CN102439752A - 密封电封装件 - Google Patents

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Abstract

密封电封装件包括:第一透明阻挡层;第二阻挡层,接合到第一阻挡层,并且限定多个馈通孔;光电子装置,夹在第一与第二阻挡层之间,光电子装置包括阳极、光电有源层和阴极;以及导电片,电耦合到阴极或阳极,并且横跨至少一个馈通孔设置。

Description

密封电封装件
背景技术
光电子装置一般包括发光装置和光伏装置。这些装置一般包括夹在两个电极之间的有源层,其中两个电极有时称作前电极和背电极,其中至少一个通常是透明的。有源层通常包括一个或多个半导体材料。在发光装置、例如有机发光二极管(OLED)中,施加在两个电极之间的电压使电流流经有源层。电流使有源层发光。在光伏装置例如太阳能电池中,有源层吸收来自光线的能量,并且将此能量转换成作为两个电极之间的电压和/或电流而呈现的电能。光电子装置可通过各种方式来生产。一种途径是使用半导体材料的真空沉积,以及第二种途径是使用溶液制备材料。包括玻璃和塑料膜的各种衬底能够用作其上沉积层的基底。备选地,光电子装置可使用不透明层(金属或者聚合物或者陶瓷)作为衬底来构建,并且采用交替构建序列。与装置的构造无关,需要提供一种封装密封封装件以保护其免受暴露于水分和氧的劣化效应。封装件还必须提供按照馈通配置的电互连,以便连接封装件外部的电源。
OLED采取扁薄格式来生产,供用作显示器或用于一般照明。塑料衬底的使用提供最薄且最柔性的配置,并且还提供低成本卷对卷(roll-to-roll)生产的可能性。相应地,需要既薄且柔性的封装技术,并且优选地可按照与OLED制作一致的卷对卷生产处理。封装件应当适合于大面积(高达大约一平方米或以上)显示器或者特定应用的发光体。
称作超高阻挡(UHB)膜或UHB的阻挡膜用于直接制作OLED和其它光电子装置。这些膜通常由透明塑料膜上的薄透明氧化层组成,例如,如转让给General Electric Company的US 7015640、US7154220和US 7397183中所述。但是,阻挡膜在处理中可能被损坏,使得直接在阻挡膜上制作装置可使其性能降级并且造成水分进入通路。另外,水分和氧能够通过装置边缘处的粘合层并且还通过密封导线馈通的粘合剂横向渗透。此外,粘合剂和衬底材料中的固有水分能损坏装置。封装件设计必须与低成本材料和连续卷对卷生产兼容,并且材料集合必须是低成本并且适合于高速处理。因此,需要一种用于OLED和其它光电子装置的低成本生产的扩大应用的改进的薄柔性封装技术。
发明内容
简言之,在一个方面,本发明涉及一种密封电封装件,其包括:第一透明阻挡层;第二阻挡层,接合到第一阻挡层,并且限定多个馈通孔;光电子装置,夹在第一与第二阻挡层之间,该光电子装置包括阳极、光电有源层(photoelectrically active layer)和阴极;导电片,电耦合到阴极或阳极,并且横跨至少一个馈通孔设置。在一些实施例中,第二阻挡层包括其中包含至少一个导电金属层和/或至少一个粘合层的多层结构。在一些实施例中,导电片通过粘合层接合到第二阻挡层。密封电封装件可包括多个导电阳极片或多个导电阴极片或者多个导电阳极片和多个导电阴极片。在一些实施例中,导电片夹在光电子装置与第二阻挡层之间;在其它实施例中,导电片设置在第二阻挡层的与光电子装置相反的表面,以及在又一些实施例中,密封电封装件另外包括设置在第二阻挡层上的第三阻挡层,并且导电片夹在第二与第三阻挡层之间。密封电封装件另外可包括电耦合到导电片的外部总线。
