CN102377358A - 用于降低开关模式电源变换器的待机功耗的***和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了用于降低开关模式电源变换器的待机功耗的***和方法。该***包括：第一电容器，包括第一电容器端子和第二电容器端子；第二电容器，包括第三电容器端子和第四电容器端子；以及多个二极管，包括第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管。第一二极管在第一节点处耦合到第二二极管，第二二极管在第二节点处耦合到第四二极管，第四二极管在第三节点处耦合到第三二极管，第三二极管在第四节点处耦合第一二极管。另外，该***包括：第五二极管，包括第一阳极和第一阴极；以及第六二极管，包括第二阳极和第二阴极。

Description

用于降低开关模式电源变换器的待机功耗的***和方法
技术领域
本发明涉及集成电路。更具体地，本发明提供了用于在轻负载或无负载条件下降低功耗的***和方法。仅仅作为示例，本发明已应用于待机条件下的开关模式(switch mode)电源变换器。但是将认识到，本发明具有宽得多的应用范围。
背景技术
电源变换器已被广泛用于诸如便携式设备之类的消费电子产品。电源变换器可将电能从一种形式变换为另一种形式。作为示例，电能从交流(AC)被变换为直流(DC)，从DC被变换为AC，从AC被变换为AC，或者从DC被变换为DC。另外，电源变换器还可将电能从一种电压电平变换为另一电压电平。具体地，电源变换器包括线性变换器和开关模式变换器。开关模式变换器通常使用脉宽调制(PWM)或脉冲频率调制(PFM)机制。开关模式变换器通常比线性变换器高效。
电源变换器常常必须满足与节能有关的各种国际标准，例如能源之星(Energy Star)要求和蓝色天使(Blue Angel)要求。因此，电源变换器通常需要在诸如待机、挂起或某些其它空闲条件之类的轻负载或无负载条件下具有低功耗和高功率效率。
图1是示出具有X电阻器和X电容器的开关模式电源变换器***的简化传统示图。开关模式电源变换器***100包括X电阻器110，X电容器120，输入端子122和124，开关模式控制器130，二极管152、154、156和158，电容器160，初级绕组172，次级绕组174，辅助绕组176以及开关180。例如，开关模式控制器130包括端子132、134、136、138和139。在另一示例中，端子132、134、136、138和139分别是GND管脚、FB管脚、VCC管脚、GATE管脚和CS管脚。
为了降低变换***100在待机条件下的功耗，通常降低开关模式控制器130的功耗是很重要的。另外，变换***100还包括其它组件，在开关模式控制器130的功耗被降低时这些其它组件在待机条件下的功耗可能变得更显著。因此，还需要降低这些其它组件的功耗以便进一步降低开关模式电源变换器***100的功耗。
如图1所示，开关模式电源变换器***100包括连接到输入端子122和124的X电容器120。X电容器120通常用来解决电磁干扰(EMI)的问题。但是为了维护电源变换器***100对人体的安全，X电容器120需要快速地被放电，以使得X电容器120两端的电压可以在输入端子122和124与AC电源断开连接后在1秒钟内下降到预定阈值之下。为了辅助对X电容器120放电，电源变换器***100还包括与X电容器120并联连接的X电阻器110。但是，X电阻器110将增加电源变换器***100在待机条件下的功耗。
因此，非常希望改进降低待机条件下的功耗的技术。
发明内容
本发明涉及集成电路。更具体地，本发明提供了用于在轻负载或无负载条件下降低功耗的***和方法。仅仅作为示例，本发明已应用于待机条件下的开关模式电源变换器。但是将认识到，本发明具有宽得多的应用范围。
根据一个实施例，一种电源变换***包括：第一电容器，包括第一电容器端子和第二电容器端子；第二电容器，包括第三电容器端子和第四电容器端子；多个二极管，包括第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管。第一二极管在第一节点处耦合到第二二极管，第二二极管在第二节点处耦合到第四二极管，第四二极管在第三节点处耦合到第三二极管，第三二极管在第四节点处耦合第一二极管。另外，该***包括：第五二极管，包括第一阳极和第一阴极；第六二极管，包括第二阳极和第二阴极。第一阳极连接到第一输入端子，第二阳极连接到第二输入端子，并且第一阴极和第二阴极连接到第五节点。此外，该***包括***控制器，该***控制器包括第一控制器端子、第二控制器端子、第三控制器端子、第四控制器端子和第五控制器端子。此外，该***包括：初级绕组，包括第一绕组端子和第二绕组端子；次级绕组，被耦合到初级绕组；辅助绕组，被耦合到次级绕组。另外，该***包括：开关，包括第一开关端子和第二开关端子。第一节点连接到第一输入端子，第二节点连接到第一绕组端子，第三节点连接到第二输入端子，第四节点被偏置到预定电压，第五节点连接到第一控制器端子。第二控制器端子连接到第二输入端子，第三控制器端子被偏置到预定电压，第四控制器端子连接到第三电容器端子。第四电容器端子被偏置到预定电压，第一电容器端子连接到第一输入端子，第二电容器端子连接到第二输入端子。第一开关端子连接到第五控制器端子，并且第二开关端子连接到第二绕组端子。第一输入端子和第二输入端子被配置为接收输入电压，并且次级绕组被配置为至少基于与输入电压相关联的信息来生成输出电压。
