CN102422225A - 用于微光刻的照明光学***与光学*** - Google Patents

用于微光刻的照明光学***与光学*** Download PDF

Info

Publication number
CN102422225A
CN102422225A CN2009801591256A CN200980159125A CN102422225A CN 102422225 A CN102422225 A CN 102422225A CN 2009801591256 A CN2009801591256 A CN 2009801591256A CN 200980159125 A CN200980159125 A CN 200980159125A CN 102422225 A CN102422225 A CN 102422225A
Authority
CN
China
Prior art keywords
illumination
preset
transmission
little
optical system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2009801591256A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102422225B (zh
Inventor
马丁.恩德雷斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Publication of CN102422225A publication Critical patent/CN102422225A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102422225B publication Critical patent/CN102422225B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70108—Off-axis setting using a light-guiding element, e.g. diffractive optical elements [DOEs] or light guides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)

Abstract

一种用于微光刻的照明光学***被用于照明物场(12)。照明光学***具有第一传输光学***，用于引导由光源发出的照明光(3)。具有多个照明预设微面(25)的照明预设分面镜(7)布置在第一传输光学***的下游。照明预设分面镜(7)通过照明预设分面镜(7)的边缘形状以及照明预设微面(25)的各个独立倾斜角，产生物场(12)的预设照明。第一传输光学***和照明预设分面镜(7)的布置产生物场(12)的远心照明。根据另一方面的光学***在照明预设分面镜与物场之间包括投射光学***的入瞳平面，投射光学***与照明光学***一起作为用于微光刻的光学***的一部分。在该另一方面中，第一传输光学***与照明预设分面镜的布置使得实现了与投射光学***的入瞳适配的物场的照明。另一方面，在包括投射光学***及照明光学***的光学***中，与投射光学***的总长度相比，出现较大的物像偏移或更大的中间焦点-像偏移。这使得照明光学***和光学***满足关于照明光使用的特定效率要求。