在另一个方面,本发明涉及用于制造密封电封装件的卷对卷过程。该过程包括:提供包括阴极、阳极和光电子有源层(optoelectronically active layer)的光电子装置;将光电子装置夹在第一透明阻挡层与第二阻挡层之间;将至少一个导电片设置在第二阻挡层上;在第二阻挡层中形成多个馈通孔;以及将导电片电耦合到阴极或阳极。在一些实施例中,将至少一个导电片设置在第二阻挡层上的步骤在将光电子装置夹在第一透明阻挡层与第二阻挡层之间的步骤之前来执行。在其它实施例中,将至少一个导电片设置在第二阻挡层上的步骤在将光电子装置夹在第一透明阻挡层与第二阻挡层之间的步骤之后来执行。该过程另外可包括将第三阻挡层设置在第二阻挡层上并且将导电片夹在第二阻挡层与第三阻挡层之间。
在又一个方面,本发明涉及一种大面积密封封装的光电子装置,其中包括:第一透明阻挡层;第二阻挡层,接合到第一阻挡层,并且限定多个馈通孔;光电子装置,夹在第一与第二阻挡层之间,该光电子装置包括阳极、光电有源层和阴极;至少一个导电片,电耦合到阳极或阴极,并且横跨至少一个馈通孔设置;以及外部总线,电耦合到每个导电片;在一些实施例中,包括电耦合到阳极的多个导电片和电耦合到多个导电片的每个的外部总线。
在又一个方面,本发明涉及一种包括阻挡层的产品,阻挡层限定至少一个馈通孔以及至少一个导电片,所述至少一个导电片横跨至少一个馈通孔设置并且配置成通过至少一个馈通孔来导电。
附图说明
通过参照附图阅读以下详细描述,会更好地理解本发明的这些及其它特征、方面和优点,附图中,相似符号在附图中通篇表示相似部件,其中:
图1A和图1B是包括透明阻挡层的光电子装置的截面图。
图2A和图2B是包括内部导电片的密封电封装件的截面图。
图3是包括外部导电片的密封电封装件的截面图。
图4是包括多层背板的密封电封装件的截面图,该多层背板在层中具有导电片。
图5是示出外部电连接器的密封电封装件的截面图。
图6是密封电封装件的平面图。
图7是用于制造密封电封装件的卷对卷过程的示意图。
具体实施方式
图1A示出组合光电子装置10,其可以是具体为OLED的发光装置或者诸如光伏(PV)电池之类的光吸收装置,并且包括塑料或玻璃衬底102、透明阻挡层104、形成第一电极(通常为阳极)的透明导电层106、光电子有源层108和第二电极(阴极)110。在一些实施例中,透明阻挡层存在于不同位置中,而在其它实施例中,透明阻挡层不存在。诸如空穴注入、空穴传输、电子注入和电子传输层之类的附加层经常包含在OLED中,并且可存在于根据本发明的密封封装的装置中,但不是关键。层118是可选绝缘层,可用于在制作期间对阴极提供机械保护和/或在后续步骤期间防止对其它封装件的电气短路。层112是保护装置的可选阻挡层。阴极触点114和阳极触点116用于形成电连接以激励装置。光电子装置10以图解方式示为单个像素装置,但是在本领域已知,单独像素能够按照串行配置整体地集成,并且触点114和116的确切位置可基于各种设计考虑因素而改变。图1A示出对阴极提供附加保护的可选第二阻挡层112,但在如图1B所示的一些实施例中可省略。在组合10中,表面120是发光或光吸收侧,而表面130是非发射背面。在本领域已知,OLED可按照各种配置并且通过各种过程来制作。例如,转让给General Electric Company的US6661029、US 6700322、US 6800999和US 6777871描述的可包含在根据本发明的密封封装件中的OLED装置及其制造方法。
图1B示出在相邻像素之间具有串行互连配置的光电子装置11。在US 7049757中描述了OLED装置的串行互连。在装置11中,层102、104、106、108、112和118以及表面120和130与装置10中相同。在装置11中,两个或更多像素整体地串行连接,并且装置然后通过电触点114和116连接到电源。通过使相邻像素的阳极106电绝缘,使相邻像素的阴极110电绝缘,并且然后将一个像素的阴极连接到相邻像素的阳极,来形成整体互连99。在光伏装置的情况下,互连区99通过称作划片(scribing)的过程来形成,并且装置通过电触点114和116连接到外部负载。如图1B所示所配置的装置工作在单个像素的电流电平以及通过单独电池的总和所确定的电压电平。在电流的横向流动引起电阻损耗的大装置中,降低电流是重要的。图1A和图1B适合将触点114和116设置成在衬底102的周边附近,因而适合通过封装件边缘来提供馈通连接的封装技术。
