CN102446041A - 具遮蔽亮点的桥接式电极布设方法及其结构 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种具遮蔽亮点的桥接式电极布设方法及其结构，该布设方法的步骤包含提供基板；形成透明导电层于该基板上，且该透明导电层具有多个图样区块彼此相邻设置；形成配向膜层于该基板上，且该配向膜层具有多个桥接式沟槽用以横跨在该等图样区块之间；形成导电层于该基板上，且该导电层具有多个电导线分别对应设置于该等桥接式沟槽上；形成导电对应层设置于该导电层的一侧，用以遮蔽该等电导线；以及形成保护层于该基板上，用以增加光学透光率与保护该基板、该透明导电层、该配向膜层与该导电层。

Description

具遮蔽亮点的桥接式电极布设方法及其结构

技术领域

本发明涉及桥接式电极布设方法与其结构，尤其涉及一种具遮蔽亮点的利用一导电对应层于导电层的一侧，以遮蔽该导电层所产生亮点的布设方法与结构。

背景技术

于现有技术中，在电容式触控面板的制程中，于基板上形成两个不同轴向的电极，并且在其中之一轴向的电极上再次形成绝缘层，用以提供另一轴向的电极透过该绝缘层上所设置的金属导线进行电连接。然而，传统上由于设置于绝缘层上的金属导线有可能因为在后续的制程中，造成该金属导线的损坏，使得无法导通，进而造成电容式触控面板制作良率的下降。

故于一些技术中，可再藉由桥接式沟槽的技术将该金属导线设置于该桥接式沟槽，其可避免该金属导线遭到损坏。然而，解决该金属导线可避免遭到损坏的疑虑后，该金属导线在组装完成该电容式触控面板后，于该触控面板产生多个亮点，如图1所示，对于显示造成了困扰。

故有必要提供一种新的结构，除可有效率的提升该电容式触控面板良率的提升外，更可提供避免该等亮点的产生。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种具遮蔽亮点的桥接式电极布设方法，利用导电对应层用以遮蔽该导电层，用以达到无亮点产生的目的。

本发明的另一目的提供一种具遮蔽亮点的桥接式电极结构，设置导电对应层于该导电层的一侧，用以遮蔽该导电层所产生的亮点。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种具遮蔽亮点的桥接式电极布设方法，其方法步骤包含：提供基板；形成透明导电层于该基板上，且该透明导电层具有多个图样区块彼此相邻设置；形成配向膜层于该基板上，且该配向膜层具有多个桥接式沟槽用以横跨在该等图样区块之间；形成导电层于该基板上，且该导电层具有多个电导线分别对应设置于该等桥接式沟槽上；形成导电对应层设置于该导电层的一侧，用以遮蔽该等电导线；以及形成保护层于该基板上，用以增加光学透光率与保护该基板、该透明导电层、该配向膜层与该导电层。

一种具遮蔽亮点的桥接式电极结构，用于电容式触控板，其包含基板、多个第一电极区块、多个第二电极区块、桥接绝缘单元与多个电极对应区块。其中，该等第一电极区块设置于该基板且透过第一导线进行串联电连接；该等第二电极区块设置于该基板且该等第二电极区块分别地设置于该第一导线的两侧；该桥接绝缘单元垂直地设置于该第一导线，且该桥接绝缘单元具有桥接式沟槽，而该桥接式沟槽的高度低于该桥接绝缘单元的高度；以及该等电极对应区块遮蔽该等第一电极区块及/或该等第二电极区块。其中，该等第二电极区块藉由具有第二导线的该桥接绝缘单元进行串联电连接。

一种具遮蔽亮点的桥接式电极结构，其包含基板层、透明导电层、配向膜层、导电层、导电对应层与保护层。其中，该透明导电层设置于该基板至少一侧；该配向膜层设置于该基板层的一侧；该导电层邻接设置于该配向膜层的一侧；该导电对应层设置于该导电层的一侧，用以遮蔽该导电层，以及该保护层，设置于该导电对应层的一侧。

本发明所提供的具遮蔽亮点的桥接式电极布设方法及其结构，具有以下优点：

与现有技术相比，本发明的具遮蔽亮点的桥接式电极的布设方法及其结构，除可有效地提高制程良率外，可再藉由导电对应层遮蔽该导电层，用以达成在电容式触控板上无任何亮点产生，且于其一实施例中，特别可导电层的光阻不剥膜(strip)的情况下，仍可达成在电容式触控板遮蔽亮点的目的。