Description

用于微光刻的照明光学***与光学***
技术领域
本发明涉及用于微光刻的照明光学***。本发明还涉及用于微光刻的光学***、具有这些光学***的投射曝光装置、用于制造微结构或纳米结构组件的方法、以及本方法所制造的微结构组件。
背景技术
US 2006/0132747A1公开了一开始所提类型的照明光学***。其中说明了镜面反射器(specular reflector)的概念，其中用于预设照明的分面镜的位置不限于后续投射光学***中的入瞳平面或与入瞳平面光学共轭的平面，如其它已知照明光学***所要求的。
发明内容
本发明的目的是开发一种用于照明光学***的镜面反射器的构思，其中，对于照明光的使用提出了特定效率要求。
根据本发明，通过一种用于微光刻的照明光学***来实现此目的，所述照明光学***用于照明物场，其
-具有第一传输光学***，用于引导从光源发出的照明光，
-具有照明预设分面镜，其在所述第一传输光学***的下游且具有多个照明预设微面，所述照明预设分面镜利用所述照明预设分面镜的可以被照明的边缘形状、以及所述照明预设微面的各个独立倾斜角，而产生所述物场的预设照明；
-将所述第一传输光学***和所述照明预设分面镜布置为产生所述物场的远心照明。
根据本发明，首先认识到：通过提供根据本发明的照明预设分面镜而产生的设计自由度，允许物场的远心照明。利用具有布置在后续投射光学***的入瞳平面中的光瞳分面镜和场分面镜的传统照明光学***无法实现此类型的远心照明，因为，对于物场的远心照明，未界定后续投射光学***的入瞳平面。在共轭光瞳平面中具有第二分面镜的传统照明光学***因此必须具有附加的成像光学元件，从而效率较低。
物场的远心照明降低了待照明和成像的物的结构设计要求。特别地，避免了与场相关的成像校正的必要性。
相比于作为镜面反射器的替代且基本上公知的照明光学***的结构(该照明光学***的结构的场分面镜与光瞳分面镜布置在位于此类型的照明光学***的下游的投射光学***中的光瞳平面，或者与该光瞳平面共轭的平面中)，根据本发明的照明光学***中照明预设分面镜的可以被照明的边缘形状代表了物场的预设照明所依赖的实质影响变量。在具有场分面镜和光瞳分面镜的传统照明光学***中，光瞳分面镜的可以被照明的边缘形状原则上对于物场照明的强度分布并不具有决定性，因为在比情况中，光瞳分面镜的边缘形状仅影响照明角分布，而不影响可以被照明的物场的形状。另一方面，在根据本发明的照明光学***中，照明预设分面镜的可以被照明的边缘形状直接影响物场的照明形状。
在光源布置(其可以包括用于光源的发射的聚光器)与物场之间，最多可以布置三个反射组件。换句话说，在此情况中，在光源布置与物场之间仅需要三个或甚至仅两个反射组件。这降低了照明光损耗，尤其是在使用例如介于5nm和30nm之间的波长的EUV光用于照明时。在光源布置与物场之间可以有正好两个反射组件。
传输分面镜布置在照明预设分面镜上游且具有多个传输微面，其被取向为：照明该照明预设分面镜，使得预设边缘形状适配物场形状，且对于照明预设微面预设分配；这又增加了使用镜面反射器原理的设计自由度。使用传输分面镜，可以在可以被照明的边缘形状内，精确地预设该照明预设分面镜的被照明的边缘形状、该照明预设分面镜的照明角分布和强度分布。
可以将传输微面分组为多个传输微面组，其中所述传输微面组之一分别引导用于所述物场的完全照明的照明光。此类型的传输微面分组允许多个微面组的规定叠加，从而完全照明物场。这些微面组不必由在空间上连接的传输微面组成。在通过传输微面进行聚光器远场的完全叠加的情况下，由二个或更多个互补子组构成微面组是有利的，所述子组彼此互补以形成完整的物场。
传输微面组可以具有与物场的边缘形状相似的组边缘形状。此类型的边缘形状相似性提高了物场的照明质量。
形成传输微面组的传输微面可以布置为多个列，在每个所述列中，在列方向上连续地布置多个传输微面。此类型的列布置增加了传输微面组中存在的各个独立的传输微面的数目。这确保非常精细的预设，尤其是照明预设分面镜的照明角分布与强度分布的预设。特别地，这里列方向平列于物位移装置，投射曝光装置中的照明光学***针对该物位移装置而设计。
传输分面镜的相邻列可以具有沿着列方向彼此偏移布置的传输微面。特别地，相对于彼此按列偏移布置的此类型的传输微面允许组边缘形状对物场边缘形状的精细适配。组边缘形状的曲率因而不受限于各个独立传输微面的尺寸。
传输微面可以彼此分离间隙，所述间隙相对于列方向以非零的角度延伸。相对于列方向倾斜地延伸、尤其是相对于照明光学***要照明的物的物位移方向倾斜地延伸的此类型的传输微面，防止物场照明由于微面分割而造成的强度伪影(artefact)。
照明预设分面镜可以具有通孔，在光源与传输分面镜之间引导照明光穿过此通孔。此类型的通孔允许照明光学***的不以掠入射(grazing incidence)工作的反射镜上实现极小的入射角。这确保了小的传输损耗，尤其是在设有照明光学***的投射曝光装置中，使用波长介于5nm和30nm之间的EUV光作为照明光时。
照明预设微面以及可选附加存在的传输微面都可以被构造为可倾斜微面，尤其是可用致动器倾斜的微面。特别地，可将此类型的可倾斜微面设计为可在至少两个倾斜位置之间切换的微面。微面上照明光的小入射角对于高效率很重要，尤其是在将调整不同照明模式的微面设计为可倾斜的情况下，以及由于不能对变化的入射角提供针对某个角度优化的涂层。
具有根据本发明的照明光学***和用于将物场成像在像场中的投射光学***的光学***的优点对应于上面结合根据本发明的照明光学***所讨论的优点。
根据本发明的第二方面，通过一种光学***实现开始所提及的目的，所述光学***：
-具有用于微光刻的照明光学***，用于照明物场；
-具有第一传输光学***，用于引导从光源发出的照明光；
-具有照明预设分面镜，其布置在所述第一传输光学***的下游且具有多个照明预设微面，所述照明预设分面镜通过所述照明预设分面镜的可以被照明的边缘形状、以及所述照明预设微面的各个独立倾斜角而产生所述物场的预设照明；
-具有投射光学***，用于将所述物场成像在像场中；其中
-所述投射光学***的入瞳布置在所述照明预设分面镜与所述物场之间或在所述物场之后；
-其中所述第一传输光学***和所述照明预设分面镜被布置为使得所述物场的照明与所述投射光学***的所述入瞳适配。
认识到，利用镜面反射器的原理，可以执行物场照明与投射光学***在入射侧的需求的适配，这并不必然需要将光学组件放置在投射光学***的入瞳平面中，或者通过中继光学***将此入瞳平面偏移另一位置。即使在入瞳平面靠近物场前方或在物场后方的投射光学***中，也可以布置引导照明光的照明光学***的组件，其中特别地，可在反射光学组件上实现照明光的极小入射角。例如，在光瞳遮挡投射光学***中，可以发现靠近物场的此类型入瞳平面。这导致了照明光的更小反射损耗。
入瞳平面距物场的间隔与物场距照明预设分面镜的间隔之间的间隔比可以小于0.9、小于0.8、小于0.7、小于0.6且可以小于0.5。在此类型的间隔比中，特别体现出根据第二方面的光学***的上述优点。与入瞳平面距物场的间隔无关，在根据本发明的光学***中，入瞳平面距照明预设分面镜的间隔可大于800mm。
根据本发明第三方面，通过一种光学***实现开始所提及的目的，所述光学***：
-具有用于微光刻的照明光学***，用于照明物场；
-具有第一传输光学***，用于引导从光源发出的照明光；
-具有照明预设分面镜，其布置在所述第一传输光学***的下游且具有多个照明预设微面，所述照明预设分面镜通过所述照明预设分面镜的可以被照明的边缘形状、以及所述照明预设微面的各个独立倾斜角而产生所述物场的预设照明；
-具有投射光学***，用于将所述物场成像在像场中；
其中，所述投射光学***的安装长度(B)与物像偏移(dOIS)之间的比小于20。
镜面反射器的原理的自由度可有利地与具有大物像偏移的投射光学***组合，从而可以将照明光引导越过像侧上的大安装空间要求，而不需要为此增加引导照明光的附加光学组件，且不需要选择降低通过量(throughput)的极端入射角。投射光学***的安装长度与物像偏移的比可以小于15，且可以小于10。
根据本发明第四方面，通过一种具有用于照明物场的、用于微光刻的照明光学***的光学***实现开始所提及的目的，所述光学***：
-具有第一传输光学***，用于引导从光源发出的照明光；
-具有照明预设分面镜，其布置在所述第一传输光学***的下游且具有多个照明预设微面，所述照明预设分面镜通过所述照明预设分面镜的可以被照明的边缘形状、以及所述照明预设微面的各个独立倾斜角而产生所述物场的预设照明；
-具有投射光学***，用于将所述物场成像在像场中；
-其中在所述光源与所述物场之间的所述照明光学***具有中间焦点；
-其中，所述投射光学***的安装长度(B)与中间焦点-像偏移(D)的比小于5。
利用投射光学***的安装长度与中间焦点-像偏移的此类型的比值，也可以确保引导照明光越过像侧上的大安装空间要求，而不需要为此增加引导照明光的附加光学组件，且不需要选择减少通过量的极端入射角。投射光学***的安装长度与中间焦点-像偏移的比可以小于3、小于2、小于1.90、小于1.80、小于1.60，并且尤其是可以小于1.31。
在像平面中从像场中心测量的、像侧上的典型安装空间要求约为1m，特别地，在照明光学***的组件的方向上，并且，从垂直于远离投射光学***的像平面测量，也约为1m。
根据本发明第五方面，通过一种具有用于照明物场的、用于微光刻的照明光学***的光学***实现开始所提及的目的，所述光学***：
-具有第一传输光学***，用于引导从光源发出的照明光；
-具有投射光学***，用于将所述物场成像在像场中；
其特征在于：所述投射光学***的安装长度与照明光束-像偏移(E)的比小于5。
根据第五方面的光学***的优点对应于上面结合根据第四方面的光学***所述的优点。在根据第五方面的光学***中，照明光学***的中间焦点不一定存在。可以将分面镜物场的照明预设设计为不同于通过根据第四方面的光学***的照明预设分面镜的照明预设。投射光学***的安装长度与照明光束-像偏移的比可以小于3、小于2、小于1.90、小于1.80、小于1.60并且，尤其是可以约为1.30。
根据第二、第三或第四或第五方面的光学***可与根据本发明的照明光学***的上述特征组合，尤其是与关于传输分面镜的特征结合。
具有根据本发明的光学***和光源(尤其是EUV光源)的投射曝光装置、具有以下方法步骤的制造微结构组件的制造方法：
-提供掩模母版，
-提供晶片，其具有对照明光敏感的涂层，
-借助于根据本发明的投射曝光装置，将所述掩模母版的至少一部分投射到所述晶片上，
-显影所述晶片上被所述照明光曝光的光敏层、
以及根据本发明制造的微结构或纳米结构组件的优点对应于上面结合根据本发明的照明光学***以及根据本发明的光学***所讨论的优点。
附图说明
将借助于附图更详细地说明本发明的结构，其中：
图1在子午面中高度示意地显示了具有照明光学***与投射光学***的、用于EUV微光刻的投射曝光装置；
图2也在子午面中高度示意地显示了根据图1的照明光学***中所选择的各个独立光束的光束路径，其始于中间焦点直到布置在投射光学***的物平面中的掩模母版；
图3在允许查看传输分面镜的传输微面分布的视图中显示了照明光学***的传输分面镜；
图4显示了图3在若干传输微面组区域中的详细放大图，所述组中每个照明光导致投射光学***的物平面中的物场的完全照明；
图5显示了照明光学***中布置在传输微面下游的照明预设分面镜上的照明光的强度分布的等高视图；
图6在类似于图1的视图中显示了EUV投射曝光装置的另一结构；
图7在类似于图1的视图中显示了EUV投射曝光装置的另一结构；
图8在类似于图1的视图中显示了EUV投射曝光装置的另一结构；
图9在相对于图4再次放大的视图中显示了传输分面镜的另一结构的多个传输微面组，其引导用于物场的完全照明的照明光，各传输微面组被详细显示；
图10通过示例显示了包含通过以上所示的投射曝光装置的投射光学***结构的成像光束路径的子午面；以及
图11至13显示了以上所示的投射曝光装置结构的投射光学***的另一结构。
具体实施方式
图1中在子午面中高度示意地显示的用于微光刻的投射曝光装置1具有照明光3的光源2。该光源是EUV光源，其产生波长范围介于5nm与30nm之间的光。此光源可以是LPP(激光产生的等离子体)光源或DPP(放电产生的等离子体)光源。
使用传输光学***4来引导始于光源2的照明光3。其具有聚光器5(在图1中仅显示了其反射效果)、以及下面将更详细描述的传输分面镜6。照明光3的中间焦点5a布置在聚光器5与传输分面镜6之间。在中间焦点5a的区域中，照明光3的数值孔径为NA＝0.182。照明预设分面镜7(下文也将对其详细说明)布置在传输分面镜6的下游且因而在传输光学***4的下游。掩模母版8布置在照明光3的光束路径中的照明预设分面镜7的下游，且布置在投射曝光装置1的下游投射光学***10的物平面9中。下文说明的其它结构的投射光学***10与投射光学***分别是投射透镜***。
为了帮助观察位置关系，以下将使用笛卡尔xyz-坐标***。在图1中，x-方向垂直于图面平面且向内。在图1中，y-方向向右。在图1中，z-方向向下。
光学组件5至7是投射曝光装置1的照明光学***11的组件。由照明光学***11以界定(defined)的方式照明物平面9中掩模母版8上的物场12。物场12具有拱形或部分圆形状，且由两个互相平行的弧形与两个直边边缘限定，两个直边边缘在y-方向上具有长度y0，并且在x-方向上彼此具有间隔x0。长宽比x0/y0为13比1。图1的***图显示了物场12的平面图，其未按比例绘制。边缘形状12a为拱形。在替代且可行的物场12中，其边缘形状为矩形。
在图1中仅局部及高度示意性地显示了投射光学***10。显示了投射光学***10的物场侧的数值孔径13与像场侧的数值孔径14。投射光学***10的其它光学组件位于投射光学***10中所指示的光学组件15、16之间，其可以被配置为例如反射EUV照明光3的反射镜，用于在这些光学组件15、16之间引导照明光3。
