CN102314033B - 液晶面板的像素结构及含有该像素结构的液晶面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种液晶面板的像素结构及含有该像素结构的液晶面板,该像素结构包括:至少一栅线、存储线、下板像素电极以及第一开关单元;上述至少一栅线用于为第一开关单元接入扫描信号;第一开关单元分别与至少一栅线、存储线以及下板像素电极连接,用于接收栅线接入的扫描信号,并根据扫描信号将存储线上的电信号导入至下板像素电极。本发明提出的液晶面板的像素结构及含有该像素结构的液晶面板减少了PAD的数量,周边线路的设计更简洁,由于不利用资料线,因此当资料线出现断线时,也不会影响UV制程的固化反应过程。

Description

液晶面板的像素结构及含有该像素结构的液晶面板
技术领域
本发明涉及液晶显示领域,尤其涉及一种液晶面板的像素结构及含有该像素结构的液晶面板。
背景技术
液晶面板是液晶显示器的核心部件,主要由贴合在一起的阵列基板和彩膜基板及其夹设在其中的液晶组成。其中阵列基板上包含多个由扫描线和资料线交叉形成的显示单元,每个显示单元对应一个像素结构,通过像素结构可控制显示单元对应区域内液晶分子的扭转从而达到显示图像的目的。
PSVA(Polytmer Stabilization Vertical-Alignment,聚合物稳定型垂直配向技术)是一种利用新材料改善液晶显示器显示效果的技术,通过在液晶材料中混入硬化单体(Monomer),贴合基板后,施加电压并照射紫外线(UV)固化,即可活化单体,与聚合物(Polymer)层反应,形成固定预倾角。
在采用PSVA技术的液晶面板中,液晶面板具有较高的对比和穿透率。但制程上也多了固化(curing)制程。在curing前,液晶分子须先给定电压至操作状态,然后完成UV固化。因此,需考虑如何从周边将信号给入操作区(AA区)的像素,使液晶分子保持操作状态,常用的方法是在面板周边设置相应PAD(焊垫),通过周边走线设计,利用资料线和栅线向像素输入信号使液晶分子达到固化时的操作状态。
PAD越多,对走线的设计难度也越高。例如,如图1和图2所示,该液晶面板的像素结构包括两条栅线200、两个薄膜晶体管(TFT)401和402、一条资料线100、一条存储线500、下板像素电极302以及上板像素电极301,因此液晶面板需要在周边设置7个PAD,其中资料线100对应红、绿、蓝(RGB)三个PAD,两条栅线200中,每条栅线200对应一个PAD,存储线500对应一个PAD,彩模基板的上板像素电极301对应一个PAD。具体地,资料线100输入信号,当TFT401打开时,资料线100的信号即会通过TFT 401进入下板(阵列基板)像素电极302内。此时再给上板(彩模基板)像素电极301AC(alternate current,交流)信号,两板间液晶即受到压差,然后再利用UV制程来固定液晶的预倾角。
若某个像素区域的压差不一致,例如该区资料线100有断线时,信号便无法进入下板像素电极302,由于下板像素电极302没有接入任何电压,从而使对应区域液晶处于“悬浮”状态,此时当上板像素电极301的AC信号变化时,下板像素电极302也会跟随出现电压上的微变化,使两板之间的压差偏小,被固定的预倾角就会不同,从而使液晶面板的光学表现出现差异,出现画面显示不均匀(mura)的现象。
采用此方法时,除了要在液晶面板周边设置较多PAD,造成线路的设计变复杂外,当资料线100有断线情况发生时,经过UV制程后还会出现不均匀(mura)的现象,因此需要提出一种设置PAD较少、线路设计简洁的像素结构及液晶面板,并且当资料线100出现断线时,也不会影响UV制程的固化反应过程。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种设置PAD较少、线路设计简洁的像素结构及含有该像素结构的液晶面板。
为实现上述目的,本发明提出一种液晶面板的像素结构,包括:至少一栅线、存储线、下板像素电极以及第一开关单元;
所述至少一栅线,用于为所述第一开关单元接入扫描信号;
所述第一开关单元,分别与所述至少一栅线、存储线以及下板像素电极连接,用于接收所述至少一栅线接入的扫描信号,并根据所述扫描信号将存储线上的电信号导入至下板像素电极。