根据另一实施例，一种用于对电源变换***的电容器放电的***包括第一电容器，该第一电容器包括第一电容器端子和第二电容器端子。第一电容器端子连接到第一输入端子，并且第二电容器端子连接到第二输入端子。另外，该***包括：第二电容器，包括第三电容器端子和第四电容器端子，第四电容器端子被偏置到预定电压。此外，该***包括：第一二极管，包括第一阳极和第一阴极；第二二极管，包括第二阳极和第二阴极。第一阳极连接到第一输入端子，并且第二阳极连接到第二输入端子。此外，该***包括：***控制器，包括第一控制器端子、第二控制器端子、第三控制器端子和第四控制器端子。第一控制器端子连接到第一阴极和第二阴极，第二控制器端子连接到第二输入端子，第三控制器端子被偏置到预定电压，并且第四控制器端子连接到第三电容器端子。该***控制器还包括检测组件、晶体管和欠压锁定组件。检测组件被配置为经由第二控制器端子接收来自第二输入端子的第一输入电压，接收来自欠压锁定组件的第一信号，至少基于与第一输入电压和第一信号相关联的信息来生成第二信号，并且将第二信号发送给第一晶体管。如果第一输入电压在大小上比第一阈值电压低并且第一信号为逻辑高电平，则第二信号为逻辑高电平。晶体管包括第一晶体管端子、第二晶体管端子和第三晶体管端子。第一晶体管端子被配置为接收来自检测组件的第二信号，并且第二晶体管端子连接到第三控制器端子。欠压锁定组件被配置为经由第四控制器端子接收来自第三电容器端子的第二输入电压，并且至少基于与第二输入电压相关联的信息生成第一信号。如果第二输入电压在大小上比第二阈值电压高，则第二信号为逻辑高电平。
根据又一实施例，一种用于对电源变换***的电容器放电的***包括第一控制器端子。该第一控制器端子被配置为接收来自第一二极管或第二二极管的放电电流。第一二极管和第二二极管被耦合到第一电容器，并且第一电容器被配置为由第一输入端子和第二输入端子充电。另外，该***包括：第二控制器端子，被配置为接收来自第二输入端子的第一输入电压；第三控制器端子，被偏置到预定电压；第四控制器端子，被配置为接收来自第二电容器的第二输入电压。此外，该***包括检测组件。该检测组件被配置为经由第二控制器端子接收来自第二输入端子的第一输入电压，接收来自欠压锁定组件的第一信号，至少基于与第一输入电压和第一信号相关联的信息来生成第二信号，并且将第二信号发送给晶体管。如果第一输入电压在大小上比第一阈值电压低并且第一信号为逻辑高电平，则第二信号为逻辑高电平。此外，该***包括晶体管，该晶体管包括第一晶体管端子、第二晶体管端子和第三晶体管端子。第一晶体管端子被配置为接收来自检测组件的第二信号，并且第二晶体管端子连接到第三控制器端子。另外，该***包括欠压锁定组件。该欠压锁定组件被配置为经由第四控制器端子接收来自第二电容器的第二输入电压，并且至少基于与第二输入电压相关联的信息生成第一信号。如果第二输入电压在大小上比第二阈值电压高，则第二信号为逻辑高电平。
与传统技术相比，通过本发明获得了许多益处。本发明的某些实施例降低了PWM控制的开关模式电源变换器(例如离线反激式变换器和/或正激式变换器)的待机功耗。
取决于实施例，可以获得这些益处中的一个或多个。参考下面的详细描述和附图可以全面地理解本发明的这些益处以及各个另外的目的、特征和优点。
附图说明
图1是示出具有X电阻器和X电容器的开关模式电源变换器***的简化传统示图。
图2是示出根据本发明一个实施例的开关模式电源变换器***的简化示图。
图3(A)和(B)是示出根据本发明某些实施例的开关模式电源变换器***中对X电容器放电的简化示图。
图4是示出根据本发明实施例的开关模式电源变换器***中的开关模式控制器的简化示图。
图5是示出根据本发明另一实施例的开关模式电源变换器***中的开关模式控制器的简化示图。
图6是示出根据本发明另一实施例的开关模式电源变换器***的简化示图。
具体实施方式
本发明涉及集成电路。更具体地，本发明提供了用于在轻负载或无负载条件下降低功耗的***和方法。仅仅作为示例，本发明已应用于待机条件下的开关模式电源变换器。但是将认识到，本发明具有宽得多的应用范围。
参考图1，当从AC电源拔去输入端子122和124之后，累积在X电容器120上的电荷经由X电阻器110被释放。因此，X电容器120两端的电压将随着时间按如下方式降低。
V xc ( t ) = V 0 × e - ( t R x C x ) (等式1)
其中，Vxc是X电容器120两端的电压，并且V0是在将输入端子122和124与AC电源断开连接时Vxc的电压值。Rx和Cx分别是X电阻器110和X电容器120的电阻值和电容值。
