CN102254213A - 双频射频识别标签 - Google Patents

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Abstract

一种双频射频识别标签，包括天线线圈和射频识别芯片，其特征在于，所述天线线圈包括第一辐射体、第二辐射体和第三辐射体，所述第一辐射***于所述基板的一侧，所述第二辐射体和所述第三辐射***于所述基板的另一侧，所述第一辐射体和所述第二辐射体在基板两侧的位置对应，通过第一过桥和第二过桥联通，形成第一频率天线，所述第三辐射体形成第二频率天线。本发明可以大大降低多频标签的生产成本，有效降低两种频率标签的相互干扰。

Description

双频射频识别标签
技术领域
 本发明涉及射频识别技术，特别涉及一种双频的射频识别标签。
背景技术
射频识别技术是一种非接触的自动识别技术，它通过射频信号自动识别目标对象并获取相关数据，识别工作无须人工干预，可工作于各种恶劣环境。RFID技术可识别高速运动物体并可同时识别多个标签，操作快捷方便。最基本的RFID***由三部分组成：标签、阅读器和天线，其中天线在标签和阅读器之间传递射频信号。天线作为一种接收和发射电磁波的设备，是无线通讯***中的一个关键部分，它是自由空间和传输线的接口。
随着射频识别技术的发展，一种适用于双频的射频识别标签的需求变得越来越迫切。将两种频率的标签天线做在同一个基材上，例如PET基材，面临两种天线互相干扰的问题，如何避免两种天线之间形成有效电容而影响RFID标签的性能是需要解决的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是将两种频率的标签天线无干扰的设置在同一基材上。为了解决上述技术问题，本发明提供了一种双频射频识别标签，
包括天线线圈和射频识别芯片，其特征在于，所述天线线圈包括第一辐射体、第二辐射体和第三辐射体，所述第一辐射***于所述基板的一侧，所述第二辐射体和所述第三辐射***于所述基板的另一侧，
所述第一辐射体和所述第二辐射体在基板两侧的位置对应，通过第一过桥和第二过桥联通，形成第一频率天线；
所述第三辐射体形成第二频率天线。
进一步，所述第一辐射体包括至少螺旋绕制一圈的第一天线部和第一金属部，所述第一金属部位于所述第一天线部内部，所述第一天线部的每一圈在靠近第一天线部的头端处向圆圈内部方向凹入，所述第一金属部包括未封闭的环形部以及位于环形部内部的点状部，所述第一天线部的尾端与所述环形部相连；
所述第二辐射体包括至少螺旋绕制一圈的第二天线部和第二金属部，所述第二金属部为类环形U形，所述第二天线部的尾端与所述第二金属部连接，所述第二辐射体在所述第三辐射体内部；
所述第三辐射体包括第三天线部、第四天线部、第一导引段和第二导引段，所述第三天线部为外边中点有开口的中空环形C形，所述第四天线部为外边中点有开口的中空环形弧形，所述第三天线部的开口处与所述第四天线部的开口处对应，所述第一导引段连接所述第三天线部和所述第四天线部的一侧开口并向外延伸，所述第二导引段连接所述第三天线部和所述第四天线部的另一侧开口并向外延伸。
优选的，所述第一过桥的两端分别位于所述第一天线部的头端和第二天线部的头端，所述第二过桥的两端分别位于第一金属部的点状部和第二金属部。
优选的，所述射频识别芯片分别为第一频率射频识别芯片和第二频率射频识别芯片，第一频率射频识别芯片焊点位于所述基板上第一辐射体所在一侧，第二频率射频识别芯片焊点位于所述基板上第三辐射体所在一侧。
优选的，所述第一频率射频识别芯片焊点位于第一金属部，所述第二频率射频识别芯片焊点位于第一导引段和第二导引段向外延伸处。