优选地,所述像素结构还包括资料线以及第二开关单元;所述下板像素电极位于所述资料线与栅线限定的像素区域内;所述第二开关单元分别与所述至少一栅线、资料线以及下板像素电极连接,用于接收所述至少一栅线接入的扫描信号,并根据所述扫描信号将资料线上的电信号导入至下板像素电极。
优选地,所述至少一栅线包括充电栅线和分电栅线,所述第一开关单元包括第一充电薄膜晶体管和第一分电薄膜晶体管;
所述第一充电薄膜晶体管的栅极连接所述充电栅线,源极和漏极分别连接所述存储线和第一分电薄膜晶体管,第一分电薄膜晶体管的栅极连接所述分电栅线,源极和漏极分别连接所述第一充电薄膜晶体管和下板像素电极。
优选地,所述第二开关单元包括第二充电薄膜晶体管和第二分电薄膜晶体管,所述第二充电薄膜晶体管的栅极连接所述充电栅线,源极和漏极分别连接所述资料线和下板像素电极,第二分电薄膜晶体管的栅极连接所述分电栅线,源极和漏极分别连接所述存储线和下板像素电极。
优选地,所述至少一栅线包括第一栅线和第二栅线;所述第一开关单元与第二开关单元均为薄膜晶体管;
所述第一开关单元的栅极与所述第一栅线连接,该第一开关单元的源极和漏极分别连接所述存储线以及下板像素电极,用于接收所述第一栅线接入的扫描信号,并根据所述扫描信号将存储线上的电信号导入至下板像素电极;
所述第二开关单元的栅极与所述第二栅线连接,该第二开关单元的源极和漏极分别连接所述资料线以及下板像素电极,用于接收所述第二栅线接入的扫描信号,并根据所述扫描信号将资料线上的电信号导入至下板像素电极。
优选地,还包括存储电容,所述存储电容连接在所述存储线与下板像素电极之间;所述下板像素电极的相对一侧设置有上板像素电极,所述下板像素电极与上板像素电极之间夹设有液晶。
本发明还提出一种液晶面板,包括阵列基板,所述阵列基板上阵列多个像素结构,所述像素结构包括:至少一栅线、存储线、资料线、下板像素电极、第一开关单元以及第二开关单元;
所述至少一栅线,用于为所述第一开关单元接入扫描信号;
所述第一开关单元,分别与所述至少一栅线、存储线以及下板像素电极连接,用于接收所述至少一栅线接入的扫描信号,并根据所述扫描信号将存储线上的电信号导入至下板像素电极;
所述下板像素电极位于所述资料线与栅线限定的像素区域内;所述第二开关单元分别与所述至少一栅线、资料线以及下板像素电极连接,用于接收所述至少一栅线接入的扫描信号,并根据所述扫描信号将资料线上的电信号导入至下板像素电极。
优选地,所述至少一栅线包括充电栅线和分电栅线,所述第一开关单元包括第一充电薄膜晶体管和第一分电薄膜晶体管;
所述第一充电薄膜晶体管的栅极连接所述充电栅线,源极和漏极分别连接所述存储线和第一分电薄膜晶体管,第一分电薄膜晶体管的栅极连接所述分电栅线,源极和漏极分别连接所述第一充电薄膜晶体管和下板像素电极;
所述第二开关单元包括第二充电薄膜晶体管和第二分电薄膜晶体管,所述第二充电薄膜晶体管的栅极连接所述充电栅线,源极和漏极分别连接所述资料线和下板像素电极,第二分电薄膜晶体管的栅极连接所述分电栅线,源极和漏极分别连接所述存储线和下板像素电极。
优选地,所述至少一栅线包括第一栅线和第二栅线;所述第一开关单元与第二开关单元均为薄膜晶体管;
所述第一开关单元的栅极与所述第一栅线连接,该第一开关单元的源极和漏极分别连接所述存储线以及下板像素电极,用于接收所述第一栅线接入的扫描信号,并根据所述扫描信号将存储线上的电信号导入至下板像素电极;
所述第二开关单元的栅极与所述第二栅线连接,该第二开关单元的源极和漏极分别连接所述资料线以及下板像素电极,用于接收所述第二栅线接入的扫描信号,并根据所述扫描信号将资料线上的电信号导入至下板像素电极。
优选地,所述阵列基板的相邻行像素结构共用所述第一栅线,所述第一栅线位于所述相邻行像素结构交界处;所述阵列基板上各像素结构的资料线与外部的数据驱动器连接;各像素结构的栅线与外部的扫描驱动器连接。
本发明提出的一种液晶面板的像素结构及含有该像素结构的液晶面板,需要设置的PAD较少、线路设计简洁,并且当资料线出现断线时,也不会影响UV制程的固化反应过程,从而出现画面不均匀的现象。
附图说明
图1是现有技术中液晶面板的像素结构的示意图;
图2是现有技术中液晶面板结构示意图;
图3是本发明液晶面板的像素结构的第一实施例的结构示意图;
