CN102779475A

CN102779475A - 显示装置和显示方法

Info

Publication number: CN102779475A
Application number: CN2012101356457A
Authority: CN
Inventors: 多田罗智史; 尾本启介; 内野胜秀
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Joled Inc
Priority date: 2011-05-10
Filing date: 2012-05-03
Publication date: 2012-11-14
Also published as: JP2012237806A; JP5830761B2; US20120287092A1

Abstract

一种显示装置和显示方法，该显示装置包括传输驱动器输出的驱动信号的控制线以及沿着控制线延伸方向配置的、并且利用通过控制线传输的驱动信号来驱动的晶体管。晶体管的栅极和源/漏极之间的寄生电容根据其在控制线延伸方向上与驱动器的距离而变化。

Description

显示装置和显示方法

技术领域

本发明涉及显示装置及电子设备。具体地，本发明涉及其中以矩阵形式布置有包括电光元件的像素的平板（平面）显示装置以及具有该显示装置的电子设备。

背景技术

作为平板显示装置、有机EL（电致发光）显示装置、LCD（液晶显示）装置、PDP（等离子体显示面板）装置等被广泛应用。

在这些显示装置中，包括电光元件的像素以矩阵形式布置在基板（面板）上，用于驱动像素等的驱动信号由设置在面板的一侧的驱动器或设置在面板的相对两侧的驱动器通过控制线来提供。控制线沿着像素行中的像素所排列的方向进行布线（即，行方向）。

对于平板显示装置，随着面板尺寸的增加，控制线的配线长度增加，因而配线电阻和配线电容增加。由于配线电阻和配线电容的影响，通过控制线传输的驱动信号的波形根据在控制线延伸方向上与驱动器的距离而不同。

更具体地，因为在远离驱动器的部分处配线电阻、配线电容的影响大于接近驱动器的部分处配线电阻、配线电容的影响，在远离驱动器的部分处驱动信号的波形以更大的量变圆。因此，利用驱动信号进行的晶体管驱动在接近驱动器的部分和远离驱动器的部分之间产生差异。为了解决该问题，诸如正弦波信号、梯形波信号或具有变圆的方波的信号等的基本波信号已被使用（例如参见日本未审查专利申请公开第2008-96554号）。

发明内容

在日本未审查专利申请公开第2008-96554号所披露的相关技术中，因为基本波信号仅用作驱动信号，因此难以实现以与晶体管在控制线延伸方向上的位置无关的方式利用驱动信号恒定驱动晶体管。因此，期望实现利用驱动信号的晶体管的恒定驱动，而与晶体管在控制线配线方向上的位置无关，换句话说，与控制线的与驱动器之间的配线距离无关。

因此，期望提供一种显示装置及具有该显示装置的电子设备，其能够利用来自驱动器的信号输出实现晶体管的恒定驱动，而与晶体管在控制线延伸方向上的位置无关。

因此，根据本发明实施方式，提供了一种显示装置，其包括：控制线，通过其传输来自驱动器的驱动信号；晶体管，沿着控制线延伸方向配置，并且利用通过控制线传输的驱动信号来驱动。晶体管的栅极和源/漏极之间的寄生电容根据其在控制线延伸方向上与驱动器的距离而变化。此显示装置可以用作各种电子设备的显示装置。

各晶体管在栅极和源/漏极之间均具有寄生电容。在通过控制线向栅电极提供的驱动信号的转变期间，因转变时的寄生电容引起的电容耦合使源/漏极电压发生变化。此时的耦合量依赖于向栅电极提供的驱动信号的转变波形以及栅极与源/漏极之间的寄生电容。

即，在驱动信号的转变波形陡峭时耦合量大，在转变波形缓和（即，圆化）时耦合量小。在栅极与源/漏极之间的寄生电容大时耦合量大，在寄生电容小时耦合量小。因为控制线具有配线电阻和配线电容，因此驱动信号的波形根据在控制线延伸方向上与驱动器的距离而不同。因此，通过根据与驱动器的距离来改变晶体管的栅极与源/漏极之间的寄生电容，使得耦合量能够基本相等，而不管在控制线延伸方向上与驱动器的距离。

根据本发明，因为不管在控制线延伸方向上与驱动器的距离，耦合量都能够基本上相等，因此能够实现利用从驱动器输出的驱动信号对晶体管进行恒定驱动，而与晶体管在控制线延伸方向上的位置无关。

附图说明

图1是示出应用本发明实施方式的有源矩阵有机EL显示装置的基本配置的概况的***框图；

图2是示出一个像素（像素电路）的具体电路配置的一个实例的电路图；

图3是示出应用本发明实施方式的有机EL显示装置的基本电路操作的时序波形图；

图4A到图4D是示出应用本发明实施方式的有机EL显示装置的基本电路操作的示图（第1部分）；

图5A到图5D是示出应用本发明实施方式的有机EL显示装置的基本电路操作的示图（第2部分）；

图6A是示出驱动晶体管阈值电压的变化导致的问题的示图，图6B是示出驱动晶体管的迁移率的变化导致的问题的示图；

图7是示出采用选择器驱动方式的信号输出电路的配置的一个实例的电路图；

图8是示出采用使用晶体管作为开关元件的选择器驱动方式的信号输出电路的实例的电路图；

图9示出选择晶体管的栅极输入波形根据与驱动器的距离而不同；

图10示出根据与驱动器的距离而不同的耦合量所导致的显示图像的亮度非均匀性；

图11示出第一实施方式，其中，本发明被应用于选择器驱动方式的信号输出电路的选择晶体管；

图12A到图12C是示出电容耦合的示意图；

图13A和图13B示出控制线的配线电阻和配线电容与选择晶体管的栅极输入波形之间的关系；

图14是示出关于选择晶体管的栅极电压的模拟结果的示图；

图15是示出关于选择晶体管的源极电压的模拟结果的示图；

图16是示出选择晶体管的栅极波形的瞬态响应与选择晶体管的源极电压之间的关系的示图；

图17是示出选择晶体管的栅极波形的瞬态响应与选择晶体管的栅源间寄生电容之间的关系的示图；

图18是示出距离驱动器的配线距离与栅源重叠面积之间的关系的示图；

图19示出写入晶体管的寄生电容引起的电容耦合所导致的失效；

图20是示出驱动晶体管的栅极电位的变化的时序波形图的示图，该变化由电容耦合引起；

图21示出第二实施方式，其中，本发明应用于像素中的写入晶体管；

图22是示出应用本发明实施方式的电视机的外观的斜视图；

图23A和图23B分别是示出应用本发明实施方式的数码相机的外观的前视图和后视图；

图24是示出应用本发明实施方式的笔记本个人计算机的外观的斜视图；

图25是示出应用本发明实施方式的摄像机的外观的斜视图；以及

图26A到图26G是应用本发明实施方式的移动电话的外观图，图26A是移动电话在其打开时的前视图，图26B是其侧视图，图26C在移动电话被关闭时的前视图，图26D是其左侧视图，图26E是其右侧视图，图26F是其顶视图，并且图26G是其底视图。

具体实施方式

以下将参考附图详细描述用于实现根据本发明的技术的模式（以下称为“实施方式”）。描述以如下顺序给出：

1.应用本发明实施方式的有机EL显示装置

1-1.***配置

1-2.基本电路操作

1-3.选择器驱动方式

1-4.控制线的配线电阻和配线电容所导致的失效

2.实施方式

2-1.第一实施方式（选择晶体管的实例）

2-2.第二实施方式（写入晶体管的实例）

3.应用实例

4.电子设备

5.本发明的配置

<1.应用本发明实施方式的有机EL显示装置>

[1-1.***配置]

图1是示出应用本发明实施方式的有源矩阵显示装置的基本配置的概况的***框图。

在有源矩阵有机显示装置中，被设置在与其中设置有电光元件的像素相同的像素内的有源元件（例如绝缘栅场效应晶体管）控制有机EL元件中的电流流动。通常由TFT（薄膜晶体管）来实现绝缘栅场效应晶体管。

将对有源矩阵有机EL显示装置的实例给出描述，在该显示装置中，发光亮度根据流经装置的电流的值而变化的电流驱动型电光元件（例如有机EL元件）被用作像素（像素电路）的发光元件。

如图1所示，根据本应用实例的有机EL显示装置10包括：像素20，其包括有机EL元件；像素阵列部30，像素20以二维矩阵形式布置在其中；驱动电路部，设置在像素阵列部30附近。驱动电路部包括写扫描电路40、供电扫描电路50、信号输出电路60等，以驱动像素阵列部30中的像素20。

当有机EL显示装置10是彩色显示装置时，用作形成彩色图像的单位的单个像素（单位像素）由多个子像素构成，其对应于图1所示的像素20。更具体地，在彩色显示装置中，一个像素由三个子像素构成，例如，发红（R）光的子像素、发绿（G）光的子像素和发蓝（B）光的子像素。

