CN102544322A - 白色光led及其封装工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种白色光LED的封装工艺，其包括固晶步骤，焊线步骤，制胶步骤，点胶步骤，荧光粉沉淀步骤及凝胶步骤，所述荧光粉沉淀步骤采用离心沉淀法、烘烤沉淀法或室温自然沉淀法中的一种或多种方法组合，使荧光胶在反射杯内分为位于上层的封装胶层和位于下层的覆盖着LED芯片的荧光粉层，使荧光胶中至少大部分荧光粉沉淀于荧光粉层；所述凝胶步骤是将沉淀后的反射杯继续置于烘箱中烘烤，使反射杯内的封装胶凝固，待凝固后再取出反射杯。本发明主要解决现有的白色光LED的封装工艺其生成的白色光LED光色的一致性较差的问题；达到使生成的白色光LED光色的一致性较好的目的。

Description

白色光LED及其封装工艺
技术领域
本发明涉及一种白色光LED及其封装工艺。
背景技术
现有技术中，白色光LED的封装工艺步骤一般包括固晶步骤→焊线步骤→制胶步骤→点胶步骤。点胶步骤是在设于支架的反射杯内的LED芯片周围包覆荧光胶，荧光胶是由荧光粉加封装胶混合而成的。在点胶步骤中，由于封装胶的粘度变化差异，荧光粉的颗粒大小差异，点胶时间的不同，均会影响到荧光粉在荧光胶中的分布位置和密度，进而会导致白光LED发光颜色的差异，现有的LED封装方法，由于没有控制好荧光粉的分布位置，采用这种方法生成的LED，其光色一致性较差。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种白色光LED的封装工艺，使白色光LED光色的一致性较好。
本发明所要进一步解决的技术问题是：提供一种白色光LED，其光色的一致性较好。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：一种白色光LED的封装工艺，包括如下步骤：
固晶步骤：将蓝色光LED芯片装置于设有反射杯的支架底部预定位置；
焊线步骤：使LED芯片与引入到反射杯内的支架的电极电连接；
制胶步骤：将封装胶和荧光粉调配混合均匀制成荧光胶；
点胶步骤：将所述荧光胶点到反射杯中，以覆盖住LED芯片；
荧光粉沉淀步骤：采用离心沉淀法、烘烤沉淀法或室温自然沉淀法中的一种或多种方法组合，使荧光胶分为位于上层的封装胶层和位于下层的覆盖着LED芯片的荧光粉层，使荧光胶中至少大部分荧光粉沉淀于荧光粉层；
凝胶步骤：将沉淀后的支架继续置于烘箱中烘烤，使反射杯内的封装胶凝固，待凝固后再取出支架。
进一步地，所述荧光粉沉淀步骤采用离心沉淀法，该离心沉淀法是指将完成点胶后的支架正立置于离心设备中用离心方法沉淀。
进一步地，所述荧光粉沉淀步骤或采用烘烤沉淀法，该烘烤沉淀法是指将完成点胶后的支架正立放入烘箱内烘烤沉淀，其烘烤温度控制在中40-90摄氏度，烘烤时间为1-2小时。
进一步地，所述荧光粉沉淀步骤或采用室温自然沉淀法，该室温自然沉淀法是指将完成点胶后的支架正立置于室温下放置使荧光粉自然沉淀，室温放置时间为1-4小时。
进一步地，所述凝胶步骤的烘烤温度为130-160摄氏度，烘烤时间为2-4小时。
进一步地，所述封装胶为硅胶或环氧树脂。
为进一步解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：一种采用如前述的白色光LED的封装工艺制成的白色光LED，包括形成于支架内的反射杯、固定于该反射杯空腔底部的LED芯片及覆盖着LED芯片的荧光胶，该荧光胶由荧光粉和封装胶混合而成，所述荧光胶成型后分为两层，其上层由大部分封装胶凝固而成封装胶层，其下层由大部分荧光粉凝固而成荧光粉层，该荧光粉层覆盖着所述LED芯片。
本发明的有益效果是：采用包括荧光粉沉淀步骤的这种白色LED的封装工艺，使得点胶后的荧光胶分为上下两层，其上层由大部分封装胶凝固而成封装胶层，其下层由大部分荧光粉凝固而成荧光粉层，由该荧光粉层覆盖着所述LED芯片，荧光粉集中在一层，其密度均匀，使得这种封装工艺生成的白色光LED的光色一致性较好。
下面结合附图对本发明作进一步的详细描述。
附图说明
图1是本发明实施例白色光LED的封装工艺生成的白色光LED的示意图。
图2是本发明实施例白色光LED的封装工艺的示意图。
具体实施方式
如图1所示，为采用本发明实施例白色光LED的封装工艺制成的白色光LED，该白色光LED包括形成于支架4内的反射杯1、设于该反射杯1空腔底部的LED芯片2及覆盖着LED芯片2的荧光胶3，所述LED芯片为蓝色光芯片，该荧光胶3由荧光粉31和封装胶32混合而成，所述荧光胶3成型后分为两层，其上层由大部分封装胶32凝固而成封装胶层，其下层由大部分荧光粉31凝固而成荧光粉层，由该荧光粉层覆盖着所述LED芯片2。