进一步，所述第一辐射体包括至少螺旋绕制一圈的第一天线部和第一金属部，所述第一金属部位于所述第一天线部内部，所述第一金属部为类环形U形，所述第一天线部的尾端与所述第一金属部相连；
所述第二辐射体包括至少螺旋绕制一圈的第二天线部、第二金属部和第三导引段，所述第二金属部为类环形U形，所述第二天线部的尾端与所述第二金属部连接，所述第三天线部和所述第二金属部位于所述第三辐射体内部，所述第三导引段为绕制方向与所述第二天线部相同的近似半圆弧，位于所述第三辐射体外部，所述第二天线部的头端与所述第三导引段尾端连接并将所述第三辐射体的半部分包围；
所述第三辐射体包括第三天线部、第四天线部、第一导引段和第二导引段，所述第三天线部为外边中点有开口的中空环形C形，所述第四天线部为外边中点有开口的中空环形弧形，所述第三天线部的开口处与所述第四天线部的开口处对应，所述第一导引段连接所述第三天线部和所述第四天线部的一侧开口并向外延伸，所述第二导引段连接所述第三天线部和所述第四天线部的另一侧开口并向外延伸。
优选的，所述第一过桥的两端分别位于所述第一天线部的头端和第三导引段的头端附近，所述第二过桥的两端分别位于第一金属部的类环形U形中空处和第二金属部。
优选的，所述射频识别芯片为双频芯片，所述双频芯片中第一频率的焊点位于所述第三导引段的头端，所述双频芯片中的第二频率的焊点位于所述第一导引段和所述第二导引段向外延伸处。
优选的，所述射频识别芯片分别为第一频率射频识别芯片和第二频率射频识别芯片，所述第一频率射频识别芯片的焊点位于所述第一金属部附近，所述第二频率射频识别芯片的焊点位于所述第一导引段和所述第二导引段向外延伸处。
进一步，所述第一频率为低频或者高频，所述第二频率为超高频。 
本发明一种双频射频识别标签的优点在于大大降低多频标签的生产成本，有效降低两种频率标签的相互干扰。
附图说明
图1为本发明双频射频识别标签第一个实施例中基板一侧的结构示意图；
图2为本发明双频射频识别标签第一个实施例中基板另一侧的结构示意图；
图3为本发明双频射频识别标签第二个实施例中基板一侧的结构示意图；
图4为本发明双频射频识别标签第二个实施例中基板另一侧的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图详细说明本发明的具体实施例。
实施例1
参照图1和图2所示，图1和图2分别为本发明双频射频识别标签在基板上相对的两个面，其中该标签包括两个射频识别芯片（RFIC）以及对应的天线，两个RFIC可以是高频芯片和超高频芯片，也可以是其他频率的芯片。图1所示为天线的辐射体11，辐射体11包括至少螺旋绕制一圈的天线部21和第一金属部，第一金属部位于天线部21内部，天线部21的每一圈在靠近天线部的头端3处向圆圈内部（圆心）方向凹入，第一金属部包括未封闭的环形部31以及位于环形部31内部的点状部32，天线部21的尾端与环形部31相连。
参见图2所示，辐射体12包括至少螺旋绕制一圈的天线部22和第二金属部33，所述第二金属部为类环形U形，天线部22的尾端与第二金属部33连接，辐射体12在辐射体13内部。辐射体13包括天线部23、天线部24、导引段25和导引段26，天线部23为中空环形C形，在外边上中点位置处有开口，天线部24为中空环形弧形，在外边中点处有开口，天线部23的开口处与天线部24的开口处对应，导引段25为连接天线部23和天线部24的一侧开口并向外延伸，导引段26连接天线部23和天线部24的另一侧开口并向外延伸。
所述基板可以是PET基材，天线线圈材料可以为铝或者铜，第一金属部为与天线线圈同质的金属平面体。