投射光学***10将物场12成像在晶片19上的像平面18的像场17中，晶片19(与掩模母版8一样)由支撑件(未详细显示)承载。晶片支撑件的安装空间要求在图1中显示为矩形框20。安装空间要求20为矩形，其在x、y及z方向中的范围取决于其中容纳的组件。安装空间要求20在x-方向和y-方向上，从像场17的中心起具有例如1m的范围。在z-方向上，安装空间要求20从像平面18起，也具有例如1m的范围。必须将照明光学***11及投射光学***10中的照明光3引导为分别被引导越过(past)安装空间要求20。
传输分面镜6具有多个传输微面21。在根据图2的子午面中，在这些传输微面21之中，示意性地显示了一行共九个传输微面21，这些微面在图2中从左到右被表示为211至219。事实上，传输分面镜具有远远更多的传输微面21，这在图3及4中可以变得更清楚。将传输微面21分组为多个传输微面组22。为了更好地分辨，在图4中，强调了这些传输微面组22中的一个的边缘。
传输微面组22的x/y-长宽比至少与物场12的x/y-长宽比一样大。在所示结构中，传输微面组22的x/y-长宽比大于物场12的x/y-长宽比。传输微面组22具有部分圆弯曲的组边缘形状，与物场12的边缘形状相似。
由在x-方向上彼此偏移布置的16个列布置每个传输微面组22，其中每列具有7行在y-方向上彼此相邻布置的传输微面21。每个传输微面21为矩形。特别地，在图4中显示了传输微面21在x-方向上与y-方向上(它们的标尺不同)的x/y-长宽比。实际上，可选择传输微面21的x/y-长宽比为1/1。
每个传输微面组22使得照明光3的部分各自完全照明物场12。
如可从图3看出的，总共有六个组列，各个组列分别具有几十个微面组22。微面组22的按列布置，使得实际上完全记录了图3中通过环状距离场所示意指示的照明光束23。
如可从图4看出，在传输微面21的选定相邻列中，在y-方向上彼此偏移地布置这些传输微面21。这在图4中借助了两个列S1和S2进行图示。在传输微面组22的这两列S1、S2中彼此相邻的传输微面21分别在y-方向上彼此偏移约传输微面21的y-范围的一半。在其他相邻列(参见例如，图4中的列S3与S4)的情况中，传输微面组22在这两列中彼此相邻的传输微面21分别在y-方向上相对于彼此偏移约传输微面21的整个y-范围。由于此偏移，尽管各个独立传输微面21的y-范围的尺寸是可操纵的大小，仍可实现传输微面组22的较大预设曲率半径。
传输微面21被取向为使得：利用预设边缘形状24(参见图5)以及传输微面21向照明预设分面镜7的照明预设微面25的预设分配，照明该照明预设分面镜7。
在图2中显示了传输微面21相对于照明预设微面25的预设分配的示例。根据此分配指示了分别向传输微面211至219分配的照明预设微25。由于比分配，从左至右按照256、258、253、254、251、257、255、252及259的顺序照明该照明微面25。
微面21、25的下标6、8和3包括三个照明信道VI、VIII及III，其从第一照明方向照明在图2中从左至右编号的三个物场点26、27、28。微面21、25的下标4、1及7属于另外三个照明信道IV、I、VII，其从第二照明方向照明三个物场点26至28。微面21、25的下标5、2及9属于另外三个照明信道V、II、IX，其从第三照明方向照明三个物场点26至28。
分配到：
照明信道VI、VIII、III，
照明信道IV、I、VII，以及
照明信道V、II、IX，
的照明方向分别相同。因此，传输微面21向照明预设微面25的分配将导致物场的远心照明。
以镜面反射器的方式进行利用传输分面镜6及照明预设分面镜7对物场12的照明。US 2006/0132747A1中公开了镜面反射器的原理。
投射光学***10具有930mm的物像偏移dOIS。此偏移被定义为物场12的中心点与像场7的中心点上的法线穿过物平面9的穿透点的间隔。具有投射光学***10的投射曝光装置1具有1280mm的中间焦点-像偏移D。此中间焦点-像偏移D被定义为像场17的中心点与经过中间焦点5a的法线在像平面18上穿透点的间隔。具有投射光学***10的投射曝光装置1具有1250mm的照明光束-像偏移E。此照明光束-像偏移E被定义为像场17的中心点与照明光束3穿过像平面18的穿透区域的间隔。
一方面由于较大的物像偏移dOIS，并且由于较大的中间焦点-像偏移D或者由于较大的照明光束-像偏移E，可以在光源2与传输分面镜6之间引导照明光3实际上平行于z-方向传播越过安装空间20。此照明光引导确保照明光3在分面镜6和7上的较小入射角。传输分面镜6处的平均入射角为3.5°。照明预设分面镜7处的平均入射角为6.5°。
入射角被定义为照明光3在相应反射之前和之后的主光束之间的角度的一半。在此情况中，主光束是照明光3中将分面镜6、7的所使用反射面中心彼此连接的光束。由于入射角较小，因此分面镜6、7产生了相应较高的反射率。
除了照明预设分面镜7的照明的边缘形状24之外，图5还图示了照明预设分面镜7在边缘形状24内的照明强度分布。图5通过等高线(contour)图指示了此强度分布。反映边缘形状24的最外等高线对应于“100”的照明强度(任意单位)。朝向内部的各个相邻等高线指示那些其有相同强度负载的位置，其中，强度分别以数值100(相同单位)递增。大致具有美式足球形状的最内部的照明形状29对应于具有数值700的照明强度。边缘形状24整体上具有顶部开口的豆子或肾脏形状，正如其原理已经结合US 2006/0132747A1中的镜面反射器的照明所说明。
边缘形状24取决于物场12上所期望的照明角分布，并取决于物场12上所期望的强度分布。边缘形状24在照明预设分面镜7的照明预设微面25上将是可变化的，换句话说，边缘形状24取决于相应的预设值。
通过致动器可以倾斜传输微面21以及照明预设微面25，因此，可预设照明光3在物场12上的照明角分布和强度分布。
由照明预设分面镜7以此边缘形状24照明的物场12的部分圆形状也相应地向上打开。因此，利用具有分面镜6、7的镜面反射器布置，一方面通过照明预设分面镜7的可以被照明的边缘形状24、以及另一方面通过照明预设微面25的各个独立倾斜角，提供物场12的预设照明。
图6显示了具有照明光学***30的投射曝光装置1的另一结构，照明光学***30可被用来代替照明光学***11以照明物场12。对应于上面参考图1至5所描述的组件的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
在照明光学***30中，提供了具有中心通孔31的照明预设分面镜7。在光源2与传输分面镜6之间引导照明光3通过通孔31。传输分面镜6的传输微面21(在图6中未详细显示)被取向为在传输微面21后的照明光3照射在照明预设分面镜7中围绕通孔31布置的照明预设微面25上。照明预设分面镜7的照明与照明微面25的倾斜角继而使得物场12被远心地照明，如上面结合图2所说明的。
具有通孔31的照明预设分面镜7的此结构又称为遮挡结构。
由于照明预设分面镜7的遮挡设计，可以相对于照明光学***11，以分面镜6、7上的更小平均入射角实现照明光学***30。传输分面镜6上的平均入射角是0°。照明光学***30的照明预设分面镜7上的平均入射角是6.5°。
中间焦点5a区域中的照明光3的数值孔径为NA＝0.193。
具有照明光学***30与投射光学***10的投射曝光装置1具有1070mm的中间焦点-像偏移D。具有照明光学***30与投射光学***10的投射曝光装置1具有1030mm的照明光束-像偏移E。
下文将借助图7说明具有照明光学***32的投射曝光装置1的另一结构，照明光学***32可被用来取代照明光学***11或30以照明物场12。对应于上文参考图1至6所述的组件的组件具有相同的附图标记，并不再详细论述。
代替根据图1的结构的投射光学***10，根据图7的投射曝光装置1具有投射光学***33。
除了传输分面镜6和照明预设分面镜7之外，照明光学***32还具有用于掠入射的反射镜34，用于在照明预设分面镜7与物场12之间偏转照明光3。
与投射光学***10相比，投射光学***33具有小得多的物像偏移dOIS，为90mm。
在根据图7的结构中，照明光学***32也远心地照明物场12。这可以通过分面镜6、7的相应取向和照明来实现。
中间焦点5a区域中的照明光3的数值孔径为NA＝0.167。
具有照明光学***32和投射光学***33的投射曝光装置1具有930mm的中间焦点-像偏移D。具有照明光学***32和投射光学***33的投射曝光装置1具有1070mm的照明光束-像偏移E。
借助于图8，将说明具有照明光学***35和投射光学***36的投射曝光装置1的另一结构，可以使用照明光学***35取代根据图7的照明光学***32来照明物场12，并且可以使用投射光学***36取代根据图7的投射光学***33。对应于上文参考图1至7所述的组件的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
投射光学***36具有入瞳37，其在照明光3的光束路径中位于物场12的前方。
在照明光学***35中，两个分面镜6、7的微面21、25相对于彼此布置为导致物场12的照明与投射光学***36的入瞳37的位置适配。在此入瞳37中，照明光束3的横截面形状和发散度对应于可以在投射光学***36中的入射侧上引导的成像光束。
根据图8，入瞳37位于照明光学***35的照明预设分面镜7与用于掠入射的反射镜34之间。在根据图8的结构中，入瞳37距物场12的间隔与照明预设分面镜7距物场12的间隔的比约为0.38，即，小于0.50。取决于照明光学***35的结构，该比值基本上小于1，例如，小于0.9、小于0.8、小于0.7或小于0.6。在根据图8的结构中，入瞳37与照明预设分面镜7之间的间隔大于500mm，尤其是可大于800mm。
例如，如果利用中心光瞳遮挡设计投射光学***36，则将出现靠近物场12布置的此类型的入瞳37。此类型的投射光学的示例将在EP 1 950 594A1中所引用的现有技术中找到。由于照明光学***35具有由分面镜6、7形成的镜面反射器的结构，因此可以将照明预设分面镜7布置得比入瞳37距离物场12更远。这使得分面镜6、7上具有小的入射角。传输分面镜6上出现4.7°的平均入射角。照明预设分面镜7上出现7.5°的平均入射角。尽管分面镜6、7上具有这些小的平均入射角，但用于掠入射的镜34允许照明光3从聚光器5经由中间焦点5a朝向传输分面镜6的入射主方向显著偏离垂直方向。这确保引导照明光3越过安装空间20，而不需要投射光学***36具有显著的物像偏移。
中间焦点5a区域中的照明光3的数值孔径为NA＝0.184。
具有照明光学***35和投射光学***36的投射曝光装置1具有880mm的中间焦点-像偏移D。具有照明光学***35和投射光学***36的投射曝光装置1具有910mm的照明光束-像偏移E。
图9显示了传输微面38的根据图4的布置的替代布置、以及这些传输微面38对于传输微面组39的替代分组。图9中，在x方向上仅按部分(portion-wise)地显示了传输微面组39，传输微面组39的x/y长宽比对应于根据图4的传输微面组22的x/y长宽比。与传输微面组22相比，传输微面组39在设计上为矩形。可以利用这些传输微面组39中的每一个照明在设计上为矩形的物场，其替代物场12。也可以利用矩形传输微面组39照明拱形物场12，例如，反射镜34因而确保针对对应的场成形的掠入射。
利用传输微面38覆盖传输分面镜6有如利用木瓦覆盖房子墙壁。每个传输微面群组39具有七行，其中彼此靠近的传输微面38被彼此层叠布置。在这些行之间的间隙(interstice)40持续水平地(即在x-方向上)延伸。在一行中相邻的传输微面38之间的间隙41以相对于y-方向(即，相对于传输微面38的布置的列方向)的角度T延伸。在所显示的结构中，角度T约为12°。也可以有其它的间隙角度T，例如，间隙角度T为5°、8°、19°、15°或20°。
各个独立传输微面38的x/y长宽比对应于传输微面组39的x/y长宽比。但其在根据图9的视图中看起来不一样，这是因为在x-方向上以严重压缩的方式显示了传输微面38。
根据图1的结构，投射光学***10的安装长度B(即，物平面9与像平面18之间的间隔)与物像偏移dOIS的比B/dOIS约为1.8。根据于安装空间20的大小，也可使用其它小于20的比值，以引导照明光3越过安装空间20，例如，比值B/dOIS为15、12、10、8、6、4或3。也可以是更小的比值B/dOIS。
结合图1、6及7所述的投射光学的安装长度B(即，物平面9与像平面18之间的间隔)为1800mm。
图10显示了投射光学***42的光学设计的第一结构，可以使用投射光学***42代替上文在投射曝光装置1中示意性地描述的投射光学***。显示了照明光3的各个独立成像光束43(其从两个互相隔开的场点发出)的路线。还被显示为成像光束43之一的是中心场点的主光束，即准确位于连接物场12或像场17的角的对角线的交点上的场点的主光束。
在投射光学***42中，像平面18是投射光学***42在物平面9后的第一个场平面。换句话说，投射光学***42没有中间像平面。
投射光学***42在像侧上具有数值孔径0.25。安装长度B(即在投射光学***42的物平面9与像平面18之间的间隔)为1585mm。
在投射光学***的原则上可行但未显示的结构(其中物平面9不平行于像平面18布置)中，总长度B被定义为中心物场点与像平面的间隔。在具有奇数个反射镜(例如具有七个或九个反射镜)的、也可行但未显示的投射光学***中，安装长度被定义为反射镜之一与场平面之一之间的最大间隔。
投射光学***42的物像偏移dOIS为1114.5mm。物像偏移dOIS在此被定义为中心物场点到像平面18上的垂直投射P与中心像点之间的间隔。
因此，在根据图10的投射光学***中，安装长度B与物像偏移dOIS之间的比约为1.42。
在像平面18中，投射光学***42的场大小在y-方向上为2mm，在x-方向上为26mm，而在物平面9中，在y-方向上为8mm，在x-方向中为108mm。