如图2所示，本发明实施例白色光LED的封装工艺步骤流程图，其包括如下步骤：
固晶步骤：将LED芯片2装设于支架4的反射杯1空腔底部预定位置；
焊线步骤：使LED芯片2与引入到反射杯1内的支架4的电极电连接；
制胶步骤：将荧光粉31和封装胶32调配混合均匀制成荧光胶3，该封装胶32为硅胶或环氧树脂；
点胶步骤：将所述荧光胶3点到反射杯1中，以覆盖住LED芯片；
荧光粉沉淀步骤：采用离心沉淀法，将点好的荧光胶3连同反射杯1正立置于离心设备中用离心沉淀法使荧光胶3分为位于上层的封装胶层和位于下层的覆盖着LED芯片的荧光粉层，使混合在荧光胶3内的大部分荧光粉31沉淀于荧光粉层，使荧光胶3中百分之七十以上的荧光粉31沉淀在反射杯1的腔体深度的二分之一以下。
凝胶步骤：将沉淀后的反射杯1继续置于烘箱中烘烤，使反射杯1内的封装胶32凝固，待凝固后再取出反射杯1。至此，全部工艺完成。
所述凝胶步骤的烘烤温度为130-160摄氏度，烘烤时间为2-4小时。
可替换的，所述荧光粉沉淀步骤或是这样，采用烘烤沉淀法，将完成点胶的反射杯1正立放入烘箱内烘烤沉淀凝固，使荧光胶3分为位于上层的封装胶层和位于下层的覆盖着LED芯片的荧光粉层，使混合在荧光胶3内的大部分荧光粉31沉淀于荧光粉层；由于荧光粉31的密度较大，荧光胶3里的荧光粉31会自然下沉，烘烤温度控制在中40-90摄氏度，烘烤时间为1-2小时，因为硅胶或者环氧树脂在40-90摄氏度时的粘度较低，即在此温度下，荧光胶3混合着的荧光粉31的沉淀速度是很快的，加速了速荧粉31的沉淀。
可替换的，所述荧光粉沉淀步骤或是这样，采用室温自然沉淀法，将点好的荧光胶连同反射杯正立置于室温下放置1-4小时，让荧光粉31有足够的时间来沉淀，使荧光胶3分为位于上层的封装胶层和位于下层的覆盖着LED芯片的荧光粉层，使混合在荧光胶3内的大部分荧光粉31沉淀于荧光粉层。
通过所述离心沉淀法、烘烤沉淀法或室温自然沉淀法中其中之一所述的荧光粉沉淀步骤，实现荧光胶3中百分之七十以上的荧光粉31沉淀在反射杯1的腔体深度的二分之一以下。采用这三种方法时，荧光粉31的沉淀速度最快的是离心沉淀法，其次是烘烤沉淀法，最后才是室温自然沉淀法，用户可根据实际情况选用其中一种或多种方法进行组合使用。
以上所述是本发明的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种白色光LED的封装工艺，其特征在于，包括如下步骤：
固晶步骤：将蓝色光LED芯片装置于设有反射杯的支架底部预定位置；
焊线步骤：使LED芯片与引入到反射杯内的支架的电极电连接；
制胶步骤：将封装胶和荧光粉调配混合均匀制成荧光胶；
点胶步骤：将所述荧光胶点到反射杯中，以覆盖住LED芯片；
荧光粉沉淀步骤：采用离心沉淀法、烘烤沉淀法或室温自然沉淀法中的一种或多种方法组合，使荧光胶分为位于上层的封装胶层和位于下层的覆盖着LED芯片的荧光粉层，使荧光胶中至少大部分荧光粉沉淀于荧光粉层；
凝胶步骤：将沉淀后的支架继续置于烘箱中烘烤，使反射杯内的封转胶凝固，待凝固后再取出支架。
2.如权利要求1所述的白色光LED的封装工艺，其特征在于：所述荧光粉沉淀步骤采用离心沉淀法，该离心沉淀法是指将完成点胶后的支架正立置于离心设备中用离心方法沉淀。
3.如权利要求1所述的白色光LED的封装工艺，其特征在于：所述荧光粉沉淀步骤或采用烘烤沉淀法，该烘烤沉淀法是指将完成点胶后的支架正立放入烘箱内烘烤沉淀，其烘烤温度控制在中40-90摄氏度，烘烤时间为1-2小时。
4.如权利要求1所述的白色光LED的封装工艺，其特征在于：所述荧光粉沉淀步骤或采用室温自然沉淀法，该室温自然沉淀法是指将完成点胶后的支架正立置于室温下放置使荧光粉自然沉淀，室温放置时间为1-4小时。
5.如权利要求1所述的白色光LED的封装工艺，其特征在于：所述凝胶步骤的烘烤温度为130-160摄氏度，烘烤时间为2-4小时。
6.如权利要求1所述的白色光LED的封装工艺，其特征在于：所述封装胶为硅胶或环氧树脂。
7.一种由权利要求1至6任一项所述的白色光LED的封装工艺制成的白色光LED，包括形成于支架内的反射杯、固定于该反射杯空腔底部的LED芯片及覆盖着LED芯片的荧光胶，该荧光胶由荧光粉和封装胶混合而成，其特征在于：所述荧光胶成型后分为两层，其上层由大部分封装胶凝固而成封装胶层，其下层由大部分荧光粉凝固而成荧光粉层，该荧光粉层覆盖着所述LED芯片。
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