CN102594342A

CN102594342A - 一种压控振荡器

Info

Publication number: CN102594342A
Application number: CN2012100505026A
Authority: CN
Inventors: 向永波; 阎跃鹏; 张�浩; 杨亚光
Original assignee: Institute of Microelectronics of CAS
Current assignee: Institute of Microelectronics of CAS
Priority date: 2012-02-29
Filing date: 2012-02-29
Publication date: 2012-07-18

Abstract

本发明公开了一种压控振荡器。该压控振荡器不但可以有效抑制电源调制引起的杂散频率，还可以抑制锁相环引入的杂散频率，包括鉴相器泄漏杂散、分频杂散、参考源引入的杂散等。另外，该压控振荡器还具有高抗电源干扰能力，从而可改善压控振荡器的相位噪声。同时该压控振荡器的输出功率还可以通过单个器件根据需要进行调整，而不会明显影响到其它性能指标。

Description

一种压控振荡器

技术领域

本发明涉及电子行业电子元器件设计技术领域，尤其涉及一种压控振荡器。

背景技术

在探测、通讯、广播电视等领域，产生高质量的本振信号是非常重要的。从本振信号的频率稳定度、相位噪声及杂散频率(spur)对通讯***，雷达探测***的性能有着重大的影响。在现代通讯***中，信道密集，调制方式复杂，为降低信号的误码率，提高接收机选择性，要求本振信号的相位噪声要好。在多普勒雷达的低空探测中，面临很强的地物杂波干扰，如果频率源的相位噪声不高，接收到的杂波和有用信号一起进入接收机，经混频后，低速运动目标信号和杂波信号将很难区分开来。

提高本振信号稳定度的一个有效的方法是对压控振荡器进行锁相，但锁相环只能对环路带内的相位噪声进行抑制、不能改善环路带外的相位噪声。另外，加入锁相环带来的不良后果是增加了杂散频率(鉴相杂散、分频杂散以及参考源的杂散等)。另外，电源滤波不干净也会带来调制杂散；同时***的干扰源可能带来附加的杂散。

锁相环的鉴相杂散可以通过提高鉴相器的最大电流加以改善，同时由于鉴相频率通常大大高于环路带宽，因而可以通过环路滤波器加以滤除；为解决频率步进精度总问题，通常采用小数分频器，但同时又导致了严重的小数分频杂散，工程上采用∑-Δ调制技术加以解决。通过这一系列措施以后，压控振荡器输出的杂散通常还有-60dBc左右。

图1为现有技术压控振荡器的结构示意图。如图1所示，该压控振荡器由前级振荡部分和后级放大部分组成。振荡部分采用射极输出的形式，谐振器件是由变容管D1、电容C3和传输线T1(相当于电感)组成的一个串并联谐振网络；反馈网络由电容C1、C2、L1、R3组成；直流偏置电路由电阻R2、R4分压后送到双极结型晶体管BJT(Q1)的基极，然后经射极反馈电阻R3后由电感L1接地，电源由C6进行滤波。振荡信号由BJT(Q1)的射极输出，这种振荡器设计方式的输出信号比较小，因而后面加了一个放大级(Q2)对信号进行放大。

申请人意识到现有技术压控振荡器存在如下技术缺陷：不能有效的对锁相环引入的杂散频率加以抑制，输出的杂散频率幅度较高。

发明内容

(一)要解决的技术问题

为解决上述的一个或多个问题，本发明提供了一种压控振荡器，以抑制杂散频率的干扰。

(二)技术方案

根据本发明的一个方面，提供了一种压控振荡器。该压控振荡器包括：LC谐振电路，用于提供振荡信号；集电极偏置电路，其输入端与***的电源相连接，用于对该电源进行滤波处理后输出至反馈放大电路，包括：第三电阻，其第一端连接至电源，其第二端通过第二电感连接至双极结型晶体管的集电极；第三电容，其第一端连接至电源，第二端连接至地；第四电容，其第一端连接至第三电阻的第二端，第二端连接至地，第三电容、第三电阻、第四电容组成π型RC滤波限流网络；反馈放大电路，其输入端分别与LC谐振电路和集电极偏置电路的第一输出端相连接，用于利用进行滤波处理后的电源对振荡信号进行放大后输出，包括：双极结型晶体管，其集电极连接至集电极偏置电路，并通过第十一隔直流电容连接至压控振荡器的输出；其基极通过第八电容连接至LC谐振电路；并联的第五电感和第十电容，其第一端连接至双极结型晶体管的发射极，并通过第九电容连接至双极结型晶体管的发射极的基极；其第二端接地。

