CN102313168A - 发光装置及照明装置 - Google Patents

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CN102313168A CN2011101478661A CN201110147866A CN102313168A CN 102313168 A CN102313168 A CN 102313168A CN 2011101478661 A CN2011101478661 A CN 2011101478661A CN 201110147866 A CN201110147866 A CN 201110147866A CN 102313168 A CN102313168 A CN 102313168A
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Abstract

本发明提供一种能够提高光取出效率的发光装置及照明装置。该发光装置具备：将直线偏振光的激光射出的激光发生器、被照射来自激光发生器的激光的荧光体、配置在从激光发生器射出的激光的通过区域的反射型偏光滤光器，并且，反射型偏光滤光器按照将激光的直线偏振光透过、且将具有与激光的直线偏振光的偏振面正交的偏振面的直线偏振光反射的方式形成。

Description

发光装置及照明装置
技术领域
该发明涉及发光装置及照明装置，特别涉及具备激光发生器和荧光体的发光装置及照明装置。
背景技术
目前，公知有具备激光发生器和荧光体的发光装置。例如(日本)特开2003-295319号公报中公开了这种发光装置。
图18是表示在上述(日本)特开2003-295319号公报中公开的光源装置(发光装置)的结构的剖面图。在上述特(日本)开2003-295319号公报中，如图18所示，公开了一种光源装置，其具备：紫外线LD元件(激光发生器)1001；设置在紫外线LD元件1001前方的准直透镜1002；设置在准直透镜1002前方的光阑1003；设置在光阑1003前方的聚光透镜1004；设置在聚光透镜1004前方的荧光体1005；设置在荧光体1005前方的紫外线反射镜1006；以在抛物反射面的内侧配置聚光透镜1004、荧光体1005及紫外线反射镜1006的方式所设置的可见光反射镜1007。
在该光源装置中，从紫外线LD元件1001射出的相干光即激光1010，通过准直透镜1002而成为平行光线束。另外，通过准直透镜1002后的激光1010，通过光阑1003、可见光反射镜1007的孔(贯通孔)1007a及聚光透镜1004，而被聚光于荧光体1005。
当激光1010入射到荧光体1005时，在荧光体1005内产生激励，激光1010在荧光体1005内被吸收而使强度减弱，从荧光体1005将不相干光即自然放射光1011a全方向放射。在此，没被荧光体1005吸收的光从荧光体1005漏出，但该光被紫外线反射镜1006反射，再次入射到荧光体1005并受到吸收作用，而将自然放射光1011a全方向放射。
而且，从荧光体1005自然放射的不相干光即自然放射光1011a，被可见光反射镜1007反射，成为沿规定方向行进的平行光线束1011b。
另外，“相干光”是指在时间、空间上相位一致的相干性(干涉性)较高的光。
但是，在上述(日本)特开2003-295319号公报的光源装置(发光装置)中，由于自然放射光1011a从荧光体1005全方向地放射，因此，自然放射光1011a的一部分往往会通过可见光反射镜1007的孔(贯通孔)1007a，回到(逃到)紫外线LD元件1001侧。因此，难以提高光取出效率(利用效率)的问题点存在。
发明内容
本发明是为了解决上述课题而设立的，该发明的目的是提供一种能够提高光取出效率的发光装置及照明装置。
为了实现上述目的，该发明的第一方面的发光装置具备：激光发生器，射出直线偏振光的激光；荧光体，被照射来自激光发生器的激光；反射型偏光滤光器，在从激光发生器射出的激光的通过区域配置，并且，反射型偏光滤光器按照将激光的直线偏振光透过、且将具有与激光的直线偏振光的偏振面正交的偏振面的直线偏振光反射的方式形成。
在该第一方面的发光装置中，如上所述，在从激光发生器射出的激光的通过区域配置反射型偏光滤光器，且使反射型偏光滤光器按照将激光的直线偏振光透过、且将具有与激光的直线偏振光的偏振面正交的偏振面的直线偏振光反射的方式形成。由此，从荧光体射出并朝向激光发生器侧(反射型偏光滤光器)行进的光中的、具有与激光的直线偏振光的偏振面交叉的偏振面的直线偏振光，就能够得以反射。即，从激光发生器射出的激光为例如TE(Transverse Electric)波时，反射型偏光滤光器由于透过TE波而反射TM(Transverse Magnetic)波，因此能够使从荧光体射出并朝向激光发生器侧(反射型偏光滤光器)行进的光中的TM波成分得以反射。由此，从荧光体射出并朝向激光发生器侧(反射型偏光滤光器)行进的光返回(逃到)激光发生器侧就能够得以抑制，并且其光的一部分(TM波成分)能够由反射型偏光滤光器反射且加以利用。其结果是，能够提高光取出效率(利用效率)。
在所述第一方面的发光装置中，可以还具备将自荧光体的光在规定方向反射的反射镜。
在具备所述反射镜的发光装置中，优选的是，反射镜包括让从激光发生器射出的激光通过的贯通孔，反射型偏光滤光器以堵塞贯通孔的方式配置。若这样构成，则能够容易地抑制从荧光体射出的光通过反射镜的贯通孔返回激光发生器侧。由此，能够容易地提高光取出效率。
在具备所述反射镜的发光装置中，优选的是，反射型偏光滤光器的荧光体侧的面按照不从反射镜的反射面向荧光体侧突出的方式配置。若这样构成，则能够防止从荧光体射出的光从外周面(侧面)向反射型偏光滤光器入射，即，能够使向反射型偏光滤光器入射的所有光从反射型偏光滤光器的荧光体侧的面入射。由此，从荧光体射出的光中的、具有与激光的直线偏振光的偏振面交叉的偏振面的直线偏振光透过反射型偏光滤光器，就能够得以抑制。其结果，能够抑制光的取出效率降低。另外，从激光发生器射出的激光在向反射型偏光滤光器入射时从反射型偏光滤光器的外周面(侧面)漏出，就能够得以抑制。由此，能够进一步抑制光的取出效率降低。
