刻胶完全去除区域403，其中，第四光刻胶完全保留区域401对应过孔90的图形，第四光刻胶部分保留区域402对应第一未形成有半导体有源层图形的彩色滤光层上方的像素区域，(如图10中右侧过孔的右边位置对应的彩色滤光层上方的区域)，第四光刻胶完全去除区域403对应第二未形成有半导体有源层图形的彩色滤光层薄膜晶体管的沟道的区域，(如和10中左侧过孔的左边位置对应的彩色滤光层上方的和右侧过孔之间的区域，即形成有栅极40上方的区域)，如图10所示。
如图10所示，对第四光刻胶完全去除区域403进行刻蚀，去除像素电极100和源/漏极金属110。
如图11-14所示，再对光刻胶进行灰化处理，将第四光刻胶部分保留区域402的光刻胶50去除掉，第四光刻胶完全保留区域402的光刻胶减薄，通过刻蚀工艺去除将对应像素电极区域的源/漏极金属110，剥离光刻胶50后最终形成像素电极100和源/漏电极110的图形。
本发明实施例提供了阵列基板的制备方法，制备阵列基板时，可以通过一次构图工艺制得半导体有源层、栅绝缘层、及栅线；再通过一次构图工艺制得彩色滤光层；并再通过一次构图工艺制得像素电极、源漏极，这种制备方法在保证TFT阵列基板功能的前提下，相对现有技术而言，减少了构图工艺的使用数量，简化工艺步骤，进而保证了阵列基板和包含有该阵列基板的显示装置的在COA技术上，生产质量得以提高。
本发明实施例提供的阵列基板1，如图16所示，该阵列基板1包括：
基板10，形成于基板10上的半导体有源层20、栅极绝缘层30和栅极40。形成于半导体有源层20、栅极绝缘层30和栅极40上的遮光层70、第一彩色滤光层或第二彩色滤光层或第三彩色滤光层80，其中，贯穿彩色滤光层形成有过孔90。还有形成于第一彩色滤光层、第二彩色滤光层和第三彩色滤光层80上的像素电极100和源/漏电极110，其中，源/漏电极110通过贯穿彩色滤光层的过孔90与半导体有源层20实现电连接，如源电极和漏电极分别通过源/漏电极110和过孔90与半导体有源层20实现电连接。
需要说明的是彩色滤光层80为第一彩色滤光层、第二彩色滤光层、第三彩色滤光层中的其中一种，每个彩色滤光层对应一个像素区域，每组彩色滤光层包括一个第一彩色滤光层、一个第二彩色滤光层和一个第三彩色滤光层，每组彩色滤光层对应三个相邻的像素区域，阵列基板包括多个第一彩色滤光层、多个第二彩色滤光层和多个第三彩色滤光层，例如，在阵列基板上，第一彩色滤光层以红色为例，红色滤光层对应像素区域可以称为红色像素区域，以此类推还包括绿色像素区域和蓝色像素区域，红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域依次相邻排列。
进一步的，栅极40置于栅极绝缘层30上方，且栅极40与栅极绝缘层30的图形一致。而遮光层70位于栅极40的上方。
需要说明的是，阵列基板1，如图14所示，还包括形成于基板10的半导体有源层20、栅极绝缘层30和栅极40上的第一保护层60。
本发明实施例提供的阵列基板1，可以将彩色滤光片整合薄膜晶体管阵列基板上，既拥有COA技术布线精确，无需因对盒工艺而增加遮光层的宽幅，以及透过率高的优点，又简化现有的COA技术的工艺步骤，进而保证了阵列基板1的生产质量。
同时，本发明提供一种显示装置，该显示装置包含以上所述的阵列基板1的制造方法制得的阵列基板，可以将彩色滤光片整合在阵列基板1，具体可以为将整合的阵列基板1与透明玻璃基板对盒而成的显示器、也可以为液晶显示器、OLED显示器、有源电子纸显示器及其它使用上述阵列基板1的显示装置。
本发明实施例提供的显示装置，包含将彩色滤光片整合薄膜晶体管阵列基板的阵列基板10，既拥有COA技术布线精确，无需因对盒工艺而增加遮光层的宽幅，以及透过率高的优点，又简化现有的COA技术的工艺步骤，进而保证了显示装置的生产质量。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成半导体有源层、栅绝缘层和栅极的图形；
