CN102760634A - 半导体制造*** - Google Patents

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semi
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CN2012102619765A
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沈瑜俊
赵洪涛
王喆
马东
吴奇昆
孙亭
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Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
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Abstract

本发明的半导体制造***包括：液体管道、漏液阻挡装置、具有处理腔的第一处理装置、与所述第一处理装置连接的第二处理装置、以及布置在所述第二处理装置上的第三处理装置；其中，所述液体管道在连接点与具有处理腔的第一处理装置的腔体盖相连；并且，所述第二处理装置和所述第三处理装置布置在具有处理腔的第一处理装置的所述连接点的下方；所述漏液阻挡装置在所述连接点与所述第三处理装置之间，其中，所述漏液阻挡装置用于在液体管道在与具有处理腔的所述第一处理装置的所述腔体盖相连接的所述连接点处发生漏液时接纳从所述液体管道泄漏出来的液体，从而防止从所述液体管道泄漏出来的液体接触所述第二处理装置和所述第三处理装置。

Description

半导体制造***
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种半导体制造***。
背景技术
在半导体制造过程中，有时候需要将待处理晶圆放置在处理腔中进行处理。具有处理腔的处理装置的下方有时候会放置与该具有处理腔的处理装置相连的其它处理装置。具有处理腔的处理装置有时会通过液体管道从外部输入处理液体或者向外部排除处理液体。
在实际的工艺过程中，与具有处理腔的处理装置的腔体盖相连的液体管道容易发生泄漏。这时，如果与具有处理腔的处理装置的腔体盖相连的液体管道由于发生泄漏而流出处理液体时，则流出的处理液体会流到具有处理腔的处理装置的下方的其它处理装置上，从而损害这些其它处理装置。
具体地说，图1示意性地示出了根据现有技术的这种半导体制造***的框图。
如图1所示，根据现有技术的这种半导体制造***包括：具有处理腔的第一处理装置1、与第一处理装置1连接的第二处理装置5（例如，用于向处理装置1的处理腔提供射频能量来激发等离子体的射频能量发生器装置）、以及布置在第二处理装置5上的第三处理装置4（例如，用于调节由射频能量发生器装置向处理装置1的处理腔提供的射频能量的射频能量调节器装置）。
其中，第二处理装置5和第三处理装置4布置在具有处理腔的第一处理装置1下方。
并且，液体管道2在连接点3与具有处理腔的处理装置的腔体盖相连。如果与具有处理腔的第一处理装置1的腔体盖相连的液体管道2在连接点3处发生泄漏而流出处理液体时，则流出的处理液体会流到具有处理腔的第一处理装置1的下方的其它处理装置（第二处理装置5和/或第三处理装置4）上，从而损害这些其它处理装置，并且可能由于与处理腔的盖子相连接的水管漏水而造成晶圆报废。
因此，希望提供一种能够防止由于与具有处理腔的处理装置相连的液体管道发生泄漏而损害具有处理腔的处理装置的下方的其它处理装置的半导体制造***。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够防止由于与具有处理腔的处理装置相连的液体管道发生泄漏而损害具有处理腔的处理装置的下方的其它处理装置的半导体制造***。
根据本发明，提供了一种半导体制造***，其包括：液体管道、漏液阻挡装置、具有处理腔的第一处理装置、与所述第一处理装置连接的第二处理装置、以及布置在所述第二处理装置上的第三处理装置；其中，所述液体管道在连接点与具有处理腔的第一处理装置的腔体盖相连；并且，所述第二处理装置和所述第三处理装置布置在具有处理腔的第一处理装置的所述连接点的下方；所述漏液阻挡装置在所述连接点与所述第三处理装置之间，其中，所述漏液阻挡装置用于在液体管道在与具有处理腔的所述第一处理装置的所述腔体盖相连接的所述连接点处发生漏液时接纳从所述液体管道泄漏出来的液体，从而防止从所述液体管道泄漏出来的液体接触所述第二处理装置和所述第三处理装置。
优选地，上述半导体制造***还包括：在所述漏液阻挡装置中布置的液体感测器，所述液体感测器在感测到所述漏液阻挡装置中接收到液体时发出警报信息。
优选地，在上述半导体制造***中，所述报信息是闪烁光信息或蜂鸣声信息。
优选地，在上述半导体制造***中，所述第二处理装置是于向处理装置的处理腔提供射频能量来激发等离子体的射频能量发生器装置。所述第三处理装置是用于调节由射频能量发生器装置向处理装置的处理腔提供的射频能量的射频能量调节器装置。
优选地，在上述半导体制造***中，所述漏液阻挡装置是一个托盘。
根据本发明的上述结构，如果与具有处理腔的第一处理装置的腔体盖相连的液体管道在连接点处发生泄漏而流出处理液体时，则流出的处理液体会流到具有处理腔的第一处理装置的下方的漏液阻挡装置上，而不会流到第二处理装置和/或第三处理装置上，从而不会损害这些其它处理装置。
并且，根据本发明的上述结构，半导体制造***的操作人员可以在第一时间获悉液体管道发生漏液现象，从而可以及时对液体管道进行修理或替换。
附图说明
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：
图1示意性地示出了根据现有技术的半导体制造***的框图。
图2示意性地示出了根据本发明实施例的半导体制造***的框图。
图3示意性地示出了根据本发明第二实施例的半导体制造***的框图。
需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
<第一实施例>
图2示意性地示出了根据本发明第一实施例的半导体制造***的框图。
例如，根据本发明第一实施例的半导体制造***可以是PECVD（等离子体增强化学气相沉积）加工设备、高密度电浆化学气相沉积***（HDP-CVD）加工设备等。
如图2所示，根据本发明实施例的这种半导体制造***包括：具有处理腔的第一处理装置1、与第一处理装置1连接的第二处理装置5、以及布置在第二处理装置5上的第三处理装置4。
例如，第二处理装置5是于向处理装置1的处理腔提供射频能量来激发等离子体的射频能量发生器装置，布置在第二处理装置5上的第三处理装置4是用于调节由射频能量发生器装置向处理装置1的处理腔提供的射频能量的射频能量调节器装置。
其中，液体管道2在连接点3与具有处理腔的第一处理装置1的腔体盖相连。液体管道2中的液体例如是水，其可用于降低处理腔的温度以防止处理腔温度过高等功能。
并且其中，第二处理装置5和第三处理装置4布置在具有处理腔的第一处理装置1的所述连接点3的下方。
与现有技术不同的是，在连接点3与第三处理装置4之间布置漏液阻挡装置6。其中，漏液阻挡装置6用于在液体管道2在与具有处理腔的第一处理装置1的腔体盖相连接的连接点3处发生漏液时接纳从液体管道2泄漏出来的液体，从而防止从液体管道2泄漏出来的液体接触第二处理装置5和第三处理装置4。
例如，优选地，在上述半导体制造***中，所述漏液阻挡装置是一个托盘。
根据本发明第一实施例的上述结构，如果与具有处理腔的第一处理装置1的腔体盖相连的液体管道2在连接点3处发生泄漏而流出处理液体时，则流出的处理液体会流到具有处理腔的第一处理装置1的下方的漏液阻挡装置6上，而不会流到其它处理装置（第二处理装置5和/或第三处理装置4）上，从而不会损害这些其它处理装置。
<第二实施例>
图3示意性地示出了根据本发明第二实施例的半导体制造***的框图。
如图3所示，根据本发明第二实施例的半导体制造***除了包括具有处理腔的第一处理装置1、与第一处理装置1连接的第二处理装置5、布置在第二处理装置5上的第三处理装置4、以及在漏液阻挡装置6之外，进一步优选地，根据本发明第二实施例的半导体制造***还包括在漏液阻挡装置6中布置的液体感测器7。
其中，液体感测器7在感测到漏液阻挡装置6中接收到液体时（表面液体管道2发生了液体泄漏，例如在连接点3处发生了液体泄漏）发出警报信息。例如，所述报信息是闪烁光信息或蜂鸣声信息。
这样，根据本发明第二实施例的上述结构，半导体制造***的操作人员可以在第一时间获悉液体管道2发生漏液现象，从而可以及时对液体管道2进行修理或替换。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (6)