附图说明

图1为传统电容式触控板示意图；

图2至图8为具遮蔽亮点的桥接式电极布设方法的流程示意图；

图9a至图9d为具遮蔽亮点的桥接式电极结构的示意图；

图10a至图10d为具遮蔽亮点的桥接式电极结构的垂直剖面示意图。

【主要组件符号说明】

10  基板

12  第一电极区块

14  第二电极区块

16  桥接绝缘单元

18  第一导线

20  桥接式沟槽

22  电极对应区块

24  第二导线

PL  保护层

ECL 透明导电层

S   基板层

PI  配向膜层

CL  导电层

SL  导电对应层

具体实施方式

下面结合附图及本发明的实施例对本发明的电极布设方法及其结构作进一步详细的说明。

图2至图5，为本发明具遮蔽亮点的桥接式电极布设方法的流程示意图。图2中，桥接式电极的布设方法的步骤主要包括：

步骤S1，提供基板；

步骤S2，形成透明导电层于该基板上，且该透明导电层具有多个图样区块彼此相邻设置；

步骤S3，形成配向膜层于该基板上，且该配向膜层具有多个桥接式沟槽用以横跨在该等图样区块之间；

步骤S4，形成导电层于该基板上，且该导电层具有多个电导线分别对应设置于该等桥接式沟槽上。

其中，于另一实施例中，该导电层的该等电导线藉由光学补偿式光罩，配合过度曝光或者过度显影的至少其一所形成；

步骤S5，形成导电对应层且设置于该导电层的一侧，用以遮蔽该等电导线；

步骤S6，形成保护层于该基板上，用以增加光学透光率与保护该基板、该透明导电层、该配向膜层与该导电层。

再者，图3是上述步骤S3的更详细的步骤，其该配向膜层形成的步骤进一步包含：

步骤S3-1，涂覆光阻于该基板上；

步骤S3-2，提供具有图样的光罩或具有半色调网点(Halftone)图样的光罩，并且藉由上述光罩用以将该图样或该半色调网点图样曝光于该光阻上；

步骤S3-3，显影该图样或该半色调网点图样于该光阻上，用以形成具有横跨在该等图样区块之间的该等桥接式沟槽；

步骤S3-4，烘烤该光阻。

值得注意的是，上述具有该半色调网点图样的该光罩的形成步骤包含提供于该光罩的表面的不透光区域的线径大于该半色调网点图样的线径或形成多个孔洞(例如该等孔洞可为圆形、矩形或其他的任意形状)，且平均地设置于该光罩的表面，以及经由曝光时光线对于该半色调网点图样所造成的干涉与绕射作用，使得该桥接式沟槽的光阻在显影后该桥接式沟槽低于该桥接绝缘单元的高度。

