CN102417794B - 电路连接材料、连接方法、连接结构体及制造方法和用途 - Google Patents

电路连接材料、连接方法、连接结构体及制造方法和用途 Download PDF

Info

Publication number
CN102417794B
CN102417794B CN2011102511296A CN201110251129A CN102417794B CN 102417794 B CN102417794 B CN 102417794B CN 2011102511296 A CN2011102511296 A CN 2011102511296A CN 201110251129 A CN201110251129 A CN 201110251129A CN 102417794 B CN102417794 B CN 102417794B
Authority
CN
China
Prior art keywords
polymkeric substance
circuit
application
methyl
free
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2011102511296A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102417794A (zh
Inventor
立泽贵
小林宏治
久米雅英
关耕太郎
相泽阳介
伊藤彰浩
藤绳贡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lishennoco Co ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of CN102417794A publication Critical patent/CN102417794A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102417794B publication Critical patent/CN102417794B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00—Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02—Electrically-conducting adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

本发明涉及一种电路连接材料、连接方法、连接结构体及制造方法和用途，该电路连接材料用于介于在第一基板主面上形成了第一电路电极的第一电路部件和在第二基板主面上形成了第二电路电极的第二电路部件之间，在第一电路电极和第二电路电极对向配置的状态下通过加热和加压对所述第一电路电极和所述第二电路电极进行电连接，其中，加压是在1.5MPa以下进行，该电路连接材料含有赋予膜性能的聚合物、自由基聚合性物质、自由基聚合引发剂和导电粒子，所述赋予膜性能的聚合物包含玻璃化温度不到70℃的聚合物，并且其配合量以赋予膜性能的聚合物和自由基聚合性物质的总量为基准，为30～70质量％。