然而，一个像素并不限于具有包括RGB的三原色的子像素的组合。即，其他颜色的一个子像素或其他颜色的多个子像素也可被添加到三原色子像素中，从而构成单个像素。更具体地，例如，为了改进亮度，可以添加发白（W）光的子像素以构成单个像素，或者，为了增加颜色再现范围，可以添加发补充颜色的至少一个子像素以构成单个像素。

对于像素阵列部30中配置为m行×n列的像素20，扫描线31（31₁到31_m）和供电线32（32₁到32_m），沿着行方向（即，像素行中的像素20的排列方向上）被布线在相应像素行中。此外，对于配置为m行×n列的像素20，信号线33（33₁到33_n）沿着列方向（即，像素列中的像素20的排列方向）被布线在相应像素列中。

扫描线31₁到31_m连接到写扫描电路40的相应行输出端。供电线32₁到32_m连接到供电扫描电路50的相应行输出端。信号线33₁到33_n连接到信号输出电路60的相应列输出端。

总体上，像素阵列部30被设置在诸如玻璃基板的透明绝缘基板上。因此，有机EL显示装置10具有平板结构。像素阵列部30中的像素20的驱动电路可以使用非晶硅TFT或低温多晶硅TFT制造。如图1所示，在使用低温多晶硅TFT时，写扫描电路40、供电扫描电路50以及信号输出电路60也可被设置在包括在像素阵列部30中的显示面板（基板）70上。

写扫描电路40包括移位寄存器电路等，移位寄存器电路以与时钟脉冲ck同步的方式顺序地转移（传输）起始脉冲sp。在视频信号的信号电压写入像素阵列部30的像素20期间，写扫描电路40顺序地提供写扫描信号WS（WS₁到WS_m）至相应扫描线31（31₁到31_m），从而顺序地逐行扫描（即，线顺序扫描）像素阵列部30中的像素20。

供电扫描电路50包括移位寄存器电路等，移位寄存器电路以与时钟脉冲ck同步的方式顺序地转移起始脉冲sp。与写扫描电路40执行的线顺序扫描同步，供电扫描电路50提供供电电位DS（DS₁到DS_m）到相应供电线32（32₁到32_m）。每个供电电位DS能够在第一供电电位V_ccp和低于第一供电电位V_ccp的第二供电电位V_ini之间转换。通过供电电位DS在供电电位V_ccp和供电电位V_ini之间的转换，控制像素20的发光和不发光。

信号输出电路60选择性地输出视频信号的信号电压V_sig和参考电压V_ofs，其中，V_sig与来自信号源（未示出）的亮度信息相对应。参考电压V_ofs用作视频信号的信号电压V_sig的参考电位（例如，对应于视频信号的黑色电平的电压），并且用于阈值校正处理（稍后描述）。

对于通过写扫描电路40的扫描而选择的各像素行，选择性地从信号输出电路60输出的信号电压V_sig和参考电位V_ofs通过信号线33（33₁到33_n）被写入像素阵列部30中的相应像素20。即，信号输出电路60具有用于逐行（或逐线）写入信号电压V_sig的线顺序写入驱动方式。

（像素电路）

图2是示出一个像素（像素电路）20的具体电路构成的一个实例的电路图。像素20具有包括有机EL元件21（其为电流驱动型电光元件）的发光部。有机EL元件21的发光亮度根据流经装置的电流的值变化。

如图2所示，像素20除了包括有机EL元件21之外，还包括驱动电路，用于向有机EL元件21提供电流从而驱动有机EL元件21。有机EL元件21具有连接至公共供电线34的阴极（cathode）电极，该公共供电线34连接至所有像素20（此配线可被称为“公共配线”）。

用于驱动有机EL元件21的驱动电路具有驱动晶体管22、写入晶体管23、存储电容器24和辅助电容器25。驱动晶体管22和写入晶体管23可以由n沟道TFT实现。然而，驱动晶体管22和写入晶体管23的导电类型的示例性组合仅是一个实例，并且其导电类型的组合不限于此。此外，晶体管、存储电容器、有机EL装置等的配线连接关系不限于所公开的关系。

驱动晶体管22的第一电极（源/漏电极）连接至有机EL元件21的阳极，驱动晶体管22的第二电极（源/漏电极）连接至供电线32（32₁到32_m）中的相应一个。

写入晶体管23的第一电极（源/漏电极）连接到信号线33（33₁到33_n）中的相应一个，写入晶体管23的第二电极（源/漏电极）连接到驱动晶体管22的栅电极。写入晶体管23的栅电极连接到扫描线31（31₁到31_m）中的相应一个。

驱动晶体管22和写入晶体管23的表述“第一电极”表示电连接至源/漏区的金属配线，并且表述“第二电极”表示电连接至漏/源区的金属配线。根据第一电极和第二电极之间的电位关系，第一电极用作源电极或漏电极，或第二电极用作漏电极或源电极。

存储电容器24的第一电极连接至驱动晶体管22的栅电极，存储电容器24的第二电极连接至驱动晶体管22的第一电极以及有机EL元件21的阳极。

辅助电容器25的第一电极连接至有机EL元件21的阳极，且辅助电容器25的第二电极连接至公共供电线34。可适当地设置辅助电容器25，以补偿有机EL元件21的电容量的不足，并且提高关于存储电容器24的视频信号写入增益。即，辅助电容器25是任意元件，并且当有机EL元件21的等效电容足够大时可以被消除。

在该情况下，虽然辅助电容器25的第二电极连接至公共供电线34，辅助电容器25的第二电极可以连接至固定电位节点，而不是公共供电线34。辅助电容器25的第二电极和固定电位节点的连接使得能够补偿有机EL元件21的电容量的不足，并且使得能够实现关于存储电容器24的视频信号的写入增益的提高。

响应于通过扫描线31从写扫描电路40提供至写入晶体管23的栅电极的高（即，有效）写扫描信号WS，具有上述配置的像素20中的写入晶体管23进入导通状态。然后写入晶体管23采样视频信号的信号电压V_sig（对应于亮度信息）或者从信号输出电路60通过信号线33提供的参考电位V_ofs并将所采样的信号电压V_sig或参考电压V_ofs写入像素20。写入的信号电压V_sig或参考电压V_ofs被施加至驱动晶体管22的栅电极并且还由存储电容器24存储。

当供电线32（32₁到32_m）中的相应一个的供电电位DS是第一供电电位V_ccp时，驱动晶体管22操作在饱和区，其第一电极用作漏电极，第二电极用作源电极。从而，响应于从供电线32提供的电流，驱动晶体管22通过向其提供驱动电流来驱动有机EL元件21发光。更具体地，通过在饱和区中的操作，驱动晶体管22向有机EL元件21提供驱动电流，该驱动电流具有与由存储电容器24存储的信号电压V_sig的电压值相对应的电流值。驱动电流使有机EL元件21被驱动以发光。

当供电电位DS从第一供电电位V_ccp转换至第二供电电位V_ini，驱动晶体管22操作为开关晶体管，其第一电极用作源电极，其第二电极用作漏电极。通过开关操作，驱动晶体管22停止向有机EL元件21提供驱动电流，从而使有机EL元件21进入不发光状态。即，驱动晶体管22还具有用于控制有机EL元件21发光和不发光的晶体管的功能。

驱动晶体管22执行开关操作以提供一时间段（不发光期），在该时间段中，有机EL元件21不发光，从而使得能够控制有机EL元件21的发光期和不发光期的比例（占空比）。通过占空比控制，能够减少在整个一个显示帧期间像素20的发光中包含的残像。从而，特别是，移动图像的图像质量进一步提高。

在由供电扫描电路50通过供电线32选择性地提供的第一和第二供电电压V_ccp和V_ini中，第一供电电位V_ccp是用于向驱动晶体管22提供用于驱动有机EL元件21发光的驱动电流的供电电位。第二供电电位V_ini是用于反向偏置有机EL元件21的供电电位。第二供电电位V_ini被设定为低于参考电压v_ofs。例如，第二供电电位V_ini被设定为低于V_ofs-V_th的电位，优选地，设定为一个充分低于v_ofs-V_th的电位，其中V_th表示驱动晶体管22的阈值电压。

[1-2.基本电路操作]

接下来，将参考图3示出的时序波形图和图4A至图5D示出的操作图，描述具有上述配置的有机EL显示装置10的基本电路操作。在图4A至图5D示出的操作图中，写入晶体管23由开关符号代表，以简化说明。