根据本发明的一个方面，还提供了一种压控振荡器。该压控振荡器包括：LC谐振电路，用于提供振荡信号；漏极偏置电路，其输入端与***的电源相连接，用于对该电源进行滤波处理后输出至反馈放大电路，包括：第三电阻，其第一端连接至电源，其第二端通过第二电感连接至双极结型晶体管的漏极；第三电容，其第一端连接至电源，第二端连接至地；第四电容，其第一端连接至第三电阻的第二端，第二端连接至地，第三电容、第三电阻、第四电容组成π型RC滤波限流网络；反馈放大电路，其输入端分别与LC谐振电路和漏极偏置电路的第一输出端相连接，用于利用进行滤波处理后的电源对振荡信号进行放大后输出，包括：场效应管，其漏极连接至漏极偏置电路，并通过第十一隔直流电容连接至压控振荡器的输出；其栅极通过第八电容连接至LC谐振电路；并联的第五电感和第十电容，其第一端连接至双极结型晶体管的发射极，并通过第九电容连接至双极结型晶体管的发射极的栅极；其第二端接地。

(三)有益效果

从上述技术方案可以看出，本发明的杂散抑制压控振荡器电路具有下列有益效果：

1、本发明中，集电极(或漏极)采用了π型RC电源滤波电路，该π型RC电源滤波电路由第三电容C3、第三电阻R3、第四电容C4组成。通过π型RC电源滤波电路，电源噪声被有效抑制，压控振荡器由电源噪声引起的相位噪声和和杂散得到较大的抑制，具有很好的抗电源干扰能力。

2、本发明中，基极(或栅极)采用了π型RC电源滤波电路，该π型RC电源滤波电路由第一电容C1、第一电阻R1、第二电容C2组成。通过π型RC电源滤波电路，电源噪声被有效抑制，压控振荡器由电源噪声引起的相位噪声和和杂散得到较大的抑制，具有很好的抗电源干扰能力。

3、本发明中，基极(或栅极)采用了由第一电感L1、第二电容C2组成的低频干扰旁路结构，由调谐电压引入的低频干扰及锁相环自身的一些低频杂散，如鉴相杂散、分频杂散以及参考源的杂散等，被该结构很大程度地旁路，防止其进入BJT后混频到压控振荡器的输出频谱上，使压控振荡器的相位噪声和杂散得以改善；

4、本发明中，由于采用集电极(或漏极)输出，发射极不添加反馈电阻的结构，从而使压控振荡器的输出功率可以达到最大值，即集电极电压最高，具有最大功率输出能力；而射极(或源极)的反馈电阻会限制射频信号的功率，同时会消耗部分射频能量，从而降低压控振荡器的输出功率。依据Lesson等式，提高相位噪声性能的效方法之一是提高压控振荡器的输出功率，因而采用该结构后压控振荡器的相位噪声性能得到了一定的提高。

附图说明

图1为现有技术压控振荡器的结构示意图；

图2为本发明实施例压控振荡器的结构示意图；

图3为本发明实施例压控振荡器的相位噪声的计算结果；

图4为本发明实施例压控振荡器的相位噪声的测试结果(带锁相环测试，环路带宽为10KHz)。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。虽然本文可提供包含特定值的参数的示范，但应了解，参数无需确切等于相应的值，而是可在可接受的误差容限或设计约束内近似于相应的值。

在本发明的一个示例性实施例中，提出了一种采用晶体管的压控振荡器。图2为本发明实施例压控振荡器的结构示意图。如图2所示，本实施例压控振荡器采用单个有源器件模式，包括：基极滤波偏置电路、集电极偏置电路、LC谐振电路及反馈放大器电路。其中：

集电极偏置电路，其输入端与***电源相连接，其第一输出端连接到BJT的集电极。用于将该***电源提供的电压信号进行滤波处理后输出至BJT，并阻止高频振荡信号漏入集电极偏置电路。