物场12与像场17为矩形。基本上，这些场也可以是具有相应xy长宽比的部分环形，换句话说，所述场也可以存在为弯曲场。
场的y-尺寸也被指定为狭缝高度，x-尺寸为狭缝宽度。
成像光束43在物场12上(即在反射掩模或掩模母版上)的入射角β为6°。也可以是其它的入射角β。
投射光学***42总共具有六个反射镜M1、M2、M3、M4、M5、M6，其按照由照明光3的照射顺序从物场12开始编号。反射镜M3与M6为凹面。反射镜M4为凸面。在图10中，仅显示反射镜M1至M6的反射面，而未显示全部的反射镜本体或相关联的支撑件。
照明光3分别以入射角谱照射反射镜M1至M6。此入射角谱是相应反射镜M1至M6上的最小入射角αmin与最大入射角αmax之间的差。图10中使用倒数第二个反射镜M5的示例显示了这一点，反射镜M5具有投射光学***42的绝对值最大入射角谱。
下表反映了反射镜M1至M6的入射角谱αmax-αmin：
  反射镜   αmax-αmin
  M1   4.4°
  M2   5.5°
  M3   2.3°
  M4   2.2°
  M5   10°
  M6   9.6°
在图10所示的子午面中，最小入射角αmin出现在反射镜M5的右边缘且约为14°。在图10中，最大入射角αmax出现在反射镜M5的左边缘且约为24°。反射镜M5因此具有入射角谱10°。此入射角谱同时是反射镜M1至M6之一的最大入射角差。投射光学***42的反射镜M1至M6的入射角因此实际上专门在一范围中波动，其中很好地满足了小角度(0°≤α≤7°)的近似。因此，反射镜M1至M6分别在其整个反射面上涂有均匀厚度的反射涂层。
特别地，反射涂层是多层涂层，即交替的钼层和硅层的叠层，如对于EUV反射涂层所公知的。由于仅10°的小最大入射角谱，因而确保投射光学***42的所有反射镜M1至M6上的反射率在其整个反射镜面上几乎恒定。因此，在投射光学***42中不出现相应反射镜面上的不期望反射路线、也不出现不期望的大切趾(apodisation)。切趾被定义为照明光3在光瞳上的强度分布的变化。如果照明光3在投射光学***7的光瞳平面中的最大强度表示为Imax，并且照明光3在此光瞳平面上的最小强度表示为Imin，则例如值
A＝(Imax-Imin)/Imax
为切趾的量度。
反射镜M1至M6中的至少一个具有反射面，其被构造为具有双锥基本形状的自由形状反射面，并且其可以由以下表面公式描述：
z = cvx · x 2 + cvy · y 2 1 + 1 - cv x 2 ( ccx + 1 ) x 2 - cv y 2 ( ccy + 1 ) y 2 + Σ i = 0 n Σ j = 0 i α j , i - j x j y i - j
在此情况中，x和y表示反射面上始于坐标原点的坐标，坐标原点被定义为法线穿过反射面的穿透点。此穿透点理论上也可以位于使用的反射面之外。
z表示自由形状反射面的箭头高度。系数cvx与cvy描述自由形状反射面在xz和yz-截面中的曲率。系数ccx与ccy是圆锥参数。
自由形状面公式具有双锥前项、以及后续的具有系数aji的xy-多项式。
投射光学***42中的反射镜M1至M6的光学面的布置和形状由以下各表给定。
表1的第一栏以数字界定选择的表面。第二栏给出z-方向中相应表面与相应下一表面的间隔。表1的第三栏给出相应面的局部坐标***相对于全局坐标***的y-偏心(decentration)。
表1的最后一栏允许将所界定的表面分配给投射光学***42的组件。
  表面   在前一表面后的间隔   y-偏心
  0   0.000000   0   像平面
  1   708.322803   0
  2   -617.533694   -91.468948   M6
  3   583.375491   -91.682056   M5
  4   -593.218566   -91.059467   M4
  5   648.730180   -155.250886   M3
  6   -403.572644   -96.008370   M2
  7   674.571026   -73.556295   M1
  8   0.000000   -656.479198   物平面
表1
表2表示有关反射镜M6(表面2)、M5(表面3)、M4(表面4)、M3(表面5)、M2(表面6)和M1(表面7)的相应自由形状反射面的数据。未给出的系数等于零。此外，还满足：RDX＝l/cvx；RDY＝l/cvy。
  自由形状数据
  Surface   2
  RDY   -970.864728
  RDX   -994.977890
  CCY   0.433521
  CCX   0.477907
j i-j aj，i-j
  0   1   -1.160933E-03
  2   0   -2.807756E-05
  0   2   -2.400704E-05
  2   1   -2.727535E-10
  0   3   -1.561712E-09
  表面   3
  RDY   -859.920276
  RDX   -909.711920
  CCY   2.066084
  CCX   2.157360
j i-j aj，i-j
  0   1   -6.956243E-03
  2   0   4.069558E-04
  0   2   4.110308E-04
  2   1   -1.135961E-08
  0   3   -3.068762E-08
  表面   4
  RDY   2123.400000
  RDX   1668.900000
  CCY   11.575729
  CCX   7.435682
j i-j aj，i-j
  0   1   1.393833E-01
  2   0   3.570289E-04
  0   2   4.726719E-04
  2   1   4.922014E-08
  0   3   1.301911E-09
  表面   5
  RDY   1292.100000
  RDX   1411.600000
  CCY   -0.067691
  CCX   0.332429
j i-j aj，i-j
  0   1   2.827164E-03
  2   0   3.218435E-05
  0   2   6.355344E-07
  2   1   3.212318E-09
  0   3   3.463152E-09
  表面   6
  RDY   -2615.500000
  RDX   -11975.000000
  CCY   0.354474
  CCX   58.821858
j i-j aj，i-j
  0   1   -1.510373E-01
  2   0   2.929133E-04
  0   2   3.971921E-04
  2   1   -2.211237E-08
  0   3   2.084484E-08
  表面   7
  RDY   171.052222
  RDX   507.844993
  CCY   -1.000256
  CCX   -1.006263
j i-j aj，i-j
  0   1   1.224307E-02
  2   0   -7.916373E-04
  0   2   -2.757507E-03
  2   1   -3.313700E-08
  0   3   -7.040288E-09
表2
图11显示了投射光学***44的另一结构，可使用投射光学***44代替投射曝光装置1中的投射光学***42。投射光学***44的对应于上文参考投射光学***42所述的组件的组件具有相同的附图标记，并不再详细论述。
投射光学***44在像侧上具有数值孔径0.25。投射光学***44的安装长度B为1000mm。投射光学***44的物像偏移dOIS为656.5mm。比值B/dOIS因此约为1.52。
在投射光学***44中，在反射镜M5处，也出现最大入射角谱，且在那里为12°。在图11中，反射镜M5的最小入射角出现在右边缘且约为6°。在图11中，反射镜M5上的最大入射角出现在左边缘且约为18°。在投射光学***44中，像平面18也是物平面9之后的第一个场平面。
在投射光学***44中，也将反射镜M1至M6中的至少一个构造为双锥自由形状反射面。在投射光学***44中的反射镜M1至M6的光学面的布置和形状由以下各表给定。
表3的第一栏以数字界定所选定的表面。第二栏给出相应表面与相应下一表面在z-方向上的间隔。表3的第三栏给出相应面的局部坐标***相对于全局坐标***的y-偏心。
表3的最后一栏允许将所界定的表面分配给投射光学***44的组件。
  表面   前一表面之后的间距   y-偏心
  0   0.000000   0   像平面
  1   636.883689   0
  2   -584.268871   -127.232050   M6
  3   649.268844   -127.625397   M5
  4   -689.518581   -127.310875   M4
  5   635.140406   -214.759354   M3
  6   -438.983578   -160.525812   M2
  7   792.496449   -161.853347   M1
  8   0.000000   -978.074419   物平面
表3
表4表示有关反射镜M6(表面2)、M5(表面3)、M4(表面4)、M3(表面5)、M2(表面6)以及M1(表面7)的相应自由形状反射面的数据。未给出的系数等于零。此外，还满足：RDX＝l/cvx；RDY＝l/cvy。
  自由形状数据
  表面   2
  RDY   -1024.300000
  RDX   -1051.200000
  CCY   0.715756
  CCX   0.739924
j i-j aj，i-j
  0   1   -7.576779E-04
  2   0   -3.738732E-05
  0   2   -4.247383E-05
  2   1   9.295774E-10
  0   3   -2.890724E-09
  4   0   -7.975116E-13
  2   2   -5.165327E-12
  0   4   3.661841E-13
  4   1   -7.996231E-16
  2   3   2.111768E-15
  0   5   -1.722248E-15
  6   0   -5.045304E-19
  4   2   5.124801E-18
  2   4   6.369116E-18
  0   6   -1.032383E-18
  表面   3
  RDY   -1035.900000
  RDX   -1101.300000
  CCY   2.617124
  CCX   2.951155
j i-j aj，i-j
  0   1   -2.179019E-03
  2   0   4.431389E-04
  0   2   4.560760E-04
  2   1   -1.644268E-08
  0   3   -2.950490E-08
  4   0   2.263165E-11
  2   2   1.778578E-11
  0   4   1.964554E-12
  4   1   1.279827E-14
  2   3   6.648394E-14
  0   5   -2.265488E-14
  6   0   2.095952E-17
  4   2   4.287989E-17
  2   4   -1.642439E-17
  0   6   -2.118969E-17
  表面   4
  RDY   1665.900000
  RDX   1372.000000
  CCY   9.138623
  CCX   1.926620
j i-j aj，i-j
  0   1   2.014437E-01
  2   0   2.109164E-04
  0   2   4.684147E-04
  2   1   1.447739E-09
  0   3   3.484838E-09
  4   0   -1.165581E-24
  2   2   4.175896E-13
  0   4   7.119405E-12
  4   1   5.269322E-14
  2   3   -2.420761E-14
  0   5   -2.012170E-14
  6   0   -3.454027E-16
  4   2   1.557629E-16
  2   4   -1.050420E-15
  0   6   -2.742748E-17
  表面   5
  RDY   1238.200000
  RDX   1414.200000
  CCY   -0.000012
  CCX   0.119482
j i-j aj，i-j
  0   1   1.047982E-02
  2   0   2.196150E-05
  0   2   7.186632E-07
  2   1   4.040466E-09
  0   3   9.100125E-09
  4   0   5.634656E-12
  2   2   -2.298266E-14
  0   4   -4.645176E-13
  4   1   9.046464E-16
  2   3   -2.605868E-16
  0   5   -1.673891E-15
  6   0   -2.618503E-18
  4   2   4.839689E-18
  2   4   -6.947211E-18
  0   6   -4.314040E-18
  表面   6
  RDY   -3684.400000