Description

电路连接材料、连接方法、连接结构体及制造方法和用途
技术领域
本发明涉及一种电路连接材料、使用该材料的电路部件的连接方法、电路连接结构体和电路连接结构体的制造方法，以及连接材料的用途。
背景技术
一直以来，作为对相对向的电路进行加热、加压，并使加压方向的电极间电连接的电路连接材料，已知有各向异性导电性粘接膜。例如，已知有在环氧系粘接剂或丙烯酸系粘接剂中分散有导电粒子的各向异性导电性粘接膜。这种各向异性导电性粘接膜广泛用于主要搭载驱动液晶显示器(以下，称为“LCD”。)的半导体的TCP(Tape Carrier Package)或COF(Chip On Flex)与LCD面板的电连接，或者是TCP或COF与印刷线路板的电连接。
此外，最近，在通过面朝下直接将半导体安装在LCD面板或印刷线路板上时，也未采用以往的引线键合法，而是采用有利于薄型化和窄距离连接的倒装芯片安装。在倒装芯片安装中，可以使用各向异性导电性粘接膜作为电路连接材料(例如，参照日本特开昭59-120436号公报、日本特开昭60-191228号公报、日本特开平01-251787号公报、和日本特开平07-090237号公报)。
发明内容
在使用各向异性导电性粘接膜的电路部件的连接中，通过加热和加压将导电粒子夹持在对向配置的电极之间，确保了电极间的导通。在电路部件的连接工序中，需要足以使粘接剂成分流动的热和足以使导电粒子与电极密合的压力。对于热固化树脂系的电路连接材料，由于将其加热至固化剂充分反应的温度，因此需要较高的连接温度。此外，在电路部件的连接中，需要粘接剂成分固化所必需的热应力，以及在电极间压碎粒子的压力应力。因此，电路连接材料的连接，通常在3MPa以上的压力下进行。这些应力，容易对被粘接物产生损害，并且成为显示不良和可靠性下降的原因。特别是，在将PET膜用作被粘接物的触摸面板用途等中，要求降低压力应力。
由于自由基固化系的电路连接材料的出现，因而能够在低温、短时间内进行连接。然而，对于以往的自由基固化系的电路连接材料而言，在1.5MPa以下的低压条件下进行连接时，粘接剂成分的流动性不足，容易产生导通不良和压痕不良。
因此，本发明鉴于上述情况，目的在于提供一种即使在电路连接时的压力比以往低的情况下，也能够进行压痕的形成和连接电阻都良好的连接的电路连接材料、使用该电路连接材料的电路部件的连接方法、电路连接结构体和电路连接结构体的制造方法，以及连接材料的用途。
在使用电路连接材料的电路连接中，用进行连接的电路电极夹持电路连接材料，并从被粘合材料一侧推挤加热至高温的压接棒。通过压接棒加热的电路连接材料，显示出流动性，并且连接电路间不需要的粘接剂成分被挤出至连接部外。因此，如果对向电极间的空间比导电粒子的直径还小，则导电粒子被对向电极压碎，确保了电极间的导通。因此，在以更低的压力条件进行电路连接时，需要选择显示出足够高流动性的电路连接材料。
本发明人着眼于作为自由基聚合系电路连接材料构成成分的赋予膜性能的聚合物，反复进行了积极的研究，结果发现了即使电路连接时的压力低，也能够进行压痕的形成和连接电阻都良好的连接的电路连接材料。
也就是说，本发明提供一种电路连接材料，其用于介于在第一基板主面上形成了第一电路电极的第一电路部件和在第二基板主面上形成了第二电路电极的第二电路部件之间，在第一电路电极和第二电路电极对向配置的状态下通过加热和加压对所述第一电路电极和所述第二电路电极进行电连接，其中，加压是在1.5MPa以下进行，该电路连接材料含有赋予膜性能的聚合物、自由基聚合性物质、自由基聚合引发剂和导电粒子，所述赋予膜性能的聚合物包含玻璃化温度不到70℃的聚合物，并且玻璃化温度不到70℃的聚合物的配合量，以赋予膜性能的聚合物和自由基聚合性物质的总量为基准，为30～70质量％。
此处，赋予膜性能的聚合物，以其总量为基准，优选包含50质量％以上的玻璃化温度为50℃以上且不到70℃的聚合物。由此，可以更良好地进行上述连接。
进一步，自由基聚合性物质包含2官能以下的自由基聚合性物质，并且该2官能以下的自由基聚合性物质的配合量，以自由基聚合性物质的总量为基准，优选为50质量％以上。由此，可以进一步提高上述电路连接材料的流动性。
此外，本发明提供一种电路部件的连接方法，该方法是对于在第一基板主面上形成了第一电路电极的第一电路部件，在第二基板主面上形成了第二电路电极的第二电路部件，和配置在第一电路部件和第二电路部件之间的上述电路连接材料，在第一电路电极和第二电路电极对向配置的状态下进行加热和加压，从而使第一电路电极和第二电路电极电连接，其中，加压是在1.5MPa以下进行。通过这种方法连接的连接结构，其压痕和连接电阻都良好。
此外，本发明提供一种电路连接结构体的制造方法，其包括将上述电路连接材料配置于在第一基板主面上形成了第一电路电极的第一电路部件和在第二基板主面上形成了第二电路电极的第二电路部件之间的工序，以及在第一电路电极和第二电路电极对向配置的状态下进行加热和加压，从而使第一电路电极和第二电路电极电连接的工序，其中，加压是在1.5MPa以下进行。根据这种制造方法，可以得到压痕的形成和连接电阻都良好的电路连接结构体。
此外，本发明提供一种通过上述制造方法制造的电路连接结构体。这种电路连接结构体，其压痕的形成和连接电阻都良好。
此外，本发明提供一种连接材料用于电路连接的用途，该连接材料含有赋予膜性能的聚合物、自由基聚合性物质、自由基聚合引发剂和导电粒子，所述赋予膜性能的聚合物包含玻璃化温度不到70℃的聚合物，并且该玻璃化温度不到70℃的聚合物的配合量，以赋予膜性能的聚合物和自由基聚合性物质的总量为基准，为30～70质量％，并且该连接材料用于介于在第一基板主面上形成了第一电路电极的第一电路部件和在第二基板主面上形成了第二电路电极的第二电路部件之间，在第一电路电极和第二电路电极对向配置的状态下通过加热和在1.5MPa以下进行的加压而对所述第一电路电极和所述第二电路电极进行电连接。如果将上述连接材料用于这种电路连接，则即使电路连接时的压力低，也能够进行压痕的形成和连接电阻都良好的连接。
此处，赋予膜性能的聚合物，以其总量为基准，优选包含50质量％以上的玻璃化温度为50℃以上且不到70℃的聚合物。由此，可以更良好地使用上述连接材料。
进一步，在将连接材料用于电路连接时，自由基聚合性物质包含2官能以下的自由基聚合性物质，并且该2官能以下的自由基聚合性物质的配合量，以自由基聚合性物质的总量为基准，优选为50质量％以上。由此，在使用上述连接材料时，可以提高连接材料的流动性。
根据本发明，可以提供一种即使在电路连接时的压力比以往低的情况下，也能够进行压痕的形成和连接电阻都良好的连接的电路连接材料、使用该电路连接材料的电路部件的连接方法、电路连接结构体和电路连接结构体的制造方法，以及连接材料的用途。
附图说明
[图1]是表示膜状的电路连接材料的一个实施方式的剖视图。
[图2]是表示用本发明的电路连接材料进行连接的连接结构的一个优选实施方式的模式剖视图。
[图3]是通过概略剖视图来表示本发明的电路部件的连接方法的一个实施方式的工序图。
[图4]是在实施例中观察到的电路连接结构体的压痕照片。
[图5]是表示使用膜状电路连接材料连接电路部件前的状态的平面图。
符号说明
1...电路部件的连接结构，5、11...粘接剂成分，7...导电粒子，8...支持基材，10...电路连接材料，20...第一电路部件，21...第一基板，21a...第一基板主面，22...第一连接端子，30...第二电路部件，31...第二基板，31a...第二基板主面，32...第二连接端子，40...膜状电路连接材料，100...粘接片。
具体实施方式
以下，根据需要，一边参照附图，一边对本发明的优选实施方式进行详细说明。但是，本发明并不限定于以下的实施方式。另外，在附图中，对于相同要素给予相同符号，并省略重复的说明。此外，上下左右等位置关系，只要没有特别说明，就是基于附图所示的位置关系。进一步，附图的尺寸比例并不限于图示的比例。此外，本说明书中的“(甲基)丙烯酸酯”表示“丙烯酸酯”以及与其对应的“甲基丙烯酸酯”。同样，“(甲基)丙烯酰氧基”表示“丙烯酰氧基”以及与其对应的“甲基丙烯酰氧基”。
(电路连接材料)
本发明的电路连接材料含有粘接剂成分和导电粒子。在本发明中，粘接剂成分是指在电路连接材料的构成材料中，包含除导电粒子以外的全部材料。对于本发明的电路连接材料而言，作为粘接剂成分，包含赋予膜性能的聚合物、自由基聚合性物质和自由基聚合引发剂。此外，粘接剂成分可以根据需要包含氢醌、氢醌甲基醚类等阻聚剂。
赋予膜性能的聚合物包含玻璃化温度(以下，简称为“Tg”。)不到70℃的聚合物。作为这种聚合物，可以列举例如聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、(甲基)丙烯酸树脂、聚酯聚氨酯树脂(ポリ工ステルゥレタン樹脂)、聚氨酯树脂、苯氧基树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂。其中，作为优选例，可以列举聚酯聚氨酯树脂、聚氨酯树脂、苯氧基树脂。它们可以单独使用1种，也可以将2种以上混合使用。
对于聚合物的Tg而言，可以通过调整构成单体的结构或共聚单体的摩尔比而合成目的范围的物质。为了提高Tg，可以将具有苯环或萘环等刚直骨架的单体作为单体成分导入。为了降低Tg，可以将脂肪族系的单体作为单体成分导入。