图4是图3所示液晶面板的像素结构的等效电路示意图;
图5是含有图3所示像素结构的液晶面板的结构示意图;
图6是本发明液晶面板的像素结构的第二实施例的结构示意图;
图7是图6所示液晶面板的像素结构的等效电路示意图;
图8是含有图6所示像素结构的液晶面板的结构示意图。
为了使本发明的技术方案更加清楚、明了,下面将结合附图作进一步详述。
具体实施方式
应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明实施例的技术方案是通过在存储线与下板像素电极之间设置TFT通道,通过栅线的控制开启TFT通道将存储线的信号引入下板像素电极,因此减少了PAD的数量,周边线路的设计更简洁,由于不利用资料线,因此当资料线出现断线时,也不会影响UV制程的固化反应过程。
如图3和图4所示,为本发明第一实施例提出的一种液晶面板的像素结构,其中,图3是该实施例中液晶面板的像素结构的结构示意图,图4是相应的等效电路示意图。该液晶面板的像素结构包括资料线1、栅线2、下板像素电极3、第一开关单元6、第二开关单元4、存储线5、存储电容7以及上板像素电极8,第一开关单元6包括第一充电薄膜晶体管61和第一分电薄膜晶体管62,第二开关单元4包括第二充电薄膜晶体管41和第二分电薄膜晶体管42,其中:
栅线2用于提供开关薄膜晶体管的扫描信号,栅线2包括充电栅线21和分电栅线22。
资料线1与栅线2相互垂直,相邻的两条资料线1与相邻的两条栅线2交叉形成像素区域,充电栅线21和分电栅线22位于像素区域中部,将像素分为上像素和下像素两个区域。
下板像素电极3,位于资料线1与栅线2限定的像素区域内,图3中未标识,其覆盖于图3中上像素和下像素区域表面,与第二充电薄膜晶体管41和第二分电薄膜晶体管42电性连接,可接受第二充电薄膜晶体管41和第二分电薄膜晶体管42中传入的信号,等效电路如图4所示。
下板像素电极3为阵列基板(TFT)上的像素电极,上板像素电极8为彩膜基板(CF)上的像素电极,液晶在两板的像素电极之间。
第二开关单元4,用于根据扫描信号,将资料线1上的信号导入下板像素电极3。
第二开关单元4即上述第二充电薄膜晶体管41和第二分电薄膜晶体管42,第二充电薄膜晶体管41的栅极连接充电栅线21,源极和漏极分别连接资料线1和下板像素电极3,第二分电薄膜晶体管42的栅极连接分电栅线22,源极和漏极分别连接存储线5和下板像素电极3。
存储线5,设置于像素结构底层,与下板像素电极3形成存储电容7。
第一开关单元6,用于根据扫描信号,将存储线5上的信号导入下板像素电极3。
第一开关单元6包括第一充电薄膜晶体管61和第一分电薄膜晶体管62,第一充电薄膜晶体管61的栅极连接充电栅线21,源极和漏极分别连接存储线5和第一分电薄膜晶体管62,第一分电薄膜晶体管62的栅极连接分电栅线22,源极和漏极分别连接第一充电薄膜晶体管61和下板像素电极3。
当充电栅线21和分电栅线22同时打开时,存储线5上的信号便通过第一充电薄膜晶体管61和第一分电薄膜晶体管62导入下板像素电极3。
具体的,当同时给充电栅线21和分电栅线22COM信号,充电栅线21和分电栅线22同时打开,第一充电薄膜晶体管61和第一分电薄膜晶体管62同时开启,COM信号会经由第一充电薄膜晶体管61和第一分电薄膜晶体管62进入上像素和下像素,像素信号即变成COM信号。
此时上板像素电极8再给入AC 20V的信号,上下板间的液晶分子即会感受到20V的压差。然后再利用UV制程在此操作状态固定液晶的预倾角。
当充电栅线21和分电栅线22同时打开时,此时虽然第一充电薄膜晶体管41和第一分电薄膜晶体管42也开启,但是在信号不从资料线1输入的情况下,不影响下板像素电极3得到COM信号,而且由于本方案可以不利用资料线1,因此即使资料线1断线也不影响UV制程的固化效果。
由于只有当充电栅线21和分电栅线22同时打开时,存储线5的信号才会通过TFT通道进入下板像素电极3,因此在面板使用或测试时,驱动电路只要使充电栅线21和分电栅线22分别开启,就不会影响液晶面板的正常画面显示。
在现有技术中,通过资料线1向像素输入信号,因此资料线1需要RGB三个PAD,本发明实施例所示方案,由于不通过资料线1输入信号,而是通过在存储线5与下板像素电极3之间设置TFT通道,将存储线5的信号引入下板像素电极3,因此在现有技术基础上减少了3个PAD,周边线路的设计因此更简洁。