  RDX   -3506.300000
  CCY   -0.001235
  CCX   0.415150
j i-j aj，i-j
  0   1   -1.767860E-01
  2   0   5.073838E-04
  0   2   5.272916E-04
  2   1   -3.957421E-08
  0   3   8.058238E-09
  4   0   7.959552E-25
  2   2   -7.112502E-13
  0   4   6.827653E-13
  4   1   -2.253930E-13
  2   3   1.303253E-13
  0   5   1.567942E-15
  6   0   -2.326019E-16
  4   2   -2.314170E-16
  2   4   1.309455E-16
  0   6   -5.879379E-18
  表面   7
  RDY   167.705178
  RDX   408.126726
  CCY   -1.001961
  CCX   -0.994641
j i-j aj，i-j
  0   1   -2.378224E-04
  2   0   -1.003186E-03
  0   2   -2.870643E-03
  2   1   -3.511331E-09
  0   3   -1.211650E-07
  4   0   -7.010621E-11
  2   2   -5.812898E-12
  0   4   -4.637999E-13
  4   1   -1.913197E-13
  2   3   6.243649E-16
  0   5   4.280774E-16
  6   0   -5.399656E-17
  4   2   -1.237113E-16
  2   4   1.580174E-19
  0   6   6.222451E-19
表4
图12显示了投射光学***45的另一结构，可使用投射光学***45代替投射曝光装置1中的投射光学***42。投射光学***45的对应于上文参考投射光学***42所述的组件的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
投射光学***45在像侧上具有数值孔径0.32。投射光学***45的安装长度B为1000mm。投射光学***45的物像偏移dOIS为978mm。因此，比值B/dOIS约为1.02。
在投射光学***45中，在反射镜M5处，也出现最大入射角谱，且在那里为13°。在图12中，反射镜M5的最小入射角出现在右边缘且约为9°。在图12中，反射镜M5上的最大入射角出现在左边缘且约为22°。在投射光学***45中，像平面18也是物平面9之后的第一个场平面。
在投射光学***45中，也将反射镜M1至M6中的至少一个构造为双锥自由形状反射面。
在投射光学***45中的反射镜M1至M6的光学面的布置和形状由以下各表给定。
表5的第一栏以数字界定所选定的表面。第二栏给出相应表面与相应下一表面在z-方向上的间隔。表5的第三栏给出相应面的局部坐标***相对于全局坐标***的v-偏心。
表5的最后一栏允许将所界定的表面分配给投射光学***45的组件。
Figure BDA0000105962690000251
表5
表6表示有关反射镜M6(表面2)、M5(表面3)、M4(表面4)、M3(表面5)、M2(表面6)以及M1(表面7)的相应自由形状反射面的数据。未给出的系数等于零。此外，满足：RDX＝l/cvx；RDY＝l/cvy。
 自由形状数据
 表面   2
 RDY   -1172.300000
 RDX   -1295.000000
  CCY   0.787469
  CCX   1.053600
j i-j aj，i-j
  0   1   -7.219074E-04
  2   0   -3.578974E-05
  0   2   -2.128273E-05
  2   1   7.097815E-10
  0   3   -1.618913E-09
  4   0   -2.252005E-12
  2   2   -3.895991E-12
  0   4   2.750606E-13
  4   1   -4.464498E-15
  2   3   -4.637860E-16
  0   5   -6.920120E-16
  6   0   -3.637297E-18
  4   2   2.537830E-18
  2   4   1.002850E-17
  0   6   -3.044197E-18
  表面   3
  RDY   -1236.400000
  RDX   -1536.200000
  CCY   2.551177
  CCX   4.047183
j i-j aj，i-j
  0   1   -6.558677E-03
  2   0   3.540129E-04
  0   2   4.133618E-04
  2   1   -1.904320E-08
  0   3   -3.576692E-08
  4   0   1.496417E-12
  2   2   1.864663E-11
  0   4   3.000005E-12
  4   1   -7.105811E-15
  2   3   5.293727E-14
  0   5   -1.509974E-14
  6   0   2.907360E-18
  4   2   5.694619E-17
  2   4   8.177232E-17
  0   6   4.847943E-18
  表面   4
  RDY   2267.500000
  RDX   1709.200000
  CCY   13.716154
  CCX   2.188445
j i-j aj，i-j
  0   1   2.536301E-01
  2   0   1.786226E-04
  0   2   4.303983E-04
  2   1   -5.494928E-10
  0   3   4.116436E-09
  4   0   -2.775915E-11
  2   2   3.269596E-11
  0   4   3.121929E-12
  4   1   2.286620E-14
  2   3   1.431437E-14
  0   5   -8.016660E-15
  6   0   -8.966865E-17
  4   2   3.631639E-16
  2   4   -3.150250E-16
  0   6   -7.235944E-18
  表面   5
  RDY   1453.100000
  RDX   1691.600000
  CCY   0.004158
  CCX   0.130787
j i-j aj，i-j
  0   1   1.413720E-02
  2   0   1.853431E-05
  0   2   8.632041E-07
  2   1   2.471907E-09
  0   3   1.031600E-08
  4   0   1.594814E-12
  2   2   1.271047E-13
  0   4   -8.477699E-14
  4   1   1.841514E-15
  2   3   1.063273E-15
  0   5   -3.890516E-16
  6   0   -7.937130E-19
  4   2   4.923627E-18
  2   4   -3.489821E-18
  0   6   -3.625541E-18
  表面   6
  RDY   -3061.000000
  RDX   -3961.700000
  CCY   0.069638
  CCX   0.416068
j i-j aj，i-j
  0   1   -1.950186E-01
  2   0   4.908498E-04
  0   2   5.948960E-04
  2   1   -2.711540E-08
  0   3   1.073427E-08
  4   0   -3.053221E-12
  2   2   -5.601149E-12
  0   4   4.072326E-13
  4   1   -3.675214E-13
  2   3   3.165916E-14
  0   5   -1.649353E-15
  6   0   -8.908751E-17
  4   2   -2.427088E-16
  2   4   2.643106E-16
  0   6   -7.400900E-18
  表面   7
  RDY   210.148013
  RDX   383.382688
  CCY   -1.001702
  CCX   -0.999069
j i-j aj，i-j
  0   1   -2.506963E-04
  2   0   -1.093695E-03
  0   2   -2.285463E-03
  2   1   -7.246135E-09
  0   3   -1.030905E-07
  4   0   -7.535621E-11
  2   2   -4.600461E-12
  0   4   -9.217052E-14
  4   1   -2.057821E-13
  2   3   2.433632E-16
  0   5   1.627316E-16
  6   0   -1.969282E-17
  4   2   -1.033559E-16
  2   4   2.086873E-17
  0   6   1.058816E-18
表6
图13显示了投射光学***46的另一结构，可以使用投射光学***46取代投射曝光装置1中的投射光学***42。投射光学***46的对应于上文参考投射光学***42所述的组件的组件具有相同的附图标记，并不再详细讨论。
投射光学***46在像侧上具有数值孔径0.35。投射光学***46的安装长度B为1500mm。投射光学***46中的物像偏移dOIS为580mm。比值B/dOIS因此约为2.59。
最小入射角0.15°与最大入射角23.72°出现在投射光学***46的反射镜M5上。反射镜M5上的入射角谱因此为23.57°，并且是投射光学***46的反射镜之一上的最大入射角谱。
投射光学***46在反射镜M4与M5之间具有中间像平面47。其大约出现在引导成像光束越过反射镜M6的位置处。
投射光学***46的反射镜M1至M6的自由表面反射面在数学上可由以下等式描述：
Z = cr 2 1 + 1 - ( 1 + k ) c 2 r 2 + Σ j = 2 66 C j X m Y n
其中：
j = ( m + n ) 2 + m + 3 n 2 + 1
z是自由形状面在点x，y(x2+y2＝r)处的矢高。
c为常数，对应于对应非球面的顶点曲率。k对应于对应非球面的圆锥常数。Cj是单项式XmYn的系数。典型地，基于投射光学***46中所需要的反射镜光学特性，决定C、k和Cj的值。单项式的阶m+n可以按需要变化。较高阶的单项式可以使得投射光学***的设计具有更好的像差校正，但其计算更复杂。m+n可选用3与超过20之间的数值。
自由形状面在数学上亦可用zernike多项式描述，例如在光学设计程序CODE V
Figure BDA0000105962690000311
的手册中所描述的。替代地，可以借助二维样条表面来描述自由形状面。其示例为bezier曲线或非均匀有理基样条(NURBS)。二维样条表面例如可以由xy-平面中的点网络与相关联的z-值来描述，或者由这些点以及与其有关的梯度来描述。取决于相应的样条表面类型，可以通过使用例如多项式或函数在网络点之间进行插值来获得完全表面，所述多项式或函数的连续性和可微性具有特定性质。其示例是解析函数。
可以从以下各表推导出投射光学***46的反射镜M1至M6的反射面的光学设计数据。这些表中的第一个针对光学组件的光学面和孔径光阑，给出顶点曲率的相应倒数值(半径)和间隔值(厚度)，间隔值对应于从物平面开始的光束路径中相邻组件的z-间隔。第二个表给出以上针对反射镜M1至M6给出的自由形状面等式中的单项式XmYn的系数Cj。这里N半径是标准化因子。根据第二个表，相应反射镜从反射镜参考设计偏心(Y-偏心)和旋转(X-旋转)的量也以mm为单位。其对应于上述自由形状面设计方法中的平行位移和倾斜。这里，位移发生在y-方向上，倾斜绕着x-轴。这里，以度数给出旋转角。
Figure BDA0000105962690000312
Figure BDA0000105962690000321
Figure BDA0000105962690000331
在图13，附图标记48表示属于中心物场点的主光束。在图13中，物平面9上的法线以49表示，且穿过中心物场点。主光束48和法线49因此在物平面9中相交。主光束48与法线49的间隔沿着物平面9与像平面18之间的主光束48的进一步的光束路径单调地增加。当主光束48穿过像平面18(换句话说在中心像场点中)时，此间隔等于物像偏移dOIS。在物平面9与像平面18之间的光束路径中，主光束48与法线49的间隔的单调增加表示此间隔沿着光束路径路线在任何地方都不会变小。在投射光学***46中，此间隔持续变大，直到主光束48照射到最后一个反射镜M6上为止。此间隔在主光束48在反射镜M6上的照射点与像平面18之间保持恒定。
为制造微结构的组件，尤其是高度集成的半导体组件，例如存储器芯片，借助于投射曝光装置1，首先提供掩模母版8和晶片19。接着，通过投射曝光装置1的投射光学***，将掩模母版8上的结构投射到晶片19的光敏层上。接着通过显影光敏层，在晶片19上产生微结构，然后从此产生微米结构或纳米结构的组件。

