CN102522493B - 压电纳米线的叠层结构及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种压电纳米线的叠层结构，包括：第一导电层；第一导电层上压电层，所述压电层包括由多条压电纳米线形成的堆叠；压电层上的第二导电层。通过将多条压电纳米线堆叠后形成压电层，从而形成了压电纳米线自串联的结构，在受到压力弯曲时，其压电效应产生的电压串联，因此输出了更高的电压，此外，第一导电层和第二导电层便于将压电信号引出，并保护了压电层，便于将压电纳米线叠层结构应用于各种器件的制造。
Description
技术领域
本发明涉及压电器件及制造技术，更具体地说，涉及一种压电纳米线的叠层结构及其制造方法。
背景技术
压电材料是受到压力作用时会在两端面间出现电势差的晶体材料，广泛应用于MEMS(Micro Electromechanical System，微电子机械***)领域，例如压力、震动传感器，甚至微型发电机等。
近年来的研究发现，垂直生长的压电材料氧化锌纳米棒(或称氧化锌纳米线)在受到侧向外力作用弯曲时具有压电特性。氧化锌纳米棒的横截面为正六边形，当纳米棒受力被压弯时，向外部分受到拉伸，向内部分受到挤压。由压电原理知道，拉伸和挤压将产生方向相反的电场，也就是沿轴向方向在中分面两侧将产生方向相反的两个电场。因此，无论向何方向弯曲，横截面上部始终为正电位，下部为负电位，中分面与生长衬底相连接为零电位，截面上部的正电位大小与纳米棒弯曲的程度成正比例，弯曲越大，电位越高。根据研究，长度在1微米左右，直径在40至80纳米的氧化锌纳米棒的电压在扣除由于接触生成的肖特基二极管上的正向压降外，输出电压在5至50微伏之间，内阻在几十到几百kΩ左右。
然而，单根纳米棒产生的电压一般为几十毫伏，电流在几皮安左右，电压和电流都太小，远不足以驱动通常的电子***。一般地，通过纳米棒阵列并联的方法来扩大面积，增加参与的纳米棒数量，从而增加电流。而增加电压是十分困难的，需要将纳米棒串连起来，但纳米棒的尺度太小，现在工艺很难做得到。
因此，有必要提出一种具有大的压电电压纳米棒结构和其制造方法。
发明内容
本发明实施例提供了一种压电纳米线的叠层结构，具有大的压电电压，且易于实现。
为实现上述目的，本发明实施例提供了如下技术方案：
一种压电纳米线的叠层结构，包括：
第一导电层；
第一导电层上压电层，所述压电层包括由多条压电纳米线形成的堆叠；
压电层上的第二导电层。
可选地，所述压电纳米线的材料为氧化锌、二氧化硅或四氧硫化镓。
可选地，所述压电纳米线的直径为10nm-100um。
可选地，所述压电纳米线的长度为300nm-10mm。
可选地，所述压电层的厚度为500nm-10000um。
可选地，所述堆叠中的压电纳米线基本上有序或无序地平行于与第一导电面排列。
可选地，所述第一导电层和第二导电层的厚度为100nm-10mm。
此外，本发明还提供了一种压电纳米线的叠层结构的制造方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上生长压电纳米线；
将压电纳米线从衬底上剥离；
将多条压电纳米线堆叠后进行压合，以形成压电层；
在压电层相对的表面上分别形成第一导电层和第二导电层。
可选地，将多条压电纳米线堆叠后进行压合的步骤包括：
将剥离后的压电纳米线浸泡在挥发性液体中；
将包含多条压电纳米线的挥发性液体倒于第一衬垫片上，在挥发性液体挥发后，将第二衬垫片放置于压电纳米线之上；
从第一衬垫片及第二衬垫片施加压力进行压合，以形成由多条压电纳米线堆叠而成的压电层；
去除第一衬垫片及第二衬垫片。
可选地，将多条压电纳米线堆叠后进行压合的步骤包括：
将剥离后的压电纳米线浸泡在过滤液体中；
通过过滤膜将过滤液体去除；
从过滤膜上将压电纳米线剥离并将压电纳米线堆叠在第一衬垫片上，并将第二衬垫片放置于压电纳米线之上；
从第一衬垫片及第二衬垫片施加压力进行压合，以形成由多条压电纳米线堆叠而成的压电层；
去除第一衬垫片及第二衬垫片。
可选地，所述压电纳米线的材料为氧化锌、二氧化硅或四氧硫化镓。
与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：
