CN102612754A - 用于具有亚波长和超波长特征尺寸的光伏电池的有孔电极格栅 - Google Patents
用于具有亚波长和超波长特征尺寸的光伏电池的有孔电极格栅 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102612754A CN102612754A CN2010800517605A CN201080051760A CN102612754A CN 102612754 A CN102612754 A CN 102612754A CN 2010800517605 A CN2010800517605 A CN 2010800517605A CN 201080051760 A CN201080051760 A CN 201080051760A CN 102612754 A CN102612754 A CN 102612754A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- photovoltaic cell
- hole
- nanosphere
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000002077 nanosphere Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 2
- 238000012797 qualification Methods 0.000 claims 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- 210000001142 back Anatomy 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical compound [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 229920002113 octoxynol Polymers 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000005619 thermoelectricity Effects 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
公开了一种光伏电池和在光伏电池的光伏半导体基板上形成电极格栅的方法。在一个实施例中,所述光伏电池包含:光伏半导体基板;背电极,其电连接到所述基板的背表面;以及前电极,其电连接到所述基板的前表面。所述基板、所述背电极和所述前电极形成用于在所述基板吸收光时产生电流的电路。所述前电极包含界定众多孔的金属格栅。这些孔可为周期性的、非周期性的、或部分周期性的。所述前电极可通过以下步骤形成:将纳米球沉积在所述基板上;在所述纳米球周围在所述基板上形成金属层;以及去除所述纳米球,从而使界定众多孔的电极格栅存留在所述基板上。
Description
技术领域
本发明一般而言涉及太阳能或光能,更具体而言,本发明涉及光伏电池。
背景技术
太阳能长期以来已被视为对行星人口的日益增长的能量需求的解决方案的重要部分。开采化石燃料的增加的成本和对“温室”排放的增加的担忧已进一步引起对开发替代能量策略(包括太阳能源)的关注。迄今为止,太阳能转换大体上依赖于例如在加热应用中或在热电转换中太阳热能的直接收获,或依赖于经由通过光伏电池的使用而将光子能量向电能的直接转换。
已根据两种相异方法开发了光伏电池。初始操作电池使用经适当掺杂而产生平面p-n结的单晶硅的矩阵。建立于p-n结处的内部(intrinsic)电场通过沿相反方向导引太阳光子产生的空穴与自由电子而产生电压。尽管具有良好转换效率和长期可靠性,但使用单晶硅电池的广泛能量收集受到单晶硅材料及互连处理的异常高成本的阻碍。
用以产生光伏电池的第二种方法为将薄的光伏半导体膜沉积于支撑基板上。对材料的要求被最小化,且可提出技术以用于大规模生产。薄膜结构可根据掺杂同质结技术(例如,涉及硅膜的掺杂同质结技术)来设计,或可采用异质结方法,例如,使用CdTe或黄铜矿材料的异质结方法。尽管用于单晶体和薄膜方法两者的个体电池转换效率有显著改良,光伏能量收集通常受限于具有低功率要求的应用。
在所有太阳能电池中,尤其是具有高性能的太阳能电池,串联电阻问题为电池性能的严重限制因素。该串联电阻与接触电极几何形状、发射极(顶)层薄层电阻以及金属-半导体接触电阻相关联。电极结构的设计必须考虑区域覆盖与遮蔽损失之间的折衷。一种标准方法为使用梳状金属格栅(grid)或使用使膜的透明性与良好导电性组合的透明导电氧化物(TCO)膜。然而,这样的TCO膜仍具有受限的导电性,且仍导致相当大的串联电阻量。
发明内容
本发明的实施例提供光伏电池和在光伏电池的光伏半导体基板上形成电极格栅的方法。在一个实施例中,所述光伏电池包含:光伏半导体基板,其具有前光接收表面和背表面;背电极,其电连接到所述背表面;以及前电极,其电连接到所述前表面。所述基板、所述背电极和所述前电极形成用于在所述基板吸收光时产生电流的电路。所述前电极包含界定(define)众多(a multitude of)孔的金属格栅,所述孔具有小于1000nm的宽度。
在一个实施例中,所述前电极的所述孔在所述前电极中形成周期性图案,例如,该图案可以以200nm与50μm之间的周期重复。在另一实施例中,所述前电极的所述孔在所述前电极中形成非周期性图案。在另一实施例中,所述前电极中的所述孔在所述前电极中形成部分周期性图案。
在一个实施例中,所述前电极中的所述孔具有直径在100nm与1000nm之间的圆形形状。在一个实施例中,所述光伏电池用于波长为λ的光,且所述前电极中的所述众多孔具有大于λ的宽度。在另一实施例中,所述光伏电池用于波长为λ的光,且所述前电极中的所述众多孔具有小于λ的宽度。在另一实施例中,所述光伏电池用于波长为λ的光,且所述前电极中的部分所述孔具有大于λ的宽度,而这些孔中的其它孔具有小于λ的宽度。在一个实施例中,所述前电极在所述基板的所述前表面的限定区域内延伸,且所述前电极的所述孔覆盖大于80%的所述限定区域。