1.一种半导体制造***，其特征在于包括：液体管道、漏液阻挡装置、具有处理腔的第一处理装置、与所述第一处理装置连接的第二处理装置、以及布置在所述第二处理装置上的第三处理装置；
其中，所述液体管道在连接点与具有处理腔的第一处理装置的腔体盖相连；并且，所述第二处理装置和所述第三处理装置布置在具有处理腔的第一处理装置的所述连接点的下方；
所述漏液阻挡装置在所述连接点与所述第三处理装置之间，其中，所述漏液阻挡装置用于在液体管道在与具有处理腔的所述第一处理装置的所述腔体盖相连接的所述连接点处发生漏液时接纳从所述液体管道泄漏出来的液体，从而防止从所述液体管道泄漏出来的液体接触所述第二处理装置和所述第三处理装置。
2.根据权利要求1所述的半导体制造***，其特征在于还包括：在所述漏液阻挡装置中布置的液体感测器，所述液体感测器在感测到所述漏液阻挡装置中接收到液体时发出警报信息。
3.根据权利要求2所述的半导体制造***，其特征在于，所述报信息是闪烁光信息或蜂鸣声信息。
4.根据权利要求1至3之一所述的半导体制造***，其特征在于，所述第二处理装置是于向处理装置的处理腔提供射频能量来激发等离子体的射频能量发生器装置。
5.根据权利要求4所述的半导体制造***，其特征在于，所述第三处理装置是用于调节由射频能量发生器装置向处理装置的处理腔提供的射频能量的射频能量调节器装置。
6.根据权利要求1至3之一所述的半导体制造***，其特征在于，所述漏液阻挡装置是一个托盘。
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PB01 Publication
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Owner name: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

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Applicant after: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation

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Applicant before: Hongli Semiconductor Manufacture Co., Ltd., Shanghai

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