其中,第二充电薄膜晶体管41、第二分电薄膜晶体管42、第一充电薄膜晶体管61和第一分电薄膜晶体管62也可以由其他的开关元件代替。
如图5所示,为本发明根据第一实施例提出的一种液晶面板,该液晶面板的阵列基板上阵列多个上述第一实施例的像素结构51,阵列基板上各像素结构51的资料线1均与外部的数据驱动器连接;阵列基板上各像素结构51的充电栅线21依次并联、分电栅线22依次并联,并均与外部的扫描驱动器连接,同时在阵整列基板周边设置4个相应的PAD,分别对应充电栅线21、分电栅线22、存储线5和上板像素电极8。其中,各充电栅线21依次并联连接后对应连接到一个PAD;各分电栅线22依次并联连接后对应连接到一个PAD;各存储线5的依次并联连接后对应连接到一个PAD;各上板像素电极8的依次并联连接后对应连接到一个PAD。
本实施例中,像素结构51的构成及工作原理请参照前述图3和图4所示实施例,在此不作赘述。本实施例中,由于只有当充电栅线21和分电栅线22同时打开时,存储线5的信号才会通过TFT通道进入下板像素电极3,因此在面板使用或测试时,驱动电路只要使充电栅线21和分电栅线22分别开启,就不会影响液晶面板的正常画面显示。
在现有技术中,通过资料线1向像素输入信号,因此资料线1需要RGB三个PAD(如图2所示),本发明实施例所示方案,由于不通过资料线1输入信号,而是通过在存储线5与下板像素电极3之间设置TFT通道,将存储线5的信号引入下板像素电极3,因此只需要四个PAD,在现有技术基础上减少了三个PAD,周边线路的设计因此更简洁。
如图6和图7所示,为本发明第二实施例提出的一种液晶面板的像素结构,其中,图6是该实施例中液晶面板的像素结构的结构示意图,图7是相应的等效电路示意图。该液晶面板的像素结构包括栅线、资料线201、下板像素电极203、第一开关单元206、第二开关单元204、存储线205以及上板像素电极208,其中:
栅线,用于提供开关薄膜晶体管的扫描信号,包括第一栅线223和第二栅线224。
资料线201,与第二栅线224交叉,第二栅线224、第一栅线223和两相邻的资料线201所包围的区域形成一像素区域。
下板像素电极203,位于像素区域内,图6中未标识,其覆盖于图6中像素区域表面,与第二开关单元204电性连接,可接受第二开关单元204中传入的信号,等效结构如图7所示。
下板像素电极203为阵列基板(TFT)上的像素电极,上板像素电极208为彩膜基板(CF)上的像素电极,液晶在两板的像素电极之间。
第二开关单元204,用于根据扫描信号,将资料线201上的信号导入下板像素电极203。
第二开关单元204为一薄膜晶体管,其栅极连接第二栅线224,源极和漏极分别连接资料线201和下板像素电极203,第二开关单元204接收第二栅线224接入的扫描信号,通过扫描信号的控制将资料线201上的电信号导入至下板像素电极203,完成驱动显示。
存储线205,设置于像素结构底层,与下板像素电极203形成存储电容207。
第一开关单元206,用于根据扫描信号,将存储线205上的信号导入下板像素电极203。
第一开关单元206为一薄膜晶体管,栅极连接第一栅线223,源极和漏极分别连接存储线205和下板像素电极203,第一开关单元206接收第一栅线223接入的扫描信号,通过扫描信号的控制将存储线205上的电信号导入至下板像素电极203,使液晶达到操作状态,完成UV制程。
在本实施例中像素结构与其相邻行的像素结构可共用一条第一栅线223,两个像素结构翻转相对设置,第一栅线223位于相邻行像素结构交界处,使得第一栅线223同时控制相邻行像素结构的两个第一开关单元206,从而简化设计。
当第一栅线223打开时,存储线205上的信号便通过第一开关单元206导入下板像素电极203,上下板间的液晶分子即会感受到压差。然后再利用UV制程在此操作状态固定液晶的预倾角。
由于本方案可以不利用资料线201,而是通过设置专门的第一栅线223来使存储线205上的信号便通过第一开关单元206导入下板像素电极203,因此即使资料线201断线也不影响UV制程的固化效果。
在面板使用或测试时,驱动电路使用第二栅线224来控制第二开关单元204的开启,因此不会影响液晶面板的正常画面显示。