在本发明的一个实施例中,提供一种用于在光伏半导体基板上形成电极格栅的方法。在一个实施例中,所述方法包含:将许多(a quantity of)纳米球沉积在所述基板上;在所述纳米球周围在所述基板上形成金属层;以及去除所述纳米球,从而使界定众多孔的电极格栅存留在所述基板上,所述电极格栅电连接到所述基板。
在一个实施例中,所述沉积包括在所述基板上形成所述纳米球的单层。在一个实施例中,所述沉积包括将所述纳米球修整至所需的尺寸;例如,可使用O2进行该修整。在一个实施例中,所述形成包括将金属层沉积在所述基板和所述纳米球上。在一个实施例中,所述去除包括将所述纳米球从所述基板提离(lift off);例如,这可通过使用胶带(tape)将所述纳米球从所述基板剥离且在诸如丙酮或NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮)的热溶剂中清洁所述基板。
本发明的实施例使用金属电极以保持其极高导电性(比最好的TCO高约100倍),将其图案化成具有亚波长(subwavelength)或超波长(superwavelength)特征尺寸的有孔(holey)结构,同时维持遮蔽损失的相同水平。依赖于孔的尺寸及其周期,本发明可实现显著的优点,例如:因为金属格栅具有较大的区域覆盖,使得电流输送不再受到(高)发射极薄层电阻的限制,因此电池串联电阻减小;以及,归因于亚波长电极线宽(其对光不可见)或归因于等离子体效应(plasmonics effect),光透射增强。
附图说明
图1为光伏器件的图;
图2(a)示例出变化的电极厚度对光伏电池的效率的影响;
图2(b)示例出光伏电池的总串联电阻的分量;
图3示例出用有孔电极格栅替代光伏电池的指状物的原理;
图4(a)示出通过具有亚波长尺寸的孔的阵列的增强的透射效应;
图4(b)示出用于各种孔尺寸的实验数据;
图5示例出有孔电极格栅的制造过程;
图6示出可用于制造过程中的制造步骤;
图7(a)示出用于在制造过程中修整纳米球的尺寸的蚀刻计时图;
图7(b)示例出可使用图5和图6的制程所形成的两个电极格栅;以及
图8示出在硅基板上使用纳米球光刻(lithography)制造的金属格栅。
具体实施方式
图1为光伏(PV)器件或太阳能电池10的图。PV器件10包括背电极层12、PV材料14以及前电极16。光能被传输至PV层14,在这里,光能被吸收且变换为电能。在PV器件10内所产生的电迁移至前电极16或背电极12,所产生的电从前电极16或背电极12经由电接触件20或22而被导引出电池。PV层14可由许多不同类型的材料当中的任何材料构成,包括(但不限于)半导体结、基于有机染料的材料、光电化学电池、聚合物太阳能电池、纳米晶体太阳能电池或染料敏化的太阳能电池、以及其它PV电池技术。
更具体而言,在图1的器件中,PV材料14可为包含多晶硅的半导体基板,但也可为单晶硅,且PV材料14为例如用硼作为杂质的p型,具有例如5×1016cm-3的杂质浓度。该半导体基板14的厚度可为1μm至150μm。例如800μm厚的氧化铝(Al2O3)漫反射基板(未示出)可被粘附到半导体基板14的背表面。
如上所述,与接触电极相关联的串联电阻是高性能太阳能电池的严重限制因素。图2(a)示例出变化的电极厚度(或电极串联电阻)对电池效率的影响。因此,设计最佳接触电极在实现所有类型的太阳能电池的峰值性能方面至关重要。
如图2(b)所示,总电池串联电阻主要来源于三个分量:发射极层电阻(RE)、电极(母线和指状物)电阻RBF以及电极-半导体接触电阻(RC)。除了这些因素之外,由电极覆盖导致的遮蔽损失(典型地为约10%)也是造成电池性能损失的原因。这些串联电阻可通过增大区域覆盖而减小,但这将增加遮蔽损失。还可使电极较厚,但这常常受到沉积技术的限制。
理想地,太阳能电池需要透明且导电性高的接触电极以使遮蔽损失和串联电阻损失最小化。一种尝试为使用诸如氧化铟锡的透明导电氧化物膜(典型地,透射率为约80%且薄层电阻为约20Ω/sq)。本发明提供一种替代技术,该技术利用减小串联电阻且有效降低电极的遮蔽损失的电极格栅。
参看图3,根据本发明的实施例,指状电极30被具有小特征尺寸且同时保持相同遮蔽因子的“有孔”金属格栅32替代。格栅32可具有孔34,所述孔34具有亚波长尺寸(w<λ)以及超波长尺寸(w>λ)二者。孔图案可为周期性的,可为非周期性的,或者可为部分周期性的。在周期性的情况下,晶格周期a可为例如约200nm至约50μm。
此电极结构32提供重要优点。一个显著优点为发射极串联电阻(RE)减小,这是因为从结至电极的电流路径减小。例如,太阳能电池的典型指状物间距为500μm,且发射极串联电阻随该值而按比例缩放。通过使金属格栅32具有极小的晶格间距(例如,μm量级),串联电阻可显著减小。另一重要优点在于:在孔尺寸大于光波长(w>λ)的情况下,金属将覆盖<20%的区域,从而导致>80%的透射。同时,膜的导电性将是高的。结果,这些导电有孔膜可用于薄膜PV(用作ITO或掺杂的ZnO的替代)和用于结晶硅。在结晶Si的情况下,由于硅中的少数载流子的横向路径较短,因此有可能将发射极掺杂至较低值,从而改善发射极中的少数载流子寿命。
在孔尺寸小于光波长(w<λ)的情况下,由于格栅具有小于光波长的线宽,故格栅线将对入射光较不可见或者反射将减小。这有效减小了由电极的反射导致的遮蔽损失。此外,当格栅晶格周期小于光波长(a<λ)时,本发明的实施例可利用通过亚波长孔的阵列而增强的透射现象的等离子体效应。因为金属结构的周期性有助于更有效地耦合光与表面等离子体且将光能再辐射作为透射光,所以出现该效应。在图4(a)和图4(b)中示例了此特征。此效应还可潜在地减小归因于电极的遮蔽损失。
使用标准光刻技术(深UV或电子束光刻)在大区域内制造具有亚微米结构的结构昂贵得令人望而却步。因此,可使用纳米球光刻技术来实现对用于太阳能电池应用的亚波长金属格栅的大规模但低成本的构图。
图5和图6示例出(作为实例)可用于形成有孔电极格栅的制造过程。在该过程中,在步骤42,通过具有甲醇的恰当稀释液(按1:400体积添加有表面活性剂Triton-X 100)而制备纳米球(NS)胶体,以实现单层沉积。在一个实施例中,以实验方式确定量(例如,对于500nm的NS,NS:甲醇=7:5体积)。在步骤46,将纳米球48旋涂在基板50上,如在52处所示。在步骤54,使用O2等离子体将NS的尺寸修整至所需的尺寸。在图7(a)中示出蚀刻计时数据。在步骤56,将金属60沉积到基板上。在步骤62,将NS从基板提离。这可通过以下步骤来进行:首先使用胶带剥离NS,接着使用NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮)清洁。
