CN102791062B - 用于发光二极管(led)串的电流匹配的***和方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了用于发光二极管(LED)串的电流匹配的***和方法。提供了用于调整流经一个或多个LED串的串电流的***和方法。***控制器包括第一控制器端子、第二控制器端子和第三控制器端子。第一控制器端子被耦合到双极结型晶体管的基极端子,双极结型晶体管还包括发射极端子和集电极端子,集电极端子被连接到一个或多个LED串。第二控制器端子被耦合到双极结型晶体管的发射极端子和与电阻相关联的电阻器的第一电阻器端子。第三控制器端子被耦合到电阻器的第二电阻器端子。***控制器被配置为接收参考电压,接收发射极电压并输出基极电流。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路。更具体地,本发明提供了用于电流匹配的***和方法。仅仅作为示例,本发明已应用于发光二极管(LED)串的电流匹配。但是将认识到,本发明具有更广泛的应用范围。
背景技术
发光二极管已被广泛用在诸如LED/LCD TV之类的各种电子产品中。通常,LED/LCD TV包括多个LED串。图1是示出用于驱动多个LED串的***的简化传统示图。每个LED串1021,…,102n(其中,n不小于1)具有一个或多个串联连接的LED。***100包括分别用于驱动LED串1021,...,102n的双极结型晶体管1041,...,104n。另外,***100包括控制器108。双极结型晶体管(BJT)1041,...,104n的发射极端子1101,...,110n被分别连接到电阻器1061,...,106n。为了使分别流经LED串1021,...,102n的电流1121,...,112n匹配,发射极端子1101,...,110n处的电压的大小通常保持相等或近似相等。然而,传统技术通常例如由于双极结型晶体管的参数变化而无法以满意的精确度使LED电流匹配。
因此,改善LED串的电流匹配技术变得非常重要。
发明内容
本发明涉及集成电路。更具体地,本发明提供了用于电流匹配的***和方法。仅仅作为示例,本发明已应用于LED串的电流匹配。但是将认识到,本发明具有更广泛的应用范围。
一种用于调整流经一个或多个LED串的串电流的***控制器包括第一控制器端子、第二控制器端子和第三控制器端子。第一控制器端子被耦合到双极结型晶体管的基极端子,所述双极结型晶体管还包括发射极端子和集电极端子,所述集电极端子被连接到所述一个或多个LED串。第二控制器端子被耦合到所述双极结型晶体管的所述发射极端子和与电阻相关联的电阻器的第一电阻器端子。第三控制器端子被耦合到所述电阻器的第二电阻器端子。***控制器被配置为:接收参考电压;通过所述第二控制器端子接收来自所述双极结型晶体管的所述发射极端子的发射极电压;以及基于至少与所述参考电压和所述发射极电压相关联的信息通过所述第一控制器端子输出与所述双极结型晶体管的所述基极端子有关的基极电流。***控制器还被配置为:通过所述第二控制器端子接收与所述双极结型晶体管的所述发射极端子有关的第一电流,所述第一电流的大小等于所述基极电流;以及将所述发射极电压调整为在大小上等于所述参考电压。
根据另一实施例,一种用于调整流经一个或多个LED串的串电流的***控制器包括第一控制器端子、第二控制器端子、第三控制器端子、第四控制器端子、第五控制器端子和第六控制器端子。第一控制器端子被耦合到第一双极结型晶体管的第一基极端子,所述第一双极结型晶体管还包括第一发射极端子和第一集电极端子,所述第一集电极端子被连接到第一串一个或多个发光二极管。第二控制器端子被耦合到所述第一双极结型晶体管的所述第一发射极端子和与第一电阻相关联的第一电阻的第一电阻器端子。第三控制器端子被耦合到所述第一电阻器的第二电阻器端子。第四控制器端子被耦合到第二双极结型晶体管的第二基极端子,所述第二双极结型晶体管还包括第二发射极端子和第二集电极端子,所述第二集电极端子被连接到第二串一个或多个发光二极管。第五控制器端子被耦合到所述第二双极结型晶体管的所述第二发射极端子和与第二电阻相关联的第二电阻的第三电阻器端子。另外,第六控制器端子被耦合到所述第二电阻器的第四电阻器端子。***控制器被配置为:接收第一参考电压;通过所述第二控制器端子接收来自所述第一双极结型晶体管的所述第一发射极端子的第一发射极电压;以及至少基于与所述第一参考电压和所述第一发射极电压相关联的信息通过所述第一控制器端子输出与所述第一双极结型晶体管的所述第一基极端子有关的第一基极电流。***控制器还被配置为:通过所述第二控制器端子接收与所述第一双极结型晶体管的所述第一发射极端子有关的第一电流;以及将所述第一发射极电压调整为在大小上等于所述第一参考电压。此外,***控制器还被配置为:接收第二参考电压;通过所述第五控制器端子接收来自所述第二双极结型晶体管的所述第二发射极端子的第二发射极电压;以及至少基于与所述第二参考电压和所述第二发射极电压相关联的信息通过所述第四控制器端子输出与所述第二双极结型晶体管的所述第二基极端子有关的第二基极电流。另外,***控制器还被配置为:通过所述第五控制器端子接收与所述第二双极结型晶体管的所述第二发射极端子有关的第二电流;以及将所述第二发射极电压调整为在大小上等于所述第二参考电压。所述第一参考电压和所述第二参考电压在大小上相同。所述第一电阻和所述第二电阻在大小上相同。