图3的时序波形图示出扫描线31的电位（写扫描信号）WS的变化、供电线32的电位（供电电位）DS的变化、信号线33的电位（V_sig/V_ofs）的变化、以及驱动晶体管22的栅极电位V_g和源极电位V_s的变化。

（前一显示帧的发光期）

在图3的时序波形图中，时间t11之前的时间段是先前显示帧的有机EL元件21的发光期。在先前显示帧的发光期中，供电线32的电位DS处在第一供电电位（以下简称为“高电位”）V_ccp，并且写入晶体管23处于非导通状态。

驱动晶体管22被设计为使得此时其在饱和区中操作。因此，如图4A所示，与驱动晶体管22的栅源电压V_gs相应的驱动电流（漏源电流）I_ds通过驱动晶体管22从供电线32提供到有机EL元件21。因此，有机EL元件21发出亮度与驱动电流I_ds的电流值相应的光。

（阈值校正准备期）

在时间t11，操作进入新的显示帧（当前显示帧）以执行线顺序扫描。如图4B所示，供电线32的电位DS从高电位V_ccp转换到第二供电电位（以下简称为“低电位”）V_ini，其相对于信号线33的参考电位V_ofs，充分地低于V_ofs-V_th。

设V_thel是有机EL元件21的阈值电压，V_cath是公共供电线34的电位（阴极电位）。在该情况下，当假设低电位V_ini满足V_ini<V_thel+V_cath时，驱动晶体管22的源极电位V_s基本上等于低电位V_ini。结果，有机EL元件21被设为反向偏置状态并且停止发光。

接下来，在时间t12，扫描线31的电位WS从低电位侧向高电位侧转变，从而写入晶体管23被设为导通状态，如图4C所示。此时，因为参考电位V_ofs由信号输出电路60提供到信号线33，驱动晶体管22的栅极电位V_g用作参考电位V_ofs。驱动晶体管22的源极电位V_s等于充分地低于参考电位V_ofs的电位V_ini，即等于低电位V_ini。

此时，驱动晶体管22的栅源电压V_gs等于V_ofs-V_ini。在该情况下，除非V_ofs-V_ini充分地大于驱动晶体管22的阈值电压V_th，否则难以执行下述的阈值校正处理。因此，执行设定以满足由V_ofs-V_ini>V_th表达的电位关系。

将驱动晶体管22的栅极电位V_g固定（设定）为参考电位V_ofs，并将源极电位V_s固定为低电位V_ini的初始化处理是下述的阈值校正处理（阈值校正操作）实施之前的用于准备的处理（阈值校正准备）。这样，参考电位V_ofs和低电位V_ini用作用于驱动晶体管22的栅极电位V_g和源极电位V_s的初始化电位。

（阈值校正期）

接下来，在时间t13，供电线32的电位DS从低电位V_ini转换到高电位V_ccp，如图4D所示，并且在驱动晶体管22的栅极电位V_g维持在参考电压V_ofs时开始阈值校正处理。即，驱动晶体管22的源极电位V_s开始朝着通过从栅极电位V_g减去驱动晶体管22的阈值电压V_th而获得的电位增加。

在此，为便于说明，以驱动晶体管22的栅极电位V_g的初始化电位V_ofs为基准、朝着通过从初始化电位V_ofs减去驱动晶体管22的阈值电压V_th所获得的电位来改变源极电位V_s的处理被称为“阈值校正处理”。在阈值校正处理进行时，驱动晶体管22的栅源电压V_gs最终安定在驱动晶体管22的阈值电压V_th。与阈值电压V_th相应的电压由存储电容器24存储。

在执行阈值校正处理的时间段中（即，在阈值校正期中），公共供电线34的电位V_cath被设定为使得有机EL元件21被置为截止状态，以使电流流入存储电容器24，并防止电流流入有机EL元件21。

接下来，在时间t14，扫描线31的电位WS向低电位侧转变，从而写入晶体管23被置为非导通状态，如图5A所示。此时，驱动晶体管22的栅电极与信号线33电性断开，从而驱动晶体管22的栅电极进入浮置状态。然而，因为栅源电压V_gs等于驱动晶体管22的阈值电压V_th，驱动晶体管22处于截止状态。因此，几乎没有漏源电流I_ds流入驱动晶体管22。

（信号写入和迁移率校正期）

接下来，在时间t15，如图5B所示，信号线33的电位从参考电位V_ofs切换为视频信号的信号电压V_sig。随后，在时间t16，扫描线31的电位WS转变到高电位侧，从而写入晶体管23进入导通状态，如图5C所示，以采样视频信号的信号电压V_sig，并将信号电压V_sig写入像素20。

在写入晶体管23写入信号电压V_sig时，驱动晶体管22的栅极电位V_g变得等于信号电压V_sig。当驱动晶体管22被视频信号的信号电压V_sig驱动时，驱动晶体管22的阈值电压V_th被与存储电容器24存储的阈值电压V_th相应的电压所抵消。阈值消除原理的详情稍后说明。

此时，有机EL元件21处于截止状态（高阻抗状态）。这样，根据视频信号的信号电压V_sig、从供电线32流入驱动晶体管22的电流（漏源电流I_ds）流入有机EL元件21的等效电容器和辅助电容器25。结果，有机EL元件21的等效电容器和辅助电容器25开始充电。

作为有机EL元件21的等效电容器以及辅助电容器25充电的结果，在一段时间内，驱动晶体管22源极电位V_s增加。因为像素的驱动晶体管22的阈值电压V_th的差异此时已经被消除，因此驱动晶体管22的漏源电流I_ds依赖于驱动晶体管22的迁移率μ。驱动晶体管22的迁移率μ表示包括在驱动晶体管22的沟道中的半导体薄膜的迁移率。

现在假定由存储电容器24存储的电压V_gs和视频信号的信号电压V_sig（该比率被称为“写入增益G”）的比率是1（理想值）。在该情况下，驱动晶体管22的源极电位V_s增加到由V_ofs-V_th+ΔV表达的电位，从而驱动晶体管22的栅源电压V_gs变为由V_sig-V_ofs+V_th-ΔV表达的值。

即，驱动晶体管22的源极电位V_s的增加ΔV起作用，使得其被从由存储电容器24存储的电压（V_sig-V_ofs+V_th）中减去，即，使得存储电容器24中的电荷被释放。换句话说，与源极电位V_s的增加ΔV相应的负反馈被施加于存储电容器24。这样，源极电位V_s的增加ΔV对应于负反馈的量。

当具有与流入驱动晶体管22的漏源电流I_ds相对应的负反馈量ΔV的负反馈被以上述方式施加上述的栅源电压V_gs时，能够消除驱动晶体管22的漏源电流I_ds对迁移率μ的依赖。这个用于消除对迁移率μ的依赖的处理是用于校正各像素的驱动晶体管22的迁移率μ的差异的迁移率校正处理。

更具体地，写入驱动晶体管22的栅电极的视频信号的信号幅度V_in（=V_sig-V_ofs）越高，漏源电流I_ds越大。这样，负反馈量ΔV的绝对值也增加。相应地，迁移率校正处理根据发光亮度水平而执行。

当视频信号的信号幅度V_in恒定时，随着驱动晶体管22的迁移率μ增加，负反馈量ΔV的绝对值增加。因此，各像素的迁移率μ的差异能够被减小或消除。即，负反馈量ΔV也可被称为“迁移率校正处理的校正量”。迁移率校正原理的详情稍后说明。

（发光期）

接下来，在时间t17，扫描线31的电位WS转变到低电位侧，从而写入晶体管23被置为非导通状态，如图5D所示。因此，驱动晶体管22的栅电极与信号线33电性断开，从而驱动晶体管22的栅电极进入浮置状态。

在该情况下，在驱动晶体管22的栅电极处于浮置状态时，因为存储电容器24被连接在驱动晶体管22的栅极和源极之间，因此跟随驱动晶体管22的源极电位V_s的变化，栅极电位V_g也发生变化。

跟随源极电位V_s的变化驱动晶体管22的栅极电位V_g也发生变化的这样的操作，即，当存储电容器24中存储的栅源电压V_gs被维持时栅极电位V_g和源极电位V_s增加的操作，在这里被称为“自举操作”。

驱动晶体管22的栅电极进入浮置状态的同时，驱动晶体管22的漏源电流I_ds开始流入有机EL元件21，从而有机EL元件21的阳极电位响应于漏源电流I_ds而增加。

当有机EL元件21的阳极电位超过V_thel+V_cath时，驱动电流开始流入有机EL元件21，从而使有机EL元件21开始发光。有机EL元件21的阳极电位的增加是因为驱动晶体管22的源极电位V_s的增加。当驱动晶体管22的源极电位V_s增加时，存储电容器24的自举操作使驱动晶体管22的栅极电位V_g跟随源极电位V_s而增加。