在图8中示出通过纳米球光刻所制成的金属格栅64的结果。注意,可通过用O2等离子体修整工艺控制NS的尺寸来控制孔填充因子,如在图7(b)中的66处所示。较大填充因子意味着较小遮蔽损失。对于如在图7(b)中所示的密堆积NS晶格,最小遮蔽因子(被金属所覆盖的区域)为或9.3%。然而,由于金属线的特征尺寸小于光波长,因此有效遮蔽损失将更小。
尽管显然本文中所公开的发明充分实现了上文所述的目标,但应理解,本领域技术人员可设计众多修改和实施例,且所附权利要求旨在涵盖落在真正精神和范畴内的所有这些修改和实施例。
Claims (20)
1.一种光伏电池,其包含:
光伏半导体基板,其具有前光接收表面和背表面;
背电极,其电连接到所述背表面;以及
前电极,其电连接到所述前表面;
其中,所述基板、所述背电极和所述前电极形成用于在所述基板吸收光时产生电流的电路;且
其中,所述前电极包含界定众多孔的金属格栅,所述孔具有小于1000nm的宽度。
2.根据权利要求1的光伏电池,其中,所述孔在所述前电极中形成周期性图案。
3.根据权利要求2的光伏电池,其中,所述图案以200nm与50μm之间的周期重复。
4.根据权利要求1的光伏电池,其中,所述孔在所述前电极中形成非周期性图案。
5.根据权利要求1的光伏电池,其中,所述孔在所述前电极中形成部分周期性图案。
6.根据权利要求1的光伏电池,其中,所述孔具有直径在100nm与1000nm之间的圆形形状。
7.根据权利要求1的光伏电池,其用于某波长的光,且其中所述众多孔具有大于该波长的宽度。
8.根据权利要求1的光伏电池,其用于某波长的光,且其中所述众多孔具有小于该波长的宽度。
9.根据权利要求1的光伏电池,其用于某波长的光,且其中所述众多孔中的部分孔具有大于该波长的宽度,且所述众多孔中的其它孔具有小于该波长的宽度。
10.根据权利要求1的光伏电池,其中,所述前电极在所述基板的所述前表面的限定区域内延伸,且所述孔覆盖大于80%的所述限定区域。
11.一种在光伏半导体基板上形成电极格栅的方法,其包含:
将许多纳米球沉积在所述基板上;
在所述纳米球周围在所述基板上形成金属层;以及
去除所述纳米球,从而使界定众多孔的电极格栅存留在所述基板上,所述电极格栅电连接到所述基板。
12.根据权利要求11的方法,其中,所述沉积包括在所述基板上形成所述纳米球的单层。
13.根据权利要求11的方法,其中,所述沉积包括将所述纳米球修整至所需的尺寸。
14.根据权利要求13的方法,其中,所述修整包括使用O2修整所述纳米球。
15.根据权利要求11的方法,其中,所述形成包括将金属层沉积在所述基板和所述纳米球上。
16.根据权利要求11的方法,其中,所述去除包括将所述纳米球从所述基板提离。
17.根据权利要求16的方法,其中,所述提离包括使用胶带将所述纳米球从所述基板剥离。
18.一种光伏电池,其包含:
光伏半导体基板,其具有前光接收表面和背表面;
背电极,其电连接到所述背表面;以及
前电极,其电连接到所述前表面;
其中,所述基板、所述背电极和所述前电极形成用于在所述基板吸收光时产生电流的电路;且
其中,所述前电极包含金属格栅,所述金属格栅附到所述前表面且界定众多圆形开口,所述圆形开口具有小于1000nm的直径并在所述格栅中形成周期性图案,所述周期性图案具有在200nm与50μm之间的周期。
19.根据权利要求18的光伏电池,其用于将光子能量转换至所述电流,所述光子能量具有限定的平均操作波长,且其中所述周期小于所述平均操作波长以通过所述开口实现增强的光透射现象的等离子体效应。
20.根据权利要求18的光伏电池,其中,所述开口的直径小于700nm,以减小由所述前电极的反射导致的遮蔽损失。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/621,226 | 2009-11-18 | ||
US12/621,226 US8039292B2 (en) | 2009-11-18 | 2009-11-18 | Holey electrode grids for photovoltaic cells with subwavelength and superwavelength feature sizes |
PCT/EP2010/065240 WO2011061011A2 (en) | 2009-11-18 | 2010-10-12 | Holey electrode grids for photovoltaic cells with subwavelength and superwavelength feature sizes |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102612754A true CN102612754A (zh) | 2012-07-25 |
Family
ID=42666475
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2010800517605A Pending CN102612754A (zh) | 2009-11-18 | 2010-10-12 | 用于具有亚波长和超波长特征尺寸的光伏电池的有孔电极格栅 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8039292B2 (zh) |
CN (1) | CN102612754A (zh) |
TW (1) | TW201135949A (zh) |
WO (1) | WO2011061011A2 (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104241404A (zh) * | 2013-06-05 | 2014-12-24 | 茂迪股份有限公司 | 太阳能电池及其模组 |
CN104779306A (zh) * | 2015-04-21 | 2015-07-15 | 南京航空航天大学 | 一种具有伞状塞的亚波长增透结构的太阳能电池栅极 |