在具备所述反射镜的发光装置中，优选的是，反射镜包括让从激光发生器射出的激光通过的贯通孔，反射型偏光滤光器具有比贯通孔更大的面积。若这样构成，则能够容易地抑制从荧光体射出的光通过反射镜的贯通孔返回激光发生器侧。由此，能够容易地提高光取出效率。另外，由于不需要使反射型偏光滤光器与贯通孔的孔径相一致地形成，因此，可容易地制造反射型偏光滤光器。
在所述反射镜含有贯通孔的发光装置中，优选的是，反射型偏光滤光器按照从荧光体的相反侧堵塞贯通孔的方式配置。若这样构成，则与从荧光体侧堵塞贯通孔的方式配置反射型偏光滤光器的情况不同，由于反射镜的反射面的一部分被反射型偏光滤光器覆盖，所以能够抑制光的取出效率降低。
在所述反射镜包括贯通孔的发光装置中，优选的是，反射型偏光滤光器包括：与贯通孔对向配置的第一区域和包围第一区域的周围的第二区域，第二区域具有光子晶体结构。若这样构成，则从激光发生器射出的激光及从荧光体射出的光在向反射型偏光滤光器入射时从反射型偏光滤光器的第一区域进入第二区域就能够得以抑制。由此，从激光发生器射出的激光及从荧光体射出的光从反射型偏光滤光器的外周面(侧面)漏出就能够得以抑制。其结果，能够抑制光的取出效率降低。
在所述第一方面的发光装置中，优选的是，还具备在从激光发生器射出的激光的通过区域所配置的光学部件，反射型偏光滤光器形成于光学部件的表面上。若这样构成，则由于能够将反射型偏光滤光器和光学部件一体地形成，因此能够使发光装置小型化·轻量化。
在所述反射型偏光滤光器形成于光学部件的表面上的发光装置中，光学部件包括在导光部件及透镜中的至少一种也可。
在所述光学部件包括导光部件及透镜的至少一种的发光装置中，光学部件包括具有激光入射面及第一激光射出面的导光部件，反射型偏光滤光器在导光部件的激光入射面及第一激光射出面的至少一个面上形成也可。
在所述光学部件包括导光部件及透镜的至少一种的发光装置中，光学部件包括导光部件和在导光部件及荧光体之间所配置的透镜，反射型偏光滤光器在透镜的表面上形成也可。
在所述第一方面的发光装置中，优选的是，还具备在从激光发生器射出的激光的通过区域所配置的导光部件，导光部件包括激光入射面和具有比激光入射面小的面积的第二激光射出面。若这样构成，则能够将通过导光部件内部的激光聚光。由此，例如，能够使从多个激光发生器射出的激光通过导光部件聚光而照射到一个荧光体上。其结果，即使使用多个激光发生器的情况下，由于能够抑制荧光体的数量增多，因此能够使发光装置小型化·轻量化。
在所述第一方面的发光装置中，优选的是，反射型偏光滤光器在激光发生器的第三激光射出面上形成。若这样构成，则由于反射型偏光滤光器和激光发生器能够一体地形成，因此能够使发光装置小型化·轻量化。另外，在组装发光装置时，无需按照反射型偏光滤光器让从激光发生器射出的激光的直线偏振光透过的方式，进行激光发生器和反射型偏光滤光器之间的角度调节。由此，能够简化发光装置的组装工序。
在所述第一方面的发光装置中，优选的是，荧光体设置在反射型偏光滤光器的第四激光射出面上。若这样构成，则由于反射型偏光滤光器和荧光体能够一体地形成，因此能够使发光装置小型化·轻量化。
在所述第一方面的发光装置中，优选的是还具备：将自荧光体的光在规定方向反射的反射镜；在从激光发生器射出的激光的通过区域所配置的导光部件，反射镜包括让从激光发生器射出的激光通过的贯通孔，导光部件被嵌入反射镜的贯通孔。若这样构成，则由于能够抑制贯通孔增大，因此，能够进一步抑制来自荧光体的光从贯通孔返回激光发生器侧。
在所述第一方面的发光装置中，优选的是，激光发生器包括半导体激光元件。这样，若使用半导体激光元件作为激光光源(激光发生器)，则由于能够使激光光源(激光发生器)小型化·轻量化，所以能够使发光装置小型化·轻量化。
在所述第一方面的发光装置中，优选的是，反射型偏光滤光器包括多层膜偏振器。若这样构成，则反射型偏光滤光器例如即使在曲面上、或细小的(面积较小)部分也能够容易地形成。
在所述第一方面的发光装置中，优选的是，反射型偏光滤光器包括线栅。若这样构成，则能够容易地形成反射型偏光滤光器。
该发明的第二方面的照明装置具备上述构成的发光装置。若这样构成，则能够获得可提高光取出效率的发光装置。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的发光装置的结构的剖面图；
图2是用于说明图1所示的本发明的第一实施方式的发光装置的反射型偏光滤光器的结构的放大图；
图3是表示本发明的第二实施方式的发光装置的结构的剖面图；
图4是用于说明图3所示的本发明的第二实施方式的发光装置的反射型偏光滤光器的结构的放大图；
图5是表示本发明的第三实施方式的发光装置的结构的剖面图；
图6是表示本发明的第四实施方式的发光装置的结构的剖面图；
图7是表示图6所示的本发明的第四实施方式的发光装置的透光部件的结构的正面图；
图8是表示图6所示的本发明的第四实施方式的发光装置的透光部件的结构的放大正面图；
图9是表示本发明的第五实施方式的发光装置的结构的剖面图；
图10是表示本发明的第六实施方式的发光装置的结构的剖面图；
图11是表示本发明的第七实施方式的发光装置的结构的剖面图；
图12是表示本发明的第八实施方式的发光装置的结构的剖面图；
图13是表示本发明的第九实施方式的发光装置的结构的剖面图；
图14是用于说明图13所示的本发明的第九实施方式的发光装置的导光部件的结构的平面图。
图15是表示本发明的第一变形例的发光装置的结构的剖面图；
图16是表示本发明的第二变形例的发光装置的结构的剖面图；
图17是表示本发明的第三变形例的发光装置的结构的剖面图；
图18是表示上述(日本)特开2003-295319号公报中所公开的光源装置(发光装置)的结构的剖面图。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外，为了更容易理解，有时剖面图也不施加阴影。
(第一实施方式)
参照图1及图2，对本发明的第一实施方式的发光装置1的结构进行说明。