基极滤波偏置电路，其输入端与集电极偏置电路的输出端相连接，输出连接到BJT基极。用于对输入的电压信号进行低频滤波，旁路压控振荡器基极由调谐电压Vt引入的低频干扰信号。

LC谐振电路，其输出连接到BJT的基极，用于提供振荡信号，损失的能量由反馈放大电路补给，其振荡频率由调谐电压Vt控制。

反馈放大电路，其输入连接LC谐振电路，输出连接到负载。反馈放大电路接收LC谐振电路产生的振荡信号，对振荡信号进行放大后，一部信号反馈回LC谐振电路以持续振荡，另一部分作为信号源由集电级输出。

本实施例中，由于采用集电级电源滤波和基极电源滤波和双重电源滤波结构以及基极低频干扰旁路结构，从而可以将杂散频率抑制到更低的水平，使输出无明显杂散，同时具有良好的相位噪声性能。以下分别对各个组成部分进行详细说明。

一、基极滤波偏置电路。基极滤波偏置电路接收集电极偏置电路送过来的经过分压、滤波的电源，对其进行滤波后输出至双极结型晶体管的基极作为偏置电压。基极滤波偏置电路完成三个作用：一、完成基极的分压偏置；二、完成对集电极送过来的直流电压的进一步滤波处理；三是旁路压控振荡器基极的低频干扰信号。基极滤波偏置电路由第一电容C1、第二电容C2和第一电阻R1、第二R2以及第一电感L1组成。由集电极送过来的偏置电压连接到第一电容C1和第一电阻R1的第一端，第一电容C1的第二端接地，第一电阻R1与第二电阻R2串联，第二电阻R2另一端接地，它们的公共端接到第一电感L1的第一端，第一电感L1的第二端接BJT的基极；同时第一电阻R1、第二电阻R2的公共端经第二电容C2接地。基极分压偏置是由第一电阻R1、第二电阻R2组成的串联分压网络；基极电源滤波是由第一电容C1、第一电阻R1、第二电容C2组成π型RC滤波网络完成，从而提高压控振荡器的抗电源干扰能力；基极低频干扰旁路由第一电感L1、第二电容C2组成的L型LC滤波网格完成，第一电感L1的电感量较小，对低频信号近似直通，压控振荡器基极的低频干扰信号经过第一电感L1，被第二电容C2旁路，由调谐电压VT引入的低频干扰及LC谐振电路可能带来的低频信号得到进一步抑制，使BJT得到较为纯净的振荡信号，降低了相位噪声和杂散频率。

该电路中的基极分压偏置结构为现有技术中的通用方法。基极电源滤波电路采用了π型RC滤波网络，是本发明独创的基极电源滤波结构，同时，基极的输入电源已经过集电级的π型RC滤波网络进行了第一级滤波处理，具有很强的抗电源干扰能力，现有技术中通常采用并联电容对电源进行滤波或者采用LC型的滤波网络结构，其对低频的滤波效果不如RC型结构好，其原因为电容、电感对频率敏感，而电阻对频率不敏感，因而RC型滤波器的滤波带宽要大；基极低频干扰旁路结构是本发明中的独创结构，现有技术无相关替代结构。

二、集电极偏置电路。集电极偏置电路由***电源供电，对该***电源提供的电源进行滤波处理后输出给基级滤波偏置电路和BJT的集电极，并阻止高频振荡信号漏入偏置电路。集电极偏置电路由第三电阻R3，第三电容C3、第四电容C4和第二电感L2组成。供电电源连接到第三电容C3和第三电阻R3的第一端，第三电容C3的第二端接地，由第三电阻R3的第二端分别连接到基极偏置电路第一电阻R1的第一端、集电极的第二电感L2的第一端和第四电容C4的第一端，第二电感L2的第二端连接到BJT集电极，第四电容C4的第二端接地。第三电容C3、第三电阻R3、第四电容C4组成的π型RC滤波限流网络作为电源的滤波限流电路，第三电阻R3起限流作用，可以使压控振荡器拥有较大的工作电压范围并保护压控振荡器电路，另外，如果对压控振荡器的输出功率有额定要求，可通过调整第三电阻R3的电阻值来实现，而不会对压控振荡器的其它指标产生明显影响。直流馈电电路由第三电阻R3和第二电感L2组成，第三电阻R3用来限流，第二电感L2用来将电源馈送的BJT的集电极并隔离压控振荡器输出的振荡信号。