为了使Vxc在1秒钟内适当地下降因子e，
R x ≈ 1 C x (等式2)
通常，Cx的大小取决于开关模式电源变换器***100的功率以及对电磁干扰的解决。如果X电容器120的电容增大，则X电阻器110的电阻根据等式2将变小。因此，X电阻器110的功耗在待机条件下也增大，尽管X电阻器110通常对在端子122和124与AC电源被断开连接之后对X电容器120放电是有用的。
因此，为了降低开关模式电源变换器***100的功耗，希望在待机条件下将X电阻器110断开连接或者简单地避免将X电阻器110用于对X电容器120放电。
图2是示出根据本发明一个实施例的开关模式电源变换器***的简化示图。该示图仅仅是示例，其不应当不适当地限制权利要求的范围。本领域技术人员将认识到许多变化、替换和修改。
如图2所示，开关模式电源变换器***200包括二极管210和212，X电容器220，输入端子222和224，开关模式控制器230，二极管252、254、256和258，电容器260，初级绕组272，次级绕组274，辅助绕组276以及开关280。例如，开关模式控制器230包括端子232、234、236、238、239、240和242。在另一示例中，端子232、234、236、238、239、240和242分别是GND管脚、FB管脚、VCC管脚、GATE管脚、CS管脚、Z管脚和VAC管脚。在又一示例中，端子232被偏置到地。
图3(A)和(B)是示出根据本发明某些实施例的开关模式电源变换器***200中对X电容器220放电的简化示图。这些示图仅仅是示例，不应当不适当地限制权利要求的范围。本领域技术人员将认识到许多变化、替换和修改。
如图3(A)所示，根据一个实施例，输入端子222和224在AC输入的正半周期期间被与AC电源断开连接。在断开连接之后，累积在X电容器220上的正电荷通过从一个端子流到另一端子而被释放。例如，正电荷流经二极管210、端子240、端子232和二极管256。
如图3(B)所示，根据另一实施例，输入端子222和224在AC输入的负半周期期间被与AC电源断开连接。在断开连接之后，累积在X电容器220上的正电荷通过从一个端子流到另一端子而被释放。例如，正电荷流经二极管212、管脚240、管脚232和二极管252。
图4是示出根据本发明实施例的开关模式电源变换器***200中的开关模式控制器230的简化示图。该示图仅仅是示例，其不应当不适当地限制权利要求的范围。本领域技术人员将认识到许多变化、替换和修改。
如图4所示，开关模式控制器230包括检测组件410，晶体管420、422和424，欠压锁定(under-voltage-lockout，UVLO)组件430，电阻器440，PWM信号生成器450，逻辑控制组件452以及门驱动器454。
例如，检测组件410被配置为接收来自端子242的输入电压以及UVLO组件430的输出信号432，并且生成输出信号412。在另一示例中，如果端子242处的输入电压等于或高于第一预定阈值，则检测组件410的输出信号412为逻辑低电平。在又一示例中，如果端子242处的输入电压下降到第一预定阈值之下，则如果UVLO组件430的输出信号432也为逻辑高电平的话，检测组件410的输出信号412为逻辑高电平。
根据一个实施例，如果端子222和224在开关模式电源变换器***200的启动期间连接到AC输入，则端子242处的输入电压等于或高于第一预定阈值。例如，如果端子236接收到的输入电压在第二预定阈值之下，则UVLO组件430的输出信号432为逻辑低电平并且控制器230处于UVLO保护模式。在另一示例中，检测组件410的输出信号412为逻辑低电平，并且晶体管424截止。在又一示例中，晶体管422截止，并且晶体管420导通。在又一示例中，电流流经二极管210或212并且流经端子240和晶体管420，并对电容器260充电，从而升高端子236处的输入电压。
根据另一实施例，如果端子242处的输入电压保持等于或高于第一预定阈值，并且端子236处的输入电压达到或升高到第二预定阈值之上，则信号432变为逻辑高电平，并且控制器230处于操作模式。例如，检测组件410的输出信号412保持在逻辑低电平，并且晶体管424保持截止。在另一示例中，晶体管422导通，并且晶体管420截止。在又一示例中，电流不再能够流经二极管210或212并流经端子240和晶体管420以对电容器260充电。在又一示例中，小电流流经二极管210或212并流经端子240和电阻器440，其中，电阻器440具有大的电阻。在又一示例中，到端子236的输入电压按每个切换周期由辅助绕组276提供。
根据又一实施例，如果端子222和224与AC输入被断开连接，则端子242处的输入电压下降到第一预定阈值之下。例如，当UVLO组件430的输出信号432为逻辑高电平时，作为响应，检测组件410的输出信号412变为逻辑高电平，并且控制器230处于对电容器220放电的模式。在一个实施例中，在对电容器220放电的模式中，由门驱动器454生成的驱动信号456保持逻辑低电平。在另一实施例中，晶体管424导通以经由二极管210或212以及端子240、晶体管424和端子232对电容器220放电。
