CN102568825B - 陶瓷电子部件的制造方法、位置测定装置和方法、标记形成装置和方法 - Google Patents

Abstract

一种陶瓷电子部件的制造方法、位置测定装置和方法、标记形成装置和方法。在制造叠层陶瓷电容器等的叠层陶瓷电子部件时，对将多片印刷了内部电极图案的陶瓷生片进行叠层·压接而获得的陶瓷坯板照射X射线，从而获得内部电极图案的图像，根据该图像来确定陶瓷坯板的应切割的位置，以便能高效地进行切割加工。根据对陶瓷坯板(27)照射X射线(38)而获得的内部电极图案的图像数据，求出基准标记形成预定位置，在该基准标记形成预定位置上形成基准标记，根据基准标记，对陶瓷坯板(27)进行切割加工。这样，能够缩短切割加工所需要的时间，并能够提高切割加工的位置精确度。

Description

陶瓷电子部件的制造方法、位置测定装置和方法、标记形成装置和方法

技术领域

本发明涉及一种陶瓷电子部件的制造方法、位置测定装置和位置测定方法、以及标记形成装置和标记形成方法。更具体讲，本发明所涉及的陶瓷电子部件的制造方法用于例如在叠层陶瓷电子部件的制造时所实施的陶瓷坯板(ceramic green block)的切割工艺。

另外，本发明的位置测定装置和方法以及标记形成装置和方法在例如叠层陶瓷电子部件的制造时可以有效地利用。即，本发明的位置测定装置和位置测定方法例如用于测定陶瓷坯板内部的内部电极图案的位置，本发明的标记形成装置和标记形成方法例如用于在陶瓷坯板的切割工艺时，形成标出切割位置的基准的基准标记。

背景技术

在制造叠层陶瓷电容器等的叠层陶瓷电子部件时，通常，要经过下列各工艺，即，将多张印刷有内部电极图案的陶瓷生片(ceramic green sheet)叠层·压接，以制造陶瓷坯板，并将陶瓷坯板切割为规定的尺寸，以制造多片陶瓷生芯片(ceramic green chip)。

在切割陶瓷坯板时，需要精确度高地切割内部电极图案之间的间隙部，但是，内部电极图案由于在制造陶瓷坯板时所实施的压接的缘故而容易变形，因此，间隙部也存在变形的倾向。而且，由于从陶瓷坯板的外表面看不到内部电极图案，因此，陶瓷坯板的切割需要高超的技术。

为此，例如，专利文献1中提出了下列方案，即，根据对陶瓷坯板照射透过光线而获得的内部电极图案的图像，求出陶瓷坯板的切割位置。

但是，专利文献1所记载的方法具有切割所需的时间长的问题，其原因在于要进行以下各工序，即，每次切割时，要将切割位置数据存储在记录介质中，将陶瓷坯板与记录介质一起搬运到切割装置，在切割装置上读出切割位置数据进行位置对齐，然后切割陶瓷坯板。

另外，在专利文献1所记载的方法中，在使用X射线作为透过光线进行位置测定的情况下，有时会产生经时性的测定偏差。图17表示X射线照射装置中所包含的典型的X射线生成机构51。在X射线生成机构51中，从与阴极52连接的灯丝(filament)生成的电子53高速碰撞与阳极54连接的靶55，由此，电子53的运动能量的一部分成为X射线，但是剩下的运动能量变成热量并使靶55的温度上升。由于该温度上升的缘故，靶55会变形，X射线生成点会发生移动。作为其结果可以推测出：X射线图像的中心坐标会向规定的方向移动，从而造成上述经时性的测定偏差。

鉴于上述问题，例如，专利文献2提出了如下方案：即事先配置与识别X射线图像的照相机的相对位置为已知的校正用识别标记，根据校正用识别标记所测量的位置与作为校正用识别标记的照相机的相对位置为已知的位置(不会受到热的影响的位置)之差，求出X射线生成点的移动量，校正作为测定对象的工件的位置偏移。

但是，在专利文献2所记载的方法中，有时不能测定正确的位置。这是因为：从识别校正用识别标记开始到识别工件为止，存在使照相机移动等的时滞，在该期间内，X射线生成装置也继续工作，靶的温度继续上升。即，与识别校正用识别标记时刻的偏移量相比，识别工件时刻的偏移量会稍微变大。

而且，在工件的应该测定的位置(坐标)为多个的情况下，如果在识别校正用识别标记之后，按顺序地识别工件的各部位，则越是后测定的坐标，其偏移量会变得越大。为了避免该问题，可以考虑每次都将照相机复原，从而重新测定校正用识别标记的偏移量，但是，在这种情况下，测定效率会降低。

专利文献1：JP特开2000-21680号公报

专利文献2：JP特开2003-254735号公报

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种能够解决上述课题的陶瓷电子部件的制造方法。

本发明的其他目的是提供一种有效应用于上述陶瓷电子部件的制造方法中的位置测定装置以及位置测定方法。

本发明的另一其他目的是提供一种使用上述位置测定装置以及位置测定方法的、有效应用于例如叠层陶瓷电子部件的制造中的标记形成装置以及标记形成方法。

本发明首先面向于叠层陶瓷电子部件的制造方法。

本发明的叠层陶瓷电子部件的制造方法的特征为，具有：

准备陶瓷坯板的工序，该陶瓷坯板具有被叠层的多片陶瓷生片，并具有彼此对置的第一主面以及第二主面，且在内部配置有未烧结的内部电极图案；

从第二主面侧向陶瓷坯板照射X射线或红外线这样的可透过光线，并通过设置在第一主面侧的拍摄装置对可透过光线进行图像处理，生成内部电极图案的图像数据的工序；

根据图像数据计算应在陶瓷坯板的第一或第二主面上形成的成为基准标记的位置的基准标记形成预定位置的工序；

在陶瓷坯板的第一或第二主面上的上述基准标记形成预定位置上，形成基准标记的工序；和

加工工序，根据基准标记，对陶瓷坯板进行规定的加工的工序。

在形成上述基准标记的工序中，优选通过照射激光来形成基准标记。

另外，上述规定的加工是指例如将陶瓷坯板沿着陶瓷生片的叠层方向切割成规定的尺寸。

另外，本发明也适用于测定设置在主体内部的工件的坐标的位置测定装置。

本发明的位置测定装置具有：

载台，其用于放置主体；

X射线照射装置，其包括生成电子的阴极和通过由阴极所生成的电子进行碰撞而产生X射线的靶，且向载台照射X射线；

拍摄装置，其对自X射线照射装置进行照射而透过位于载台上的主体的X射线进行检测，生成主体内部的工件的X射线图像数据；和

运算装置，其通过对从拍摄装置发送来的X射线图像数据进行处理，来计算主体内部的工件的坐标。

并且，为了解决上述技术问题，运算装置中存储有曲线状的标定曲线，该标定曲线描绘了X射线照射装置启动之后的经过时间、与由于靶的变形所产生的通过拍摄装置所获得的X射线图像的偏移量的关系，运算装置构成为：根据标定曲线，求出由于在工件的拍摄时刻的靶的变形而产生的通过拍摄装置所获得的X射线图像的偏移量，并且在对该偏移量进行校正之后，计算主体内部的工件的坐标。以上是本发明的位置测定装置的第一特征。

