CN102628573A - 发光装置、照明装置和前照灯 - Google Patents

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Abstract

本发明提供发光装置、照明装置和前照灯，其中，该发光装置具备：发出激发光(L0)的LD芯片(11)；接收由LD芯片(11)发出的激发光(L0)而发出荧光的发光体(40)；具有对发光体(40)所发出的荧光进行反射的光反射凹面(SUF1)的反射镜(90)，且在该发光装置中，在反射镜(90)的光反射凹面(SUF1)的底部附近区域(ER)以外的区域设有贯通孔(90h)，并且该发光装置还具备角锥台状聚光部(21)，该角锥台状聚光部(21)插通所述贯通孔(90h)、且将LD芯片(11)发出的激发光(L0)导向所述发光体(40)。

Description

发光装置、照明装置和前照灯
技术领域
本发明涉及具备发光体的发光装置等，其发光体含有通过激发光的照射发生荧光的荧光体。
背景技术
近年来，作为激发光源使用发光二极管(LED：Light Emitting Diode)和半导体激光器(LD：Laser Diode)等的半导体发光元件、且通过将这些激发光源产生的激发光照射到含有荧光体的发光体所发生的荧光作为照明光使用的发光装置的研究，正在盛行。
作为这样的现有的发光装置的一例，有专利文献1所公开的光源装置和专利文献2所公开的灯具。
在该光源装置和灯具中，在反射镜(凹面镜)的底部附近设置至少一个开口，通过该开口向荧光体照射激光。
【先行技术文献】
专利文献
【专利文献1】日本公开专利公报“特开2003-295319号公报(2003年10月15日公开)”
【专利文献2】日本公开专利公报“特开2005-150041号公报(2005年06月09日公开)”
【专利文献3】日本公开专利公报“特开2004-241142号公报(2004年08月26公开)”
但是，在上述专利文献1的光源装置和上述专利文献2的灯具中，由于在从荧光体产生的荧光(照明光)的引出效率最高的位置被包括的凹面镜的底部附近设置开口，因此，存在来自反射镜底部附近的照明光的引出效率变低的问题。特别是在专利文献2的灯具中，虽然公开了在反射镜的底部附近设置多个开口的结构，但是在该结构中，开口的数量越增加，来自反射镜底部附近的照明光的引出效率就越低。
另外，在专利文献3中公开的前照灯中，包括照明光的引出效率最高的位置的凹面镜的底部的大部分并不存在。
还有，在上述说明中，作为在反射镜中包括来自发光体的光束以最高密度入射(即照度最高)的位置的区域的一例，针对凹面镜的底部附近的区域进行了说明。但是，这种区域会根据反射镜的形状、或该反射镜和发光体的位置关系等而变化，因此，包括使来自发光体的光束以最高密度入射的位置的区域并不限于反射镜的底部附近的区域。
发明内容
本发明鉴于上述问题点而做，其目的在于，提供一种来自包括使来自发光体的光束以最高密度入射的位置的区域的照明光引出效率降低能够得以抑制的发光装置等。
本发明的发光装置，为了解决上述课题，其特征在于，具备：发出激发光的激发光源；接收从所述激发光源发出的激发光而发出荧光的发光体；具有反射从所述发光体发出的荧光的光反射凹面的反射镜，在该发光装置中，在所述反射镜的所述光反射凹面中，在来自所述发光体的荧光的照度最高的位置附近的高照度区域之外的区域设有贯通孔，并具备导光构件，该导光构件插通所述贯通孔，将所述激发光源发出的激发光导向所述发光体。
尽可能地避免在反射镜中来自发光体的光束与其他部分相比更密地入射(即照度高)的区域(高照度区域)的反射的浪费，这被认为与装置整体的荧光的引出效率的提高相关。
另外，作为这种高照度区域的典型例，可以例举专利文献1的光源装置和专利文献2的灯具这种凹面镜的底部附近的区域，但在这些技术中，在高照度区域设置贯通孔的构造中，考虑在其中插通导光构件时，不能充分利用荧光(照明光)的引出效率高的高照度区域的反射。
因此，在本发明的上述构成中，在高照度区域之外的区域设置贯通孔。
另外，当然根据本发明的上述构成，与反射镜的底部的大部分(高照度区域)不存在的上述专利文献3的前照灯相比较，能够抑制来自高照度区域的照明光的引出效率的降低。
还有，在上述说明中，作为高照度区域的一例对凹面镜的底部附近的区域进行了说明。但是，根据反射镜的形状、该反射镜与发光体的位置关系，也包括反射镜的底部附近的区域以外的区域是包括来自发光体的光束以最高密度入射的位置的区域的情况。
即，高照度区域不限于反射镜的底部附近，也可以是在反射镜的光反射凹面中，包括来自发光体的荧光的照度最高的位置(最高位置附近的)区域。
由此，根据上述构成，能够充分利用荧光的引出效率高的高照度区域的反射，因此，能够抑制来自包括发光体的光束以最高密度入射的位置的区域的照明光的引出效率的降低。
发明效果
本发明的发光装置，如上所述，构成为：在上述反射镜的上述光反射凹面中，在来自所述发光体的荧光的照度最高的位置附近的高照度区域之外的区域设有贯通孔，并具备导光构件，该导光构件插通所述贯通孔，将所述激发光源发出的激发光导向所述发光体。
由此，能够实现抑制来自包括发光体的光束以最高密度入射的位置的区域的照明光的引出效率的降低的效果。
本发明的其他目的、特征和利点根据下述记载能够充分理解。另外，本发明的优点参照附图根据如下说明可以明白。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式的前灯在沿铅垂方向切断时的概略结构的剖面图。
图2是表示所述前灯从正面(相对于纸面以近身侧为正面)观看时的概略结构的正视图。
图3是关于所述前灯、且示出激发光源的具体例的图，(a)表示激发光源的一例(LED)的电路，(b)表示所述LED的外观从正面看时的样子，(c)表示所述激发光源的另一例(LD)的电路，(d)表示所述LD的外观从斜右侧看时的样子。