聚酯聚氨酯树脂，例如，可以通过聚酯多元醇和二异氰酸酯的反应而得到。作为二异氰酸酯，可以适当使用2，4-甲苯二异氰酸酯(TDI)、4，4’-二苯基甲烷二异氰酸酯(MDI)、1，6-六亚甲基二异氰酸酯(HDI)、异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)等芳香族、脂环族或脂肪族的二异氰酸酯。
聚酯多元醇，例如，可以通过二羧酸和二元醇的反应而得到。作为二羧酸，优选为对苯二甲酸、间苯二甲酸、己二酸、癸二酸等芳香族或脂肪族二羧酸。作为二元醇，优选为乙二醇、丙二醇、1，4-丁二醇、己二醇、新戊二醇、二乙二醇、三乙二醇等二醇类。
为了提高粘接强度，聚酯聚氨酯树脂可以具有阴离子性。具有阴离子性的聚酯聚氨酯树脂，可以通过在聚酯多元醇和二异氰酸酯反应时，将侧链上具有磺酸基或羧基的二元醇或二胺类进行共聚而得到。
聚酯聚氨酯树脂优选具有含苯环等的芳香族基团或含环己烷环等的环状脂肪族基团。
聚酯聚氨酯树脂可以含有具有自由基聚合性的不饱和双键和/或环氧基。由此，在将电路连接材料固化时，和粘接剂组合物中的环氧树脂或自由基聚合性化合物产生反应，提高电路连接材料固化物的弹性模量和耐热性。
聚酯聚氨酯树脂可以将2种以上混合使用。例如，可以将芳香族聚酯多元醇与脂肪族二异氰酸酯反应所得的物质，和脂肪族聚酯多元醇与芳香族二异氰酸酯反应所得的物质组合使用。
赋予膜性能的聚合物的重均分子量优选为5000～100000。如果重均分子量不到5000，则存在有成型为膜状时的成膜性下降的倾向，如果重均分子量超过100000，则存在有对溶剂的溶解性或相容性下降，难以调制用于成型为膜状的涂布液的倾向。
在本实施方式中，重均分子量是按照下述表1所示的条件，使用标准聚苯乙烯校正曲线由凝胶渗透色谱(GPC)所测定的值。
[表1]
Figure BSA00000564278800061
Tg不到70℃的聚合物的配合量，以赋予膜性能的聚合物和自由基聚合性物质的总量为基准，为30～70质量％，优选为50～70质量％，更优选为40～70质量％，进一步优选为55～65质量％。
上述赋予膜性能的聚合物优选包含Tg为50℃以上且不到70℃的聚合物。该Tg为50℃以上且不到70℃的聚合物，以赋予膜性能的聚合物的总量为基准，优选包含50质量％以上，更优选为60质量％以上，进一步优选包含75质量％以上。此外，赋予膜性能的聚合物，可以将Tg不同的2种以上聚合物混合使用。例如，可以将Tg为50℃以上且不到70℃的聚合物和Tg为10℃以上且不到30℃的聚合物混合使用。
本实施方式的电路连接材料，在不脱离本发明所取得的效果的范围内，可以并用Tg为70℃以上的聚合物作为赋予膜性能的聚合物。这时，其配合量，以赋予膜性能的聚合物和自由基聚合性物质的总量为基准，优选为15质量％以下。
自由基聚合性物质是具有通过自由基而聚合的官能团的物质，可以列举例如(甲基)丙烯酸酯、马来酰亚胺化合物等。
作为自由基聚合性物质，优选包含2官能以下(也就是说，单官能或2官能)的自由基聚合性物质。作为其具体例，作为(甲基)丙烯酸酯，可以列举例如氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-羟基-1，3-二(甲基)丙烯酰氧基丙烷、2，2-二[4-((甲基)丙烯酰氧基甲氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-((甲基)丙烯酰氧基聚乙氧基)苯基]丙烷、二环戊烯基(甲基)丙烯酸酯、三环癸基(甲基)丙烯酸酯、二((甲基)丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯。
作为马来酰亚胺化合物，优选为在分子中含有至少2个以上马来酰亚胺基的物质，可以列举例如，1-甲基-2，4-双马来酰亚胺苯、N，N’-间亚苯基双马来酰亚胺、N，N’-对亚苯基双马来酰亚胺、N，N’-间亚甲苯双马来酰亚胺、N，N’-4，4-亚联苯基双马来酰亚胺、N，N’-4，4-(3，3’-二甲基-亚联苯基)双马来酰亚胺、N，N’-4，4-(3，3’-二甲基二苯基甲烷)双马来酰亚胺、N，N’-4，4-(3，3’-二乙基二苯基甲烷)双马来酰亚胺、N，N’-4，4-二苯基甲烷双马来酰亚胺、N，N’-4，4-二苯基丙烷双马来酰亚胺、N，N’-4，4-二苯基醚双马来酰亚胺、N，N’-3，3’-二苯砜双马来酰亚胺、2，2-二[4-(4-马来酰亚胺苯氧基)苯基]丙烷、2，2-二[3-s-丁基-4，8-(4-马来酰亚胺苯氧基)苯基]丙烷、1，1-二[4-(4-马来酰亚胺苯氧基)苯基]癸烷、4，4’-环亚己基-二[1-(4-马来酰亚胺苯氧基)-2-环己基]苯、2，2-二[4-(4-马来酰亚胺苯氧基)苯基]六氟丙烷。它们也可以和烯丙基苯酚、烯丙基苯基醚、苯甲酸烯丙酯等烯丙基化合物组合使用。
在2官能以下的自由基聚合性物质中，从粘接性的观点考虑，优选氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。此外，为了提高耐热性，优选并用在与后述的有机过氧化物(自由基聚合引发剂中的1种)交联后的聚合物的玻璃化温度(Tg)单独为100℃以上的自由基聚合性物质。作为这种自由基聚合性物质，可以适当使用具有二环戊烯基、三环癸基(トリシクロデ力ニル)和/或三嗪环的自由基聚合性物质。特别是可合适地使用具有三环癸基、三嗪环的自由基聚合性物质。
作为自由基聚合性物质，在不损害本发明效果的范围内，还可以含有3官能以上的自由基聚合性物质。作为这种自由基聚合性物质，可以列举例如三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、ε-己内酯改性三((甲基)丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、三((甲基)丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯。
此外，自由基聚合性物质也可以具有磷酸酯结构。具体来说，可以列举2-甲基丙烯酰氧基乙基酸性磷酸酯、2-丙烯酰氧基乙基酸性磷酸酯等。另外，具有磷酸酯结构的自由基聚合性物质，可以作为磷酸酐与2-羟基(甲基)丙烯酸酯的反应物而得到。
进一步，在以粘接剂成分的固体成分总量为基准(100质量％)，使用0.1～10质量％具有磷酸酯结构的自由基聚合性物质时，提高了在金属等无机物表面上的粘接强度，因此优选，更优选使用0.5～5质量％。
以上的自由基聚合性物质，可以单独使用1种，也可以将2种以上组合使用。
作为自由基聚合性物质，从在固化电路连接材料之前，易于进行电路部件的临时固定的观点考虑，优选含有至少1种在25℃下的粘度为100000～1000000mPa·s的自由基聚合性物质，更优选含有具有100000～500000mPa·s粘度(25℃)的自由基聚合性物质。自由基聚合性物质的粘度，可以使用市售的E型粘度计进行测定。
当本实施方式的电路连接材料包含2官能以下的自由基聚合性物质时，以自由基聚合性物质的总量为基准，优选含有50～100质量％，更优选含有65～100质量％，进一步优选含有80～100质量％。由此，在电路连接时的压接中，树脂的流动性提高。
作为自由基聚合引发剂(游离自由基产生剂)，可以列举过氧化化合物、偶氮系化合物等通过加热或光而分解并产生游离自由基的物质。自由基聚合引发剂根据目的连接温度、连接时间、适用期等适当选择，但是从高反应性和适用期的观点考虑，优选半衰期10小时的温度为40℃以上，并且半衰期1分钟的温度为180℃以下的有机过氧化物。
自由基聚合引发剂的配合量，以粘接剂成分的固体成分总量为基准，优选为0.05～10质量％左右，更优选为0.1～5质量％。
作为自由基聚合引发剂，具体来说，可以列举二酰基过氧化物类、过氧化二碳酸酯类、过氧化酯类、过氧化缩酮类、二烷基过氧化物类、氢过氧化物类等。其中，从抑制电路部件的电路电极腐蚀的观点考虑，优选过氧化酯类、二烷基过氧化物类、氢过氧化物类。此外，从可以提高反应性的观点考虑，更优选过氧化酯类。
作为二酰基过氧化物类，可以列举例如异丁基过氧化物、2，4-二氯代苯甲酰基过氧化物、3，5，5-三甲基己酰基过氧化物、辛酰基过氧化物、月桂酰基过氧化物、硬脂酰基过氧化物、琥珀酰过氧化物(スクシニックパ一ォキサィド)、苯甲酰基过氧化甲苯、过氧化苯甲酰。
作为过氧化二碳酸酯类，可以列举例如二正丙基过氧化二碳酸酯、二异丙基过氧化二碳酸酯、二(4-叔丁基环己基)过氧化二碳酸酯、二-2-乙氧基甲氧基过氧化二碳酸酯、二(2-乙基己基过氧化)二碳酸酯、二甲氧基丁基过氧化二碳酸酯、二(3-甲基-3-甲氧基丁基过氧化)二碳酸酯。
作为过氧化酯类，可以列举例如枯基过氧化新癸酸酯、1，1，3，3-四甲基丁基过氧化新癸酸酯、1-环己基-1-甲基乙基过氧化新癸酸酯、叔己基过氧化新癸酸酯、叔丁基过氧化新戊酸酯、1，1，3，3-四甲基丁基过氧化-2-乙基己酸酯、2，5-二甲基-2，5-二(2-乙基己酰基过氧化)己烷、1-环己基-1-甲基乙基过氧化-2-乙基己酸酯、叔己基过氧化-2-乙基己酸酯、叔丁基过氧化-2-乙基己酸酯、叔丁基过氧化异丁酸酯、1，1-二(叔丁基过氧化)环己烷、叔己基过氧化异丙基单碳酸酯、叔丁基过氧化-3，5，5-三甲基己酸酯、叔丁基过氧化月桂酸酯、2，5-二甲基-2，5-二(间甲苯酰基过氧化)己烷、叔丁基过氧化异丙基单碳酸酯、叔丁基过氧化-2-乙基己基单碳酸酯、叔己基过氧化苯甲酸酯、叔丁基过氧化乙酸酯。
作为过氧化缩酮类，可以列举例如1，1-二(叔己基过氧化)-3，3，5-三甲基环己烷、1，1-二(叔己基过氧化)环己烷、1，1-二(叔丁基过氧化)-3，3，5-三甲基环己烷、1，1-(叔丁基过氧化)环十二烷、2，2-二(叔丁基过氧化)癸烷。
