CN102236226A

CN102236226A - 用于平面转换模式液晶显示器件的阵列基板

Info

Publication number: CN102236226A
Application number: CN2011101149537A
Authority: CN
Inventors: 李源镐
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2010-04-29
Filing date: 2011-04-28
Publication date: 2011-11-09
Anticipated expiration: 2031-04-28
Also published as: US8456600B2; US20110267571A1; KR101237791B1; KR20110120624A; CN102236226B

Abstract

本发明公开了一种用于平面转换模式液晶显示器件的阵列基板，包括：栅线，位于包括像素区的基板上，该像素区包括在相对于栅线的下侧的第一域和在相对于栅线的上侧的第二域；数据线，与栅线交叉；薄膜晶体管，位于像素区中并位于栅线和数据线的交叉部处；多个第一像素电极，位于第一域中；多个第二像素电极，位于第二域中，多个第一像素电极和多个第二像素电极共用该薄膜晶体管；多个第一公共电极，位于第一域中并且与多个第一像素电极交替布置；多个第二公共电极，位于第二域中并且与多个第二像素电极交替布置。

Description

用于平面转换模式液晶显示器件的阵列基板

本申请要求2010年4月29日提交的韩国专利申请第10-2010-0040110的优先权，其全部内容包括在此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种平面转换(in-plane switching，IPS)模式液晶显示(LCD)器件，尤其涉及能够防止色移(color shift)问题并增加孔径比的用于IPS模式LCD器件的阵列基板。

背景技术

相关技术的液晶显示(LCD)器件利用液晶分子的光学各向异性和偏振特性。液晶分子由于它们的薄且长的形状而具有确定的取向方向(alignmentdirection)。可以通过跨液晶分子施加电场来控制液晶分子的取向方向。换句话说，随着电场的强度或方向发生改变，液晶分子的取向也变化。由于液晶分子的光学各向异性，入射光基于液晶分子的取向而被折射，所以可以通过控制光透射率来显示图像。

由于被称为有源矩阵LCD(AM-LCD)器件的、包括薄膜晶体管(TFT)作为转换元件的LCD器件具有高分辨率和能显示移动图像的优异特性，所以AM-LCD器件被广泛使用。

AM-LCD器件包括：阵列基板、滤色器基板、和设置在二者间的液晶层。阵列基板可以包括像素电极和TFT，滤色器基板可以包括滤色器层和公共电极。通过像素电极和公共电极之间的电场来驱动AM-LCD器件，以具有优异的透光度和孔径比性能。然而，由于AM-LCD器件使用垂直电场，所以AM-LCD器件具有差的视角。

可以用平面转换(IPS)模式LCD器件来解决上述局限。图1是根据相关技术的IPS模式LCD器件的剖视图。如图1所示，阵列基板和滤色器(colorfilter)被隔开并彼此面对。阵列基板包括：第一基板10、公共电极17、和像素电极30。虽然未图示，但是阵列基板可以包括TFT、栅线、数据线等。滤色器基板包括：第二基板9、滤色器层(未图示)等。液晶层11被***到第一基板10和第二基板9之间。由于公共电极17和像素电极30在相同的水平面上形成在第一基板10上，所以在公共电极17和像素电极30之间产生水平电场“L”。液晶层11的液晶分子受水平电场所驱动，使得IPS模式LCD器件具有宽的视角。

图2A和2B是显示根据相关技术的IPS模式LCD器件的开启/关闭情形的剖面图。如图2A所示，当对IPS模式LCD器件施加电压时，公共电极17和像素电极30上方的液晶分子11a无变化。而公共电极17和像素电极30之间的液晶分子11b由于水平电场“L”而水平排列。由于液晶分子经由水平电场所排列，所以IPS模式LCD器件具有宽视角的特性。图2B示出了当不对IPS模式LCD器件施加电压的情形。由于在公共电极17和像素电极30之间没有产生电场，所以液晶分子11的排列不变。