图4是表示汽车用的前灯(近光灯/远光灯)所要求的配光图案或配光特性的图，(a)表示汽车用前灯(近光灯/远光灯)所要求的配光图案，(b)表示近光灯所要求的配光特性。
图5是本发明的其他实施方式的前灯从正面观看时的概略结构的正视图。
图6是对来自发光体的荧光的高照度区域进行说明的图，(a)表示来自发光体的荧光的放射密度各向同性时的高照度区域的样子，(b)表示放射密度各向异性时的高照度区域的样子。
【符号说明】
11  LD芯片(激发光源)
21  角锥台状聚光部(导光构件)
40  发光体
90  反光镜(反射镜)
90h 贯通孔
110 前灯(发光装置，照明装置，前照灯)
120 前灯(发光装置，照明装置，前照灯)
130 LED芯片(激发光源)
B   位置
θ  角(插通方向和铅垂方向所成的角)
ER  底部区域(高照度区域)
L0  激发光
L1  照明光(荧光)
SUF1光反射凹面
具体实施方式
如果基于图1～图6对于本发明的一个实施方式进行说明，则如下。对于在以下的特定的项目进行说明的构成以外的构成，虽然根据需要存在省略说明的情况，但在其他项目进行说明时，其构成相同。另外，为了方便说明，对于与各项目所示的构件具有相同功能的构件，标注相同符号，并适当地省略其说明。
还有，虽然以下说明的前灯(发光装置、照明装置、前照灯)110和前灯(发光装置、照明装置、前照灯)120的各形态均作为前照灯或投影仪的发光装置部(发光部)进行说明，但本发明的具体化的形态并不限于这些形态，也能够适用于前照灯或投影仪以外的照明装置的发光装置部等。
[1.前灯110的概略结构]
首先，基于图1和图2对本发明的一个实施方式的前灯110的概略结构进行说明。图1表示本发明的一实施方式的前灯110在沿铅垂方向(x-z平面)切断时的概略结构的剖面图。
另外，图2是表示前灯110在从正面(相对于纸面以近身侧为正面)看时的概略结构的正视图。
如图1和图2所示，前灯110是如下的装置，其具备合计4个的LD芯片(激发光源)11、角锥台状聚光部(导光构件)21、发光体40和反光镜(反射镜)90，并且将照明光(荧光)L1投向反光镜90的外部。(LD芯片11)
LD芯片11是单芯片单条纹的半导体激光器，将振荡波长为405nm、光输出为1.5W(瓦特)的GaN系的半导体激光器芯片实装在Φ5.6mm的封装上。
另外，在本实施方式中，如上所述，LD芯片11合计使用4个，如图1或图2的空心箭头所示，将四个LD芯片11纵横各两个地配置为矩阵状。
还有，LD芯片11的振荡波长可以具有蓝紫色区域或蓝色区域(340nm以上490nm以下)的振荡波长。
另外，在现有技术中，难以制作波长340nm以下的优质的短波长激光器，但将来，按照340nm以下进行振荡的方式所设计的LD芯片11也可以作为光源采用。
由此，在单纯计算下合计4个LD芯片11的合计的光输出成为光源整体的光输出，因此，与仅使用单一LD芯片11的情况相比，能够将光源整体的光输出放大大约四倍左右。其中，LD芯片11的性能是均等的。
还有，在本实施方式中，LD芯片11的数量为四个，但LD芯片11的数量不限于此，也可以是1～3个或者5个以上。
还有，作为激发光源，可以是本实施方式的LD芯片11这种具有单一发光点的单芯片单条纹型的半导体激光器芯片，也可以是具有多个发光点的单芯片多条纹型的半导体激光器芯片。
另外，就激发光源而言，可以是如本实施方式的LD芯片11这样产生相干(コヒ一レント)的激发光L0(激光)的芯片，也可以是后述的LED芯片(激发光源)130这样产生非相干(ィンコヒ一レント)的激发光L0(EL光，Electro-luminescence light)的芯片。
另外，在使用多个激发光源时，可以仅由LD或LED构成，也可以混用LD和LED。
(角锥台状聚光部21)
接着，角锥台状聚光部21是如下的构件，将从一端侧(LD芯片11侧)入射的激发光L0导向另一端侧(发光体40侧)，并将导向另一端侧的激发光L0照射到发光体40。
在本实施方式中，角锥台状聚光部21的形状是所谓的四角锥台形状，一端侧的截面是2mm×2mm的矩形，另一端侧的截面是15mm×15mm的矩形，从一端到另一端的距离(四角锥台的高度)是25mm。还有，导光构件的形状不限于此，可以采用四角锥台形状以外的多角锥台形状、圆锥台形状、楕圆锥台形状等各种形状。
另外，角锥台状聚光部21的材质是BK(硼硅酸盐冕玻璃(ボロシリケ一ト·クラゥン))7，其折射率为1.52。还有，优选角锥台状聚光部21由折射率比1高的材料构成。由此，即使不特别地形成使激发光L0在角锥台状聚光部21的与空气(折射率＝1)的界面SUF2得以反射的反射面等，以一定角度以上入射的光在折射率不同的界面发生全反射。由此，仅通过选择角锥台状聚光部21的材料，就能够在角锥台状聚光部21中对激发光L0进行导光，因此，角锥台状聚光部21的制造容易。
另外，优选角锥台状聚光部21的另一端的截面积比一端的截面积小。
由此，例如本实施方式，即使LD芯片11存在多个时，能够使从多个LD芯片11产生的各激发光L0汇聚到具有比角锥台状聚光部21的一端的截面积小的截面积的另一端。
因此，通过使角锥台状聚光部21的另一端的截面积和发光体40的尺寸均变小，从而能够实现与LD芯片11的数量相对应的高亮度、高光束的光得以产生的发光装置部的小型化。
另外，由于从LD芯片11振荡的激发光L0是相干的激光，因此，指向性强，前灯110能够无浪费地汇聚激光进行利用。为此，能够形成非常小的发光体40，其结果是，能够实现小型且超高亮度的前灯110。由此，通过将这种LD芯片11作为激发光源使用的前灯110适用于车辆用的前灯，能够产生使车辆用的前灯小型化等各种优点。
(发光体40)
其次，就发光体40而言，其通过被照射激发光L0而产生照明光(荧光)L1，其包括接收激发光L0而产生荧光的荧光体。更具体地说，发光体40中，在作为密封材的低融点无机玻璃(n＝1.760)的内部分散有荧光体。