Claims (18)

1.一种用于微光刻的照明光学***(11；30；32)，用于照明物场(12)，
-具有第一传输光学***(4)，用于引导从光源(2)发出的照明光(3)；
-具有照明预设分面镜(7)，其在所述第一传输光学***(4)的下游且具有多个照明预设微面(25)，所述照明预设分面镜(7)通过所述照明预设分面镜(7)的能被照明的边缘形状(24)、以及所述照明预设微面(25)的各个独立倾斜角，而产生所述物场(12)的预设照明；
其特征在于：将所述第一传输光学***(4)和所述照明预设分面镜(7)布置为产生所述物场(12)的远心照明。
2.如权利要求1所述的照明光学***，其特征在于：在光源布置(2、5)和所述物场(12)之间最多具有三个反射组件(6、7；6、7、34)。
3.如权利要求1或2所述的照明光学***，其特征在于：所述第一传输光学***(4)具有传输分面镜(6)，在所述照明光(3)的光束路径中所述传输分面镜(6)被布置在所述照明预设分面镜(7)的上游且具有多个传输微面(21；38)，所述传输微面(21；38)被取向，使得照明所述照明预设分面镜，所述预设边缘形状(24)与所述物场(12)的形状适配，且对于所述照明预设微面(25)预设分配。
4.如权利要求3所述的照明光学***，其特征在于：将所述传输微面(21；38)分组为多个传输微面组(22；39)，其中所述传输微面组(22；39)之一分别引导照明光，用于所述物场(12)的完全照明。
5.如权利要求4所述的照明光学***，其特征在于：所述传输微面组(22；39)具有组边缘形状，其在几何形状上与所述物场(12)的边缘形状(12a)相似。
6.如权利要求4或5所述的照明光学***，其特征在于：形成传输微面组(22；39)的所述传输微面(21；38)布置为多个列，在每个所述列中，在列方向(y)上连续地布置多个传输微面(21；38)。
7.如权利要求6所述的照明光学***，其特征在于：相邻列(S1、S2)具有沿着所述列方向(y)相对于彼此偏移布置的传输微面(21)。
8.如权利要求3至7中的任一项所述的照明光学***，其特征在于：所述传输微面(38)彼此分离间隙(41)，所述间隙相对于所述列方向(y)以非零的角度延伸。
9.如权利要求1至8中的任一项所述的照明光学***，其特征在于：所述照明预设分面镜(7)具有通孔(31)，在所述光源(2)与所述传输分面镜(6)之间引导所述照明光(3)通过所述通孔。
10.一种光学***，具有如权利要求1至9中的任一项所述的照明光学***，并且具有用于将所述物场(12)成像在像场(17)中的投射光学***(10；33；36)。
11.一种光学***，
-具有用于微光刻的照明光学***(35)，用于照明物场(12)；
-具有第一传输光学***(4)，用于引导从光源(2)发出的照明光(3)；
-具有照明预设分面镜(7)，其布置在所述第一传输光学***(4)的下游且具有多个照明预设微面(25)，所述照明预设分面镜(7)通过所述照明预设分面镜(7)的能被照明的边缘形状(24)、以及所述照明预设微面(25)的各个独立倾斜角，而产生所述物场(12)的预设照明；
-具有投射光学***(36)，用于将所述物场(12)成像在像场(17)中；
其特征在于：
-所述投射光学***(36)的入瞳(37)布置在所述照明预设分面镜(7)与所述物场(12)之间或在所述物场(12)之后；
-其中所述第一传输光学***(4)和所述照明预设分面镜(7)被布置为使得所述物场(12)的照明与所述投射光学***(36)的所述入瞳适配。
12.如权利要求11的光学***，其特征在于：所述入瞳(37)距所述物场(12)的间隔、与所述物场(2)距所述照明预设分面镜(7)的间隔之间的比小于0.9。
13.一种光学***，
-具有用于微光刻的照明光学***(11；30)，用于照明物场(12)；
-具有第一传输光学***(4)，用于引导从光源(2)发出的照明光(3)；
-具有照明预设分面镜(7)，其布置在所述第一传输光学***(4)的下游且具有多个照明预设微面(25)，所述照明预设分面镜(7)通过所述照明预设分面镜(7)的能被照明的边缘形状(24)、以及所述照明预设微面(25)的各个独立倾斜角，而产生所述物场(12)的预设照明；
-具有投射光学***(36)，用于将所述物场(12)成像在像场(17)中；
特征在于：所述投射光学***(10)的安装长度(B)与物像偏移(dOIS)之间的比小于20。
14.一种光学***，
-具有用于微光刻的照明光学***(11；30)，用于照明物场(12)；
-具有第一传输光学***(4)，用于引导从光源(2)发出的照明光(3)；
-具有照明预设分面镜(7)，其布置在所述第一传输光学***(4)的下游且具有多个照明预设微面(25)，所述照明预设分面镜(7)通过所述照明预设分面镜(7)的能被照明的边缘形状(24)、以及所述照明预设微面(25)的各个独立倾斜角，而产生所述物场(12)的预设照明；
-具有投射光学***(36)，用于将所述物场(12)成像在像场(17)中；
-其中在所述光源(2)与所述物场(12)之间的所述照明光学***(11；30；32；35)具有中间焦点(5a)；
其特征在于：所述投射光学***(10；33；36)的安装长度(B)与中间焦点-像偏移(D)的比小于5。
15.一种光学***，
-具有用于微光刻的照明光学***(11；30)，用于照明物场(12)；
-具有第一传输光学***(4)，用于引导从光源(2)发出的照明光(3)；
-具有投射光学***(36)，用于将所述物场(12)成像在像场(17)中；
其特征在于：所述投射光学***(10；33；36)的安装长度(B)与照明光束-像偏移(E)的比小于5。
16.一种投射曝光装置，
-具有如权利要求10至15中的任一项所述的光学***；以及
-具有光源(12)。
17.一种用于制造微结构组件的方法，具有以下方法步骤：
-提供掩模母版(8)，
-提供晶片(19)，其具有对照明光(3)敏感的涂层，
-利用如权利要求16所述的投射曝光装置(1)，将所述掩模母版(8)的至少一部分投射到所述晶片(19)上，
-显影所述晶片上被所述照明光(3)曝光的光敏层。
18.一种通过如权利要求17所述的方法制造的组件。
CN200980159125.6A 2009-03-06 2009-03-06 用于微光刻的照明光学***与光学*** Active CN102422225B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/EP2009/001622 WO2010099807A1 (de) 2009-03-06 2009-03-06 Beleuchtungsoptik sowie optische systeme für die mikrolithographie