在现有技术中,通过资料线201向像素输入信号,因此资料线201需要RGB三个PAD(如图2所示),本发明实施例所示方案,由于不通过资料线201输入信号,而是通过在存储线205与下板像素电极203之间设置TFT通道,将存储线205的信号引入下板像素电极203,因此只需要三个PAD,在现有技术基础上减少了四个PAD,周边线路的设计因此更简洁。
其中,第一开关单元206和第二开关单元204也可以由其他的开关元件代替。
如图8所示,为本发明根据第二实施例提出的一种液晶面板,该液晶面板的阵列基板上阵列多个上述第二实施例的像素结构251,阵列基板上每行像素结构251的资料线201均与外部的数据驱动器连接;阵列基板上每列像素结构251的第一栅线223依次并联、第二栅线224依次并联,并均连接到外部的扫描驱动器,同时在整列基板周边设置三个相应的PAD,分别对应第一栅线223、存储线205和上板像素电极208。其中,各第一栅线223依次并联连接后对应连接到一个PAD;各第二栅线224依次并联连接;各存储线205依次并联连接后对应连接到一个PAD;各上板像素电极208依次并联连接后对应连接到一个PAD。
该像素结构的构成及工作原理请参照前述图6和图7所示实施例,在此不作赘述。本发明实施例中,由于只有当第一栅线223打开时,存储线205的信号才会通过TFT通道进入下板像素电极203,而在面板使用或测试时,驱动电路使用第二栅线224来输入扫描信号,因此不会影响液晶面板的正常画面显示。
在本实施例中像素结构与其相邻行的像素结构可用一条第一栅线223,两个像素结构翻转相对设置,第一栅线223位于相邻行像素结构交界处,使得第一栅线223同时控制相邻行像素结构的两个第一开关单元,从而简化设计。
在现有技术中,通过资料线201向像素输入信号,因此资料线201需要RGB三个PAD,本发明实施例所示方案,由于不通过资料线201输入信号,而是通过在存储线205与下板像素电极203之间设置TFT通道,将存储线205的信号引入下板像素电极203,因此在现有技术基础上减少了四个PAD,周边线路的设计因此更简洁。
以上所述仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或流程变换,或直接或间接运用在其它相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (6)

1.一种液晶面板的像素结构,其特征在于,包括:充电栅线、分电栅线、存储线、下板像素电极以及第一开关单元;
所述充电栅线和分电栅线,用于为所述第一开关单元接入扫描信号;
所述第一开关单元包括第一充电薄膜晶体管和第一分电薄膜晶体管,所述第一充电薄膜晶体管的栅极连接所述充电栅线,源极和漏极分别连接所述存储线和第一分电薄膜晶体管,第一分电薄膜晶体管的栅极连接所述分电栅线,源极和漏极分别连接所述第一充电薄膜晶体管和下板像素电极,所述第一开关单元用于接收所述充电栅线和分电栅线接入的扫描信号,并根据所述扫描信号将存储线上的电信号导入至下板像素电极;
所述像素结构还包括资料线以及第二开关单元;所述第二开关单元分别与所述充电栅线、分电栅线、资料线以及下板像素电极连接,所述第二开关单元用于接收所述充电栅线和分电栅线接入的扫描信号,并根据所述扫描信号将资料线上的电信号导入至下板像素电极。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述下板像素电极位于所述资料线与栅线限定的像素区域内;所述栅线包括所述充电栅线和分电栅线,且所述充电栅线和分电栅线位于所述像素区域中部。
3.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述第二开关单元包括第二充电薄膜晶体管和第二分电薄膜晶体管,所述第二充电薄膜晶体管的栅极连接所述充电栅线,源极和漏极分别连接所述资料线和下板像素电极,第二分电薄膜晶体管的栅极连接所述分电栅线,源极和漏极分别连接所述存储线和下板像素电极。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的像素结构,其特征在于,还包括存储电容,所述存储电容连接在所述存储线与下板像素电极之间;所述下板像素电极的相对一侧设置有上板像素电极,所述下板像素电极与上板像素电极之间夹设有液晶。