图4为上述步骤S4的详细步骤，其该导电层形成的步骤进一步包含如下步骤：

步骤S4-1，溅镀导电材料于该基板上；

步骤S4-2，涂覆光阻于该基板上；

步骤S4-3，提供具有该光学补偿式光罩，且透过该光学补偿式光罩将对应该等电导线的电导线图样过度曝光于该光阻上；

步骤S4-4，显影该电导线图样，用以形成具有彼此相邻的该等图样区块，且该电导线图样利用过度曝光与过度显影而产生。

图5为上述步骤S5的详细步骤，其该导电对应层的形成步骤进一步包含如下步骤：

步骤S5-1，溅镀导电材料于该基板上；

步骤S5-2，涂覆光阻于该基板上；

步骤S5-3，提供具有该光学补偿式光罩，且透过该光学补偿式光罩形成对应该等电导线的对应电导线图样过度曝光于该光阻上；

步骤S5-4，显影与剥膜该对应电导线图样，并再涂覆另一光阻并利用电导线的光罩用以形成遮蔽该电导线图样的导电对应层图样。

图6为上述步骤S5的另一详细步骤，其该导电对应层的形成步骤进一步包含如下步骤：

步骤S5’-1，溅镀导电材料于该基板上；

步骤S5’-2，涂覆有色光阻于该基板上；

步骤S5’-3，提供具有该光学补偿式光罩，且透过该光学补偿式光罩形成对应该等电导线的对应电导线图样过度曝光于该光阻上；

步骤S5’-4，显影与不对该有色光阻进行该对应电导线图样的剥膜(strip)，用以形成遮蔽该电导线图样的导电对应层图样。

图7为上述步骤S5的又一详细步骤，其中该导电对应层的形成步骤进一步包含如下步骤：

步骤S5”-1，透过具有对应该电导线图样的网印或光罩(与形成导电层的制程相当)，涂覆该有色光阻于该电导线图样上，用以形成遮蔽该电导线图样的导电对应层图样。

图8为上述步骤S6的详细步骤，其进一步包含如下步骤：

步骤S6-1，涂覆一光阻、溅镀一光阻或一有机物的至少其一于该基板上；

步骤S6-2，烘烤该光阻或该有机物，以形成硬式保护膜。

图9a至图9d，为本发明具遮蔽亮点的桥接式电极结构的示意图。于本实施例中，本发明提供一种桥接式电极结构，用于电容式触控板，其包含基板10、多个第一电极区块12、多个第二电极区块14与桥接绝缘单元16。该基板10的材质可为玻璃材质，亦即玻璃基板。

其中，该等第一电极区块12设置于该基板10且透过第一导线18进行串联电连接。该等第二电极区块14设置于该基板10且该等第二电极区块14分别地设置于该第一导线18的两侧，而该等第二电极区块14上设置有第二导线24。该桥接绝缘单元16垂直地设置于该第一导线18上，且该桥接绝缘单元16具有桥接式沟槽20，而该桥接式沟槽20的高度低于该桥接绝缘单元16的高度。值得注意的是，于图9c中，多个电极对应区块22遮蔽该等第一电极区块12上的该第一导线18及/或该等第二电极区块14上的该第二导线24。其中，该等电极区块12、14所对应的电极对应区块22可重叠于该等第一电极区块12，亦或者该等电极对应区块22可完全地覆盖对应于该等第一电极区块12及该等第二电极区块14，例如，该等电极对应区块22为有色光阻。

图10a至图10d，为本发明具遮蔽亮点的桥接式电极结构的垂直剖面示意图。于本实施例中，具遮蔽亮点的桥接式电极结构用于电容式触控板，其包含基板层S、透明导电层ECL、配向膜层PI、导电层CL、导电对应层SL与保护层PL。该透明导电层ECL设置于该基板层S至少一侧。该配向膜层PI设置于该基板层S的一侧。该导电层CL邻接设置于该配向膜层PI的一侧，且该导电层CL可为钼(MO)-铝(AL)-钼(MO)的结构。该导电对应层SL设置于该导电层CL的一侧，用以遮蔽该导电层CL，亦即该导电对应层SL可设置于该导电层ECL与该保护层PL之间。于一实施例中，可参考图10a，导电对应层SL设置于该导电层CL与该配向膜层PI之间，值得注意的是，为使该导电层CL与该透明导电层ECL连接，该导电层CL的长度长于该导电对应层SL；于另一实施例中，如图10c所示，导电对应层SL设置于该导电层CL一侧；此外，第10b图与图10d分别地对应图10a与图10c的简化制程之后的具遮蔽亮点的桥接式电极结构。故本发明以包含标准制程、简化制程与改良制程下的具遮蔽亮点的桥接式电极结构。

此外，上述中的该桥接式电极结构于至少一侧设置保护层PL，于一实施例中，该导电对应层SL可设置于该导电层ECL与该保护层PL之间。例如，该保护层PL可为有机物层、光阻物层、抗反射层(AR，anti-reflection)、抗眩光层(AG，anti-glare)或上述的组合。熟悉该项技术领域者应当可以了解到，该保护层PL亦可忽略，而各层的排列制程顺序亦可随需求改变。

与现有技术相较，本发明具遮蔽亮点的桥接式电极布设方法及其结构，除可有效地提高制程良率外，可再藉由导电对应层遮蔽该导电层，用以达成在电容式触控板上无任何亮点产生，且于其一实施例中，可导电层的光阻在不剥膜(strip)的情况下，亦可达成在电容式触控板遮蔽亮点的目的。

以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种具遮蔽亮点的桥接式电极布设方法，其特征在于，其包含：