作为二烷基过氧化物类，可以列举例如α，α’-二(叔丁基过氧化)二异丙基苯、二枯基过氧化物、2，5-二甲基-2，5-二(叔丁基过氧化)己烷、叔丁基枯基过氧化物。
作为氢过氧化物，可以列举例如二异丙基苯氢过氧化物、氢过氧化枯烯。
以上的自由基聚合引发剂可以单独使用1种，或者可以将2种以上混合使用。此外，自由基聚合引发剂还可以与分解促进剂、抑制剂等混合使用。
本实施方式的电路连接材料含有导电粒子。作为导电粒子，可以列举Au、Ag、Ni、Cu、焊锡等金属粒子或碳等。此外，还可以是以非导电性的玻璃、陶瓷、塑料等为核，并在该核上被覆上述金属、金属粒子或碳的材料。当导电粒子是以塑料为核，并在该核上被覆上述金属、金属粒子或碳的材料时，或者当其为焊锡等热熔融金属粒子时，由于其通过加热加压而具有变形性，因此可以在电路连接时吸收电极的厚度偏差，或增加与电极的接触面积，从而提高了可靠性，因此优选。
此外，这些导电粒子的表面进一步被高分子树脂等被覆的微粒，可以抑制在增加导电粒子的配合量时，因粒子彼此接触而导致的短路，提高电极电路间的绝缘性，因此可以适当地单独使用，或与导电粒子混合使用。
对于该导电粒子的平均粒径而言，从分散性、导电性的观点考虑，优选为1～18μm。在含有这种导电粒子时，更适合将本实施方式的电路连接材料用于电路部件的彼此连接。
使用以上所示的电路连接材料，可以将在第一基板主面上形成了第一电路电极的第一电路部件和在第二基板主面上形成了第二电路电极的第二电路部件电连接。更具体来说，在上述两个电极对向配置的状态下，使本实施方式的电路连接材料介于它们之间，并进行加热和加压，将上述两个电路电极彼此电连接。这时的加压为1.5MPa以下。根据本实施方式的电路连接材料，即使在加压时的压力为1.5MPa以下这样地低时，连接结构中的压痕以及连接电阻也都良好。
此外，本实施方式的电路连接材料，作为连接材料，适合用于电路连接。也就是说，该连接材料适合用于电路连接的用途，该连接材料含有赋予膜性能的聚合物、自由基聚合性物质、自由基聚合引发剂和导电粒子，所述赋予膜性能的聚合物包含玻璃化温度不到70℃的聚合物，并且该玻璃化温度不到70℃的聚合物的配合量，以赋予膜性能的聚合物和自由基聚合性物质的总量为基准，为30～70质量％，并且该连接材料用于介于在第一基板主面上形成了第一电路电极的第一电路部件和在第二基板主面上形成了第二电路电极的第二电路部件之间，在第一电路电极和第二电路电极对向配置的状态下通过加热和在1.5MPa以下进行的加压而对所述第一电路电极和所述第二电路电极进行电连接。
此外，本发明的电路连接材料可以形成为膜状。图1是表示具有电路连接材料和支持基材的粘接片的一个实施方式的剖视图。图1所示的粘接片100具有支持基材8和可剥离地叠层在支持基材8上的膜状电路连接材料10。电路连接材料10包含绝缘性的粘接剂成分5和分散在粘接剂成分5中的导电粒子7。
支持基材8只要可以将电路连接材料10保持为膜状，则其形状或材料都是任意的。具体来说，可以使用氟树脂膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、双轴拉伸聚丙烯膜(OPP)或无纺布等作为支持基材。
(电路部件的连接结构)
图2是表示本发明的电路部件的连接结构(电路连接结构体)的一个实施方式的概略剖视图。图2所示的电路部件的连接结构(电路连接结构体)1具有相互对向的第一电路部件20和第二电路部件30，并且在第一电路部件20和第二电路部件30之间设置有将连接它们的电路连接材料10。
第一电路部件20具有第一基板21和在第一基板21的主面21a上所形成的第一连接端子22。第二电路部件30具有第二基板31和在第二基板31的主面31a上所形成的第二连接端子32。在第一基板21的主面21a上和/或第二基板31的主面31a上，可以根据情况形成绝缘层(未图示)。换句话说，根据需要所形成的绝缘层，在第一电路部件20和第二电路部件30中的至少一者与电路连接材料10之间形成。
作为第一和第二基板21、31，可以列举由半导体、玻璃、陶瓷等无机物，TCP、COF等挠性印刷线路板为代表的聚酰亚胺树脂、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚对苯二甲酸酯、聚醚砜、环氧树脂、丙烯酸树脂等有机物，以及这些无机物和有机物的复合材料所形成的基板。从进一步提高与电路连接材料10的粘接强度的观点考虑，第一和第二基板中的至少一者优选是由包含选自聚对苯二甲酸酯、聚醚砜、环氧树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂和玻璃的至少一种树脂的材料所形成的基板。
此外，在电路部件的与电路连接材料10接触的面上涂布或粘附有绝缘层时，绝缘层优选为包含选自聚硅氧烷树脂、丙烯酸树脂和聚酰亚胺树脂的至少一种树脂的层。由此，与未形成上述绝缘层的情况相比，第一基板21和/或第二基板31与电路连接材料10的粘接强度进一步提高。
第一连接端子22和第二连接端子32中的至少一者，优选由其表面包含选自金、银、锡、铂族的金属和氧化铟锡(ITO)中的至少一种的材料所形成。由此，可以在同一电路部件20或30上相邻的连接端子22或32彼此之间维持绝缘性，并且进一步降低对向的连接端子22和32间的电阻值。
作为第一和第二电路部件20、30的具体例，可以列举可用于液晶显示器的用ITO等形成了连接端子的玻璃基板、塑料基板、印刷线路板、陶瓷线路板、挠性印刷线路板、半导体硅芯片等。这些之中的塑料基板，以例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚萘二酸乙二醇酯(PEN)为代表，可用于触摸面板、电子纸等。特别是由于这样的塑料基板为机械强度较低的材质，因此对于低压条件下的连接是有效的。它们可以根据需要组合使用。
作为本实施方式中的有效的电路部件的组合，可列举例如：
TCP、COF等挠性印刷线路板和玻璃基板的连接、
TCP、COF等挠性印刷线路板和塑料基板的连接、
TCP、COF等挠性印刷线路板和印刷线路板的连接、
TCP、COF等挠性印刷线路板和陶瓷线路板的连接、
电路连接材料10由含有导电粒子7的上述本实施方式的电路连接材料的固化物形成。电路连接材料10由粘接剂成分11和分散在该粘接剂成分11中的导电粒子7构成。电路连接材料10中的导电粒子7不仅配置在对向的第一连接端子22和第二连接端子32之间，也配置在主面21a、31a彼此之间。在电路部件的连接结构1中，导电粒子7与第一和第二连接端子22、32两者直接接触，同时在第一和第二连接端子22、32之间被压缩为扁平状。由此，第一和第二连接端子22、32，通过导电粒子7而电连接。因此，第一连接端子22和第二连接端子32间的连接电阻充分降低。因此，可以使第一和第二连接端子22、32间的电流顺利流动，并且可以充分发挥电路所具有的功能。
这种电路部件的连接结构(电路连接结构体)1可以通过下述工序制造。也就是说，可以通过如下的制造方法进行制造，该方法包括将上述电路连接材料10配置于在第一基板21的主面21a上形成了第一连接端子(第一电路电极)22的第一电路部件20和在第二基板31的主面31a上形成了第二连接端子(第二电路电极)32的第二电路部件30之间的工序，以及在第一连接端子22和第二连接端子32对向配置的状态下进行加热及加压，从而将第一连接端子22和第二连接端子32电连接的工序，其中，加压是在1.5MPa以下进行。
(电路部件的连接方法)
图3(a)～(c)是由概略剖视图表示本发明的电路部件的连接方法的一个实施方式的工序图。
在本实施方式中，首先，准备上述的第一电路部件20和膜状电路连接材料40。
膜状电路连接材料40的厚度，优选为5～50μm。当电路连接材料40的厚度不到5μm时，存在有电路连接材料40在第一和第二连接端子22、32间的填充不足的倾向。另一方面，如果超过50μm，则存在有难以确保第一和第二连接端子22、32间导通的倾向。
接着，将膜状电路连接材料40放置在第一电路部件20的形成了连接端子22的面上。然后，在图3(a)的箭头A和B方向上对膜状电路连接材料40进行加压，使膜状电路连接材料40和第一电路部件20临时粘接(图3(b))。
这时的压力只要在不会对电路部件产生损伤的范围内，就没有特别限制，但通常优选设为0.1～30MPa，更优选设为0.5～1.5MPa。此外，可以一边加热一边加压，加热温度是电路连接材料40实质上不会固化的温度。加热温度通常优选设为50～190℃。这些加热和加压优选在0.5～120秒钟的范围内进行。
接着，如图3(c)所示，以使第二连接端子32面向第一电路部件20侧的方式，将第二电路部件30放置在膜状电路连接材料40上。另外，当膜状电路连接材料40密合地设置在支持基材(未图示)上时，在剥离支持基材后，将第二电路部件30放置在膜状电路连接材料40上。然后，一边加热电路连接材料40，一边在图3(c)的箭头A和B方向上对整体进行加压。
加热温度例如设为90～200℃，连接时间例如设为1秒钟～10分钟。压力设为1.5MPa以下。加热温度和连接时间根据使用的用途、电路连接材料、电路部件而适当选择，并且根据需要，也可以进行后固化。例如，当电路连接材料含有自由基聚合性物质时的加热温度，设为自由基聚合引发剂可以产生自由基的温度。由此，在自由基聚合引发剂中产生自由基，并引发自由基聚合性物质的聚合。
通过使用本实施方式的电路连接材料，能够实现上述的1.5MPa以下这样的低压条件下的连接。该压力的下限为0.5MPa左右，优选0.8MPa左右，更优选0.9MPa左右，从量产性的观点考虑，优选为0.8～1.5MPa的压力，更优选为0.9～1.3MPa，特别优选为0.9～1.2MPa。