本发明的第一实施方式的发光装置1能够作为车辆用前照灯等照明装置使用，因此，如图1所示，其具备：半导体激光元件2、配置在半导体激光元件2前方的准直透镜3、配置在准直透镜3前方的透光部件4、配置在透光部件4前方的透镜5、配置在透镜5前方的荧光体6、反射镜7。这些半导体激光元件2、准直透镜3、透光部件4、透镜5及荧光体6被配置在一条直线上。另外，半导体激光元件2为本发明的“激光发生器”的一个例子。
半导体激光元件2例如射出青紫色的激光(振荡)，作为激光光源发挥功能。另外，半导体激光元件2射出直线偏振光的激光。另外，从半导体激光元件2射出的激光为相干光。
准直透镜3例如由平凸透镜形成，具有使来自半导体激光元件2的激光成为平行光而透过到前方的功能。另外，透过准直透镜3的激光的射束点直径例如约为5mm。
透光部件4由例如具有约5mm厚度的SiO2(玻璃)基板形成。另外，随着透光部件4的厚度变薄，激光的传输损失(透过透光部件4时的激光损失)减少。因此，在能够确保后述的反射型偏光滤光器8的机械强度的情况下，不设置透光部件4也可。另外，在能够确保反射型偏光滤光器8的机械强度的情况下不设置透光部件4也可的情形，后述的第二～第五实施方式及本发明的第一变形例也一样。
另外，透光部件4包括：在半导体激光元件2侧形成的激光入射面4a、在半导体激光元件2的相反侧形成的激光射出面4b。
在此，在第一实施方式中，在透光部件4的激光入射面4a及激光射出面4b上设置有反射型偏光滤光器8。
另外，透光部件4及反射型偏光滤光器8按照具有和反射镜7的后述的贯通孔7a的孔径相同或者稍小的直径的方式形成。而且，透光部件4及反射型偏光滤光器8被嵌入反射镜7的后述的贯通孔7a，堵塞贯通孔7a。另外，在透光部件4及反射型偏光滤光器8的外周面(侧面)和反射镜7的后述的贯通孔7a的内周面之间，配置未图示的粘接材料等，而使透光部件4及反射型偏光滤光器8固定在反射镜7的后述的贯通孔7a上也可。
另外，在第一实施方式中，反射型偏光滤光器8以不从反射镜7的后述的贯通孔7a突出的方式配置。具体而言，激光入射面4a上的反射型偏光滤光器8的后面(半导体激光元件2侧的最外面)，以不比反射镜7的外面7b更向外侧(半导体激光元件2侧)露出的方式配置。另外，激光射出面4b上的反射型偏光滤光器8的前面(半导体激光元件2的相反侧的最外面)，以不比反射镜7的后述的内面7c更向内侧(半导体激光元件2的相反侧(荧光体6侧))露出的方式配置。另外，在第一实施方式中，激光射出面4b上的反射型偏光滤光器8的前面，以与反射镜7的后述的内面7c一致(不产生台阶)的方式配置。另外，反射型偏光滤光器8的前面为本发明的“反射型偏光滤光器的荧光体侧的面”的一个例子。
另外，在第一实施方式中，反射型偏光滤光器8按照将来自半导体激光元件2的激光(直线偏振光)透过、且将具有与激光的偏振面正交的偏振面的直线偏振光反射的方式形成。即，当从半导体激光元件2射出的激光例如为TE波时，如后述的那样，反射型偏光滤光器8按照将自荧光体6的光的TM波成分反射的方式形成。另外，在本说明书中，为了方便，将具有互相正交的偏振面的直线偏振光称为TE波、TM波进行说明。0042
具体而言，在第一实施方式中，如图2所示，就反射型偏光滤光器8而言，由使用具有双折射率的电介质材料的多层膜偏振器形成，且从透光部件4侧顺次将CaCO3层8a和SiO2层8b交替地层叠50层而形成。
另外，就反射型偏光滤光器8而言，通过使用真空蒸镀法或溅射法这样的普遍公知的薄膜形成方法，在透光部件4的表面(激光入射面8a及激光射出面8b)上形成。
在此，CaCO3(CaCO3层8a)根据直线偏振光的偏振面的不同而具有不同的折射率，并且对于TE波具有约1.48的折射率，对于TM波具有约1.66的折射率。SiO2(SiO2层8b)具有约1.45的折射率。
另外，就CaCO3层8a及SiO2层8b而言，在要反射的光(来自荧光体6的可见光)的中心波长设为λ(例如510nm)、层(CaCO3层8a及SiO2层8b)的折射率设为n的情况下，被形成为λ/(4n)的厚度。
即，因为CaCO3对于TM波的折射率约为1.66，所以CaCO3层8a的厚度为λ/(4n)＝510/(4×约1.66)＝约76.8nm。另一方面，由于SiO2的折射率约为1.45，因此SiO2层8b的厚度为λ/(4n)＝510/(4×约1.45)＝约87.9nm。
另外，如图1所示，激光入射面4a上的反射型偏光滤光器8和激光射出面4b上的反射型偏光滤光器8被形成为以透光部件4为中心的对称结构。
而且，按照反射型偏光滤光器8将自半导体激光元件2的激光(TE波)透过、将具有与激光的偏振面正交的偏振面的TM波反射的方式，对半导体激光元件2和反射型偏光滤光器8进行角度调节。换言之，半导体激光元件2及反射型偏光滤光器8，按照来自半导体激光元件2的激光的直线偏振光的偏振面与反射型偏光滤光器8透过的直线偏振光的偏振面一致的方式配置。
另外，在第一实施方式中，虽然反射型偏光滤光器8设置在透光部件4的激光入射面4a和激光射出面4b两个面上，但也可以将反射型偏光滤光器8仅在透光部件4的激光入射面4a及激光射出面4b的任何一个面上设置。但是，由于反射型偏光滤光器8对于TM波的反射率为例如90％程度，所以优选反射型偏光滤光器8设置在激光入射面4a和激光射出面4b的两个面上。
透镜5例如由双凸透镜形成，具有将自半导体激光元件2的激光在荧光体6聚光的功能。另外，透镜5可以利用未图示的保持部件固定在反射镜7上。
荧光体6具有将自半导体激光元件2的激光变换成例如由蓝色光、绿色光及红色光等组成的可见光并射出的功能。从该荧光体6射出的可见光不仅含有TE波成分还含有TM波成分，并且向全方向射出。另外，从荧光体6射出的蓝色光、绿色光及红色光，当被混色时则变成白色光，而使白色的可见光会向外部射出。另外，荧光体6可以通过未图示的保持部件固定。另外，从荧光体6射出的可见光为不相干光。
反射镜7例如为金属制。另外，反射镜7具有比将透光部件4和反射型偏光滤光器8合起来的厚度更大或者相同的厚度。
另外，在反射镜7的中央部，形成有用于使来自半导体激光元件2的激光通过的贯通孔7a。即，贯通孔7a、透光部件4及反射型偏光滤光器8被配置在从半导体激光元件2射出的激光的通过区域。