该电路中的直流馈电电路是现有技术中的通用结构；π型RC滤波限流电路是本发明中独有的结构，现有技术中通常采用并联电容对电源进行滤波或者采用LC型的滤波网络结构。其对低频的滤波效果不如RC型结构好。

三、LC谐振电路。LC谐振电路为BJT输出振荡信号，确定振荡频率，损失的能量由反馈放大电路补给，其振荡频率由调谐电压Vt控制。LC谐振电路由变容管Ct，第六电容C6、第七电容C7和第四电感L4组成。LC谐振电路的输出经第八电容C8连接到BJT的基极，第五电容C5、和第三电感L3为调谐电压Vt的滤波偏置电路。Ct正极接地，负极与第六电容C6串联后再和第七电容C7并联组成电容串并联网络，然后该串并联网络再和第四电感L4并联组成并联谐振器，它们的公共端经第八电容C8耦合到BJT基极。调谐电压Vt经第五电容C5并联滤波后由第三电感L3馈入变容管的负极，当调谐电压Vt不由锁相环控制时，可采用与基极滤波集置电路相同的结构，以提高滤波效果；当调谐电压Vt由锁相环控制时，基极滤波偏置电路结构与锁相环的环路滤波器级联，会影响到环路滤波器的正常工作。为提高谐振电路的Q值，电容器件采用了变容管Ct，第六电容C6、第七电容C7串并联的模式，以改善压控振荡器的相位噪声性能。压控振荡器的单边带相位噪声可用改进的Lesson等式表示为：

L (f) = 10 \log {\frac{FkT}{{2 P}_{o}} [1 + \frac{f_{c}}{f_{m}} + {(\frac{f_{o}}{2 f_{m} Q_{t}})}^{2} (1 + \frac{f_{c}}{f_{m}}) + \frac{{2 kTR}_{v} K_{v}^{2}}{f_{m}^{2}}]} - - - (1)

其中F是有源器件的噪声系数，k是波尔茨曼常数，T是绝对温度，P_o是压控振荡器的输出功率，f_c是放大器件闪烁噪声频率拐点，f₀是载波频率，f_m是测试噪声点与载波频率之差，Q_t是电路的有载品质因数，R_v是变容管的噪声电阻，K_v是调谐灵敏度，其单位为MHz/V。可以对于一个给定频率的压控振荡器，低相位噪声的关键在于选用低闪烁噪声频率拐点的放大器件，增大电路有载Q值，其主要由谐振回路决定，降低压迫灵敏度，增大输出功率也可使相位噪声性能得到一定程度改善。

该LC谐振电路是现有技术中的一种通用方法。除本发明所提出的方法外，也可以采取现有技术中的其他LC谐振电路的结构。

四、反馈放大电路。反馈放大电路接收LC谐振电路产生的振荡信号，对振荡信号进行放大后，一部信号反馈回LC谐振电路以持续振荡，另一部分作为信号源由集电级输出。反馈放大电路由双极结型晶体管BJT，第九电容C9、第十电容C10和第五电感L5组成。第五电感L5和第十电容C10并联后第一端接BJT的射级，第二端接地；第九电容C9跨接在BJT的基极和射极之间，振荡信号经集电极隔直流电容C11输出到负载。为提高压控振荡器的输出功率，改善相位噪声性能，BJT的射级不添加电阻。通过软件仿真调整反馈放大电路的无源器件值使电路满足振荡条件，并优化相位噪声。

反馈放大电路采用了现有技术中通用的电路结构。

本发明的压控振荡器电路实施例中，BJT选用了AT-41533，变容管使用了SMV1233，设计中心频率为800MHz，压控灵敏度为20MHz/V，压控振荡器偏置电压5V，PLL可输出的调谐电压0～5V。

由(1)式计算出其理论单边带相位噪声响应如图3所示。在10KHz频率偏移处的相位噪声为-97.5dBc/Hz，100KHz频率偏移处的测试相位噪声为-126.1dBc/Hz，1MHz频率偏移处的测试相位噪声为-150.5dBc/Hz。反应了选用的器件在压控振荡器设计上最优理论噪声水平。