本发明实施例的压电纳米线的叠层结构，通过将多条压电纳米线堆叠后形成压电层，从而形成了压电纳米线自串联的结构，在受到压力弯曲时，其压电效应产生的电压串联，因此输出了更高的电压，此外，第一导电层和第二导电层便于将压电信号引出，并保护了压电层，便于将压电纳米线的叠层结构应用于各种器件的制造。
附图说明
通过附图所示，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1为本发明的压电纳米线的叠层结构的结构示意图；
图2为压电纳米线的堆叠的升压原理图；
图3为本发明的压电纳米线的叠层结构的横截面的自升压原理图；
图4为根据本发明实施例定向输出电压的压电纳米线的叠层结构的形变状态示意图；
图5为根据本发明实施例无输出电压的压电纳米线的叠层结构的形变状态示意图；
图6为根据本发明实施例的全向输出电压的压电纳米线的叠层结构的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
正如背景技术中的描述，单条的氧化锌纳米线产生的电压很小，不足以驱动电子器件工作，而将纳米线串联起来增大输出电压在工艺上很难实现。在本发明中，通过将压电纳米线的堆叠起来形成压电层，从而在截面上形成自串联的层叠结构，从而提高输出电压，如图1所示，为本发明中的压电纳米线堆叠的升压原理图，图例中为压电纳米线101有序地堆叠在一起的理想情况，在压电纳米线101弯曲时，每一根压电纳米线101在轴向的上部都受到拉伸产生正电位，在轴向的下部都受到挤压产生负电位，由于压电纳米线101堆叠在一起而使压电纳米线的轴向的表面相互接触，从而使输出电压串联，若每条压电纳米线101的输出电压102为V，在堆叠的横截面上的输出电压103串联电压nV，从而通过这种自串联的方式实现了整体输出电压的升高。
基于上述原理，本发明提出了一种压电纳米线的叠层结构，通过将多条压电纳米线堆叠后形成压电层，从而形成了压电纳米线自串联的结构，并且在压电层的上下表面上分别形成导电层，通过导电层可以将输出电压信号引出，并保护了压电层，便于将压电纳米线的叠层结构应用于各种器件的制造。参考图2-5所示，该压电纳米线的叠层结构包括：
第一导电层201；
第一导电层201上压电层202，所述压电层包括由多条压电纳米线202i形成的堆叠；
压电层202上的第二导电层203。
在本发明中，所述压电纳米线也可称作压电纳米棒，为具有压电特性材料的纳米线，压电材料可以为氧化锌、二氧化硅、四氧硫化镓或其他具有压电特性的材料。通常地，纳米线或纳米棒为具有在径向上被限制在纳米尺度(长度没有限制)的一维结构，目前，典型的纳米线为直径在十几纳米到数百纳米、长度在数微米到几十微米或更长的一维材料。在本发明的实施例中，所述压电纳米线的直径可以为10nm-100um，压电纳米线可以为1um-10mm，或者其他合适的尺寸。
可选地，在压电纳米线之间还具有其他有机或无机材料，以提高该结构的性能或工艺过程中的可制造性，例如还可以具有各向异性导电胶，该各向异性导电胶即有粘接的作用，又有只在受压才表现出导电性的特性，使压电纳米线间接触更为紧密。
其中，压电纳米线具有基本一致的长度，其长度通常是越长越好，长的纳米线便于交织和堆叠，过短会造成非水平的堆叠而减少压电效应的输出效率，在本发明的实施例中，压电纳米线的长度可以为300nm-10mm，或其他合适的长度。
其中，所述第一导电层和第二导电层可以为相同或不同的导电材料，导电材料例如单金属材料、多金属复合材料、合金材料或导电有机材料等等，所述第一导电层和第二导电层可以具有相同或不同的厚度，其厚度范围可以为100nm-10mm。所述第一导电层和第二导电层分别形成在压电层相对的表面上，通过该第一和第二导电层将压电层的电压信号引出，并对压电层提供物理支撑，使整个压电层成型，便于后续应用于各种器件的制造，也为压电层提供了保护，使其不受外界的污染和损坏等。
其中，参考图4所示，所述压电层可以为由所述压电纳米线基本上有序排列形成的堆叠。也就是说，在压电层中，压电纳米线402的径向取向基本一致，堆叠中至少大多数的压电纳米线有序地与第一导电面平行地排列，对于该纳米线有序排列的叠层结构，其输出电压为定向输出，也就是说输出电压与该结构的形变方向相关，输出电压的大小与形变大小有关，在该结构的形变面的法向在纳米线402的径向与该结构未形变时的法向面内时，如图4所示，该结构的输出为最大；在该结构的形变面的法向在纳米线502的径向与该结构未形变时的法向相垂直的面内时，如图5所示，该结构无输出，其他任何位置的形变产生的输出界于这两者之间，与具体形变的方向有关。
