CN102236955A - 报警电路装置 - Google Patents

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任文华
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Chen Dalin
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Abstract

报警电路装置涉及一种开关式报警装置，它包括：具有两个输出端的电源(1)；具有两个输入端的告警器(2)；具有漏极、源极和栅极的场效应晶体管(Q)，它与告警器串联后并接于电源的两个输出端上；常闭型开关(3)；电阻(R)，它与常闭型开关串联后并接于电源的两个输出端上，并且它与常闭型开关的连接点(H)与场效应晶体管的栅极连接。本发明装置具有节能、误报率低等特点。

Description

报警电路装置
技术领域
本发明涉及一种报警装置，特别涉及一种开关式报警装置。
背景技术
开关式报警装置具有成本低、误报率低等特点，其用途广泛。现有的采用常闭型开关作为探测器的开关式报警装置，即使处于设防的非报警状态，也需要消耗较多的电能，这严重影响其电源的使用时间或浪费能源。因此很有必要进行改进。
发明内容
本发明的目的是要提供一种节能的包含有常闭型开关的开关式报警装置。
为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案：按照本发明，一种报警电路装置，其特征在于它包括：具有两个输出端的电源，用于提供直流；具有两个输入端的告警器，用于发出告警信号；具有漏极、源极和栅极的场效应晶体管，漏极和源极作为它的二个输入端，栅极作为它的控制端，其中的一个输入端与告警器的一个输入端连接，其中的另一个输入端和告警器的另一个输入端分别连接于电源的两个输出端上；具有两个输入端的常闭型开关，用于探测需报警的信号；电阻，它的一端与常闭型开关的一个输入端连接，它的另一端和常闭型开关的另一个输入端分别连接于电源的两个输出端上，并且它与常闭型开关的连接点与场效应晶体管的控制端即栅极连接。
所述的场效应晶体管可以为一增强型NMOS管，其漏极与所述电源两个输出端中的电位较高的输出端连接；所述电阻不与常闭型开关连接的一端与所述电源两个输出端中的电位较高的输出端连接。
所述的场效应晶体管可以为一增强型NMOS管，其源极与所述电源两个输出端中的电位较低的输出端连接；所述电阻不与常闭型开关连接的一端与所述电源两个输出端中的电位较高的输出端连接。
所述的场效应晶体管可以为一增强型PMOS管，其漏极与所述电源两个输出端中的电位较低的输出端连接；所述电阻不与常闭型开关连接的一端与所述电源两个输出端中的电位较低的输出端连接。
所述的场效应晶体管可以为一增强型PMOS管，其源极与所述电源两个输出端中的电位较高的输出端连接；所述电阻不与常闭型开关连接的一端与所述电源两个输出端中的电位较低的输出端连接。
所述的报警电路装置还可以包括常开型开关，其常开型开关可以并接在所述场效应晶体管的漏极和源极上。
所述的电阻，其阻值通常大于10兆欧，其阻值越大越能减少电阻上的能耗。
本发明具有如下积极效果：
本发明的报警电路装置，在设防状态，其场效应晶体管处于关断状态，其告警器不能获得电源提供的电能，即这种状态其告警器不消耗电能；另外其电阻的阻值可以选得很大如50兆欧，能有效减少电阻本身在设防状态下的耗能。因此本发明的报警电路装置具有显著的节能效果。
附图说明
图1是本发明的报警电路装置的示意图；
图2是本发明的报警电路装置的第二个实施例；
图3是本发明的报警电路装置的第三个实施例；
图4是本发明的报警电路装置的第四个实施例；
图5是本发明的报警电路装置的第五个实施例；
图6是本发明的报警电路装置的又一个实施例。
具体实施方式
图1是本发明的报警电路装置的示意图。从图中可见，本发明的报警电路装置包括：电源1，它有输出端A和输出端B，输出端A的电位为正，输出端B的电位为负；具有输入端E和输入端F的告警器2，用于发出告警信号，如发出声光信号；场效应晶体管Q为一增强型NMOS管，它有漏极D、源极S和栅极G的，漏极和源极作为它的二个输入端，栅极作为它的控制端，作为场效应晶体管的一个输入端的漏极D与电源1的输出端A连接，作为场效应晶体管的另一个输入端的源极S与告警器2的输入端E连接，告警器2的输入端F与电源1的输出端B连接；常闭型开关3，它有两个输入端；电阻R为一阻值很大的电阻，如50兆欧的电阻，它的一端与常闭型开关3的一个输入端连接，它的另一端与电源1的输出端A连接，常闭型开关3的另一个输入端与电源1的输出端B连接，电阻R与常闭型开关3的连接点H与场效应晶体管的控制端即栅极G连接。
本发明装置处于设防工作状态时，从图1中容易看出，这时增强型NMOS管的栅极G处于低电位，增强型NMOS管的漏极D和源极S之间处于关断状态，这时告警器不能从电源1处获取电能，所以告警器在设防工作状态不耗能；只有当常闭型开关探测到危险信号而断开后，增强型NMOS管由于这时的栅极G处于高电位而导通，其告警器才能获得电源的能量并发出告警信息；由于电阻R的阻值很大，其电阻R上的耗能很小。因此本发明装置具有很好的节能效果。
图2示出了本发明的报警电路装置的第二个实施例。从图中很容易看出，该实施例与图1所示的实施例相似，只是在本实施例中，所述的场效应晶体管为一增强型PMOS管；所述电源1，它的输出端A的电位为负，它的输出端B的电位为正。
图3是本发明的报警电路装置的第三个实施例。从图中很容易看出，该实施例与图1所示的实施例相似，只是在本实施例中，场效应晶体管Q、告警器2及电源1的连接有所不同，场效应晶体管Q的漏极D与告警器2的输入端F连接，场效应晶体管Q的源极S与电源1的输出端B连接，告警器2的输入端E与电源1的输出端A连接。
图4是本发明的报警电路装置的第四个实施例。从图中很容易看出，该实施例与图3所示的实施例相似，只是在本实施例中，场效应晶体管为一增强型PMOS管；所述电源1，它的输出端A的电位为负，它的输出端B的电位为正。
图5是本发明的报警电路装置的第五个实施例。从图中很容易看出，该实施例与图1所示的实施例相似，只是在本实施例中，还设置有一个常开型开关4，它并接在场效应晶体管Q的漏极D和源极S上。这样可以同时利用常闭型开关3和常开型开关4来探测需报警的信号。
图6是本发明的报警电路装置的又一个实施例。从图中很容易看出，该实施例与图2所示的实施例相似，只是在本实施例中，还设置有一个常开型开关4，它并接在场效应晶体管Q的漏极D和源极S上。它同时利用常闭型开关3和常开型开关4来探测需报警的信号。
尽管已经展示和描述了目前认为是优选的本发明的实施例，但显而易见，本领域的技术人员可以进行各种改变和改进，而不背离由所附权利要求书所限定的本发明的范围。