实际测试曲线如图4所示，测试中锁相环的环路带宽为10KHz。在10KHz频率偏移处的测试相位噪声为-94.5dBc/Hz，100KHz频率偏移处的测试相位噪声为-114.3dBc/Hz，1MHz频率偏移处的测试相位噪声为-134.5dBc/Hz，在锁相带宽10KHz的情况下，整个测试范围内无明显杂散。实际测试的相位噪声比理论计算结果要大，是因为实际压控振荡器中总存在电源噪声及环境噪声，而压控振荡器中的各器件也会产生噪声，这在理论计算中是没有包括在内的；同时锁相环的加入会将其产生的噪声迭加到压控振荡器上。整个测试范围内无明显杂散，说明该压控振荡器的基极滤波偏置电路对杂散频率的抑制非常有效。

本领域技术人员应当清楚：虽然本实施例中的放大器件采用了晶体管器件，但同样可以采用场效应管器件，如：高电子迁移率场效应管HEMT、节型场效应管JFET或金属氧化物半导体场效应管MOSFET。采用场效应管的压控振荡器包括：LC谐振电路、漏极偏置电路和反馈放大电路，其中：LC谐振电路，用于提供振荡信号。漏极偏置电路，其输入端与***电源相连接，用于对该***电源提供的电源进行滤波处理后输出至反馈放大电路，包括：第三电阻，其第一端连接至***电源，其第二端通过第二电感连接至双极结型晶体管的漏极；第三电容，其第一端连接至***电源，第二端连接至地；第四电容，其第一端连接至所述第三电阻的第二端，第二端连接至地，所述第三电容、第三电阻、第四电容组成π型RC滤波限流网络。反馈放大电路，其输入端分别与所述LC谐振电路和所述漏极偏置电路的第一输出端相连接，用于利用进行所述滤波处理后的电源对所述振荡信号进行放大后输出，包括：场效应管，其漏极连接至所述漏极偏置电路，并通过第十一隔直流电容连接至所述压控振荡器的输出；其栅极通过第八电容连接至LC谐振电路；并联的第五电感和第十电容，其第一端连接至所述双极结型晶体管的发射极，并通过第九电容连接至所述双极结型晶体管的发射极的栅极；其第二端接地。

该压控振荡器还可以包括：栅极滤波偏置电路，用于接收漏极偏置电路送过来的经过第三电阻分压的电源，对其进行滤波后输出至栅极作为偏置电压。栅极滤波偏置电路包括：第一电阻，其第一端连接至所述漏极偏置电路中第三电阻的第二端，其第二端通过第一电感连接至双极结型晶体管的栅极；并联的第二电阻和第二电容，其第一端连接至第一电阻的第二端，其第二端连接至地；第一电容，其第一端连接至所述漏极偏置电路中第三电阻的第二端，其第二端连接至地，其中，第一电容、第一电阻和第二电容组成π型RC滤波网络。

该压控振荡器的其他细节可以参照采用晶体管的压控振荡器，此处不再重述。此外，本领域技术人员应当清楚，以上的实施例仅是优选的实施例，现有技术中一些其他的结构同样可以替代本发明中的一些结构。例如，本实施例中采用了LC串联谐振电路，同样可以采取LC并联谐振电路。此外，上文中提到的电源，其实是一种电功率或能量流，可以是电压的形式，也可以是电流的形式，与普通意义上的实体的硬件电源不同。

以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种压控振荡器，包括：

LC谐振电路，用于提供振荡信号；

集电极偏置电路，其输入端与***的电源相连接，用于对该电源进行滤波处理后输出至反馈放大电路，包括：

第三电阻，其第一端连接至所述电源，其第二端通过第二电感连接至双极结型晶体管的集电极；

第三电容，其第一端连接至所述电源，第二端连接至地；

第四电容，其第一端连接至所述第三电阻的第二端，第二端连接至地，所述第三电容、第三电阻、第四电容组成π型RC滤波限流网络；

反馈放大电路，其输入端分别与所述LC谐振电路和所述集电极偏置电路的第一输出端相连接，用于利用进行所述滤波处理后的电源对所述振荡信号进行放大后输出，同时反馈能量回所述LC谐振电路以维持其振荡，包括：