在自举的增益假定为1（理想值）时，栅极电位V_g的增加量等于源极电位V_s的增加量。因此，在发光期，驱动晶体管22的栅源电压V_gs维持在恒定值V_sig-V_ofs+V_th-ΔV。在时间t18，信号线33的电位从视频信号的信号电压V_sig转换到参考电压V_ofs。

在上述的一系列电路操作中，阈值校正准备、阈值校正、信号电压V_sig的写入（信号写入），以及迁移率校正的处理操作在一个水平扫描周期（1H）内执行。信号写入和迁移率校正的处理操作在从时间t16到时间t17的时间段中并行地执行。

[分段阈值校正]

尽管以上描述给出了使用仅执行一次阈值校正处理的驱动方法的实例，但是该驱动方法仅是一个实例，并且不限于此。例如，也可采用用于执行所谓的“分段阈值校正”的驱动方法。在分段阈值校正中，除了结合迁移率校正和信号写入处理来执行阈值校正处理的1H周期之外，在1H周期之前，在多个水平扫描周期中以分段（分割）的方式多次执行阈值校正处理。

利用分段阈值校正的驱动方法，即使当分配给一个水平扫描周期的时间由于用于更高分辨率的像素的数量增加而降低时，在多个扫描周期中也能够确保足够的时间量用于阈值校正期。因此，因为即使当被分配给一个水平扫描周期的时间缩短时，也确保了足够的时间量作为阈值校正期，所以能够可靠地执行阈值校正处理。

[阈值消除原理]

现在将说明驱动晶体管22的阈值消除（即，阈值校正）的原理。因为驱动晶体管22被设计为在饱和区中操作，因此其可操作为恒定电流源。结果，一定量的漏源电流（驱动电流）I_ds从驱动晶体管22流入有机EL元件21，并由下式给出：

I_ds=(1/2)·μ(W/L)C_ox(V_gs-V_th)²（1）

其中，w表示驱动晶体管22的沟道宽度，L表示沟道长度，且C_ox表示每单位面积的栅电容。

图6A是示出驱动晶体管22的漏源电流I_ds和栅源电压V_gs之间的关系的特性的图。如图6A所示，如果没有对各像素中的驱动晶体管22的阈值电压V_th的差异执行消除处理（校正处理），则当阈值电压V_th是V_th1时，相应于栅源电压V_gs的漏源电流I_ds成为I_ds1。

相比之下，当阈值电压V_th是V_th2（V_th2>V_th1）时，相应于同一栅源电压V_gs的漏源电流I_ds成为I_ds2（I_ds2<I_ds1）。即，在驱动晶体管22的阈值电压V_th变化时，即使在栅源电压V_gs不变时，漏源电流I_ds也是发生变化的。

另一方面，如上所述，在具有上述配置的像素（像素电路）20中，发光期间的驱动晶体管22的栅源电压V_gs被表达为V_sig-V_ofs+V_th-ΔV。这样，将此表达式代入上述等式（1），获得由下式给出的漏源电流I_ds：

I_ds=(1/2)·μ(W/L)C_ox(V_sig-V_ofs-ΔV)² （2）

即，驱动晶体管22的阈值电压V_th的项被消除，从而从驱动晶体管22提供到有机EL元件21的漏源电流I_ds不依赖于驱动晶体管22的阈值电压V_th。结果，即使当各像素的驱动晶体管22的阈值电压V_th由于在驱动晶体管22的制造、老化或其他处理中的差异而变化时，漏源电流I_ds也是不变的。因此，有机EL元件21的发光亮度能够被维持恒定。

[迁移率校正原理]

接下来将说明驱动晶体管22的迁移率校正的原理。图6B是示出用于比较像素A和像素B的特性曲线的图，其中，在像素A中，驱动晶体管22的迁移率μ相对较大；在像素B中，驱动晶体管22的迁移率μ相对较小。当驱动晶体管22由多晶硅TFT等实现时，像素的迁移率μ会产生差异，如在像素A和B中一样。

对以下实例给出说明：当像素A和B中的迁移率μ存在差异时，同样水平的信号幅度V_in（=V_sig-V_ofs）被写入像素A和B的驱动晶体管22的栅电极。在该情况下，如果没有对迁移率μ实施校正，则在流经具有大的迁移率μ的像素A的漏源电流I_ds1′和流经具有小的迁移率μ的像素B的漏源电流I_ds2′之间产生大的差异。当由于像素的迁移率μ的差异而导致像素中的漏源电流I_ds之间产生大的差异时，画面的均匀性被削弱。

如由上述等式（1）给出的晶体管特性所表明的，漏源电流I_ds随着迁移率μ增加而增加。因此，随着迁移率μ增加，负反馈量ΔV增加。如图6B所示，具有大的迁移率μ的像素A的负反馈量ΔV₁大于具有小的迁移率μ的像素B的负反馈量ΔV₂。

因此，当执行迁移率校正处理以使得具有与驱动晶体管22的漏源电流I_ds相对应的反馈量ΔV的负反馈被施加于栅源电压V_gs，随着迁移率μ增加，更大负反馈量被施加。结果，能够抑制像素的迁移率μ的差异。

更具体地，当在具有大迁移率μ的像素A上执行与负反馈量ΔV₁相应的校正时，漏源电流I_ds显著地从I_ds1′降低到I_ds1。另一方面，因为具有小迁移率μ的像素B中的反馈量ΔV₂较小，漏源电流I_ds从I_ds2′降低到I_ds2，并且这个降低的量没有那么大。结果，像素A中的漏源电流I_ds1和像素B中的漏源电流I_ds2变得基本彼此相等，从而像素的迁移率μ的差异被校正。

简言之，当像素A和B具有不同的迁移率μ时，具有大迁移率μ的像素A中的反馈量ΔV₁大于具有小迁移率μ的像素B中的反馈量ΔV₂。即，像素的迁移率μ越大，反馈量ΔV越大，漏源电流I_ds降低的量也就越大。

这样，将具有与驱动晶体管22的漏源电流I_ds相对应的反馈量ΔV的负反馈施加于栅源电压V_gs，结果具有不同迁移率μ的像素的漏源电流I_ds的电流值变得彼此相等。因此，能够校正像素的迁移率μ的差异。即，迁移率校正处理是这样的处理：将具有与流入驱动晶体管22的电流（漏源电流I_ds）相对应的反馈量（校正量）ΔV的负反馈施加于驱动晶体管22的栅源电压V_gs，即存储电容器24。在本发明中可执行也可不执行上述阈值校正和迁移率校正操作，并且上述各种校正、发光等不限于这些操作和时序。

[1-3.选择器驱动方式]

返回参照图1，在显示面板70的外部设置信号源，例如数据驱动器，以选择性地将视频信号的信号电压V_sig和用于阈值校正处理的参考电压V_ofs提供给显示面板70的信号输出电路60。现在，为了容易理解，将对信号输出电路60被提供视频信号的信号电压V_sig作为显示信号的情况下的信号输出电路60进行说明。

信号输出电路60采用选择器驱动方式，以减少数据驱动器的输出的数量（输出端的数量）。选择器驱动方式是这样的***，其中，显示面板70上的信号线33₁到33_n以多条信号线为单元（组）被分配到数据驱动器的一个输出，并且以时间顺序从数据驱动器输出的信号电压V_sig被以时间划分的方式（分时方式）分配到该单元的信号线。

通常，数据驱动器的输出的数量和显示面板70上的信号线33₁到33_n的数量被设定为彼此相等，并且数据驱动器的输出端和显示面板70上的信号线33₁到33_n一对一连接。然而，利用此配置，由于使用数据驱动器的n个输出、在数据驱动器的输出端和显示面板70之间提供电连接的n条配线，并且在显示面板70侧也设置n个端子，因此整个***的配置是复杂的。

相比之下，选择器驱动方式被用于信号输出电路60，并且数据驱动器的输出和显示面板70上的信号线33₁到33_n被设定为一对x的对应关系（x是大于等于2的整数）。从数据驱动器的一个输出端子以时间顺序输出的信号电压V_sig被以分时方式分配给x条信号线（该x条信号线被分配给该输出端子）。利用此选择器驱动方式，数据驱动器的输出的数量、数据驱动器和显示面板70之间的配线的数量、以及显示面板70侧的端子的数量可以降低到n条信号线33₁到33_n的1/x。

例如，对于三个子像素（即，R（红色）、G（绿色）和B（蓝色）像素）构成用作彩色图像单位的一个单位像素的彩色有机EL显示装置，作为用于采用选择器驱动方式的单元的信号线的数量“x”、即时间划分的数量x优选被设定为3（即x=3）或3的倍数。