在形成有所述半导体有源层、所述栅绝缘层和所述栅极的基板上形成遮光层的图形；
在形成有所述遮光层的基板上形成第一彩色滤光层和第二彩色滤光层的图形；
在形成有所述第一彩色滤光层和所述第二彩色滤光层的基板上形成第三彩色滤光层及贯穿彩色滤光层的过孔图形；
在形成有所述第一彩色滤光层、所述第二彩色滤光层、所述第三彩色滤光层和所述贯穿彩色滤光层的过孔的基板上形成像素电极和源/漏电极的图形。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成半导体有源层、栅绝缘层和栅极的图形，具体包括：
在衬底基板上依次形成半导体有源层薄膜、栅极绝缘层薄膜、栅极金属层薄膜；
对在所述半导体有源层薄膜、栅极绝缘层薄膜、栅极金属层薄膜上涂覆一层光刻胶，通过双色调掩膜版进行一次曝光，显影后形成第一光刻胶完全保留区域，第一光刻胶部分保留区域及第一光刻胶完全去除区域，所述第一光刻胶完全保留区域对应所述栅极图形，所述第一光刻胶部分保留区域对应所述半导体有源层的图形，所述第一光刻胶完全去除区域对应所述栅极和所述半导体有源层以外的区域；
然后对所述第一光刻胶完全去除区域进行刻蚀，去除所述栅极金属层薄膜、所述栅绝缘层薄膜和所述半导体有源层薄膜；
再对光刻胶进行灰化处理，将所述第一光刻胶部分保留区域的光刻胶去除掉，同时所述第一光刻胶完全保留区域的光刻胶减薄，通过刻蚀工艺去除所述对应半导体有源层上的所述栅极金属薄膜和所述栅绝缘层薄膜，剥离光刻胶后最终形成所述半导体有源层、所述栅极绝缘层、所述栅极的图形。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成有所述半导体有源层、所述栅绝缘层和所述栅极的基板上形成遮光层的图形；在形成有所述遮光层的基板上形成第一彩色滤光层和第二彩色滤光层的图形；在形成有所述第一彩色滤光层和所述第二彩色滤光层的基板上形成第三彩色滤光层及贯穿彩色滤光层的过孔图形；在形成有所述第一彩色滤光层、所述第二彩色滤光层、所述第三彩色滤光层和所述贯穿彩色滤光层的过孔的基板上形成像素电极和源/漏电极的图形；在形成有所述半导体有源层、所述栅绝缘层和所述栅极的基板上形成第一保护层和遮光层的图形包括：
在形成有所述半导体有源层、所述栅绝缘层和所述栅极的基板上形成第一保护层和遮光层的图形；
在形成有所述第一保护层和所述遮光层的基板上形成第一彩色滤光层和第二彩色滤光层的图形；
在形成有所述第一彩色滤光层和所述第二彩色滤光层的基板上形成第三彩色滤光层及贯穿彩色滤光层和所述第一保护层的过孔图形；
在形成有所述第一彩色滤光层、所述第二彩色滤光层、所述第三彩色滤光层和所述贯穿彩色滤光层和第一保护层的过孔的基板上形成像素电极和源/漏电极的图形。
4.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成有所述半导体有源层、所述栅绝缘层和所述栅极的基板上形成第一保护层和遮光层的图形，具体包括：
在形成有所述半导体有源层、所述栅绝缘层和所述栅极的基板上形成第一层保护层薄膜；
在形成有所述第一保护层薄膜的基板上形成黑色挡光材料；
在所述黑色挡光材料上涂覆光刻胶，利用掩膜版进行曝光、显影后形成第二光刻胶完全保留区域和第二光刻胶完全去除区域，所述第二光刻胶完全保留区域对应所述栅极上方，所述第二光刻胶完全保留区域以外的区域对应所述第二光刻胶完全去除区域；
通过刻蚀工艺，将所述第二光刻胶完全去除区域的黑色挡光材料去除；
剥离光刻胶后，在所述栅极上方形成所述黑矩阵的图形。
5.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成有所述第一彩色滤光层和第二彩色滤光层的基板上形成第三彩色滤光层及贯穿彩色滤光层和第一保护层的过孔图形，具体包括：
在形成有所述第一彩色滤光层和第二彩色滤光层的基板上形成第三彩色滤光层；
在所述第三彩色滤光层上涂覆光刻胶；利用掩膜版进行曝光、显影后，形成第三光刻胶完全保留区域和第三光刻胶完全去除区域，所述第三光刻胶完全去除区域对应所述栅极的两侧、所述半导体有源层的上方的过孔图形；所述第三光刻胶完全保留区域对应所述第三彩色滤光层上方除所述过孔图形以外区域；
通过刻蚀工艺，将第三光刻胶完全去除区域的所述第三彩色滤光层、所述第一彩色滤光层、所述第二彩色滤光层和所述第一保护层去除；
剥离光刻胶后，在所述半导体有源层上方形成过孔图形。
6.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，
在形成有所述第一彩色滤光层、所述第二彩色滤光层、所述第三彩色滤光层和所述贯穿彩色滤光层和第一保护层过孔的基板上形成像素电极和源/漏电极的图形，具体包括：
在形成有所述第一彩色滤光层、所述第二彩色滤光层、所述第三彩色滤光层和所述贯穿彩色滤光层和第一保护层过孔的基板上沉积像素电极层；
在所述像素电极层上沉积源/漏极金属；
在所述源/漏极金属上涂覆一层光刻胶，通过双色调掩膜版进行一次曝光，显影后形成第四光刻胶完全保留区域，第四光刻胶部分保留区域及第四光刻胶完全去除区域，所述第四光刻胶完全保留区域对应所述过孔图形，所述第四光刻胶部分保留区域对应第一未形成有所述半导体有源层图形的所述彩色滤光层上方的区域，所述第四光刻胶完全去除区域对应第二未形成有所述半导体有源层图形的所述彩色滤光层的区域和形成有所述栅极、所述栅绝缘层的所述彩色滤光层上方的区域；
对所述第四光刻胶完全去除区域进行刻蚀，去除所述像素电极层和所述源/漏极金属；
再对光刻胶进行灰化处理，将所述第四光刻胶部分保留区域的光刻胶去除掉，所述第四光刻胶完全保留区域的光刻胶减薄，通过刻蚀工艺去除将所述第一未形成有所述半导体有源层图形的所述彩色滤光层上方的区域的所述源/漏极金属，剥离光刻胶后最终形成所述像素电极和源/漏电极的图形。
7.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
形成于所述基板上的半导体有源层、栅极绝缘层、栅极；
形成于所述半导体有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极上的遮光层、第一彩色滤光层、第二彩色滤光层和第三彩色滤光层，其中，贯穿彩色滤光层形成有过孔；
形成于所述第一彩色滤光层、所述第二彩色滤光层和所述第三彩色滤光层上的像素电极和源/漏电极；
所述源/漏电极通过所述贯穿彩色滤光层的过孔与所述半导体有源层实现电连接。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极置于所述栅极绝缘层上方，且所述栅极与所述栅极绝缘层图形一致。
9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层位于所述栅极上方。
10.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，源电极和漏电极分别通过像素电极层和过孔与所述半导体有源层实现电连接。
11.根据权利要求7至10任一所述阵列基板，其特征在于，还包括：
形成于所述基板的所述半导体有源层、所述栅极绝缘层和所述栅极上的第一保护层。
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6中任意一项所述阵列基板的制造方法制得的所述阵列基板。
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