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102422225A true CN102422225A (zh) 2012-04-18
CN102422225B CN102422225B (zh) 2014-07-09

Family

ID=41484252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200980159125.6A Active CN102422225B (zh) 2009-03-06 2009-03-06 用于微光刻的照明光学***与光学***

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9164394B2 (zh)
JP (1) JP5525550B2 (zh)
KR (1) KR101478400B1 (zh)
CN (1) CN102422225B (zh)
TW (1) TWI497222B (zh)
WO (1) WO2010099807A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105917255A (zh) * 2014-01-30 2016-08-31 卡尔蔡司Smt有限责任公司 制造反射镜元件的方法
CN106030415A (zh) * 2014-02-21 2016-10-12 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于投射光刻的照明光学单元

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6112478B2 (ja) * 2008-03-20 2017-04-12 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィのための投影対物系
CN102422225B (zh) 2009-03-06 2014-07-09 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于微光刻的照明光学***与光学***
JP5220136B2 (ja) 2011-01-01 2013-06-26 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置およびデバイス製造方法
DE102011076145B4 (de) * 2011-05-19 2013-04-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik
EP2823360B1 (de) 2012-03-09 2022-06-22 Carl Zeiss SMT GmbH Beleuchtungsoptik für die euv-projektionslithografie sowie optisches system mit einer derartigen beleuchtungsoptik
DE102012220596A1 (de) * 2012-11-13 2014-05-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik
DE102013217269A1 (de) 2013-08-29 2015-03-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrospiegel-Array
DE102014220203A1 (de) 2013-11-21 2015-05-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102014216802A1 (de) 2014-08-25 2016-02-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektions-Lithographie
DE102015208512A1 (de) 2014-09-03 2016-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102014217611A1 (de) 2014-09-03 2016-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102014217610A1 (de) 2014-09-03 2016-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102014217612A1 (de) 2014-09-03 2016-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungoptik für die Projektonslithograpfie
DE102014217620A1 (de) 2014-09-03 2016-03-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage
CN107111242B (zh) 2014-11-18 2020-04-24 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Euv投射光刻的照明光学单元
DE102014223452A1 (de) * 2014-11-18 2016-05-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Teilsystem für die Projektionslithographie sowie Beleuchtungsoptik für die Projektionslithographie
DE102014223453A1 (de) 2014-11-18 2016-05-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102014223454A1 (de) 2014-11-18 2016-05-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102015219057A1 (de) 2014-12-15 2016-06-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für die EUV-Projektionslithografie
DE102015203469A1 (de) 2015-02-26 2015-04-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Erzeugung einer gekrümmten optischen Spiegelfläche
DE102015217603A1 (de) 2015-09-15 2017-03-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
DE102015224597A1 (de) 2015-12-08 2016-10-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Feldfacettenspiegel für die EUV-Projektionslithographie
DE102020212351A1 (de) * 2020-09-30 2022-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Mikrospiegel-Array für eine beleuchtungsoptische Komponente einer Projektionsbelichtungsanlage
DE102022204098A1 (de) 2022-04-27 2023-11-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1202101A2 (de) * 2000-10-27 2002-05-02 Carl Zeiss Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
CN1445613A (zh) * 2002-03-18 2003-10-01 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件的制作方法
US20040108467A1 (en) * 2001-06-01 2004-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system
US20070295919A1 (en) * 2006-06-01 2007-12-27 Carl Zeiss Smt Ag Euv illumination system
DE102006059024A1 (de) * 2006-12-14 2008-06-19 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, Beleuchtungsoptik für eine derartige Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zum Betrieb einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil
US20080259303A1 (en) * 2007-04-19 2008-10-23 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure apparatus for microlithography

