CN102711382A

CN102711382A - Pcb逐层对位镭射钻孔的方法

Info

Publication number: CN102711382A
Application number: CN2012101973292A
Authority: CN
Inventors: 胡翠儿; 姚晓建
Original assignee: Guangzhou Mei Wei Electronics Co Ltd
Current assignee: Guangzhou Mei Wei Electronics Co Ltd
Priority date: 2012-06-14
Filing date: 2012-06-14
Publication date: 2012-10-03
Anticipated expiration: 2032-06-14
Also published as: CN102711382B

Abstract

本发明涉及PCB逐层对位镭射钻孔的方法，其包括以下步骤：在相对的次层电路板上制作标靶；将覆盖在所述标靶上的铜层去除，或者将覆盖在所述标靶上的铜层和树脂层同时去除，显露出标靶进行对位；激光直接钻盲孔。本发明可有效解决盲孔对内层偏孔的问题。

Description

PCB逐层对位镭射钻孔的方法

技术领域

本发明涉及印制电路板的制作方法，具体PCB逐层对位镭射钻盲孔的方法。

背景技术

目前印制电路板制作向高、精、密方向发展，受线路设计影响，盲孔底PAD（焊盘）设计趋小，同时，受制板层间偏移影响，使用传统的X-RAY钻靶（两次外层图形叠合），容易造成盲孔崩孔，以4层电路板为例，

（1）设计的对位标靶图形（L02/L03）无偏移时，如图1a所示，盲孔（L0102/L0403）对内层PAD的无偏移或偏移量小，其中L02/L03是指在L02层电路板以及L03电路板上设计对位标靶图形，且二者的标靶图形叠合，L0102/L0403是至在L01和L02间制作盲孔，以及在L04和L03间制作盲孔；

（2）由于对位标靶图形叠合的层间对准度较低，当设计的标靶图形（L02/L03）偏移时，如图1b所示，由于内层PAD设计小，盲孔（L0102/L0403）对内层PAD偏移甚至发生崩孔（即盲孔偏出底PAD）。

并且由图1b可以看出，在PCB制作的过程中，压合次数的增加对于盲孔对应的底PAD图形的对位精准度增加难度，同时，盲孔底PAD设计越来越小，也增加了盲孔对底PAD的位置精度的难度，从而导致盲孔位置偏移增加。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明旨在提供一种可有效解决盲孔对内层偏孔问题的PCB逐层对位镭射钻孔的方法。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

PCB逐层对位镭射钻孔的方法，其包括以下步骤：

在相对的次层电路板上制作标靶；

将覆盖在所述标靶上的铜层去除，或者将覆盖在所述标靶上的铜层和树脂层同时去除，显露出标靶进行对位；

激光直接钻盲孔。

作为改进，在不同的次层电路板上的标靶错位分布，错位分布可增加标靶与标靶外图形对比度，减小对位误差。

作为显露标靶的第一种实施方式，所述将覆盖在所述标靶上的铜层和树脂层去除的方法为：采用镭射钻孔机将标靶上的铜层和树脂层去除掉，露出该标靶，同时镭射钻机上的CCD识别该标靶并进行补偿定位。

作为显露标靶的第二种实施方式，所述将覆盖在所述标靶上的铜层去除的方法为：在外层电路板上与所述标靶相对应的位置设计开窗图形；使用贴干膜或湿膜；曝光标靶图形，将所述标靶图形转移到干膜或湿膜上；显影；蚀刻；褪去所述干膜或湿膜；将所述标靶上方铜层去除，显露出该标靶。

