CN102581967B - 带有v型槽的微小硅片的切断方法 - Google Patents

带有v型槽的微小硅片的切断方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种带有V型槽的微小硅片的切断方法，先将微小硅片的Y方向上通过腐蚀的方法制作出两条横槽，且横槽的深度比V型槽的深度深，再将微小硅片放在左右支架上，再利用撞块轻轻敲压微小硅片的位于左、右支架之间的部位，将微小硅片断成三段。本发明切断微小硅片后断口截面平整，不损坏原有的V型槽体及表面，操作简单方便。

Description

带有V型槽的微小硅片的切断方法
技术领域
本发明涉及微小硅片的切断方法，尤其是适用于硅片中有一个导向V型槽，且适用于狭窄空间的，主要是一种带有V型槽的微小硅片的切断方法。
背景技术    
目前，公知的带有V型槽的微小硅片的切割方法是，用左支架、右支架支撑微小硅片，用金刚石刀从V型槽的反面由里向外划痕并切断，由于空间狭小金刚石刀伸展不进去，切出的断面与所需的工件不平整，还要凸出一个刀间隙，而硅片的正面有个V型槽，在受力划过敲断的过程中微小硅片容易顺着V型槽的根部从右向左方向断开，V型槽微小硅片的正面是工作面无法划，不能有任何损坏，因而传统的加工成品率不高，成本大大提高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种带有V型槽的微小硅片的切断方法，其切断后断口截面平整，不损坏原有的V型槽体及表面，操作简单方便。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：
1、一种带有V型槽的微小硅片的切断方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）准备好左支架和右支架及一块用于冲撞的撞块，撞块的下端呈锥形结构；
（2）在微小硅片上的Y方向上设有两个横槽，横槽的深度比微小硅片上X方向的V型槽的深度要深；
（3）将微小硅片放置在左、右两个支架上，且左、右两个支架之间有间距，使微小硅片上Y方向上的两个横槽与左、右支架的内侧边正好对应；
（4）用撞块轻轻敲压微小硅片的位于左、右支架之间的部位，将微小硅片断成三段。
2、根据权利要求1所述的一种带有V型槽的微小硅片的切断方法，其特征在于：在所述的步骤（2）中，微小硅片的Y方向上的两个横槽的制作方法是：
1）利用低压化学气相沉积在硅片表面生长氮化硅薄膜；
2）在硅片表面涂光刻胶并干燥，形成光刻胶膜；
3）将事先做好图形的掩模放在硅片上方，在光刻机中曝光形成潜影；
4）显影、清洗、烘干，在硅片表面形成具有图形结构的胶膜；
5）硅片放入真空腔中充入特定气体并放电，在低压等离子体中刻蚀没有胶膜保护的氮化硅，直至彻底清除氮化硅并露出单晶硅；
6）用去膜剂除掉胶膜，露出具有图形结构的氮化硅；
7）在碱性腐蚀液中湿法刻蚀露出的硅片，直至形成横槽。
本发明的优点是：
本发明切断后断口截面平整，不损坏原有的V型槽体及表面，操作简单方便。
附图说明
图1为本发明中微小硅片的结构示意图。
图2为本发明操作的结构示意图。
具体实施方式
参见图1、2，一种带有V型槽的微小硅片的切断方法，包括以下步骤：
（1）准备好左支架1和右支架2及一块用于冲撞的撞块4，撞块4的下端呈锥形结构；
（2）在微小硅片3上的Y方向上设有两个横槽5，横槽5的深度比微小硅片上X方向的V型槽6的深度要深；
（3）将微小硅片3放置在左1、右2两个支架上，且左1、右2两个支架之间有间距，使微小硅片3上Y方向上的两个横槽5与左1、右2支架的内侧边正好对应；
（4）用撞块4轻轻敲压微小硅片3的位于左1、右2支架之间的部位，将微小硅片3断成三段。
在所述的步骤（2）中，微小硅片的Y方向上的两个横槽的制作方法是：
1）利用低压化学气相沉积在硅片表面生长氮化硅薄膜；
2）在硅片表面涂光刻胶并干燥，形成光刻胶膜；
3）将事先做好图形的掩模放在硅片上方，在光刻机中曝光形成潜影；
4）显影、清洗、烘干，在硅片表面形成具有图形结构的胶膜；
5）硅片放入真空腔中充入特定气体并放电，在低压等离子体中刻蚀没有胶膜保护的氮化硅，直至彻底清除氮化硅并露出单晶硅；
6）用去膜剂除掉胶膜，露出具有图形结构的氮化硅；
7）在碱性腐蚀液中湿法刻蚀露出的硅片，直至形成横槽。

Claims (1)

1.一种带有V型槽的微小硅片的切断方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）准备好左支架和右支架及一块用于冲撞的撞块，撞块的下端呈锥形结构；
（2）在微小硅片上的Y方向上设有两个横槽，横槽的深度比微小硅片上X方向的V型槽的深度要深；
（3）将微小硅片放置在左、右两个支架上，且左、右两个支架之间有间距，使微小硅片上Y方向上的两个横槽与左、右支架的内侧边正好对应；
（4）用撞块轻轻敲压微小硅片的位于左、右支架之间的部位，将微小硅片断成三段；
在所述的步骤（2）中，微小硅片的Y方向上的两个横槽的制作方法是：
1）利用低压化学气相沉积在硅片表面生长氮化硅薄膜；
2）在硅片表面涂光刻胶并干燥，形成光刻胶膜；
3）将事先做好图形的掩模放在硅片上方，在光刻机中曝光形成潜影；
4）显影、清洗、烘干，在硅片表面形成具有图形结构的胶膜；
5）硅片放入真空腔中充入特定气体并放电，在低压等离子体中刻蚀没有胶膜保护的氮化硅，直至彻底清除氮化硅并露出单晶硅；
6）用去膜剂除掉胶膜，露出具有图形结构的氮化硅；
7）在碱性腐蚀液中湿法刻蚀露出的硅片，直至形成横槽。
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LPCVD制备氮化硅薄膜工艺;简崇玺;《集成电路通讯》;20080630;第26卷(第2期);第18-19页 *

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