CN102299149A - 半导体电感器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种半导体电感器件，包括：半导体基底，所述半导体基底包括绝缘介质层；位于绝缘介质层上的金属线圈，所述金属线圈呈螺旋状分布，且所述金属线圈背离半导体基底的表面为凹凸表面。本发明还提供了一种半导体电感器件的制造方法，包括步骤：提供半导体基底，所述半导体基底包括绝缘介质层；在所述绝缘介质层上形成金属层；图案化金属层，形成金属线圈，所述金属线圈呈螺旋状分布，且所述金属线圈背离半导体基底的表面为凹凸表面。该半导体电感器件的品质因子得到提高。

Description

半导体电感器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体电感器件及其制造方法。
背景技术
电感器件的主要作用是对交流信号进行隔离、滤波或与电容器、电阻器等组成谐振电路。由于电感器件发挥着重要的作用，因此在芯片中半导体电感器件应用也比较广泛。电感器件的主要参数有电感量、允许偏差、品质因数、分布电容及额定电流等。品质因数也称Q值，是表示金属线圈质量的一个物理量，是衡量电感器件质量的主要参数。Q值是指电感器件在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q＝XL/R。电感器件的Q值越高，回路的损耗越小，效率越高。线圈的Q值与导线的直流电阻、骨架的介质损耗、屏蔽罩或铁芯引起的损耗、高频趋肤效应的影响等因素有关。
趋肤效应是指交流电通过金属线圈时，各部分的电流密度不均匀，换言之，金属线圈内部电流密度小，金属线圈表面电流密度大，这种现象称为趋肤效应。交流电的频率越高，趋肤效应越显著，频率高到一定程度，可以认为电流完全从金属线圈表面流过。因此在高频交流电路中，必须考虑趋肤效应的影响，例如收音机磁性天线上的线圈用多股互相绝缘的导线绕制，电视室外天线不用金属棒而用直径较粗的金属管制作，都是为了增加导体的表面积，克服趋肤效应带来的不利影响。
在电感器件中趋肤效应使得电感器件的Q值降低，尤其在高频工作情况下，趋肤效应显著，Q值降低显著。基于上述问题，在现有技术中，工作于低频段的开关电源金属线圈，一般采用漆包线等带绝缘的导线绕制。工作频率高于几万赫，而低于2MHz的电路中，采用多股绝缘的导线绕制线圈，例如申请号为“200410067599.7”的中国专利申请中公开了一种多电流路径抑制电流拥挤效应的片上电感设计方法，其中设计多电流路径，就是在同一平面内，将常规设计的单线圈金属劈成多个线条并联；在垂直叠层，不将多层次使用通孔连接，而是在头尾或局部连接。这样使电流在电感的线圈中基本均匀分布，增大了金属线圈的表面积，从而可以克服趋肤效应的影响，使Q值比相同截面积的单根导线绕制的线圈高30％-50％。
但在频率高于2MHz的电路中，不宜选用多股导线绕制，因为多股绝缘线在频率很高时，线圈绝缘介质将引起额外的损耗，其效果反不如单根导线好。
因此怎样克服趋肤效应，提高Q值，是一直以来备受人们关注的问题。
发明内容
本发明的解决的技术问题是半导体电感器件的Q值较低的问题。
为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体电感器件，包括：半导体基底，所述半导体基底包括绝缘介质层；位于绝缘介质层上的金属线圈，所述金属线圈呈螺旋状分布，且所述金属线圈背离半导体基底的表面为凹凸表面。
本发明还提供了一种半导体电感器件的制造方法，包括步骤：提供半导体基底，所述半导体基底包括绝缘介质层；在所述绝缘介质层上形成金属层；图案化金属层，形成金属线圈，所述金属线圈呈螺旋状分布，且所述金属线圈背离半导体基底的表面为凹凸表面。
和现有技术相比，上述技术方案的优点在于：
本发明通过调整半导体电感器件的制造工艺，从而使得形成的半导体电感器件的金属线圈的表面为凹凸表面，这样增大了电感器件的金属线圈的表面面积，从而减小了趋肤效应，增加了电感器件的Q值。
附图说明
通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1为本发明的半导体电感器件一实施例的俯视示意图；
图2为图1所示的半导体电感器件沿A-A’方向的剖视图；
图3为本发明的半导体电感器件的制造方法的流程图；
图4至图6为本发明的半导体电感器件的制造方法一实施例的示意图。
具体实施方式
在半导体器件的制造工艺中，通常需要在芯片中制造半导体电感器件，因为电感器件的Q值越高，其损耗越小，效率越高，尤其在高频工作的电感器件中提高电感器件的Q值一直是人们关注的问题。
本发明的发明人认为：趋肤效应对电感器件的Q值造成很大影响，使得电感器件的Q值被限制在一个降低的范围，尤其频率越高，趋肤效应越显著，Q值也越低。然而减小趋肤效应的较好的办法就是增加金属线圈的表面积。
因此发明人经过大量研究后发明了一种半导体电感器件，包括：半导体基底，所述半导体基底包括绝缘介质层；位于绝缘介质层上的金属线圈，所述金属线圈呈螺旋状分布，且所述金属线圈背离半导体基底的表面为凹凸表面。
本发明还提供了一种半导体电感器件的制造方法，包括步骤：提供半导体基底，所述半导体基底包括绝缘介质层；在所述绝缘介质层上形成金属层；图案化金属层，形成金属线圈，所述金属线圈呈螺旋状分布，且所述金属线圈背离半导体基底的表面为凹凸表面。
本发明通过调整半导体电感器件的制造工艺，从而使得形成的半导体电感器件的金属线圈的表面为凹凸表面，这样增大了电感器件的金属线圈的表面面积，从而减小了趋肤效应，增加了电感器件的Q值。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
其次，本发明利用示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
图1为本发明的半导体电感器件一实施例的示意图，图2为图1所示的半导体电感器件沿A-A’方向的剖视图，下面结合图1和图2对本发明的半导体电感器件进行说明。
如图1所示，本发明的半导体电感器件包括半导体基底110和金属线圈120。
所述半导体基底110可以是单晶硅、多晶硅或非晶硅；也可以是硅、锗、砷化镓或硅锗化合物；也可以是具有外延层或绝缘层上硅结构。所述半导体基底110还可以是其它半导体材料，这里不再一一列举。
需要特别说明的是，在需要形成金属线圈120对应位置的半导体基底110内不具有半导体器件。
如图2所示，半导体基底110包括绝缘介质层110a，所述金属线圈120位于所述绝缘介质层110a上。
所述金属线圈120的材料可以为铝、铜、铝铜合金、钛、氮化钛、钽、氮化钽中的一种或组合。除此之外，金属线圈120也可以为其它的金属材料。
所述金属线圈120位于绝缘介质层110a上，呈螺旋状分布，且所述金属线圈120背离半导体基底110的表面120a为凹凸表面，具体的该凹凸表面可以为在形成金属线圈120之后另外在金属线圈120上形成的凹陷和凸起，也可以为调整金属线圈120的形成工艺，例如调整物理气相沉积(PVD，PysicalVapor Deposition)的工艺，将半导体基底110温度升高或者将等离子体的流量加大等等，从而使得形成的金属线圈120的表面粗糙，从而使得金属线圈120的表面为凹凸表面。除此之外，所述金属线圈120也可以采用其它方法使得表面粗糙，为凹凸表面。
优选的，所述金属线圈120朝向半导体基底110的表面120b为凹凸表面，具体的该凹凸表面可以为调整金属层的形成工艺实现。
优选的，所述凹凸表面的凹陷位置和凸起位置的高度差d大于200埃，例如210埃。这样可以使得到的电感器件的金属线圈表面积增大，因此趋肤效应减弱，Q值增高，尤其应用在高频环境中，可以是Q值显著提高，并且该高度差可以使得电感的性能最好。但是本发明中所述凹凸表面的高度差d并不限于此，除此之外所述高度差d还可以小于或等于200埃，例如为190埃。
可选的，所述绝缘介质层110a的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
相应的，本发明还提供了一种半导体电感器件的制造方法。图3为本发明半导体电感器件的制造方法的流程图。图4至图7为半导体电感器件的制造方法一实施例的示意图。下面结合图3至图7对本发明半导体电感器件的制造方法进行详细说明，其包括步骤：
S10：提供半导体基底，所述半导体基底包括绝缘介质层。
参考图4，具体的，所述半导体基底110可以是单晶硅、多晶硅或非晶硅；也可以是硅、锗、砷化镓或硅锗化合物；也可以是具有外延层或绝缘层上硅结构。所述半导体基底110还可以是其它半导体材料，这里不再一一列举。
需要特别说明的是，在需要形成金属线圈120对应位置的半导体基底110内不具有半导体器件。
半导体基底110包括绝缘介质层110a。
S20：在所述绝缘介质层110a上形成金属层。
参考图5，具体的可以采用物理气相淀积(PVD)或溅射(sputtering)工艺沉积金属层115。所述金属层115的材料可以为铝、铜、铝铜合金、钛、氮化钛、钽、氮化钽中的一种或组合。在一具体实施方式中，采用PVD工艺沉积金属铝。在传统的沉积工艺中，目标是将金属层的表面沉积的更加平坦，在本发明中，可以将传统的PVD工艺参数进行调整，具体的将半导体基底温度升高，例如将温度从传统的300℃升高到450℃，这样使得反应的速度增快，从而使得形成的金属铝层的颗粒更大，形成金属层的表面115a更加粗糙，具有凹凸起伏。由于将等离子体的流量加大或者将反应腔室的压力增大等等方式可以使得反应的速度增快，从而使形成的金属层115的颗粒更大，形成金属层的表面115a更加粗糙，具有凹凸起伏。因此在其它实施方式中，还可以采用将等离子体的流量加大或者将反应腔室的压力增大等等方式来使得形成金属层115的表面更加粗糙，具有凹凸起伏。
优选的，所述凹凸表面的凹陷位置和凸起位置的高度差d大于200埃。
另外也可以采用CVD之后的退火温度的方法，来使得形成金属层的表面更加粗糙，本发明的目的在于提供一种具有凹凸表面的金属层，因此本领域技术人员熟知的可以使得形成的金属层具有凹凸表面的方法都在本发明的保护范围内。
由于发明是要使得金属层115背离绝缘介质层110a的表面为凹凸表面，因此在本发明中也可以像采用传统工艺淀积金属层115，然后升温或加大等离子体流量来加快反应速度，使金属层115背离绝缘介质层110a的表面115a为凹凸表面，并且由于开始采用传统的方法进行，因此使得金属层115和半导体基底110接触的表面更平坦，从而和半导体基底110之间的接触更好。
优选的，所述金属线圈120朝向半导体基底110的表面为凹凸表面，这样可以进一步的增加金属线圈120的表面积。优选的，所述凹凸表面的凹陷位置和凸起位置的高度差d大于200埃。
具体的方法可以是绝缘介质层110a的面向金属层的表面(上表面)为凹凸表面，这样在CVD形成金属层115的时候，金属层115朝向绝缘介质层110a的表面就为凹凸表面。在优选实施方式中，可以通过调整CVD工艺的参数，例如升高半导体基底的温度、增大气体流量、增加反应腔室的压力或者增加退火温度，从而使得CVD工艺形成的绝缘介质层110a的表面粗糙，从而在其上形成的金属层115的表面115b也较粗糙，具有凹凸图案。
另外，也可以先形成平坦的绝缘介质层，再在绝缘介质层上形成凸起，使得绝缘介质层的表面为凹凸表面。
S30：图案化金属层，形成金属线圈，所述金属线圈呈螺旋状分布，且所述金属线圈背离半导体基底的表面为凹凸表面。
参考图6，具体的可以首先在金属层115表面，利用原子层沉积(ALD)、化学气相淀积(CVD)工艺，优选的为等离子增强气相淀积(PECVD)工艺，淀积一层钝化层，然后利用光刻胶图形掩膜采用等离子刻蚀工艺或反应离子刻蚀(RIE)工艺刻蚀钝化层、金属层115，形成金属线圈120。
然后去除钝化层和光刻胶图形，就得到半导体电感器件。
在其它实施例中，对于较难刻蚀的金属，例如铜，也可以采用先在绝缘介质层中刻蚀形成螺旋状的沟槽，然后在沟槽中填充金属，从而形成螺旋状的金属线圈。
利用本发明的半导体电感器件的制造方法得到的电感器件的金属线圈表面积增大，因此趋肤效应减弱，Q值增高，尤其应用在高频环境中，可以是Q值显著提高。在本发明中所述凹凸表面的高度差d并不限于大于200埃，除此之外所述高度差d小于或等于200埃(例如190埃)，都在本发明的保护范围之内。
虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (10)

1.一种半导体电感器件，其特征在于，包括：
半导体基底，所述半导体基底包括绝缘介质层；
位于绝缘介质层上的金属线圈，所述金属线圈呈螺旋状分布，且所述金属线圈背离半导体基底的表面为凹凸表面。
2.根据权利要求1所述的半导体电感器件，其特征在于，所述金属线圈朝向半导体基底的表面为凹凸表面。
3.根据权利要求1或2所述的半导体电感器件，其特征在于，所述凹凸表面的凹陷位置和凸起位置的高度差大于200埃。
4.根据权利要求1所述的半导体电感器件，其特征在于，所述金属线圈位于同一平面。
5.根据权利要求1所述的半导体电感器件，其特征在于，所述金属线圈的材料为铝、铜、铝铜合金、钛、氮化钛、钽、氮化钽中的一种或组合。
6.一种半导体电感器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供半导体基底，所述半导体基底包括绝缘介质层；
在所述绝缘介质层上形成金属层；
图案化金属层，形成金属线圈，所述金属线圈呈螺旋状分布，且所述金属线圈背离半导体基底的表面为凹凸表面。
7.根据权利要求6所述的半导体电感器件的制造方法，其特征在于，在所述绝缘介质上形成金属层的方法为：物理气相沉积。
8.根据权利要求6所述的半导体电感器件的制造方法，其特征在于，所述金属层的材料为铝、铜、铝铜合金、钛、氮化钛、钽、氮化钽中的一种或组合。
9.根据权利要求6所述的半导体电感器件的制造方法，其特征在于，所述图案化金属层的方法为等离子体刻蚀。
10.根据权利要求6所述的半导体电感器件的制造方法，其特征在于，所述凹凸表面的凹陷位置和凸起位置的高度差大于200埃。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102637677A (zh) * 2012-04-24 2012-08-15 上海宏力半导体制造有限公司 电感及其形成方法、射频器件、集成无源器件