5.一种液晶面板,包括阵列基板,所述阵列基板上阵列多个像素结构,其特征在于,所述像素结构包括:充电栅线、分电栅线、存储线、资料线、下板像素电极、第一开关单元以及第二开关单元;
所述充电栅线和分电栅线,用于为所述第一开关单元接入扫描信号;
所述第一开关单元包括第一充电薄膜晶体管和第一分电薄膜晶体管,所述第一充电薄膜晶体管的栅极连接所述充电栅线,源极和漏极分别连接所述存储线和第一分电薄膜晶体管,第一分电薄膜晶体管的栅极连接所述分电栅线,源极和漏极分别连接所述第一充电薄膜晶体管和下板像素电极,所述第一开关单元用于接收所述充电栅线和分电栅线接入的扫描信号,并根据所述扫描信号将存储线上的电信号导入至下板像素电极;
所述下板像素电极位于所述资料线与栅线限定的像素区域内;所述栅线包括所述充电栅线和分电栅线,且所述充电栅线和分电栅线位于所述像素区域中部;所述第二开关单元分别与所述充电栅线、分电栅线、资料线以及下板像素电极连接,所述第二开关单元用于接收所述充电栅线和分电栅线接入的扫描信号,并根据所述扫描信号将资料线上的电信号导入至下板像素电极。
6.根据权利要求5中所述的液晶面板,其特征在于,
所述第二开关单元包括第二充电薄膜晶体管和第二分电薄膜晶体管,所述第二充电薄膜晶体管的栅极连接所述充电栅线,源极和漏极分别连接所述资料线和下板像素电极,第二分电薄膜晶体管的栅极连接所述分电栅线,源极和漏极分别连接所述存储线和下板像素电极。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105204255B (zh) * 2015-10-22 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其驱动方法、制作方法和显示装置
CN113077717B (zh) * 2021-03-23 2022-07-12 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1695078A (zh) * 2002-09-27 2005-11-09 三星电子株式会社 用于多域液晶显示器的薄膜晶体管面板
CN101149550A (zh) * 2006-09-18 2008-03-26 三星电子株式会社 阵列基底和具有该阵列基底的显示装置
CN101819365A (zh) * 2009-11-13 2010-09-01 友达光电股份有限公司 液晶显示面板及其像素列的驱动方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3406772B2 (ja) * 1996-03-28 2003-05-12 株式会社東芝 アクティブマトリクス型液晶表示装置
TW594338B (en) * 2003-02-14 2004-06-21 Quanta Display Inc A two TFT pixel structure liquid crystal display
JP4497328B2 (ja) * 2006-10-25 2010-07-07 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4899856B2 (ja) * 2006-12-27 2012-03-21 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及び電子機器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1695078A (zh) * 2002-09-27 2005-11-09 三星电子株式会社 用于多域液晶显示器的薄膜晶体管面板
CN101149550A (zh) * 2006-09-18 2008-03-26 三星电子株式会社 阵列基底和具有该阵列基底的显示装置
CN101819365A (zh) * 2009-11-13 2010-09-01 友达光电股份有限公司 液晶显示面板及其像素列的驱动方法

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