图5为表示使用膜状电路连接材料连接电路部件(FPC、TCP、COF等挠性基板印刷线路板)前的状态的平面图。上述连接时的加压压力是指相对于连接部的总面积的压力。“连接部的总面积”是指通过电路连接材料而连接的连接端子22和连接端子22间的包含间隙的区域的面积的合计，如图5(a)和(b)所示，由排列设置的连接端子的宽度x和垂直该宽度方向的连接端子的长度y的积而求出。该计算方法在连接部与膜状电路连接材料40的大小大致相等的情况(图5(a))和膜状电路连接材料40覆盖比连接部宽的区域的情况(图5(b))是相同的。
加压压力具体可以如下方式求出。例如，在连接部的宽度为30mm、与该宽度垂直的方向的连接端子的长度为2mm的情况，为了将连接部中的压力设为
Figure BSA00000564278800151
加压装置中设定的加压压力可通过如下所示的计算而求出。对应的压接头中施加下述的加压压力即可。
目标压力＝1.0MPa(10kgf/cm2)
连接部的总面积＝0.2cm×3.0cm＝0.6cm2
加压压力＝(连接部的总面积)×(目标压力)＝0.6cm2×10kgf/cm2＝6kgf
此外，在上述例子中，在存在多个连接部(例如10个)，各部分同时加压时，加压压力为如下所示。
目标压力＝1.0MPa(10kgf/cm2)
连接部的总面积＝0.2cm×3.0cm×10＝6cm2
加压压力＝(连接部的总面积)×(目标压力)＝6cm2×10kgf/cm2＝60kgf
通过加热膜状电路连接材料40在使第一连接端子22和第二连接端子32间的距离充分变小的状态下，膜状电路连接材料40产生固化，并且第一电路部件20和第二电路部件30通过电路连接材料10而牢固地连接。
通过膜状电路连接材料40的固化，形成电路连接材料10，得到图2所示的电路部件的连接结构1。
根据本实施方式，在所得的电路部件的连接结构1中，能够使导电粒子7与对向的第一和第二连接端子22、32两者进行接触，从而可以充分降低第一和第二连接端子22、32间的连接电阻，同时可以充分确保邻接的第一或第二连接端子22、32间的绝缘性。此外，由于电路连接材料10由上述电路连接材料的固化物构成，因此电路连接材料10相对于第一和第二电路部件20或30的粘接力充分高。
[实施例]
以下，列举实施例和比较例，对本发明的内容进行更具体地说明。另外，本发明并不限定于下述实施例。
(氨基甲酸酯丙烯酸酯的合成)
将400质量份平均分子量为800的聚己内酯二元醇、131质量份丙烯酸-2-羟丙酯、0.5质量份作为催化剂的二丁基锡二月桂酸酯和1.0质量份作为阻聚剂的氢醌单甲醚一边搅拌一边加热至50℃，进行混合。接着，滴加222质量份异佛尔酮二异氰酸酯，并进一步搅拌，同时升温至80℃，进行氨基甲酸酯化反应。确认异氰酸酯基的反应率为99％以上后，降低反应温度，得到氨基甲酸酯丙烯酸酯。
(聚酯聚氨酯树脂A的合成)
使用对苯二甲酸作为二羧酸，丙二醇作为二元醇，4，4’-二苯基甲烷二异氰酸酯作为异氰酸酯，合成对苯二甲酸/丙二醇/4，4’-二苯基甲烷二异氰酸酯的摩尔比为1.0/2.0/0.25的聚酯聚氨酯树脂A。将上述聚酯聚氨酯树脂A溶解在甲乙酮(以下，简称为“MEK”。)中，使其为20质量％。使用涂布装置，将该聚酯聚氨酯树脂A的20质量％MEK溶液涂布在厚度为80μm的一面上进行了表面处理的PET膜上，并通过70℃、10分钟的热风干燥，制作厚度为35μm的膜。使用广域动态粘弹性测定装置(测定条件：拉伸荷重为5g，频率为10Hz)，测定该膜的弹性模量的温度依存性。由弹性模量的温度依存性所算出的聚酯聚氨酯树脂A的玻璃化温度为65℃。另外，聚酯聚氨酯树脂A的重均分子量为24000。
(聚酯聚氨酯树脂B的合成)
除了将对苯二甲酸/丙二醇/4，4’-二苯基甲烷二异氰酸酯的摩尔比变为1.0/1.3/0.25以外，和聚酯聚氨酯树脂A的合成同样地操作，调制聚酯聚氨酯树脂B的20质量％MEK溶液。使用涂布装置，将该聚酯聚氨酯树脂B的20质量％MEK溶液，涂布在厚度为80μm的一面上进行了表面处理的PET膜上，并通过70℃、10分钟的热风干燥，制作厚度为35μm的膜。使用广域动态粘弹性测定装置(测定条件：拉伸荷重为5g，频率为10Hz)，测定该膜的弹性模量的温度依存性。由弹性模量的温度依存性所算出的聚酯聚氨酯树脂B的玻璃化温度为105℃。另外，聚酯聚氨酯树脂B的重均分子量为26000。
[实施例1]
将作为自由基聚合性物质的25质量份上述氨基甲酸酯丙烯酸酯、20质量份异氰脲酸酯型丙烯酸酯(制品名：M-325，东亚合成公司制造)和1质量份2-甲基丙烯酰氧基乙基酸性磷酸酯(制品名：P-2M，共荣社化学公司制造)，和作为自由基聚合引发剂的4质量份过氧化苯甲酰(制品名：Nyper BMT-K40，日本油脂制造)与作为赋予膜性能的聚合物的聚酯聚氨酯树脂A的20质量％MEK溶液(聚酯聚氨酯树脂A：55质量份)275质量份混合并搅拌，调制粘结树脂。接着，相对于上述粘结树脂，分散2.0体积％作为导电粒子的以聚苯乙烯为核，并且最外层用Au被覆的导电粒子，调制粘接剂清漆。使用涂布装置，将该清漆涂布在厚度为50μm的一面上进行了表面处理的PET膜(支持基材)上，并通过70℃、10分钟的热风干燥，得到粘接片(宽度为15cm，长度为70m)。在支持基材上形成的膜状电路连接材料的厚度为16μm。
(电路连接结构体的制作)
将上述粘接片切成宽度为1.5mm的尺寸，并在70℃、1MPa、2秒钟的条件下，将膜状电路连接材料面与形成了ITO电极和Al电极的玻璃基板临时粘接。接着，在剥离支持基材后，叠层COF(电极间距50μm，电极宽度为25μm，空间(スペ一ス)为25μm)，在170℃、1MPa、5秒钟的条件下，进行正式粘接，得到电路连接结构体。此外，为了进行比较，除了将正式粘接的条件，改变为170℃、2MPa、5秒钟以外，同样地进行操作，得到电路连接结构体。
[实施例2]
除了配合作为自由基聚合性物质的35质量份氨基甲酸酯丙烯酸酯、25质量份M-325和1质量份P-2M，并配合作为赋予膜性能的聚合物的30质量份聚酯聚氨酯树脂A和10质量份聚酯聚氨酯树脂C(制品名：UR8300，东洋纺织公司制造，玻璃化温度为20℃，重均分子量为30000)以外，和实施例1同样地操作，得到电路连接结构体。
[实施例3]
除了配合作为自由基聚合性物质的45质量份氨基甲酸酯丙烯酸酯和1质量份P-2M，并配合作为赋予膜性能的聚合物的55质量份聚酯聚氨酯树脂A以外，和实施例1同样地操作，得到电路连接结构体。
[实施例4]
除了配合作为自由基聚合性物质的20质量份氨基甲酸酯丙烯酸酯、15质量份M-325和1质量份P-2M，并配合作为赋予膜性能的聚合物的65质量份聚酯聚氨酯树脂A以外，和实施例1同样地操作，得到电路连接结构体。
[比较例1]
除了将聚酯聚氨酯树脂A改变为聚酯聚氨酯树脂B以外，和实施例1同样地操作，得到电路连接结构体。
[比较例2]
除了将聚酯聚氨酯树脂A改变为聚酯聚氨酯树脂D(制品名：UR1400，东洋纺织公司制造，玻璃化温度为83℃，重均分子量为50000)以外，和实施例1同样地操作，得到电路连接结构体。
[比较例3]
除了配合作为自由基聚合性物质的25质量份氨基甲酸酯丙烯酸酯、25质量份M-325和1质量份P-2M，并配合作为赋予膜性能的聚合物的10质量份聚酯聚氨酯树脂A、30质量份聚酯聚氨酯树脂B以及10质量份聚酯聚氨酯树脂C以外，和实施例1同样地操作，得到电路连接结构体。
[比较例4]
除了配合作为自由基聚合性物质的10质量份氨基甲酸酯丙烯酸酯、15质量份M-325和1质量份P-2M，并配合作为赋予膜性能的聚合物的75质量份聚酯聚氨酯树脂A以外，和实施例1同样地操作，得到电路连接结构体。
(连接电阻的测定)
对所得的的电路连接结构体，使用数字万用表(Advantest公司制造，商品名：TR-6845)测定37点的在测定电流1mA的恒定电流下邻接电极间的电阻。当测定的平均值不到3Ω时为“A”，当其为3Ω以上时为“B”。
(压痕的评价)
使用奥林巴斯制造的BH3-MJL液晶面板检查用显微镜，从玻璃基板一侧，通过Nomarski微分干涉观察，评价电路连接部的压痕形状。图4中表示观察到的压痕照片的一个例子。图4(a)是表示压痕强度足够强，并且未产生不均匀的状态的照片。图4(b)是表示压痕强度弱、存在不均匀的状态的照片。如图4(a)所示的压痕强度足够强，并且未产生不均匀的情况为“A”，如图4(b)所示的压痕强度弱、存在不均匀的情况为“B”。
构成上述实施例和比较例中所得的电路连接材料的赋予膜性能的聚合物以及自由基聚合性物质的配合比例，以及电路连接结构体的评价结果示于表2。
[表2]
Figure BSA00000564278800191
在1MPa下进行压接时，实施例1～4中制作的电路连接材料，显示出了压痕的形成和连接电阻都良好的结果。与此相对，仅含有Tg为70℃以上的赋予膜性能的聚合物的比较例1和2，以及Tg不到70℃的赋予膜性能的聚合物的含量少的比较例3，它们中的电路连接材料的流动性不足，压痕的形成不充分，并且连接电阻也高。此外，在Tg不到70℃的赋予膜性能的聚合物的含量多的比较例4中，由于粘接性不足，压痕的形成不充分，并且连接电阻也高。除此之外，即使在3MPa下进行压接时，比较例1、2和4中的连接电阻也高，并且在比较例4中，压痕的形成也不充分。
本发明的电路连接材料，可以良好的实现以往难以实现的在1.5MPa以下的低压条件下的电路连接，并且能够降低在压接时对被粘接物的负荷。