图1A和图1B的设计元件的组合能够用于按照如下方式来配置装置或装置集合:定制电压-电流特性,按照平铺配置来组合单独装置,和/或提供单独装置的亮度级的调谐。
图2A示出由组合光电子装置/透明阻挡层板200和第二阻挡层(背板)201所组成的密封电封装件20的分解图。组合板200包括衬底202和透明阻挡层204以及电极206、光电子有源层208和第二电极210。组合200包括透明衬底202、透明阻挡层204、形成第一电极(通常为阳极)的透明导电层206、光电子有源层208、第二电极(阴极)210、可选绝缘层218、触点214和216以及可选第二阻挡层212。适合于透明衬底202的适当材料包括透明柔性塑料,例如聚酯和聚碳酸酯,特别是这类塑料的光等级。阻挡层204的适当材料包括透湿率小于大约10-4cc/m2/天、优选地小于10-5cc/m2/天以及更优选地小于大约10-6cc/m2/天(在23℃)的材料,特别是UHB材料、如US 7015640、US 6413645、US 6492026、US 6537688和US 6624568中所述,具有充分水分和/或氧阻隔性质的柔性或刚性玻璃、透明金属和氧化物、如ITO,以及它们的组合。在一些实施例中,可使用UHB材料或玻璃,而在特定实施例中,使用UHB材料。
背板201是由薄界面层242、阻挡层244和可选绝缘层246所组成的多层箔。供用作背板201的适当材料包括采取膜或板形式、具有水分和可选氧阻隔性质的市场销售多层封装或封盖材料,特别是可热密封材料。封盖材料通常由多个薄聚合物层组成;封盖箔还包括夹在聚合物层之间的金属箔,通常为铝。用于背板201的适当材料的一个示例是由宾夕法尼亚州菲斯特威尔(Feasterville)的Tolas HealthcarePackaging(密歇根州大瀑布城的Oliver-Tolas的分公司)所生产的TolasTPC-0814B封盖箔。馈通孔248和249使用括冲孔、冲切和激光加工的任何适当方法在背板201中形成。孔可以是圆形、具有变化直径或者具有其它形状和纵横比,取决于装置的布局和其它设计因素。
导电阴极片250和导电阳极片251由诸如铝之类的导电金属板或箔组成。在本发明的上下文中,术语“片(patch)”指的是用于覆盖馈通孔的一件或一片导电材料。片250和251具有充分厚度和同质性,以便不渗透水分、氧和/或对装置具有有害影响的其它蒸汽;金属箔在许多实施例中是适当的。以充分大于馈通孔248和249的尺寸来提供片250和251,并且通过界面层242将其密封到阻挡层244,以便形成密封区255。片250和251相对组合光电子装置/透明阻挡层200的尺寸可以较小,并且可以为圆形,但是其它形状和尺寸是可接受的。虽然仅示出两个馈通孔248和249,但是在一些实施例中,背板201可包括多个、即超过两个馈通孔;如果需要,则片250和251可配置成覆盖多个馈通孔,并且由此提供电流的横向总线传输(lateralbusing)。适合于用作电引线的材料是本领域已知的,并且可用于片250和250,包括铝、不锈钢、镍和黄铜。在一个示例中,片250和251由0.001英寸厚的铝箔来制作。在另一个示例中,片由0.001的不锈钢来制作。可从箔片来冲切片,但是可使用其它方式,只要该方法防止在片的切割边缘形成毛刺。导电阴极片250通过导电元件260电耦合到阴极触点214,并且导电阳极片251通过导电元件261电耦合到阳极触点216。