图1中位于天线部21的头端3处的过桥点1和图2中位于天线部23的头端的过桥点1联通形成第一过桥，图1中位于点状部32的过桥点1和图2中位于第二金属部33的过桥点1联通形成第二过桥，第一过桥和第二过桥使辐射体11和辐射体12形成第一频率的天线，可以是高频天线。辐射体13形成第三频率的天线，可以是超高频天线。本实施例中过桥点的位置选择仅是一种具体实施方式，过桥点的位置可以根据标签的工作频率不同而不同。
两种频率的射频识别芯片的焊点分别在标签的两个面上，其位置可以是任意的，本实施例中具体选择为第一频率射频识别芯片焊点位于第一金属部，第二频率射频识别芯片焊点位于导引段25和导引段26向外延伸处上。第一频率可以具体为高频，第二频率可以具体为超高频。第二频率射频识别芯片焊点尽量远离辐射体12的天线部22，以避免感应电流的影响。
辐射体13C形部分的直径大于辐射体12的直径，以使辐射体12能完全置于辐射体13中并且保持一定距离，这样可以控制两个辐射体形成电容。第一频率和第二频率可以更广泛的在低频、中频、高频中选择两个频率，也同样可以实现本发明。
实施例2
参考图3所示，辐射体14包括至少螺旋绕制一圈的天线部27和金属部34，金属部34位于天线部27内部，金属部34为类环形U形，天线部27的尾端与金属部34相连。
参考图4所示，辐射体15包括至少螺旋绕制一圈的天线部28、金属部35和导引段41，所述金属部35为类环形U形，天线部28的尾端与金属部35连接，天线部28和金属部35位于辐射体16内部，导引段41为绕制方向与所述第二天线部相同的近似半圆弧，位于辐射体16外部，天线部15的头端与导引段41尾端连接并将辐射体16的半部分包围。
辐射体16包括天线部42、天线部43、导引段44和导引段45，天线部42为中空环形C形，在外边上中点位置处有开口，天线部43为中空环形弧形，在外边中点处有开口，天线部42的开口处与天线部43的开口处对应，导引段44为连接天线部42和天线部43的一侧开口并向外延伸，导引段45为连接天线部42和天线部43的另一侧开口并向外延伸。
所述基板可以是PET基材，天线线圈材料可以为铝或者铜，第一金属部为与天线线圈同质的金属平面体。
图3中天线部14的头端处的过桥点1和图4中导引段41的头端附近的过桥点1联通形成第一过桥，图3中金属部34的类环形U形中空处过桥点1和图4中金属部35的过桥点1联通形成第二过桥。第一过桥和第二过桥使辐射体14和辐射体15形成第一频率的天线，可以是高频天线。辐射体16形成第三频率的天线，可以是超高频天线。本实施例中过桥点的位置选择仅是一种具体实施方式，过桥点的位置可以根据标签的工作频率不同而不同。
本实施例中的射频识别芯片可以为双频芯片，双频芯片中第一频率的焊点和第二频率的焊点均位于图4中辐射体15和辐射体16所在平面，其位置可以是任意的，本实施例中具体选择为第一频率的焊点可以位于导引段41的头端，第二频率的焊点可以位于导引段44和所述导引段45向外延伸处。
本实施例中的射频识别芯片为多芯片时，即分别为第一频率射频识别芯片和第二频率射频识别芯片，其位置可以是任意的，本实施例中具体选择为所述第一频率射频识别芯片的焊点位于金属部34附近，第二频率射频识别芯片的焊点位于导引段44和导引段45向外延伸处。本实施例中第一频率可以为高频，第二频率可以为超高频。其中，第一频率也可以为低频，此时只需调整天线的电长度以使谐振频率满足低频的工作频率。
本说明书中所述的只是本发明的较佳具体实施例，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明的限制。凡本领域技术人员依本发明的构思通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在本发明的范围之内。