CN108899388A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-11-27 | 华中科技大学 | 一种硅基石墨烯光电探测器 |
CN111933726A (zh) * | 2020-07-31 | 2020-11-13 | 浙江晶科能源有限公司 | 电极、电极制备方法及太阳能电池 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8574950B2 (en) * | 2009-10-30 | 2013-11-05 | International Business Machines Corporation | Electrically contactable grids manufacture |
CN102754217B (zh) * | 2009-11-17 | 2016-07-06 | 3M创新有限公司 | 吸光基材的织构化表面 |
KR101137380B1 (ko) * | 2011-03-07 | 2012-04-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 광전변환소자 및 그 제조방법 |
CN103597603A (zh) * | 2011-06-10 | 2014-02-19 | 吉坤日矿日石能源株式会社 | 光电转换元件 |
US20130068293A1 (en) * | 2011-09-21 | 2013-03-21 | National Institute Of Standards And Technology | Substrate geometry for three dimensional photovoltaics fabrication |
US9831361B2 (en) * | 2012-12-14 | 2017-11-28 | Robert Bosch Gmbh | Method of fabricating nanocone texture on glass and transparent conductors |
US8569096B1 (en) | 2013-03-13 | 2013-10-29 | Gtat Corporation | Free-standing metallic article for semiconductors |
US8916038B2 (en) | 2013-03-13 | 2014-12-23 | Gtat Corporation | Free-standing metallic article for semiconductors |
US8936709B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-01-20 | Gtat Corporation | Adaptable free-standing metallic article for semiconductors |
US9324966B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-26 | E I Du Pont De Nemours And Company | Thin-film transparent conductive structure and devices made therewith |
US9545549B2 (en) | 2013-05-15 | 2017-01-17 | Cobra Golf Incorporated | Golf bag with a docking station for an electronic device |
EP2830098A1 (en) * | 2013-07-24 | 2015-01-28 | ETH Zurich | Thin film broadband plasmonic absorber |
CN104485366A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-04-01 | 瑞德兴阳新能源技术有限公司 | 一种太阳能电池用金属电极 |
CN109216171A (zh) * | 2017-06-30 | 2019-01-15 | 新加坡国立大学 | 一种降低宽禁带半导体器件欧姆接触电阻的方法 |
US10134923B1 (en) * | 2018-04-27 | 2018-11-20 | Global Solar Energy, Inc. | Photovoltaic devices including bi-layer pixels having reflective and/or antireflective properties |
JP1684268S (zh) * | 2020-01-10 | 2021-04-26 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6441298B1 (en) * | 2000-08-15 | 2002-08-27 | Nec Research Institute, Inc | Surface-plasmon enhanced photovoltaic device |
WO2009119161A2 (en) * | 2008-03-24 | 2009-10-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solar cell and method for manufacturing metal electrode layer to be used in the solar cell |
CN101552305A (zh) * | 2008-04-01 | 2009-10-07 | 韩国铁钢株式会社 | 薄膜光伏电池及其制造方法以及薄膜光电模块 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4228315A (en) * | 1979-05-04 | 1980-10-14 | Rca Corporation | Solar cell grid patterns |
