CN102403409A - 晶体硅太阳能电池的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：制绒—扩散—刻边—去杂质玻璃层—镀设减反射膜—局部去除减反射膜—清洗—印刷—烧结，即可得到所述晶体硅太阳能电池；所述局部去除减反射膜采用腐蚀性浆料腐蚀去除，腐蚀去除的减反射膜的形状与正面电极的图案相同；所述印刷步骤中，使正面电极与硅片正面直接接触。本发明可使印刷的正面电极与硅直接接触，形成良好的接触电阻，提高了晶体硅太阳能电池的电性能，有效增加晶体硅太阳能电池的光电转换效率，试验证明，相比现有的制备工艺，经本发明的方法制备得到的太阳能电池的接触电阻大大减小，光电转换效率有0.2%左右的绝对提升，取得了意想不到的技术效果。

Description

晶体硅太阳能电池的制备方法

技术领域

本发明涉及一种晶体硅太阳能电池的制备方法，属于晶体硅太阳能电池制造领域。 

背景技术

常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳能电池中，晶体硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时晶体硅太阳能电池相比其他类型的太阳能电池，有着优异的电学性能和机械性能。因此，晶体硅太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。研发高性价比的晶体硅太阳能电池已经成为各国光伏企业的主要研究方向之一。 

现有的晶体硅太阳能电池的制备工艺流程包括：制绒—扩散—刻边—去杂质玻璃层—镀设减反射膜—印刷—烧结。其中，印刷是指在硅片背面丝网印刷背电极、背电场，在硅片正面丝网印刷正面电极。 

然而，在正面电极烧结时，电导性和穿透性难以兼顾；这些因素增加了晶体硅太阳能电池的接触电阻，损失了晶体硅太阳能电池的电性能，一定程度上降低了晶体硅太阳能电池的光电转换效率。 

发明内容

本发明目的是提供一种晶体硅太阳能电池的制备方法，以降低晶体硅太阳能电池的接触电阻。 

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：制绒—扩散—刻边—去杂质玻璃层—镀设减反射膜—局部去除减反射膜—清洗—印刷—烧结，即可得到所述晶体硅太阳能电池； 

所述局部去除减反射膜采用腐蚀性浆料腐蚀去除，腐蚀去除的减反射膜的形状与正面电极的图案相同；

所述印刷步骤中，使正面电极与硅片正面直接接触。

上文中，利用腐蚀性浆料腐蚀去除减反射膜，使正面电极与硅直接接触，形成良好的接触电阻，提高了晶体硅太阳能电池的电性能，有效增加晶体硅太阳能电池的光电转换效率。 

上文中，除了局部去除减反射膜、清洗2步骤之外，其他步骤均可以采用现有技术。 

上述技术方案中，所述减反射膜为氮化硅，所述腐蚀性浆料的主要成分为氟化铵。所述腐蚀性浆料可以采用现有技术，只要可以腐蚀去除减反射膜即可。 

由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点： 

1．本发明增加了局部去除减反射膜步骤，使印刷的正面电极与硅直接接触，形成良好的接触电阻，提高了晶体硅太阳能电池的电性能，有效增加晶体硅太阳能电池的光电转换效率，试验证明，相比现有的制备工艺，经本发明的方法制备得到的太阳能电池的接触电阻大大减小，光电转换效率有0.2%左右的绝对提升，取得了意想不到的技术效果。

2．本发明的制备方法简单，易于操作，适合大规模生产。 

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步描述： 

实施例一

一种晶体硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：

（1）将硅片（单晶M156）进行前道化学预清洗和绒面腐蚀；

（2）在P型硅片的正面，磷扩散N层；

（3）等离子刻蚀，去除硅片侧面扩散层；

（4）去除磷硅玻璃；

（5）在P型硅片的正面，PECVD沉积氮化硅膜；

（6）使用含有氟化氨的腐蚀性浆料将正面的氮化硅膜层局部去除，腐蚀去除的减反射膜的形状与正面电极的图案相同；

（7）清洗除去腐蚀性浆料；

（8）丝网印刷背电极、背电场和正面电极，并使正面电极与硅片正面直接接触；

（9）烧结，得到所述晶体硅太阳能电池。

将上述制得的太阳能电池在AM1.5、光强1000W，温度25℃条件下测量其电性能参数，结果如下： 

对比例一

将常规单晶M156经常规工艺过程后，在AM1.5、光强1000W，温度25℃条件下测量其电性能参数，结果如下：

从上述实施例和对比例可以看出，实施例的接触电阻要小于对比例；实施例中各电性能明显好于对比例；实施例的转换效率为18.27%，对比例的为18.04%，实施例比对比例高0.2%以上。

可见，采用本发明的方法可以改善晶体硅太阳能电池接触电阻及电性能，提升太阳能电池的转换效率。 

Claims (2)

1.一种晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：制绒—扩散—刻边—去杂质玻璃层—镀设减反射膜—局部去除减反射膜—清洗—印刷—烧结，即可得到所述晶体硅太阳能电池；

所述局部去除减反射膜采用腐蚀性浆料腐蚀去除，腐蚀去除的减反射膜的形状与正面电极的图案相同；

所述印刷步骤中，使正面电极与硅片正面直接接触。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述减反射膜为氮化硅，所述腐蚀性浆料的主要成分为氟化铵。