双极结型晶体管，其集电极连接至所述集电极偏置电路，并通过第十一隔直流电容连接至所述压控振荡器的输出；其基极通过第八电容连接至LC谐振电路；

并联的第五电感和第十电容，其第一端连接至所述双极结型晶体管的发射极，并通过第九电容连接至所述双极结型晶体管的发射极的基极；其第二端接地。

2.根据权利要求1所述的压控振荡器，其中，所述第三电阻为可调电阻。

3.根据权利要求1所述的压控振荡器，还包括：基极滤波偏置电路，用于接收经过第三电阻分压的电源，对其进行滤波后输出至双极结型晶体管的基极作为偏置电压。

4.根据权利要求3所述的压控振荡器，其中，所述基极滤波偏置电路包括：

第一电阻，其第一端连接至所述集电极偏置电路中第三电阻的第二端，其第二端通过第一电感连接至双极结型晶体管的基极；

并联的第二电阻和第二电容，其第一端连接至第一电阻的第二端，其第二端连接至地；

第一电容，其第一端连接至所述集电极偏置电路中第三电阻的第二端，其第二端连接至地；

其中，第一电容、第一电阻和第二电容组成π型RC滤波网络；第一电阻和第二电阻组成的串联分压网络；第一电感、第二电容组成低频干扰旁路结构。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的压控振荡器，其中，所述LC谐振电路包括：

并联的第七电容和第四电感，两者的第一端通过第八电路连接至双极结型晶体管的基极，第二端连接至地；

第六电容，其第一端通过第八电路连接至双极结型晶体管的基极，其第二端连接至调谐电压的输入端；

变容管，其正极接地，其负极连接至调谐电压的输入端。

6.根据权利要求5所述的压控振荡器，还包括：调谐电压滤波偏置电路，位于调谐电压的输入端和LC谐振电路之间，用于对调谐电压进行滤波，包括：

第三电感，其第一端连接至调谐电压的输入端，其第二端连接至变容管的负极和第六电容的第二端；

第五电容，其第一端连接至调谐电压的输入端，其第二端接地。

7.一种压控振荡器，包括：

LC谐振电路，用于提供振荡信号；

漏极偏置电路，其输入端与***的电源相连接，用于对该电源进行滤波处理后输出至反馈放大电路，包括：

第三电阻，其第一端连接至所述电源，其第二端通过第二电感连接至双极结型晶体管的漏极；

第三电容，其第一端连接至所述电源，第二端连接至地；

第四电容，其第一端连接至所述第三电阻的第二端，第二端连接至地，所述第三电容、第三电阻、第四电容组成π型RC滤波限流

网络；

反馈放大电路，其输入端分别与所述LC谐振电路和所述漏极偏置电路的第一输出端相连接，用于利用进行所述滤波处理后的电源对所述振荡信号进行放大后输出，包括：

场效应管，其漏极连接至所述漏极偏置电路，并通过第十一隔直流电容连接至所述压控振荡器的输出；其栅极通过第八电容连接至LC谐振电路；

并联的第五电感和第十电容，其第一端连接至所述双极结型晶体管的发射极，并通过第九电容连接至所述双极结型晶体管的发射极的栅极；其第二端接地。

8.根据权利要求7所述的压控振荡器，其中，所述第三电阻为可调电阻。

9.根据权利要求7所述的压控振荡器，还包括：栅极滤波偏置电路，用于接收漏极偏置电路送过来的经过第三电阻分压的电源电压，对其进行滤波后输出至栅极作为偏置电压。

10.根据权利要求9所述的压控振荡器，其中，所述栅极滤波偏置电路包括：

第一电阻，其第一端连接至所述漏极偏置电路中第三电阻的第二端，其第二端通过第一电感连接至双极结型晶体管的栅极；

第一电容，其第一端连接至所述漏极偏置电路中第三电阻的第二端，其第二端连接至地，

11.根据权利要求7至9中任一项所述的压控振荡器，其中，所述场效应管为：高电子迁移率场效应管HEMT、结型场效应管JFET或金属氧化物半导体场效应管MOSFET。