另外，反射镜7的内面7c由具有向前方反射来自荧光体6的光的功能的反射面所形成。该内面7c例如形成为抛物面。另外，内面7c可以为椭圆面的一部分，也可以为在上下方向或左右方向上不对称的面。另外，内面7c为本发明的“反射面”的一个例子。
在该发光装置1中，从半导体激光元件2射出的激光通过透过准直透镜3而变成平行光。而且，透过准直透镜3的激光，会透过透光部件4及反射型偏光滤光器8且由透镜5聚光并被照射到荧光体6。
而且，激光通过荧光体6被变换为不相干的可见光、且向全方向射出。从荧光体6射出的可见光的大部分，直接向前方射出、或者由反射镜7反射后向前方射出。另一方面，从荧光体6射出的可见光的一部分朝向反射镜7的贯通孔7a行进。
而且，在第一实施方式中，朝向反射镜7的贯通孔7a行进的可见光的TM波成分，由反射型偏光滤光器8反射后向前方射出。
在第一实施方式中，如上所述，在从半导体激光元件2射出的激光的通过区域所配置的反射型偏光滤光器8，按照将激光的直线偏振光透过、且将具有与激光的直线偏振光的偏振面正交的偏振面的直线偏振光反射的方式形成。由此，能够使从荧光体6射出且朝向半导体激光元件2侧(反射镜7的贯通孔7a)行进的光(可见光)中的、具有与激光的直线偏振光的偏振面交叉的偏振面的直线偏振光得以反射。即，从半导体激光元件2射出的激光例如为TE波时，由于反射型偏光滤光器8会透过TE波而反射TM波，因此，能够使从荧光体6射出且朝向半导体激光元件2侧(反射镜7的贯通孔7a)行进的光中的TM波成分得以反射。由此，能够使从荧光体6射出且朝向半导体激光元件2侧(反射镜7的贯通孔7a)行进的光通过贯通孔7a返回(逃到)半导体激光元件2侧得以抑制，并且，其光的一部分(TM波成分)能够由反射型偏光滤光器8反射并加以利用。其结果，能够提高光取出效率(利用效率)。
另外，在第一实施方式中，如上所述，将反射型偏光滤光器8按照堵塞贯通孔7a的方式配置，由此能够使从荧光体6射出的光(可见光)通过反射镜7的贯通孔7a返回半导体激光元件2侧被容易地抑制。由此，能够容易地提高光取出效率。
另外，在第一实施方式中，如上所述，使激光射出面4b上的反射型偏光滤光器8的前面(半导体激光元件2的相反侧的最外面)，以不从反射镜7的内面7c向荧光体6侧突出的方式配置。由此，能够防止从荧光体6射出的光从外周面(侧面)向透光部件4及反射型偏光滤光器8入射。即，能够使向反射型偏光滤光器8入射的所有光从反射型偏光滤光器8的荧光体6侧的面入射。由此，能够使从荧光体6射出的光中的、具有与激光的直线偏振光的偏振面交叉的偏振面的直线偏振光透过反射型偏光滤光器8得以抑制。其结果，能够抑制光的取出效率的降低。另外，能够使在从半导体激光元件2射出的激光向透光部件4或反射型偏光滤光器8入射时从透光部件4或反射型偏光滤光器8的外周面(侧面)漏出得以抑制。由此，能够进一步抑制光的取出效率降低。
同样地，将激光入射面4a上的反射型偏光滤光器8的后面(半导体激光元件2侧的最外面)按照不从反射镜7的外面7b向外侧(半导体激光元件2侧)突出方式配置，能够抑制光的取出效率的降低。
另外，在第一实施方式中，如上所述，使用半导体激光元件2作为激光光源(激光发生器)，就能够使激光光源小型化·轻量化，从而能够使发光装置1小型化·轻量化。
另外，在第一实施方式中，如上所述，反射型偏光滤光器8由多层膜偏振器形成，由此能够容易地形成反射型偏光滤光器8。
(第二实施方式)
在该第二实施方式中，参照图3及图4，对与所述第一实施方式不同的、反射型偏光滤光器18由线栅形成的情况进行说明。
在本发明的第二实施方式的发光装置11中，如图3所示，在透光部件4的激光入射面4a及激光射出面4b上，设置有反射型偏光滤光器18。
在第二实施方式中，透光部件4只要具有透光性，可以由SiO2基板以外的例如SiC基板或者其它材料形成。
反射型偏光滤光器18与所述第一实施方式的反射型偏光滤光器8一样，也可以仅设置在透光部件4的激光入射面4a及激光射出面4b的任何一个面上。
另外，反射型偏光滤光器18与所述第一实施方式的反射型偏光滤光器8一样，按照将自半导体激光元件2的激光(直线偏振光)透过、且将具有与激光的偏振面正交的偏振面的直线偏振光反射的方式形成。即，当从半导体激光元件2射出的激光例如为TE波时，反射型偏光滤光器18按照将来自荧光体6的光的TM波成分反射的方式形成。
在此，在第二实施方式中，反射型偏光滤光器18由线栅形成。具体而言，如图4所示，反射型偏光滤光器18例如由Al(铝)组成的多根金属细线18a形成。该多根金属细线18a例如以沿水平方向(相对于图4的纸面来说，为垂直方向)延伸的方式形成。另外，多根金属细线18a例如具有约100nm的线宽，并且以比可见光的波长(例如约510nm)小的节距(例如200nm)配置。另外，多根金属细线18a例如形成为具有约100nm的厚度。
另外，多根金属细线18a(线栅)具有将在与金属细线18a的延伸方向(水平方向)正交的方向振动的直线偏振光(例如TE波)透过、且使在金属配线18a的延伸方向振动的直线偏振光(例如TM波)反射的功能。
更详细地说明时，由于金属细线18a的线宽较小，在与金属细线18a的延伸方向正交的方向振动的光(例如TE波)，不会被金属细线18a的自由电子吸收。因此，在与金属细线18a的延伸方向正交的方向振动的光会透过反射型偏光滤光器8。另一方面，在金属细线18a的延伸方向振动的光(例如TM波)会被金属细线18a的自由电子吸收，自由电子再次产生电磁波。因此，在金属细线18a的延伸方向振动的光被金属细线18a反射。
另外，在第二实施方式中，就金属细线18a(反射型偏光滤光器18)而言，使用真空蒸镀法或溅射法这样的普遍公知的薄膜形成方法，在透光部件4的表面(激光入射面4a及激光射出面4b)上形成。
具体而言，使用真空蒸镀法或溅射法等，在透光部件4的表面(激光入射面4a及激光射出面4b)上形成具有约100nm的厚度的Al层(未图示)。而且，使用光刻技术等，在Al层中的作为金属细线18a的区域以外的区域上形成光致抗蚀图形层(未图示)。另外，光致抗蚀图形层可通过电子线曝光或者纳米打印、或通过其它方法形成。
之后，使用RIE(Reactive Ion Etching)法等，将Al层的规定区域去除，由此形成金属细线18a。另外，金属细线18a可通过RIBE(Reactive IonBeam Etching)法、或者ICP(Inductively Coupled Plasma)蚀刻法或其它方法形成。