在一个实施例中,一种用于调整流经一个或多个LED串的串电流的方法包括由***控制器接收参考电压,该***控制器包括第一控制器端子、第二控制器端子和第三控制器端子,所述第一控制器端子被耦合到双极结型晶体管的基极端子,所述第二控制器端子被耦合到与电阻相关联的电阻器的第一电阻器端子,所述第三控制器端子被耦合到所述电阻器的第二电阻器端子。该方法还包括通过所述第二控制器端子接收来自所述双极结型晶体管的所述发射极端子的发射极电压,所述双极结型晶体管还包括连接到所述一个或多个LED串的集电极端子。另外,该方法包括:基于至少与所述参考电压和所述发射极电压相关联的信息通过所述第一控制器端子输出与所述双极结型晶体管的所述基极端子有关的基极电流;通过所述第二控制器端子接收与所述双极结型晶体管的所述发射极端子有关的第一电流,所述第一电流的大小等于所述基极电流;以及将所述发射极电压调整为在大小上等于所述参考电压。
在另一实施例中,一种用于调整流经一个或多个LED串的串电流的方法包括由***控制器接收第一参考电压,该***控制器包括第一控制器端子、第二控制器端子和第三控制器端子,所述第一控制器端子被耦合到第一双极结型晶体管的第一基极端子,所述第二控制器端子被耦合到与第一电阻相关联的第一电阻的第一电阻器端子,所述第三控制器端子被耦合到所述第一电阻器的第二电阻器端子。该方法还包括通过所述第二控制器端子接收来自所述第一双极结型晶体管的所述第一发射极端子的第一发射极电压,所述第一双极结型晶体管还包括连接到第一串一个或多个发光二极管的第一集电极端子。另外,该方法包括:至少基于与所述第一参考电压和所述第一发射极电压相关联的信息通过所述第一控制器端子输出与所述第一双极结型晶体管的所述第一基极端子有关的第一基极电流;通过所述第二控制器端子接收与所述第一双极结型晶体管的所述第一发射极端子有关的第一电流,所述第一电流的大小等于所述第一基极电流;以及将所述第一发射极电压调整为在大小上等于所述第一参考电压。此外,该方法包括由所述***控制器接收第二参考电压,所述***控制器包括第四控制器端子、第五控制器端子和第六控制器端子,所述第四控制器端子被耦合到被耦合到第二双极结型晶体管的第二基极端子,所述第五控制器端子被耦合到与第二电阻相关联的第二电阻的第三电阻器端子,所述第六控制器端子被耦合到所述第二电阻器的第四电阻器端子。此外,该方法包括:通过所述第五控制器端子接收来自所述第二双极结型晶体管的所述第二发射极端子的第二发射极电压,所述第二双极结型晶体管还包括连接到第二串一个或多个发光二极管的第二集电极端子;以及至少基于与所述第二参考电压和所述第二发射极电压相关联的信息通过所述第四控制器端子输出与所述第二双极结型晶体管的所述第二基极端子有关的第二基极电流。该方法包括:通过所述第五控制器端子接收与所述第二双极结型晶体管的所述第二发射极端子有关的第二电流,所述第二电流的大小等于所述第二基极电流;以及将所述第二发射极电压调整为在大小上等于所述第二参考电压。所述第一参考电压和所述第二参考电压在大小上相同。所述第一电阻和所述第二电阻在大小上相同。
取决于实施例,可以获得一个或多个益处。参考下面的详细描述和附图可以全面地理解本发明的这些益处以及各个另外的目的、特征和优点。
附图说明
图1是示出用于驱动多个LED串的***的简化传统示图。
图2是示出根据本发明一个实施例的用于LED电流匹配的***的某些组件的简化示图。
图3是示出根据本发明另一实施例的用于LED电流匹配的***的某些组件的简化示图。
图4是示出根据本发明一个实施例的用于驱动多个LED串的***的简化传统示图。
具体实施方式
本发明涉及集成电路。更具体地,本发明提供了用于电流匹配的***和方法。仅仅作为示例,本发明已应用于LED串的电流匹配。但是将认识到,本发明具有更广泛的应用范围。
返回参考图1,流经LED串的电流可基于下式来确定:
其中,ILED表示LED电流(例如,电流1121,...,112),Vemitter表示发射极电压(例如,发射极端子1101,…,110n处的电压),R表示电阻(例如,电阻器1061,…,106n的电阻),并且Ibase表示基极电流(例如,BJT1041,...,104n各自的基极电流1141,...,114n)。