图7是示出采用选择器驱动方式的信号输出电路60的配置的一个实例的电路图。为了简化说明，以实例的方式示出了5行12列的像素阵列。此实例也对应于对于三个子像素（R、G和B子像素）时间划分的数量x是3的情况（即x=3）。

如图7所示，信号输出电路60包括选择器电路61₁、61₂、61₃、61₄…和驱动器62，各选择器电路分别被设置用于R、G和B子像素的三个像素列的相应单元，驱动器62用于驱动选择器电路61₁、61₂、61₃、61₄…。各选择器电路61₁、61₂、61₃、61₄…均包括与R、G和B子像素相对应的三个开关元件SW_R、SW_G和SW_B。

数据驱动器80被设置在显示面板70的外部，以用作信号源。时间序列信号SIG被从数据驱动器80输入到选择器电路61₁、61₂、61₃、61₄…。更具体地，时间序列信号SIG_{（1R/1G/1B）}被输入到选择器电路61₁，且时间序列信号SIG_{（2R/2G/2B）}被输入到选择器电路61₂。时间序列信号SIG_{（3R/3G/3B）}被输入到选择器电路61₃，时间序列信号SIG_{（4R/4G/4B）}被输入到选择器电路61₄。

与各自的颜色对应的选择信号SEL_R、SEL_G和SEL_B被从驱动器62通过控制线63_R、63_G、和63_B提供到选择器电路61₁、61₂、61₃、61₄…以作为三个开关元件SW_R、SW_G和SW_B的驱动信号。从驱动器62按照R、G和B次序一像素行一像素行（逐行）地顺序输出选择信号SEL_R、SEL_G和SEL_B。

首先，对于第1行，选择信号SEL_R从驱动器62输出到选择器电路61₁、61₂、61₃、61₄。结果，开关元件SW_R导通，使得时间序列信号的R信号SIG_（1R）、SIG_（2R）、SIG_（3R）、SIG_（4R）…被选择并且被写入R像素列中的信号线33₁、33₄、33₇、33₁₀…。接下来，从驱动器62输出选择信号SEL_G以导通开关元件SW_G，使得G信号SIG_（1G）、SIG_（2G）、SIG_（3G）、SIG_（4G）…被选择并且被写入G像素列中的信号线33₂、33₅、33₈、33₁₁…。

接下来，选择信号SEL_B从驱动器62输出，以导通开关元件SW_B，使得B信号SIG_（1B）、SIG_（2B）、SIG_（3B）、SIG_（4B）…被选择并且被写入B像素列中的信号线33₃、33₆、33₉、33₁₂…。此后，执行类似于第1行的处理，以时间划分方式，将时间序列信号SIG_{（1R/1G/1B）}、SIG_{（2R/2G/2B）}、SIG_{（3R/3G/3B）}、SIG_{（4R/4G/4B）}…一像素行一像素行地（逐行）分配到用于R、G和B的三条信号线。

尽管上述信号输出电路60具有被设置在显示面板70的一侧的驱动器62驱动选择器电路61₁、61₂、61₃、61₄…中的开关元件SW_R、SW_G和SW_B的配置方式，但配置方式不限于此。例如，考虑到控制线63_R、63_G和63_B等导致的传播延迟，信号输出电路60也可以具有驱动器62被设置在显示面板70的相对两侧的配置方式，从而从显示面板70的相对两侧来驱动开关元件SW_R、SW_G和SW_B。显示面板70的“一侧”和“相对两侧”的表达也分别对应于像素阵列部30的一侧和相对两侧，并且也分别对应于选择器电路61₁、61₂、61₃、61₄…所排列的方向上的一侧和相对两侧。

在采用上述选择器驱动方式的信号输出电路60中，晶体管可被典型地用作选择器电路61₁、61₂、61₃、61₄…中所包括的开关元件SW_R、SW_G和SW_B。图8示出使用晶体管作为开关元件SW_R、SW_G和SW_B的信号输出电路60的实例。

为了简化说明，图8示出当从开关元件SW_R、SW_G和SW_B所排列的方向上的相对两侧来驱动这些开关元件时，相对两端部和中部处的关于R开关元件SW_R的三个晶体管。尽管各开关元件SW_R、SW_G、SW_B由n沟道晶体管实现，但晶体管类型不限于此。例如，各开关元件SW_R、SW_G和SW_B可以由p沟道晶体管实现，或者可以由并联的n沟道晶体管和p沟道晶体管构成的转换开关实现。

如图8所示，驱动器62_A和62_B被设置在像素阵列部30的相对两侧，控制线63_R被布线在驱动器62_A和62_B之间，以传输选择信号（驱动信号）SEL_R。选择晶体管64沿着控制线63_R延伸的方向排列。选择晶体管64的栅电极连接到控制线63_R。在此实例中，因为时间划分的数量x是3，因此对于n个水平像素设置y个选择晶体管64₁到64_y（y=n/3），以作为R选择晶体管64。

图8示出y个选择晶体管64₁到64_y中的位于相对两端部的选择晶体管64₁和64_y以及中部的选择晶体管64_i（I=y/2）。下文中，各选择晶体管64₁、64_i和64_y中所包括的连接到相应信号线33的一个源/漏极被称为“源极”，并且被输入时间序列信号SIG_{（1R/iR/yR）}中的相应一个的另一源/漏极被称为“漏极”。

[1-4.由控制线的配线电阻和配线电容所引起的失效]

如在上述选择器驱动方式的信号输出电路60的情况下，利用通过控制线提供的驱动信号来驱动沿着控制线延伸方向布置的晶体管时，控制线的配线电阻和配线电容引起如下所述的失效。结合图8所示的选择器驱动方式的信号输出电路60的情况下的实例，对失效说明如下。

通过控制线63_R传输从驱动器62_A和62_B输出的驱动信号，即选择信号SEL_R，控制线63_R具有配线电阻和配线电容。配线电阻和配线电容的存在使得施加于选择晶体管64₁到64_y的栅电极的选择信号SEL_R的波形在接近驱动器62_A或62_B的部分和远离62_A或62_B部分之间存在不同，即，依赖于驱动器62_A和62_B与选择晶体管64₁到64_y的距离而不同。

在图8所示的相对两侧驱动方式的情况下，像素阵列部30的相对两端部处的选择晶体管64₁和64_y是最近的部分，并且中部的选择晶体管64_i是最远的部分。在该情况下，从驱动器62_A和62_B输出的选择信号SEL_R被假定具有矩形波形。在该情况下，选择晶体管64₁和64_y的栅极输入波形是矩形波形，而中部的选择晶体管64_i的栅极输入波形由于控制线63_R的配线电阻和配线电容的影响而被圆化，即，波形的下降沿变得缓和，如图9所示。

在各选择晶体管64₁到64_y的栅极输入波形降低时，栅源之间的寄生电容导致的电容耦合使源极电压下降，即，使信号线33的电位下降。在该情况下，在分别最接近驱动器62_A和62_B的选择晶体管64₁和64_y中，栅极输入波形未被圆化（即，陡峭），使得耦合量也增加。另一方面，在距离驱动器62_A和62_B最远的选择晶体管64_i中，栅极输入波形被圆化（即，变得缓和），使得耦合量降低。

结果，即使在同样电平的信号电压V_sig被写入所有像素列时，在耦合量大的部分和耦合量小的部分之间也出现亮度差异。更具体地，在耦合量大的部分，信号线33的电位相对于写入信号电压V_sig表现出大的电压下降。因此，如图10所示，屏幕的相对两端部处显示的图像变暗。另一方面，在耦合量小的部分，信号线33的电位相对于写入信号电压V_sig表现出小的电压下降。因此，屏幕的中部显示的图像变亮。

即，因为选择晶体管64₁到64_y的栅极输入波形被控制线63_R的配线电阻和配线电容圆化，耦合量根据选择晶体管64在控制线63_R的延伸方向上的位置而不同。耦合量的差异（控制线63_R的延伸方向上的晶体管位置的差异所引起的差异）导致显示图像中的亮度不均匀。

尽管结合从驱动显示面板70的相对两侧驱动选择晶体管64（64₁到64_y）的相对两侧驱动方式的信号输出电路60的实例对控制线的配线电阻和配线电容所引起的失效进行了说明，但同样适用于单侧驱动方式的信号输出电路60。

这不仅适用于信号输出电路60中的选择晶体管64，而且适用于例如利用从图1所示的写扫描电路40输出的写扫描信号WS进行驱动的写入晶体管23。更具体地，因为扫描线31是控制线并且也具有配线电阻和配线电容，因此它们引起写扫描信号WS的波形的圆化。

<2.实施方式>

本发明的技术的目的在于与控制线延伸方向上的位置无关地实现利用从驱动器输出的驱动信号进行恒定驱动。为此，根据本发明的实施方式，沿着控制线的延伸方向布置的晶体管的栅极和的源/漏极之间的寄生电容根据在控制线的延伸方向上晶体管与驱动器的距离而变化。