另外，在将通过描绘出X射线照射装置启动后的的经过时间、与由于靶的变形所产生的由拍摄装置所获得的X射线图像的偏移量的关系从而生成上述标定曲线的这一操作，经过几天多次反复实施之后，发现标定曲线具有良好的再现性。

本发明的位置测定装置的第二特征在于，在上述载台上形成有校准标记，且按如下进行操作：

(1)在X射线照射装置启动之后经过了不确定的时间的第一时刻(T1)，利用拍摄装置拍摄校准标记，在运算装置中，根据所获得的X射线图像数据，求出校准标记的第一时刻(T1)的坐标(C1)。

(2)在从第一时刻(T1)起经过了确定的时间的第二时刻(T2)，利用拍摄装置再次拍摄校准标记，在运算装置中，根据所获得的X射线图像数据，求出校准标记的第二时刻(T2)的坐标(C2)。

(3)在运算装置中，求出具有与第一时刻(T1)的坐标(C1)和第二时刻(T2)的坐标(C2)的倾斜度相同的倾斜度的标定曲线上的位置，并求出与标定曲线上的位置相应的标定曲线上的基准时间(t3)，接着，根据标定曲线上的基准时间(t3)，求出实际的基准时间(T3)。

(4)利用拍摄装置拍摄主体内部的工件，将工件的X射线图像数据的拍摄时刻(Tx)与实际的基准时间(T3)之差，相加于标定曲线上的基准时间(t3)，求出标定曲线上的拍摄时刻(tx)，接着，从标定曲线上的拍摄时刻(tx)的偏移量中减去标定曲线上的基准时间(t3)的偏移量。

(5)在校正偏移量之后，计算主体内部的工件的坐标。

另外，本发明也面向于测定配置在主体内部的工件的坐标的位置测定方法。

本发明的位置测定方法具有：将主体放置在载台上的工序；利用X射线照射装置向主体照射X射线的工序；利用拍摄装置检测透过主体的X射线，并生成主体内部的工件的X射线图像数据的工序；以及通过对X射线图像数据进行处理，来计算出主体内部的工件的坐标的工序。

上述X射线照射装置包括生成电子的阴极和通过由上述阴极所生成的电子进行碰撞而产生X射线的靶。

并且，为了解决上述技术课题，本发明的位置测定方法还具有生成曲线状的标定曲线的工序，该曲线状的标定曲线描绘了X射线照射装置启动之后的经过时间、与由于靶的变形所产生的通过拍摄装置所获得的X射线图像的偏移量的关系，计算工件的坐标的工序包括：根据标定曲线来求出由于工件的拍摄时的靶的变形所产生的通过拍摄装置所获得的X射线图像的偏移量，且在对该偏移量进行校正之后，计算主体内部的工件的坐标。以上为本发明的位置测定方法的第一特征。

本发明的位置测定方法的第二特征在于，在上述载台上形有成校准标记，并且，计算工件的坐标的工序包括以下工序：。

(1)在X射线照射装置启动之后经过了不确定的时间的第一时刻(T1)，利用拍摄装置拍摄校准标记，在运算装置中，根据所获得的X射线图像数据，求出校准标记的第一时刻(T1)的坐标(C1)的工序。

(2)在从第一时刻(T1)起经过了确定的时间的第二时刻(T2)，利用拍摄装置再次拍摄校准标记，在运算装置中，根据所获得的X射线图像数据，求出校准标记的第二时刻(T2)的坐标(C2)的工序。

(3)在运算装置中，求出具有与第一时刻(T1)的坐标(C1)和第二时刻(T2)的坐标(C2)的倾斜度相同的倾斜度的标定曲线上的位置，并求出与标定曲线上的位置相应的标定曲线上的基准时间(t3)，接着，根据标定曲线上的基准时间(t3)，求出实际的基准时间(T3)的工序。

(4)利用拍摄装置拍摄主体内部的工件，将工件的X射线图像数据的拍摄时刻(Tx)与实际的基准时间(T3)之差、相加于标定曲线上的基准时间(t3)，求出标定曲线上的拍摄时刻(tx)，接着，从标定曲线上的拍摄时刻(tx)的偏移量中减去标定曲线上的基准时间(t3)的偏移量的工序。

(5)在校正偏移量之后，计算主体内部的工件的坐标的工序。

另外，本发明也面向于标记形成装置，该装置用于在与配置在主体内部的工件的坐标相关联的位置上形成基准标记。

本发明的标记形成装置具有：

载台，其用于放置主体；

X射线照射装置，其包括生成电子的阴极和通过由阴极所生成的电子进行碰撞而产生X射线的靶，并向载台照射X射线；

拍摄装置，其对自X射线照射装置照射而透过位于载台上的主体的X射线进行检测，生成主体内部的工件的X射线图像数据；

运算装置，其通过对从拍摄装置发送来的X射线图像数据进行处理，来计算主体内部的工件的坐标，并且根据工件的坐标，计算成为基准标记的位置的基准标记形成预定位置；和

基准标记形成机构，其在主体的通过运算装置所计算出的基准标记形成预定位置上，形成基准标记。

并且，在本发明的标记形成装置的运算装置中存储有曲线状的标定曲线，该标定曲线描绘了X射线照射装置启动之后的经过时间、与由于靶的变形所产生的通过拍摄装置所获得的X射线图像的偏移量的关系，运算装置构成为：根据标定曲线，求出由于在工件的拍摄时刻的靶的变形而产生的通过拍摄装置所获得的X射线图像的偏移量，并且在对该偏移量进行校正之后，计算主体内部的工件的坐标。以上是本发明的标记形成装置的第一特征。

本发明的标记形成装置的第二特征在于，在载台上形成有校准标记，且为了计算工件的坐标而进行如下所述的操作：

(1)在X射线照射装置启动之后经过了不确定的时间的第一时刻(T1)，利用拍摄装置拍摄校准标记，在运算装置中，根据所获得的X射线图像数据，求出校准标记的第一时刻(T1)的坐标(C1)。

(2)在从第一时刻(T1)起经过了确定的时间的第二时刻(T2)，利用拍摄装置再次拍摄校准标记，在运算装置中，根据所获得的X射线图像数据，求出校准标记的第二时刻(T2)的坐标(C2)。

(3)在运算装置中，求出具有与第一时刻(T1)的坐标(C1)和第二时刻(T2)的坐标(C2)的倾斜度相同的倾斜度的标定曲线上的位置，并求出与标定曲线上的位置相应的标定曲线上的基准时间(t3)，接着，根据标定曲线上的基准时间(t3)，求出实际的基准时间(T3)。