导电元件260和261可便利地由施加在触点214与片250和触点216与片251之间的导电粘合剂来形成。导电元件260和261能够使用通过各种方式所放置的导电粘合剂来形成,包括手动或自动方式。用于导电元件的适当材料的一个示例是可向佐治亚州阿尔法利塔(Alpharetta)的Cookson Electronics购买的Staystik 571。然后,对齐和叠合背板201和组合光电子装置/透明阻挡层200、片250和251以及导电元件214和216,准备用于在90℃与130℃之间、优选地在120℃的温度下以1psi至30psi、优选地为15psi的压力进行1秒与10分钟之间、优选地为30秒的时间的层压过程。在所产生的密封电封装件中,片250和251通过导电元件260和261与触点214和216进行电连接。馈通孔248和249、片250和251以及触点260和261可居中并且对齐,但是这在一般情况下不是必要的。更一般来说,在许多实施例中,这些组件的偏置取向可证明在优化装置布局和封装件设计方面是有利的。
示范材料选择成使得单个层压步骤能够用于在相同条件下接合导电元件260和261以及界面层242。但是,这不是对封装过程的要求。此外,可能希望在最终层压之前创建元件的局部装配件。例如,片250和251可能在第一步骤附连到背板201,并且在随后的步骤可将组合光电子装置/透明阻挡层200层压到背板201。
各种层压方式是可能的,包括袋式层压(pouch lamination)、滚筒(roll)层压和热压层压,并且过程参数取决于所使用的设备。显而易见,释放膜、压垫和工具加工板是执行这些层压所需的。此外,清洗并且从所有封装材料去除水分可在处理期间执行。例如,背板201可在真空下以80℃烘焙12个小时,以便消除水分;但是,可使用其它条件,包括在惰性气氛下以更高温度进行更短时间。条件将取决于材料的先前环境暴露。
结合片250和251以及背板201,其方式是使得密封区255提供水分和氧的几何上不利的进入通路。密封区255的几何形状能够描述为密封区通路长度与界面层242的厚度的比率R1。高比率对给定材料集合提供更困难的进入通路。取决于孔248和249以及片250和251的形状、尺寸和对齐,比率R1根据选择用于分析的特定通路而改变。在一个实施例中,孔248和249的直径为0.25英寸,而片250和251的直径为1.25英寸,使得密封区通路长度255为0.5英寸,以及比率R1大约为500∶1。尺寸在图2中没有按比例示出。可以预见,界面层242的厚度(阻挡244与片250或片251之间的渗透通路)的进一步减小可实质上实现增加的比率R1和馈通的提高的密封性。另外,可能希望使孔248和249的直径为最小,例如,使用精确制作和对齐过程的减小到0.025英寸的直径。取决于装置200的布局,较小的孔248和249可能合乎需要,以便实现其它设计目标,例如使装置的发光面积为最大。孔248和249的最小尺寸取决于延伸经由其中以形成到外部总线的电互连的直径。
图2B示出一个备选实施例,其中多层箔201包括导电金属层244。孔249设置在201中,并且片251通过导电元件261与装置电极216进行电接触。另外,有选择地从多层箔201去除了界面层242和绝缘层246,并且通过导电元件260在导电层244和装置电极214之间进行电连接。在本实施例中,孔和片的数量减少,并且阻挡膜金属层244用作导体。
图3示出由组合光电子装置/透明阻挡层300和第二阻挡层(背板)301所组成的密封电封装30的分解图。组合300包括透明衬底302、透明阻挡层304、形成第一电极(通常为阳极)的透明导电层306、光电子有源层308、第二电极(阴极)310、可选绝缘层318、触点314和316以及可选第二阻挡层312。片350和351位于背板301的与组合层300相反的表面上,并且通过通常是粘合剂的界面层363结合到背板301。适合在界面层363中使用的材料至少对水分和氧具有低渗透性。另外,材料在较低温度、即低于150℃、优选地低于120℃是可加工的。在一个示例中,可向密歇根州米德兰的Dow Chemical购买的PRIMACOR 3460热塑性粘合剂用于制备0.001英寸厚的层。通过在95℃与125℃之间、优选地在115℃的温度下以5psi至20psi、优选地以10psi的压力层压1分钟与10分钟之间、优选地为大约2分钟的时间,将片350和351(采用可选界面层363)结合到背板301。