在上述选择器驱动方式的信号输出电路60的情况下，驱动器对应于驱动器62_A和62_B，来自驱动器的驱动信号输出对应于选择信号SEL_R，控制线对应于控制线63_R。沿着控制线延伸方向布置的晶体管对应于选择晶体管64₁到64_y。

一旦提供至各晶体管的栅电极的驱动信号转变时，栅源之间的寄生电容所引起的电容耦合使源极电压变化。如从以上说明可知的，此情况下的耦合量依赖于驱动信号的转变波形以及栅源之间的寄生电容。即，在驱动信号的转变波形陡峭（即，未被圆化）时，耦合量大，且在转变波形缓和（即，被圆化）时，耦合量小。在栅源之间的寄生电容大时耦合量大，且在寄生电容小时耦合量小。

因此，根据晶体管和驱动器之间的距离来改变晶体管的栅源之间的寄生电容，使得耦合量基本上相等，而不管在控制线延伸方向上与驱动器的距离。因为此配置能够实现与控制线延伸方向上的位置无关地利用从驱动器输出的驱动信号进行晶体管的恒定驱动，因此能够降低由耦合量差异所导致的亮度非均匀性。

以下将描述用于实现本发明的技术的具体实施方式，即第一实施方式和第二实施方式。在第一实施方式中，描述本发明应用于选择器驱动方式的信号输出电路60中的选择晶体管64₁到64_y的情况，在第二实施方式中，描述本发明应用于像素20中的写入晶体管23的情况。

[2-1.第一实施方式]

图11示出第一实施方式，其中，本发明应用于选择器驱动方式的信号输出电路60中的选择晶体管64₁到64_y。

信号输出电路60包括：均被设置用于R、G和B子像素的三个像素列的相应单元的选择器电路61₁、61₂、61₃、61₄…，以及用于驱动选择器电路61₁、61₂、61₃、61₄…的驱动器62（如图7所示）。构成选择器电路61₁、61₂、61₃、61₄中的每一个并且与R、G和B子像素相对应的开关元件SW_R、SW_G和SW_B由晶体管实现。

图11示出信号输出电路60中的相对两端部和中部的关于R开关元件SW_R的三个选择晶体管64₁、64_y和64_i，在信号输出电路60中，驱动器62_A和62_B从晶体管布置方向上的相对两侧驱动晶体管。选择晶体管64₁、64_i和64_y的源极连接到相应信号线33，时间序列信号SIG_{（1R，iR，yR）}被输入到选择晶体管64₁、64_i和64_y的漏极。

如上所述，在提供至各选择晶体管64₁到64_y的栅电极的选择信号SEL_R的转变期间，即下降期间，栅源之间的寄生电容引起的电容耦合使源极电压变化。此时的耦合量依赖于选择信号SEL_R的下降沿以及各选择晶体管64₁到64_y的栅源之间的寄生电容。

即，在选择信号SEL_R的下降沿陡峭（即，不被圆化）时耦合量大，在下降沿缓和（即，被圆化）时耦合量小（见图12B）。在各选择晶体管64₁到64_y的栅源之间的寄生电容大时耦合量大，在寄生电容小时耦合量小（见图12C）。

因此，选择晶体管64₁到64_y的栅源之间的寄生电容根据晶体管与驱动器62_A和62_B中更近者之间的距离而变化，即，根据在控制线63_R上与驱动器62_A或62_B之间的配线距离而变化。利用此配置，耦合量能够基本上相等，而不管在控制线63_R延伸方向上与驱动器62_A或62_B之间的配线距离。因此，能够利用从驱动器62_A和62_B输出的选择信号SEL_R实现选择晶体管64₁到64_y的恒定驱动，而不管控制线63_R延伸方向上的晶体管位置。

在本实施方式中，作为用于根据控制线63_R上的配线距离来改变选择晶体管64₁到64_y的栅源之间的寄生电容的方案，采用根据配线距离来改变栅电极和源区彼此重叠的面积（该面积以下简称为“栅源重叠面积”）的方案作为实例。

更具体地，在图11的实例中，分别与驱动器62_A和62_B最近、位于面板的相对两端部处的选择晶体管64₁和64_y的栅源重叠面积被最小化。栅源重叠面积的减少提供了相对小的寄生电容。与驱动器62_A和62_B最远的、面板中部处的选择晶体管64_i的栅源重叠面积被最大化。栅源重叠面积的增加提供了相对大的寄生电容。

为了改变栅源重叠面积，例如，在图11中，可采用改变栅电极643的尺寸、而固定源区641和漏区642的尺寸的方案。更具体地，可通过在沟道长度方向（图11中的左右方向）上改变栅电极643的宽度而在沟道长度方向上固定源区641和漏区642的宽度来实现该方案。从图11可以看出，相比于面板中部的选择晶体管64_i的栅电极643的宽度，面板的相对两端部处的选择晶体管64₁和64_y的栅电极643宽度被减小。

现在将参照图12A的示意图说明各选择晶体管64（64₁到64_y）的栅源之间的寄生电容所引起的电容耦合。

在示意图12A中，选择晶体管64的栅源之间存在寄生电容C₁。连接到源极的信号线33具有配线电容C₂。当施加于选择晶体管64的选择信号SEL开始从高电压HSW_H向低电压HSW_L下降、由于寄生电容C₁导致耦合出现时，信号线33的电位V_sig'的变化由下式给出：

V_sig'=V_sig-{C₁/(C₁+C₂)}(HSW_H-HSW_L)。

在该情况下，因为选择晶体管64是在线性区域，因此电流I_ds流至选择晶体管64。设V_th是选择晶体管64的阈值电压，则此时的电流I_ds被以下式给出：

I_ds={(HSW_L-V_sig′-V_th)(V_sig-V_sig′)-(1/2)(V_sig-V_sig′)²}。

在该情况下，如图13A和13B所示，设x为控制线63（对应于图11中所示的控制线63_R）上的配线距离，设r为每单位长度的配线电阻，并且设c为每单位长度的配线电容，则信号线33的配线电阻R由R=rx给出，而配线电容C由C=cx给出。设Δt_on为选择晶体管64的栅极电压下降到截止点（该电压下降量用ΔV_on表示）所花费的时间，由Δt_on∝RC给出。因此，满足Δt_on=k×x²，其中，k表示比例常数。

一旦电流I_ds流至选择晶体管64，选择晶体管64的源极电压被降低由I_ds×Δt_on/C₂给出的量。此时降低的源极电压由V_sig″表示。因为在波形不被圆化时，从高电压HSW_H开始下降到低电压HSW_L的时间Δt_on较短，因此该源极电压V_sig″低于波形被圆化时开始下降时的源极电压。

随后，当低电压HSW_L继续下降时，选择晶体管64暂时进入饱和区，并且当低电压HSW_L进一步继续下降时，选择晶体管64进入截止（OFF）区。当选择晶体管64进入OFF区时，几乎没有电流流入选择晶体管64。因此，由于选择信号SEL的下降沿的圆化，耦合量几乎成为相等的。

设选择晶体管64的导通（ON）电流为I_on。导通电流I_on由I_on∝W×μ/L给出，其中，W表示选择晶体管64的沟道宽度，L表示沟道长度，μ表示迁移率。设S为栅源重叠面积，选择晶体管64的源栅之间的寄生电容C₁可以被表达为C₁=α×S（α表示常数）。

利用这些变量，选择晶体管64的源极电压的变化量ΔV_s表示为：

ΔV_s=ΔV_on×C₁/(C₁+C₂)-I_on×Δt_on/(C₁+C₂)

=ΔV_on×α×S/(α×S+C₂)-I_on×k×x²/(α×S+C₂)。

这个等式可被重写为：

S=(ΔV_s×C₂+I_on×k×x²)/α×(ΔV_on-ΔV_s)。

根据相应配线距离x来改变栅源重叠面积S，从而在选择信号SEL的转变（即下降）期间选择晶体管64的源极电压的变化量ΔV_s变为常数，而无论控制线63上与驱动器62之间的配线距离x。该配置能够使耦合量基本上相等，而无论选择晶体管64在控制线63延伸方向上的位置。因此，利用从驱动器62输出的选择信号SEL对晶体管64进行恒定驱动能够得以实现，而不管晶体管64在控制线63延伸方向上的位置，从而能够降低由耦合量差异所导致的亮度非均匀性。

图14和图15示出关于选择晶体管64的耦合的模拟结果。例如，这些模拟结果对应于这样的情况，其中，选择晶体管64的栅源之间的寄生电容C₁是100fF（在其截止时），而信号线33的配线电容C₂是3pF。图14示出关于选择晶体管64的栅极电压的模拟结果。图15示出关于选择晶体管64的源极电压的模拟结果。