(4)利用拍摄装置拍摄主体内部的工件，将工件的X射线图像数据的拍摄时刻(Tx)与实际的基准时间(T3)之差，相加于标定曲线上的基准时间(t3)，求出标定曲线上的拍摄时刻(tx)，接着，从标定曲线上的拍摄时刻(tx)的偏移量中减去标定曲线上的基准时间(t3)的偏移量。

(5)在校正偏移量之后，计算主体内部的工件的坐标。

可以有效地使用本发明的标记形成装置的是以下的情况，即：例如，上述主体是由叠层的多片陶瓷生片构成、且在内部配置有未烧结的内部电极图案的陶瓷坯板，上述工件是内部电极图案的情况。

在本发明的标记形成装置中，优选载台构成为能够在拍摄装置与基准标记形成机构之间移动。

另外，在本发明的标记形成装置中，优选载台、X射线照射装置、拍摄装置以及基准标记形成机构被收纳在一个壳体内。

本发明还适用于在与配置在主体内部的工件的坐标相关联的位置上形成基准标记的标记形成方法。

本发明的标记形成方法具有：将主体放置在载台上的工序；利用X射线照射装置向主体照射X射线的工序；利用拍摄装置检测透过主体的X射线，并生成主体内部的工件的X射线图像数据的工序；通过对X射线图像数据进行处理，来计算主体内部的工件的坐标，并且根据工件的坐标，计算成为基准标记的位置的基准标记形成预定位置的工序；在主体上的基准标记形成预定位置上，形成基准标记的工序；以及根据基准标记，对主体进行规定的加工的工序。

上述X射线照射装置包括生成电子的阴极和由上述阴极所生成的电子进行碰撞而产生X射线的靶。

并且，本发明的标记形成方法还具有生成曲线状的标定曲线的工序，该曲线状的标定曲线描绘了X射线照射装置启动之后的经过时间、与由于靶的变形所产生的通过拍摄装置所获得的X射线图像的偏移量的关系，计算工件的坐标的工序包括：根据标定曲线来求出由于工件的拍摄时刻的靶的变形所产生的通过拍摄装置所获得的X射线图像的偏移量，且在对该偏移量进行校正之后，计算主体内部的工件的坐标的工序。以上为本发明的标记形成方法的第一特征。

本发明的标记形成方法的第二特征在于，在上述载台上形成有校准标记，并且，计算工件的坐标的工序包括以下工序：

(1)在X射线照射装置启动之后经过了不确定的时间的第一时刻(T1)，利用拍摄装置拍摄校准标记，在运算装置中，根据所获得的X射线图像数据，求出校准标记的第一时刻(T1)的坐标(C1)的工序。

(2)在从第一时刻(T1)起经过了确定的时间的第二时刻(T2)，利用拍摄装置再次拍摄校准标记，在运算装置中，根据所获得的X射线图像数据，求出校准标记的第二时刻(T2)的坐标(C2)的工序。

(3)在运算装置中，求出具有与第一时刻(T1)的坐标(C1)和第二时刻(T2)的坐标(C2)的倾斜度相同的倾斜度的标定曲线上的位置，并求出与标定曲线上的位置相应的标定曲线上的基准时间(t3)，接着，根据标定曲线上的基准时间(t3)，求出实际的基准时间(T3)的工序。

(4)利用拍摄装置拍摄主体内部的工件，将工件的X射线图像数据的拍摄时刻(Tx)与实际的基准时间(T3)之差，相加于标定曲线上的基准时间(t3)，求出标定曲线上的拍摄时刻(tx)，接着，从标定曲线上的拍摄时刻(tx)的偏移量中减去标定曲线上的基准时间(t3)的偏移量的工序。

(5)在校正偏移量之后，计算主体内部的工件的坐标的工序。

在本发明的标记形成方法中，优选上述规定的加工是指在与工件的位置相关联的位置上切割主体。

(发明效果)

根据本发明的叠层陶瓷电子部件的制造方法，由于是基于对陶瓷坯板照射可透过光线所获得的内部电极图案的图像数据，求出基准标记形成预定位置，在该基准标记形成预定位置上形成基准标记，然后，根据该基准标记，对陶瓷坯板进行切割等规定的加工。因此，能够提高针对规定的加工的位置精确度。

另外，根据本发明的叠层陶瓷电子部件的制造方法，由于是在陶瓷坯板上形成成为应进行规定的加工的位置的指标的基准标记，因此，无需在每次规定的加工时都读出加工位置数据进行位置对齐。因此，能够缩短加工所需要的时间。

根据本发明的位置测定装置和方法、以及标记形成装置和方法，由于是基于事先生成的标定曲线，预测靶的经时性的变形，求出X射线图像的偏移量，并对该偏移量进行校正，然后，计算出工件的坐标，因此，能够进行精确度高的位置测定，所以，能够进行位置精确度高的标记形成。

而且，根据本发明的位置测定装置和方法、以及标记形成装置和方法，由于是在载台上形成校准标记，因此，在位置测定或标记形成时，校准标记的识别只需要测定开始时和经过特定时间后最少两次。因此，校准标记的识别只需要花费最小限度的时间即可，能够提高测定效率。