提供一基板；

形成一透明导电层于该基板上，且该透明导电层具有多个图样区块彼此相邻设置；

形成一配向膜层于该基板上，且该配向膜层具有多个桥接式沟槽用以横跨在该等图样区块之间；

形成一导电层于该基板上，且该导电层具有多个电导线分别对应设置于该等桥接式沟槽上；

形成一导电对应层，设置于该导电层的一侧，用以遮蔽该等电导线；以及

形成一保护层于该基板上，用以增加光学透光率与保护该基板、该透明导电层、该配向膜层与该导电层。

2.根据权利要求1所述的具遮蔽亮点的桥接式电极布设方法，其特征在于，其中该导电层的所述电导线藉由一光学补偿式光罩，配合过度曝光或者过度显影的至少其一所形成。

3.根据权利要求2所述的具遮蔽亮点的桥接式电极布设方法，其特征在于，其该配向膜层形成的步骤进一步包含：

涂覆一光阻于该基板上；

提供具有一图样的光罩或具有一半色调网点图样的一光罩，并且藉由该光罩用以将该图样或该半色调网点图样曝光于该光阻上；

显影该图样或该半色调网点图样于该光阻上，用以形成具有横跨在该等图样区块之间的该等桥接式沟槽；以及烘烤该光阻。

4.根据权利要求3所述的具遮蔽亮点的桥接式电极布设方法，其特征在于，其该导电层形成的步骤进一步包含：

溅镀一导电材料于该基板上；

涂覆一光阻于该基板上；

提供具有该光学补偿式光罩，且透过该光学补偿式光罩将对应该等电导线的一电导线图样过度曝光于该光阻上；以及

显影该电导线图样，用以形成具有彼此相邻的该等图样区块，且该电导线图样利用过度曝光与过度显影而产生。

5.根据权利要求4所述的具遮蔽亮点的桥接式电极布设方法，其特征在于，其该导电对应层形成的步骤进一步包含：

溅镀一导电材料于该基板上；

涂覆一光阻于该基板上；

提供具有该光学补偿式光罩，且透过该光学补偿式光罩形成对应该等电导线的一对应电导线图样过度曝光于该光阻上；以及

显影与剥膜该对应电导线图样，并再涂覆另一光阻并利该等电导线的光罩用以形成遮蔽该电导线图样的导电对应层图样。

6.根据权利要求4所述的具遮蔽亮点的桥接式电极布设方法，其特征在于，其该导电对应层形成的步骤进一步包含：

溅镀一导电材料于该基板上；

涂覆一有色光阻于该基板上；

提供具有该光学补偿式光罩，且透过该光学补偿式光罩形成对应该等电导线的一对应电导线图样过度曝光于该光阻上；以及

显影与不对该有色光阻进行该对应电导线图样的剥膜，用以形成遮蔽该电导线图样的导电对应层图样。

7.根据权利要求4所述的具遮蔽亮点的桥接式电极布设方法，其特征在于，其该导电对应层形成的步骤进一步包含：

透过具有对应该电导线图样的网印或光罩，涂覆该有色光阻于该电导线图样上，用以形成遮蔽该电导线图样的导电对应层图样。

8.根据权利要求5、6或7所述的具遮蔽亮点的桥接式电极布设方法，其特征在于，其该保护层形成的步骤进一步包含：

涂覆一光阻、溅镀一光阻或一有机物的至少其一于该基板上；以及

烘烤该光阻或该有机物，以形成一硬式保护膜。

9.一种具遮蔽亮点的桥接式电极结构，用于一电容式触控板，其特征在于，其包含：

一基板；

多个第一电极区块，设置于该基板且透过一第一导线进行串联电连接；

多个第二电极区块，设置于该基板且该等第二电极区块分别地设置于该第一导线的两侧；

一桥接绝缘单元，垂直地设置于该第一导线，且该桥接绝缘单元具有一桥接式沟槽，而该桥接式沟槽的高度低于该桥接绝缘单元的高度；以及

多个电极对应区块，遮蔽该等第一电极区块及/或该等第二电极区块；

其中该等第二电极区块藉由具有一第二导线的该桥接绝缘单元进行串联电连接。

10.根据权利要求9所述的具遮蔽亮点的桥接式电极结构，其特征在于，其中该等电极对应区块为一有色光阻。

11.一种具遮蔽亮点的桥接式电极结构，用于一电容式触控板，其特征在于，其包含：

一基板层；

一透明导电层，设置于该基板层至少一侧；

一配向膜层，设置于该基板层的一侧；

一导电层，邻接设置于该配向膜层的一侧；

一导电对应层，设置于该导电层的一侧，用以遮蔽该导电层；以及

一保护层，设置于该导电对应层的一侧。

12.根据权利要求11所述的具遮蔽亮点的桥接式电极结构，其特征在于，其中该导电对应层设置于该导电层与该保护层之间。

13.根据权利要求11所述的具遮蔽亮点的桥接式电极结构，其特征在于，其中该导电对应层设置于该导电层与该透明导电层之间。

14.根据权利要求13所述的具遮蔽亮点的桥接式电极结构，其特征在于，其中该导电层之长度长于该导电对应层。

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