图16示出选择晶体管64的栅极波形（栅极输入波形）的瞬态响应与选择晶体管64的源极电压的关系。如图16所示，栅极输入的转变波形不被圆化的部分的源极电压最后变得低于波形被圆化的部分的源极电压。从栅极波形的瞬态响应与源极电压之间的这样的关系，对于转变波形不被圆化的部分，优选降低选择晶体管64的栅源之间的寄生电容C₁，从而降低耦合量，并抑制源极电压的降低量。

图17示出选择晶体管64的栅极波形（栅极输入波形）的瞬态响应与选择晶体管64的栅源之间的寄生电容C₁的关系。图17示出如何设定寄生电容C₁以降低或消除选择晶体管64的源极电压之间的差异的一个实例，其中该差异是由选择晶体管64的栅极波形之间的瞬态响应差异引起的。

图18示出与驱动器62（62_A或62_B）的配线距离（即，在控制线63的延伸方向上与驱动器62的距离）与选择晶体管64的栅源重叠面积的关系。上述模拟结果也表明，根据与驱动器62（62_A或62_B）的配线距离x，并根据配线距离x和栅源重叠面积S之间的关系的上述表达式，通过改变栅源重叠面积S，能够使耦合量相等。

尽管已在以上实施方式中以实例的方式描述了相对两侧驱动方式的信号输出电路60，其中，驱动器62_A和62_B被设置在显示面板70的相对两侧以从面板的相对两侧来驱动选择晶体管64，但驱动方式不限于相对两侧驱动方式。即，如同对于相对两侧驱动方式的情况，驱动器62被设置在显示面板70的一侧以从面板的一侧驱动选择晶体管64的这种单侧驱动方式也适用。显示面板70的“一侧”和“相对两侧”的这种表达也分别对应于像素阵列部30的一侧和相对两侧，也分别对应于选择晶体管23的行所排列的方向上的一侧和相对两侧。

更具体地，在单侧驱动方式的信号输出电路60中，根据与驱动器62的配线距离x，选择晶体管64的栅源重叠面积S也可以从显示面板70的一侧到另一侧来变化。就像相对两侧驱动方式的情况一样，这样的配置能够使耦合量基本上相等，而无论选择晶体管64在控制线63延伸方向上的位置。

在相对两侧驱动方式的情况下，“根据与驱动器62的配线距离x”的表达方式的意思是“根据与两个驱动器62_A和62_B中的较近的一个的配线距离x”。这是因为，在相对两侧驱动方式的情况下，利用从驱动器62_A和62_B中的较近的一个输出的选择信号SEL来驱动各选择晶体管64。

在本实施方式中，尽管已采用根据配线距离来改变栅源重叠面积的方案作为根据控制线63_R上的配线距离来改变选择晶体管64₁到64_y的栅源之间的寄生电容的方案，但这仅是一个实例。另一可行方案是，根据配线距离，改变图11中的介于源区641/漏区642与栅电极643之间的绝缘膜644（其为电介质）的厚度、介电常数等。

[2-2.第二实施方式]

接下来，将给出第二实施方式的说明，其中，本发明应用于像素20中的写入晶体管23。

正如在<1.应用本发明的实施方式的有机EL显示装置>部分中所说明的，各像素20均具有写入晶体管23，用于采样和写入视频信号的信号电压V_sig。如图2所示，利用从写扫描电路40输出的、并且通过沿着像素行布线的扫描线31传输的写扫描信号WS来驱动各写入晶体管23。

通过其将从写扫描电路40输出的写扫描信号WS传输到相应像素行中的像素20的各条扫描线31（其也用作控制线）具有配线电阻和配线电容。随着扫描线31上与写扫描电路40（其为写入晶体管23的驱动器）之间的配线距离增加，写扫描信号WS的波形被扫描线31的配线电阻和配线电容圆化。

参考图19给出更详细的说明。在图19中，作为实例，假定写扫描电路40输出的写扫描信号WS具有矩形波形，将讨论位于最接近写扫描电路40的位置的像素20₁和相比像素20₁位于距写扫描电路40较远位置的像素20_i。在该情况下，像素20₁中的写入晶体管23的栅极输入波形是矩形的波形，而像素20_i中的写入晶体管23的栅极输入波形由于扫描线31的配线电阻和配线电容的影响而被圆化。

在各像素20₁和20_i中的写入晶体管23的栅极输入波形下降时，栅源之间的寄生电容引起的电容耦合使源极电位（即，驱动晶体管22的栅极电位）下降了与β对应的量，如图20的折线所示。在该情况下，因为位于写扫描电路40的最近位置的像素20₁中的写入晶体管23的栅极输入波形不被圆化（即，陡峭），因此耦合量也是最大的。另一方面，因为相比像素20₁位于写扫描电路40较远位置的像素20_i中的写入晶体管23的栅极输入波形被圆化（即，缓和），因此其耦合量小于像素20₁中的耦合量。

在驱动晶体管22的栅极电位因电容耦合而降低时，跨存储电容器24的电压（即，驱动晶体管22的栅源电压V_gs）降低了与栅极电位下降量β对应的量。因为驱动电流从驱动晶体管22提供到有机EL元件21，即，有机EL元件21的发光亮度取决于栅源电位V_gs，因此栅源电压V_gs的降低导致有机EL元件21的发光亮度降低。因为耦合量根据扫描线31延伸方向上的像素位置而不同，因此即使当写入晶体管23写入相同电平的信号电压V_sig时，在具有大耦合量的像素和具有小耦合量像素之间也产生亮度差异，从而导致亮度非均匀性。

尽管以上结合单侧驱动方式的实例描述了由扫描线31的配线电阻和配线电容引起的失效，在该单侧驱动方式中，设置在像素20的行所排列的方向上的一侧的写扫描电路40驱动像素20中的写入晶体管23，但也适用于相对两侧驱动方式的情况。

在本实施方式中，为了降低或消除因写入晶体管23的寄生电容而由电容耦合引起的上述失效，根据在扫描线31延伸方向上相对于写扫描电路40的像素位置，改变写入晶体管23的栅源之间的寄生电容。更具体地，写入晶体管23的栅源之间的寄生电容被设定为使得在写扫描信号WS的转变（即，下降）期间写入晶体管23的源极电位的变化量成为常数，而不管与写扫描电路40的配线距离。相对于写扫描电路40的像素位置也对应于扫描线31上与写扫描电路40之间的配线距离。

如上所述，根据与写扫描电路40的配线距离来改变写入晶体管23的栅源之间的寄生电容，能够使耦合量基本上相等，而不管扫描线31延伸方向上的相对于写扫描电路40的像素位置。利用该配置，不管在扫描线31延伸方向上相对于写扫描电路40的像素位置，能够实现利用从写扫描电路40输出的写扫描信号WS对像素20中的写入晶体管23进行恒定驱动。因此，能够降低因写入晶体管23的寄生电容的电容耦合而由耦合量差异导致的亮度非均匀性。

在本实施方式中，例如，可使用根据配线距离改变栅源重叠面积的方案作为根据与写扫描电路40的配线距离来改变写入晶体管23的栅源之间的寄生电容的方案。

更具体地，在图21的实例中，位于与写扫描电路40的最近位置的像素20₁中的写入晶体管23₁的栅源重叠面积被最小化。栅源重叠面积的减小提供了相对小的寄生电容。相比像素20₁位于与写扫描电路40较远的位置的像素20_i中的写入晶体管23_i的栅源重叠面积被设定为大于写入晶体管23₁的栅源重叠面积。栅源重叠面积的增加提供了相对大的寄生电容。

为了改变栅源重叠面积，例如，可以采用改变图21中栅电极233的尺寸、而固定源区231和漏区232的尺寸的方案。更具体地，通过改变沟道长度方向（图21中的左右方向）上栅电极233的宽度、而固定沟道长度方向上源区231和漏区232的宽度，可实现该方案。图21示出，在位于与写扫描电路40最近的位置的像素20₁中的写入晶体管23₁的栅电极233的宽度小于与像素20₁相比位于与写扫描电路40较远的位置的像素20_i中的栅电极233的宽度。

在本实施方式中，尽管采样根据配线距离来改变栅源重叠面积的方案作为根据与写扫描电路40的配线距离来改变写入晶体管23的栅源之间的寄生电容的方案，但其仅是一个实例。另一可行方案是，根据配线距离，改变图21中的介于源区231/漏区232与栅电极233之间的绝缘膜234（其为电介质）的厚度、介电常数等。