作为显露标靶的第三种实施方式，所述将覆盖在所述标靶上的铜层去除的方法为：采用机械钻机，利用钻咀将标靶上方铜层去除，显露出标靶。

作为显露标靶的第四种实施方式，所述将覆盖在所述标靶上的铜层和树脂层去除的方法为：采用X-RAY钻靶机根据相对的次层电路板上标靶钻出单层对位标靶孔，显露出标靶。

优选地，所述制作标靶的方法为：在相对的次层电路板上贴干膜或湿膜；曝光标靶图形，将所述标靶图形转移到干膜或湿膜上；显影；蚀刻；褪去所述干膜或湿膜。

本发明所阐述的PCB逐层对位镭射钻孔的方法，与现有技术相比，其有益效果在于：本发明提供一种在印制电路板镭射钻孔工艺制作时，采用烧靶、蚀刻或刮铜的方法显露出内层标靶进行逐层对位，或X-RAY钻靶机钻单层标靶，替代传统的使用X-RAY钻通靶（两次外层图形叠合）方法，可有效解决盲孔对内层偏孔问题。

附图说明

附图1a、1b为现有镭射钻孔的对位标靶的示意图;

附图2为本发明PCB逐层对位镭射钻孔的方法的流程图；

附图3a、3b、3c为本发明PCB逐层对位镭射钻孔的制作过程示意图。

具体实施方式

下面，结合附图以及具体实施方式，对本发明的PCB逐层对位镭射钻孔的方法做进一步描述，以便于更清楚的理解本发明所要求保护的技术思想。

如图2所示，PCB逐层对位镭射钻孔的方法，其包括以下步骤：

S01、在相对的次层电路板上制作标靶；

这里相对的次层电路板是相对于本技术领域中的次层电路板而言的，本技术领域的次层电路板是指最外层电路板内侧的一层称之为次层，例如在八层板中，第二层和第七层就称之为次层，而在本发明中，相对的次层电路板是指除中心层以外的其他层电路板内侧的一层均称之为相对的次层，同以八层板为例，其中第四层和第五层为中心层，第四层相对于第三层而言为相对的次层，第三层相对于第二层而言又称之为相对的次层，同理，第五层相对于第六层而言为相对的次层，第六层有相对于第七层为相对的次层，如此递推。

制作标靶的方法为：在相对的次层电路板上贴干膜或湿膜→曝光标靶图形，将所述标靶图形转移到干膜或湿膜上→进行显影→蚀刻→褪去干膜或湿膜。

每个相对的次层电路板上的标靶数目可以为多个，例如，可以采用四个分布于电路板的四个角处，当然，为了对位更精确，可以设计更多个标靶。标靶图形的形状可采用圆形，可方便对位，当然，也可以是其他的形状。

在本发明中，当涉及到多个相对的次层电路板上均涉及标靶制作时，为了增加标靶与标靶外图形对比度，减小对位误差，各层的标靶相互错位分布。

S02、将压合在标靶上的铜层和树脂层去除，显露出标靶进行对位；

标靶上的铜层和树脂层去除的方法有多种，在本发明中，可采取以下方式：

a、作为较佳的实施方式，采用烧靶的方法去除覆盖在标靶上的铜层和树脂层，即是采用镭射钻孔机将标靶上的铜箔和树脂层去除掉，露出标靶，同时镭射钻机CCD识别此标靶并进行补偿定位，相对于其他种方法，使用烧靶的方法流程是最简单的；

b、还可以采用蚀刻的方法去除覆盖在标靶上的铜层，即是在外层电路板上与所述标靶相对应的位置设计开窗图形→使用贴干膜或湿膜→曝光标靶图形，将所述标靶图形转移到干膜或湿膜上→显影→蚀刻→褪去所述干膜或湿膜→将所述标靶上方铜层去除，显露出该标靶，此种方式只需去除铜层显露标靶，这里所述的外层电路板是指与相对的次层电路板压合对应的一层板，盲孔即是在该外层电路板上制作。

c、也可以采用刮铜的方法，即采用机械钻机，利用钻咀将覆盖在标靶上方铜层去除，显露出标靶。

d、当然也可以采用常规的X-RAY钻靶机钻取对位标靶孔，不过与现有技术不同，在本发明中，采用X-RAY钻靶机根据相对的次层电路板上标靶钻出单层对位标靶孔，显露出标靶。