还有，在本实施方式中，虽然发光体40作为经由在角锥台状聚光部21的另一端所设置的透明固定构件(未图示)被固定的部件得以説明，但发光体40的固定方法并不限定于这种使用透明固定构件的方法。例如，也可以将发光体40直接接合在角锥台状聚光部21的另一端。
接着，发光体40中的无机玻璃和荧光体的比率，例如为10∶1左右，但也并不限于该比率。另外，发光体40也可以是按压固定荧光体的结构。
还有，密封材也不限定于本实施方式的无机玻璃，也可以是所谓有机无机混合玻璃、或硅酮树脂等的树脂材料。
另外，在本实施方式中，荧光体以重量比计大约3∶1的方式混合Caα-SiAlON:Ce(发光波长峰值：510nm)和CaAlSiN3(CaSN):Eu(发光波长峰值：650nm)，但荧光体并不限定于该方式。即，荧光体可以是本实施方式这样由多种荧光体构成，也可以是由单一种的荧光体构成。
还有，本实施方式的前灯110所采用的以蓝绿色发光的Caα-SiAlON：Ce荧光体，其发光是非常宽幅的(半值全宽度：108nm)，作为照明用的光源使用时，提高演色性的效果非常高。另外，以红色发光的CaSN:Eu荧光体也具有发光为宽幅的(半值全宽度：90nm)、且发光効率高的特征。为此，本实施方式的前灯110能够实现通过它们组合使用而发出演色性非常良好的照明光的光源。
另外，所述的α-SiAlON(硅铝氧氮聚合材料)是所谓硅铝氧氮聚合材料荧光体(氧氮化物系荧光体)，与氮化硅同样，根据结晶结构有α型和β型。特别是，α-硅铝氧氮聚合材料在由通式Si12-(m+n)Al(m+n)OnN16-n(m+n＜12，0＜m，n＜11；m、n是整数)表示的由28原子构成的单位结构中存在2处空隙，在此各种金属侵入固溶的可能性存在。通过使稀土类元素固溶而形成荧光体。在使钙(Ca)和铕(Eu)固溶时，能够得到在从比YAG:Ce更长波长的黄色至橙色的范围进行发光的特性优良的荧光体。
还有，YAG:Ce是被铈(Ce)激活的钇(Y)-铝(Al)-钇铝石榴石(YAG)荧光体。
另外，硅铝氧氮聚合材料荧光体可以被蓝紫区域或蓝色区域(380nm以上490nm以下)的光激发，适于白色LED用的荧光体等。
作为其的他的荧光体，优选β-SiAlON等的氧氮化物系荧光体、SCASN和III-V族化合物半导体纳米粒子荧光体等，也可以使用所述的YAG:Ce荧光体等。
在此，包括所述III-V族化合物半导体纳米粒子荧光体的半导体纳米粒子荧光体的特征之一，就是即使使用相同的化合物半导体(例如磷化铟：InP)，也能够通过其粒径变更为纳米级尺寸而由量子尺寸效果使发光色变化。例如，InP中，粒子尺寸为3～4nm左右时以红色发光[在此，粒子尺寸通过透过型电子显微镜(TEM)进行评价]。
另外，该半导体纳米粒子荧光体还有如下特征，由于是半导体基材，所以荧光寿命短，由于能够将激发光L0的功率快速作为荧光放射，所以相对于高功率的激发光L0耐性强。这是因为，该半导体纳米粒子荧光体的发光寿命为10纳米秒左右，与以稀土类为发光中心的通常的荧光体材料相比小5个数量级。
另外，如上所述，由于发光寿命短，所以能够快速反复进行激发光L0的吸収和荧光体的发光。其结果是，相对于强的激光能够保持高效率，能够降低荧光体的发热。
由此，发光体40的由热所引起的劣化(变色或变形)能够得以抑制。由此，将光输出高的发光素子作为光源使用时，能够进一步抑制本实施方式的前灯110和后述的前灯120的寿命变短。
还有，上述发光体40的劣化被认为是发光体40中所含的荧光体的密封材(例如，硅酮树脂)的劣化的原因。即，上述硅铝氧氮聚合材料荧光体在被激光照射时能够以60～80％的効率使荧光产生，但剩余的成为热而放出。由于该热而使密封材劣化。
因此，作为密封材，优选耐热性高的密封材。作为耐热性高的密封材，例如能够示例玻璃等。
还有，白色光是由满足等色原理的三色的混色、或由满足补色关系的两色的混色构成，这是公知的，但是，可以基于该等色、或補色原理，通过对从LD芯片11振荡的激发光L0的颜色和荧光体发出的照明光L1的颜色进行适当地选择，来产生白色光。
例如，使前灯110的照明光L1发出白色光的一个方法是，作为激发光L0使用蓝紫色区域的振荡波长(380nm以上低于420nm)的激光，作为荧光体采用蓝色荧光体、绿色荧光体和红色荧光体的组合即可。
另外，另一个方法是，作为激发光L0采用蓝色区域的振荡波长(440nm以上490nm以下)的激光、黄色荧光体、或绿色荧光体+红色荧光体的任一种的组合即可。
另外，也可以作为激发光L0采用蓝色区域的振荡波长(440nm以上490nm以下)的LED光，作为荧光体采用黄色荧光体、或绿色荧光体+红色荧光体的任一种的组合即可。
还有，所谓黄色荧光体是指发出具有560nm以上590nm以下的波长的光的荧光体。所谓绿色荧光体是指发出具有510nm以上560nm以下的波长的光的荧光体。所谓红色荧光体是指发出具有600nm以上680nm以下的波长的光的荧光体。
(反光镜90)
反光镜90形成在所定的立体角内行进的光线束(照明光L1)。该反光镜90例如可以是在其表面形成有金属薄膜的构件，也可以是金属制的构件。
在本实施方式中，反光镜90(光反射凹面SUF1)的开口部(相对于图1的纸面在右侧，相对于图2的纸面在近身侧)的形状，是长轴的长度W为30mm、短轴的长度H为25mm的椭圆形状。但是，反光镜90的开口部的形状并不限定于椭圆形状，例如，也可以是圆形或凸多边形形状等。
另外，如图1和图2所示，前灯110在通常的使用状态下，反光镜90的光轴沿着y-z平面(大致水平面)，椭圆形状的开口部的长轴沿着y轴方向(大致水平方向)，短轴沿着大致铅垂方向(x轴方向)。
在此，例如，前照灯所需要的光度为大约1万～10万坎。另一方面，LD芯片11的亮度为10～100坎/mm2左右。为此，在将反光镜90的反射率设为100％的假定情况下，从开口部看到的反光镜90的面积如果是100～1万mm2左右即可，开口部的形状为任意。现实的反光镜90的反射率是有限值(例如60～80％)，因此，从开口部看到的反光镜90的面积会比100～1万mm2左右大一些，但这与开口部的形状无关。