Claims (109)

1.一种电路连接材料，其用于介于在第一基板主面上形成了第一电路电极的第一电路部件和在第二基板主面上形成了第二电路电极的第二电路部件之间，在所述第一电路电极和所述第二电路电极对向配置的状态下通过加热和加压对所述第一电路电极和所述第二电路电极进行电连接，
其中，所述加压是在1.5MPa以下进行，
该电路连接材料含有赋予膜性能的聚合物、自由基聚合性物质、自由基聚合引发剂和导电粒子，
所述赋予膜性能的聚合物包含玻璃化温度不到70℃的聚合物，并且该玻璃化温度不到70℃的聚合物的配合量，以所述赋予膜性能的聚合物和所述自由基聚合性物质的总量为基准，为30～70质量％。
2.如权利要求1所述的电路连接材料，其用于触摸面板。
3.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述玻璃化温度不到70℃的聚合物选自聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、(甲基)丙烯酸树脂、聚酯聚氨酯树脂、聚氨酯树脂、苯氧基树脂和聚乙烯醇缩丁醛树脂中的至少一种。
4.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述赋予膜性能的聚合物的重均分子量为5000～100000。
5.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述玻璃化温度不到70℃的聚合物的配合量以所述赋予膜性能的聚合物和自由基聚合性物质的总量为基准，为40～70质量％。
6.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述玻璃化温度不到70℃的聚合物的配合量以所述赋予膜性能的聚合物和自由基聚合性物质的总量为基准，为50～70质量％。
7.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述玻璃化温度不到70℃的聚合物的配合量以所述赋予膜性能的聚合物和自由基聚合性物质的总量为基准，为55～65质量％。
8.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述赋予膜性能的聚合物包含玻璃化温度为50℃以上且不到70℃的聚合物。
9.如权利要求8所述的电路连接材料，所述赋予膜性能的聚合物，以所述赋予膜性能的聚合物的总量为基准，包含50质量％以上的所述玻璃化温度为50℃以上且不到70℃的聚合物。
10.如权利要求8所述的电路连接材料，所述赋予膜性能的聚合物，以所述赋予膜性能的聚合物的总量为基准，包含60质量％以上的所述玻璃化温度为50℃以上且不到70℃的聚合物。
11.如权利要求8所述的电路连接材料，所述赋予膜性能的聚合物，以所述赋予膜性能的聚合物的总量为基准，包含75质量％以上的所述玻璃化温度为50℃以上且不到70℃的聚合物。
12.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述赋予膜性能的聚合物包含所述玻璃化温度为50℃以上且不到70℃的聚合物和玻璃化温度为10℃以上且不到30℃的聚合物。
13.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述自由基聚合性物质包含(甲基)丙烯酸酯或马来酰亚胺化合物。
14.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述自由基聚合性物质包含2官能以下的自由基聚合性物质。
15.如权利要求14所述的电路连接材料，所述2官能以下的自由基聚合性物质包含选自氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-羟基-1，3-二(甲基)丙烯酰氧基丙烷、2，2-二[4-((甲基)丙烯酰氧基甲氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-((甲基)丙烯酰氧基聚乙氧基)苯基]丙烷、二环戊烯基(甲基)丙烯酸酯、三环癸基(甲基)丙烯酸酯和二((甲基)丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯中的至少一种的(甲基)丙烯酸酯。
16.如权利要求14所述的电路连接材料，所述2官能以下的自由基聚合性物质包含氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。
17.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述自由基聚合性物质包含具有磷酸酯结构的自由基聚合性物质。
18.如权利要求14所述的电路连接材料，以自由基聚合性物质的总量为基准，包含50～100质量％的所述2官能以下的自由基聚合性物质。
19.如权利要求14所述的电路连接材料，以自由基聚合性物质的总量为基准，包含65～100质量％的所述2官能以下的自由基聚合性物质。
20.如权利要求14所述的电路连接材料，以自由基聚合性物质的总量为基准，包含80～100质量％的所述2官能以下的自由基聚合性物质。
21.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述自由基聚合引发剂为过氧化化合物或偶氮系化合物。
22.如权利要求21所述的电路连接材料，所述自由基聚合引发剂包含选自二酰基过氧化物类、过氧化二碳酸酯类、过氧化酯类、过氧化缩酮类、二烷基过氧化物类和氢过氧化物类中的至少一种。
23.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述导电粒子的平均粒径为1～18μm。
24.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述第一和第二电路部件中的至少一方具有塑料基板。
25.如权利要求24所述的电路连接材料，所述塑料基板为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯或聚萘二酸乙二醇酯。
26.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述第一和第二电路部件中的一方为挠性印刷线路板，另一方为玻璃基板。
27.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述第一和第二电路部件中的一方为挠性印刷线路板，另一方为塑料基板。
28.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述第一和第二电路部件中的一方为挠性印刷线路板，另一方为印刷线路板。
29.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述第一和第二电路部件中的一方为挠性印刷线路板，另一方为陶瓷线路板。
30.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述加热温度为90～200℃。
31.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述连接时间为1秒钟～10分钟。
32.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述加压在0.5～1.5MPa进行。
33.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述加压在0.8～1.5MPa进行。
34.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述加压在0.9～1.5MPa进行。
35.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述加压在0.9～1.3MPa进行。
36.如权利要求1或2所述的电路连接材料，所述加压在0.9～1.2MPa进行。
37.一种电路部件的连接方法，该方法是对于在第一基板主面上形成了第一电路电极的第一电路部件，在第二基板主面上形成了第二电路电极的第二电路部件，和配置在所述第一电路部件和所述第二电路部件之间的权利要求1～36中任一项所述的电路连接材料，在所述第一电路电极和所述第二电路电极对向配置的状态下进行加热和加压，从而使所述第一电路电极和所述第二电路电极电连接的电路部件的连接方法，
其中，所述加压是在1.5MPa以下进行。
38.一种电路连接结构体的制造方法，其包括将权利要求1～36中任一项所述的电路连接材料配置于在第一基板主面上形成了第一电路电极的第一电路部件和在第二基板主面上形成了第二电路电极的第二电路部件之间的工序，以及
在所述第一电路电极和所述第二电路电极对向配置的状态下进行加热和加压，从而使所述第一电路电极和所述第二电路电极电连接的工序，
其中，所述加压是在1.5MPa以下进行。
39.一种通过权利要求38所述的制造方法制造的电路连接结构体。
40.一种连接材料作为电路连接材料的应用，该连接材料含有赋予膜性能的聚合物、自由基聚合性物质、自由基聚合引发剂和导电粒子，
所述赋予膜性能的聚合物包含玻璃化温度不到70℃的聚合物，并且该玻璃化温度不到70℃的聚合物的配合量，以所述赋予膜性能的聚合物和所述自由基聚合性物质的总量为基准，为30～70质量％，
所述电路连接材料介于在第一基板主面上形成了第一电路电极的第一电路部件和在第二基板主面上形成了第二电路电极的第二电路部件之间，在所述第一电路电极和所述第二电路电极对向配置的状态下通过加热和在1.5MPa以下进行的加压而对所述第一电路电极和所述第二电路电极进行电连接。
41.如权利要求40所述的应用，所述玻璃化温度不到70℃的聚合物选自聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、(甲基)丙烯酸树脂、聚酯聚氨酯树脂、聚氨酯树脂、苯氧基树脂和聚乙烯醇缩丁醛树脂中的至少一种。
42.如权利要求40或41所述的应用，所述赋予膜性能的聚合物的重均分子量为5000～100000。
43.如权利要求40或41所述的应用，所述玻璃化温度不到70℃的聚合物的配合量以所述赋予膜性能的聚合物和自由基聚合性物质的总量为基准，为40～70质量％。
44.如权利要求40或41所述的应用，所述玻璃化温度不到70℃的聚合物的配合量以所述赋予膜性能的聚合物和自由基聚合性物质的总量为基准，为50～70质量％。
45.如权利要求40或41所述的应用，所述玻璃化温度不到70℃的聚合物的配合量以所述赋予膜性能的聚合物和自由基聚合性物质的总量为基准，为55～65质量％。
46.如权利要求40或41所述的应用，所述赋予膜性能的聚合物包含玻璃化温度为50℃以上且不到70℃的聚合物。
47.如权利要求46所述的应用，所述赋予膜性能的聚合物，以所述赋予膜性能的聚合物的总量为基准，包含50质量％以上的玻璃化温度为50℃以上且不到70℃的聚合物。
48.如权利要求46所述的应用，所述赋予膜性能的聚合物，以所述赋予膜性能的聚合物的总量为基准，包含60质量％以上的所述玻璃化温度为50℃以上且不到70℃的聚合物。