如等式1所示,LED串1021,…,102n的电流匹配取决于发射极端子1101,...,110n处的电压、电阻器1061,...,106n的电阻和基极电流1141,...,114n。发射极端子1101,…,110n处的电压可通过基于单个参考来生成这些电压而相匹配。通常可以以满意的精确度使电阻器1061,…,106n的电阻相匹配。然而,基极电流1141,…,114n通常在不同设备间显著变化。基极电流1141,...,114n的这样的失配可能影响LED电流匹配精确度。
图2是示出根据本发明一个实施例的用于LED电流匹配的***的某些组件的简化示图。该示图仅仅是示例,其不应当不当地限制权利要求的范围。本领域技术人员将认识到许多变体、替换和修改。***200包括电流匹配组件202、BJT206和电阻器208。另外,电流匹配组件202包括误差放大器210以及晶体管212、214、216、218和220。例如,BJT206的集电极端子227被耦合到LED串204。在另一示例中,误差放大器210包括放大器250、晶体管252和电流源254。在又一示例中,电流匹配组件202包括端子280、282和284。在又一示例中,BJT206是NPN BJT。
根据一个实施例,误差放大器210接收参考信号222和来自BJT206的发射极端子226的反馈信号224,并且向晶体管216输出基于参考信号222和反馈信号224之差的信号228。例如,通过端子280为BJT206生成基极电流230(例如,Ibase)。在另一示例中,基极电流230至少由晶体管212和214镜像反映以生成流经晶体管218的电流232。在又一示例中,电流232至少由晶体管218和220镜像反映以生成流经晶体管220的电流234(例如,I1)。
根据另一实施例,BJT206的发射极电流236基于下式来确定:
Iemitter=ILED+Ibase (式2)
其中,Iemitter表示发射极电流236,ILED表示流经LED串204的电流238(例如,串电流),并且Ibase表示基极电流230。另一方面,BJT206的发射极电流236例如可基于下式来确定:
Iemitter=Ir+I1 (式3)
其中,Ir表示流经电阻器208的电流240,并且I1表示电流234。由于电流234是基于基极电流230的电流镜像映射生成的,因此根据某些实施例,电流234的大小等于基极电流230。即,
I1=Ibase (式4)
作为一个示例,根据等式2、等式3和等式4,流经LED串204的电流238的大小等于流经电阻器208的电流240。
ILED=Ir (式5)
例如,包括误差放大器210、晶体管216和BJT206的反馈环路是电压反馈控制环路。在另一示例中,反馈信号224被调整(例如,设置)为在大小上等于或近似等于参考信号222。因此,例如,电流240可如下这样确定:
其中,Vref表示参考信号222,并且R表示电阻器208的电阻。在另一示例中,电流238可如下这样确定:
由于如等式7所示流经单个LED串的电流可利用参考信号(例如,信号222)和电阻器(例如,208)来确定,因此在一些实施例中,如果单个参考电压(例如,参考信号222)由用于多个LED串的不同误差放大器(例如,放大器210)以及连接到这些LED串的电阻器接收,则可以使流经LED串的电流相匹配。
根据某些实施例,为了满意的电流感测精确度,级联结构可被用于镜像反映基极电流230以生成电流234,从而减少***偏移。然而,如果基极电流230具有大的大小(例如,10mA或更大),则使用级联结构的电流镜像可能导致净空(headroom)问题。由于沟道长度调制可能发生大的***偏移,其可能导致LED电流匹配不精确。
图3是示出根据本发明另一实施例的用于LED电流匹配的***的某些组件的简化示图。该示图仅仅是示例,其不应当不当地限制权利要求的范围。本领域技术人员将认识到许多变体、替换和修改。***300包括电流匹配组件302、BJT 306和电阻器308。另外,电流匹配组件302包括误差放大器310、放大器344和346以及晶体管312、314、316、318、320、342和348。例如,BJT 306的集电极端子327被耦合到LED串304。在另一示例中,误差放大器310包括放大器350、晶体管352和电流源354。在又一示例中,BJT 306是NPN BJT。
根据一个实施例,误差放大器310接收参考信号322和来自BJT 306的发射极端子326的反馈信号324,并且向晶体管316输出基于参考信号322和反馈信号324之差的信号328。例如,为BJT 306生成基极电流330(例如,Ibase)。在另一示例中,基极电流330至少由晶体管312和314镜像反映以生成流经晶体管318的电流332。在又一示例中,电流332至少由晶体管318和320镜像反映以生成流经晶体管320的电流334(例如,I1)。在又一示例中,电流334的大小等于基极电流330。在又一示例中,电流338的大小等于电流340。