可使用上述的层压方法,并且释放膜、压垫和工具加工板可用于执行这些层压。许多备选材料适合于界面层363,包括热固性材料和其它热塑性粘合剂,特别是配制成对于封装应用具有低水分和氧渗透性的材料。背板301使比率R1能够一般比背板401更大,因为片350和351的尺寸不受组合光电子装置/透明阻挡层300以及触点314和316的尺寸和位置限制。如图所示,片350和351可延伸到或者超出封装件的边缘。在一个实施例中,通路长度为1.0英寸,并且界面层363的厚度为0.001英寸,因此比率R1为1000∶1,从而产生对限制进入更为有利的几何形状。
下一个步骤是对齐和叠合装置300、背板301、导电元件360和361以及片350和351。这些材料能够在先前对接合背板301所述的条件下层压。作为备选层压序列,背板301在一个层压步骤中结合到装置300。这产生半密封封装件,其中在某种程度上保护装置300免受机械损坏和水分进入。为导电元件360和361以及片350和351提供界面层342的随后的步骤能够在随后的层压过程中的一段时间之后执行,以便形成全密封封装件。备选地,所有组件可在单个层压步骤中组装。
图4是示出包括组合光电子装置/透明阻挡层板400、第二阻挡层(背板)401以及导电元件460和461的密封电封装件40的局部分解图。组合400包括透明衬底402、透明阻挡层404、形成第一电极(通常为阳极)的透明导电层406、光电子有源层408、第二电极(阴极)410、可选绝缘层418、触点414和416以及可选第二阻挡层412。片450和451配置有界面层445和447,并且按照嵌入配置密封在多层箔401与470之间。备选地,界面层446和447可省略,使得片450和451嵌入401与407之间,并且由472来密封。这个配置提供高R1,如对于背板301所述。用于包括绝缘层442、阻挡层444和界面层446的多层箔401以及用于包括绝缘层472、阻挡层474和界面层476的多层箔470的适当材料是To1as TPC-0814B封盖箔。所有层可在单个步骤中层压在一起,或者组合板400可层压到背板401,并且然后可在随后的层压步骤中添加多层箔470。层压步骤通常在90℃与130℃之间、具体是在大约120℃的温度下以1psi至30psi、具体以大约15psi的压力执行10秒与10分钟之间、具体为大约30秒的时间。可使用上述层压方式,它们可取决于设备。如上所述,各种子组件能够在顺序层压步骤中制作。
图5示出由光电子装置/板500、第二阻挡层(背板)501和前板507所组成的密封电封装件50的局部分解截面图。组合500包括透明衬底502、形成第一电极(通常为阳极)的透明导电层506、光电子有源层508、第二电极(阴极)510、可选绝缘层518、触点514和516以及可选第二阻挡层512。板500没有包括阻挡层。而是可作为由透明衬底503、阻挡膜511和可选界面层513所组成的前板507的一部分来包含阻挡层。前板507可在密封封装件中用于提供增加的多功能性和性能提高。具体来说,前板507消除了对作为组合光电子装置/透明阻挡层500的组成部分的超高阻挡层的需要,因而限制了在装置制造期间对阻挡的损坏的机会。适当粘合剂应当是光学透明的,对500和507提供粘合,并且具有适合于低成本高速生产的处理条件。在一个示例中,通过将粘合剂涂敷到如US 7015640所述设置在UHB衬底上的阻挡层,然后使用来自宾西法尼亚州费城的Rohm & HaasCompanyAD-COTE 37T77粘合剂进行干燥,来制作前板507。涂敷的各种方式是可能的,包括盘条、刮刀和旋涂。以700rpm进行旋涂并且然后在120℃干燥15分钟提供从大约1至5μm的涂敷范围,其中在表面具有某些变化。可使用1μm-30μm的最终涂敷厚度,其中优选均匀厚度在2-10μm的范围之内。界面层可在卷对卷过程中施加到衬底502和阻挡504的组合,并且在处理和卷起期间为阻挡层提供某种保护。此外,层513可提供粘合剂542与阻挡层502之间的改进粘合,因而提供507与500之间的光耦合,并且改进封装件密封性和所产生的装置可靠性。