第二实施方式的其它的结构与所述第一实施方式是一样的。
在第二实施方式中，如上所述，反射型偏光滤光器18按照将激光的直线偏振光透过、且将具有与激光的直线偏振光的偏振面正交的偏振面的直线偏振光反射的方式形成。由此，与所述第一实施方式一样，能够提高光取出效率(利用效率)。
另外，在第二实施方式中，如上所述，反射型偏光滤光器18由线栅形成，由此能够容易地形成反射型偏光滤光器18。
另外，第二实施方式的其它效果，与上述第一实施方式是一样的。
(第三实施方式)
在该第三实施方式中，参照图5，对与上述第一及第二实施方式不同的、透光部件24及反射型偏光滤光器28不嵌入反射镜27的贯通孔27a的情况进行说明。
在本发明的第三实施方式的发光装置21中，如图5所示，透光部件24及反射型偏光滤光器28按照具有比反射镜27的贯通孔27a的孔径大的外形的方式形成。即，透光部件24及反射型偏光滤光器28按照具有比反射镜27的贯通孔27a大的面积的方式形成。
而且，反射型偏光滤光器28与反射镜27的外面27b抵接，将贯通孔27a从外侧(荧光体6的相反侧)堵塞。即，将反射型偏光滤光器28的前面(半导体激光元件2的相反侧的最外面)按照不比反射镜27的内面27c更向内侧(半导体激光元件2的相反侧(荧光体6侧))露出的方式配置。另外，反射镜27也可以形成为比上述第一及第二实施方式的反射镜7薄的厚度。另外，内面27c为本发明的“反射面”的一个例子。
另外，透光部件24及反射型偏光滤光器28可以使用粘接材料(未图示)等粘接在反射镜27上，也可以使用保持部件(未图示)固定。
另外，第三实施方式的反射型偏光滤光器28可以如所述第一实施方式那样由多层膜偏振器形成，也可以如所述第二实施方式那样由线栅(金属细线)形成。另外，反射型偏光滤光器可以由多层膜偏振器形成也可以由线栅形成，在第四实施方式以后都一样。
第三实施方式的其它的结构及制造方法和所述第一及第二实施方式是一样的。
在第三实施方式中，如上所述，使反射型偏光滤光器28按照具有比贯通孔27a大的面积的方式形成。由此，能够使从荧光体6射出的光通过反射镜27的贯通孔27a返回半导体激光元件2侧被容易地抑制。由此，能够容易地提高光取出效率。另外，由于无需使透光部件24及反射型偏光滤光器28与贯通孔27a的孔径相一致地形成，因此，能够容易地制造透光部件24及反射型偏光滤光器28。
另外，第三实施方式中，如上所述，使反射型偏光滤光器28按照从荧光体6的相反侧堵塞贯通孔27a的方式配置。由此，与按照从荧光体6侧堵塞贯通孔27a的方式配置反射型偏光滤光器28的情况不同，反射镜27的内面27c的一部分没有被反射型偏光滤光器28覆盖，因此能够抑制光的取出效率降低。
另外，第三实施方式的其它的效果与所述第一及第二实施方式是一样的。
(第四实施方式)
在该第四实施方式中，参照图6～图8，对与所述第三实施方式不同、透光部件34的一部分具有光子晶体结构的情况进行说明。
在本发明的第四实施方式的发光装置31中，如图6所示，透光部件34及反射型偏光滤光器38按照具有比反射镜27的贯通孔27a的孔径大的外形的方式形成。
在此，在第四实施方式中，透光部件34及反射型偏光滤光器38，也可以按照具有比上述第三实施方式的透光部件24及反射型偏光滤光器28大的外形的方式形成。
如图7所示，透光部件34包括与反射镜27的贯通孔27a(图6参照)对向配置的区域(由图7的双点划线围住的圆形区域)34a、包围区域34a的周围的区域34b。另外，区域34a为本发明的“第一区域”的一个例子，区域34b为本发明的“第二区域”的一个例子。
而且，在第四实施方式中，透光部件34的区域34b具有二维光子晶体结构。该二维光子晶体结构以具有对来自荧光体6的可见光的中心波长(例如约510nm)进行遮断的光子带隙的方式形成。
具体而言，如图8所示，在透光部件34的区域34b上形成有多个圆形贯通孔34c。该多个贯通孔34c被设置为三角格子状。另外，多个贯通孔34c具有约100nm的内径、并且以约180nm的节距(周期)P配置。
另外，就二维光子晶体结构(多个贯通孔34c)而言，在透光部件34的表面上形成多层膜偏振器或线栅之前的状态下，使用电子线曝光或光刻技术等而被形成。
具体而言，使用电子线曝光或光刻技术等，在SiO2基板(透光部件34)中的作为贯通孔34c的区域以外的区域上，形成有光致抗蚀图形层(未图示)。
而且，使用RIE法、ICP蚀刻法或RIBE法等，将SiO2基板的规定区域去除，由此形成具有二维光子晶体结构(多个贯通孔34c)的透光部件34。
之后，在透光部件34的表面上，形成由多层膜偏振器或者线栅构成的反射型偏光滤光器38。
另外，第四实施方式的其它的结构及制造方法与所述第一～第三实施方式是一样的。
在第四实施方式中，如上所述，在反射型偏光滤光器38的区域34b形成二维光子晶体结构。由此，从半导体激光元件2射出的激光及从荧光体6射出的光在向反射型偏光滤光器38入射时从反射型偏光滤光器38的区域34a进入区域34b，就能够得到抑制。由此，从半导体激光元件2射出的激光及从荧光体6射出的光从反射型偏光滤光器38的外周面(侧面)漏出，就能够得到抑制。其结果，能够抑制光的取出效率降低。
另外，第四实施方式的其它的效果与所述第一～第三实施方式是一样的。
(第五实施方式)
在该第五实施方式中，参照图9，对与所述第一～第四实施方式不同、使用导光部件43将从半导体激光元件2射出的激光向荧光体6进行导光的情况进行说明。
如图9所示，本发明的第五实施方式的发光装置41具备：半导体激光元件2、配置在半导体激光元件2前方的聚光透镜42、配置在聚光透镜42前方的导光部件43、配置在导光部件43前方的透镜44、配置在透镜44前方的透光部件4及反射型偏光滤光器8、荧光体6、反射镜7。另外，在透光部件4的表面，并非设置由多层膜偏振器构成的反射型偏光滤光器8、而设置由线栅构成的反射型偏光滤光器18也可。
聚光透镜42例如由双凸透镜形成，具有使来自半导体激光元件2的激光聚光并向导光部件43入射的功能。