<3.应用实例>

尽管已在以上实施方式中描述了本发明应用于具有两个像素晶体管（即，驱动晶体管22和写入晶体管23）的像素电路的实例，但本发明的应用不限于该像素电路。例如，本发明也适用于具有与驱动晶体管22串联以控制有机EL元件21的发光/不发光的晶体管的像素电路、具有用于选择性地将参考电压V_ofs施加于驱动晶体管22的栅极的晶体管的像素电路等。

对于配置有这样的像素电路的显示装置，因为设置在面板的一侧的驱动器或设置在其相对两侧的驱动器来驱动那些晶体管，因此可能出现由因寄生电容引起的耦合所导致的失效。因此，如同第二实施方式的情况，根据与驱动器的配线距离，改变栅源之间的寄生电容，使得能够降低或消除寄生耦合所导致的失效。

尽管以上实施方式已描述了本发明应用于有机EL显示装置的实例，但本发明的应用不限于此。更具体地，本发明也适用于使用诸如有机EL元件、LED元件和半导体激光器元件的电流驱动型电光元件（发光元件）的显示装置，其中，所述电光元件的发光亮度根据器件中流动的电流的值而变化。

此外，本发明不仅适用于使用电流驱动型电光元件的显示装置，而且适用于具有如下配置的显示装置，其中，沿着控制线延伸方向配置的晶体管被从设置在面板的一侧或设置在其相对两侧的驱动器输出的、通过控制线传输的驱动信号所驱动。这样的显示装置的实例包括液晶显示装置和等离子体显示装置。

<4.电子设备>

根据本发明实施方式的上述显示装置可应用于以图像或视频形式显示输入至电子设备的视频信号或其内部产生的视频信号的任何领域的电子设备的显示单元（显示装置）。例如，如图22至图26G所示，本发明可应用于诸如电视机、数码相机、摄像机、笔记本个人计算机以及诸如移动电话的移动终端设备的各种类型的电子设备的显示单元。

如从上述实施方式的说明所表明，根据本发明实施方式的显示装置能够降低因在控制线延伸方向上配置的晶体管的寄生电容引起的耦合而导致的亮度非均匀性。因此，根据本发明实施方式的显示装置被用作任意领域中的电子设备的显示单元可使得能够提供高质量的显示图像。

根据本发明实施方式的显示装置也可以以具有密封结构的模块形式来实现。例如，模块形式对应于通过向像素阵列部层叠由透明玻璃等制成的相对部分而形成的显示模块。例如，显示模块还可被设置有用于在外部和像素阵列部之间输入/输出信号等的FPC（柔性印刷电路）或电路部。

应用本发明实施方式的电子设备的具体实例将说明如下。

图22是示出应用本发明实施方式的电视机的外观的斜视图。根据该应用实例的电视机包括具有前面板102、滤光玻璃103等的视频显示屏幕部101。该电视机被制造为使用根据本发明实施方式的显示装置作为视频显示屏幕部101。

图23A和图23B分别是示出应用本发明实施方式的数码相机的外观的前视图和后视图。根据该应用实例的数码相机包括闪光发射部111、显示部112、菜单开关113、快门按钮114等。数码相机被制造为使用根据本发明实施方式的显示装置作为显示部112。

图24是示出应用本发明实施方式的笔记本个人计算机的外观的斜视图。根据本应用实例的笔记本个人计算机具有如下配置，其中，主体单元121包括用于输入字符等操作的键盘122、用于显示图像的显示部123等。笔记本个人计算机被制造为使用根据本发明实施方式的显示装置作为显示部123。

图25是示出应用本发明实施方式的摄像机的外观的斜视图。根据本应用实例的摄像机包括主体单元131、设置在其前侧表面的摄像镜头132、用于拍摄的开始/停止开关133、显示部134等。摄像机被制造为使用根据本发明实施方式的显示装置作为显示部134。

图26A至图26G是应用本发明实施方式的移动终端设备（例如，移动电话）的外观图。具体地，图26A是移动电话在其打开时的前视图，图26B是其侧视图，图26C是在移动电话被关闭时的前视图，图26D是左示图，图26E是右视图，图26F是顶视图，图26G是底视图。根据本应用实例的移动电话包括上盖141、下盖142、耦合部（在该情况中为铰合部）143、显示器144、副显示器145、图像灯146、照相机147等。根据本应用实例的移动电话被制造为使用根据本发明实施方式的显示装置作为显示器144和/或副显示器145。

<5.本发明的配置>

（1）一种显示装置，包括：

控制线，通过所述控制线传输从驱动器输出的驱动信号；以及

多个晶体管，沿着所述控制线延伸的方向配置，并利用通过所述控制线传输的所述驱动信号来驱动，

其中，所述多个晶体管的栅极与源/漏极之间的寄生电容根据在所述控制线延伸的方向上所述多个晶体管与所述驱动器的距离而变化。

（2）根据（1）的显示装置，其中，所述多个晶体管的栅极与源/漏极之间的寄生电容被设定为使得在所述驱动信号的转变期间源/漏极处的电压的变化量变得恒定，而与所述多个晶体管在所述控制线延伸的方向上的位置无关。

（3）根据（1）或（2）的显示装置，其中，所述多个晶体管的栅电极与源/漏区彼此重叠的面积根据所述控制线延伸的方向上所述驱动器与所述多个晶体管的距离而不同。

（4）根据（3）的显示装置，其中，所述多个晶体管的栅电极具有根据在所述控制线延伸的方向上所述驱动器与所述多个晶体管的距离而不同的尺寸。

（5）根据（4）的显示装置，其中，所述多个晶体管的栅电极在沟道方向上具有根据在所述控制线延伸的方向上所述驱动器与所述多个晶体管的距离而不同的宽度。

（6）根据（1）到（5）之一显示装置，其中，所述多个晶体管包括选择性地提供信号至信号线的选择晶体管，其中，所述信号线被布线在以矩阵形式配置有像素的像素阵列部中的相应像素列中。

（7）根据（6）的显示装置，其中，所述选择晶体管以分时方式将按时间顺序输入的信号分配至所述信号线。

（8）根据（1）到（5）之一的显示装置，其中，所述多个晶体管包括设置在像素中以向像素写入信号的写入晶体管。

（9）根据（8）的显示装置，其中，各个像素包括：

所述写入晶体管；

存储电容器，存储由所述写入晶体管写入的信号；以及

电光元件，根据由所述存储电容器存储的信号来驱动。

（10）根据（1）到（9）之一的显示装置，其中，所述驱动器从所述多个晶体管所配置的方向上的一侧来驱动所述多个晶体管。

（11）根据（1）到（9）之一的显示装置，其中，所述驱动器从所述多个晶体管所配置的方向上的相对两侧来驱动所述多个晶体管。

（12）一种具有显示装置的电子设备，所述显示装置包括：

晶体管，沿着所述控制线延伸的方向配置，并利用通过所述控制线传输的所述驱动信号来驱动，

本发明包含与在2011年5月10日向日本专利局提交的日本在先专利申请2011-105286所披露的主题相关的主题，其全部内容结合于此作为参考。

本领域技术人员应理解，根据设计要求和其他因素，可进行各种修改、组合、子组合和改进，均包括在所附权利要求或等同物的范围之内。

Claims

1.一种显示装置，包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个晶体管的栅极与源/漏极之间的寄生电容被设定为使得在所述驱动信号的转变期间所述源/漏极处的电压的变化量变得恒定，而与所述多个晶体管在所述控制线延伸的方向上的位置无关。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个晶体管的栅电极与源/漏区彼此重叠的面积根据在所述控制线延伸的方向上所述驱动器与所述多个晶体管的距离而不同。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述多个晶体管的栅电极具有根据在所述控制线延伸的方向上所述驱动器与所述多个晶体管的距离而不同的尺寸。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述多个晶体管的栅电极在沟道方向上具有根据在所述控制线延伸的方向上所述驱动器与所述多个晶体管的距离而不同的宽度。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个晶体管包括选择性地提供信号至信号线的选择晶体管，其中，所述信号线被布线在以矩阵形式配置有像素的像素阵列部中的相应像素列中。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述选择晶体管以分时方式将按时间顺序输入的信号分配至多条所述信号线。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个晶体管包括设置在像素中以向所述像素写入信号的写入晶体管。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，各像素包括：

所述写入晶体管；

存储电容器，存储由所述写入晶体管写入的信号；以及

电光元件，根据由所述存储电容器存储的信号来驱动。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述驱动器从所述多个晶体管的配置方向上的一侧来驱动所述多个晶体管。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述驱动器从所述多个晶体管的配置方向上的相对两侧来驱动所述多个晶体管。

12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个晶体管的介于栅电极与源/漏区之间的绝缘膜具有根据在所述控制线延伸的方向上所述驱动器与所述多个晶体管的距离而不同的厚度。

13.一种具有显示装置的电子设备，所述显示装置包括：