根据又一实施例，如果端子222和224保持与AC输入断开连接并且端子242处的输入电压保持低于第一预定阈值，则UVLO组件430的输出信号432变为逻辑低电平。作为响应，例如，检测组件410的输出信号412变为逻辑低电平并且晶体管424截止。
如上面所讨论的并且这里将进一步强调的，图4仅仅是示例，其不应当不适当地限制权利要求的范围。本领域技术人员将认识到许多变化、替换和修改。例如，电阻器440被JFET代替。在一个实施例中，JFET的基极被偏置到地，JFET的漏极直接连接到端子240，并且JFET的源极直接连接到晶体管420的栅极。
图5是示出根据本发明另一实施例的开关模式电源变换器***200中的开关模式控制器230的简化示图。该示图仅仅是示例，其不应当不适当地限制权利要求的范围。本领域技术人员将认识到许多变化、替换和修改。
如图5所示，开关模式控制器230包括检测组件510，晶体管520、522和524，欠压锁定(UVLO)组件530，电阻器540，PWM信号生成器550，逻辑控制组件552以及门驱动器554。
例如，检测组件510被配置为接收来自端子242的输入电压以及UVLO组件530的输出信号532，并且生成输出信号512。在另一示例中，如果端子242处的输入电压等于或高于第一预定阈值，则检测组件510的输出信号512为逻辑低电平。在又一示例中，如果端子242处的输入电压下降到第一预定阈值之下，则如果UVLO组件530的输出信号532也为逻辑高电平的话，检测组件510的输出信号512为逻辑高电平。
根据一个实施例，如果端子222和224在开关模式电源变换器***200的启动期间连接到AC输入，则端子242处的输入电压等于或高于第一预定阈值。例如，如果端子236接收到的输入电压在第二预定阈值之下，则UVLO组件530的输出信号532为逻辑低电平并且控制器230处于UVLO保护模式。在另一示例中，检测组件510的输出信号512为逻辑低电平，并且晶体管524截止。在又一示例中，晶体管522截止，并且晶体管520导通。在又一示例中，电流流经二极管210或212并且流经端子240和晶体管520，并对电容器260充电，从而升高端子236处的输入电压。
根据另一实施例，如果端子242处的输入电压保持等于或高于第一预定阈值，并且端子236处的输入电压达到或升高到第二预定阈值之上，则信号532变为逻辑高电平，并且控制器230处于操作模式。例如，检测组件510的输出信号512保持在逻辑低电平，并且晶体管524保持截止。在另一示例中，晶体管522导通，并且晶体管520截止。在又一示例中，电流不再能够流经二极管210或212并流经端子240和晶体管520以对电容器260充电。在又一示例中，小电流流经二极管210或212并流经端子240和电阻器540，其中，电阻器540具有大的电阻。在又一示例中，到端子236的输入电压按每个切换周期由辅助绕组276提供。
根据又一实施例，如果端子222和224与AC输入被断开连接，则端子242处的输入电压下降到第一预定阈值之下。例如，当UVLO组件530的输出信号532为逻辑高电平时，作为响应，检测组件510的输出信号512变为逻辑高电平，并且控制器230处于对电容器220放电的模式。在一个实施例中，在对电容器220放电的模式中，由门驱动器554生成的驱动信号556保持逻辑低电平。在另一实施例中，晶体管524导通以对电容器260放电，并且端子236处的输入电压下降到第二预定阈值之下。例如，作为响应，UVLO组件530的输出信号532变为逻辑低电平并且控制器230改变为UVLO保护模式。在另一示例中，晶体管522截止，并且晶体管520和524导通。在又一示例中，电流流经二极管210或212并流经端子240、晶体管520和晶体管524以对电容器220放电。
根据又一实施例，如果端子222和224保持与AC输入断开连接并且端子242处的输入电压保持低于第一预定阈值，当UVLO组件530的输出信号532变为逻辑低电平。作为响应，例如，检测组件510的输出信号512变为逻辑低电平并且晶体管524截止。电流流经二极管210或212并流经端子240、晶体管520、端子236和电容260以对电容器220放电。
如上面所讨论的并且这里将进一步强调的，图5仅仅是示例，其不应当不适当地限制权利要求的范围。本领域技术人员将认识到许多变化、替换和修改。例如，电阻器540被JFET代替。在一个实施例中，JFET的基极被偏置到地，JFET的漏极直接连接到端子240，并且JFET的源极直接连接到晶体管520的栅极。
图6是示出根据本发明另一实施例的开关模式电源变换器***200的简化示图。该示图仅仅是示例，其不应当不适当地限制权利要求的范围。本领域技术人员将认识到许多变化、替换和修改。