图3是示出用于根据相关技术的IPS模式LCD器件的阵列基板的一个像素区域的平面图。

如图3所示，在基板40上形成栅线43、与该栅线43平行并分隔开的公共线(common line)47、与该栅线43交叉以限定像素区“P”的数据线60。

薄膜晶体管(TFT)“Tr”形成在栅线43与数据线60的交叉部处。TFT“Tr”包括：栅极电极45、半导体层(未图示)、源极电极53、和漏极电极55。源极电极53和栅极电极45分别从数据线60和栅线53延伸，使得TFT“Tr”被连接到数据线60和栅线43。

此外，通过漏极接触孔67电连接到漏极电极55的多个像素电极70a和70b、和多个公共电极49a和49b形成在像素区“P”中。公共电极49a和49b与像素电极70a和70b交替地设置，并从公共线47延伸。

不幸的是，由于在一个像素区中产生单个域(domain)，所以在上右、上左、下右和下左侧处有色移问题。尤其是，在上左侧即10点钟方向上产生严重的黄色色移问题，并且在上右侧即2点钟方向上产生严重的蓝色色移问题。

为了解决上述色移问题，引入了每一个像素电极和公共电极的中心被弯曲使得阵列基板具有双域结构的阵列基板。

图4A和4B是图示具有双域结构的阵列基板的示意图。图4A和4B示出了公共电极80、像素电极83、摩擦方向“rb”、偏振板的第一偏振轴“POL1”和第二偏振轴“POL2”、和低灰度级下的液晶分子90的指向矢(director)。公共电极80和像素电极83在中心处对称弯曲，使得在一个像素区“P”中产生双域结构。结果是通过域的平衡(counterbalance)防止了色移问题。

更详细地说，如示出了全白模式的示意图的图4B所示，当摩擦方向“rb”平行于彼此垂直的第一偏振轴“POL1”和第二偏振轴“POL2”中的一个时，第一域“D1”处的液晶分子90的指向矢与第二域“D2”处的液晶分子90的指向矢彼此十分对称。结果是防止了色移问题。

然而，如示出了低灰度级模式的示意图的图4A所示，第一域“D1”处的液晶分子90的方向与第二域“D2”处的液晶分子90的方向彼此不十分对称，使得域“D1”和域“D2”的平衡也不是很好。结果是仍然产生色移的问题。

此外，由于第一域“D1”和第二域“D2”的边界位于像素区“P”中，所以产生了光泄漏的问题。当形成光屏蔽元件例如黑色矩阵来防止光泄漏问题时，孔径比被降低。

发明内容

因此，本发明旨在提供一种用于IPS模式LCD器件的阵列基板，该阵列基板显著地消除了由于相关技术的局限和缺点所带来的一个或多个问题。

本发明的其他特征和优点将在下面的说明中阐述，并且部分将从下面的说明中变得显而易见，或者可以通过本发明的实践来获知。本发明的目的和其他优点将通过在书面描述和其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现并获得。

为了实现这些和其他优点并且根据本发明的目的，如在此实施的和宽泛地描述的，用于平面转换模式液晶显示器件的阵列基板包括：栅线，位于包括像素区的基板上，该像素区包括在相对于栅线的下侧的第一域和在相对于栅线的上侧的第二域；数据线，与栅线交叉；薄膜晶体管，位于像素区中并位于栅线和数据线的交叉部处；多个第一像素电极，位于第一域中；多个第二像素电极，位于第二域中，多个第一像素电极和多个第二像素电极共用该薄膜晶体管；多个第一公共电极，位于第一域中并且与多个第一像素电极交替布置；多个第二公共电极，位于第二域中并且与多个第二像素电极交替布置。

在本发明的另一个方面中，制造用于平面转换模式液晶显示器件的阵列基板的方法包括：在具有像素区的基板上形成栅线、第一公共线和第二公共线，栅线设置在第一公共线和第二公共线之间；在栅线、第一公共线和第二公共线之上形成数据线，数据线与第一公共线和第二公共线交叉以分别限定在像素区中的第一域和第二域；在像素区和栅线和数据线的交叉部处形成薄膜晶体管；在第一域中形成多个第一像素电极，在第二域中形成多个第二像素电极，在第一域中形成多个第一公共电极，在第二域中形成多个第二公共电极，其中多个第一像素电极和多个第二像素电极共用该薄膜晶体管，并且其中多个第一公共电极与多个第一像素电极交替布置，多个第二公共电极与多个第二像素电极交替布置。