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000091209A (ja) 1998-09-14 2000-03-31 Nikon Corp 露光装置の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法
DE19908526A1 (de) * 1999-02-26 2000-08-31 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem mit Feldspiegeln zur Erzielung einer gleichförmigen Scanenergie
DE10138313A1 (de) 2001-01-23 2002-07-25 Zeiss Carl Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm
US20050002090A1 (en) * 1998-05-05 2005-01-06 Carl Zeiss Smt Ag EUV illumination system having a folding geometry
US6859328B2 (en) * 1998-05-05 2005-02-22 Carl Zeiss Semiconductor Illumination system particularly for microlithography
US6396067B1 (en) 1998-05-06 2002-05-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Mirror projection system for a scanning lithographic projection apparatus, and lithographic apparatus comprising such a system
US6577443B2 (en) 1998-05-30 2003-06-10 Carl-Zeiss Stiftung Reduction objective for extreme ultraviolet lithography
US6072852A (en) 1998-06-09 2000-06-06 The Regents Of The University Of California High numerical aperture projection system for extreme ultraviolet projection lithography
US6361176B1 (en) 1999-07-09 2002-03-26 Nikon Corporation Reflection reduction projection optical system
JP2003506881A (ja) * 1999-07-30 2003-02-18 カール ツァイス シュティフトゥング トレイディング アズ カール ツァイス Ｅｕｖ照明光学系の射出瞳における照明分布の制御
JP2002015979A (ja) 2000-06-29 2002-01-18 Nikon Corp 投影光学系、露光装置及び露光方法
JP2002329655A (ja) 2001-05-01 2002-11-15 Canon Inc 反射型縮小投影光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP2003045782A (ja) 2001-07-31 2003-02-14 Canon Inc 反射型縮小投影光学系及びそれを用いた露光装置
DE10317667A1 (de) * 2003-04-17 2004-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element für ein Beleuchtungssystem
DE10360414A1 (de) 2003-12-19 2005-07-21 Carl Zeiss Smt Ag EUV-Projektionsobjektiv sowie Verfahren zu dessen Herstellung
JP4522137B2 (ja) 2004-05-07 2010-08-11 キヤノン株式会社 光学系の調整方法
US7196343B2 (en) 2004-12-30 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Optical element, lithographic apparatus including such an optical element, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7453645B2 (en) * 2004-12-30 2008-11-18 Asml Netherlands B.V. Spectral purity filter, lithographic apparatus including such a spectral purity filter, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US20060162739A1 (en) * 2005-01-21 2006-07-27 Nikon Corporation Cleaning chuck in situ
JP2006245147A (ja) 2005-03-01 2006-09-14 Canon Inc 投影光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
WO2006119977A1 (en) * 2005-05-13 2006-11-16 Carl Zeiss Smt Ag A six-mirror euv projection system with low incidence angles
KR101127346B1 (ko) 2005-09-13 2012-03-29 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그라피 투영 광학 시스템, 디바이스 제작 방법 및 광학 표면을 설계하기 위한 방법
DE102006043251A1 (de) 2005-09-13 2007-03-15 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographie-Projektionsobjektiv, Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Objektiv, Herstellungsverfahren mikrostrukturierter Bauteile mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauteil
DE102006003375A1 (de) 2006-01-24 2007-08-09 Carl Zeiss Smt Ag Gruppenweise korrigiertes Objektiv
DE102006014380A1 (de) 2006-03-27 2007-10-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille
WO2007115597A1 (en) 2006-04-07 2007-10-18 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection optical system, tool and method of production
WO2008010234A2 (en) * 2006-07-17 2008-01-24 International Institute Of Information Technology Method for on-site analysis
DE102006036064A1 (de) 2006-08-02 2008-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Wellenlängen ≦ 193 nm
JP2008042203A (ja) * 2006-08-02 2008-02-21 Cark Zeiss Smt Ag 波長≦１９３ｎｍによる投影露光装置用の照明システム
DE102006056035A1 (de) * 2006-11-28 2008-05-29 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektions-Mikrolithographie, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil
EP1930771A1 (en) 2006-12-04 2008-06-11 Carl Zeiss SMT AG Projection objectives having mirror elements with reflective coatings
JP2008158211A (ja) 2006-12-22 2008-07-10 Canon Inc 投影光学系及びそれを用いた露光装置
US7889321B2 (en) 2007-04-03 2011-02-15 Asml Netherlands B.V. Illumination system for illuminating a patterning device and method for manufacturing an illumination system
JP6112478B2 (ja) 2008-03-20 2017-04-12 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィのための投影対物系
DE102008002749A1 (de) * 2008-06-27 2009-12-31 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die Mikrolithografie
CN102422225B (zh) 2009-03-06 2014-07-09 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于微光刻的照明光学***与光学***

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1202101A2 (de) * 2000-10-27 2002-05-02 Carl Zeiss Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
US20040108467A1 (en) * 2001-06-01 2004-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system
CN1445613A (zh) * 2002-03-18 2003-10-01 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件的制作方法
US20070295919A1 (en) * 2006-06-01 2007-12-27 Carl Zeiss Smt Ag Euv illumination system
DE102006059024A1 (de) * 2006-12-14 2008-06-19 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, Beleuchtungsoptik für eine derartige Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zum Betrieb einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil
US20080259303A1 (en) * 2007-04-19 2008-10-23 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure apparatus for microlithography

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105917255A (zh) * 2014-01-30 2016-08-31 卡尔蔡司Smt有限责任公司 制造反射镜元件的方法
US10423073B2 (en) 2014-01-30 2019-09-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Method for producing a mirror element
CN106030415A (zh) * 2014-02-21 2016-10-12 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于投射光刻的照明光学单元
US9897924B2 (en) 2014-02-21 2018-02-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination optical unit for projection lithography
CN106030415B (zh) * 2014-02-21 2020-02-21 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于投射光刻的照明光学单元
CN111176077A (zh) * 2014-02-21 2020-05-19 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于投射光刻的照明光学单元
TWI714524B (zh) * 2014-02-21 2021-01-01 德商卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 用於投影微影的照明光學單元、光瞳琢面反射鏡、光學系統、照明系統、投影曝光裝置、用以產生一微結構組件之方法以及微結構組件
CN111176077B (zh) * 2014-02-21 2022-09-06 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于投射光刻的照明光学单元
TWI782331B (zh) * 2014-02-21 2022-11-01 德商卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 用於投影微影的照明光學單元、光瞳琢面反射鏡、光學系統、照明系統、投影曝光裝置、用以產生一微結構組件之方法以及微結構組件

Also Published As

Publication number Publication date
TW201040672A (en) 2010-11-16
JP2012519951A (ja) 2012-08-30
TWI497222B (zh) 2015-08-21
US9164394B2 (en) 2015-10-20
CN102422225B (zh) 2014-07-09
WO2010099807A1 (de) 2010-09-10
KR20110137787A (ko) 2011-12-23
US20110318696A1 (en) 2011-12-29
KR101478400B1 (ko) 2015-01-06
JP5525550B2 (ja) 2014-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102422225B (zh) 用于微光刻的照明光学***与光学***
CN111512188B (zh) 用于投射光刻***的光瞳分面反射镜、光学***和照明光学***
CN102317866B (zh) 成像光学***和具有此类型的成像光学***的用于微光刻的投射曝光设备
JP5883778B2 (ja) 入射瞳のバック・フォーカスが負である投影対物系および投影露光装置
JP5059049B2 (ja) 分割器及び光束の変形方法及び照明装置
TWI673515B (zh) 用於將物場成像於像場的投影光學單元以及包含此投影光學單元的投影曝光裝置
CN101978324B (zh) 用于微光刻的投射物镜
US20180074303A1 (en) Imaging optical unit and projection exposure unit including same
JP4801047B2 (ja) 鏡群を有するカタジオプトリック投影対物レンズ
CN102483516B (zh) 在像场中成像物场的成像光学***和照明物场的照明光学***
TW201546564A (zh) 用於投影微影的照明光學單元
CN102193334A (zh) 用于投射光刻的照明光学***
CN102301281B (zh) 用于微光刻的照明***
CN103080841A (zh) 成像光学***
CN102349026A (zh) 微光刻投射曝光设备
US5891806A (en) Proximity-type microlithography apparatus and method
CN107111242A (zh) Euv投射光刻的照明光学单元
CN102870030B (zh) 成像光学***和具有这种成像光学***的用于微光刻的投射曝光设备
CN102378935A (zh) 成像光学部件以及具有此类型的成像光学部件的用于微光刻的投射曝光装置
US6894837B2 (en) Imaging system for an extreme ultraviolet (EUV) beam-based microscope
US7999917B2 (en) Illumination system and microlithographic projection exposure apparatus including same
CN102033299B (zh) 折反射投射物镜
JP5854295B2 (ja) マイクロリソグラフィ用の照明光学系及び光学系

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant