CN102252247A - 照明装置以及车辆用前灯 - Google Patents

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Abstract

前灯(1)包括发射激发光的半导体激光器(2)以及接收半导体激光器(2)所发射的激发光而发光的发光部(5)，该发光部(5)具备第一荧光体以及第二荧光体，其中，第一荧光体的发光光谱的峰值在500nm以上且520nm以下的范围内，第二荧光体具有不同于该第一荧光体的发光光谱的峰值。在发光部(5)发射出的光的光谱中，第一荧光体的发光光谱的峰值的发光强度大于540nm以上且570nm以下的范围内的发光光谱的发光强度。因此，前灯(1)能够发射出至少在黑暗场所对照射对象具有较高识别性的照明光。

Description

照明装置以及车辆用前灯
技术领域
本发明涉及具备激发光源以及根据发射自该激发光源的激发光而发出荧光的发光部的照明装置，尤其涉及车辆用前灯。
背景技术
目前，由蓝色发光二极管与荧光体组合而成的白色LED(Light EmittingDiode；发光二级管)车辆用前灯正开始进入实用化。与现在的卤素灯或者HID(High Intensity Discharge；高强放电)灯等光源相比，通过使用发光二极管，能实现显著的长寿命化。而且，长远上有望实现比HID灯更低的耗电性。
专利文献1揭示了此类前灯的一例。专利文献1中记载的车辆用前灯具备可发出不同颜色的光的多个LED芯片。更具体地说，该文献中记载有根据蓝色LED与荧光体来获得白色光的结构，以及还记载有在此结构的基础上追加了蓝绿色或者绿色LED的结构。但在该专利文献1中，作为该追加的LED的具体波长，只揭示了530nm(绿)的波长。
人通过存在于视网膜上的视细胞来感知光，此类视细胞包括对光具有不同灵敏度的两种细胞，即，所谓的视锥细胞以及视杆细胞。将光量充足的环境下(明亮场所)的眼睛的视觉称作明视觉，明视觉时视锥细胞起作用，主要感知颜色以及形状。而在黑暗场所中的眼睛的视觉称作暗视觉，暗视觉时视杆细胞起作用，主要感知光的明暗度。
明视觉时对波长555nm的黄绿色光的灵敏度最高，而暗视觉时则对波长507nm的偏蓝色的光的灵敏度最高。即，明视觉与暗视觉时具有不同的视觉灵敏度峰值波长，暗视觉时的视觉灵敏度的峰值更靠近短波长侧。这种现象被称为浦肯野现象(Purkinje phenomenon)。
专利文献2揭示了考虑到这种浦肯野现象的回射体。此回射体包括蓝色基材以及黄绿色的有色透明层，从而在白天或者黄昏时的明亮时间段，显现出在明亮场所具有较高的视觉灵敏度的黄绿色，在夜间的黑暗时间段，由于前灯的光而显现出在黑暗场所具有较高视觉灵敏度的蓝色(波长在507nm附近)，因此，无论昼夜都能进行良好的视线引导。
专利文献1：日本国专利申请特开2006-351369号公报(2006年12月28日公开)
专利文献2：日本国专利申请特开2004-301977号公报(2004年10月28日公开)
发明内容
制造现有技术中的白色LED等照明光源通常以明视觉作为前提。明视觉时能充分进行颜色的辨别，换句话说，能充分辨别出颜色的这种状态即是明视觉。然而，就通常的照明而言，达到能够辨别颜色的程度的亮度是理所当然的要求。
接下来，说明一下现有技术中的白色LED的问题点。图9是表示现有技术中由蓝色发光二极管与荧光体所组合而成的白色LED的发光光谱的曲线图。
在图9中，虚线表示由蓝色LED与黄色荧光体所组合而成的通常所称伪白色LED的光谱，实线表示与伪白色LED相比具有较高的显色性的白色LED的光谱。
从图9可知，无论是哪种白色LED，均以明视觉作为大前提，因此在明视觉状态下视觉灵敏度最高的绿色(555nm)附近的光谱成分较高。
就搭载有使用以上所述的白色LED的前灯的车辆来说，虽然产品规格值(光束值)非常高，但在夜间却让人感觉不到那么亮。而在现有的卤素灯或者HID灯中并未出现过这种问题。本发明的发明人经虔心研究，发现在现有的白色LED中510nm附近的光谱成分较低，从而导致出现这种问题。
即，就被设计用于室内等明亮场所的白色LED而言，由于所注重的是明视觉状态下的亮度以及效率，因此会出现在夜间室外等黑暗场所令人感觉不到亮的问题。
而且，至于提高在明亮场所中对物体的识别性的内容，任何专利文献中均无记载。
另外，就专利文献1所涉及的车辆用前灯来说，对于车辆的前方部分，除了白色光之外，还照射绿色光或者蓝绿色光。根据这种结构，会导致车辆用前灯的颜色出现局部性差异，而这种结构不被日本法律所认可。因此，至少在日本无法实现专利文献1的车辆用前灯。而且，专利文献1中没有记载涉及绿色光或者蓝绿色光的波长的内容，因此并不清楚能否解决510nm附近的光谱成分较低的问题。
鉴于以上问题，本发明的目的在于提供一种至少在黑暗场所能发射出对照射对象具有较高识别性的照明光的照明装置，尤其是车辆用前灯。
为了实现所述目的，本发明所提供的照明装置的特征在于：包括发射激发光的激发光源以及接收所述激发光源所发射的激发光而发光的发光部，该发光部具备第一荧光体以及第二荧光体，其中，所述第一荧光体的发光光谱的峰值在500nm以上且520nm以下的范围内，所述第二荧光体具有不同于所述第一荧光体的发光光谱的峰值，在发射自所述发光部的光的光谱中，所述第一荧光体的发光光谱的峰值的发光强度大于540nm以上且570nm以下的范围内的发光光谱的发光强度。
人的眼睛通过视网膜的视细胞来感知光，而视细胞在明亮场所与黑暗场所的作用有所不同。具体地说，在明亮场所中，会感觉到黄绿色光最亮、红色也比较鲜明，而对蓝色会感觉到不太亮(明视觉)。相反，在黑暗场所中，比起黄绿色，会感觉波长较短的蓝绿色更亮，而对波长较长的红色光会感觉较黯淡(暗视觉)。这种视觉灵敏度出现差异的现象就是所谓的浦肯野现象。人的眼睛在暗视觉状态下，对波长为507nm的光的灵敏度最高。
考虑到该浦肯野现象，本发明的发明人认为，在夜间人的眼睛会处于暗视觉状态，因此，通过使用含蓝绿色光谱较多的光来照射前方，能更清楚地看到道路上的物体(障碍物)。即发现：通常在明视觉状态下就光束(流明)为代表的光源的亮度进行评价，因此，即使其数值较高，却并不一定适合暗视觉状态下的夜间(不会感觉到亮)。另外，“能更清楚地看到物体”是指对物体的形状(轮廓)或者物体本身的识别性提高，但不一定是该物体的颜色看起来鲜明。
而且，本发明的发明人认为：不仅在黑暗场所，在明亮场所中，也能通过照射含蓝绿色光谱较多的光来刺激视杆细胞，提高识别物体形状时的识别性。
在所述结构中，发光部接收由激发光源所发射的激发光并发光，从而能获得照明光。此发光部具备第一荧光体以及第二荧光体。第一荧光体的发光光谱的峰值在500nm以上且520nm以下的范围内，因此，发射自发光部的光在500nm以上且520nm以下的范围内至少有一个峰值。
而且，在发射自发光部的光的光谱中，比起540nm以上且570nm以下范围内的发光光谱的发光强度，第一荧光体的发光光谱的峰值的发光强度更大。
即，位于暗视觉状态下视觉灵敏度的峰值附近的，第一荧光体的发光光谱的峰值的发光强度，大于明视觉状态下视觉灵敏度的峰值所处的540nm以上且570nm以下范围内的发光光谱的发光强度。
因此，发光部能发射出在暗视觉状态下具有高视觉灵敏度的光，从而能提高在黑暗场所中由照明装置所照射的物体的识别性。
另外，在明亮场所通过照射500nm以上且520nm以下的波长范围的光，来刺激具有物体形状识别功能的视杆细胞，也能够提高明亮场所中的物体的识别性。因此，本发明并不局限于在黑暗场所使用的照明装置，在明亮场所使用的所述照明装置也包括在本发明的技术范围内。当然，本发明并不局限于在黑暗场所与明亮场所中均能提高物体的识别性。即，本发明的照明装置至少能够提高黑暗场所中的物体的识别性。
(发明效果)
根据本发明所涉及的照明装置，如以上所述，包括发射激发光的激发光源以及接收所述激发光源所发射的激发光而发光的发光部，该发光部具备第一荧光体以及第二荧光体，其中，所述第一荧光体的发光光谱的峰值在500nm以上且520nm以下的范围内，所述第二荧光体具有不同于所述第一荧光体的发光光谱的峰值，在发射自所述发光部的光的光谱中，所述第一荧光体的发光光谱的峰值的发光强度大于540nm以上且570nm以下的范围内的发光光谱的发光强度。。
因此，能够发射在暗视觉状态下具有高视觉灵敏度的光，从而至少能提高在黑暗场所中由照明装置所照射的物体的识别性。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式所涉及的前灯的概略结构的截面图。
图2中，图2(a)是表示半导体激光器的电路图的模式图，图2(b)是表示半导体激光器2的基本结构的立体图。
图3是表示Caα-SiAlON:Ce3+以及CaAlSiN3:Eu2+的特性的图。
图4是表示车辆用前灯被要求达到的白色的色度范围的曲线图。
图5是表示本发明的一实施方式所涉及的发光部的发光光谱的曲线图。
图6是表示本发明的其他实施方式所涉及的发光部的发光光谱的曲线图。
图7是表示本发明的其他实施方式所涉及的前灯的概略结构的截面图。
图8是表示光纤端部与发光部之间的位置关系的图。
图9是表示由蓝色发光二极管与荧光体所组合而成的现有技术中的白色LED的发光光谱的图。
(附图标记说明)
1前灯(照明装置、车辆用前灯)
2半导体激光器(激发光源)
5发光部
20前灯
具体实施方式
[实施方式1]
以下参照图1～图3说明本发明的一实施方式。
(本发明的技术思想)
本发明的发明人认为，根据上述浦肯野现象，人的眼睛在夜间处于暗视觉状态，因此通过用含有蓝绿色光谱较多的光来照射前方，能够更清楚地看到道路上的物体(障碍物)。即，通常是在明视觉状态下对光束(流明)所代表的光源的亮度进行评价，因此，即使其数值较高，并不一定就适合暗视觉状态即夜间的感觉(不会感觉到亮)。另外，“能更清楚地看到物体”是指对物体形状(轮廓)或者物体本身的识别性的提高，并不要求该物体的颜色也看起来鲜明。
而且，本发明的发明人认为，不仅是在黑暗场所，在明亮场所中也能通过照射含蓝绿色光谱较多的光来刺激视杆细胞，提高识别物体形状时的识别性。
本发明的照明装置基于所述技术思想而成，即，通过发射在暗视觉状态下具有较高的视觉灵敏度的光，能够提高黑暗场所(例如，夜间行驶时)中的物体的识别性。而且，根据本发明提供的照明装置，不仅在是黑暗场所，在明亮场所也能提高物体的识别性。即，本发明提供的照明装置，其至少能提高黑暗场所中的物体的识别性。
在此，作为本发明的照明装置，例举可满足汽车行驶时所使用的前灯(Highbeam：远光灯)的配光特性基准的前灯(车辆用前灯)1来进行说明。当然，本发明所涉及照明装置，除了汽车之外，还能用作车辆、移动物体(例如，人、船舶、航空机、潜水艇、火箭等)的前灯，也可以用作探照灯等其他照明装置。
(前灯1的结构)
首先，参照图1来说明本实施方式所涉及的前灯(照明装置)1的结构。图1是表示本实施方式所涉及的前灯1的概略结构的图。如同图所示，前灯1具备半导体激光器2、非球面透镜3、导光部4、发光部5、反射镜6以及透明板7。
(半导体激光器2)
半导体激光器2是用于发射激发光的激发光源。此半导体激光器2可以是1个，也可以有多个。而且，作为半导体激光器2，可以使用一个芯片具有一个发光点的部件，也可以使用一个芯片具有多个发光点的部件。在本实施方式中，使用的是一个芯片具有一个发光点的半导体激光器2。
例如，半导体激光器2是一个芯片具有一个发光点(1条纹)的，可激发波长为405nm(蓝紫色)的激光、光功率为1.0W、工作电压为5V、电流为0.7A的，且被封装到直径为5.6mm的封装体(框体)中的部件。在本实施方式中，使用了10个半导体激光器2，光功率共计10W。另外，为了便于说明，图1中只图示了一个半导体激光器2。
半导体激光器2可激发的激光的波长并不局限于405nm，只要峰值在400nm以上且460nm以下，更优选在400nm以上且420nm以下的波长范围内即可。
在此，通过使半导体激光器2的激光在400nm以上且420nm以下的波长范围内具有峰值，能够扩大在形成用于发出白色光的发光部5时与第一荧光体(发光峰值波长为500nm以上且520nm以下)进行组合的第二荧光体的选择范围。具体地说，作为第二荧光体，可以使用发光光谱的峰值在600nm以上且680nm以下的范围内的荧光体。
另外，作为发光部5的荧光体使用氮氧化合物类的荧光体时，优选半导体激光器2的光功率为1W以上且20W以下，且照射到发光部5的激光的光密度为0.1W/mm2以上且50W/mm2以下。如果是该范围内的光功率，不仅能实现车辆用前灯被要求达到的光束以及亮度，还能防止因大功率的激光照射而导致发光部5发生极度恶化的现象。即，不仅能实现高光束和高亮度，还能实现光源的长寿命。
然而，作为发光部5的荧光体使用下述的半导体纳米粒子荧光体时，照射到发光部5上的激光的光密度可以大于50W/mm2。
(非球面透镜3)
非球面透镜3是用于将激发产生自各半导体激光器2的激光射入作为导光部4的一侧端部的光入射面4a中的透镜。例如，作为非球面透镜3，可以使用阿尔卑斯电气株式会社制造的FLKN1405。只要是具有所述功能的透镜，对非球面透镜3的形状以及材质没有特别的限制，但是，优选使用在405nm附近的透射率较高且耐热性良好的材料。
另外，非球面透镜3对激发自半导体激光器2的激光进行聚光，并将聚集的激光导入较小(例如，直径1mm以下)的光入射面。因此，如果导光部4的光入射面4a足够大而无需对激光进行聚光时，则不必设置非球面透镜3。
(导光部4)
导光部4是对由半导体激光器2所激发的激光进行激光，并将聚集的激光导入至发光部5(发光部5的激光照射面)的圆锥台状的导光部件。导光部4通过非球面透镜3(或直接)与半导体激光器2进行光学耦合。导光部4具有光入射面4a(入射端部)与光出射面4b(出射端部)，其中，光入射面4a接收半导体激光器2所发射的激光，光出射面4b向发光部5发射通过光入射面4a接收到的激光。
光出射面4b的面积小于光入射面4a的面积。因此，通过光入射面4a入射的各激光，被导光部4的侧面反射并前进，聚集起来从光出射部4b射出。
导光部4由BK7、石英玻璃、丙烯酸树脂以及其他透明材质构成。而且，光入射面4a以及光出射面4b的形状可以是平面状，也可以是曲面状。
另外，导光部4可形成角锥台状，也可以是光纤，只要能将来自半导体激光器2的激光导入发光部5即可。此外，也可以省略导光部4，而是通过非球面透镜3或者直接将半导体激光器2的激光照射到发光部5。当半导体激光器2与发光部5之间的距离较短时，可以采用这种结构。
(发光部5的组成)
发光部5用于接收从导光部4的光出射面4b射出的激光并发光，是一个荧光体保持物质(封装材)中分散有受激光照射时可发光的多种荧光体而成的部件。更具体地说，发光部5具备第一荧光体以及第二荧光体，该第二荧光体具有与第一荧光体不同的发光光谱的峰值。第一荧光体的发光光谱的峰值位于暗视觉状态下的视觉灵敏度峰值507nm的附近，具体是，发光光谱的峰值在500nm以上且520nm以下的范围内。而且，第二荧光体的发光光谱的峰值例如在600nm以上且680nm以下的范围内。
并且，通过对发光部5的组成进行调整，使发光部5所发射的光的光谱中，第一荧光体的发光光谱的峰值的发光强度大于540nm以上且570nm以下范围内的发光光谱的发光强度。
第一荧光体以及第二荧光体是氮氧化合物类荧光体，或者是使用III-V族化合物半导体的纳米级粒子的半导体纳米粒子荧光体。
作为氮氧化合物类荧光体，可以使用通称为塞隆(Silicon AluminumOxynitride：硅铝氧氮聚合材料，简称SiAlON)荧光体的材料。所谓塞隆荧光体，是氮化硅的一部分硅原子被置换成铝原子，一部分氮原子被置换成氧原子的物质。可通过在氮化硅(Si3N4)中固溶氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)以及稀土类元素等来制成塞隆荧光体。例如，第一荧光体是Caα-SiAlON:Ce3+荧光体，第二荧光体是CaAlSiN3:Eu2+荧光体。
另一方面，作为半导体纳米粒子荧光体的特征之一，即使是同一化合物半导体(例如，磷化铟：InP)，通过将其粒径变更到纳米级，也能根据量子尺寸效应来改变发光颜色。例如，在InP中，粒子尺寸为3～4nm程度时发出红光。在此，通过透射电子显微镜(TEM)来评价粒子尺寸。
而且，该半导体纳米粒子荧光体具有如下特征，即，由于是以半导体为基础，因此荧光寿命较短，而且，能够迅速将激发光的功率转化为荧光而放射，因此对大功率激发光的耐性较强。其理由在于，此半导体纳米粒子荧光体的发光寿命为10纳秒左右，比使用稀土类作为发光中心的通常的荧光体材料小五位数。
并且，如上所述，由于发光寿命短，因此能够反复迅速地进行激光吸收与荧光体发光。其结果，对于强激光能保持高变换效率，从而能够减少荧光体发出的热量。由此，更能抑制发光部5因热而劣化(变色或变形)的现象。从而，能够延长前灯1的寿命。
封装材可以是硅树脂等的树脂，也可以是玻璃材料(例如，无机玻璃、有机混合玻璃)。另外，可以仅使用荧光体压合形成发光部5，但优选是将荧光体分散于封装材中来形成发光部5。这是因为在只使用荧光体通过压合形成发光部5的情况下，发光部5受激光照射时劣化可能会更迅速。
(发光部5的配置以及形状)
发光部5被固定在透明板7的内侧(光出射面4b所处的一侧)的，发射镜6的焦点位置或者其附近。当然，发光部5的位置的固定方法并不局限于此方法，还可以利用从发射镜6延伸出的棒状或者筒状的部件来固定发光部5的位置。
对于发光部5的形状也没有特别的限制，既可以是长方体，也可以是圆柱体。在本实施方式中，发光部5是直径3mm、厚度(高度)3mm的圆柱状部件。而且，发光部5的接受激光照射的面即激光照射面，并非一定是平面，也可以是曲面。但是，为了对激光发射进行控制，激光照射面优选为平面。如果激光照射面是曲面，根据照射激光的位置，至少相对于该曲面的入射角会发生较大变化，从而发射光的前进方向也会大大改变。由此，有时会很难控制激光的反射方向。相反，如果激光照射面是平面，即使激光的照射位置稍有错位，发射光的前进方向几乎不会改变，因此容易控制激光的反射方向。而且，有时还容易采取在反射光所射到的位置上设置激光吸收材等的措施。
另外，发光部5的厚度也可以不是3mm。关于此厚度，只要能够在发光部5将激光全部被变换成白色光，或者，能够在发光部5对激光充分进行散射即可。即，发光部5具有能将对人体有害的相干光的强度降低到安全水平，或者能将该相干光转换成无害的非相干光的厚度即可。
在此，发光部5的必要厚度因该发光部5中的封装材与荧光体的比例而异。发光部5中荧光体的含量较多时，将激光变换成白光的效率也提高，因此发光部5较薄也无妨。
(反射镜6)
反射镜6是通过对发光部5所发射的非相干光进行反射，从而形成在规定的立体角度内前进的光束的部件。即，反射镜6通过对来自发光部5的光进行反射，来形成前进并可照射到前灯1的前方的光束。此反射镜6例如是表面形成有金属薄膜的具有曲面形状(杯状)的部件，其开口朝向反射光所前进方向。
而且，反射镜6并不局限于半球面镜，还可以是椭圆面镜、抛物面镜，或者具有这些曲面部分的反射镜。即，反射镜6只要其反射面中包含有通过使图形(椭圆形或者圆形或者抛物线形)以旋转轴为中心进行旋转而成的曲面的至少一部分即可。
(透明板7)
透明板7是覆盖反射镜6的开口部的透明树脂板，由透明板7支撑发光部5。此透明板7优选由可阻断来自半导体激光器2的激光，而能够透射在发光部5变换激光所生成的白色光(非相干光)的材质形成。除树脂板之外，还可以使用无机玻璃板等。
几乎所有的相干激光在发光部5被变换成非相干白色光。但有时也会因某些原因而导致一部分激光不被变换。即使在这种情况下，透明板7能阻断激光，从而能够防止激光外泄。另外，如果不需要这种效果，且通过透明板7以外的部件也能支撑发光部5时，可以省略设置透明板7。
(半导体激光器2的结构)
接下来说明半导体激光器2的基本结构。图2(a)是表示半导体激光器2的电路图的模式图，图2(b)是表示半导体激光器2的基本结构的立体图。如同图所示，半导体激光器2具有依次对阴电极19、基板18、包覆层113、活性层111、包覆层112、阳电极17进行叠层的结构。
基板18是半导体基板，在本发明中，为了获得用于激发荧光体的蓝色～紫外的激发光，优选使用GaN、蓝宝石、SiC。一般情况下，作为用于半导体激光器的基板的其他材料，可以从下列中任选：Si、Ge以及SiC等IV族半导体；以GaAs、GaP、InP、AlAs、GaN、InN、InSb、GaSb以及AlN为代表的III-V族化合物半导体；ZnTe、ZeSe、ZnS以及ZnO等II-VI族化合物半导体；ZnO、Al2O3、SiO2、TiO2、CrO2以及CeO2等氧化物绝缘体；以及，SiN等氮氧化物绝缘体。
阳电极17通过包覆层112向活性层111注入电流。
阴电极19从基板18的下部通过包覆层113向活性层111注入电流。另外，按从阳电极17至阴极电极19的顺方向偏流进行电流注入。
活性层111被夹设在包覆层113以及包覆层112之间。
而且，作为活性层111以及包覆层的材料，为了获得蓝色～紫外的激发光，可以使用由AlInGaN构成的混晶半导体。通常，作为半导体激光器的活性层/包覆层，可使用以Al、Ga、In、As、P、N、Sb为主要组成成分的混晶半导体。另外，也可以由Zn、Mg、S、Se、Te以及ZnO等的II-VI族化合物半导体构成。
此外，活性层111是根据注入的电流来进行发光的区域，因包覆层112以及包覆层1113之间的折射率之差，发出的光被封闭在活性层111内。
并且，在活性层111中，为了封闭通过受激发射而被增幅的光，以相对置的方式形成有表侧解理面114以及背侧解理面115，该表侧解理面114以及背侧解理面115起到镜面作用。
然而，与对光进行完全反射的镜子不同，通过受激发射而被增幅的光的一部分，从活性层111的表侧解理面114以及背侧解理面115(在本实施方式中，为了便于说明，以表侧解理面114为例)射出，成为激发光L0。另外，活性层111也可以具有多层量子井结构。
另外，在与表侧解理面114相对而置的背侧解理面115上，形成有用于激发激光的反射膜(图未示)，通过对表侧解理面114以及背侧解理面115的反射率设定差距，能将激发光L0的大部分光从作为低反射率端面的表侧解理面114的发光点103照射出去。
包覆层113/包覆层112可以由n型以及p型分别为GaAs、GaP、InP、AlAs、GaN、InN、InSb、GaSb及AlN为代表的III-V族化合物，以及ZnTe、ZeSe、ZnS及ZnO等II-V族化合物中的任意一种的半导体构成，而且，通过向阳电极17以及阴电极19施加顺方向的偏流，向活性层111注入电流。
对于包覆层113/包覆层112以及活性层111等的与各半导体层之间的膜形成来说，可通过MOCVD(有机金属化学气相生长)法或MBE(分子束外延)法、CVD(化学气相生长)法、激光消融(Laser ablation)法、溅射法等通常的成膜方法来形成。对于各金属层的膜形成来说，可通过真空蒸镀法或镀层法、激光消融法、溅射法等通常的成膜方法来形成。
(发光部5的发光原理)
以下，说明荧光体根据激发自半导体激光器2的激光而发光的发光原理。
首先，当激发自半导体激光器2的激光照射到荧光部5所包含的荧光体时，存在于荧光体内的电子从低能量状态被激发成高能量状态(激发状态)。
但由于该激发状态并不稳定，因此，经过一定时间之后，荧光体内的电子能量状态将恢复原来的低能量状态(基态能级的能量状态，或者激发能级和基态能级之间的亚稳能级的状态)。
即，因被激发成高能量状态的电子变为低能量状态，而使荧光体发光。
通过对可满足等色原理的3个颜色进行混色，或者可满足补色关系的2个颜色进行混色，能够获得白色光。根据以上的原理和关系，通过对激发自半导体激光器的激光的颜色和荧光体发出的光的颜色进行所述组合，能够生成白色光。
(实施例1)
以下，具体说明发光部5的实施例。在本实施例中，作为发光峰值在500nm～520nm范围内的第一荧光体使用Caα-SiAlON:Ce3+荧光体(以下，简称为Caα-SiAlON荧光体)，作为发光峰值在620nm～680nm范围内的第二荧光体使用CASN:Eu(CaAlSiN3:Eu2+)荧光体(以下称之为CASN荧光体)。
(荧光体的特性)
图3是表示Caα-SiAlON:Ce3+荧光体以及CaAlSiN3:Eu2+荧光体的特性的图。如同图所表示，Caα-SiAlON：荧光体发出从蓝色至绿色的荧光，其发光峰值的波长为510nm。而且，该荧光体的具有较宽的110nm的发光半宽度，能够充分应用于在暗视觉状态下具有较高相对可见度的波长域。并且，上述荧光体的发光效率为58％，发光效率也较高。另外，由于Caα-SiAlON荧光体具有较高的耐热性，因此，即使向发光部5照射高光密度、高输出的激光时，发光部5发生劣化的可能性也较小。因此，能够实现高亮度、高光束的前灯。
CASN荧光体发出红色激光，其发光峰值的波长为650nm。该荧光体的发光效率为71％，发光半宽度为93nm。CASN荧光体也具有较高的耐热性，因此，即使向发光部5照射高输出、高光密度的激光时，发光部5发生劣化的可能性也较小。因此，能够实现高亮度、高光束的前灯。
图3所显示的是激发波长为405nm时的数值。在Caα-SiAlON荧光体中，当激发波长变长时，发光峰值的波长变长，吸收率和内部量子功率降低，其结果，发光效率也降低。此时，半值全幅会稍微扩大。
相反，当激发波长变短时，直到350nm程度，吸收率、内部量子效率以及发光效率会稍微提高。并且，发光峰值的波长会稍微变短，半值全幅也会稍微变窄。而激发波长比350nm短时，Caα-SiAlON荧光体会则变得不再发光。
在350nm～450nm的激发波长范围内，CASN荧光体的特性(发光峰值波长、吸收率、内部量子效率，发光效率、半值全幅)并不发生变化。而激发波长达到450nm以上时，特性会稍微劣化。另外，当激发波长为350nm以下时，与Caα-SiAlON荧光体同样，CASN荧光体也会变得不再发光。
(白色光的调整)
通过向包含这些荧光体的发光部5照射以405nm进行激发的半导体激光器2的激光而生成了照明光。在此，为了使该照明光成为色温度成3000～7000k，并能满足道路运送车辆法中规定的前灯用白色范围的白色光，对发光部5中的Caα-SiAlON荧光体以及CASN荧光体的比例进行了调整。关于色温度，调整成了被多数用户所喜好的色温度。
图4是表示车辆用前灯被要求达到的白色的色度范围的曲线图。如同图所表示，在日本，对于车辆用前灯的白色的色度范围有法律规定。在此，由六个点35为顶点的多边形的内部相当于该色度范围。
根据该曲线图，能够实现三角形30内的点所表示的色度，该三角形30是通过连接表示Caα-SiAlON荧光体的发光峰值的波长的点31、表示CASN荧光体的发光峰值的波长的点32、表示激发光源即半导体激光器2的激发波长405nm的点33而成的三角形。通过对发光部5中的Caα-SiAlON荧光体以及CASN荧光体的比例、发光部5中的Caα-SiAlON荧光体和CASN荧光体以及封装材的混合比、激发光的强度进行变更，能够使表示可实现的照明光的色度的点在三角形30内移动。例如，当Caα-SiAlON荧光体的比例变高时，表示照明光的色度的点接近点31，照明光成为蓝色偏重的颜色。
三角形30中包含所述多角形，可通过对发光部5中的Caα-SiAlON荧光体以及CASN荧光体的比例、发光部5中的Caα-SiAlON荧光体和CASN荧光体以及封装材的混合比、激发光的强度进行设定，来实现该多角形内的点所表示的色度。
尤其是，将照明光的色度设定成由点31、点34a以及点34c为顶点的三角形范围内的，并且是以点35作为顶点的多角形范围内的色度即可。
在此，点34a是CASN:Eu2+的荧光发射束和半导体激光器2的激光发射束的比成为1∶0.1的点，点34b是所述比成为1∶1的点，点34c是所述比成为1∶2.5的点。由于激光本身具有色度，因此，通过在发光部5保持固定组成的情况下使激光的发射束发生变化，能使表示照明光的色度的点在点32和点33的连线上移动。
第一荧光体和第二荧光体的比例不仅因各荧光体的荧光色而异，还根据发光效率而变化。而且，最终的照明光的颜色根据所照射的激光的颜色以及强度、封装材的种类以及量而发生变化，因此，在考虑这些要因的基础上，对第一荧光体和第二荧光体的比例进行调整。
在本实施方式中，形成了Caα-SiAlON荧光体、CASN荧光体、作为封装材的硅树脂的比例为1∶3.6∶100的，直径为3mm，高度为3mm的发光部5。并向该发光部5照射405nm波长的激光，然后对所获得的照明光的光谱以及色度进行了测定。
其结果表明，照明光的色度是图4的曲线图中以x＝0.4101、y＝0.4017的坐标所表示的色度，满足日本的道路运送车辆安全基准。即，表明发光部5所射出的光的颜色被调整成了车辆用前灯颜色的相关法律所规定的范围内的白色。并且，该照明光的色温度为3500K，平均显色评价值Ra为86.6，特殊显色评价值R9为57.6。
图5是表示本实施方式的发光部5的发光光谱的曲线图。Caα-SiAlON荧光体的发光光谱的峰值在500nm以上且520nm以下的波长范围内，位于暗视觉状态下的视觉灵敏度峰值的附近。因此，如同图所示，获得了在510nm即暗视觉状态下的视觉灵敏度峰值附近具有充分强度的发光光谱。另外，在发光部5所射出的光的光谱中，Caα-SiAlON荧光体的发光光谱的峰值的发光强度大于明视觉状态下的视觉灵敏度峰值所存在的540nm以上且570nm以下范围内的发光光谱的发光强度。
因此，如果将该白色光源应用于车辆用前灯，能够实现在暗视觉状态的夜间行驶时对障碍物具有良好的识别性的前灯。
另外，通过在明亮场所照射500nm以上且520nm以下的波长范围内的光(尤其是波长507nm附近的光)，来刺激用于识别物体形状的视杆细胞，从而能够提高在明亮场所中对物体的识别性。因此，即使在非完全的暗视觉的状态下，也能够实现在暗视觉状态和明视觉状态之间的中间状态下对障碍物具有良好的识别性的前灯。
另外，能够实现510nm附近的峰值非常宽，并且在从微亮的黄昏时间(明视觉)变为夜间时间(暗视觉)的变化过程中也能保持连续的亮度感的前灯。
此外，该白色光源的平均显色评价值Ra为86.6，非常良好，因此在夜间行驶时也能够清楚地识别出各种道路标识。
以上的荧光体比例仅是其中一例，本发明的荧光体比例并不限定于此。
(实施例2)
以下，说明发光部5的其他实施例。在本实施例中，与实施例1同样，作为第一荧光体使用Caα-SiAlON荧光体，作为第二荧光体使用CASN荧光体。但是，在本实施例中，形成的是Caα-SiAlON荧光体、CASN荧光体、作为封装材的硅树脂的比例为1∶3.6∶250，且直径为3mm，高度为5mm的发光部5。向该发光部5照射405nm波长的激光，并对所获得的照明光的光谱以及色度进行了测定。
其结果表明，照明光的色度是图4的曲线图中的x＝0.3102、y＝0.3189的坐标所表示的色度，满足日本的道路运送车辆的安全基准。而且，该照明光的色温度为6700K，平均显色评价值Ra为80.3，特殊显色评价值R9为57.6。与实施例1相比，在实施例2中，作为封装材的硅树脂的比例较高，而荧光体的比例较低。可以考虑，降低荧光体浓度的结果，405nm的激发光成分变多而导致色温度变高。
图6是表示本实施方式的发光部5的发光光谱的曲线图。如同图所表示，获得了在510nm即暗视觉状态的视觉灵敏度峰值附近具有充分强度的发光光谱。另外，第一荧光体即Caα-SiAlON荧光体的发光光谱的峰值的发光强度大于明视觉状态下的视觉灵敏度的峰值所在的540nm以上且570nm以下范围内的发光光谱的发光强度。
与实施例1相比，在实施例2中，510nm附近的强度相对大于540nm以上且570nm以下范围内的发光光谱的发光强度。
因此，如果将实施例2的白色光源应用于车辆用前灯，能够实现在夜间行驶时对障碍物具有良好的识别性的前灯。
实施例2的白色光源并不限定于在完全黑暗的场所使用，也能在黄昏等微亮的环境下使用。
(变型例)
以上，作为激发光源只例举了以405nm进行激发的半导体激光器，但是，可应用于本发明的激发光源并不限定于此。例如，作为激发光源也可以使用现有的在450nm附近发光的发光二极管。此时，通过使用发光峰值在510nm附近的Caα-SiAlON:Ce3+荧光体，能够获得可实现对暗视觉下的障碍物识别性进行了改善的前灯的白色光源。
另外，作为第一荧光体的Caα-SiAlON:Ce3+荧光体的发光峰值在500～520nm范围内，其理由是在发光中心含有Ce3+。因此，只要是在发光中心含有Ce3+的荧光体，均可替代Caα-SiAlON:Ce3+荧光体，用作第一荧光体。
此外，作为第2荧光体，还可以使用Sr0.8Ca0.2AlSiN3:Eu荧光体。由于SrCaAlSiN3:Eu(SCASN)荧光体具有较高的耐热性，因此，即使对发光部照射高输出、高光密度的激发光，发光部发生劣化的可能性也较小。而且，该荧光体的发光峰值波长为615nm～630nm，比发光峰值在620nm～680nm的CASN荧光体更接近暗视觉状态下的视觉灵敏度峰值。因此，能够实现在暗视觉状态下的识别性更高的、高亮度、高光束的前灯。
另外，作为第一荧光体还可以使用包含III-V族化合物半导体的纳米粒子荧光体。使用半导体纳米粒子荧光体时，荧光波长根据纳米粒子的大小而变化。因此，作为第一荧光体使用半导体纳米粒子荧光体时，可通过调整纳米粒子的大小，获得500nm～520nm范围内的发光峰值。
此外，当纳米粒子荧光体的粒子大小均一时，发光光谱的峰值的变化较急剧，而粒子大小不均一时，该峰值的变化就较平缓。因此，通过调整半导体纳米粒子荧光体中包含的粒子的大小发布，能够简单地调整发光部5的发光光谱。
调整半导体纳米粒子荧光体中包含的粒子的大小的调整方法，大体上可分为2类。制造半导体纳米粒子荧光体时采用化学合成方法，根据第一种调整方法，进行该合成时通过变更程序参数(例如，温度或者时间)，可调整所制造的粒子的大小。
而另一种调整方法是制造完半导体纳米粒子荧光体之后，对成品进行大小分级(筛选)。在实际应用中可组合第一种方法和第二种方法，获得所希望的大小的半导体纳米粒子荧光体。
发光峰值在500～520nm范围内的半导体纳米粒子其大小根据构成该半导体纳米粒子荧光体的材料而异，例如，InP为1.7～2.0nm，CdSe为2.0～2.2nm。
另外，作为第一荧光体和第二荧光体均可使用半导体纳米粒子荧光体。此时，纳米粒子的大小不同的2种半导体纳米粒子荧光体将混在于荧光体中。
此外，可作为第一荧光体使用氮氧化类荧光体，作为第二荧光体使用半导体纳米粒子荧光体。也可以采用相反的方式。
而且，除了第一荧光体和第二荧光体，发光部还可以包含第三荧光体，这种发光部也属于本技术范围内。重要的是，第一荧光体的发光峰值在500～520nm范围内，因此，在照明光的发光光谱中500～520nm附近的强度充分高，而其他波长范围的强度相对较低。只要能满足以上条件，作为第一荧光体之外的荧光体以及封装材，可以采用任何种类以及比例。
但是，应用于汽车前灯时，如上所述，还需要调整各荧光体的种类以及比例，以实现可满足道路运送车辆安全基准的白色。
(前灯1的效果)
如上所述，将本发明的技术思想应用于车辆用前灯时，能够实现至少在暗视觉下具有良好的识别性的前灯1。另外，通过该前灯1，能够获得可满足日本安全基准的白色光，并且，该白色光具有非常高的显色性。
以上是以日本道路运送车辆安全基准作为基准的例子，此外，还可以根据使用前灯的国家或者地区(州等)的规定来调整前灯发出的照明光的颜色。
[实施方式2]
以下，根据图7说明本发明的其他实施方式。在此实施方式中，对于与实施方式1相同的零部件，付与相同的符号，并省略其说明。在本实施方式中，说明投影机型的前灯20。
(前灯20的结构)
首先，根据图7说明本实施方式所涉及的前灯20的结构。图7是表示投影机型前灯即前灯20的结构的截面图。该前灯20与前灯1的不同之处在于是投影机型的前灯，并且，以光纤40代替导光部4。
如同图所表示，前灯20包括半导体激光器2、非球面透镜3、光纤(导光部)40、套圈9、发光部5、发射镜6、透明板7、外壳10、延伸部11、透镜12、凸透镜13以及透镜框8。其中，由半导体透镜2、光纤40、套圈9以及发光部5构成发光装置的基本结构。
前灯20是投影机型的前灯，因此具有凸透镜13。另外，在本发明中还可以使用其他类型的前灯(例如，半封闭光束前灯)，此时可省略凸透镜13。
(非球面透镜3)
非球面透镜3是用于使激发自半导体激光器2的激光(激发光)射入作为光纤40的一端的入射端部的透镜。在此，设置有与光纤40a相等数量的非球面透镜3。
(光纤40)
光纤40是用于将激发自半导体激光器2的激光导入发光部5中的导光部件，是由多个光纤40a构成的光纤束。该光纤40为两层结构，包括中心的核和包围此核且折射率低于此核的包层。该核的主成分是对激光几乎没有吸收损失的石英玻璃(氧化硅)，该包层的主成分是折射率低于所述核的石英玻璃或者合成树脂材料。
例如，光纤40是一个核的直径为200μm、包层的厚度为240μm、开口数NA为0.22的，由石英构成的结构。但光纤40的结构、粗细以及材质并不限定于此，光纤40的相对于其长轴方向的垂直截面也可以是矩形面。
光纤40具有多个用于接收上述激光的入射端部、多个用于发射从入射端部射入的激光的出射端部。如下所述，由套圈9来决定这些多个出射端部相对于发光部5的激光照射面(受光面)的位置。
(套圈9)
图8是表示光纤40a的出射端部和发光部5的位置关系的图。如同图所表示，相对于发光部5的激光照射面，套圈9以规定形式支撑光纤40a的射出端部。该光圈9可形成有用于***光纤40a的规定形式的孔，或者由可分离的上部和下部所组成，通过上部和下部的结合面上分别形成的凹槽，套在光纤40之外。
对于套圈9的材质并无特别限定，例如可以使用不锈钢。图8表示了存在3个光纤40a的情况，但光纤40a的数量并不限定于3个。此外，还可以利用从反射镜6延伸出来的棒状部件等来固定套圈9。
通过利用套圈9来决定光纤40a的出射端部的位置，能使多个光纤40a所发射的激光的光强度分布中的光强度最大的部分(最大光强度部分)分别照射到发光部5的不同的部分。根据所述结构，能防止因激光集中于一点而导致发光部5发生显著劣化。此外，出射端部与激光照射面可以直接接触，也可以稍留缝隙。
在此，并非是各光纤40a的射出端部定要分散配置，也可以通过套圈9对整束光纤40a进行定位。
(发光部5)
发光部5与实施方式1中的发光部同样，被配置在下述反射镜6的第一焦点的附近。而且，也可以将该发光部5固定在贯穿反射镜6的中心部而延伸的筒状部的前端。此时，可以使光纤40通过筒状部的内部。
(发射镜6)
反射镜6例如是表面上形成有金属薄膜的部件，对发光部5发射的光进行反射，使该光聚集于其焦点。由于前灯20是投影机型的前灯，因此，反射镜6具有与反射光的光轴方向相平行的截面为椭圆形的基本形状。反射镜6具有第一焦点与第二焦点，第二焦点位于比第一焦点更靠近反射镜6的开口部的位置。下述凸透镜13被配置在其焦点位于第二焦点附近的位置上，用于向前方投射由反射镜6进行聚光而聚集于第二焦点的光。
(凸透镜13)
凸透镜13对发光部5发射的光进行聚光，并将聚集的光投射向前灯1的前方。凸透镜13的焦点位于反射镜6的第二焦点附近，其光轴穿过发光部5的发光面的大致中央的位置。该凸透镜13被透镜框8支撑，相对于反射镜6具有固定的相对位置。在此，透镜框8也可以是反射镜6的一部分。
(其他部件)
外壳10构成前灯20的本体，用于收容反射镜6等。光纤40穿过该外壳10，半导体激光器2被设置在外壳10的外部。进行激光激发时半导体激光器2会发热，但是将半导体激光器2设置在外壳10的外部，能够有效地对半导体激光器2进行冷却。另外，考虑到半导体激光器2万一发生故障时的情况，优选将半导体激光器2设置在易于进行交换的位置。如不考虑以上，也可以将半导体激光器2收容到外壳10的内部。
延伸部11被设置在反射镜6前方的侧部，不仅能够掩盖前灯20的内部结构从而达到外观美的效果，并能提高反射镜6和车体的一体感。该延伸部11与反射镜6同样，在其表面也形成有金属薄膜。
透镜12被设置在外壳10的开口部，起着封闭前灯20的作用。发光部5发出的光通过透镜12被射到前灯1的前方。
如上所述，作为前灯本身的结构可以采用任何形式，在本发明中重要的是从发光部5发射的光充分包含有至少在暗视觉状态下具有较高识别性的波长的光。
如上所述，优选是，上述第一荧光体在其发光中心含有Ce3+。
根据上述结构，通过作为第1荧光体使用在发光中心含有Ce3+的荧光体，能够简单地生成发光光谱的峰值在500nm以上且520nm以下的范围内的，具有非常宽且包含有明视觉状态下的视觉灵敏度峰值附近的波长的发光光谱的光。
因此，能够实现在从微亮的黄昏时间(明视觉)变为夜间时间(暗视觉)的变化过程中也能保持连续的亮感的照明装置。作为在发光中心含有Ce3+的荧光体，例如有Caα-SiAlON:Ce3+。
另外，优选是，上述第二荧光体的发光光谱的峰值在600nm以上且680nm以下的范围内。
根据上述结构，上述第二荧光体的荧光的发光光谱的峰值也在600nm以上且680nm以下的范围内。由于第一荧光体的荧光的峰值在500nm以上且520nm以下的波长范围内，因此，通过改变第一荧光体以及第二荧光体的比例，能够在白色范围内简单地调整发光部所发射出的光的颜色。
此外，优选是，上述激发光源发射400nm以上且420nm以下的波长的激发光。
通过组合可发射上述波长范围内的激发光的激发光源和第一荧光体(发光峰值波长为500nm以上且520nm以下)，能够扩大第二荧光体的选择范围，第二荧光体是为了实现具备有能够发出白色光的发光部的照明装置所必须的结构。具体是，作为第二荧光体能够使用发光光谱的峰值在600nm以上且680nm以下的范围内的荧光体。
此外，优选是，上述第一荧光体是Caα-SiAlON(Silicon Aluminum Oxynitride：硅铝氧氮聚合材料):Ce荧光体.
根据上述结构，由于Caα-SiAlON-:Ce荧光体具有较高的耐热性，因此，即使向发光部照射高输出、高光密度的激发光时，发光部发生劣化的可能性也较小。因此，能够实现高亮度、高光束的照明装置。
另外，优选是，上述第一荧光体是包含III-V族化合物半导体的纳米粒子荧光体。
纳米粒子荧光体的粒子大小均一时，发光光谱的峰值的变化较急剧，而粒子大小不均一时，该峰值的变化就较平缓。因此，根据上述结构，通过调整第一荧光体所包含的粒子的大小发布，能够简单地调整发光部5的发光光谱。
另外，优选是，上述第二荧光体是CaAlSiN3:Eu荧光体。
根据上述结构，由于CaAlSiN3:Eu(CASN)荧光体也具有较高的耐热性，因此，即使向发光部照射高输出、高光密度的激发光时，发光部发生劣化的可能性较小。因此，能够实现高亮度、高光束的照明装置。
此外，优选是，所述第二荧光体是Sr0.8Ca0.2AlSiN3:Eu荧光体。
根据上述结构，由于SrCaAlSiN3:Eu(SCASN)荧光体也具有较高的耐热性，因此，即使向发光部照射高输出、高光密度的激发光时，发光部发生劣化的可能性也较小。并且，该荧光体的发光峰值波长在615nm～630nm的范围内，更接近暗视觉状态下的视觉灵敏度峰值，因此，能够实现至少在暗视觉状态下具有更高的识别性的、高亮度、高光束的照明装置。
另外，本发明的车辆用前灯的特征在于，使用了上述照明装置，而且，上述发光部所发射的光的颜色被调整成车辆用前灯颜色的相关法律所规定的范围内的白色。
在日本、美国等国家，法律规定车辆用前灯光的颜色必须是能够满足规定范围的色度的白色。
根据上述结构，第二荧光体具有与第一荧光体不同的发光光谱峰值，关于车辆用前灯的颜色，通过对第二荧光体的荧光色以及发光部中第一荧光体和第二荧光体的比例进行设定，使激发光照射到发光部时该发光部所发出的荧光色成为，该车辆用前灯的使用国家或者地区(州等)的法律所规定的范围内的白色。
因此，能够生成发光光谱的峰值在500纳米以上且520nm以下范围内的，具有法律规定的范围内的色度的光，并能实现至少在暗视觉状态下具有良好的识别性的车辆用前灯。
本发明并不限于上述各实施方式，可以在权利要求的范围内进行种种变更，通过对不同的实施方式所揭示的技术手段进行适宜组合而获得的实施方式也属于本发明的技术范围内。
(工业上的可利用性)
本发明能够适用于在有必要提高对物体的识别性的状态(尤其是黑暗场所)下所使用的照明装置或者前灯，尤其是车辆用的前灯等。

Claims (9)

1.一种照明装置，其特征在于：
包括发射激发光的激发光源以及接收所述激发光源所发射的激发光而发光的发光部，该发光部具备第一荧光体以及第二荧光体，其中，所述第一荧光体的发光光谱的峰值在500nm以上且520nm以下的范围内，所述第二荧光体具有不同于所述第一荧光体的发光光谱的峰值，
在发射自所述发光部的光的光谱中，所述第一荧光体的发光光谱的峰值的发光强度大于540nm以上且570nm以下的范围内的发光光谱的发光强度。
2.如权利要求1所述的照明装置，其特征在于：
所述第一荧光体在其发光中心含有Ce3+。
3.如权利要求1所述的照明装置，其特征在于：
所述第二荧光体的发光光谱的峰值在600nm以上且680nm以下的范围内。
4.如权利要求1所述的照明装置，其特征在于：
所述激发光源发射波长为400nm以上且420nm以下的激发光。
5.如权利要求1所述的照明装置，其特征在于：
所述第一荧光体是Caα-SiAlON:Ce荧光体。
6.如权利要求1所述的照明装置，其特征在于：
所述第一荧光体是含有III-V族化合物半导体的纳米粒子荧光体。
7.如权利要求1所述的照明装置，其特征在于：
所述第二荧光体是CaAlSiN3:Eu荧光体。
8.如权利要求1所述的照明装置，其特征在于：
所述第二荧光体是Sr0.8Ca0.2AlSiN3:Eu荧光体。
9.一种车辆用前灯，其特征在于：
使用了权利要求1所述的照明装置，
调整发射自所述发光部的光的颜色，使该颜色成为关于车辆用前灯颜色的法律所规定的范围内的白色。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104160209A (zh) * 2012-03-12 2014-11-19 齐扎拉光***有限责任公司 用于***车大灯的光导元件
WO2015052238A1 (de) * 2013-10-08 2015-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtstoff, verfahren zum herstellen eines leuchtstoffs und verwendung eines leuchtstoffs
CN105940260A (zh) * 2014-01-24 2016-09-14 株式会社小糸制作所 车辆用灯具
CN104141922B (zh) * 2013-05-10 2017-07-21 现代摩比斯株式会社 光导装置
CN110246337A (zh) * 2018-08-10 2019-09-17 浙江大华技术股份有限公司 一种检测违规使用车灯的方法、装置及计算机存储介质

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4991834B2 (ja) 2009-12-17 2012-08-01 シャープ株式会社 車両用前照灯
JP5232815B2 (ja) 2010-02-10 2013-07-10 シャープ株式会社 車両用前照灯
US8733996B2 (en) 2010-05-17 2014-05-27 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, illuminating device, and vehicle headlamp
EP2521480B1 (en) * 2010-08-24 2014-10-01 OSRAM GmbH Colour-tunable light source unit with phosphor element
US9816677B2 (en) 2010-10-29 2017-11-14 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and laser element
JP5487077B2 (ja) 2010-10-29 2014-05-07 シャープ株式会社 発光装置、車両用前照灯および照明装置
JP5259791B2 (ja) 2010-10-29 2013-08-07 シャープ株式会社 発光装置、車両用前照灯、照明装置、及び車両
JP5336564B2 (ja) 2010-10-29 2013-11-06 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、車両用前照灯および車両
JP2012119193A (ja) * 2010-12-01 2012-06-21 Sharp Corp 発光装置、車両用前照灯、照明装置、及び車両
JP5788194B2 (ja) 2011-03-03 2015-09-30 シャープ株式会社 発光装置、照明装置、及び車両用前照灯
US9108568B2 (en) 2011-06-29 2015-08-18 Sharp Kabushiki Kaisha Light-projecting device, and vehicle headlamp including light-projecting device
CN102707551B (zh) * 2011-08-04 2015-04-29 深圳市光峰光电技术有限公司 照明装置和投影装置
GB2497949A (en) * 2011-12-22 2013-07-03 Sharp Kk Headlight system with adaptive beam function
JP5535252B2 (ja) * 2012-02-08 2014-07-02 シャープ株式会社 投光装置およびそれに用いられる導光部材
WO2013136732A1 (ja) * 2012-03-12 2013-09-19 パナソニック株式会社 蛍光体およびそれを用いた発光装置
WO2014077240A1 (ja) * 2012-11-13 2014-05-22 電気化学工業株式会社 蛍光体、発光素子及び照明装置
TW201425803A (zh) * 2012-12-21 2014-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 發光二極體車燈
JP6036728B2 (ja) * 2014-02-28 2016-11-30 信越化学工業株式会社 照明装置
KR102390254B1 (ko) * 2015-06-24 2022-05-06 현대모비스 주식회사 차량용 레이저 헤드램프
JP6593189B2 (ja) 2016-01-21 2019-10-23 日亜化学工業株式会社 光源装置
DE102016106244A1 (de) 2016-04-06 2017-10-12 Hella Kgaa Hueck & Co. Lichtquelle für eine Beleuchtungsvorrichtung sowie Beleuchtungsvorrichtung mit einer derartigen Lichtquelle
US11231569B2 (en) * 2018-06-13 2022-01-25 Panasonic Corporation Light-emitting device and illumination device
EP3923353A4 (en) * 2019-02-04 2022-04-06 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND MEDICAL DEVICE USING IT
CZ202380A3 (cs) * 2023-03-01 2024-01-10 Crytur, Spol. S.R.O. Světelný zdroj

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1824728A (zh) * 2005-02-22 2006-08-30 夏普株式会社 氧氮化物磷光体和半导体发光器件
US20060255711A1 (en) * 2005-04-12 2006-11-16 Norihiro Dejima Lighting unit, display device, and phosphor film
US20090008655A1 (en) * 2006-01-31 2009-01-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. White Light Source

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000231905A (ja) * 1998-12-07 2000-08-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蛍光ランプ
DE10146719A1 (de) * 2001-09-20 2003-04-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP2004114162A (ja) * 2002-09-20 2004-04-15 Japan Fine Ceramics Center 微細加工ダイヤモンド素子及び微細加工ダイヤモンド素子作製方法
JP4263453B2 (ja) * 2002-09-25 2009-05-13 パナソニック株式会社 無機酸化物及びこれを用いた発光装置
JP3837588B2 (ja) * 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP2006309219A (ja) * 2005-04-25 2006-11-09 Samsung Electronics Co Ltd 自発光液晶表示装置
JP5145534B2 (ja) * 2005-07-01 2013-02-20 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法および照明器具
KR100665221B1 (ko) * 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 백색 발광 장치
KR101249078B1 (ko) * 2006-01-20 2013-03-29 삼성전기주식회사 실록산계 분산제 및 이를 포함하는 나노입자 페이스트조성물
CN101379164B (zh) * 2006-02-10 2012-11-21 三菱化学株式会社 荧光体及其制造方法、含荧光体的组合物、发光装置、图像显示装置和照明装置
JP4822919B2 (ja) * 2006-04-26 2011-11-24 シャープ株式会社 発光装置および車両用ヘッドランプ
US20110182072A1 (en) * 2007-06-29 2011-07-28 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, production method of phosphor, phosphor-containing composition, and light emitting device
US7732553B2 (en) * 2008-02-28 2010-06-08 The Regents Of The University Of California Method of producing encapsulation resins
JP4617367B2 (ja) * 2008-03-13 2011-01-26 シャープ株式会社 前照灯およびそれを光源として用いた車両用赤外線暗視装置
JP2010062108A (ja) * 2008-09-08 2010-03-18 Sharp Corp 照明冷却システム、および、照明冷却システムに用いられる冷蔵庫
US8822954B2 (en) * 2008-10-23 2014-09-02 Intematix Corporation Phosphor based authentication system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1824728A (zh) * 2005-02-22 2006-08-30 夏普株式会社 氧氮化物磷光体和半导体发光器件
US20060255711A1 (en) * 2005-04-12 2006-11-16 Norihiro Dejima Lighting unit, display device, and phosphor film
US20090008655A1 (en) * 2006-01-31 2009-01-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. White Light Source

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104160209A (zh) * 2012-03-12 2014-11-19 齐扎拉光***有限责任公司 用于***车大灯的光导元件
CN104160209B (zh) * 2012-03-12 2017-06-30 Zkw集团有限责任公司 用于***车大灯的光导元件
CN104141922B (zh) * 2013-05-10 2017-07-21 现代摩比斯株式会社 光导装置
US10711191B2 (en) 2013-10-08 2020-07-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Phosphor, method for producing a phosphor and use of a phosphor
WO2015052238A1 (de) * 2013-10-08 2015-04-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtstoff, verfahren zum herstellen eines leuchtstoffs und verwendung eines leuchtstoffs
CN105637063A (zh) * 2013-10-08 2016-06-01 欧司朗光电半导体有限公司 发光材料、用于制造发光材料的方法和发光材料的应用
US9719014B2 (en) 2013-10-08 2017-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lighting device comprising a primary radiation source and a first phosphor
US9719013B2 (en) 2013-10-08 2017-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Phosphor, method for producing a phosphor and use of a phosphor
US9725646B2 (en) 2013-10-08 2017-08-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Phosphor, method for producing a phosphor and use of a phosphor
US11292965B2 (en) 2013-10-08 2022-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Phosphor, method for producing a phosphor and use of a phosphor
CN105637063B (zh) * 2013-10-08 2018-06-12 欧司朗光电半导体有限公司 发光材料、用于制造发光材料的方法和发光材料的应用
CN105940260A (zh) * 2014-01-24 2016-09-14 株式会社小糸制作所 车辆用灯具
US9915403B2 (en) 2014-01-24 2018-03-13 Koito Manufacturing Co., Ltd. Vehicle lamp
CN110246337A (zh) * 2018-08-10 2019-09-17 浙江大华技术股份有限公司 一种检测违规使用车灯的方法、装置及计算机存储介质

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Publication number Publication date
JP2011233511A (ja) 2011-11-17
US20110248624A1 (en) 2011-10-13
JP5059208B2 (ja) 2012-10-24

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