应该理解的是，前面的概括描述和下面的详细描述是示例性的和解释性的，旨在提供对要求保护的本发明的进一步的解释。

附图说明

包括以提供对本发明的进一步理解的附图合并在内并且形成本说明书的一部分，图示本发明的实施方式并且与说明书一起来解释本发明的原理。

图1是根据相关技术的IPS模式LCD显示器件的剖面图。

图2A和2B是示出根据相关技术的IPS模式LCD器件的开启/关闭情形的剖面图。

图3是示出根据相关技术的用于IPS模式LCD器件的阵列基板的一个像素区的平面图。

图4A和4B是图示具有双域结构的阵列基板的示意图。

图5是示出根据本发明的用于IPS模式LCD器件的阵列基板的一部分的示意平面图。

图6是沿图5的VI-VI线截取的剖面图。

图7是沿图5的VII-VII线截取的剖面图。

图8是示出根据本发明的用于IPS模式LCD器件的阵列基板的公共电极、像素电极和栅线的示意图。

图9A到9F是示出沿图5的VI-VI线截取的部分的制造工序的剖面图。

图10A到10F是示出沿图5的VII-VII线截取的部分的制造工序的剖面图。

具体实施方式

现在将详细参照优选实施方式，其示例在附图中图示。

图5是示出根据本发明的用于IPS模式LCD器件的阵列基板的一部分的示意俯视图。

如图5所示，栅线103和数据线135在基板101上形成。栅线103沿一方向例如水平方向延伸，并且数据线135与栅线103交叉。数据线135在栅线103之上具有弯曲部。换句话说，数据线135具有曲折(zigzag)形状。

第一公共线109a和第二公共线109b设置在与栅线103相同的层上。第一公共线109a和第二公共线109b与数据线13交叉以限定像素区“P”。像素区“P”关于栅线103被划分为第一域“D1”和第二域“D2”。即，栅线103跨过像素区“P”的中心延伸，并且第一公共线109a和第二公共线109b分别设置在第一域“D1”和第二域“D2”的端部。即，第一和第二公共线109a和109b分别设置在像素区“P”的相对端。沿不同的方向摩擦第一域“D1”和第二域“D2”的中的取向层(未图示)，使得第一域“D1”和第二域“D2”中的液晶分子在最初的排列上有差别。结果是，第一域“D1”和第二域“D2”的边界设置在栅线103之上。即，由于共用TFT“Tr”的第一域“D1”和第二域“D2”的边界设置于栅线103之上，所以不需要使用来屏蔽通过边界的光泄漏的光屏蔽元件。因此，防止了孔径比的降低。

此外，由于一个像素区中的域与相邻像素区中的域具有不同的域布置，所以进一步防止了色移的问题。即，包括在上侧的第一域“D1”和在下侧的第二域“D2”的第一像素区与包括在下侧的第一域“D1”和在上侧的第二域“D2”的第二像素区沿数据线135的方向彼此交替布置。换句话说，两个第一域“D1”和两个第二域“D2”沿数据线135的方向彼此交替布置。

在第一域“D1”中有多个第一像素电极170a和多个第一公共电极173a，在第二域“D2”中有多个第二像素电极170b和多个第二公共电极173b。第一域“D1”中的第一像素电极170a和第二域“D2”中的第二像素电极170b共用TFT“Tr”。彼此分隔开的第一像素电极170a和彼此分隔开的第一公共电极173a平行于数据线135，同时彼此分隔开的第二像素电极170b和彼此分隔来的第二公共电极173b与数据线135交叉。

在每一个像素区“P”中，在栅线103和数据线135的交叉部处形成薄膜晶体管(TFT)“Tr”。TFT“Tr”包括：栅极电极106、栅绝缘层(未图示)、半导体层(未图示)、源极电极138、和漏极电极141。栅极电极106和源极电极138分别从栅线103和数据线135延伸，使得TFT“Tr”电连接到栅线103和数据线135。漏极电极141与源极电极138分隔开。