Claims (6)

1.一种报警电路装置，其特征在于它包括：
具有两个输出端(A、B)的电源(1)，用于提供直流；
具有两个输入端(E、F)的告警器(2)，用于发出告警信号；
具有漏极(D)、源极(S)和栅极(G)的场效应晶体管(Q)，漏极和源极作为它的二个输入端，栅极作为它的控制端，其中的一个输入端与告警器的一个输入端连接，其中的另一个输入端和告警器的另一个输入端分别连接于电源的两个输出端上；
具有两个输入端的常闭型开关(3)，用于探测需报警的信号；
电阻(R)，它的一端与常闭型开关的一个输入端连接，它的另一端和常闭型开关的另一个输入端分别连接于电源的两个输出端上，并且它与常闭型开关的连接点(H)与场效应晶体管的控制端即栅极连接。
2.如权利要求1所述的一种报警电路装置，其特征在于，所述的场效应晶体管为一增强型NMOS管，其漏极与所述电源两个输出端中的电位较高的输出端连接；所述电阻不与常闭型开关连接的一端与所述电源两个输出端中的电位较高的输出端连接。
3.如权利要求1所述的一种报警电路装置，其特征在于，所述的场效应晶体管为一增强型PMOS管，其漏极与所述电源两个输出端中的电位较低的输出端连接；所述电阻不与常闭型开关连接的一端与所述电源两个输出端中的电位较低的输出端连接。
4.如权利要求1所述的一种报警电路装置，其特征在于，所述的场效应晶体管为一增强型NMOS管，其源极与所述电源两个输出端中的电位较低的输出端连接；所述电阻不与常闭型开关连接的一端与所述电源两个输出端中的电位较高的输出端连接。
5.如权利要求1所述的一种报警电路装置，其特征在于，所述的场效应晶体管为一增强型PMOS管，其源极与所述电源两个输出端中的电位较高的输出端连接；所述电阻不与常闭型开关连接的一端与所述电源两个输出端中的电位较低的输出端连接。
6.如权利要求1至5之一所述的一种报警电路装置，其特征在于，在所述的场效应晶体管的漏极和源极上还并接有一个常开型开关。
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