导光部件43例如由具有约0.1mm～约3.0mm的直径的光纤形成。这样，因为导光部件43由光纤形成，所以能够提高半导体激光元件2的配置位置的自由度。另外，由于将半导体激光元件2安装在已有的散热部件上也可，因此没有必要另外设置用于对半导体激光元件2中产生的热进行散热的散热部件。
另外，导光部件43包括：配置在半导体激光元件2侧(聚光透镜42侧)的激光入射面43a、配置在荧光体6侧(透镜44侧)的激光射出面43b。
该激光入射面43a(导光部件43的半导体激光元件2侧的端部)、聚光透镜42及半导体激光元件2被配置在一条直线上。另外，激光射出面43b(导光部件43的荧光体6侧的端部)、透镜44、透光部件4、反射型偏光滤光器8及荧光体6被配置在一条直线上。
另外，导光部件43具有使入射的激光全反射同时向透镜44导光的功能。
另外，在第五实施方式中，导光部件43由保偏光纤形成，来自半导体激光元件2的激光在偏振面被保持的状态下，被导光到透镜44。
透镜44例如由双凸透镜形成，具有将自导光部件43的激光聚光并向透光部件4及反射型偏光滤光器8入射的功能。另外，也可以透镜44按照不使来自导光部件43的激光进行聚光而例如变成平行光的方式形成。另外，在从导光部件43至荧光体6的距离非常小的情况、或者荧光体6非常大的情况下，由于可以使从导光部件43射出的所有激光向荧光体6照射，因此不设置透镜44也可。
另外，按照反射型偏光滤光器8将通过导光部件43后的激光(直线偏振光)透过、且将具有与激光的偏振面正交的偏振面的直线偏振光反射的方式，对半导体激光元件2(或者导光部件43)和反射型偏光滤光器8进行角度调节。
另外，第五实施方式的其它的结构及制造方法与所述第一～第四实施方式是一样的。
另外，第五实施方式的其它的效果与所述第一～第四实施方式是一样的。
(第六实施方式)
该第六实施方式中，参照图10，对与所述第一～第五实施方式不同、在透镜55的表面形成反射型偏光滤光器58的情况进行说明。
如图10所示，在本发明的第六实施方式的发光装置51中，不设置透光部件，且反射型偏光滤光器58在透镜55的表面(激光入射面及激光射出面)形成。即，在第六实施方式中，反射镜27的贯通孔27a没有被透光部件或反射型偏光滤光器58堵塞。另外，透镜55例如形成与所述第一实施方式的透镜5相同的结构。另外，透镜55为本发明的“光学部件”的一个例子。
另外，第六实施方式的其它的结构及制造方法与所述第一～第五实施方式是一样的。
在第六实施方式中，如上所述，反射型偏光滤光器58在透镜55的表面上形成。由此，能够将反射型偏光滤光器58和透镜55一体地形成，因此能够使发光装置51小型化·轻量化。
另外，第六实施方式的其它的效果与所述第一～第五实施方式是一样的。
(第七实施方式)
在该第七实施方式中，参照图11，对与所述第六实施方式不同、使用导光部件43将从半导体激光元件2射出的激光向荧光体6进行导光的情况进行说明。
如图11所示，本发明的第七实施方式的发光装置61具备：半导体激光元件2、聚光透镜42、导光部件43、透镜64、反射型偏光滤光器68、荧光体6、反射镜67。另外，透镜64为本发明的“光学部件”的一个例子。
反射镜67的贯通孔67a具有与导光部件43的直径相同或者稍大的内径。
而且，在第七实施方式中，导光部件43的荧光体6侧的端部被嵌入反射镜67的贯通孔67a。即，导光部件43的激光射出面43b配置在比反射镜67的内面67c更靠内侧(半导体激光元件2的相反侧(荧光体6侧))。
透镜64例如形成为与所述第五实施方式的透镜44相同的结构。
另外，透镜64具有比导光部件43的直径大、且比所述第六实施方式的透镜55小的直径。
另外，在第七实施方式中，与所述第六实施方式一样，不设置透光部件，反射型偏光滤光器68在透镜64的表面(激光入射面及激光射出面)形成。
另外，在第七实施方式中，虽然在导光部件43和荧光体6之间设置有透镜64，但若没有必要使从导光部件43射出的激光聚光，则可取代透镜64设置例如平板状的透光部件也可。
第七实施方式的其它的结构及制造方法与所述第五及第六实施方式是一样的。
在第七实施方式中，如上所述，在反射镜67上形成让从半导体激光元件2射出的激光通过的贯通孔67a，将导光部件43嵌入反射镜67的贯通孔67a。由此，能够抑制贯通孔67a的增大，所以能够使来自荧光体6的光从贯通孔67a返回半导体激光元件2侧得以进一步抑制。
另外，第七实施方式的其它的效果与所述第一～第六实施方式是一样的。
(第八实施方式)
该第八实施方式中，参照图12，对与所述第一～第七实施方式不同、在半导体激光元件2的表面形成有反射型偏光滤光器78的情况进行说明。
如图12所示，本发明的第8实施方式的发光装置71具备：半导体激光元件2、反射型偏光滤光器78、荧光体6、反射镜77。
在此，在第八实施方式中，在半导体激光元件2的激光射出面(前面)2a上形成有由例如线栅构成的反射型偏光滤光器78。另外，反射型偏光滤光器78也可以由多层膜偏振器形成。另外，激光射出面2a为本发明的“第三激光射出面”的一个例子。
另外，半导体激光元件2的激光射出面2a及反射型偏光滤光器78，以具有相同大小的直径(外形)的方式形成。
反射镜77的贯通孔77a具有与半导体激光元件2的激光射出面2a及反射型偏光滤光器78的直径(外形)相同或者仅稍大的内径(内形)。
而且，半导体激光元件2及反射型偏光滤光器78被嵌入固定在反射镜77的贯通孔77a，堵塞贯通孔77a。
第八实施方式的其他的结构及制造方法，与所述第一～第七实施方式是一样的。
在第八实施方式中，如上所述，由于反射型偏光滤光器78在半导体激光元件2的激光射出面2a上形成，因此能够将反射型偏光滤光器78和半导体激光元件2一体地形成，所以能够使发光装置71小型化·轻量化。另外，在组装发光装置71时，不需要按照反射型偏光滤光器78让从半导体激光元件2射出的激光的直线偏振光透过的方式对半导体激光元件2和反射型偏光滤光器78进行角度调节。由此，能够简化发光装置71的组装工序。
另外，第八实施方式的其它的效果与所述第一～第七实施方式是一样的。
(第九实施方式)
该第九实施方式中，参照图13及图14，对与所述第一～第八实施方式不同、使用具有聚光功能的导光部件83的情况进行说明。
如图13所示，在本发明的第九实施方式的发光装置81中，具备多个半导体激光元件2(参照图14)、导光部件83、反射型偏光滤光器88a及88b、荧光体86、反射镜87。另外，导光部件83为本发明的“光学部件”的一个例子。
导光部件83由具有透光性的材料形成且具有聚光功能。
具体而言，如图13及图14所示，导光部件83形成为例如四角锥台形状，包含激光入射面83a和比激光入射面83a面积小的激光射出面83b。另外，激光射出面83b为本发明的“第一激光射出面”及“第二激光射出面”的一个例子。
另外，激光射出面83b按照上下方向的长度及水平方向的长度比反射镜87的贯通孔87a的内径小的方式形成，并且以从半导体激光元件2侧(或者荧光体86侧)来看收敛于反射镜87的贯通孔87a内的尺寸大小形成。
另外，在第九实施方式中，如图14所示，按照与导光部件83的激光入射面83a对向的方式，配置有多个(例如4个)半导体激光元件2。这些多个半导体激光元件2按照共振器(未图示)的延长线大致集中于一点的方式配置。而且，从多个半导体激光元件2射出的光入射到导光部件83后，在导光部件83的表面部分被全反射，且被聚光到激光射出面83b。另外，借助导光部件83的形状能够使从多个半导体激光元件2射出的激光在激光射出面83b聚光，所以也可以不将多个半导体激光元件2以共振器(未图示)延长线大致集中于一点的方式配置。即，也可以例如将多个半导体激光元件2配置为共振器(未图示)互相平行。
另外，在第九实施方式中，在导光部件83的激光入射面83a上形成有反射型偏光滤光器88a，在激光射出面83b上形成有反射型偏光滤光器88b。
荧光体86配置在比反射镜87的内面87c更靠内侧(半导体激光元件2的相反侧)。另外，内面87c为本发明的“反射面”的一个例子。
第九实施方式的其它的结构及制造方法与所述第一～第八实施方式是一样的。
在第九实施方式中，如上所述，通过在导光部件83上设置激光入射面83a和具有比激光入射面83a小的面积的激光射出面83b，能够使通过导光部件83的内部的激光聚光。由此，从多个半导体激光元件2射出的激光能够由导光部件83聚光、且向一个荧光体86照射。其结果，即使在使用多个半导体激光元件2的情况下，也能够抑制荧光体86的数量增多，因此能够使发光装置81更加小型化·轻量化。
另外，在第九实施方式中，如上所述，反射型偏光滤光器88a及88b在导光部件83的激光入射面83a及激光射出面83b上形成。由此，能够将反射型偏光滤光器88a及88b和导光部件83一体地形成，因此，能够使发光装置81更加小型化·轻量化。
另外，第九实施方式的其它的效果和所述第一～第八实施方式是一样的。
另外，应该认为这次公开的实施方式，在所有方面都是例示，并不是限制性的实施方式。本发明的范围不仅是上述的实施方式的说明，而是由权利要求所示的，还包括与权利要求书均等的主旨及范围内的所有的变更。
例如，本发明的发光装置可适用于指示灯(显示灯)、照明等(电灯)、放映机或者激光指示器及其它各种发光装置。另外，本发明的发光装置也可使用于汽车(车辆)等移动体用前照灯、显示装置用的背光部件、室内用照明装置、探照灯或者内窥镜用照明装置及其它各种照明装置。
另外，在上述实施方式中，虽然关于将激光变换为可见光的例子进行了例示，但本发明不限定于此，也可以将激光变换为可见光以外的光。在例如将激光变换为红外光的情况下，也可适用于安全用CCD相机的夜间照明装置或红外线取暖设备的红外线发光装置等。
另外，在上述实施方式中，对使用半导体激光元件作为激光发生器的例子进行了例示，但本发明不限定于此，也可以使用半导体激光元件以外的激光发生器。
另外，在上述实施方式中，关于设置射出青紫色的激光的半导体激光元件和使激光变换成由蓝色光、绿色光、红色光组成的可见光并射出的荧光体，且按照通过使蓝色光、绿色光及红色光混色而射出白色光的方式构成的例子进行了说明，但本发明不限定于此，例如也可以设置射出蓝色光的激光的半导体激光元件和将蓝色光的一部分变换成黄色光并射出的荧光体，也可以设置射出其它颜色的光的半导体激光元件及荧光体。另外，也可以按照射出白色光以外的光的方式，构成半导体激光元件及荧光体。
另外，在上述实施方式中，关于反射型偏光滤光器由多层膜偏振器或线栅形成的例子进行了例示，但本发明不限定于此，也可以反射型偏光滤光器由多层膜偏振器及线栅以外的部件形成。
另外，例如在所述第一实施方式中，关于多层膜偏振器通过使用CaCO3及SiO2来形成的例子进行了说明，但本发明不限定于此，也可以多层膜偏振器通过使用例如氧化铝或聚合物等的除CaCO3及SiO2以外的材料形成。
另外，在例如所述第一实施方式中，关于CaCO3层和SiO2层各按50层层叠来形成多层膜偏振器的例子进行了说明，但本发明不限定于此，CaCO3层及SiO2层的层数可设定为任意的数。
另外，例如在所述第二实施方式中，关于线栅(金属细线)由Al形成的例子进行了说明，但本发明不限定于此，也可以由不锈钢、Au、Ag或者Cu等其它金属材料形成线栅。
另外，例如在所述第三实施方式中，关于透光部件及反射型偏光滤光器按照从外侧堵塞反射镜的贯通孔的方式配置的例子进行了例示，但本发明不限定于此，也可以透光部件及反射型偏光滤光器按照从内侧(荧光体侧)堵塞反射镜的贯通孔的方式配置。
在所述第四实施方式中，关于为了形成光子晶体结构而在SiO2基板(透光部件)上形成贯通孔的例子进行了说明，但本发明不限定于此，若SiO2基板(透光部件)满足所期望的功能，也可以在SiO2基板(透光部件)形成不贯通的孔。
另外，在上述实施方式中，关于自反射型偏光滤光器隔开规定距离配置荧光体的例子进行了说明，但本发明不限定于此，也可以如图15所示的本发明的第一变形例的发光装置91那样，在反射型偏光滤光器98的激光射出面(第四激光射出面)98a上接合(粘接)荧光体96，将反射型偏光滤光器98和荧光体96一体地形成。