附图说明

图1是表示作为利用本发明的叠层陶瓷电子部件的一个例子的叠层陶瓷电容器1的外观的立体图。

图2是沿着图1的A-A线的剖视图。

图3是表示图1所示的叠层陶瓷电容器1所具有的部件主体2的内部结构的俯视图。

图4是表示为了制造图1所示的叠层陶瓷电容器1而准备的、形成内部电极图案22的陶瓷生片21的俯视图。

图5是表示作为图4所示的校正用标记25a、25b的变形例的校正用标记26的放大俯视图。

图6是将本发明的一个实施方式的包括位置测定装置的标记形成装置31和切割装置37同时图解性表示的主视图。

图7是表示通过用图6所示的标记形成装置31所具有的拍摄装置34进行图像处理，而被二进制化的陶瓷坯板27的检测图像。

图8是为了获得图7所示的被二进制化的检测图像而将通过拍摄装置34拍摄的陶瓷坯板27的图像的一部分放大表示的图。

图9是与图7对应的图，是如果被图6所示的标记形成装置31所具有的图像处理·运算装置35所图像识别，则将充分的内部电极图案22抽出表示的图。

图10是表示将陶瓷坯板27放置在图6所示的载台32上的状态的俯视图。

图11是与图10对应的图，表示在放置在载台32上的陶瓷坯板27上产生旋转偏移的状态。

图12是表示在图7所示的陶瓷坯板27上形成了基准标记39的状态的检测情形的图。

图13是用于说明为了计算图12所示的基准标记39的形成预定位置，而考虑了内部电极图案22的变形来求出虚拟切割线40的方法的图。

图14是表示在本发明中使用的标定曲线的一个例子的图。

图15是表示图6所示的标记形成装置31的动作的一个例子的流程图。

图16是表示通过图6所示的标记形成装置31求出的校准标记29的第一时刻的坐标和第二时刻的坐标的倾斜度的图。

图17是表示X射线照射装置中所包含的典型的X射线生成机构51的图。

图中：

1  叠层陶瓷电容器

2  部件主体

9  陶瓷层

10、11  内部电极

12、15  对置部

14、17  引出部

21  陶瓷生片

22  内部电极图案

23、24  预定切割线

27  陶瓷坯板

29  校准标记

31  标记形成装置

32  载台

33  X射线照射装置

34  拍摄装置

35  图像处理·运算装置

36  标记形成机构

37  切割装置

38  X射线

39  基准标记

40  虚拟切割线

41  切割刀

42  切割用拍摄装置

43  切割用图像处理·运算装置

51  X射线生成机构

52  阴极

53  电子

55  靶

具体实施方式

以下，对作为使用本发明的叠层陶瓷电子部件的一个例子的叠层陶瓷电容器进行说明。

如图1到图3所示，叠层陶瓷电容器1具有部件主体2。部件主体2大致呈长方体形状，且具有：彼此对置的1对主面3以及4；彼此对置的1对侧面5以及6；和彼此对置的1对端面7以及8。

如图2所示，部件主体2具有叠层结构，该叠层结构由在主面3以及4的方向上延伸并且在与主面3以及4正交的方向上叠层的多层陶瓷层9、和沿着陶瓷层9之间的界面形成的多对第一以及第二内部电极10以及11构成。

如图3中所示，第一内部电极10具有：隔着陶瓷层9与第二内部电极11对置的对置部12；以及从对置部12向第一端面7被引出，并在该端部形成露出端13的引出部14。另外，关于第一内部电极10的平面形状，从将侧面5以及6之间连接的宽度方向来看，引出部14的宽度与对置部12的宽度相比，逐渐地变窄。

在图3中用虚线所示的第二内部电极11也同样具有：隔着陶瓷层9与第一内部电极10对置的对置部15；以及从对置部15向第二端面8被引出，并在该端部形成露出端16的引出部17。第二内部电极11具有与上述第一内部电极10对称的平面形状。

如上所述，第一内部电极10的对置部12和第二内部电极11的对置部15隔着陶瓷层9而彼此对置，由此，这些对置部12以及15之间显现电特性。即，在该叠层陶瓷电容器1的情况下，形成静电电容。

而且，叠层陶瓷电容器1还具有以与内部电极10以及11的各自的露出端13以及16分别电连接的方式，在部件主体2的至少1对的端面7以及8上分别形成的外部电极18以及19。在本实施方式中，外部电极18以及19具有绕到主面3以及4和侧面5以及6的各一部分的部分。

作为用于内部电极10以及11的导电材料，能够使用例如Ni、Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金以及Au等。内部电极10以及11的各自厚度优选为0.3～2.0μm。

作为构成陶瓷层9的陶瓷材料，能够使用以例如BaTiO₃、CaTiO₃、SrTiO₃、CaZrO₃等为主成分的电介质陶瓷。根据需要，在电介质陶瓷中添加Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Co化合物、Ni化合物以及稀土类元素化合物等的副成分。

另外，虽然应用本发明的不局限于叠层陶瓷电子部件，但在应用于叠层陶瓷电子部件的情况下，也能够适用于叠层陶瓷电容器以外的叠层陶瓷电子部件中。作为构成陶瓷层9的陶瓷材料，在叠层陶瓷电子部件是例如压电部件的情况下，能够使用PZT系陶瓷等的压电体陶瓷，在热敏电阻的情况下，能够使用尖晶石系陶瓷等的半导体陶瓷。

虽然图中没有显示，但是外部电极17以及18优选由基底层和在基底层上形成的电镀层构成。作为用于基底层的导电材料，能够使用例如Cu、Ni、Ag、Pd、Ag-Pd合金以及Au等。基底层可以通过使用将导电性糊膏涂敷在未烧结的部件主体2上并与部件主体2同时烧结的共燃法而形成，也可以通过使用将导电性糊膏涂敷在烧结后的部件主体2上并烧接的后烧法而形成。或者，基底层既可以通过直接电镀形成，也可以通过使包含热硬化性树脂的导电性树脂硬化而形成。

基底层的厚度优选最厚的部分是10～50μm。

作为构成在基底层上所形成的电镀层的金属，能够使用从例如Cu、Ni、Sn、Pb、Au、Ag、Pd、Bi以及Zn中选择的一种金属或包含该金属的合金。电镀层可以由多层构成。如上所述，在电镀层是由多层构成的情况下，优选是镀Ni以及其上面的镀Sn的两层结构。另外，电镀膜的厚度优选每一层为1～15μm。

在基底层与电镀层之间可以形成用于缓和应力的导电性树脂层。

接下来，对上述叠层陶瓷电容器1的制造方法进行说明。

首先，分别准备：应成为陶瓷层9的陶瓷生片、用于内部电极10和11的导电性糊膏、以及用于外部电极18和19的导电性糊膏。在这些陶瓷生片以及导电性糊膏中含有粘结剂以及溶剂，而作为这些粘结剂以及溶剂，能够分别使用公知的有机粘结剂以及有机溶剂。

接下来，如图4所示，在陶瓷生片21上使用丝网印刷法等以规定的图案来印刷导电性糊膏。由此，能够获得形成了应分别成为内部电极10以及11的多个内部电极图案22的陶瓷生片21。

图4图示出：在内部电极图案22的长度方向(图4中的左右方向)上延伸的预定切割线23以及在与其正交的宽度方向(图4中的上下方向)上延伸的预定切割线24。陶瓷生片21具有：在后面要提到的叠层工序之后，通过沿着上述预定切割线23以及24切割并进行分割，而能够取出用于多个叠层陶瓷电容器1的部件主体2的尺寸。图4所示的预定切割线23以及24是在叠层工序之前的设计阶段被确定的，在实施用于获得后面要提到的陶瓷坯板27的叠层以及压接工序之后，陶瓷坯板27有时也会沿着与预定切割线23以及24不同的切割线被切割。关于该用于实际的切割的虚拟切割线的确定方法，后面将会进行阐述。

另外，由于作图时的问题，在图4所示的陶瓷生片21上形成的内部电极图案22的数量比实际的情况少。

在陶瓷生片21的彼此对置的边的各中央部附近分别形成校正用标记25a以及25b。校正用标记25a以及25b是使用与形成上述内部电极图案22的导电性糊膏相同的导电性糊膏，在内部电极图案22的印刷的同时形成的。因此，内部电极图案22与校正用标记25a以及25b的位置关系为恒定。校正用标记25a以及25b最终不会留在作为产品的叠层陶瓷电容器1上。

另外，在图4中，在(A)和(B)中表示陶瓷生片21，是为了在对后面要提到的叠层工序进行说明时方便，(A)所示的陶瓷生片21和(B)所示的陶瓷生片21除了图中所示的方向不同，彼此是相同的。