如上所述，从开口部看到的反光镜90的面积为100～1万mm2左右。此时，例如，假设贯通孔90h的面积为7mm×7mm＝49mm2左右时，特别是在使用小的反光镜90时，就会有大的损失。由此，反光镜90的尺寸越小越好，如以下说明的前灯110的效果显著。
另一方面，反光镜90中重要的区域是距发光体40的距离近的位置〔底部区域(高照度区域)ER〕，在该底部区域ER中，从发光体40射出的荧光以紧密聚集的状态照射。为此，在这种被密集的荧光照射的反光镜90的一部分(底部区域ER)的反射不能得到利用时，前灯110整体的照明光L1的引出效率下降。
从以上，可以认为即使反光镜90的尺寸大，也能够得到以下说明的前灯110的效果。
接着，反光镜90的进深D(相对于图1的纸面左右方向的宽度)为40mm。还有，进深D是从反光镜90的开口部的开口中心C到光反射凹面SUF1的位置B为止的距离。另外，反光镜90是如下的形状，即以与长轴和短轴分别垂直的平面切断光反射凹面SUF1时的截面形状分别形成抛物线形状，并且，长轴沿着水平方向(图2的y轴方向)的所谓抛物线形状。
由此，在通常的使用状态下，包括前灯110的正面的希望照射区域中所形成的荧光(照明光L0)的光斑，在短轴方向上窄，在长轴方向上长，因此，例如，能够满足车辆用前照灯所要求的配光特性(参照图4(a))。
还有，反光镜90的局部也可以包括非抛物线的部分。另外，反光镜90可以是具有闭合的圆形的开口部的抛物线反光镜或包括其一部分的反光镜。另外，反光镜90并不限定于抛物线反光镜，也可以是半旋转椭圆面反光镜或半球面反光镜。即，如果反光镜90在其反射面中包括通过以回転轴为中心使图形(椭圆、圆、抛物线)旋转而形成的曲面的至少一部分即可。另外，反光镜90也不限于曲面形状，也可以是组合多个平面镜的多面体形状，但优选至少有一个光学聚光点的形状，因此，在本实施方式中，反光镜90的形状为抛物线形状。
接着，发光体4被设置在距反光镜90的位置B距离d(＝10mm)的位置P处。
另外，在反光镜90中的光反射凹面SUF1的底部区域ER以外的区域中，设有贯通孔90h，角锥台状聚光部21的另一端从贯通孔90h侧朝向发光体40存在的位置P侧插通。还有，在通常的使用状态下的前灯110中，贯通孔90h设在反光镜90中的光反射凹面SUF1的铅垂方向(x轴方向)下部。底部区域ER是光反射凹面SUF1的底部付近的区域。
还有，在本实施方式中，如图2所示，底部区域ER与反光镜90的开口部同样，从反光镜90的正面看到的底部区域ER的形状，是长轴长度W为4.38mm左右、短轴长度h为3.13mm左右的椭圆形状，但如图1所示，底部区域ER具有进深，其进深的深度为d/2＝5mm左右。
在装置的通常的使用状态下，为了向装置的前方(图1的z轴方向)照射照明光L1，尽可能地避免在反光镜90的底部付近(底部区域ER)的反射的浪费会有助于荧光的引出效率的提高。例如，专利文献1的光源装置和专利文献2的灯具这样在反射镜的底部付近设有贯通孔的结构中，在考虑其中插通导光构件时，不能充分利用荧光(照明光)的引出效率高的反射镜的底部区域的反射。
因此，在前灯110中，在反光镜90的光反射凹面SUF1的底部区域ER之外的区域设置贯通孔90h。
另外，与反射镜的底部的大部分不存在的所述专利文献3的前照灯相比较，当然能够抑制来自反射镜的底部付近的照明光的引出效率的降低。
由此，根据所述构成，能够抑制来自反射镜的底部付近的照明光的引出效率的降低。
另外，在本实施方式中，角锥台状聚光部21的另一端侧，相对于设在反光镜90上的贯通孔90h，从贯通孔90h侧朝向发光体40侧揷通。即，后述的x轴方向和t轴方向(参照图5)所成的角θ大致为0度。
在此，在将前灯110作为前照灯或投影仪使用时，无需在相对于屏幕上的水平线的上方[参照图4的(a)]或下方的一定程度的角度以上投射光线。由此，在所述构成中，在不要该光线投射也可的区域所投射的光线在光反射凹面SUF1上被反射的区域(底部区域ER以外的区域)中设置贯通孔90h，插通角锥台状聚光部21。即，如果角锥台状聚光部21的相对于贯通孔90h的插通方向沿着铅垂方向(x轴方向)，则能够实现包括装置的正面的希望照射的区域中明亮且可视性好、引出效率高的前照灯或投影仪。
例如，如图1和图2所示的例，从贯通孔90h侧朝向发光体40侧揷通的角锥台状聚光部21的插通方向在铅垂方向向上时，是为了识别汽车、火车和船舶这种地面上、海面或水面上的障碍物而设置，在大致水平并且有一些铅垂向下照射照明光的前照灯中，能够使明亮且可视性好的照明光投射到包括装置的正面的希望照射的区域中。
另外，与图1或图2相反，也可以将贯通孔90h设置在光反射凹面SUF1的铅垂方向上侧，将从贯通孔90h侧朝向发光体40侧揷通的角锥台状聚光部21的插通方向设为铅垂方向向下(未图示)。此时，例如，在为了向屏幕投影而设置的、向大致水平并且有些铅垂向上投射照明光的投影仪中，能够使明亮且可视性良好的照明光投射在包括装置的正面的屏幕上的希望照射的区域中。
还有，所谓“插通方向沿着铅垂方向”不仅是指插通方向和铅垂方向完全一致的情况，而且也包括插通方向和铅垂方向有一些不同的情况。具体地说，还包括插通方向在图1的x-z平面内与铅垂方向不同(偏移)的情况，插通方向在图2的x-y平面内与铅垂方向不同(偏移)的情况，以及它们组合的情况。
如以上说明，为了将照明光L1向前灯110的前方(图2的近身侧)照射，尽可能地避免反光镜90最深处附近(底部区域ER)的反射的浪费就有助于荧光的引出效率的提高。例如，在专利文献1的在反光镜90的底部区域ER内开设贯通孔90h(并非是很小的孔)的结构中，在考虑从其中插通角锥台状聚光部21来激发发光体40时，不能充分利用反光镜90的底部区域ER的反射。另外，如果将前灯110作为前照灯或投影仪使用，无需使光线(荧光)到达与图4(a)的屏幕上的水平线相比的上方或下方的一定程度的角度以上。由此，在本实施方式的前灯110中，在要反射来自即使该光线不到达也可的区域所对应的发光体40的荧光的区域(底部区域ER以外的区域)中设置贯通孔90h，插通角锥台状聚光部21。由此，能够实现在前灯110的前方的希望照射的区域中不会形成角锥台状聚光部21的阴影的且明亮并可视性良好的、照明光L1的引出效率高的前照灯或投影仪。