US5973316A (en) * | 1997-07-08 | 1999-10-26 | Nec Research Institute, Inc. | Sub-wavelength aperture arrays with enhanced light transmission |
EP0969517B1 (en) * | 1998-07-04 | 2005-10-12 | International Business Machines Corporation | Electrode for use in electro-optical devices |
US6504180B1 (en) * | 1998-07-28 | 2003-01-07 | Imec Vzw And Vrije Universiteit | Method of manufacturing surface textured high-efficiency radiating devices and devices obtained therefrom |
US6236033B1 (en) * | 1998-12-09 | 2001-05-22 | Nec Research Institute, Inc. | Enhanced optical transmission apparatus utilizing metal films having apertures and periodic surface topography |
GB9919479D0 (en) * | 1999-08-17 | 1999-10-20 | Imperial College | Island arrays |
US6285020B1 (en) * | 1999-11-05 | 2001-09-04 | Nec Research Institute, Inc. | Enhanced optical transmission apparatus with improved inter-surface coupling |
US6579463B1 (en) * | 2000-08-18 | 2003-06-17 | The Regents Of The University Of Colorado | Tunable nanomasks for pattern transfer and nanocluster array formation |
US6521541B2 (en) * | 2000-08-23 | 2003-02-18 | California Institute Of Technology | Surface preparation of substances for continuous convective assembly of fine particles |
WO2002071496A1 (en) * | 2001-03-05 | 2002-09-12 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Solid-state electric device |
US6649901B2 (en) * | 2002-03-14 | 2003-11-18 | Nec Laboratories America, Inc. | Enhanced optical transmission apparatus with improved aperture geometry |
US6831017B1 (en) * | 2002-04-05 | 2004-12-14 | Integrated Nanosystems, Inc. | Catalyst patterning for nanowire devices |
EP1369931A1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-12-10 | Hitachi, Ltd. | Solar cell and its manufacturing method, metal plate for the same |
US20040180379A1 (en) * | 2002-08-30 | 2004-09-16 | Northwestern University | Surface-enhanced raman nanobiosensor |
JP2005538573A (ja) * | 2002-09-05 | 2005-12-15 | ナノシス・インク. | ナノ構造及びナノ複合材をベースとする組成物 |
US7294417B2 (en) * | 2002-09-12 | 2007-11-13 | The Trustees Of Boston College | Metal oxide nanostructures with hierarchical morphology |
US7179988B2 (en) * | 2002-12-11 | 2007-02-20 | General Electric Company | Dye sensitized solar cells having foil electrodes |
US7110154B2 (en) * | 2004-06-10 | 2006-09-19 | Clemson University | Plasmon-photon coupled optical devices |
GB0413243D0 (en) * | 2004-06-14 | 2004-07-14 | Imp College Innovations Ltd | Transmissive element |
US7642205B2 (en) * | 2005-04-08 | 2010-01-05 | Mattson Technology, Inc. | Rapid thermal processing using energy transfer layers |