Claims (10)

1.一种双频射频识别标签，包括天线线圈和射频识别芯片，其特征在于，所述天线线圈包括第一辐射体、第二辐射体和第三辐射体，所述第一辐射***于所述基板的一侧，所述第二辐射体和所述第三辐射***于所述基板的另一侧，
所述第一辐射体和所述第二辐射体在基板两侧的位置对应，通过第一过桥和第二过桥联通，形成第一频率天线；
所述第三辐射体形成第二频率天线。
2.根据权利要求1所述的双频射频识别标签，其特征在于，
所述第一辐射体包括至少螺旋绕制一圈的第一天线部和第一金属部，所述第一金属部位于所述第一天线部内部，所述第一天线部的每一圈在靠近第一天线部的头端处向圆圈内部方向凹入，所述第一金属部包括未封闭的环形部以及位于环形部内部的点状部，所述第一天线部的尾端与所述环形部相连；
所述第二辐射体包括至少螺旋绕制一圈的第二天线部和第二金属部，所述第二金属部为类环形U形，所述第二天线部的尾端与所述第二金属部连接，所述第二辐射体在所述第三辐射体内部；
所述第三辐射体包括第三天线部、第四天线部、第一导引段和第二导引段，所述第三天线部为外边中点有开口的中空环形C形，所述第四天线部为外边中点有开口的中空环形弧形，所述第三天线部的开口处与所述第四天线部的开口处对应，所述第一导引段连接所述第三天线部和所述第四天线部的一侧开口并向外延伸，所述第二导引段连接所述第三天线部和所述第四天线部的另一侧开口并向外延伸。
3.根据权利要求2所述的双频射频识别标签，其特征在于，所述第一过桥的两端分别位于所述第一天线部的头端和第二天线部的头端，所述第二过桥的两端分别位于第一金属部的点状部和第二金属部。
4.根据权利要求2所述的双频射频识别标签，其特征在于，所述射频识别芯片分别为第一频率射频识别芯片和第二频率射频识别芯片，第一频率射频识别芯片焊点位于所述基板上第一辐射体所在一侧，第二频率射频识别芯片焊点位于所述基板上第三辐射体所在一侧。
5.根据权利要求4所述的双频射频识别标签，其特征在于，所述第一频率射频识别芯片焊点位于第一金属部，所述第二频率射频识别芯片焊点位于第一导引段和第二导引段向外延伸处。
6.根据权利要求1所述的双频射频识别标签，其特征在于，
所述第一辐射体包括至少螺旋绕制一圈的第一天线部和第一金属部，所述第一金属部位于所述第一天线部内部，所述第一金属部为类环形U形，所述第一天线部的尾端与所述第一金属部相连；
所述第二辐射体包括至少螺旋绕制一圈的第二天线部、第二金属部和第三导引段，所述第二金属部为类环形U形，所述第二天线部的尾端与所述第二金属部连接，所述第三天线部和所述第二金属部位于所述第三辐射体内部，所述第三导引段为绕制方向与所述第二天线部相同的近似半圆弧，位于所述第三辐射体外部，所述第二天线部的头端与所述第三导引段尾端连接并将所述第三辐射体的半部分包围；
所述第三辐射体包括第三天线部、第四天线部、第一导引段和第二导引段，所述第三天线部为外边中点有开口的中空环形C形，所述第四天线部为外边中点有开口的中空环形弧形，所述第三天线部的开口处与所述第四天线部的开口处对应，所述第一导引段连接所述第三天线部和所述第四天线部的一侧开口并向外延伸，所述第二导引段连接所述第三天线部和所述第四天线部的另一侧开口并向外延伸。
7.根据权利要求6所述的双频率射频识别标签，其特征在于，所述第一过桥的两端分别位于所述第一天线部的头端和第三导引段的头端附近，所述第二过桥的两端分别位于第一金属部的类环形U形中空处和第二金属部。
8.根据权利要求6所述的双频射频识别标签，其特征在于，所述射频识别芯片为双频芯片，所述双频芯片中第一频率的焊点位于所述第三导引段的头端，所述双频芯片中的第二频率的焊点位于所述第一导引段和所述第二导引段向外延伸处。
9.根据权利要求6所述的双频射频识别标签，其特征在于，所述射频识别芯片分别为第一频率射频识别芯片和第二频率射频识别芯片，所述第一频率射频识别芯片的焊点位于所述第一金属部附近，所述第二频率射频识别芯片的焊点位于所述第一导引段和所述第二导引段向外延伸处。
10.根据权利要求1所述的双频射频识别标签，其特征在于，所述第一频率为低频或者高频，所述第二频率为超高频。
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C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: 5, building 1, building 127, Lane 200433, Cathay Road, Yangpu District, Shanghai

Applicant after: Shanghai Tiancheng Anticounterfeit Technology Co.,Ltd.

Co-applicant after: Shanghai Tianchen Radiofrequency Technology Co.,Ltd.

Address before: 5, building 1, building 127, Lane 200433, Cathay Road, Yangpu District, Shanghai

Applicant before: Tianchen New Technology Co., Ltd., Fudan Univ, Shanghai

Co-applicant before: Shanghai Tianchen Radiofrequency Technology Co.,Ltd.

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: TIANCHEN NEW TECHNOLOGY CO LTD, FUDAN UNIV, SHANGHAI TO: SHANGHAI TECHSUN ANTI-COUNTERFEITING TECHNOLOGY CO., LTD.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: Room 201, building 3, No. 518, shenzhuan Road, Songjiang District, Shanghai, 201612

Patentee after: Shanghai Tianchen micro nano technology Co., Ltd

Patentee after: SHANGHAI TECHSUN RFID TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 5, building 1, building 127, Lane 200433, Cathay Road, Yangpu District, Shanghai

Patentee before: Shanghai Techsun Anti-Counterfeiting Technology Holding Co.,Ltd.

Patentee before: SHANGHAI TECHSUN RFID TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address