图5还示出包括导电元件571、导电线572和绝缘层573的外部总线元件。用于构成封装件上的电引线的方法和材料是本领域已知的。在一个示例中,导电元件571由马萨诸塞州比尔里卡的Emerson &Cuming的TRA-DUCT 2902导电粘合剂来制作,并且导线902为0.001英寸厚×0.125英寸宽的铜。导电元件572由0.001英寸厚×0.125英寸宽的铜线来形成。绝缘层573由包括0.001英寸聚酰亚胺膜和0.002英寸厚硅酮压敏粘合剂的普通0.003英寸厚胶带来制作。作为导电元件571和导电线572的一个备选方案,导线接合可用于将导线直接连接到片550和551。具体来说,与铝线的楔形接合能够采用热和压力以及超声能量的某种组合来实现,以便形成片550和551与铝线之间的焊接。导线直径对于装置的电气要求来确定大小,并且可能在从小于25微米到数百微米直径的范围。导线的另一端端接于电源或者某个中间导体。
图6是密封电封装件50的背面的平面图。虚线图(phantom)示出第二阻挡层(背板)601下方的组合光电子装置/透明阻挡层600。多个馈通孔647、648和649以及导电阴极片650、652和653连接在阴极触点614与外部阴极总线680之间。多个馈通孔647、648和649以及导电阳极片651、655和657连接在阳极触点616与外部阳极总线681之间。在备选实施例中,多个装置可经由外部阳极和阴极总线连接在单个封装件中。使用这种封装方法,各种配置是可能的。图1A和图1B所示的装置设计元件能够用于配置装置或装置集合,以便实现各种目的,包括定制整体电压-电流特性、按照平铺配置来组合单独装置以及提供单独装置的亮度级的调谐。一些设计可要求许多连接点的共同总线传输,而其它设计可要求到各连接点的单独连接。虽然附图和示例描述了按照顺序分批过程的制造,但是封装件设计与连续流生产兼容。图7示意地示出根据本发明、用于制造密封电封装件的卷对卷过程。板700由设置在衬底上的多个单独装置来组成,其中没有透明阻挡层。OLED板700上的OLED元件的数量和配置不是关键,在一些实施例中,该板可由单个大元件组成,板700可如图所示按照卷格式来预制和提供,或者可在同一卷对卷线上制作。背板701如前面所述由多层膜组成,并且按照卷格式来提供。通过使具有阻挡层704的组合衬底702经过涂敷台715,来形成前板707,在涂敷台715界面层713施加到阻挡层704。备选地,前板707可按照卷格式来预先涂敷并且提供。在一些实施例中,板700可包括透明阻挡层;以及阻挡层704是可选的,在其它实施例中,如果OLED板700具有阻挡层,则前板707可省略,并且只有板700和背板701层压在一起。背板701包括馈通孔750,并且可包括片(未示出),它们可定位在表面上,面向板700或者与板700相反,或者可在稍后操作中放置片。导电粘合剂施加(未示出)到板700的装置元件的阴极和阳极,以便提供将导电阳极片电耦合到阳极以及将导电阴极片电耦合到阴极的方式。三个组件集合在层压台719中,其中板700夹在阻挡层(背板)701与前板707之间,在热和压力下层压,并且然后在需要时在分割台721中分割。在省略了前板707的实施例中,仅层压OLED板700和背板701。如果需要,则第三阻挡层(未示出)可结合到背板701,特别是当片定位在与板700相反的表面时,并且因此可夹在背板701与第三阻挡层之间。外部总线组件在随后的操作中提供,并且附加导电粘合剂在必要时可施加到片,以便完成密封电封装件。在一个备选实施例中,背板701可提供有馈通孔750但没有片,它们可在层压后操作中施加,并且在又一些实施例中,馈通孔在将板700、701和707结合之后形成,并且此后施加片。