另外，假设将贯通孔90h设置在光反射凹面SUF1的底部，相对于其贯通孔90h插通角锥台状聚光部21时，有可能在包括装置的正面的希望照射的区域中形成角锥台状聚光部21的阴影。但是，如所述的构成，在反光镜90中，在光反射凹面SUF1的底部区域ER以外的区域设置贯通孔90h，将角锥台状聚光部21的插通方向设为铅垂方向向下或铅垂方向向上时，能够防止在包括装置的正面的希望照射的区域中形成角锥台状聚光部21的阴影。
(底部区域ER的大小)
接着，在本实施方式中，反光镜90的底部区域ER相对于光反射凹面SUF1的全面积的面积比为(d/D×1/2)2＝(1/8)2＝1/64左右。
还有，优选反光镜90的底部区域ER相对于光反射凹面SUF1的全面积的面积的比为1/81以上1/4以下。
所述面积比低于1/81时，底部区域ER的面积过小，来自反光镜90的底部付近的照明光L1的引出效率降低。
另一方面，所述面积比超过1/4时，与其相对应从光反射凹面SUF1的位置B到发光体40(位置P)的距离也变大，因此，反光镜90产生的照明光L1的引出效率降低。
另外，从别的观点出发，优选从设有发光体40的位置P看光反射凹面SUF1的位置B的方向时，底部区域ER是相对于光轴的偏角α包含在20度以上80度以下的立体角内的区域。还有，图1所示的前灯110中，偏角α为45度左右。
所述偏角α小于20度时，底部区域ER的面积过小，反光镜90产生的照明光L1的引出效率降低。
另一方面，所述偏角α超过80度时，难以以不使包括装置的正面的希望照射的区域中形成角锥台状聚光部21的阴影的方式，相对于贯通孔90h插通角锥台状聚光部21。
(2.本发明的特征的构成)
接着，基于图6，对本发明的特征的构成进行简单说明。
可认为在反光镜90中，与其他部分相比，尽量避免来自发光体40的光束更密集地入射(即照度高)的区域(高照度区域)的反射的浪费，有助于前灯110(或前灯120)的荧光的引出效率的提高。
另外，作为这种高照度区域的典型例，能够示例上述的底部区域ER。
但是，根据反光镜90的形状，反光镜90和发光体40的位置关系，还有反光镜90的底部付近的区域以外的区域为包括来自发光体40的光束以最高密度入射的位置的区域的情况。
即，高照度区域不限于上述的底部区域ER，只要是在反光镜90的光反射凹面中包括来自发光体40的荧光的照度最高的位置(最高的位置付近)的区域即可。
由此，前灯110(或前灯120)，例如，在反光镜90的光反射凹面SUF1中，只要在来自发光体40的荧光的照度最高的位置付近的高照度区域以外的区域设有贯通孔90h即可。
根据所述构成，能够充分利用荧光(照明光)的引出效率高的高照度区域的反射，因此，能够抑制来自包括发光体40的光束以最高密度入射的位置的区域(即高照度区域)的照明光的引出效率的降低。
这种高照度区域如以下的说明，定性地说，被认为是包括来自发光体40的荧光的放射密度相对于光反射凹面SUF1和发光体40之间的距离的比最高的位置的区域。
还有，在使光传感器的受光面相对于荧光的光线垂直而进行测定时，“放射密度”严密地说与用光传感器的输出值除以受光面的面积得到的值成比例，但如果受光面充分地小，则也可以视为与光传感器的输出值大致成比例。
即，“放射密度”可以替换为光传感器的输出值(测定位置的荧光的強度)。
例如，如图6(a)所示，在来自发光体40的荧光的放射密度为各向同性时(放射密度一定，即放射密度以“rd”为常数，通常为“1rd”时)，光反射凹面SUF1和发光体40之间的距离为最短的位置为来自发光体40的荧光的照度最高的位置。
例如，如图1所示，光反射凹面SUF1为抛物线，发光体40配置在抛物线的焦点付近的位置P时，来自发光体40的荧光的照度最高的位置为光反射凹面SUF1和发光体40之间的距离最短的位置，即图1所示位置B。由此，底部区域ER可以说是上述的高照度区域的典型例。
接着，基于图6(b)，对来自发光体40的荧光的放射密度为各向异性的情况进行说明。
在图6(b)所示的例中，“1rd”、“2rd”、“3rd”、“4rd”、“5rd”分别以该顺序表示来自发光体40的荧光的放射密度变高。
在此，反光镜90的一部分中的位置P1和发光体40的距离，将“d”作为常数为3d，比位置P2和发光体40的距离2d大1.5倍。
但是，位置P1的放射密度(4rd)为位置P2的放射密度(1rd)的4倍。
由此，此时，距发光体40的距离即使在比位置P2大的位置P1，该位置P1的照度也比位置P2的照度高。
另外，来自发光体40的荧光的放射密度一定时，来自发光体40的荧光的照度被认为，距发光体40的距离越短则越大。
另一方面，距发光体40的距离一定时，来自发光体40的荧光的照度被认为，来自发光体40的荧光的放射密度越大则越高。
从以上的考察可知，定性地说，来自发光体40的荧光的照度最高的位置是，来自发光体40的荧光的放射密度和光反射凹面SUF1与发光体40之间的距离的反比的积为最高的位置。
即，本发明的特征的构成要点在于，定性地说，是在反光镜90的光反射凹面SUF1中，在包括来自发光体40的荧光的放射密度相对于光反射凹面SUF1和发光体40之间距离的比最高的位置的高照度区域以外的区域设有贯通孔90h。
还有，在所述专利文献1中公开了一种光源装置，具备：LD、用于使激光成为平行光线束的平行光管、用于汇集形成为平行光线束的激光的聚光器和荧光体。另外，在所述专利文献2中公开了一种灯具，具备：半导体发光、与其间隔设置的荧光体、用于将半导体发光元件发出的光汇集在荧光体上的第1光学构件和将荧光体发出的光照射向灯具外部的第2光学构件。
另外，在所述专利文献3中公开了一种光源，具备：荧光体、从不同的多个方向照射光的光照射部。