其中，由压电纳米线堆叠形成的压电层的厚度为500nm-10000um，或者其他合适的厚度，可以根据具体的设计需要和制造工艺来确定所要形成的压电层的厚度。
参考图6所示，所述压电层可以为由所述压电纳米线基本无序排列形成的堆叠，也就是说，在压电层中，压电纳米线602的径向取向是杂乱的，堆叠中的至少大多数的压电纳米线无序地平行于第一导电层排列，对于该纳米线无序排列的叠层结构，其输出电压为不定向输出，虽然纳米线为杂乱堆叠形成压电层的，但纳米线间仍然是接触的，仍可以通过自串联的方式实现整体结构输出电压的升高。对于该纳米线无序排列的叠层结构，其输出电压与形变方向无关，如图6所示。
需要说明的是，对于压电层中的压电纳米线，理想的状态为全部的压电纳米线都平行于第一导电层排列并有序地堆叠形成压电层，而由于制造工艺的限制，该理想状态并不易实现，但大多数的压电纳米线平行于第一导电层排列并有序或无序地堆叠形成的压电层，同样可以达到本发明的目的。
以上对本发明的压电纳米线的叠层结构的技术方案和效果进行了详细的描述，此外，本发明还提供了上述结构的制造方法，该方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上生长压电纳米线；
将压电纳米线从衬底上剥离；
将多条压电纳米线堆叠后进行压合，以形成压电层；
在压电层相对的表面上分别形成第一导电层和第二导电层。
为了更好地理解本发明，以下将根据该制造方法的流程对具体实施例的制造过程进行详细的描述。
在步骤S01，提供衬底。
在此实施例中，提供硅衬底，所述硅衬底为用于形成压电纳米线的基底，所述硅衬底已进行过清洗处理等前期操作。
在步骤S102，在所述衬底上生长压电纳米线。
可以通过任何合适的方法形成其他所需的压电纳米线。
在此实施例中，采用蒸发法在硅衬底上形成氧化锌的纳米线，氧化锌的纳米线的长度基本一致，在此实施例中，长度可以为10um-100um。
在步骤S103，将压电纳米线从衬底上剥离。
在此实施例中，将氧化锌的纳米线从硅衬底上刮下。
在步骤S104，将多条压电纳米线堆叠后进行压合，以形成压电层。
具体地，在一个实施例中通过挥发法来制作压电层，具体地：
首先，将剥离后的压电纳米线浸泡在挥发性液体中。
在此实施例中，将刮下的氧化锌的纳米线浸泡在挥发性液体但不溶解氧化锌的液体中，例如酒精。
而后，将包含多条压电纳米线的挥发性液体倒于第一衬垫片上，使压电纳米线堆叠在一起，在挥发性液体挥发后，将第二衬垫片放置于压电纳米线的堆叠之上。
所述第一和第二衬垫片用于支撑多条压电纳米线的堆叠的基片，并用于后续压合工艺的衬垫。在此实施例中，所述第一和第二衬垫片为硅片，氧化锌纳米线杂乱地堆置在第一衬垫片上，第二衬垫片覆盖在氧化锌纳米线之上。
而后，从第一衬垫片及第二衬垫片施加压力进行压合，以形成由多条压电纳米线堆叠而成的压电层。
可选地，在此步骤中，还可以采用过滤法来制作该压电层，具体地：
首先，将剥离后的压电纳米线浸泡在过滤液体中，过滤液体例如水，压电纳米线例如氧化锌纳米线。
而后，通过过滤膜将过滤液体去除，这样，压电纳米线堆置在了过滤膜上。
而后，从过滤膜上将压电纳米线剥离并将压电纳米线堆叠在第一衬垫片上，并将第二衬垫片放置于压电纳米线之上，第一和第二衬垫片例如硅片。
而后，同挥发法的制作步骤，从第一衬垫片及第二衬垫片施加压力进行压合，以形成由多条压电纳米线堆叠而成的压电层，以及去除第一衬垫片及第二衬垫片。
在此实施例中，可以将上述结构放置于高压设备中进行压合成膜工艺，压合后的压电纳米线的堆叠紧密集成在一起，形成压电纳米线堆叠而成的压电层。根据需要，在压合工艺中，还可以进行抽真空或加热的操作，以更好地进行压合。
而后，除去第一衬垫片和第二衬垫片。
在步骤S105，在压电层相对的表面上分别形成第一导电层和第二导电层。
在此实施例中，可以对上述压电层进行两面金属溅射，在压电层相对的两个表面上镀上金属，从而形成第一和第二导电层。
至此，形成了本发明实施例的压电纳米线的叠层结构。
以上为本发明的较佳实施例，本发明并不限于此。
虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (10)
1.一种压电纳米线的叠层结构，其特征在于，包括：
第一导电层；
第一导电层上压电层，所述压电层包括由多条压电纳米线形成的堆叠；
压电层上的第二导电层。
2.根据权利要求1所述的叠层结构，其特征在于，所述压电纳米线的材料为氧化锌、二氧化硅或四氧硫化镓。
3.根据权利要求1所述的叠层结构，其特征在于，所述压电纳米线的直径为10nm-100um。
4.根据权利要求1所述的叠层结构，其特征在于，所述压电纳米线的长度为300nm-10mm。
5.根据权利要求1所述的叠层结构，其特征在于，所述压电层的厚度为500nm-10000um。
6.根据权利要求1所述的叠层结构，其特征在于，所述第一导电层和第二导电层的厚度为100nm-10mm。
7.一种压电纳米线的叠层结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上生长压电纳米线；
将多条压电纳米线从衬底上剥离；
将多条压电纳米线堆叠后进行压合，以形成压电层；
在压电层相对的表面上分别形成第一导电层和第二导电层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，将多条压电纳米线堆叠后进行压合的步骤包括：
将剥离后的压电纳米线浸泡在挥发性液体中；
将包含多条压电纳米线的挥发性液体倒于第一衬垫片上，在挥发性液体挥发后，将第二衬垫片放置于压电纳米线之上；
从第一衬垫片及第二衬垫片施加压力进行压合，以形成由多条压电纳米线堆叠而成的压电层；
去除第一衬垫片及第二衬垫片；
其中，所述挥发性液体不溶解所述压电纳米线。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，将多条压电纳米线堆叠后进行压合的步骤包括：
将剥离后的压电纳米线浸泡在过滤液体中；
通过过滤膜将过滤液体去除；
从过滤膜上将压电纳米线剥离并将压电纳米线堆叠在第一衬垫片上，并将第二衬垫片放置于压电纳米线之上；
从第一衬垫片及第二衬垫片施加压力进行压合，以形成由多条压电纳米线堆叠而成的压电层；
去除第一衬垫片及第二衬垫片。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述压电纳米线的材料为氧化锌、二氧化硅或四氧硫化镓。
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| US7936111B2 (en) * | 2008-08-07 | 2011-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for generating electrical energy and method for manufacturing the same |
| US8310134B2 (en) * | 2009-01-22 | 2012-11-13 | William Marsh Rice University | Composition for energy generator, storage, and strain sensor and methods of use thereof |
| US8344597B2 (en) * | 2009-10-22 | 2013-01-01 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Matrix-assisted energy conversion in nanostructured piezoelectric arrays |
| US8623451B2 (en) * | 2009-11-10 | 2014-01-07 | Georgia Tech Research Corporation | Large-scale lateral nanowire arrays nanogenerators |
| CN101859731B (zh) * | 2010-05-07 | 2012-08-08 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种纳米线压电器件的制作方法 |
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