S03、激光直接钻盲孔。对于直接打铜镭射钻孔直接镭射钻孔制板，使用上述四种方法中的一种显露标靶，在镭射钻孔时直接使用此标靶进行定位后直接打铜镭射钻孔。

下面以八层板为例，进一步对本发明的保护范围做详细说明。

附图3a、3b、3c为本发明PCB逐层对位镭射钻孔的制作过程示意图。如图3a所示，其为将压合的L03-L06层电路板进行对位以及钻盲孔（L0304/L0605），首先，在L04电路板上制作标靶11，在L05电路板上制作标靶12，通过标靶11实现L04电路板和L03电路板之间的对位后镭射钻取盲孔21，通过标靶12实现L06电路板和L05电路板之间的对位后镭射钻取盲孔22，其中标靶11和标靶12错位分布。

如图3b所示，进一步实现L03和L02电路板之间的盲孔以及L07和L06电路板之间的盲孔制作，此时分别以L03和L06为相对的次层电路板，在其上分别制作标靶13、标靶14，同上，分别钻取盲孔23和盲孔24，其中标靶13、标靶14、以及标靶11、标靶12均错位分布。

最后，如图3c所示，进一步实现L02和L01电路板之间的盲孔以及L08和L07电路板之间的盲孔制作，此时分别以L02和L07为相对的次层电路板，在其上分别制作标靶15、标靶16，同上，分别钻取盲孔25和盲孔26，其中标靶15、标靶16、标靶13、标靶14、以及标靶11、标靶12均错位分布。

需要说明的是，以上举例只是对逐层对位进行详细的描述，其不表示制作的流程必须是图3a-3c所示，因为盲孔的制作是逐层制作的，因此，标靶的制作以及盲孔的钻取顺序可以根据实际情况而定。

对于本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及变形，而所有的这些改变以及变形都应该属于本发明权利要求的保护范围之内。

Claims

1.PCB逐层对位镭射钻孔的方法，其特征在于，其包括以下步骤：

在相对的次层电路板上制作标靶；

激光直接钻盲孔。

2.根据权利要求1所述的PCB逐层对位镭射钻孔的方法，其特征在于，在不同的次层电路板上的标靶错位分布。

3.根据权利要求1所述的PCB逐层对位镭射钻孔的方法，其特征在于，所述将覆盖在所述标靶上的铜层和树脂层去除的方法为：

采用镭射钻孔机将标靶上的铜层和树脂层去除掉，露出该标靶，同时镭射钻机上的CCD识别该标靶并进行补偿定位。

4.根据权利要求1所述的PCB逐层对位镭射钻孔的方法，其特征在于，所述将覆盖在所述标靶上的铜层去除的方法为：

在外层电路板上与所述标靶相对应的位置设计开窗图形；

使用贴干膜或湿膜；

曝光标靶图形，将所述标靶图形转移到干膜或湿膜上；

显影；

蚀刻；

褪去所述干膜或湿膜；

将所述标靶上方铜层去除，显露出该标靶。

5.根据权利要求1所述的PCB逐层对位镭射钻孔的方法，其特征在于，所述将覆盖在所述标靶上的铜层去除的方法为：

采用机械钻机，利用钻咀将标靶上方铜层去除，显露出标靶。

6.根据权利要求1所述的PCB逐层对位镭射钻孔的方法，其特征在于，所述将覆盖在所述标靶上的铜层和树脂层去除的方法为：

采用X-RAY钻靶机根据相对的次层电路板上标靶钻出单层对位标靶孔，显露出标靶。

7.根据权利要求1所述的PCB逐层对位镭射钻孔的方法，其特征在于，所述制作标靶的方法为：

在相对的次层电路板上贴干膜或湿膜；

曝光标靶图形，将所述标靶图形转移到干膜或湿膜上；

显影；

蚀刻；

褪去所述干膜或湿膜。