在第一域“D1”中，沿第一域“D1”的边缘形成从第一公共线109a延伸的第一辅助公共图案111a。换句话说，第一辅助公共图案111a与第一公共线109a形成矩形形状，使得第一域“D1”被第一辅助公共图案111a和第一公共线109a所包围。漏极电极141延伸到覆盖(overlap)第一辅助公共图案111a的平行于栅线103的部分，使得形成第一存储电容器“StgC1”。即，第一辅助公共图案111a的重叠部分用作第一存储电容器“StgC1”的第一存储电极，并且漏极电极141的重叠部分用作第一存储电容器“StgC1”的第二存储电极。

此外，在第一域“D1”中形成通过第一公共接触孔166a接触第一公共线109a并且覆盖第一公共线109a的第二辅助公共图案172a。即，第二辅助公共图案172a延伸至与第一公共线109a平行。从第二辅助公共图案172a中分支出多个第一公共电极173a以与数据线135平行。

而且，在第一域“D1”中形成通过漏极接触孔165接触漏极电极141的第一辅助像素图案168a。从第一辅助像素图案168a中分支出多个第一像素电极170a以与数据线135平行。多个第一像素电极170a与多个第一公共电极173a交替布置并与其平行。

在第二域“D2”中，形成从第二公共线109b延伸到栅线103并且与第二公共线109b形成“C”型的第三辅助公共图案111b。即，第三辅助公共图案111b延伸到栅线103并且被弯曲以与栅线103平行。第三辅助公共图案111b用作第二存储电容器“StgC2”的第三存储电极。

此外，形成接触漏极电极141的从第一辅助像素图案168a延伸的第二辅助像素图案168b。第二辅助像素图案168b与第三辅助公共图案111b相对应。即，第二辅助像素图案168b覆盖第三辅助公共图案111b并且用作第二存储电容器“StgC2”的第四存储电极。第三辅助公共图案111b和第二辅助像素图案168b形成第二存储电容器“StgC2”。从第二辅助像素图案168b中分支出多个第二像素电极170b。多个第二像素电极170b与数据线135交叉。例如，第二域“D2”中的多个第二像素电极170b垂直于第一域“D1”中的多个第一像素电极170a。多个第一像素电极170a基本上平行于数据线135，同时多个第二像素电极173a基本上垂直于数据线135。

而且，在第二域“D2”中形成第四辅助公共图案172b。第四辅助公共图案172b通过第二公共接触孔166b接触第二公共线109b，并且延伸到与数据线135平行。第四辅助公共图案172b设置在第二域“D2”的一侧。结果是，第四辅助公共图案172b面对第三辅助公共图案111b。多个第二公共电极173b从第四辅助公共图案172b分支出，并与多个第二像素电极170b交替布置。

相邻两个像素区“P”的第一域“D1”之间的第一公共线109a与栅线103平行，同时相邻两个像素区“P”的第二域“D2”之间的第二公共线109b与栅线103倾斜。第一公共线109b具有直线形状，同时第二公共线109b具有楼梯形状。

在具有上述布置的根据本发明的用于IPS模式LCD器件的阵列基板中，不管驱动电压多大，由第一像素电极170a和第一公共电极173a之间的水平电场所驱动的液晶分子的指向矢总是垂直于由第二像素电极170b和第二公共电极173b之间的水平电场所驱动的液晶分子的指向矢。结果是，在整个灰度级上防止了色移问题。

此外，由于在第一公共线109a和第二公共线109b的每一个的两侧上设置相同的域，所以第一域“D1”和第二域“D2”的一个边界沿栅线130与相邻的另一个边界具有距离。当根据本发明的阵列基板具有与相关技术的阵列基板相同尺寸的像素区“P”和相同数量的像素区“P”时，第一域“D1”和第二域“D2”的边界的数量减半。另一方面，第一域“D1”和第二域“D2”通过扫描型UV照射被不同地取向。因此，降低了用于不同取向的取向处理时间。而且，由于不同像素区“P”中的相同域是连续的，所以相对低分辨率的UV照射装置就足够了。结果是降低了生产成本。

