CN102581967B - 带有v型槽的微小硅片的切断方法 - Google Patents
带有v型槽的微小硅片的切断方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种带有V型槽的微小硅片的切断方法,先将微小硅片的Y方向上通过腐蚀的方法制作出两条横槽,且横槽的深度比V型槽的深度深,再将微小硅片放在左右支架上,再利用撞块轻轻敲压微小硅片的位于左、右支架之间的部位,将微小硅片断成三段。本发明切断微小硅片后断口截面平整,不损坏原有的V型槽体及表面,操作简单方便。
Description
技术领域
本发明涉及微小硅片的切断方法,尤其是适用于硅片中有一个导向V型槽,且适用于狭窄空间的,主要是一种带有V型槽的微小硅片的切断方法。
背景技术
目前,公知的带有V型槽的微小硅片的切割方法是,用左支架、右支架支撑微小硅片,用金刚石刀从V型槽的反面由里向外划痕并切断,由于空间狭小金刚石刀伸展不进去,切出的断面与所需的工件不平整,还要凸出一个刀间隙,而硅片的正面有个V型槽,在受力划过敲断的过程中微小硅片容易顺着V型槽的根部从右向左方向断开,V型槽微小硅片的正面是工作面无法划,不能有任何损坏,因而传统的加工成品率不高,成本大大提高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种带有V型槽的微小硅片的切断方法,其切断后断口截面平整,不损坏原有的V型槽体及表面,操作简单方便。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:
1、一种带有V型槽的微小硅片的切断方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)准备好左支架和右支架及一块用于冲撞的撞块,撞块的下端呈锥形结构;
(2)在微小硅片上的Y方向上设有两个横槽,横槽的深度比微小硅片上X方向的V型槽的深度要深;
(3)将微小硅片放置在左、右两个支架上,且左、右两个支架之间有间距,使微小硅片上Y方向上的两个横槽与左、右支架的内侧边正好对应;
(4)用撞块轻轻敲压微小硅片的位于左、右支架之间的部位,将微小硅片断成三段。
2、根据权利要求1所述的一种带有V型槽的微小硅片的切断方法,其特征在于:在所述的步骤(2)中,微小硅片的Y方向上的两个横槽的制作方法是:
1)利用低压化学气相沉积在硅片表面生长氮化硅薄膜;
2)在硅片表面涂光刻胶并干燥,形成光刻胶膜;
3)将事先做好图形的掩模放在硅片上方,在光刻机中曝光形成潜影;
4)显影、清洗、烘干,在硅片表面形成具有图形结构的胶膜;
5)硅片放入真空腔中充入特定气体并放电,在低压等离子体中刻蚀没有胶膜保护的氮化硅,直至彻底清除氮化硅并露出单晶硅;
6)用去膜剂除掉胶膜,露出具有图形结构的氮化硅;
7)在碱性腐蚀液中湿法刻蚀露出的硅片,直至形成横槽。
本发明的优点是:
本发明切断后断口截面平整,不损坏原有的V型槽体及表面,操作简单方便。
附图说明
图1为本发明中微小硅片的结构示意图。
图2为本发明操作的结构示意图。
具体实施方式
参见图1、2,一种带有V型槽的微小硅片的切断方法,包括以下步骤:
(1)准备好左支架1和右支架2及一块用于冲撞的撞块4,撞块4的下端呈锥形结构;
(2)在微小硅片3上的Y方向上设有两个横槽5,横槽5的深度比微小硅片上X方向的V型槽6的深度要深;
(3)将微小硅片3放置在左1、右2两个支架上,且左1、右2两个支架之间有间距,使微小硅片3上Y方向上的两个横槽5与左1、右2支架的内侧边正好对应;
(4)用撞块4轻轻敲压微小硅片3的位于左1、右2支架之间的部位,将微小硅片3断成三段。
在所述的步骤(2)中,微小硅片的Y方向上的两个横槽的制作方法是:
1)利用低压化学气相沉积在硅片表面生长氮化硅薄膜;
2)在硅片表面涂光刻胶并干燥,形成光刻胶膜;
3)将事先做好图形的掩模放在硅片上方,在光刻机中曝光形成潜影;
4)显影、清洗、烘干,在硅片表面形成具有图形结构的胶膜;
5)硅片放入真空腔中充入特定气体并放电,在低压等离子体中刻蚀没有胶膜保护的氮化硅,直至彻底清除氮化硅并露出单晶硅;
6)用去膜剂除掉胶膜,露出具有图形结构的氮化硅;
7)在碱性腐蚀液中湿法刻蚀露出的硅片,直至形成横槽。
Claims (1)
1.一种带有V型槽的微小硅片的切断方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)准备好左支架和右支架及一块用于冲撞的撞块,撞块的下端呈锥形结构;
(2)在微小硅片上的Y方向上设有两个横槽,横槽的深度比微小硅片上X方向的V型槽的深度要深;
(3)将微小硅片放置在左、右两个支架上,且左、右两个支架之间有间距,使微小硅片上Y方向上的两个横槽与左、右支架的内侧边正好对应;
(4)用撞块轻轻敲压微小硅片的位于左、右支架之间的部位,将微小硅片断成三段;
在所述的步骤(2)中,微小硅片的Y方向上的两个横槽的制作方法是:
1)利用低压化学气相沉积在硅片表面生长氮化硅薄膜;
2)在硅片表面涂光刻胶并干燥,形成光刻胶膜;
3)将事先做好图形的掩模放在硅片上方,在光刻机中曝光形成潜影;
4)显影、清洗、烘干,在硅片表面形成具有图形结构的胶膜;
5)硅片放入真空腔中充入特定气体并放电,在低压等离子体中刻蚀没有胶膜保护的氮化硅,直至彻底清除氮化硅并露出单晶硅;
6)用去膜剂除掉胶膜,露出具有图形结构的氮化硅;
7)在碱性腐蚀液中湿法刻蚀露出的硅片,直至形成横槽。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1591791A (zh) * | 2003-08-25 | 2005-03-09 | 三洋电机株式会社 | 等离子体处理法、等离子体蚀刻法、固体摄像元件的制法 |
JP2006192753A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 樹脂モールドセラミック基板の分割方法 |
JP4742649B2 (ja) * | 2005-04-05 | 2011-08-10 | ソニー株式会社 | 貼り合わせ基板の基板ブレイク装置及びその基板ブレイク方法 |
CN102218777A (zh) * | 2010-03-31 | 2011-10-19 | 三星钻石工业股份有限公司 | 脆性材料基板的分断方法 |
-
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1591791A (zh) * | 2003-08-25 | 2005-03-09 | 三洋电机株式会社 | 等离子体处理法、等离子体蚀刻法、固体摄像元件的制法 |
JP2006192753A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 樹脂モールドセラミック基板の分割方法 |
JP4742649B2 (ja) * | 2005-04-05 | 2011-08-10 | ソニー株式会社 | 貼り合わせ基板の基板ブレイク装置及びその基板ブレイク方法 |
CN102218777A (zh) * | 2010-03-31 | 2011-10-19 | 三星钻石工业股份有限公司 | 脆性材料基板的分断方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
LPCVD制备氮化硅薄膜工艺;简崇玺;《集成电路通讯》;20080630;第26卷(第2期);第18-19页 * |
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