49.如权利要求46所述的应用，所述赋予膜性能的聚合物，以所述赋予膜性能的聚合物的总量为基准，包含75质量％以上的所述玻璃化温度为50℃以上且不到70℃的聚合物。
50.如权利要求40或41所述的应用，所述赋予膜性能的聚合物包含所述玻璃化温度为50℃以上且不到70℃的聚合物和玻璃化温度为10℃以上且不到30℃的聚合物。
51.如权利要求40或41所述的应用，所述自由基聚合性物质包含(甲基)丙烯酸酯或马来酰亚胺化合物。
52.如权利要求40或41所述的应用，所述自由基聚合性物质包含2官能以下的自由基聚合性物质。
53.如权利要求52所述的应用，所述2官能以下的自由基聚合性物质包含选自氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-羟基-1，3-二(甲基)丙烯酰氧基丙烷、2，2-二[4-((甲基)丙烯酰氧基甲氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-((甲基)丙烯酰氧基聚乙氧基)苯基]丙烷、二环戊烯基(甲基)丙烯酸酯、三环癸基(甲基)丙烯酸酯和二((甲基)丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯中的至少一种的(甲基)丙烯酸酯。
54.如权利要求52所述的应用，所述2官能以下的自由基聚合性物质包含氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。
55.如权利要求40或41所述的应用，所述自由基聚合性物质包含具有磷酸酯结构的自由基聚合性物质。
56.如权利要求52所述的应用，所述连接材料以自由基聚合性物质的总量为基准包含50～100质量％的所述2官能以下的自由基聚合性物质。
57.如权利要求52所述的应用，所述连接材料以自由基聚合性物质的总量为基准包含65～100质量％的所述2官能以下的自由基聚合性物质。
58.如权利要求52所述的应用，所述连接材料以自由基聚合性物质的总量为基准包含80～100质量％的所述2官能以下的自由基聚合性物质。
59.如权利要求40或41所述的应用，所述自由基聚合引发剂为过氧化化合物或偶氮系化合物。
60.如权利要求59所述的应用，所述自由基聚合引发剂包含选自二酰基过氧化物类、过氧化二碳酸酯类、过氧化酯类、过氧化缩酮类、二烷基过氧化物类和氢过氧化物类中的至少一种。
61.如权利要求40或41所述的应用，所述导电粒子的平均粒径为1～18μm。
62.如权利要求40或41所述的应用，所述第一和第二电路部件中的至少一方具有塑料基板。
63.如权利要求62所述的应用，所述塑料基板为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯或聚萘二酸乙二醇酯。
64.如权利要求40或41所述的应用，所述第一和第二电路部件中的一方为挠性印刷线路板，另一方为玻璃基板。
65.如权利要求40或41所述的应用，所述第一和第二电路部件中的一方为挠性印刷线路板，另一方为塑料基板。
66.如权利要求40或41所述的应用，所述第一和第二电路部件中的一方为挠性印刷线路板，另一方为印刷线路板。
67.如权利要求40或41所述的应用，所述第一和第二电路部件中的一方为挠性印刷线路板，另一方为陶瓷线路板。
68.如权利要求40或41所述的应用，所述加热温度为90～200℃。
69.如权利要求40或41所述的应用，所述连接时间为1秒钟～10分钟。
70.如权利要求40或41所述的应用，所述加压在0.5～1.5MPa进行。
71.如权利要求40或41所述的应用，所述加压在0.8～1.5MPa进行。
72.如权利要求40或41所述的应用，所述加压在0.9～1.5MPa进行。
73.如权利要求40或41所述的应用，所述加压在0.9～1.3MPa进行。
74.如权利要求40或41所述的应用，所述加压在0.9～1.2MPa进行。
75.一种连接材料用于电路连接材料的制造的应用，该连接材料含有赋予膜性能的聚合物、自由基聚合性物质、自由基聚合引发剂和导电粒子，
所述赋予膜性能的聚合物包含玻璃化温度不到70℃的聚合物，并且该玻璃化温度不到70℃的聚合物的配合量，以所述赋予膜性能的聚合物和所述自由基聚合性物质的总量为基准，为30～70质量％，
所述电路连接材料介于在第一基板主面上形成了第一电路电极的第一电路部件和在第二基板主面上形成了第二电路电极的第二电路部件之间，在所述第一电路电极和所述第二电路电极对向配置的状态下通过加热和在1.5MPa以下进行的加压而对所述第一电路电极和所述第二电路电极进行电连接。
76.如权利要求75所述的应用，所述玻璃化温度不到70℃的聚合物选自聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、(甲基)丙烯酸树脂、聚酯聚氨酯树脂、聚氨酯树脂、苯氧基树脂和聚乙烯醇缩丁醛树脂中的至少一种。
77.如权利要求75或76所述的应用，所述赋予膜性能的聚合物的重均分子量为5000～100000。
78.如权利要求75或76所述的应用，所述玻璃化温度不到70℃的聚合物的配合量以所述赋予膜性能的聚合物和自由基聚合性物质的总量为基准，为40～70质量％。
79.如权利要求75或76所述的应用，所述玻璃化温度不到70℃的聚合物的配合量以所述赋予膜性能的聚合物和自由基聚合性物质的总量为基准，为50～70质量％。
80.如权利要求75或76所述的应用，所述玻璃化温度不到70℃的聚合物的配合量以所述赋予膜性能的聚合物和自由基聚合性物质的总量为基准，为55～65质量％。
81.如权利要求75或76所述的应用，所述赋予膜性能的聚合物包含玻璃化温度为50℃以上且不到70℃的聚合物。
82.如权利要求81所述的应用，所述赋予膜性能的聚合物，以所述赋予膜性能的聚合物的总量为基准，包含50质量％以上的玻璃化温度为50℃以上且不到70℃的聚合物。
83.如权利要求81所述的应用，所述赋予膜性能的聚合物，以所述赋予膜性能的聚合物的总量为基准，包含60质量％以上的所述玻璃化温度为50℃以上且不到70℃的聚合物。
84.如权利要求81所述的应用，所述赋予膜性能的聚合物，以所述赋予膜性能的聚合物的总量为基准，包含75质量％以上的所述玻璃化温度为50℃以上且不到70℃的聚合物。
85.如权利要求75或76所述的应用，所述赋予膜性能的聚合物包含所述玻璃化温度为50℃以上且不到70℃的聚合物和玻璃化温度为10℃以上且不到30℃的聚合物。
86.如权利要求75或76所述的应用，所述自由基聚合性物质包含(甲基)丙烯酸酯或马来酰亚胺化合物。
87.如权利要求75或76所述的应用，所述自由基聚合性物质包含2官能以下的自由基聚合性物质。
88.如权利要求87所述的应用，所述2官能以下的自由基聚合性物质包含选自氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-羟基-1，3-二(甲基)丙烯酰氧基丙烷、2，2-二[4-((甲基)丙烯酰氧基甲氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-((甲基)丙烯酰氧基聚乙氧基)苯基]丙烷、二环戊烯基(甲基)丙烯酸酯、三环癸基(甲基)丙烯酸酯和二((甲基)丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯中的至少一种的(甲基)丙烯酸酯。
89.如权利要求87所述的应用，所述2官能以下的自由基聚合性物质包含氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯。
90.如权利要求75或76所述的应用，所述自由基聚合性物质包含具有磷酸酯结构的自由基聚合性物质。
91.如权利要求87所述的应用，所述连接材料以自由基聚合性物质的总量为基准包含50～100质量％的所述2官能以下的自由基聚合性物质。
92.如权利要求87所述的应用，所述连接材料以自由基聚合性物质的总量为基准包含65～100质量％的所述2官能以下的自由基聚合性物质。
93.如权利要求87所述的应用，所述连接材料以自由基聚合性物质的总量为基准包含80～100质量％的所述2官能以下的自由基聚合性物质。
94.如权利要求75或76所述的应用，所述自由基聚合引发剂为过氧化化合物或偶氮系化合物。
95.如权利要求94所述的应用，所述自由基聚合引发剂包含选自二酰基过氧化物类、过氧化二碳酸酯类、过氧化酯类、过氧化缩酮类、二烷基过氧化物类和氢过氧化物类中的至少一种。
96.如权利要求75或76所述的应用，所述导电粒子的平均粒径为1～18μm。
97.如权利要求75或76所述的应用，所述第一和第二电路部件中的至少一方具有塑料基板。
98.如权利要求97所述的应用，所述塑料基板为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯或聚萘二酸乙二醇酯。
99.如权利要求75或76所述的应用，所述第一和第二电路部件中的一方为挠性印刷线路板，另一方为玻璃基板。
100.如权利要求75或76所述的应用，所述第一和第二电路部件中的一方为挠性印刷线路板，另一方为塑料基板。
101.如权利要求75或76所述的应用，所述第一和第二电路部件中的一方为挠性印刷线路板，另一方为印刷线路板。
102.如权利要求75或76所述的应用，所述第一和第二电路部件中的一方为挠性印刷线路板，另一方为陶瓷线路板。
103.如权利要求75或76所述的应用，所述加热温度为90～200℃。
104.如权利要求75或76所述的应用，所述连接时间为1秒钟～10分钟。
105.如权利要求75或76所述的应用，所述加压在0.5～1.5MPa进行。
106.如权利要求75或76所述的应用，所述加压在0.8～1.5MPa进行。
107.如权利要求75或76所述的应用，所述加压在0.9～1.5MPa进行。
108.如权利要求75或76所述的应用，所述加压在0.9～1.3MPa进行。
109.如权利要求75或76所述的应用，所述加压在0.9～1.2MPa进行。
CN2011102511296A 2010-08-24 2011-08-23 电路连接材料、连接方法、连接结构体及制造方法和用途 Active CN102417794B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-187456 2010-08-24
JP2010-187451 2010-08-24
JP2010187456 2010-08-24
JP2010187451 2010-08-24
JP2011173136A JP5668636B2 (ja) 2010-08-24 2011-08-08 回路接続構造体の製造方法
JP2011-173136 2011-08-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102417794A CN102417794A (zh) 2012-04-18
CN102417794B true CN102417794B (zh) 2013-12-04