根据另一实施例,放大器344接收来自晶体管314的端子356的电压信号(例如,Va)和来自晶体管312的端子358的另一电压信号(例如,Vb),并向晶体管342输出信号360。例如,使端子356处的电压信号(例如,Va)和端子358处的电压信号(例如,Vb)的大小保持相等或近似相等。在另一示例中,放大器346接收来自晶体管318的端子360的电压信号(例如,Vc)和来自晶体管320的端子362的另一电压信号(例如,Vd)并向晶体管348输出信号362。在又一示例中,使端子360处的电压信号(例如,Vc)和端子362处的电压信号(例如,Vd)的大小保持相等或近似相等。因此,根据某些实施例,用于电流镜像反映的晶体管312和314没有***偏移,并且用于电流镜像反映的晶体管318和320没有***偏移。
如上面讨论并在此进一步强调的,图2和图3仅仅是示例,其不应当不当地限制权利要求的范围。本领域技术人员将认识到许多变体、替换和修改。例如,BJT206是PNP BJT。基极电流230从BJT206流到端子280,并且电流234从晶体管220流到端子282。在另一示例中,BJT306是PNP BJT。在另一示例中,基极电流330从BJT306流到端子380,并且电流334从晶体管320流到端子382。
图4是示出根据本发明一个实施例的用于驱动多个LED串的***的简化传统示图。该示图仅仅是示例,其不应当不当地限制权利要求的范围。本领域技术人员将认识到许多变体、替换和修改。例如,***400包括用于驱动LED串4021,4022,…,402i…,402n的控制器401,其中,n是正整数(例如,不小于1)并且i是不小于1且不大于n的正整数。***400还包括分别连接到LED串4021,4022,…,402i…,402n的双极结型晶体管(BJT)4061,4062,…,406i…,406n。在另一示例中,BJT4061,4062,…,406i…,406n的发射极端子被分别连接到电阻器4081,4082,…,408i…,408n。控制器401包括电流匹配组件4041,4042,…,404i…,404n。例如,电流匹配组件404i包括三个端子410i,412i和414i。在另一示例中,电流匹配组件4041,4042,...,404i...,404n被集成到单个芯片上。
在一个实施例中,电流匹配组件404i与电流匹配组件202相同。例如,端子410i,412i和414i分别与端子280,282和284相同。在另一示例中,LED串402i与LED串204相同。在又一示例中,BJT406i与BJT206相同。在又一示例中,电阻器408i与电阻器208相同。
在又一实施例中,电流匹配组件404i与电流匹配组件302相同。例如,端子410i,412i和414i分别与端子380,382和384相同。在另一示例中,LED串402i与LED串304相同。在又一示例中,BJT 406i与BJT 306相同。在又一示例中,电阻器408i与电阻器308相同。
根据另一实施例,一种用于调整流经一个或多个LED串的串电流的***控制器包括第一控制器端子、第二控制器端子和第三控制器端子。第一控制器端子被耦合到双极结型晶体管的基极端子,所述双极结型晶体管还包括发射极端子和集电极端子,所述集电极端子被连接到所述一个或多个LED串。第二控制器端子被耦合到所述双极结型晶体管的所述发射极端子和与电阻相关联的电阻器的第一电阻器端子。第三控制器端子被耦合到所述电阻器的第二电阻器端子。***控制器被配置为:接收参考电压;通过所述第二控制器端子接收来自所述双极结型晶体管的所述发射极端子的发射极电压;以及基于至少与所述参考电压和所述发射极电压相关联的信息通过所述第一控制器端子输出与所述双极结型晶体管的所述基极端子有关的基极电流。***控制器还被配置为:通过所述第二控制器端子接收与所述双极结型晶体管的所述发射极端子有关的第一电流,所述第一电流的大小等于所述基极电流;以及将所述发射极电压调整为在大小上等于所述参考电压。例如,该***控制器至少根据图2、图3和/或图4来实现。
