CN102291946A - 一种厚铜电路板的制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种厚铜电路板的制作方法，包括：分别在厚铜箔的两面进行蚀刻，制作电路图形，其中，蚀刻所述厚铜箔的第一面后，在所述厚铜箔上设置对位靶标；蚀刻所述厚铜箔的第二面时，采用所述对位靶标进行定位。采用本发明技术方案，可以在铜厚大于6oz的厚铜电路板上制作出尺寸合格的密集线路，也容易加工出合格的阻焊图形；并且，通过设置对位靶标，可以保证对位精确，防止两面蚀刻出现偏差。

Description

一种厚铜电路板的制作方法

技术领域

本发明涉及电子互连技术领域，具体涉及一种厚铜电路板的制作方法。 

背景技术

在电子互连技术领域，常用oz表示铜箔厚度，用mil表示线路的宽度或线路的间距，其中，1oz表示1平方英尺的面积上重量为1盎司的铜箔的厚度，约等于34.287微米；1mil表示千分之一英寸，约等于25.4微米。 

例如：对于铜厚大于6oz的厚铜电路板，在制作线路宽度/间距小于8mil/8mil的密集线路时，如果采用常规的蚀刻方法，由于侧蚀严重，将难以制作出尺寸合格的线路，也难以加工出合格的阻焊图形。 

发明内容

本发明实施例提供一种厚铜电路板的制作方法，可以在铜厚大于6oz的厚铜电路板上制作出尺寸合格的密集线路。 

一种厚铜电路板的制作方法，包括：分别在厚铜箔的两面进行蚀刻，制作电路图形，其中，蚀刻所述厚铜箔的第一面后，在所述厚铜箔上设置对位靶标；蚀刻所述厚铜箔的第二面时，采用所述对位靶标进行定位。 

本发明实施例采用分别在厚铜箔的两面进行蚀刻，制作电路图形的技术方案，很容易制作出尺寸合格的密集线路，也容易加工出合格的阻焊图形；并且，在蚀刻厚铜箔的一面之后，通过设置对位靶标，在蚀刻另一面时，可以保证对位精确，防止两面蚀刻出现偏差。 

附图说明

图1a是本发明一个实施例提供的厚铜电路板的制作方法的流程图； 

图1b是本发明另一实施例提供的厚铜电路板的制作方法的流程图； 

图2a-l是采用本发明方法制造的厚铜电路板在各个阶段的示意图。 

具体实施方式

以下结合附图对本发明实施例进行详细说明。 

请参考图1a，本发明实施例提供一种厚铜电路板的制作方法，分别在厚铜箔的两面进行蚀刻，制作电路图形，其中，蚀刻所述厚铜箔的第一面后，在所述厚铜箔上设置对位靶标；蚀刻所述厚铜箔的第二面时，采用所述对位靶标进行定位。该方法具体包括： 

110、在厚铜箔的第一面蚀刻电路图形。 

所说的厚铜箔可以是厚度超过3oz的铜箔，尤其可以是厚度达到或超过6oz的铜箔。本步骤采用常规方法先在厚铜箔的第一面蚀刻电路图形，但是，本次蚀刻深度有限，并不贯穿整个厚铜箔。 

120、在所述厚铜箔上设置对位靶标。 

本步骤中，在厚铜箔上加工定位柱或定位通孔等作为定位靶标，以便在对厚铜箔的第二面进行蚀刻时，可以精确定位，不会布线偏差。 

130、采用所述对位靶标进行定位，在厚铜箔的第二面上蚀刻电路图形。 

本步骤中，采用所述定位靶标定位，蚀刻厚铜箔的第二面，本次蚀刻与上次对第一面的蚀刻均蚀刻厚铜箔上相同的部位。则，本次蚀刻的深度也不必贯穿整个厚铜箔，蚀刻出的凹槽的底部只要抵达上次蚀刻而成的凹槽即可，这样，两次蚀刻的凹槽连接贯穿整个厚铜箔，从而形成电路图形。 

本实施例采用分别在厚铜箔的两面蚀刻电路图形的技术，可以减小每次蚀刻的蚀刻深度，进而降低侧蚀的影响，从而可以在铜厚大于3oz的厚铜电路板上制作出尺寸合格的密集线路，该方法尤其适用于在6oz以上的厚铜电路板上制作出尺寸合格的密集线路；并且，通过采用设置对位靶标的技术，可以保证在厚铜箔的正反两面进行蚀刻时，没有蚀刻偏差或者蚀刻偏差最小。 

请参考图1b，本发明一个实施例提供的厚铜电路板的制作方法，该实施例以6oz厚铜电路板为例，包括： 

210、在厚铜箔的第一面蚀刻电路图形，蚀刻部位形成第一凹槽。 

如图2a和2b所示，本实施例先在厚铜箔100的第一面制作电路图形，包括：加工抗蚀膜200，将需要形成电路图形的部位挡住；然后进行蚀刻，将不需要 的形成电路图形的部位蚀刻出第一凹槽101。第一凹槽101的深度接近厚铜箔100厚度的一半即3oz，可以略大于3oz，也可以略小于3oz。其中，抗蚀膜200可以是干膜(Dry film)。加工抗蚀膜200的步骤可以包括贴膜、曝光和显影。 

220、蚀刻所述厚铜箔的第一面后，在所述厚铜箔上设置对位靶标。 

对位靶标可以在蚀刻厚铜箔100的第二面时起到定位的作用，保证两面蚀刻的图形一致，尽量避免出现偏差。一种实施方式中，如图2c所示，可以在厚铜箔100上开设通孔作为对位靶标300，并且，所开设的通孔可以有多个，例如分别在厚铜箔100的四个角开设四个通孔，作为对位靶标300。 

230、在厚铜箔的第一面压合半固化片，使第一凹槽被部分半固化片材料填充。 

如图2d所示，可以在蚀刻厚铜箔100的第二面之前，先在已蚀刻的第一面压合半固化片400，使半固化片400的部分材料将之前蚀刻出的第一凹槽101填充，以方便后续对第二面的蚀刻以及加工阻焊油墨等操作。 

240、采用对位靶标进行定位，在厚铜箔的第二面上对应于第一凹槽的部位进行蚀刻，蚀刻出的第二凹槽的底部连通第一凹槽，从而在厚铜箔上制作出电路图形。 

如图2e和2f所示，本步骤中，对厚铜箔100的第二面进行蚀刻，包括：加工抗蚀膜200，将需要形成电路图形的部位挡住；然后进行蚀刻，将不需要的形成电路图形的部位蚀刻出第二凹槽102。两面蚀刻时蚀刻的是厚铜箔100上的相同部位，蚀刻出的第二凹槽102的底部要连通第一凹槽101，即，本次蚀刻的深度也接近厚铜箔厚度的一半即3oz，在第一凹槽101深度大于3oz时，第二凹槽的深度可以小于3oz；在第一凹槽101深度小于3oz时，第二凹槽的深度则应大于3oz；总之，需要两个凹槽的底部连通贯穿。其中，为保证对位精准，防止蚀刻出现偏差，本步骤中对厚铜箔的第二面进行蚀刻时可以采用所设的对位靶标300进行定位。 

如果厚铜箔100的第二面将成为整个电路板的最外层，例如top层，步骤240之后还可以包括：采用所述对位靶标进行定位，在所述厚铜箔的第二面上加工阻焊图形。 

如图2g所示，加工阻焊图形500时，蚀刻出的第一凹槽101和第二凹槽102已经连通成为贯穿厚铜箔101的通孔，但其中有一半的深度即原第一凹槽101中已经被半固化片填充，剩下另一半的深度即第二凹槽102是中空的，深度只有3oz，相对于现有技术需要再6oz深度的凹槽中加工阻焊图形，本实施例中需要在3oz深度的第二凹槽中加工阻焊图形，从而很容易加工出合格的阻焊图形。 

一种实施方式中，步骤230之后还可以包括： 

a、在所述半固化片的另一面压合另一厚铜箔，所述另一厚铜箔的与所述半固化片接触的第一面已蚀刻电路图形，蚀刻出的第三凹槽的深度不小于所述另一厚铜箔厚度的一半，且所述另一厚铜箔上设置有另一对位靶标。 

如图2h所示，将半固化片400和厚铜箔100压合之后，还可以在半固化片400的另一面压合另一厚铜箔600，以便继续制作电路图形。该另一厚铜箔600在与半固化片400压合之前，已经执行和步骤101、102相同的步骤，即，该另一厚铜箔600的用于压合的第一面也已经蚀刻电路图形，蚀刻出的第三凹槽601的深度不小于另一厚铜箔600的厚铜箔，且，另一厚铜箔600上已经加工有另一对位靶标700。另一该厚铜箔600也是厚度达到6oz的铜箔。 

b、在所述厚铜箔上设置连通另一厚铜箔的金属化孔。包括：在所述厚铜箔上钻定位孔；采用所述定位孔进行定位，开设连通另一厚铜箔的通孔；对所述通孔进行电镀，形成金属化孔。 

经过上一步骤，半固化片400的两面均压合了厚铜箔，为了使最终在两层厚铜箔上制作出的两层电路电连接，本步骤中可以在其中一层厚铜箔，例如厚铜箔100上加工贯穿两层厚铜箔和中间半固化片的金属化通孔，如图2i所示。具体步骤可以包括：在所述厚铜箔100上钻定位孔；采用所述定位孔进行定位，开设连通另一厚铜箔的通孔；对所述通孔进行电镀，形成金属化孔。 

c、采用所述另一厚铜箔上设置的另一对位靶标进行定位，在所述另一厚铜箔的第二面上对应于所述第三凹槽的部位进行蚀刻，蚀刻出的第四凹槽的底部连通所述第三凹槽，从而在所述另一厚铜箔上制作出电路图形。 

本步骤中，对另一厚铜箔600的第二面进行蚀刻，以便在该另一厚铜箔600 上制作出电路图形。该步骤可以与步骤240同时进行，如图2j和2k所示，包括：分别在两层厚铜箔的第二面加工抗蚀膜200，将需要形成电路图形的部位挡住；然后进行蚀刻，将厚铜箔100上不需要的形成电路图形的部位蚀刻出第二凹槽102，将另一厚铜箔600上不需要的形成电路图形的部位蚀刻出第四凹槽602。其中，蚀刻出的第二凹槽102的底部要连通第以凹槽101，蚀刻出的第四凹槽602的底部要连通第三凹槽601，蚀刻深度近似等于3oz。其中，为保证对位精准，防止蚀刻出现偏差，本步骤中对另一厚铜箔600的第二面进行蚀刻时可以采用所设的另一对位靶标700进行定位。 

如果厚铜箔600的第二面也将成为整个电路板的最外层，例如bottom层，步骤c之后还可以包括：采用所述另一厚铜箔上加工的另一对位靶标进行定位，在所述另一厚铜箔的第二面上加工阻焊图形。由于只需在3oz深度的第四凹槽中加工阻焊图形，从而很容易加工出合格的阻焊图形。 

综上，本发明实施例提供一种厚铜电路板的制作方法，采用分别在厚铜箔的两面进行蚀刻，制作电路图形的技术方案，很容易制作出尺寸合格的密集线路，也容易加工出合格的阻焊图形；并且，在蚀刻厚铜箔的一面之后，通过设置对位靶标，在蚀刻另一面时，可以保证对位精确，防止两面蚀刻出现偏差。例如：对于铜厚大于6oz的厚铜电路板，由于单面蚀刻的蚀刻深度只要达到或接近3oz即可，于是容易制作出尺寸合格的线路宽度/间距为8mil/8mil的密集线路；且由于只需在3oz深度的凹槽中加工阻焊图形，也很容易加工出合格的阻焊图形；并且，在蚀刻厚铜箔的一面之后，通过加工对位靶标，在蚀刻另一面时，可以保证对位精确，防止两面蚀刻出现偏差。 

以上对本发明实施例提供的厚铜电路板的制造方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，但以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想，不应理解为对本发明的限制，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。 

Claims (10)

1.一种厚铜电路板的制作方法，其特征在于，包括：

分别在厚铜箔的两面进行蚀刻，制作电路图形，其中，

蚀刻所述厚铜箔的第一面后，在所述厚铜箔上设置对位靶标；

蚀刻所述厚铜箔的第二面时，采用所述对位靶标进行定位。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述分别在厚铜箔的两面进行蚀刻，制作电路图形包括：

在所述厚铜箔的第一面蚀刻电路图形，蚀刻部位形成第一凹槽；

在所述厚铜箔的第一面压合半固化片，使所述第一凹槽被部分半固化片材料填充；

在所述厚铜箔的第二面上对应于所述第一凹槽的部位进行蚀刻，蚀刻出的第二凹槽的底部连通所述第一凹槽，从而在所述厚铜箔上制作出电路图形。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：

所述第一凹槽的深度不小于所述厚铜箔厚度的一半或所述第二凹槽的深度不小于所述厚铜箔厚度的一半。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述厚铜箔上制作出电路图形之后还包括：

采用所述对位靶标进行定位，在所述厚铜箔的第二面上设置阻焊图形。

5.根据权利要求2、3或4所述的方法，其特征在于，所述在所述厚铜箔的第一面压合半固化片之后还包括：

在所述半固化片的另一面压合另一厚铜箔，所述另一厚铜箔的与所述半固化片接触的第一面已蚀刻电路图形，蚀刻出的第三凹槽的深度不小于所述另一厚铜箔厚度的一半，所述另一厚铜箔上也设置有对位靶标。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述半固化片的另一面压合另一厚铜箔之后还包括：

在所述厚铜箔上设置连通所述另一厚铜箔的金属化孔。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述厚铜箔上设置连通所述另一厚铜箔的金属化盲孔包括：

在所述厚铜箔上钻定位孔；

采用所述定位孔进行定位，开设连通所述另一厚铜箔的通孔；

对所述通孔进行电镀，形成金属化孔。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述厚铜箔上设置连通所述另一厚铜箔的金属化孔之后还包括：

采用所述另一厚铜箔上设置的对位靶标进行定位，在所述另一厚铜箔的第二面上对应于所述第三凹槽的部位进行蚀刻，蚀刻出的第四凹槽的底部连通所述第三凹槽，从而在所述另一厚铜箔上制作出电路图形。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述另一厚铜箔上制作出电路图形之后还包括：

采用所述另一厚铜箔上设置的对位靶标进行定位，在所述另一厚铜箔的第二面上设置阻焊图形。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述厚铜箔上设置对位靶标包括：

在所述厚铜箔上开设通孔作为对位靶标。

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