图4所示的校正用标记25a以及25b，可以与图5所示的校正用标记26进行置换。图5所示的校正用标记26是通过将位于两端的列的内部电极图案22的一部分进行反白而形成的。另外，虽然图5所示的内部电极图案22与图4所示的内部电极图案22形状不同，但这不是本质性的特征。图5所示的内部电极图案22可以理解为形状被简略化地表示。

接下来，将规定张数的未印刷内部电极图案的外层用陶瓷生片叠层，在其上面按顺序叠层已印刷了图4所示的内部电极图案22的陶瓷生片21，在其上面叠层规定张数的外层用陶瓷生片，以制造陶瓷坯板27(参照图10等)。在将印刷了内部电极图案22的陶瓷生片21进行叠层时，图4(A)所示的方向的陶瓷生片21与图4(B)所示的方向的陶瓷生片21被交替叠层。

为了提高上述叠层工序后的操作性，优选在陶瓷坯板27的下表面预先粘贴发泡剥离片等的粘结片。

接下来，利用等静压机等手段将陶瓷坯板27向叠层方向压接。

经过以上的工序所获得的陶瓷坯板27利用图6所示的标记形成装置31进行处理。在本发明中被作为测定对象的主体是陶瓷坯板27，在其内部配置的内部电极图案22成为配置在主体内部的工件。

标记形成装置31具有：载台32、X射线照射装置33、拍摄装置34、图像处理·运算装置35和标记形成机构36。在标记形成装置31中预先设定了机械性绝对坐标。在标记形成装置31中，优选至少将载台32、X射线照射装置33、拍摄装置34以及标记形成机构36收纳在一个壳体中。另外，在图6中，虽然表示了三个载台32，但这并不是说存在三个载台32，而是表示一个载台32移动能获取的三个位置。另外，图中虽然表示了与标记形成装置31相邻的切割装置37，但关于切割装置37的详细内容，后面将进行阐述。

载台32在行以及列方向(X以及Y方向)上可以移动，并且在水平面上也能够90°旋转。如图10所示，在载台32上形成有校准标记29。校准标记29是以例如将氧化铝片刻成十字形状的结构而形成的。

X射线照射装置33配置在位于初始位置的载台32的下方。参照图17，X射线照射装置33具有上述X射线生成机构51。如图17所示，X射线生成机构51包括生成电子53的阴极52和碰撞从阴极52高速发射的电子53的靶55。从阴极52生成的电子53高速地碰撞靶55，由此，其运动能量的一部分作为X射线38而被照射到载台32的方向。

另外，X射线38的照射方向也可以是与图示的方向相反的从上到下的方向。

拍摄装置34配置在位于初始位置的载台32的上方，以检测透过陶瓷坯板27的X射线38。作为拍摄装置34，能够使用区域传感器型照相机。

图像处理·运算装置35与拍摄装置34连接。图像处理·运算装置35由例如CPU以及存储器构成，且具有图像处理功能和运算功能。图像处理·运算装置35首先根据其图像处理功能对用拍摄装置34检测出的X射线38进行图像处理。

当进行该图像处理时，例如，通过二进制化或边缘检测等，如图7所示，生成包括黑色图案(影线部分)和白色图案的图像数据。更详细地讲，通过透过陶瓷坯板27的X射线38所获得的图像，如图8所示，在应成为内部电极图案22的内部电极10以及11的对置部12以及15的部分相重叠的区域中最浓；在应成为引出部14以及17的部分相重叠的区域中，为中间的浓度；在不存在内部电极图案22的区域中最薄。在上述图像处理中，将应成为变得最浓的内部电极10以及11的对置部12以及15的部分相重叠的区域作为黑色图案，将除此以外的区域作为白色图案，像这样生成图像数据。

另外，关于图4所示的校正用标记25a以及25b，由于与应成为内部电极图案22的对置部12以及15的部分具有相同的相重叠程度，所以作为黑色图案而被识别。在使用图5所示的校正用标记26的情况下，作为白色图案被识别。

另外，图7等所示的内部电极图案22与校正用标记25a以及25b，分别是通过内部电极图案22与校正用标记25a以及25b所获得的图像，并不是内部电极图案22与校正用标记25a以及25b本身。但是，为了便于说明，对内部电极图案的图像也使用“22”的参照符号，另外，对校正用标记25a以及25b的各自的图像也使用“25a”以及“25b”的参照符号。

另外，在图像处理·运算装置35所具有的存储器中，存储有曲线状的标定曲线，其用于描绘出：X射线照射装置33启动之后的经过时间与由于靶55的变形所产生的通过拍摄装置34所获得的X射线图像的偏移量的关系。图14表示标定曲线的一个例子。另外，虽然只要标定曲线与X以及Y方向的任意一个方向对应就足够，但也可以以与两个方向都对应的方式准备两条标定曲线。

图像处理·运算装置35的构成方式为：根据上述标定曲线来求出内部电极图案22的实际的拍摄时刻的X射线图像的偏移量，在对该偏移量进行校正之后，计算出内部电极图案22的坐标。

接下来，图像处理·运算装置35根据其运算功能对上述图像数据进行运算处理，并将由图像数据所获得的位置信息、即与基准标记形成预定位置相关的信息发送给标记形成机构36，上述基准标记形成预定位置成为表示对陶瓷坯板27所实施的切割的位置的基准标记39(参照图12以及图13)的位置。

标记形成机构36与图像处理·运算装置35连接，根据由图像处理·运算装置35发送来的位置信息、即与基准标记形成预定位置相关的信息，在陶瓷坯板27的上方主面上形成基准标记39。

基准标记39的形成能够使用下列方法：通过照射激光而形成成为基准标记39的由细沟构成的切痕的方法、通过敲击形成成为基准标记39的击打痕迹的方法、或者使用印刷墨水来印刷基准标记39的方法等。特别是在使用激光照射的情况下，与印刷法相比，形成基准标记39所需的面积小。因此，能扩大内部电极图案22的可形成的面积，并且能增加每个陶瓷坯板的获取个数。另外，图12以及图13所示的基准标记39为十字形状，所针对的就是通过激光照射形成的标记。

以下，参照图15对标记形成装置31的操作、即用标记形成装置31进行的位置测定方法以及标记形成方法进行说明。

(1)作为准备阶段，将陶瓷坯板27放置在标记形成装置31所具有的载台32上。

(2)启动位于载台32的下方的X射线照射装置33(图15的步骤S1)。由此，从X射线照射装置33向陶瓷坯板27照射X射线38，成为能够通过配置在载台32的上方的拍摄装置34来检测透过陶瓷坯板27的X射线38的状态。

(3)在X射线照射装置33启动之后经过不确定的时间的第一时刻(T1)，用拍摄装置34拍摄校准标记29，在图像处理·运算装置35中，根据所获得的X射线图像数据，求出校准标记29的第一时刻(T1)的坐标(C1)(图15的步骤S2)。该坐标(C1)是绝对坐标。

(4)在第一时刻(T1)之后经过确定的时间的第二时刻(T2)，用拍摄装置34再次拍摄校准标记29，在图像·运算装置35中，根据所获得的X射线图像数据，求出校准标记29的第二时刻(T2)的坐标(C2)(图15的步骤S3)。该坐标(C2)是绝对坐标。上述确定的时间例如设为10～40秒。

(5)在图像处理·运算装置35中，如图16所示，求出第一时刻(T1)的坐标(C1)和第二时刻(T2)的坐标(C2)。在图16中，第一时刻(T1)与第二时刻(T2)之差用ΔT表示，坐标(C1)与坐标(C2)之差用ΔC表示。

(6)在图像处理·运算装置35中，如图14所示，求出具有与第一时刻(T1)的坐标(C1)和第二时刻(T2)的坐标(C2)的倾斜度相同倾斜度的直线、与曲线状的标定曲线相接的点(C3)。即，求出具有与坐标(C1)和坐标(C2)的倾斜度相同倾斜度的标定曲线上的位置(C3)。并且，求出与该标定曲线上的位置(C3)相应的标定曲线的基准时间(t3)。然后，根据标定曲线的基准时间(t3)，求出实际的基准时间(T3)。由此，能够知道当前在标定曲线的哪个时间带在进行处理。

在此重要的是：不将成为基准的第一时刻(T1)作为X射线照射装置33的启动时间，而求出坐标的倾斜度。在将第一时刻(T1)作为启动时间而根据从该时间经过的时间来求得偏移量的情况下，如果不将X射线照射装置33关掉并使其完全冷却，则不能进行校正，因此，测定效率降低。例如，必须待机30分钟左右。另一方面，根据本实施方式，无需将X射线照射装置33长时间关掉，即使在以比较短的间隔反复进行开启/关掉的状态下，也能够进行校正，因此，测定效率高。

并且，类似地，由于第一时刻(T1)和第二时刻(T2)之间的时间间隔很微小，因此，可以看作T1＝T3，以确定第一时刻(T1)来代替实际的基准时间(T3)。

(7)用拍摄装置34来检测校正用标记25a以及25b(图15的步骤4)。在图像处理·运算装置35进行的图像处理中，如图10所示，将一个校正用标记25a作为相对坐标的原点，将从该校正用标记25a连接另一个校正用标记25b的方向作为X轴，从而规定相对坐标(X，Y)。由此，能够以校正用标记25a作为原点，定义各内部电极图案22的相对坐标(X，Y)。另外，如图11所示，在上述相对坐标(X，Y)在旋转方向上发生了偏移的情况下，能够知道相对于机械性绝对坐标的坐标轴，相对坐标(X，Y)的坐标轴旋转偏移到了什么程度。

(8)通过拍摄装置34检测出内部电极图案22，在图像处理·运算装置35中，生成内部电极图案22的图像数据(图15的步骤S5)。

当进行上述图像处理时，无需将内部电极图案22全部识别。只看以成行以及列的方式排列成矩阵状的内部电极图案22中的位于边缘部以及中央部的内部电极图案22就已足够。例如，如图9所示，只对位于沿着排列了内部电极图案22的区域的边缘的四个边的部分上的内部电极图案22与位于各边的垂直二等分线上的内部电极图案22的合计33个内部电极图案22进行图像识别就足够。

接下来，在图像处理·运算装置35中，根据标定曲线来计算出获取内部电极图案22的X射线图像数据时的X射线图像的偏移量，在对偏移量进行校正之后，计算出陶瓷坯板27内部的各内部电极图案22的坐标。这样，如果知道拍摄内部电极图案22的时刻，则能够以标定曲线为基础预测偏移量。因此，能够进行精确度高的位置测定。

更详细地讲，通过拍摄装置34来拍摄内部电极图案22，将内部电极图案22的拍摄时刻(Tx)与实际的基准时间(T3)之差，相加于标定曲线的基准时间(t3)，求出标定曲线的拍摄时刻(tx)，接下来，从标定曲线的拍摄时刻(tx)的偏移量中减去标定曲线的基准时间(t3)的偏移量。然后，在对该偏移量进行校正之后，计算出陶瓷坯板27内部的各内部电极图案22的坐标。

这样，首先求出各内部电极图案22的相对坐标，针对这些坐标，添加以校准标记29为基础的X射线图像的偏移量的校正，再添加上述以校正用标记25a以及25b为基础的旋转偏移量的校正，最终求出各内部电极图案22的绝对坐标。

参照表1并根据具体例对上述图15的步骤S1～S5进行说明。首先，如“标记检测(1)”所示，在启动X射线照射装置33之后的10秒后的第一时刻(T1)，检测校准标记29所求出的坐标(C1)为“0.010mm”。

接下来，如“标记检测(2)”所示，在启动X射线照射装置33之后的20秒后的第一时刻(T2)检测校准标记29所求出的坐标(C2)为“0.020mm”。

将这些测定结果代入以下公式

t3＝α/{(C2-C1)/(T2-T1)}    …[式1]

则求出“标定曲线上的基准时间(t3)”，该“标定曲线上的基准时间(t3)”相当于具有与第一时刻(T1)的坐标(C1)和第二时刻(T2)的坐标(C2)的倾斜度相同倾斜度的直线、与曲线状的标定曲线相接的点(C3)。在该具体例子中，“标定曲线上的基准时间(t3)为“22秒”。

另外，α是用

An＝α[log{t3+(T×-T1)}-logt3]    …[式2]

这一对数曲线来表示标定曲线时的倾斜系数，在图14所示的标定曲线的情况下，“标定曲线上的倾斜系数(α)”是“0.022”。

接下来，如“从启动开始的拍摄时刻(Tx)”所示，如果在“310秒”之后进行内部电极图案22的测定，则通过将Tx＝310代入上述公式2，求得“0.059mm”作为“校正值(An)”。

并且，如果“对象坐标测定值(Xn)”是“1.000mm”，则通过将“校正值(An)”的“0.059mm”与其相加，而求出“1.059mm”作为“真正的对象坐标”。

(9)如上所述，在求出各内部电极图案22的绝对坐标之后，关掉X射线照射装置33(图15...步骤S6)。

(10)在图像处理·运算装置35中，根据内部电极图案22的相对坐标(X，Y)来计算出图12所示的虚拟切割线40的位置。此时，如图13所示，在内部电极图案22中产生变形的情况下，计算该变形，并计算出在与内部电极图案22之间能够确保最大间隔的虚拟切割线40的位置。

上述虚拟切割线40的两端成为基准标记形成预定位置。根据基准标记形成预定位置的相对坐标来计算出基准标记形成预定位置的机械性绝对坐标。此时，也进行旋转偏移量的校正。另外，载台32的移动距离也得到反映。