另外，在所述第5及第七实施方式中，关于在由光纤构成的导光部件的表面上没有形成反射型偏光滤光器的例子进行了说明，但本发明不限定于此，也可以如图16所示的本发明的第二变形例的发光装置101那样，在由光纤组成的导光部件(光学部件)103的激光射出面(第一激光射出面)103b上一体地形成反射型偏光滤光器108。另外，也可以在导光部件103的激光入射面103a上一体地形成反射型偏光滤光器108。另外，在由光纤构成的导光部件103的表面(激光入射面103a或激光射出面103b)上形成反射型偏光滤光器108时，也可以反射型偏光滤光器108由例如多层膜偏振器形成。
另外，例如在所述第九实施方式中，关于设置多个半导体激光元件和具有聚光功能的导光部件的例子进行了例示，但本发明不限定于此，在仅设置一个半导体激光元件的情况下，也可以使用具有聚光功能的导光部件。在该情况下，通过对激光进行聚光，也能够使荧光体变小，所以能够使发光装置小型化·轻量化。
另外，在上述实施方式中，对在荧光体前方没有设置反射镜的例子进行了说明，但本发明不限定于此，也可以如图17所示的本发明的第三变形例的发光装置111那样，在荧光体86前方设置反射镜112。该情况下，也可以按照使来自荧光体86的光向荧光体86反射的方式构成反射镜112。若这样构成，则从荧光体86射出的光不会直接从发光装置111射出。即，由于从荧光体86射出的光一旦被反射镜87反射就会从发光装置111射出，因此能够控制发光装置111的照射范围。
另外，在荧光体86的厚度较薄的情况下，有时会产生不被荧光体86变换就透过荧光体86的激光，但通过在荧光体86前方设置反射镜112，就能够使透过了荧光体86的激光再次向荧光体86入射而将其变换成可见光。

Claims (19)

1.一种发光装置，其特征在于，具备：
激光发生器，射出直线偏振光的激光；
荧光体，被照射来自所述激光发生器的激光；
反射型偏光滤光器，在从所述激光发生器射出的激光的通过区域配置，
所述反射型偏光滤光器按照将所述激光的直线偏振光透过、且将具有与所述激光的直线偏振光的偏振面正交的偏振面的直线偏振光反射的方式形成。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
还具备：将自所述荧光体的光在规定方向反射的反射镜。
3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，
所述反射镜包括让从所述激光发生器射出的激光通过的贯通孔，
所述反射型偏光滤光器按照堵塞所述贯通孔的方式配置。
4.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，
所述反射型偏光滤光器的所述荧光体侧的面，按照不从所述反射镜的反射面向所述荧光体侧突出的方式配置。
5.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，
所述反射镜包括让从所述激光发生器射出的激光通过的贯通孔，
所述反射型偏光滤光器具有比所述贯通孔大的面积。
6.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，
所述反射型偏光滤光器按照从所述荧光体的相反侧堵塞所述贯通孔的方式配置。
7.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，
所述反射型偏光滤光器包括：与所述贯通孔对向配置的第一区域和包围所述第一区域的周围的第二区域，
所述第二区域具有光子晶体结构。
8.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
还具备：在从所述激光发生器射出的激光的通过区域所配置的光学部件，
所述反射型偏光滤光器在所述光学部件的表面上形成。
9.根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，
所述光学部件包括导光部件及透镜中的至少一种。
10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，
所述光学部件包括具有激光入射面及第一激光射出面的导光部件，
所述反射型偏光滤光器在所述导光部件的所述激光入射面及所述第一激光射出面中的至少一个面上形成。
11.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，
所述光学部件包括：所述导光部件和在所述导光部件及所述荧光体之间所配置的所述透镜，
所述反射型偏光滤光器在所述透镜的表面上形成。
12.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
还具备：在从所述激光发生器射出的激光的通过区域所配置的导光部件，
所述导光部件包括：激光入射面和具有比所述激光入射面小的面积的第二激光射出面。
13.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述反射型偏光滤光器在所述激光发生器的第三激光射出面上形成。
14.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述荧光体在所述反射型偏光滤光器的第四激光射出面上设置。
15.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
还具备：
将自所述荧光体的光在规定方向反射的反射镜；
在从所述激光发生器射出的激光的通过区域所配置的导光部件，
所述反射镜包括让从所述激光发生器射出的激光通过的贯通孔，
所述导光部件嵌入所述反射镜的贯通孔。
16.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述激光发生器包括半导体激光元件。
17.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述反射型偏光滤光器包括多层膜偏振器。
18.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述反射型偏光滤光器包括线栅。
19.一种照明装置，其特征在于，具备权利要求1中记载的发光装置。
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