与图2相比，如图6所示的电源变换器***200包括三个另外的组件610、612和630。例如，组件610被耦合在端子222与二极管210之间。在另一示例中，组件612被耦合在端子224与二极管212之间。在又一示例中，组件630被耦合在节点632与端子240之间。根据某些实施例，组件610、612和630中的每个包括电阻器和/或电感器。根据一些实施例，组件610、612和630分别用来保护二极管210、二极管212和端子240。
根据另一实施例，例如，如图2、图4、图5和/或图6所示，描述了电源变换***(例如，200)。该***(例如200)包括：包含第一电容器端子和第二电容器端子的第一电容器(例如220)、包含第三电容器端子和第四电容器端子的第二电容器(例如260)，以及包含第一二极管(例如252)、第二二极管(例如254)、第三二极管(例如256)和第四二极管(例如258)的多个二极管。第一二极管(例如252)在第一节点处耦合到第二二极管(例如254)，第二二极管(例如254)在第二节点处耦合到第四二极管(例如258)，第四二极管(例如258)在第三节点处耦合到第三二极管(例如256)，并且第三二极管在第四节点处耦合到第一二极管(例如252)。另外，***(例如200)包括：包含第一阳极和第一阴极的第五二极管(例如210)以及包含第二阳极和第二阴极的第六二极管(例如212)。第一阳极连接到第一输入端子(例如222)，第二阳极连接到第二输入端子(例如224)，并且第一阴极和第二阴极连接到第五节点。此外，***(例如200)包括：***控制器(例如230)，该***控制器包含第一控制器端子(例如240)、第二控制器端子(例如242)、第三控制器端子(例如232)、第四控制器端子(例如236)以及第五控制器端子(例如238)。此外，***(例如200)包括：包含第一绕组端子和第二绕组端子的初级绕组(例如272)、耦合到初级绕组(例如272)的次级绕组(例如274)、以及耦合到次级绕组(例如274)的辅助绕组(例如276)。另外，***(例如200)包括：包含第一开关端子和第二开关端子的开关(例如280)。第一节点连接到第一输入端子，第二节点连接到第一绕组端子，第三节点连接到第二输入端子，第四节点被偏置到预定电压，并且第五节点连接到第一控制器端子(例如240)。第二控制器端子(例如242)连接到第二输入端子，第三控制器端子(例如232)被偏置到预定电压，第四控制器端子(例如236)连接到第三电容器端子。第四电容器端子被偏置到预定电压，第一电容器端子连接到第一输入端子，并且第二电容器端子连接到第二输入端子。第一开关端子连接到第五控制器端子(例如238)，并且第二开关端子连接到第二绕组端子。第一输入端子和第二输入端子被配置为接收输入电压，并且次级绕组被配置为至少基于与输入电压相关联的信息来生成输出电压。
例如，第一阳极经由第一组件(例如610)间接地连接到第一输入端子(例如222)，并且第二阳极经由第二组件(例如612)间接地连接到第二输入端子(例如224)。在另一示例中，第一组件(例如610)包括从由电阻器和电感器构成的组中选出的至少一者。在又一示例中，第二组件(例如612)包括从由电阻器和电感器构成的组中选出的至少一者。在又一示例中，第五节点(例如632)经由组件(例如630)间接地连接到第一控制器端子(例如240)，组件(630)包括从由电阻器和电感器构成的组中选出的至少一者。
在又一示例中，***控制器(例如230)包括检测组件(例如410或510)、晶体管(例如424或524)以及欠压锁定组件(例如430或530)，检测组件(例如410或510)耦合到第二控制器端子(例如242)、欠压锁定组件(例如430或530)以及晶体管(例如424或524)。在又一示例中，检测组件(例如410或510)被配置为经由第二控制器端子(例如242)接收来自第二输入端子(例如224)的第一输入电压，接收来自欠压锁定组件(例如430或530)的第一信号，至少基于与第一输入电压和第一信号相关联的信息生成第二信号，并且将第二信号发送给第一晶体管(例如424或524)。在又一示例中，如果第一输入电压在大小上比第一阈值电压小并且第一信号为逻辑高电平，则第二信号为逻辑高电平。在又一示例中，晶体管(例如424或524)包括第一晶体管端子、第二晶体管端子和第三晶体管端子。第一晶体管端子被配置为接收来自检测组件(例如410或510)的第二信号，并且第二晶体管端子连接到第三控制器端子(例如232)。在又一示例中，第三晶体管端子连接到第一控制器端子(例如240)。在又一示例中，第三端子连接到第四控制器端子(例如236)。在又一示例中，第一晶体管端子为栅极端子，第二晶体管端子为源极端子，并且第三晶体管端子为漏极端子。在又一示例中，欠压锁定组件(例如430或530)被配置为经由第四控制器端子(例如236)接收来自第三电容器端子的第二输入电压，并且至少基于与第二输入电压相关联的信息来生成第一信号。在又一示例中，如果第二输入电压在大小上高于第二阈值电压，则第二信号为逻辑高电平。