(11)移动载台32，从而将陶瓷坯板27移动到图6所示的标记形成机构36，如图12以及图13所示，在基准标记形成预定位置上形成基准标记39(图15的步骤S7)。

基准标记39形成在陶瓷坯板27的上方主面上的外周缘上。在本实施方式中，如上所述，基准标记39是十字形状，通过激光照射而形成。

另外，基准标记39有时不会按照原来指定的坐标那样形成。这是因为：在标记形成装置31内部，在有X射线照射装置33的部位发生了热膨胀的情况下，拍摄装置34与标记形成机构36之间的距离会发生微小的变化。

为了校正该热膨胀引起的偏移，例如，在标记形成机构36中，首先只形成一个基准标记39。而且，该一个基准标记39是在与本来的基准标记39的形成预定位置相隔开的位置上形成的。接下来，再使载台32回到拍摄装置34，利用拍摄装置34拍摄基准标记39，求出热膨胀引起的偏移量。接下来，再使载台32回到标记形成机构36，在已修改了上述偏移量的坐标上形成基准标记39。

当进行这种校正时，基准标记39优选是能够用拍摄装置34拍摄的形状，即优选能够用X射线检测出的形状。因为，通过共同使用拍摄装置34，能够实现标记形成装置31的小型化以及成本降低。例如，通过控制刻下基准标记39的深度，能够调整为能用X射线检测出的程度。

作为图15所示的流程图的变形例，可以利用校准标记检测(1)步骤S2与校准标记检测(2)步骤S3之间的等待时间，来实施内部电极图案测定步骤S5的一部分、例如33个内部电极图案22中的几个内部电极图案22的测定步骤。另外，校正用标记检测步骤S4也同样可以利用校准标记检测(1)步骤S2与校准标记检测(2)步骤S3之间的等待时间来实施，或者，也可以在校准标记检测(1)步骤S2之前实施。

在如上所述通过标记形成装置31形成基准标记39之后，对陶瓷坯板27进行规定的加工，更具体讲，利用图6所示的切割装置37实施切割加工。即，将载台32与陶瓷坯板27一同移送到切割装置37，用切割刀41切割陶瓷坯板27，获得成为叠层陶瓷电容器1的部件主体2的多片陶瓷生芯片。

在切割装置37中，利用切割用拍摄装置42来拍摄基准标记39，且将其图像数据发送到切割用图像处理·运算装置43，计算出虚拟切割线40的位置。在此，由于应分析的图像数据的量很少，因此处理速度很快。

然后，烧结陶瓷生芯片，获得经烧结后的部件主体2。接下来，通过在部件主体2的两个端面涂覆导电性糊膏并进行烧接，从而形成外部电极18以及19，获得叠层陶瓷电容器1。

另外，在上述实施方式中，虽然作为基准标记形成后的加工举出了切割加工的例子，但也能够进行位置对齐、通孔形成以及其他的加工。

Claims (9)

1.一种位置测定装置，用于测定设置在主体内部的工件的坐标，其特征为，具有：

载台，其用于放置上述主体；

X射线照射装置，其包括生成电子的阴极、和通过由上述阴极所生成的电子进行碰撞而产生X射线的靶，且向上述载台照射X射线；

拍摄装置，其对自上述X射线照射装置照射而透过位于上述载台上的上述主体的X射线进行检测，生成上述主体内部的上述工件的X射线图像数据；和

运算装置，其通过对从上述拍摄装置发送来的上述X射线图像数据进行处理，来计算上述主体内部的上述工件的坐标，

上述运算装置中存储有曲线状的标定曲线，该标定曲线描绘了上述X射线照射装置启动之后的经过时间、与由于上述靶的变形所产生的通过上述拍摄装置所获得的X射线图像的偏移量的关系，

上述运算装置构成为：根据上述标定曲线，求出由于在上述工件的拍摄时刻的上述靶的变形而产生的通过上述拍摄装置所获得的X射线图像的偏移量，并且在对该偏移量进行校正之后，计算上述主体内部的上述工件的坐标，

上述位置测定装置，在上述载台上形成有校准标记，且进行以下操作：

(1)在上述X射线照射装置启动之后经过了不确定的时间的第一时刻，利用上述拍摄装置拍摄上述校准标记，在上述运算装置中，根据所获得的X射线图像数据，求出上述校准标记的第一时刻的坐标；

(2)在从上述第一时刻起经过了确定的时间的第二时刻，利用上述拍摄装置再次拍摄上述校准标记，在上述运算装置中，根据所获得的X射线图像数据，求出上述校准标记的第二时刻的坐标；

(3)在上述运算装置中，求出具有与上述第一时刻的坐标和上述第二时刻的坐标的倾斜度相同的倾斜度的上述标定曲线上的位置，并求出与上述标定曲线上的位置相应的上述标定曲线上的基准时间，接着，根据上述标定曲线上的上述基准时间，求出实际的基准时间；

(4)利用上述拍摄装置拍摄上述主体内部的上述工件，将上述工件的X射线图像数据的拍摄时刻与上述实际的基准时间之差，相加于上述标定曲线上的上述基准时间，求出上述标定曲线上的拍摄时刻，接着，从上述标定曲线上的拍摄时刻的偏移量中减去上述标定曲线上的上述基准时间的偏移量；以及

(5)在校正上述偏移量之后，计算上述主体内部的上述工件的坐标。

2.一种位置测定方法，用于测定配置在主体内部的工件的坐标，其特征为，具有：

将上述主体放置在载台上的工序；

利用X射线照射装置向上述主体照射X射线的工序；

利用拍摄装置检测透过上述主体的X射线，并生成上述主体内部的上述工件的X射线图像数据的工序；以及

通过对上述X射线图像数据进行处理，来计算上述主体内部的上述工件的坐标的工序，

上述X射线照射装置包括生成电子的阴极、和通过由上述阴极所生成的电子进行碰撞而产生X射线的靶，

上述位置测定方法还具有生成曲线状的标定曲线的工序，该曲线状的标定曲线描绘了X射线照射装置启动之后的经过时间、与由于上述靶的变形所产生的通过上述拍摄装置所获得的X射线图像的偏移量的关系，

计算上述工件的坐标的工序包括：根据上述标定曲线来求出由于上述工件的拍摄时刻的上述靶的变形所产生的通过上述拍摄装置所获得的X射线图像的偏移量，且在对该偏移量进行校正之后，计算上述主体内部的上述工件的坐标的工序，

在上述载台上形成有校准标记，且计算上述工件的坐标的工序包括以下工序：

(1)在上述X射线照射装置启动之后经过了不确定的时间的第一时刻，利用上述拍摄装置拍摄上述校准标记，在运算装置中，根据所获得的X射线图像数据，求出上述校准标记的第一时刻的坐标的工序；

(2)在从上述第一时刻起经过了确定的时间的第二时刻，利用上述拍摄装置再次拍摄上述校准标记，在上述运算装置中，根据所获得的X射线图像数据，求出上述校准标记的第二时刻的坐标的工序；

(3)在上述运算装置中，求出具有与上述第一时刻的坐标和上述第二时刻的坐标的倾斜度相同的倾斜度的上述标定曲线上的位置，并求出与上述标定曲线上的位置相应的上述标定曲线上的基准时间，接着，根据上述标定曲线上的上述基准时间，求出实际的基准时间的工序；

(4)利用上述拍摄装置拍摄上述主体内部的上述工件，将上述工件的X射线图像数据的拍摄时刻与上述实际的基准时间之差，相加于上述标定曲线上的上述基准时间，求出上述标定曲线上的拍摄时刻，接着，从上述标定曲线上的拍摄时刻的偏移量中减去上述标定曲线上的上述基准时间的偏移量的工序；以及

(5)在校正上述偏移量之后，计算上述主体内部的上述工件的坐标的工序。

3.一种标记形成装置，用于在与配置在主体内部的工件的坐标相关联的位置上形成基准标记，其特征为，具有：

载台，其用于放置上述主体；

X射线照射装置，其包括生成电子的阴极、和通过由上述阴极所生成的电子进行碰撞而产生X射线的靶，并向上述载台照射X射线；

拍摄装置，其对自上述X射线照射装置照射而透过位于上述载台上的上述主体的X射线进行检测，生成上述主体内部的上述工件的X射线图像数据；

运算装置，其通过对从上述拍摄装置发送来的上述X射线图像数据进行处理，来计算上述主体内部的上述工件的坐标，并且根据上述工件的坐标，计算成为上述基准标记的位置的基准标记形成预定位置；和

基准标记形成机构，其在上述主体的通过上述运算装置所计算出的上述基准标记形成预定位置上，形成上述基准标记，

上述运算装置中存储有曲线状的标定曲线，该标定曲线描绘了上述X射线照射装置启动之后的经过时间、与由于上述靶的变形所产生的通过上述拍摄装置所获得的X射线图像的偏移量的关系，

上述运算装置构成为：根据上述标定曲线，求出由于在上述工件的拍摄时刻的上述靶的变形而产生的通过上述拍摄装置所获得的X射线图像的偏移量，并且在对该偏移量进行校正之后，计算上述主体内部的上述工件的坐标，

上述标记形成装置，在上述载台上形成有校准标记，且为了计算上述工件的坐标而进行以下操作：

(1)在上述X射线照射装置启动之后经过了不确定的时间的第一时刻，利用上述拍摄装置拍摄上述校准标记，在上述运算装置中，根据所获得的X射线图像数据，求出上述校准标记的第一时刻的坐标；

(2)在从上述第一时刻起经过了确定的时间的第二时刻，利用上述拍摄装置再次拍摄上述校准标记，在上述运算装置中，根据所获得的X射线图像数据，求出上述校准标记的第二时刻的坐标；

(3)在上述运算装置中，求出具有与上述第一时刻的坐标和上述第二时刻的坐标的倾斜度相同的倾斜度的上述标定曲线上的位置，并求出与上述标定曲线上的位置相应的上述标定曲线上的基准时间，接着，根据上述标定曲线上的上述基准时间，求出实际的基准时间；

(4)利用上述拍摄装置拍摄上述主体内部的上述工件，将上述工件的X射线图像数据的拍摄时刻与上述实际的基准时间之差，相加于上述标定曲线上的上述基准时间，求出上述标定曲线上的拍摄时刻，接着，从上述标定曲线上的拍摄时刻的偏移量中减去上述标定曲线上的上述基准时间的偏移量；以及

(5)在校正上述偏移量之后，计算上述主体内部的上述工件的坐标。

4.根据权利要求3所述的标记形成装置，其特征为，

上述主体是陶瓷坯板，该陶瓷坯板由叠层的多片陶瓷生片构成、且在内部配置有未烧结的内部电极图案，

上述工件是上述内部电极图案。

5.根据权利要求3所述的标记形成装置，其特征为，

上述载台构成为能够在上述拍摄装置与上述基准标记形成机构之间移动。

6.根据权利要求4所述的标记形成装置，其特征为，

上述载台构成为能够在上述拍摄装置与上述基准标记形成机构之间移动。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的标记形成装置，其特征为，

上述载台、上述X射线照射装置、上述拍摄装置以及上述基准标记形成机构被收纳在一个壳体内。

8.一种标记形成方法，用于在与配置在主体内部的工件的坐标相关联的位置上形成基准标记，其特征为，具有：

将上述主体放置在载台上的工序；

利用X射线照射装置向上述主体照射X射线的工序；

利用拍摄装置检测透过上述主体的X射线，并生成上述主体内部的上述工件的X射线图像数据的工序；

通过对上述X射线图像数据进行处理，来计算上述主体内部的上述工件的坐标，并且根据上述工件的坐标，计算成为上述基准标记的位置的基准标记形成预定位置的工序；

在上述主体的上述基准标记形成预定位置上，形成上述基准标记的工序；以及

根据上述基准标记，对上述主体进行规定的加工的工序，

上述X射线照射装置包括生成电子的阴极、和由上述阴极所生成的电子进行碰撞而产生X射线的靶，

上述标记形成方法还具有生成曲线状的标定曲线的工序，该曲线状的标定曲线描绘了X射线照射装置启动之后的经过时间、与由于上述靶的变形所产生的通过上述拍摄装置所获得的X射线图像的偏移量的关系，

计算上述工件的坐标的工序包括：根据上述标定曲线来求出由于上述工件的拍摄时刻的上述靶的变形所产生的通过上述拍摄装置所获得的X射线图像的偏移量，且在对该偏移量进行校正之后，计算上述主体内部的上述工件的坐标的工序，

在上述载台上形成有校准标记，且计算上述工件的坐标的工序包括以下工序：

(1)在上述X射线照射装置启动之后经过了不确定的时间的第一时刻，利用上述拍摄装置拍摄上述校准标记，在运算装置中，根据所获得的X射线图像数据，求出上述校准标记的第一时刻的坐标的工序；

(2)在从上述第一时刻起经过了确定的时间的第二时刻，利用上述拍摄装置再次拍摄上述校准标记，在上述运算装置中，根据所获得的X射线图像数据，求出上述校准标记的第二时刻的坐标的工序；

(3)在上述运算装置中，求出具有与上述第一时刻的坐标和上述第二时刻的坐标的倾斜度相同的倾斜度的上述标定曲线上的位置，并求出与上述标定曲线上的位置相应的上述标定曲线上的基准时间，接着，根据上述标定曲线上的上述基准时间，求出实际的基准时间的工序；

(4)利用上述拍摄装置拍摄上述主体内部的上述工件，将上述工件的X射线图像数据的拍摄时刻与上述实际的基准时间之差，相加于上述标定曲线上的上述基准时间，求出上述标定曲线上的拍摄时刻，接着，从上述标定曲线上的拍摄时刻的偏移量中减去上述标定曲线上的上述基准时间的偏移量的工序；以及

(5)在校正上述偏移量之后，计算上述主体内部的上述工件的坐标的工序。

9.根据权利要求8所述的标记形成方法，其特征为，

上述规定的加工是指在与上述工件的位置相关联的位置上切割上述主体。