AU2006256859B2 (en) * | 2005-06-10 | 2012-05-31 | Gilupi Gmbh | Diagnostic-nanosensor and its use in medicine |
US7385231B2 (en) * | 2005-08-31 | 2008-06-10 | Fujifilmcorporation | Porous thin-film-deposition substrate, electron emitting element, methods of producing them, and switching element and display element |
US20090231714A1 (en) * | 2005-09-19 | 2009-09-17 | Yang Zhao | Transparent anti-reflective article and method of fabricating same |
US20070128707A1 (en) * | 2005-11-10 | 2007-06-07 | Oregon State University | Method for making metal oxides |
US8007757B2 (en) * | 2006-05-17 | 2011-08-30 | The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Multi-dimensional complex nanocrystal structures and methods of making same |
US7331536B1 (en) * | 2006-07-14 | 2008-02-19 | Globe Union Industrial Corp. (Guic) | Shower head |
EP2064364B1 (en) * | 2006-09-21 | 2014-02-12 | Fujirebio Inc. | Method and apparatus for producing small structures |
US20100096004A1 (en) * | 2006-10-25 | 2010-04-22 | Unidym, Inc. | Solar cell with nanostructure electrode(s) |
EP2245673A4 (en) * | 2008-02-03 | 2016-09-21 | Nliten Energy Corp | THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICES AND METHODS OF MAKING SAME |
US20100175749A1 (en) * | 2008-03-24 | 2010-07-15 | Tsutsumi Eishi | Solar cell and method for manufacturing metal electrode layer to be used in the solar cell |
US8445188B2 (en) * | 2008-09-17 | 2013-05-21 | National Science Foundation | Process for formation of highly uniform arrays of nano-holes and nano-pillars |
JP4985717B2 (ja) * | 2008-12-04 | 2012-07-25 | 大日本印刷株式会社 | 有機薄膜太陽電池およびその製造方法 |
US8323744B2 (en) * | 2009-01-09 | 2012-12-04 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Systems, methods, devices and arrangements for nanowire meshes |
JP2010219407A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | メッシュ構造を有する電極を具備した太陽電池及びその製造方法 |
-
2009
- 2009-11-18 US US12/621,226 patent/US8039292B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-10-12 WO PCT/EP2010/065240 patent/WO2011061011A2/en active Application Filing
- 2010-10-12 CN CN2010800517605A patent/CN102612754A/zh active Pending
- 2010-11-10 TW TW099138744A patent/TW201135949A/zh unknown
-
2011
- 2011-08-02 US US13/196,334 patent/US8120132B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6441298B1 (en) * | 2000-08-15 | 2002-08-27 | Nec Research Institute, Inc | Surface-plasmon enhanced photovoltaic device |
WO2009119161A2 (en) * | 2008-03-24 | 2009-10-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solar cell and method for manufacturing metal electrode layer to be used in the solar cell |