根据另一实施例,一种用于调整流经一个或多个LED串的串电流的***控制器包括第一控制器端子、第二控制器端子、第三控制器端子、第四控制器端子、第五控制器端子和第六控制器端子。第一控制器端子被耦合到第一双极结型晶体管的第一基极端子,所述第一双极结型晶体管还包括第一发射极端子和第一集电极端子,所述第一集电极端子被连接到第一串一个或多个发光二极管。第二控制器端子被耦合到所述第一双极结型晶体管的所述第一发射极端子和与第一电阻相关联的第一电阻的第一电阻器端子。第三控制器端子被耦合到所述第一电阻器的第二电阻器端子。第四控制器端子被耦合到第二双极结型晶体管的第二基极端子,所述第二双极结型晶体管还包括第二发射极端子和第二集电极端子,所述第二集电极端子被连接到第二串一个或多个发光二极管。第五控制器端子被耦合到所述第二双极结型晶体管的所述第二发射极端子和与第二电阻相关联的第二电阻的第三电阻器端子。另外,第六控制器端子被耦合到所述第二电阻器的第四电阻器端子。***控制器被配置为:接收第一参考电压;通过所述第二控制器端子接收来自所述第一双极结型晶体管的所述第一发射极端子的第一发射极电压;以及至少基于与所述第一参考电压和所述第一发射极电压相关联的信息通过所述第一控制器端子输出与所述第一双极结型晶体管的所述第一基极端子有关的第一基极电流。***控制器还被配置为:通过所述第二控制器端子接收与所述第一双极结型晶体管的所述第一发射极端子有关的第一电流;以及将所述第一发射极电压调整为在大小上等于所述第一参考电压。此外,***控制器还被配置为:接收第二参考电压;通过所述第五控制器端子接收来自所述第二双极结型晶体管的所述第二发射极端子的第二发射极电压;以及至少基于与所述第二参考电压和所述第二发射极电压相关联的信息通过所述第四控制器端子输出与所述第二双极结型晶体管的所述第二基极端子有关的第二基极电流。另外,***控制器还被配置为:通过所述第五控制器端子接收与所述第二双极结型晶体管的所述第二发射极端子有关的第二电流;以及将所述第二发射极电压调整为在大小上等于所述第二参考电压。所述第一参考电压和所述第二参考电压在大小上相同。所述第一电阻和所述第二电阻在大小上相同。例如,该***控制器至少根据图2、图3和/或图4来实现。
在一个实施例中,一种用于调整流经一个或多个LED串的串电流的方法包括由***控制器接收参考电压,该***控制器包括第一控制器端子、第二控制器端子和第三控制器端子,所述第一控制器端子被耦合到双极结型晶体管的基极端子,所述第二控制器端子被耦合到与电阻相关联的电阻器的第一电阻器端子,所述第三控制器端子被耦合到所述电阻器的第二电阻器端子。该方法还包括通过所述第二控制器端子接收来自所述双极结型晶体管的所述发射极端子的发射极电压,所述双极结型晶体管还包括连接到所述一个或多个LED串的集电极端子。另外,该方法包括:基于至少与所述参考电压和所述发射极电压相关联的信息通过所述第一控制器端子输出与所述双极结型晶体管的所述基极端子有关的基极电流;通过所述第二控制器端子接收与所述双极结型晶体管的所述发射极端子有关的第一电流,所述第一电流的大小等于所述基极电流;以及将所述发射极电压调整为在大小上等于所述参考电压。例如,该方法至少根据图2、图3和/或图4来实现。
在另一实施例中,一种用于调整流经一个或多个LED串的串电流的方法包括由***控制器接收第一参考电压,该***控制器包括第一控制器端子、第二控制器端子和第三控制器端子,所述第一控制器端子被耦合到第一双极结型晶体管的第一基极端子,所述第二控制器端子被耦合到与第一电阻相关联的第一电阻的第一电阻器端子,所述第三控制器端子被耦合到所述第一电阻器的第二电阻器端子。该方法还包括通过所述第二控制器端子接收来自所述第一双极结型晶体管的所述第一发射极端子的第一发射极电压,所述第一双极结型晶体管还包括连接到第一串一个或多个发光二极管的第一集电极端子。另外,该方法包括:至少基于与所述第一参考电压和所述第一发射极电压相关联的信息通过所述第一控制器端子输出与所述第一双极结型晶体管的所述第一基极端子有关的第一基极电流;通过所述第二控制器端子接收与所述第一双极结型晶体管的所述第一发射极端子有关的第一电流,所述第一电流的大小等于所述第一基极电流;以及将所述第一发射极电压调整为在大小上等于所述第一参考电压。此外,该方法包括由所述***控制器接收第二参考电压,所述***控制器包括第四控制器端子、第五控制器端子和第六控制器端子,所述第四控制器端子被耦合到被耦合到第二双极结型晶体管的第二基极端子,所述第五控制器端子被耦合到与第二电阻相关联的第二电阻的第三电阻器端子,所述第六控制器端子被耦合到所述第二电阻器的第四电阻器端子。此外,该方法包括:通过所述第五控制器端子接收来自所述第二双极结型晶体管的所述第二发射极端子的第二发射极电压,所述第二双极结型晶体管还包括连接到第二串一个或多个发光二极管的第二集电极端子;以及至少基于与所述第二参考电压和所述第二发射极电压相关联的信息通过所述第四控制器端子输出与所述第二双极结型晶体管的所述第二基极端子有关的第二基极电流。该方法包括:通过所述第五控制器端子接收与所述第二双极结型晶体管的所述第二发射极端子有关的第二电流,所述第二电流的大小等于所述第二基极电流;以及将所述第二发射极电压调整为在大小上等于所述第二参考电压。所述第一参考电压和所述第二参考电压在大小上相同。所述第一电阻和所述第二电阻在大小上相同。例如,该方法至少根据图2、图3和/或图4来实现。
例如,本发明各个实施例中的一些或所有组件单独地和/或与至少另一组件相组合地是利用一个或多个软件组件、一个或多个硬件组件和/或软件与硬件组件的一种或多种组合来实现的。在另一示例中,本发明各个实施例中的一些或所有组件单独地和/或与至少另一组件相组合地在一个或多个电路中实现,例如在一个或多个模拟电路和/或一个或多个数字电路中实现。在又一示例中,本发明的各个实施例和/或示例可以相组合。
虽然已描述了本发明的具体实施例,然而本领域技术人员将明白,还存在于所述实施例等同的其它实施例。因此,将明白,本发明不受所示具体实施例的限制,而是仅由权利要求的范围来限定。
Claims (20)
1.一种用于调整流经一个或多个发光二极管(LED)串的串电流的***控制器,该***控制器包括:
第一控制器端子,被耦合到双极结型晶体管的基极端子,所述双极结型晶体管还包括发射极端子和集电极端子,所述集电极端子被连接到所述一个或多个LED串;
第二控制器端子,被耦合到所述双极结型晶体管的所述发射极端子和与电阻相关联的电阻器的第一电阻器端子;以及
第三控制器端子,被耦合到所述电阻器的第二电阻器端子;
其中,所述***控制器被配置为:
接收参考电压;
通过所述第二控制器端子接收来自所述双极结型晶体管的所述发射极端子的发射极电压;
基于至少与所述参考电压和所述发射极电压相关联的信息通过所述第一控制器端子输出与所述双极结型晶体管的所述基极端子有关的基极电流;
通过所述第二控制器端子接收与所述双极结型晶体管的所述发射极端子有关的第一电流,所述第一电流的大小等于所述基极电流;以及
将所述发射极电压调整为在大小上等于所述参考电压。
2.如权利要求1所述的***控制器,还被配置为将所述串电流调整为等于所述参考电压除以所述电阻。
3.如权利要求1所述的***控制器,还被配置为:
至少基于与所述参考电压和所述发射极电压相关联的信息通过所述第一控制器端子输出流到所述双极结型晶体管的所述基极端子的所述基极电流;以及
通过所述第二控制器端子接收从所述双极结型晶体管的所述发射极端子流来的所述第一电流,所述第一电流的大小等于所述基极电流。
4.如权利要求3所述的***控制器,其中,所述双极结型晶体管是NPN双极结型晶体管。
5.如权利要求1所述的***控制器,还被配置为:
至少基于与所述参考电压和所述发射极电压相关联的信息通过所述第一控制器端子输出从所述双极结型晶体管的所述基极端子流来的所述基极电流;以及
通过所述第二控制器端子接收流到所述双极结型晶体管的所述发射极端子流来的所述第一电流,所述第一电流的大小等于所述基极电流。
6.如权利要求5所述的***控制器,其中,所述双极结型晶体管是PNP双极结型晶体管。
7.如权利要求1所述的***控制器,还包括:
误差放大器,被配置为接收所述参考电压和所述发射极电压并且至少基于与所述参考电压和所述发射极电压相关联的信息输出放大信号;
电流生成器,被配置为接收所述放大信号并且至少基于与所述放大信号相关联的信息生成所述基极电流;以及
电流镜组件,被配置为将所述第一电流调整为在大小上等于所述基极电流。
8.如权利要求7所述的***控制器,其中,所述电流生成器包括第一晶体管,该第一晶体管包括第一晶体管端子、第二晶体管端子和第三晶体管端子,所述第一晶体管端子被配置为接收所述放大信号,所述第三晶体管端子被耦合到所述第一控制器端子并被配置为输出所述基极电流。
9.如权利要求8所述的***控制器,其中,所述电流镜组件包括:
第二晶体管,该第二晶体管包括第四晶体管端子、第五晶体管端子和第六晶体管端子;
第三晶体管,该第三晶体管包括第七晶体管端子、第八晶体管端子和第九晶体管端子;
第四晶体管,该第四晶体管包括第十晶体管端子、第十一晶体管端子和第十二晶体管端子;以及
第五晶体管,该第五晶体管包括第十三晶体管端子、第十四晶体管端子和第十五晶体管端子;
其中:
所述第四晶体管端子被耦合到所述第七晶体管端子和所述第六晶体管端子;
所述第五晶体管端子被耦合到所述第八晶体管端子;
所述第六晶体管端子被耦合到所述第二晶体管端子;
所述第十晶体管端子被耦合到所述第十三晶体管端子和所述第十四晶体管端子;
所述第十一晶体管端子被耦合到所述第二控制器端子并被配置为接收所述第一电流;
所述第十二晶体管端子被耦合到所述第十五晶体管端子;以及
所述第十四晶体管端子被耦合到所述第九晶体管端子。
10.如权利要求8所述的***控制器,其中,所述电流镜组件包括:
第二晶体管,该第二晶体管包括第四晶体管端子、第五晶体管端子和第六晶体管端子;
第三晶体管,该第三晶体管包括第七晶体管端子、第八晶体管端子和第九晶体管端子;
第四晶体管,该第四晶体管包括第十晶体管端子、第十一晶体管端子和第十二晶体管端子;
第五晶体管,该第五晶体管包括第十三晶体管端子、第十四晶体管端子和第十五晶体管端子;
第六晶体管,该第六晶体管包括第十六晶体管端子、第十七晶体管端子和第十八晶体管端子;
第七晶体管,该第七晶体管包括第十九晶体管端子、第二十晶体管端子和第二十一晶体管端子;
第一放大器,该第一放大器包括第一放大器输入端子、第二放大器输入端子和第一放大器输出端子;以及
第二放大器,该第二放大器包括第三放大器输入端子、第四放大器输入端子和第二放大器输出端子;
其中:
所述第四晶体管端子被耦合到所述第七晶体管端子和所述第六晶体管端子;
所述第五晶体管端子被耦合到所述第八晶体管端子;
所述第六晶体管端子被耦合到所述第二晶体管端子;
所述第九晶体管端子被耦合到所述第十七晶体管端子和所述第一放大器输入端子;
所述第十晶体管端子被耦合到所述第十三晶体管端子和所述第十四晶体管端子;
所述第十一晶体管端子被耦合到所述第二十一晶体管端子和所述第四放大器输入端子;
所述第十二晶体管端子被耦合到所述第十五晶体管端子;
所述第十四晶体管端子被耦合到所述第十八晶体管端子;
所述第十六晶体管端子被耦合到所述第一放大器输出端子;
所述第十九晶体管端子被耦合到所述第二放大器输出端子;以及
所述第二十晶体管端子被耦合到所述第二控制器端子并被配置为接收所述第一电流。
11.一种用于调整流经一个或多个发光二极管LED串的串电流的***控制器,该***控制器包括:
第一控制器端子,被耦合到第一双极结型晶体管的第一基极端子,所述第一双极结型晶体管还包括第一发射极端子和第一集电极端子,所述第一集电极端子被连接到第一串一个或多个发光二极管;
第二控制器端子,被耦合到所述第一双极结型晶体管的所述第一发射极端子和与第一电阻相关联的第一电阻的第一电阻器端子;
第三控制器端子,被耦合到所述第一电阻器的第二电阻器端子;
第四控制器端子,被耦合到第二双极结型晶体管的第二基极端子,所述第二双极结型晶体管还包括第二发射极端子和第二集电极端子,所述第二集电极端子被连接到第二串一个或多个发光二极管;
第五控制器端子,被耦合到所述第二双极结型晶体管的所述第二发射极端子和与第二电阻相关联的第二电阻的第三电阻器端子;以及
第六控制器端子,被耦合到所述第二电阻器的第四电阻器端子;
其中,所述***控制器被配置为:
接收第一参考电压;
通过所述第二控制器端子接收来自所述第一双极结型晶体管的所述第一发射极端子的第一发射极电压;
至少基于与所述第一参考电压和所述第一发射极电压相关联的信息通过所述第一控制器端子输出与所述第一双极结型晶体管的所述第一基极端子有关的第一基极电流;
通过所述第二控制器端子接收与所述第一双极结型晶体管的所述第一发射极端子有关的第一电流,所述第一电流的大小等于第一基极电流;以及
将所述第一发射极电压调整为在大小上等于所述第一参考电压;其中,所述***控制器还被配置为:
接收第二参考电压;
通过所述第五控制器端子接收来自所述第二双极结型晶体管的所述第二发射极端子的第二发射极电压;
至少基于与所述第二参考电压和所述第二发射极电压相关联的信息通过所述第四控制器端子输出与所述第二双极结型晶体管的所述第二基极端子有关的第二基极电流;
通过所述第五控制器端子接收与所述第二双极结型晶体管的所述第二发射极端子有关的第二电流,所述第二电流的大小等于所述第二基极电流;以及
将所述第二发射极电压调整为在大小上等于所述第二参考电压;其中:
所述第一参考电压和所述第二参考电压在大小上相同;以及
所述第一电阻和所述第二电阻在大小上相同。
12.如权利要求11所述的***控制器,还被配置为:
将所述第一串电流调整为等于所述第一参考电压除以所述第一电阻;以及
将所述第二串电流调整为等于所述第二参考电压除以所述第二电阻。
13.如权利要求11所述的***控制器,还被配置为:
至少基于与所述第一参考电压和所述第一发射极电压相关联的信息通过所述第一控制器端子输出流到所述第一双极结型晶体管的所述第一基极端子的所述第一基极电流;
通过所述第二控制器端子接收从所述第一双极结型晶体管的所述第一发射极端子流来的所述第一电流,所述第一电流的大小等于所述第一基极电流;
至少基于与所述第二参考电压和所述第二发射极电压相关联的信息通过所述第四控制器端子输出流到所述第二双极结型晶体管的所述第二基极端子的所述第二基极电流;以及
通过所述第五控制器端子接收从所述第二双极结型晶体管的所述第二发射极端子流来的所述第二电流,所述第二电流的大小等于所述第二基极电流。
14.如权利要求13所述的***控制器,其中,所述第一双极结型晶体管是NPN双极结型晶体管,并且所述第二双极结型晶体管是NPN双极结型晶体管。
15.如权利要求11所述的***控制器,还被配置为:
至少基于与所述第一参考电压和所述第一发射极电压相关联的信息通过所述第一控制器端子输出从所述第一双极结型晶体管的所述第一基极端子流来的所述第一基极电流;
通过所述第二控制器端子接收流到所述第一双极结型晶体管的所述第一发射极端子的所述第一电流,所述第一电流的大小等于所述第一基极电流;
至少基于与所述第二参考电压和所述第二发射极电压相关联的信息通过所述第四控制器端子输出从所述第二双极结型晶体管的所述第二基极端子流来的所述第二基极电流;以及
通过所述第五控制器端子接收流到所述第二双极结型晶体管的所述第二发射极端子的所述第二电流,所述第二电流的大小等于所述第二基极电流。
16.如权利要求15所述的***控制器,其中,所述第一双极结型晶体管是PNP双极结型晶体管,并且所述第二双极结型晶体管是PNP双极结型晶体管。
17.一种用于调整流经一个或多个发光二极管LED串的串电流的方法,该方法包括:
由***控制器接收参考电压,该***控制器包括第一控制器端子、第二控制器端子和第三控制器端子,所述第一控制器端子被耦合到双极结型晶体管的基极端子,所述第二控制器端子被耦合到与电阻相关联的电阻器的第一电阻器端子,所述第三控制器端子被耦合到所述电阻器的第二电阻器端子;
通过所述第二控制器端子接收来自所述双极结型晶体管的发射极端子的发射极电压,所述双极结型晶体管还包括连接到所述一个或多个LED串的集电极端子;
基于至少与所述参考电压和所述发射极电压相关联的信息通过所述第一控制器端子输出与所述双极结型晶体管的所述基极端子有关的基极电流;
通过所述第二控制器端子接收与所述双极结型晶体管的所述发射极端子有关的第一电流,所述第一电流的大小等于所述基极电流;以及
将所述发射极电压调整为在大小上等于所述参考电压。
18.如权利要求17所述的方法,还包括:将所述串电流调整为等于所述参考电压除以与所述电阻器相关联的电阻。
19.一种用于调整流经一个或多个发光二极管(LED)串的串电流的方法,该方法包括:
由***控制器接收第一参考电压,该***控制器包括第一控制器端子、第二控制器端子和第三控制器端子,所述第一控制器端子被耦合到第一双极结型晶体管的第一基极端子,所述第二控制器端子被耦合到与第一电阻相关联的第一电阻的第一电阻器端子,所述第三控制器端子被耦合到所述第一电阻器的第二电阻器端子;
通过所述第二控制器端子接收来自所述第一双极结型晶体管的第一发射极端子的第一发射极电压,所述第一双极结型晶体管还包括连接到第一串一个或多个发光二极管的第一集电极端子;
至少基于与所述第一参考电压和所述第一发射极电压相关联的信息通过所述第一控制器端子输出与所述第一双极结型晶体管的所述第一基极端子有关的第一基极电流;
通过所述第二控制器端子接收与所述第一双极结型晶体管的所述第一发射极端子有关的第一电流,所述第一电流的大小等于所述第一基极电流;
将所述第一发射极电压调整为在大小上等于所述第一参考电压;
由所述***控制器接收第二参考电压,所述***控制器包括第四控制器端子、第五控制器端子和第六控制器端子,所述第四控制器端子被耦合到被耦合到第二双极结型晶体管的第二基极端子,所述第五控制器端子被耦合到与第二电阻相关联的第二电阻的第三电阻器端子,所述第六控制器端子被耦合到所述第二电阻器的第四电阻器端子;
通过所述第五控制器端子接收来自所述第二双极结型晶体管的第二发射极端子的第二发射极电压,所述第二双极结型晶体管还包括连接到第二串一个或多个发光二极管的第二集电极端子;
至少基于与所述第二参考电压和所述第二发射极电压相关联的信息通过所述第四控制器端子输出与所述第二双极结型晶体管的所述第二基极端子有关的第二基极电流;
通过所述第五控制器端子接收与所述第二双极结型晶体管的所述第二发射极端子有关的第二电流,所述第二电流的大小等于所述第二基极电流;以及
将所述第二发射极电压调整为在大小上等于所述第二参考电压;
其中:
所述第一参考电压和所述第二参考电压在大小上相同;以及
所述第一电阻和所述第二电阻在大小上相同。
20.如权利要求19所述的方法,还包括:
将所述第一串电流调整为等于所述第一参考电压除以所述第一电阻;以及
将所述第二串电流调整为等于所述第二参考电压除以所述第二电阻。
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PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
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C14 | Grant of patent or utility model | ||
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