CN103325763A (zh) * 2012-03-19 2013-09-25 联想(北京)有限公司 螺旋电感元件和电子设备
CN110227565A (zh) * 2019-06-25 2019-09-13 京东方科技集团股份有限公司 微流控器件及制作方法、生物分子数量检测方法及***
CN111462687A (zh) * 2020-06-09 2020-07-28 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板及其驱动方法、显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1380690A (zh) * 2001-04-11 2002-11-20 华邦电子股份有限公司 芯片上电感组件的制造方法
TW522561B (en) * 2001-12-28 2003-03-01 Chartered Semiconductor Mfg Via/line inductor on semiconductor material
US6864581B1 (en) * 2002-08-15 2005-03-08 National Semiconductor Corporation Etched metal trace with reduced RF impendance resulting from the skin effect
CN1916230A (zh) * 2006-09-09 2007-02-21 重庆工学院 直流磁控溅射制备纯铝超细晶厚膜的方法
CN1967740A (zh) * 2005-09-30 2007-05-23 Tdk株式会社 薄膜器件及薄膜电感器
CN101465335A (zh) * 2007-12-20 2009-06-24 松下电器产业株式会社 电感器及其制造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1380690A (zh) * 2001-04-11 2002-11-20 华邦电子股份有限公司 芯片上电感组件的制造方法
TW522561B (en) * 2001-12-28 2003-03-01 Chartered Semiconductor Mfg Via/line inductor on semiconductor material
US6864581B1 (en) * 2002-08-15 2005-03-08 National Semiconductor Corporation Etched metal trace with reduced RF impendance resulting from the skin effect
CN1967740A (zh) * 2005-09-30 2007-05-23 Tdk株式会社 薄膜器件及薄膜电感器
CN1916230A (zh) * 2006-09-09 2007-02-21 重庆工学院 直流磁控溅射制备纯铝超细晶厚膜的方法
CN101465335A (zh) * 2007-12-20 2009-06-24 松下电器产业株式会社 电感器及其制造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103325763A (zh) * 2012-03-19 2013-09-25 联想(北京)有限公司 螺旋电感元件和电子设备
CN103325763B (zh) * 2012-03-19 2016-12-14 联想(北京)有限公司 螺旋电感元件和电子设备
CN102637677A (zh) * 2012-04-24 2012-08-15 上海宏力半导体制造有限公司 电感及其形成方法、射频器件、集成无源器件
CN110227565A (zh) * 2019-06-25 2019-09-13 京东方科技集团股份有限公司 微流控器件及制作方法、生物分子数量检测方法及***
CN111462687A (zh) * 2020-06-09 2020-07-28 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板及其驱动方法、显示装置
CN111462687B (zh) * 2020-06-09 2021-05-25 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板及其驱动方法、显示装置

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