但是，在所述各文献中完全没有涉及本发明的上述特征的构成、其效果以及本发明所要解决的课题。
〔3.激发光源的概要构成〕
接着，基于图3(a)～图3(d)说明激发光源的具体例。
图3(a)表示作为激发光源的一例的LED灯(激发光源)13的电路，图3(b)表示从正面看LED灯13的外观时的样子，图3(c)表示作为激发光源的其他例的LD芯片11的电路，图3(d)表示从右斜侧看LD芯片11的外观时的样子。
如图3(b)所示，LED灯13是通过用环氧树脂帽16封住连接在阳极14和阴极15上的LED芯片(激发光源)130而构成。
如图3(a)所示，LED芯片130中，pn接合P型半导体131和n型半导体132，阳极14与p型电极133连接，阴极15与n型电极134连接。还有，LD芯片11经电阻R与电源E连接。
另外，通过将阳极14和阴极15与电源E连接而构成电路，从电源E向LED芯片130供给电力，由此从pn接合附近发出非相干的激发光。
作为LED芯片130的材料，可以例举发光色为红色的GaP、AlGaAs、GaAsP等，发光色为橙色的GaAsP，发光色为黄色的GaAsP、GaP，发光色为绿色的GaP，发光色为蓝色的SiC、GaN等的化合物半导体。
还有，LED芯片130在大约2V～4V左右的低电压工作，具有小型轻量且反应速度快，寿命长，低成本的特征。
接着，如图3(c)和图3(d)所示，LD芯片11顺序层叠阴极电极19、基板18、包覆层113、活性层111、包覆层112、阳极电极17而构成。
基板18为半导体基板，为了得到本申请的用于激发荧光体的蓝色～紫外的激发光，优选使用GaN、蓝宝石、SiC。通常，作为半导体激光器用的基板，除此之外，还可以使用Si、GE和SiC等的IV属半导体，以GaAs、GaP、InP、AlAs、GaN、InN、InSb、GaSb和AlN为代表的III-V属化合物半导体，ZnTe、ZeSe、ZnS和ZnO等的II-VI属化合物半导体，ZnO、Al2O3、SiO2、TIO2、CrO2和CeO2等的酸化物绝缘体，和SiN等的氮化物绝缘体的任一种材料。
阳极电极17用于经包覆层112将电流注入活性层111。
阴极电极19用于从基板18的下部经包覆层113将电流注入活性层111。还有，电流的注入向阳极电极17·阴极电极19施加顺方向偏压而进行。
活性层111形成被包覆层113和包覆层112夹着的结构。
另外，作为活性层111和包覆层的材料，为了得到蓝色～紫外的激发光，使用由AlInGaN构成的混晶半导体。通常，作为半导体激光器的活性层·包覆层，使用以Al、Ga、In、As、P、N、Sb为主要组成的混晶半导体，形成这种结构即可。另外，也可以由Zn、Mg、S、Se、Te和ZnO等的II-VI属化合物半导体构成。
另外，活性层111是由于被注入的电流而产生发光的区域，由于包覆层112和包覆层113的折射率差，发出的光被封入活性层111内。
另外，在活性层111上形成有表侧解理面114、里侧解理面115，该表侧解理面114、里侧解理面115为了将通过诱导放出而增幅的光封闭而相互对向设置，该表侧解理面114、里侧解理面115具有镜面的作用。
但是，与将光完全反射的镜面不同，由诱导放出而增幅的光的一部分从活性层111的表侧解理面114·里侧解理面115(在本实施方式中出于方便考虑为表侧解理面114)射出，成为激发光L0(激光)。还有，活性层111也可以形成多层量子井构造。
还有，在与表侧解理面114相对的里侧解理面115上形成有用于激光振荡的反射膜(未图示)，通过对表侧解理面114和里侧解理面115的反射率设置差，与低反射率端面，例如表侧解理面114相比能够使激发光L0的大部分从发光点103照射。
包覆层113·包覆层112和活性层111等和各半导体层的膜形成可以使用MOCVD(有机金属化学气相成长)法或MBE(分子线外延)法、CVD(化学气相成长)法、激光烧蚀法、溅射法等通常的成膜方法而构成。各金属层的膜形成可以使用真空蒸镀法或镀敷法、激光烧蚀法、溅射法等通常的成膜方法而构成。
〔4.配光特性的基准〕
接着，图4(a)表示汽车用前灯(近光灯/远光灯)所要求的配光图案。
如图4(a)所示，在汽车用前灯所要求的配光图案中，有近光灯所要求的配光图案和远光灯所要求的配光图案两种。
图4(a)所示的屏幕配光是照射在与汽车用的前灯正对的铅垂屏幕上的光的照度分布。正面方向最明亮的部分被称为热区(ホットゾ一ン)，决定该部分的光度向远方照射的距离。
另外，近光灯时，为了抑制向对向车辆的眩光(炫目感)，在水平线的上下要求大的明暗差。
接着，图4(b)表示汽车用前灯的近光灯所要求的配光特性。
如图4(b)所示，在斜线区域I和区域IV的边界，斜线区域III和区域IV的边界形成有确定近光灯特有的配光图案的明暗边界的切割线。该近光灯所要求的配光特性中，在水平线的上下要求大的明暗差。
〔5.前灯120〕
接着，基于图5说明作为本发明的其他实施方式的前灯120的概要构成。图5是表示从正面看前灯120时的概要构成的正视图。
如图5所示，前灯120与上述前灯110相比存在以下的不同，而其他的构成相同，因此适当地省略说明。
(1)反光镜90的光反射凹面SUF1中的贯通孔90h的设置位置不同的点。
(2)角锥台状聚光部21的插通方向(T轴方向)和通常使用状态下的铅垂方向(x轴方向)所成的角θ为15度以上30度以下的点。
(贯通孔90h)
在前灯110中，贯通孔90h设在反光镜90的光反射凹面SUF1的铅垂方向(x轴方向)下部，但在本实施方式的前灯120中，贯通孔90h的位置从通常使用状态下的铅垂方向下部相对于纸面向右侧(y轴的正方向侧)有一些偏移。
(角锥台状聚光部21的插通方向和x轴方向所成的角)
接着，对角锥台状聚光部21的插通方向(T轴方向)和x轴方向所成的角θ的优选范围进行说明。
优选角θ为15度以上30度以下。例如，以日本国和英国等这种左侧通行的国家为例时，近光灯所要求的配光特性大致如图4(b)所示(其中，该图是基于日本国的安全基准)。即需要相对于前灯120的正面，左侧向偏上方照射。
由此，例如在图5这种构成中，如果将角θ设为15度以上30度以下，则可以满足近光灯所要求的切割线(カットォフラィン)的两个角度[正面部＝30度，左侧＝15度，参照图4(b)]的条件。
还有，在右侧通行的国家(美国、德国、法国等)中，例如在上述图5的构成中将左右关系调换即可。
另外，本发明还有如下的表现。
即，本发明的前照灯(发光装置、照明装置)是由发光体和作为激发光源的半导体激光器构成的前照灯，其具有：将从半导体激光器发出的激发光照射向发光体的导光构件、使从发光体放射的照明光汇聚向希望方向的反射镜，导光构件的至少一部分设置在反射镜内，在导光构件中使激发光导向包括相对于从发光体照射的希望汇聚方向延伸的直线的铅垂方向且向上即可。
由此，在为了识别汽车、火车和船舶这种地面上、海面或水面上的障碍物而设置的在大致水平并且有一些向下照射照明光的前照灯中，能够实现在包括正面的希望照射区域内不产生导光构件的阴影的明亮且可视性好的前照灯。
还有，为了将照明光照射向前照灯的前方(正面)方向，尽量避免曲面反光镜(反射镜)的最深处附近(底部区域)的反射的浪费有助于荧光的引出效率的提高。例如，如专利文献1，在考虑到在曲面反光镜的最深处附近开设孔(贯通孔)(并非是小的孔)，从其将导光构件***(揷通)激发发光体时，不能利用曲面反光镜的最深处附近的反射。另外，如果作为前照灯使用，无需使光线(荧光)到达与水平线相比的上方一定程度的角度以上。由此，在本发明中，在相对于即使该光线不到达也可以的区域反射来自发光体的荧光的区域(底部区域以外的区域)中设置孔(贯通孔)，插通导光构件。由此，能够实现在希望照射的区域中不会形成导光构件的阴影的明亮且可视性良好、放射効率高的前照灯。
接着，前照灯所需要的光度为大约1万～10万坎。另一方面，光源的亮度为10～100坎/mm2左右。由此，从开口部看到的曲面反光镜的面积为100～1万mm2左右即可。
为此，假设曲面反光镜的反射率为100％时，从开口部看到的曲面反光镜的面积为100～1万mm2左右即可，开口部的形状为任意。现实的曲面反光镜的反射率是有限的值(例如60～80％)，因此，必要的曲面反光镜的面积会比100～1万mm2左右大一些，但这与曲面反光镜的开口部的形状无关。
如上述，作为曲面反光镜的必要的面积为100～1万mm2左右。例如，使导光构件貫通的孔为7mm×7mm时，其面积为49mm2，特别是在使用小曲面反光镜时会有大的损失。由此，曲面反光镜的尺寸越小，则上述效果越显著。
另一方面，曲面反光镜中重要的区域是接近发光体的位置，在该区域中，从发光体射出的荧光以紧密汇集的状态与曲面反光镜接触。为此，在不能够利用被照射有这种密集的荧光的曲面反光镜的一部分(底部区域)的反射时，发光装置整体的荧光的引出效率大幅减退。
从以上可以认为，即使曲面反光镜的尺寸大，也能够得到上述效果。
〔6.本发明的其他表现〕
另外，本发明还可以有如下表面。
即，本发明的发光装置中，所述高照度区域也可以包括来自所述发光体的荧光的放射密度相对于所述光反射凹面和所述发光体之间的距离的比最高的位置。
例如，来自发光体的荧光的放射密度为各向同性时(放射密度一定)，光反射凹面和发光体之间的距离为最短的位置成为来自发光体的荧光的照度最高的位置。
即，本发明的发光装置中，所述高照度区域也可以包括所述光反射凹面和所述发光体之间的距离为最短的位置。
另一方面，来自发光体的荧光的放射密度为各向异性时，来自所述发光体的荧光的放射密度相对于所述光反射凹面和所述发光体之间的距离的比为最高的位置是在所述反射镜的所述光反射凹面中，来自所述发光体的荧光的照度为最高的位置。
另外，本发明的发光装置中，所述高照度区域也可以是所述反射镜中的所述光反射凹面的底部付近的区域。
例如，反射镜是通常的抛物线型的凹面镜(以下，简称为“抛物线”，并且，在抛物线的焦点的位置配置有发光体时，在装置的通常的使用状态下，为了向装置的前方(参照图1的Z轴方向)照射照明光，尽可能地避免反射镜的底部付近的区域(以下，有时也简称为“底部区域”)中的反射的浪费有助于荧光的引出效率的提高。例如，在专利文献1的光源装置和专利文献2的灯具这种在反射镜的底部付近设置贯通孔的构造中，在考虑从其中插通导光构件时，不能充分利用荧光(照明光)的引出效率高的反射镜的底部区域的反射。
因此，在此，在反射镜的光反射凹面的底部区域以外的区域中设置贯通孔。
另外，当然，根据所述本发明的构成，与反射镜的底部的大部分不存在的所述专利文献3的前照灯相比，当然能够抑制来自反射镜的底部付近的照明光的引出效率的降低。
从以上，根据所述构成，能够抑制来自反射镜的底部付近的照明光的引出效率的降低。
另外，本发明的发光装置中，相对于所述贯通孔，从该贯通孔侧朝向所述发光体侧揷通的所述导光构件的插通方向也可以沿着通常的使用状态下的铅垂方向。
在此，在将本发明的发光装置作为前照灯或投影仪使用时，无需分别使光线(荧光)投射到与屏幕上的水平线相比靠上方[参照图4(a)]或下方一定程度的角度以上。由此，在所述本发明的构成中，在投射在即使不投射光线也可以的区域上的光线在光反射凹面上被反射的区域(底部的区域以外的区域)中开设贯通孔，插通导光构件。另外，如果所述导光构件的插通方向沿着通常的使用状态下的铅垂方向，则能够实现在包括装置的(前方)正面的希望照射的区域中明亮且可视性良好、引出效率高的前照灯或投影仪。
例如，导光构件的插通方向为铅垂方向向上时，能够在为了识别汽车、火车和船舶这种地面上、海面或水面上的障碍物而设置的在大致水平并且有一些铅垂向下照射照明光的前照灯中，在包括装置的正面的希望照射区域内投射明亮且可视性好的照明光。
另外，导光构件的插通方向也可以为铅垂方向向下。此时，例如，能够在为了向屏幕上投影而设置的向大致水平并且有一些铅垂向下投影照明光的投影仪中，在包括装置的正面的希望照射区域内投影明亮且可视性好的照明光。