根据又一实施例，例如，如图2、图4、图5和/或图6所示，描述了一种用于对电源变换***(例如200)的电容器放电的***。该***包括包含第一电容器端子和第二电容器端子的第一电容器(例如220)。第一电容器端子连接到第一输入端子(例如222)，并且第二电容器端子连接到第二输入端子(例如224)。另外，该***包括第二电容器(例如260)，该第二电容器包括第三电容器端子和第四电容器端子，第四电容器端子被偏置到预定电压。此外，该***包括：第一二极管(例如210)，包括第一阳极和第一阴极；以及第二二极管(例如212)，包括第二阳极和第二阴极。第一阳极连接到第一输入端子(例如222)，并且第二阳极连接到第二输入端子(例如224)。此外，该***包括***控制器(例如230)，该***控制器包括第一控制器端子(例如240)、第二控制器端子(例如242)、第三控制器端子(例如232)和第四控制器端子(例如236)。第一控制器端子(例如240)连接到第一阴极和第二阴极，第二控制器端子(例如242)连接到第二输入端子，第三控制器端子(例如232)被偏置到预定电压，第四控制器端子(例如236)连接到第三电容器端子。***控制器(例如230)还包括检测组件(例如410或510)、晶体管(例如424或524)和欠压锁定组件(例如430或530)。检测组件(例如410或510)被配置为经由第二控制器端子(例如242)接收来自第二输入端子(例如224)的第一输入电压，接收来自欠压锁定组件(例如430或530)的第一信号，至少基于与第一输入电压和第一信号相关联的信息来生成第二信号，并且将第二信号发送给第一晶体管(例如424或524)。如果第一输入电压在大小上比第一阈值电压低并且第一信号为逻辑高电平，则第二信号为逻辑高电平。晶体管(例如424或524)包括第一晶体管端子、第二晶体管端子和第三晶体管端子。第一晶体管端子被配置为接收来自检测组件(例如410或510)的第二信号，第二晶体管端子连接到第三控制器端子(例如232)。欠压锁定组件(例如430或530)被配置为经由第四控制器端子(例如236)接收来自第三电容器端子的第二输入电压，并且至少基于与第二输入电压相关联的信息生成第一信号。如果第二输入电压在大小上比第二阈值电压高，则第二信号为逻辑高电平。
例如，第三晶体管端子连接到第一控制器端子(例如240)。在另一示例中，第三晶体管端子连接到第四控制器端子(例如236)。在又一示例中，第一晶体管端子是栅极端子，第二晶体管端子是源极端子，并且第三晶体管端子是漏极端子。在又一示例中，第一阳极经由第一组件(例如610)间接地连接到第一输入端子(例如222)，并且第二阳极经由第二组件(例如612)间接地连接到第二输入端子(例如224)。在又一示例中，第一组件(例如610)包括从由电阻器和电感器构成的组中选出的至少一者。在又一示例中，第二组件(例如612)包括从由电阻器和电感器构成的组中选出的至少一者。在又一示例中，第一控制器端子(例如240)经由组件(例如630)间接地连接到第一阴极和第二阴极，并且组件(例如630)包括从由电阻器和电感器构成的组中选出的至少一者。在又一示例中，预定电压是地电压。
根据又一实施例，例如，如图2、图4、图5和/或图6所示，描述了一种用于对电源变换***(例如200)的电容器放电的***(例如230)。该***(例如230)包括第一控制器端子(例如240)。该第一控制器端子(例如240)被配置为接收来自第一二极管或第二二极管的放电电流。第一二极管和第二二极管被耦合到第一电容器，并且第一电容器被配置为由第一输入端子和第二输入端子充电。另外，该***(例如230)包括：第二控制器端子(例如242)，被配置为接收来自第二输入端子(例如224)的第一输入电压；第三控制器端子(例如232)，被偏置到预定电压；以及第四控制器端子(例如236)，被配置为接收来自第二电容器(例如260)的第二输入电压。此外，该***(例如230)包括检测组件(例如410或510)。该检测组件(例如410或510)被配置为经由第二控制器端子(例如242)接收来自第二输入端子(例如224)的第一输入电压，接收来自欠压锁定组件(例如430或530)的第一信号，至少基于与第一输入电压和第一信号相关联的信息来生成第二信号，并且将第二信号发送给晶体管(例如424或524)。如果第一输入电压在大小上比第一阈值电压低并且第一信号为逻辑高电平，则第二信号为逻辑高电平。此外，该***(例如230)包括晶体管(例如424)，该晶体管包括第一晶体管端子、第二晶体管端子和第三晶体管端子。第一晶体管端子被配置为接收来自检测组件(例如410或510)的第二信号，并且第二晶体管端子连接到第三控制器端子(例如232)。另外，该***(例如230)包括欠压锁定组件(例如430或530)。该欠压锁定组件(例如430或530)被配置为经由第四控制器端子(例如236)接收来自第二电容器(例如260)的第二输入电压，并且至少基于与第二输入电压相关联的信息生成第一信号。如果第二输入电压在大小上比第二阈值电压高，则第二信号为逻辑高电平。
例如，第三晶体管端子连接到第一控制器端子(例如240)。在另一示例中，第三晶体管端子连接到第四控制器端子(例如236)。在又一示例中，第一晶体管端子是栅极端子，第二晶体管端子是源极端子，并且第三晶体管端子是漏极端子。在又一示例中，第一二极管(例如210)连接到第一输入端子(例如222)，并且第二二极管(例如212)连接到第二输入端子(例如224)。在又一示例中，第一二极管经由第一组件(例如610)间接地连接到第一输入端子(例如222)，并且第二二极管经由第二组件(例如612)间接地连接到第二输入端子(例如224)。在又一示例中，第一控制器端子(例如240)被配置为经由组件(例如630)接收来自第一二极管或第二二极管的放电电流，组件(例如630)包括从由电阻器和电感器构成的组中选出的至少一者。在又一示例中，预定电压为地电压。
虽然已描述了本发明的特定实施例，然而本领域技术人员将明白，存在与所描述的实施例等同的其它实施例。因此，将明白，本发明不局限于所示出的特定实施例，而是仅由权利要求的范围来限定。

Claims (31)

1.一种电源变换***，该***包括：
第一电容器，包括第一电容器端子和第二电容器端子；
第二电容器，包括第三电容器端子和第四电容器端子；
多个二极管，包括第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管，所述第一二极管在第一节点处耦合到所述第二二极管，所述第二二极管在第二节点处耦合到所述第四二极管，所述第四二极管在第三节点处耦合到所述第三二极管，所述第三二极管在第四节点处耦合所述第一二极管；
第五二极管，包括第一阳极和第一阴极，所述第一阳极连接到所述第一输入端子；
第六二极管，包括第二阳极和第二阴极，所述第二阳极连接到第二输入端子，所述第一阴极和所述第二阴极连接到第五节点；
***控制器，包括第一控制器端子、第二控制器端子、第三控制器端子、第四控制器端子和第五控制器端子；
初级绕组，包括第一绕组端子和第二绕组端子；
次级绕组，被耦合到所述初级绕组；
辅助绕组，被耦合到所述次级绕组；以及
开关，包括第一开关端子和第二开关端子；
其中：
所述第一节点连接到所述第一输入端子；
所述第二节点连接到所述第一绕组端子；
所述第三节点连接到所述第二输入端子；
所述第四节点被偏置到预定电压；
所述第五节点连接到所述第一控制器端子；
所述第二控制器端子连接到所述第二输入端子；
所述第三控制器端子被偏置到所述预定电压；
所述第四控制器端子连接到所述第三电容器端子；
所述第四电容器端子被偏置到所述预定电压；
所述第一电容器端子连接到所述第一输入端子；
所述第二电容器端子连接到所述第二输入端子；
所述第一开关端子连接到所述第五控制器端子；并且
所述第二开关端子连接到所述第二绕组端子；
其中：
所述第一输入端子和所述第二输入端子被配置为接收输入电压；并且
所述次级绕组被配置为至少基于与所述输入电压相关联的信息来生成输出电压。
2.如权利要求1所述的***，其中：
所述第一阳极经由第一组件间接地连接到所述第一输入端子；并且
所述第二阳极经由第二组件间接地连接到所述第二输入端子。
3.如权利要求2所述的***，其中，所述第一组件包括从由电阻器和电感器构成的组中选出的至少一者。
4.如权利要求2所述的***，其中，所述第二组件包括从由电阻器和电感器构成的组中选出的至少一者。
5.如权利要求1所述的***，其中，所述第五节点经由一组件间接地连接到所述第一控制器端子，该组件包括从由电阻器和电感器构成的组中选出的至少一者。
6.如权利要求1所述的***，其中，所述***控制器包括检测组件、晶体管和欠压锁定组件，所述检测组件被耦合到所述第二控制器端子、所述欠压锁定组件和所述晶体管。
7.如权利要求6所述的***，其中，所述检测组件被配置为经由所述第二控制器端子接收来自所述第二输入端子的第一输入电压，接收来自所述欠压锁定组件的第一信号，至少基于与所述第一输入电压和所述第一信号相关联的信息来生成第二信号，并且将所述第二信号发送给所述第一晶体管。
8.如权利要求7所述的***，其中，如果所述第一输入电压在大小上比第一阈值电压低并且所述第一信号为逻辑高电平，则所述第二信号为逻辑高电平。
9.如权利要求6所述的***，其中，所述晶体管包括第一晶体管端子、第二晶体管端子和第三晶体管端子，所述第一晶体管端子被配置为接收来自所述检测组件的所述第二信号，所述第二晶体管端子连接到所述第三控制器端子。
10.如权利要求9所述的***，其中，所述第三晶体管端子连接到所述第一控制器端子。
11.如权利要求9所述的***，其中，所述第三晶体管端子连接到所述第四控制器端子。
12.如权利要求9所述的***，其中，所述第一晶体管端子是栅极端子，所述第二晶体管端子是源极端子，并且所述第三晶体管端子是漏极端子。
13.如权利要求10所述的***，其中，所述欠压锁定组件被配置为经由所述第四控制器端子接收来自所述第三电容器端子的第二输入电压，并且至少基于与所述第二输入电压相关联的信息生成所述第一信号。
14.如权利要求13所述的***，其中，如果所述第二输入电压在大小上比第二阈值电压高，则所述第二信号为逻辑高电平。
15.一种用于对电源变换***的电容器放电的***，该***包括：
第一电容器，包括第一电容器端子和第二电容器端子，所述第一电容器端子连接到第一输入端子，所述第二电容器端子连接到第二输入端子；
第二电容器，包括第三电容器端子和第四电容器端子，所述第四电容器端子被偏置到预定电压；
第一二极管，包括第一阳极和第一阴极，所述第一阳极连接到所述第一输入端子；
第二二极管，包括第二阳极和第二阴极，所述第二阳极连接到所述第二输入端子；
***控制器，包括第一控制器端子、第二控制器端子、第三控制器端子和第四控制器端子，所述第一控制器端子连接到所述第一阴极和所述第二阴极，所述第二控制器端子连接到所述第二输入端子，所述第三控制器端子被偏置到所述预定电压，所述第四控制器端子连接到所述第三电容器端子；
其中：
所述***控制器还包括检测组件、晶体管和欠压锁定组件，
所述检测组件被配置为经由所述第二控制器端子接收来自所述第二输入端子的第一输入电压，接收来自所述欠压锁定组件的第一信号，至少基于与所述第一输入电压和所述第一信号相关联的信息来生成第二信号，并且将所述第二信号发送给所述第一晶体管，如果所述第一输入电压在大小上比第一阈值电压低并且所述第一信号为逻辑高电平，则所述第二信号为逻辑高电平；
所述晶体管包括第一晶体管端子、第二晶体管端子和第三晶体管端子，所述第一晶体管端子被配置为接收来自所述检测组件的所述第二信号，所述第二晶体管端子连接到所述第三控制器端子；并且
所述欠压锁定组件被配置为经由所述第四控制器端子接收来自所述第三电容器端子的第二输入电压，并且至少基于与所述第二输入电压相关联的信息生成所述第一信号，如果所述第二输入电压在大小上比第二阈值电压高，则所述第二信号为逻辑高电平。
16.如权利要求15所述的***，其中，所述第三晶体管端子连接到所述第一控制器端子。
17.如权利要求15所述的***，其中，所述第三晶体管端子连接到所述第四控制器端子。
18.如权利要求15所述的***，其中，所述第一晶体管端子是栅极端子，所述第二晶体管端子是源极端子，并且所述第三晶体管端子是漏极端子。
19.如权利要求15所述的***，其中：
所述第一阳极经由第一组件间接地连接到所述第一输入端子；并且
所述第二阳极经由第二组件间接地连接到所述第二输入端子。
20.如权利要求19所述的***，其中，所述第一组件包括从由电阻器和电感器构成的组中选出的至少一者。
21.如权利要求19所述的***，其中，所述第二组件包括从由电阻器和电感器构成的组中选出的至少一者。
22.如权利要求15所述的***，其中，所述第一控制器端子经由一组件间接地连接到所述第一阴极和所述第二阴极，该组件包括从由电阻器和电感器构成的组中选出的至少一者。
23.如权利要求15所述的***，其中，所述预定电压是地电压。
24.一种用于对电源变换***的电容器放电的***，该***包括：
第一控制器端子，该第一控制器端子被配置为接收来自第一二极管或第二二极管的放电电流，所述第一二极管和所述第二二极管被耦合到第一电容器，所述第一电容器被配置为由第一输入端子和第二输入端子充电；
第二控制器端子，被配置为接收来自所述第二输入端子的第一输入电压；
第三控制器端子，被偏置到预定电压；
第四控制器端子，被配置为接收来自第二电容器的第二输入电压；
检测组件，该检测组件被配置为经由所述第二控制器端子接收来自所述第二输入端子的所述第一输入电压，接收来自欠压锁定组件的第一信号，至少基于与所述第一输入电压和所述第一信号相关联的信息来生成第二信号，并且将所述第二信号发送给晶体管，如果所述第一输入电压在大小上比第一阈值电压低并且所述第一信号为逻辑高电平，则所述第二信号为逻辑高电平；
所述晶体管，包括第一晶体管端子、第二晶体管端子和第三晶体管端子，所述第一晶体管端子被配置为接收来自所述检测组件的所述第二信号，所述第二晶体管端子连接到所述第三控制器端子；以及
所述欠压锁定组件，被配置为经由所述第四控制器端子接收来自所述第二电容器的第二输入电压，并且至少基于与所述第二输入电压相关联的信息生成所述第一信号，如果所述第二输入电压在大小上比第二阈值电压高，则所述第二信号为逻辑高电平。
25.如权利要求24所述的***，其中，所述第三晶体管端子连接到所述第一控制器端子。
26.如权利要求24所述的***，其中，所述第三晶体管端子连接到所述第四控制器端子。
27.如权利要求24所述的***，其中，所述第一晶体管端子是栅极端子，所述第二晶体管端子是源极端子，并且所述第三晶体管端子是漏极端子。
28.如权利要求24所述的***，其中：
所述第一二极管连接到所述第一输入端子；并且
所述第二二极管连接到所述第二输入端子。
29.如权利要求28所述的***，其中：
所述第一二极管经由第一组件间接地连接到所述第一输入端子；以及
所述第二二极管经由第二组件间接地连接到所述第二输入端子。
30.如权利要求24所述的***，其中，所述第一控制器端子被配置为经由一组件接收来自第一二极管或第二二极管的放电电流，该组件包括从由电阻器和电感器构成的组中选出的至少一者。
31.如权利要求24所述的***，其中，所述预定电压为地电压。
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