Family

ID=45723464

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011102511296A Active CN102417794B (zh) 2010-08-24 2011-08-23 电路连接材料、连接方法、连接结构体及制造方法和用途

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5668636B2 (zh)
KR (1) KR101227358B1 (zh)
CN (1) CN102417794B (zh)
TW (1) TWI436709B (zh)
WO (1) WO2012026470A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6065407B2 (ja) * 2012-04-27 2017-01-25 日立化成株式会社 回路接続材料、フィルム状回路接続材料、回路接続シート、回路接続体及び回路部材の接続方法
JP6102105B2 (ja) * 2012-07-19 2017-03-29 日立化成株式会社 フィルム状回路接続材料及び回路接続構造体
JP6024261B2 (ja) * 2012-07-26 2016-11-16 日立化成株式会社 回路接続用接着剤、回路部材の接続構造体及び太陽電池モジュール
JP6107175B2 (ja) * 2013-01-29 2017-04-05 日立化成株式会社 回路接続材料、回路部材の接続構造体、及び回路部材の接続構造体の製造方法
CN103336558B (zh) * 2013-06-13 2016-12-28 业成光电（深圳）有限公司 电子装置
JP6398570B2 (ja) * 2013-10-09 2018-10-03 日立化成株式会社 回路接続材料、回路部材の接続構造体、及び回路部材の接続構造体の製造方法
JP6425382B2 (ja) * 2014-01-08 2018-11-21 デクセリアルズ株式会社 接続方法、及び接合体
JP6330346B2 (ja) * 2014-01-29 2018-05-30 日立化成株式会社 接着剤組成物、接着剤組成物を用いた電子部材、及び半導体装置の製造方法
JP6374192B2 (ja) * 2014-03-25 2018-08-15 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム、接続方法、及び接合体
WO2022245957A1 (en) * 2021-05-20 2022-11-24 Illinois Tool Works Inc. Air damper with integrated heater

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001049228A (ja) * 1999-08-12 2001-02-20 Sony Chem Corp 低温硬化型接着剤及びこれを用いた異方導電性接着フィルム
KR100463558B1 (ko) * 2000-04-25 2004-12-29 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 회로접속용 접착제 및 그것을 사용한 회로접속방법 및 회로접속구조체
JP4747396B2 (ja) * 2000-05-17 2011-08-17 日立化成工業株式会社 接着剤組成物、それを用いた回路端子の接続方法及び回路端子の接続構造
JP2003249287A (ja) * 2002-02-25 2003-09-05 Shin Etsu Polymer Co Ltd 異方導電性接着剤、ヒートシールコネクター及び接続構造
JP2006199825A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Soken Chem & Eng Co Ltd 異方導電性接着テープおよび配線基板異方導電接着体
JP2006173100A (ja) * 2005-11-18 2006-06-29 Hitachi Chem Co Ltd 電極の接続方法
KR100747336B1 (ko) * 2006-01-20 2007-08-07 엘에스전선 주식회사 이방성 도전 필름을 이용한 회로기판의 접속 구조체, 이를위한 제조 방법 및 이를 이용한 접속 상태 평가방법
JP5052050B2 (ja) * 2006-06-16 2012-10-17 日立化成工業株式会社 電極接続用接着剤及びこれを用いた微細電極の接続構造
CN101794638B (zh) * 2006-07-21 2012-06-06 日立化成工业株式会社 电路连接材料、电路部件的连接结构及电路部件的连接方法
JP2008235556A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 配線板モジュール及び該配線板モジュールの製造方法
JP5023901B2 (ja) * 2007-05-23 2012-09-12 日立化成工業株式会社 接着剤組成物、回路接続構造体及び半導体装置
JP5029372B2 (ja) * 2007-09-14 2012-09-19 日立化成工業株式会社 異方導電性接着剤、異方導電性フィルムおよび回路接続構造体の製造方法
JP5349316B2 (ja) * 2007-09-19 2013-11-20 日立化成株式会社 接着剤組成物及び接合体
JP5176139B2 (ja) * 2008-05-12 2013-04-03 日立化成株式会社 回路接続材料及びそれを用いた回路部材の接続構造
CN102047347B (zh) * 2008-07-01 2012-11-28 日立化成工业株式会社 电路连接材料和电路连接结构体
CN102112568A (zh) * 2008-08-04 2011-06-29 日立化成工业株式会社 胶粘剂组合物、膜状胶粘剂、胶粘片和半导体装置
JP2010100840A (ja) * 2008-09-24 2010-05-06 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤フィルム及び回路接続材料
JP4900490B2 (ja) * 2010-01-27 2012-03-21 日立化成工業株式会社 回路接続材料、回路部材の接続構造及び回路部材の接続方法。
JP2011204898A (ja) * 2010-03-25 2011-10-13 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物及び回路部材の接続構造体

Also Published As

Publication number Publication date
TWI436709B (zh) 2014-05-01
JP2012067281A (ja) 2012-04-05
JP5668636B2 (ja) 2015-02-12
KR20120022655A (ko) 2012-03-12
TW201220995A (en) 2012-05-16
KR101227358B1 (ko) 2013-01-28
WO2012026470A1 (ja) 2012-03-01
CN102417794A (zh) 2012-04-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102417794B (zh) 电路连接材料、连接方法、连接结构体及制造方法和用途
CN101897245B (zh) 电路连接材料及电路部件的连接结构
CN100416921C (zh) 电路连接用粘接薄膜和电路连接结构体
CN1180669C (zh) 配线连接材料以及使用它的配线板制造方法
CN102786908B (zh) 粘接剂组合物、电路连接材料、电路构件的连接结构及半导体装置
CN102047347B (zh) 电路连接材料和电路连接结构体
CN101982515B (zh) 膜状电路连接材料及电路部件的连接结构
TWI500736B (zh) 用於各向異性導電黏合膜之組成物、各向異性導電黏合膜以及半導體裝置
CN101627666A (zh) 电路连接材料、电路端子的连接结构
CN102399526A (zh) 粘接剂组合物、电路连接结构体、半导体装置及太阳能电池模件
CN104559902A (zh) 电路连接材料、电路构件的连接结构体、和电路构件的连接结构体的制造方法
CN102167964B (zh) 电路连接材料、电路部件的连接结构及电路部件的连接方法
CN100335584C (zh) 配线连接材料以及使用它的配线板制造方法
JP2018203867A (ja) 異方導電性接着剤組成物、異方導電性フィルム、及び接続構造体
CN101787245A (zh) 电路连接材料、电路部件的连接结构及电路部件的连接方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: Japan Tokyo Chiyoda Marunouchi yidingmu 9 No. 2

Applicant after: HITACHI CHEMICAL Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Applicant before: HITACHI CHEMICAL Co.,Ltd.

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: HITACHI CHEMICAL CO. LTD. TO: HITACHI CHEMICAL CO., LTD.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Japan Tokyo Chiyoda Marunouchi yidingmu 9 No. 2

Patentee after: Lishennoco Co.,Ltd.

Address before: Japan Tokyo Chiyoda Marunouchi yidingmu 9 No. 2

Patentee before: HITACHI CHEMICAL Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder