CN102466978B - 光刻曝光机及光刻曝光方法 - Google Patents
光刻曝光机及光刻曝光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102466978B CN102466978B CN201010540433.8A CN201010540433A CN102466978B CN 102466978 B CN102466978 B CN 102466978B CN 201010540433 A CN201010540433 A CN 201010540433A CN 102466978 B CN102466978 B CN 102466978B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- baffle plate
- mask
- mask baffle
- plate
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本发明涉及一种光刻曝光机，包括依次设置的光源、掩膜板、第一掩膜挡板以及透镜，所述第一掩膜挡板上设有曝光孔，所述掩膜板与透镜之间还设有第二掩膜挡板，所述第二掩膜挡板上设有与第一掩膜挡板上位置完全对应且相同的曝光孔，且第二掩膜挡板与第一掩膜挡板相对位置始终保持一致。此外还涉及一种光刻曝光方法。由于第二掩膜挡板与第一掩膜挡板对应有相同的曝光孔，且相对位置始终保持一致，因此第一掩膜挡板的衍射后向曝光孔限制范围外的漏光被第二掩膜挡板遮住，不会继续向透镜传输，因而可以消除因漏光产生的图像边缘重影、模糊等问题。
Description
【技术领域】
本发明涉及光刻装置，尤其是涉及一种在光刻过程中对光刻胶进行曝光的曝光机和一种光刻曝光方法。
【背景技术】
在光刻技术中，光刻曝光机一般包括光源、掩膜板以及透镜。掩膜板是一种表面被各种图案覆盖的玻璃板，每个图案都包含有不透明和透明的部分，用来阻挡和允许光线通过。光源通过掩膜板可将图案投射到涂有光刻胶的晶片上，生成三维的浮雕图案，用以辅助在晶片上刻蚀电路图案。
在实际使用过程中，可能有将掩膜板上的图案部分投射的需求，即进行部分曝光。因此可以在光源和掩膜板之间加设掩膜挡板，并在掩膜挡板上曝光孔，光源通过掩膜挡板后就限制在曝光孔的范围内，从而可以实现部分曝光。
在掩膜挡板的最边缘部分，光线会在穿过掩膜板后发生衍射，使原本限制在曝光孔范围内的光在掩膜挡板边缘处会有漏光。漏光也会使晶片上的光刻胶曝光，从而在晶片上产生模糊不清的像，影响在晶片上的刻蚀图案的效果。
【发明内容】
鉴于此，有必要针对传统的光刻曝光机在部分曝光时会出现漏光的问题，提供一种可以有效克服漏光问题的光刻曝光机。
此外，还有必要提供一种可以有效克服漏光问题的光刻曝光方法。
一种光刻曝光机，包括依次设置的光源、第一掩膜挡板、掩膜板以及透镜，所述第一掩膜挡板上设有曝光孔，还包括设于所述掩膜板与透镜之间用于遮挡衍射光的第二掩膜挡板。
优选地，所述第二掩膜挡板上设有与第一掩膜挡板相同的曝光孔。
优选地，所述第二掩膜挡板与第一掩膜挡板完全相同。
优选地，所述第二掩膜挡板与第一掩膜挡板相对位置始终保持一致。
一种光刻曝光方法，包括如下步骤：发射光束；使用设有曝光孔的第一掩膜挡板遮挡所述光束，使所述光束的部分通过所述第一掩膜挡板的曝光孔；通过曝光孔的部分光束照射掩膜板；使用第二掩膜挡板遮挡通过所述掩膜板后的衍射光；用透镜将遮挡衍射光后的光束透射到晶片上。
优选地，所述第二掩膜挡板上设有与第一掩膜挡板相同的曝光孔。
优选地，所述第二掩膜挡板与第一掩膜挡板完全相同。
优选地，所述第二掩膜挡板与第一掩膜挡板相对位置始终保持一致。
上述光刻曝光机及光刻曝光方法通过第二掩膜挡板遮挡第一掩膜挡板曝光孔限制范围外的漏光，漏光不会继续向透镜传输，因而可以消除因漏光产生的图像边缘重影、模糊等问题。
【附图说明】
图1为传统的光刻曝光机部分曝光示意图；
图2本发明一实施例的光刻曝光机部分曝光示意图。
【具体实施方式】
如图1所示，为传统的光刻曝光机部分曝光示意图。光源通过其上设有曝光孔的掩膜挡板10照射到掩膜板20上，掩膜板20主要包括图案层21以及玻璃层22，图案层21包括透光部分和不透光部分，光线穿过透光部分并透过玻璃层22后在曝光孔范围内形成与图案层21上透光部分一样的光图形，并通过透镜30汇聚后照射到晶片40上。
从图中可以看到，在晶片40上预定成像的区域为成像区41，但是由于光线会在穿过掩膜板20后发生正负一级衍射，有部分光线会超出掩膜挡板10的曝光孔所限制的范围，经过透镜30后在晶片40上形成漏光区42。使得掩膜板20上原本被遮盖不打算曝光的部分也在衍射光的照射下在晶片40上曝光，产生部分模糊不清的像，影响了在晶片40上的刻蚀图案的效果。
如图2所示，为本实施例的光刻曝光机部分曝光示意图。该光刻曝光机的包括第一掩膜挡板11和第二掩膜挡板12，第二掩膜挡板12设在掩膜板20与透镜30之间。第二掩膜挡板12上设有与第一掩膜挡板11上位置完全对应且相同的曝光孔，且第二掩膜挡板12与第一掩膜挡11板相对位置始终保持一致。可以看到，通过此种设置，超出第一掩膜挡板11上的曝光孔限制范围的衍射光被第二掩膜挡板12挡住，不会通过透镜30照射到晶片40上，从而晶片40只会形成预定成像区41，而不会产生由漏光照射成像的漏光区。为使防漏光效果达到最佳，第二掩膜挡板12与掩膜板20的距离需要足够近。
在上述实施方式中，第二掩膜挡板12与第一掩膜挡板11完全相同。在其他实施方式中，第二掩膜挡板可以与第一掩膜挡板不同，例如，第二掩膜挡板上设有与第一掩膜挡板上位置完全对应且相同的曝光孔，但整体形状不同或者小于第二掩膜挡板。另外，第二掩膜挡板也可以由多块挡板围成允许光束通过的曝光孔，同时由组成第二掩膜挡板的多块挡板遮挡第一掩膜挡板曝光孔限制范围外的漏光。
此外，还提供了一种光刻曝光方法，该方法包括如下步骤：
发射光束。使用光源发射用于曝光的光束。
使用设有曝光孔的第一掩膜挡板11遮挡所述光束，使所述光束通过所述第一掩膜挡板11的曝光孔。在实际使用过程中，可能有将掩膜板20上的图案部分投射的需求，即进行部分曝光。因此可以在光源和掩膜板之间加设设有曝光孔的第一掩膜挡板11，光源通过第一掩膜挡板11后就限制在曝光孔的范围内，从而可以实现部分曝光。
使用通过所述第一掩膜挡板11的曝光孔的光束照射掩膜板20。掩膜板20是一种表面被各种图案覆盖的玻璃板，每个图案都包含有不透明和透明的部分，用来阻挡和允许光线通过。光源通过掩膜板可将图案投射到涂有光刻胶的晶片上，生成三维的浮雕图案，用以辅助在晶片上刻蚀电路图案。
使用第二掩膜挡板12遮挡通过所述掩膜板20后在所述曝光孔限制范围外的漏光，即光线在穿过掩膜板20后发生正负一级衍射的衍射光。第二掩膜挡板12上可以设有与第一掩膜挡板11上位置完全对应且相同的曝光孔。在优选的实施方式中，第二掩膜挡板12与第一掩膜挡板11完全相同，且第二掩膜挡板12与第一掩膜挡板11相对位置始终保持一致。
用透镜将遮挡漏光后的光束透射到晶片上。
上述光刻曝光机及光刻曝光方法通过第二掩膜挡板12遮挡第一掩膜挡板11曝光孔限制范围外的衍射光，衍射光不会继续向透镜30传输，因而可以消除因衍射光产生的图像边缘重影、模糊等问题。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (2)
1.一种光刻曝光机，包括依次设置的光源、第一掩膜挡板、掩膜板以及透镜，所述第一掩膜挡板上设有曝光孔，其特征在于，还包括设于所述掩膜板与透镜之间用于遮挡衍射光的第二掩膜挡板，所述第二掩膜挡板上设有与第一掩膜挡板相同的曝光孔，所述第二掩膜挡板与第一掩膜挡板相对位置始终保持一致；所述第二掩膜挡板与第一掩膜挡板完全相同。
2.一种光刻曝光方法，其特征在于，包括如下步骤：
发射光束；
使用设有曝光孔的第一掩膜挡板遮挡所述光束，使所述光束的部分通过所述第一掩膜挡板的曝光孔；
通过曝光孔的部分光束照射掩膜板；
使用设有与第一掩膜挡板相同的曝光孔的第二掩膜挡板遮挡通过所述掩膜板后的衍射光；
用透镜将遮挡衍射光后的光束透射到晶片上；
其中，所述第二掩膜挡板与第一掩膜挡板相对位置始终保持一致；所述第二掩膜挡板与第一掩膜挡板完全相同。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201010540433.8A CN102466978B (zh) | 2010-11-11 | 2010-11-11 | 光刻曝光机及光刻曝光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201010540433.8A CN102466978B (zh) | 2010-11-11 | 2010-11-11 | 光刻曝光机及光刻曝光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102466978A CN102466978A (zh) | 2012-05-23 |
| CN102466978B true CN102466978B (zh) | 2014-11-05 |
Family
ID=46070804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201010540433.8A Active CN102466978B (zh) | 2010-11-11 | 2010-11-11 | 光刻曝光机及光刻曝光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102466978B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104102094B (zh) * | 2014-06-27 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模挡板及其制造方法 |
| CN104849966A (zh) * | 2015-04-13 | 2015-08-19 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 掩模板及其制备方法、曝光设备 |
| CN107065445B (zh) * | 2017-01-22 | 2018-11-27 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种曝光装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1721997A (zh) * | 2004-06-04 | 2006-01-18 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 以倾斜掩膜板或晶片进行多焦点扫描 |
| CN101877306A (zh) * | 2009-04-30 | 2010-11-03 | 海力士半导体有限公司 | 通过曝光工艺在晶片上制造图案的方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2816298B2 (ja) * | 1992-10-09 | 1998-10-27 | 三菱電機株式会社 | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| JP2003158067A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および露光装置 |
-
2010
- 2010-11-11 CN CN201010540433.8A patent/CN102466978B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1721997A (zh) * | 2004-06-04 | 2006-01-18 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 以倾斜掩膜板或晶片进行多焦点扫描 |
| CN101877306A (zh) * | 2009-04-30 | 2010-11-03 | 海力士半导体有限公司 | 通过曝光工艺在晶片上制造图案的方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JP特开2003-158067A 2003.05.30 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102466978A (zh) | 2012-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8728722B2 (en) | Stitching methods using multiple microlithographic expose tools | |
| TW200734832A (en) | Explosure method, explosure apparatus, photomask, and method for manufacturing photomask | |
| CN101995762B (zh) | 掩模版及其制备方法 | |
| CN103869638B (zh) | 一种穿透晶圆的光刻对准方法 | |
| CN102466978B (zh) | 光刻曝光机及光刻曝光方法 | |
| WO2013170608A1 (zh) | 掩模板及制造阵列基板的方法 | |
| KR20120038801A (ko) | 위상 시프터 패턴이 형성된 공간 필터를 구비하는 마스크리스 노광장치 및 노광방법 | |
| CN104849966A (zh) | 掩模板及其制备方法、曝光设备 | |
| CN104656369A (zh) | 光掩模和使用了该光掩模的基板的制造方法 | |
| CN104950582A (zh) | 一种边缘曝光***和边缘曝光方法 | |
| CN108388076B (zh) | 一种掩膜版及其掩膜方法、制造方法、掩膜*** | |
| CN102402122A (zh) | 光刻机漏光检测方法及*** | |
| JPH0476551A (ja) | パターン形成方法 | |
| KR101250446B1 (ko) | 공간 광변조기를 이용한 리소그라피 방법 | |
| JP2007206096A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP3031728B2 (ja) | レチクルおよび露光装置 | |
| TW200300961A (en) | Multiple photolithographic exposures with different clear patterns | |
| CN113050367A (zh) | 光学邻近效应修正方法和***、掩膜版及其制备方法 | |
| JP2016048299A (ja) | 評価用マスク、評価方法、露光装置及び物品の製造方法 | |
| KR20040008400A (ko) | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 | |
| US8472005B2 (en) | Methodology for implementing enhanced optical lithography for hole patterning in semiconductor fabrication | |
| KR101057197B1 (ko) | 위상반전마스크 제조방법 | |
| KR20050063324A (ko) | 포토마스크의 제작방법 | |
| KR100791689B1 (ko) | 반도체 소자의 마스크 제조 방법 | |
| KR20070075586A (ko) | 위상 반전 마스크 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Free format text: FORMER OWNER: WUXI HUARUN SHANGHUA TECHNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20140403 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20140403 Address after: 214028 Wuxi provincial high tech Industrial Development Zone, Hanjiang Road, No. 5, Jiangsu, China Applicant after: Wuxi CSMC Semiconductor Co., Ltd. Address before: 214028 Wuxi provincial high tech Industrial Development Zone, Hanjiang Road, No. 5, Jiangsu, China Applicant before: Wuxi CSMC Semiconductor Co., Ltd. Applicant before: Wuxi Huarun Shanghua Technology Co., Ltd. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20171017 Address after: 214028 Xinzhou Road, Wuxi national hi tech Industrial Development Zone, Jiangsu, China, No. 8 Patentee after: Wuxi Huarun Shanghua Technology Co., Ltd. Address before: 214028 Wuxi provincial high tech Industrial Development Zone, Hanjiang Road, No. 5, Jiangsu, China Patentee before: Wuxi CSMC Semiconductor Co., Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20180626 Address after: 214135 -6, Linghu Avenue, Wuxi Taihu international science and Technology Park, Wuxi, Jiangsu, China, 180 Patentee after: WUXI DISI MICROELECTRONIC CO., LTD. Address before: 214028 No. 8 Xinzhou Road, national hi tech Industrial Development Zone, Wuxi, Jiangsu Patentee before: Wuxi Huarun Shanghua Technology Co., Ltd. |