参考图8和图5，图8是示出了根据本发明的用于IPS模式LCD器件的阵列基板的公共电极、像素电极和栅线的示意图，设置在LCD器件的外侧上的第一和第二偏振器(未图示)分别具有第一偏振轴“Pol1”和第二偏振轴“Pol2”。第一偏振轴“Pol1”基本上平行于栅线103，同时第二偏振轴“Pol2”基本上垂直于栅线103。在这种情况下，第一域“D1”中的第一摩擦方向“rb1”基本上平行于栅线103，同时第二域“D2”中的第二摩擦方向“rb2”基本上垂直于栅线103。即，第一摩擦方向“rb1”和第二摩擦方向“rb2”分别平行于第一偏振轴“Pol1”和第二偏振轴“Pol2”。

结果是，没有电压，第一域“D1”中的液晶分子190的指向矢和第二域“D2”中的液晶分子190的指向矢分别平行于第一摩擦方向“rb1”和第二摩擦方向“rb2”。由于第一域“D1”和第二域“D2”中的液晶分子190的指向矢的初始排列平行于或垂直于第一偏振轴“Pol1”和第二偏振轴“Pol2”，所以LCD器件具有黑色模式。此外，由于第一域“D1”和第二域“D2”中的第一摩擦方向“rb1”和第二摩擦方向“rb2”彼此垂直，所以不会产生色移问题。

而且，由于第一偏振轴“Pol1”和第二偏振轴“Pol2”中的一个平行于栅线103，所以LCD器件在前视图中产生最大的黑色图像。结果是提高了LCD器件的对比度(contrast ratio)。

图6是沿图5的VI-VI线截取的剖面图，图7是沿图5的VII-VII线截取的剖面图。为了便于解释，限定了在其中形成TFT作为转换元件的转换区“TrA”。

参考图6、7和5，具有直线形状的栅线103形成在基板101上。栅线103跨像素区“P”的中心延伸。第一公共线109a和第二公共线109b分别设置在像素区“P”的相对端上。第一公共线109a具有直线形状，而第二公共线109b具有楼梯形状。此外，从栅线103延伸的栅极电极106形成在转换区“TrA”中。而且，在第一域“D1”和第二域“D2”中分别形成从第一公共线109a延伸并且与第一公共线109a形成矩形形状的第一辅助公共图案111a和从第二公共线109b延伸并且与第二公共线109b形成“C”型的第三辅助公共图案111b。

栅绝缘层117形成在栅线103、栅极电极106、第一公共线109a和第二公共线109b、第一辅助公共图案111a和第三辅助公共图案111b上。例如，栅绝缘层117可以由无机绝缘材料例如氧化硅或氮化硅来形成。

包括有源层120a和欧姆接触层120b的半导体层120形成在栅绝缘层上和转换区“TrA”中。有源层120a包括本征非晶硅，欧姆接触层120b包括杂质掺杂的非晶硅。

源极电极138和与该源极电极138分隔开的漏极电极141形成在半导体层120上。与栅线103交叉以限定像素区“P”的数据线135形成在栅绝缘层117上。数据线135在栅线103的交叉部处具有弯曲形状。即，数据线135具有曲折形状。源极电极138连接到数据线135。漏极电极141延伸到覆盖第一辅助公共图案111a的一部分。第一辅助公共图案111a的被覆盖部分、漏极电极141的被覆盖部分以及其间的栅绝缘层117形成第一存储电容器“StgC1”。栅极电极103、栅绝缘层117、半导体层120、源极电极138和漏极电极141形成TFT“Tr”。该TFT“Tr”连接到栅线103和数据线135。

钝化层163形成在数据线135和TFT“Tr”上。钝化层163包括分别暴露第一公共线109a和第二公共线109b的第一公共接触孔166a和第二公共接触孔166b以及暴露漏极电极141的漏极接触孔165。

第二辅助公共图案172a和第一公共电极173a形成在钝化层163上和第一域“D1”中。第二辅助公共图案172a和第一公共电极173a中的每一个由透明导电材料例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)形成。第二辅助公共图案172a通过第一公共接触孔166a接触第一公共线109a并且覆盖第一公共线109a。第一公共电极173a从第二辅助公共图案172a延伸。

