CN102627042A - 一种制作取向膜的装置和方法以及该装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种制作取向膜的装置和方法以及该装置的制造方法，涉及液晶显示领域，用以提高取向膜的质量。所述制作取向膜的装置，包括：压印板；所述压印板上形成有均匀的凸起，且所述压印板用于在基板的取向膜薄膜上压印沟痕，以形成取向膜。所述制作取向膜的方法，包括：在基板上制作取向膜薄膜；将形成有均匀凸起的压印板压印在形成有取向膜薄膜的基板上，在取向膜薄膜上压印出沟痕，形成取向膜。本发明实施例提供的方案适用于生产液晶显示面板的过程中的取向膜制作工艺。

Description

一种制作取向膜的装置和方法以及该装置的制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种制作取向膜的装置和方法以及该装置的制造方法。
背景技术
在液晶显示面板的生产过程中，需要在图案化的基板与液晶接触的内表面制作取向膜，所述取向膜是指形成有沟痕的PI(聚酰亚胺)薄膜，以使得液晶可以沿着沟痕方向排列。
目前的取向膜制作过程主要是采用摩擦(Rubbing)工艺来实现的，具体的过程是：将PI(Polyimide，聚酰亚胺)液涂覆在清洗后的基板上，从而在基板上形成PI薄膜；之后，利用贴附有摩擦布的摩擦辊按照一定的方向对PI薄膜进行摩擦，在PI薄膜上形成沟痕，从而形成取向膜。
但是，在摩擦辊对PI薄膜进行摩擦的过程中，不可避免的会在PI薄膜上产生的除沟痕之外的机械划痕，或者由于摩擦产生的静电造成取向膜的质量不好；而取向膜的质量直接影响液晶在基板表面的排列，进而对液晶显示器的显示性能造成影响。
发明内容
本发明的实施例提供一种制作取向膜的装置和方法以及该装置的制造方法，用以提高取向膜的质量。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一种制作取向膜的装置，包括：压印板；所述压印板上形成有均匀的凸起，且所述压印板用于在基板的取向膜薄膜上压印沟痕，以形成取向膜。
一种制作取向膜的方法，包括：
在基板上制作取向膜薄膜；
将形成有均匀凸起的压印板压印在形成有取向膜薄膜的基板上，在取向膜薄膜上压印出沟痕，形成取向膜。
一种制作取向膜装置的制造方法，包括：
在压印母板上制作压印薄膜；
图案化所述压印薄膜，形成设有均匀凸起的压印层。
本发明实施例提供的一种制作取向膜的装置和方法以及该装置的制造方法，利用形成有凸起的压印板在制作有取向膜薄膜的基板上压印，在取向膜薄膜上压印出沟痕，形成取向膜；相较于现有技术中利用摩擦取向工艺制作取向膜的方案，本发明实施例提供的方案可以避免由于摩擦在取向膜薄膜上产生的沟痕之外的机械划痕，或者由于摩擦产生静电而造成的取向膜质量问题，从而提高取向膜的质量。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的一种制作取向膜的装置中压印板的俯视图；
图2为图1所示的压印板的侧视图；
图3为利用图1所示的压印板制作取向膜的过程示意图。
附图标记：
100-压印板，11-压印母板，12-压印层，13-凸起；20-基板，21-取向膜薄膜。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，本发明实施例提供了一种制作取向膜的装置，包括：压印板100；所述压印板100上形成有均匀的凸起13，且所述压印板100用于在基板的取向膜薄膜上压印沟痕，以形成取向膜。
优选的，如图2所示，所述压印板100包括：压印母板11以及在压印母板上形成的压印层12；所述凸起13形成在所述压印层12上。其中，所述压印母板的材质可以是玻璃等较坚硬的材质。
优选的，所述压印层12的材料为金属材料或半导体材料。其中，所述金属材料包括：铝、镓、铟中的至少一种；所述半导体材料包括：硅、硒、锗中的至少一种。
优选的，所述压印层12的厚度为2～5微米。
优选的，所述凸起13为长条形，且该长条形凸起的横截面为矩形、三角形、梯形、半椭圆形或半圆形中的一种。其中，矩形包括正方形。图2中的长条形凸起的横截面以矩形为例作为图示。
优选的，所述长条形的凸起13宽度为微米量级，即所述长条形的凸起13宽度大于0微米且小于10微米。
参考图3，本发明实施例还提供了利用上述一种装置制作取向膜的方法，包括：
(1)在基板20上制作取向膜薄膜21；例如，可以在基板上涂覆PI液，形成取向膜薄膜；
(2)将形成有均匀凸起的压印板100压印在形成有取向膜薄膜21的基板20上，在取向膜薄膜21上压印出沟痕，形成取向膜。
由于压印板上形成有均匀凸起，故该压印板可以在取向膜薄膜上压印出均匀的沟痕，从而形成取向膜。
下面提供一种制造上述装置的方法，其中包括制造所述压印板的方法，所述制造压印板的方法包括：
A1、在压印母板上制作压印薄膜；
其中，所述压印母板的材质可以是玻璃等较坚硬的材质。
优选的，所述压印薄膜的材料为金属材料或半导体材料。其中，所述金属材料包括：铝、镓、铟中的至少一种；所述半导体材料包括：硅、硒、锗中的至少一种。优选的，压印薄膜的厚度为2～5微米。
步骤A1可以为，在压印母板上蒸镀厚度为2～5微米厚的金属材料或半导体材料，形成压印薄膜。
A2、图案化所述压印薄膜，形成设有均匀凸起的压印层。
此步骤可以利用多种方法图案化所述压印薄膜；
优选的，利用单脉冲飞秒激光工艺图案化所述压印薄膜，形成设有均匀凸起的压印层。
其中，所述单脉冲飞秒激光工艺利用两束激光的干涉，从而形成的均匀凸起为长条形，且该长条形凸起的横截面为矩形、三角形、梯形、半椭圆形或半圆形中的一种；且所述单脉冲飞秒激光工艺的参数为：激光波长在紫外光区或者可见光区，激光脉冲宽度100-150ps，脉冲频率为1KHz，激光功率为150-600mW。
或者优选的，利用聚焦离子束加工工艺图案化所述压印薄膜，形成设有均匀凸起的压印层。
其中，所述聚焦离子束加工工艺可以选用FEI Quanta 3D 200***，采用的电压为15-30kV，电流密度是25-58A/cm2，离子束的束斑直径为微米量级，离子束的入射角度90°。
本发明实施例提供的方案，利用形成有凸起的压印板在制作有取向膜薄膜的基板上压印，在取向膜薄膜上压印出沟痕，形成取向膜；相较于现有技术中利用摩擦取向工艺制作取向膜的方案，本发明实施例提供的方案可以避免由于摩擦在取向膜薄膜上产生的沟痕之外的机械划痕，或者由于摩擦产生静电而造成的取向膜质量问题，从而提高取向膜的质量。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种制作取向膜的装置，其特征在于，包括：压印板；所述压印板上形成有均匀的凸起，且所述压印板用于在基板的取向膜薄膜上压印沟痕，以形成取向膜。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述压印板包括：压印母板以及在压印母板上形成的压印层；
所述压印板上形成有均匀凸起具体为，所述压印层上形成有均匀凸起。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述压印层的材料为金属材料或半导体材料。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述金属材料包括：铝、镓、铟中的至少一种；所述半导体材料包括：硅、硒、锗中的至少一种。
5.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述压印层的厚度为2～5微米。
6.根据权利要求1～5任一项权利要求所述的装置，其特征在于，所述凸起为长条形，且该长条形凸起的横截面为矩形、三角形、梯形、半椭圆形或半圆形中的一种。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述长条形的凸起宽度为微米量级。
8.一种制作取向膜的方法，其特征在于，包括：在基板上制作取向膜薄膜；
将形成有均匀凸起的压印板压印在形成有取向膜薄膜的基板上，在取向膜薄膜上压印出沟痕，形成取向膜。
9.一种制作取向膜装置的制造方法，其特征在于，包括：在压印母板上制作压印薄膜；
图案化所述压印薄膜，形成设有均匀凸起的压印层。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，压印薄膜的厚度为2～5微米。
11.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，压印薄膜的材料为金属材料或半导体材料。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述金属材料包括：铝、镓、铟中的至少一种；所述半导体材料包括：硅、硒、锗中的至少一种。
13.根据权利要求9～12所述的制造方法，其特征在于，所述图案化所述压印薄膜，形成设有均匀凸起的压印层，包括：利用单脉冲飞秒激光工艺图案化所述压印薄膜，形成设有均匀凸起的压印层。
14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述单脉冲飞秒激光工艺利用两束激光的干涉；且所述单脉冲飞秒激光工艺的参数为：激光波长在紫外光区或者可见光区，激光脉冲宽度100-150ps，脉冲频率为1KHz，激光功率为150-600mW。
15.根据权利要求9～12所述的制造方法，其特征在于，所述图案化所述压印薄膜，形成设有均匀凸起的压印层，包括：利用聚焦离子束加工工艺图案化所述压印薄膜，形成设有均匀凸起的压印层。
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