虽然本文仅说明和描述了本发明的某些特征,但本领域的技术人员会想到多种修改和变更。因此要理解,所附权利要求书意图涵盖落入本发明的真实精神之内的所有这类修改和变更。

Claims (26)

1.一种密封电封装件,包括
第一透明阻挡层;
第二阻挡层,接合到所述第一阻挡层,并且限定多个馈通孔;
光电子装置,夹在所述第一与第二阻挡层之间,所述光电子装置包括阳极、光电有源层和阴极;
至少一个导电片,电耦合到所述阴极或阳极,并且横跨至少一个馈通孔设置。
2.如权利要求1所述的密封电封装件,其中,所述第二阻挡层包括多层结构。
3.如权利要求2所述的密封电封装件,其中,所述多层结构包括至少一个金属层。
4.如权利要求3所述的密封电封装件,其中,所述多层结构另外包括至少一个粘合层。
5.如权利要求3所述的密封电封装件,其中,所述至少一个金属层包括铝、不锈钢或黄铜。
6.如权利要求1所述的密封电封装件,其中,所述至少一个导电片通过粘合层接合到所述第二阻挡层。
7.如权利要求1所述的密封电封装件,其中,至少一个导电片电耦合到所述阳极。
8.如权利要求1所述的密封电封装件,其中,至少一个导电片电耦合到所述阴极。
9.如权利要求1所述的密封电封装件,包括多个导电片,其中至少一个第一导电片电耦合到所述阴极,并且至少一个第二导电片电耦合到所述阳极。
10.如权利要求1所述的密封电封装件,其中,所述馈通孔与所述导电片的边缘之间的距离和所述粘合层的厚度的比率大于大约10。
11.如权利要求10所述的密封电封装件,其中,所述比率大于大约100。
12.如权利要求10所述的密封电封装件,其中,所述比率大于大约1000。
13.如权利要求1所述的密封电封装件,包括多个导电阳极片。
14.如权利要求1所述的密封电封装件,包括多个导电阴极片。
15.如权利要求1所述的密封电封装件,其中,所述至少一个导电片夹在所述光电子装置与所述第二阻挡层之间。
16.如权利要求1所述的密封电封装件,其中,所述至少一个导电片设置在所述第二阻挡层的与所述光电子装置相反的表面。
17.如权利要求1所述的密封电封装件,另外包括设置在所述第二阻挡层上的第三阻挡层。
18.如权利要求17所述的密封电封装件,其中,所述至少一个导电片夹在所述第二与第三阻挡层之间。
19.如权利要求1所述的密封电封装件,另外包括电耦合到所述至少一个导电片的外部总线。
20.一种用于制造密封电封装件的过程,所述过程包括
提供包括阴极、阳极和光电子有源层的光电子装置;
将所述光电子装置夹在第一透明阻挡层与第二阻挡层之间;
将至少一个导电片设置在所述第二阻挡层上;
在所述第二阻挡层中形成多个馈通孔;
将所述至少一个导电片电耦合到所述阴极或所述阳极。
21.如权利要求20所述的过程,其中,所述将至少一个导电片设置在所述第二阻挡层上的步骤在所述将所述光电子装置夹在第一透明阻挡层与第二阻挡层之间的步骤之前来执行。
22.如权利要求20所述的卷对卷过程,其中,所述将至少一个导电片设置在所述第二阻挡层上的步骤在所述将所述光电子装置夹在第一透明阻挡层与第二阻挡层之间的步骤之后来执行。
23.如权利要求20所述的过程,另外包括将第三阻挡层设置在所述第二阻挡层上,并且将所述至少一个导电片夹在所述第二阻挡层与所述第三阻挡层之间。
24.一种密封封装的光电子装置,包括
第一透明阻挡层;
第二阻挡层,接合到所述第一阻挡层,并且限定多个馈通孔;
光电子装置,夹在所述第一与第二阻挡层之间,所述光电子装置包括阳极、光电有源层和阴极;
至少一个导电片,电耦合到所述阳极或阴极,并且横跨至少一个馈通孔设置;以及
电耦合到所述导电片的每个的外部总线。
25.如权利要求24所述的密封封装的光电子装置,包括电耦合到所述阳极的多个导电片以及电耦合到所述多个导电片的每个的外部总线。
26.一种产品,包括
限定至少一个馈通孔的阻挡层;
至少一个导电片,横跨所述至少一个馈通孔设置,并且配置成通过所述至少一个馈通孔来导电。
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