此外，第一辅助像素图案168a和第一像素电极170a形成在钝化层163上和第一域“D1”中。第一辅助像素图案168a通过漏极接触孔165接触漏极电极141。第一像素电极170a从第一辅助像素图案168a延伸并且与第一公共电极173a交替布置。

第二辅助像素图案168b、第二像素电极170b、第四辅助公共图案172b、和第二公共电极173b形成在钝化层163上和第二域“D2”中。第二辅助像素图案168b连接到第一辅助像素图案168a并且覆盖第三辅助公共图案111b。第三辅助公共图案111b的被覆盖部分、第二辅助像素图案168b的被覆盖部分、以及二者间的栅绝缘层117和钝化层163形成第二存储电容器“StgC2”。第二像素电极170b在第一域“D1”中从第二辅助像素图案168b延伸并且垂直于第一像素电极170a。第四辅助公共图案172b通过第二公共接触孔166b接触第二公共线109b，并且面对第三辅助公共图案111b。第二公共电极173b从第四辅助公共图案172b延伸并且与第二像素电极170b交替布置。例如，第二辅助公共图案172a、第一公共电极173a、第一辅助像素图案168a、第一像素电极170a、第二辅助像素图案168b、第二像素电极170b、第四辅助公共图案172b、和第二公共电极173b可以由相同的材料形成。

取向层180形成在第一像素电极170a和第二像素电极170b以及第一公共电极173a和第二公共电极173b上。第一域“D1”中的取向层被取向为基本上垂直于栅线103，同时第二域“D2”中的取向层180被取向为基本上平行于栅线103。通过能够在几微米内进行控制的UV照射装置进行取向工艺。取向层180在它们的表面上具有多个官能团。该官能团与UV反应以沿一个方向取向。

下面参考图9A到9F、10A到10F和图5，解释根据本发明的用于IPS模式LCD器件的阵列基板的制造工序。图9A到9F是示出沿图5的VI-VI线截取的部分的制造工序的剖面图，图10A到10F是示出沿图5的VII-VII线截取的部分的制造工序的剖面图。

如图9A、10A和图5所示，通过沉积第一金属材料在基板101上形成第一金属层(未图示)。第一金属材料可以包括铝(Al)、铝合金(AlNd)、铜(Cu)、铜合金、铬(Cr)和钼(Mo)中的一种。将第一金属层图案化以沿一个方向形成栅线103和连接到栅线103的栅极电极106。栅极电极106设置在转换区“TrA”中。同时，在基板101上形成位于像素区“P”的边界处的第一公共线109a和第二公共线109b、第一辅助公共图案111a和第三辅助公共图案111b。第一公共线109a和第二公共线109b彼此交替布置，分别具有直线形状和楼梯形状。第一辅助公共图案111a从第一公共线109a延伸，并设置在第一域“D1”中。第三辅助公共图案111b从第二公共线109b延伸，并设置在第二域“D2”中。

接下来，如图9B、10B和图5所示，通过沉积无机绝缘材料，例如氧化硅或氮化硅，在栅线103、栅极电极106、第一公共线109a和第二公共线109b、第一辅助公共图案111a和第三辅助公共图案111b上形成栅绝缘层117。

接下来，通过沉积本征非晶硅、杂质掺杂的非晶硅、和第二金属材料，在栅绝缘层117上顺序形成本征非晶硅层(未图示)、杂质掺杂的非晶硅层(未图示)、和第二金属层(未图示)。用折射曝光方法或半色调曝光(half-toneexposing)方法对本征非晶硅层(未图示)、杂质掺杂的非晶硅层(未图示)、和第二金属层(未图示)进行图案化，以形成本征非晶硅的有源层120a、杂质掺杂的非晶硅的欧姆接触层120b、以及第二金属材料的源极电极138和漏极电极141。例如，第二金属材料可以包括铝(Al)、铝合金(AlNd)、铜(Cu)、铜合金、铬(Cr)和钼(Mo)中的一种。有源层120a和欧姆接触层120b形成半导体层120。同时，在栅绝缘层117上形成与第一公共线109a和第二公共线109b交叉以限定像素区“P”的数据线135，并且将该数据线135连接到源极电极138。数据线135在与栅线103相交的部分具有弯曲部。即，数据线135具有曲折形状。漏极电极141延伸到覆盖第一辅助公共图案111a的一部分。第一辅助公共图案111a的被覆盖部分、漏极电极141的被覆盖部分、以及其间的栅绝缘层117形成第一存储电容器“StgC1”。