另外，例如，在反射镜的形状为抛物线时，假设在抛物线的底部设置贯通孔，并相对于该贯通孔插通导光构件时，有可能在包括装置的正面的希望照射的区域中形成导光构件的阴影。但是，根据所述构成，如果在光反射凹面的底部的区域以外的区域设置贯通孔，导光构件的插通方向沿着通常的使用状态下的铅垂方向，则还能够解决包括装置的正面的希望照射的区域中形成导光构件的阴影这种次生的问题点。
还有，所谓“插通方向沿着通常的使用状态下的铅垂方向”不仅包括插通方向和铅垂方向完全一致的情况，还包括插通方向和铅垂方向有一些不同的情况。
另外，本发明的发光装置中，相对于设在所述反射镜上的所述贯通孔，从该贯通孔侧朝向所述发光体侧揷通的所述导光构件的插通方向和通常使用状态下的铅垂方向所称的角也可以为15度以上30度以下。
例如，以日本国和英国等左侧通行的国家为例时，近光灯所要求的配光特性大致如图4(b)所示(其中，同图是基于日本国的安全基准)。即，需要相对于发光装置的正面，左侧向偏上方照射。
由此，例如在图5中，如果将角θ(插通方向和铅垂方向所称的角)设为15度以上30度以下，则可以满足近光灯所要求的切割线的两个角度[正面部＝30度，左侧＝15度，参照图4(b)]的条件。
还有，在右侧通行的国家(美国、德国、法国等)中，例如在上述图5的构成中将左右关系调换即可。
另外，本发明的发光装置中也可以是，所述反射镜的所述光反射凹面的开口部的形状是长轴和短轴的长度不同的椭圆形状，所述长轴和所述短轴各自在铅垂平面中切断所述光反射凹面时的截面形状分别形成抛物线形状，并且所述长轴沿着通常使用状态下的水平方向。
根据所述构成，包括装置的正面的希望照射区域中所形成的荧光(照明光)的光斑在短轴方向上窄，在长轴方向上长，因此，例如，能够满足车辆用前照灯所要求的配光特性(参照图4的(a))。
另外，本发明的发光装置中，所述导光构件也可以由折射率比1高的材料构成。
根据所述构成，导光构件由具有比空气(折射率＝1)高的折射率的材料构成。由此，即使不形成将激发光反射到导光构件的外面的反射面等，根据光被封闭在折射率高的区域中的原理，也能够引导激发光，因此，导光构件的制作变得容易。
另外，本发明的发光装置中，所述导光构件是将从一端侧入射的激发光引导向另一端侧，被导入所述另一端侧的激发光向所述发光体照射的构件，所述另一端的截面积也可以比所述一端的截面积小。
由此，例如，即使激发光源多个存在时，也能够将从多个激发光源发出的各激发光汇集在具有比导光构件的一端的截面积小的截面积的另一端。
由此，通过一起减小使导光构件的另一端的截面积和发光体的尺寸，能够实现产生与激发光源的数量相对应的高亮度·高光束的光的发光装置的小型化。
另外，包括所述发光装置的照明装置和前照灯也包含于本发明的技术范围内。
〔附记〕
还有，本发明并不限定于上述的实施方式，在请求范围内可以进行各种变更，对不同的实施方式中各自公开的技术手段进行适当的组合所得到的实施方式也包含于本发明的技术范围内。
本发明能够适用于发光装置和照明装置等。例如，能够适用于汽车用的前灯、汽车以外的车辆·移动物体(例如，人·船舶·飞机·潜艇·火箭等)的前灯和其他的照明装置。另外，作为其他的照明装置，例如，还能够适用于探照灯、投影仪、家用照明灯具等。

Claims (11)

1.一种发光装置，其特征在于，具备：
激发光源，其发出激发光；
发光体，其接收由所述激发光源发出的激发光而发出荧光；
反射镜，其具有对由所述发光体发出的荧光进行反射的光反射凹面，
并且，在所述反射镜的所述光反射凹面中，在来自所述发光体的荧光的照度最高的位置附近的高照度区域以外的区域设有贯通孔，
所述发光装置还具备导光构件，该导光构件插通所述贯通孔、且将所述激发光源所发出的激发光导向所述发光体。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述高照度区域包括：所述来自发光体的荧光的放射密度相对于所述光反射凹面及所述发光体之间的距离之比为最高的位置。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，
所述高照度区域包括：所述光反射凹面及所述发光体之间的距离为最短的位置。
4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，
所述高照度区域是：所述反射镜中的所述光反射凹面的底部附近的区域。
5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，
相对于所述贯通孔，从该贯通孔侧朝向所述发光体侧所插通的所述导光构件的插通方向，沿着在通常使用状态下的铅垂方向。
6.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，
相对于在所述反射镜上所设置的所述贯通孔，从该贯通孔侧朝向所述发光体侧所插通的所述导光构件的插通方向和在通常使用状态下的铅垂方向所成的角为15度以上30度以下。
7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述反射镜的在所述光反射凹面的开口部的形状，是长轴和短轴的长度不同的椭圆形，在与所述长轴和所述短轴分别垂直的平面上切断所述光反射凹面时的截面形状分别为抛物线形状，并且所述长轴沿着在通常使用状态下的水平方向。
8.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述导光构件由折射率大于1的材料构成。
9.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述导光构件是将从一端侧入射的激发光导向另一端侧、且将被导向到所述另一端侧的激发光向所述发光体照射的构件，
所述另一端的截面积比所述一端的截面积小。
10.一种照明装置，其特征在于，具备权利要求1所述的发光装置。
11.一种前照灯，其特征在于，具备权利要求1所述的发光装置。
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