CN101552305A (zh) * | 2008-04-01 | 2009-10-07 | 韩国铁钢株式会社 | 薄膜光伏电池及其制造方法以及薄膜光电模块 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104241404A (zh) * | 2013-06-05 | 2014-12-24 | 茂迪股份有限公司 | 太阳能电池及其模组 |
CN104241404B (zh) * | 2013-06-05 | 2016-12-28 | 茂迪股份有限公司 | 太阳能电池及其模组 |
CN104779306A (zh) * | 2015-04-21 | 2015-07-15 | 南京航空航天大学 | 一种具有伞状塞的亚波长增透结构的太阳能电池栅极 |
CN104779306B (zh) * | 2015-04-21 | 2017-02-01 | 南京航空航天大学 | 一种具有伞状塞的亚波长增透结构的太阳能电池栅极 |
CN108899388A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-11-27 | 华中科技大学 | 一种硅基石墨烯光电探测器 |
CN111933726A (zh) * | 2020-07-31 | 2020-11-13 | 浙江晶科能源有限公司 | 电极、电极制备方法及太阳能电池 |
CN111933726B (zh) * | 2020-07-31 | 2023-06-09 | 浙江晶科能源有限公司 | 电极、电极制备方法及太阳能电池 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011061011A2 (en) | 2011-05-26 |
US8039292B2 (en) | 2011-10-18 |
US8120132B2 (en) | 2012-02-21 |
US20100218815A1 (en) | 2010-09-02 |
TW201135949A (en) | 2011-10-16 |
WO2011061011A3 (en) | 2012-02-02 |
US20110284073A1 (en) | 2011-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102612754A (zh) | 用于具有亚波长和超波长特征尺寸的光伏电池的有孔电极格栅 | |
Ballif et al. | Status and perspectives of crystalline silicon photovoltaics in research and industry | |
KR101000064B1 (ko) | 이종접합 태양전지 및 그 제조방법 | |
US8569614B2 (en) | Solar cell and method of manufacturing the same | |
US20120000506A1 (en) | Photovoltaic module and method of manufacturing the same | |
CN102064216A (zh) | 一种新型晶体硅太阳电池及其制作方法 | |
EP3570334B1 (en) | Method for manufacturing solar cell | |
CN105789342A (zh) | 一种氧化物-金属多层膜背接触晶体硅太阳电池及其制备方法 | |
WO2012037379A2 (en) | Single and multi-junction light and carrier collection management cells | |
CN102157578A (zh) | 太阳能电池及其制作方法 | |
CN102751371A (zh) | 一种太阳能薄膜电池及其制造方法 | |
Yin et al. | Rear point contact structures for performance enhancement of semi-transparent ultrathin Cu (In, Ga) Se2 solar cells | |
US20130269774A1 (en) | Electrode of solar cell | |
US20160172514A1 (en) | Photovoltaic Microstructure and Photovoltaic Device Employing Nanowires with Single-Side Conductive Strips | |
Um et al. | Flexible crystalline-silicon photovoltaics: light management with surface structures | |
Zaynabidinov et al. | On the optical efficiency of silicon photoelectric converters of solar energy | |
US20120118364A1 (en) | Solar cell | |
US20140083486A1 (en) | Solar cell and method for manufacturing same | |
KR101190197B1 (ko) | 무반사 나노구조가 집적된 기판을 이용한 고효율 태양전지 및 그 제조방법 | |
Kanneboina | Detailed review on c-Si/a-Si: H heterojunction solar cells in perspective of experimental and simulation | |
TW201508935A (zh) | 光伏裝置及成型光伏裝置之方法 | |
JP2005347444A (ja) | 光起電力素子 | |
JP5645734B2 (ja) | 太陽電池素子 | |
JP5484950B2 (ja) | 太陽電池 | |
KR20180127597A (ko) | 후면접합 실리콘 태양전지 및 이를 제조하는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120725 |