由于折射曝光方法或半色调曝光方法，杂质掺杂的非晶硅层和本征非晶硅层中分别存在第一虚拟图案(dummy pattern)121a和第二虚拟图案121b。然而，当通过不同的掩模工序来形成半导体层120以及源极电极138和漏极电极141时，不形成第一虚拟图案121a和第二虚拟图案121b。

接下来，如图9C、10C和图5所示，通过沉积无机绝缘材料，例如氧化硅或氮化硅，在数据线135以及源极电极138和漏极电极141上形成钝化层163。然后，通过掩模工序对钝化层163进行图案化，以形成分别暴露第一公共线109a和第二公共线109b的第一公共接触孔166a和第二公共接触孔166b、以及暴露漏极电极141的漏极接触孔165。

接下来，如图9D、10D和图5所示，通过沉积透明导电材料，例如ITO或IZO，在钝化层163上形成透明导电材料层(未图示)。对透明导电材料层进行图案化以形成第二辅助公共图案172a和第四辅助公共图案172b、第一辅助像素图案168a和第二辅助像素图案168b、第一公共电极173a和第二公共电极173b、以及第一像素电极170a和第二像素电极170b。第二辅助公共图案172a和第四辅助公共图案172b、第一辅助像素图案168a和第二辅助像素图案168b、第一公共电极173a和第二公共电极173b、以及第一像素电极170a和第二像素电极170b分别具有上述的平面形状。第一辅助像素图案168a通过漏极接触孔165接触漏极电极141。第二辅助公共图案172a通过第一公共接触孔166a接触第一公共线109a，第四辅助公共图案172b通过第二公共接触孔166b接触第二公共线109b。

接下来，如图9E、10E和图5所示，通过涂覆聚合物材料在第一像素电极170a和第二像素电极170b以及第一公共电极173a和第二公共电极173b上形成取向层180。聚合物材料在它们的表面上具有与UV反应以沿一个方向取向的多个官能团。例如，聚合物材料可以包括聚酰亚胺。

接下来，用UV照射装置(未图示)，沿基本上垂直于栅线103的第一摩擦方向“rb1”对第一域“D1”中的取向层180进行取向。(第一取向工序)。结果是，第一域“D1”中的取向层180的官能团沿第一摩擦方向“rb1”取向，使得第一域“D1”中的液晶分子190的指向矢最初沿第一摩擦方向“rb1”排列。

接下来，如图9F、10F和图5所示，用UV照射装置(未图示)，沿第二摩擦方向“rb2”对第二域“D2”中的取向层180进行取向。(第二取向工序)。结果是，第二域“D2”中的取向层180的官能团沿第二摩擦方向“rb2”取向，使得第二域“D2”中的液晶分子190的指向矢最初沿第二摩擦方向“rb2”排列。

接下来，虽然未图示，但是可以在基板101的外侧上形成具有平行于或垂直于栅线103的偏振轴的偏振板。

在本发明中，由于不管施加的电压如何，一个域中的液晶分子的指向矢垂直于其他域中的液晶分子的指向矢，所以防止了色移问题。

此外，由于一个像素区中的域与相邻像素中的域具有不同的域布置，所以进一步防止了色移问题。

而且，由于域的边界覆盖栅线，所以防止了孔径比的降低。

对本领域技术人员来说显而易见的是，在不偏离本发明的精神或范围下可以对本发明进行各种修改和变化。从而，本发明旨在涵盖各种修改和变化，只要它们落在附加的权利要求书及其等效物的范围内。

Claims

1.一种用于平面转换模式液晶显示器件的阵列基板，包括：

在包括像素区的基板上的栅线，该像素区包括在相对于所述栅线的下侧的第一域和在相对于所述栅线的上侧的第二域；

与所述栅线交叉的数据线；

在像素区中的薄膜晶体管，该薄膜晶体管在所述栅线和所述数据线的交叉部处；

在第一域中的多个第一像素电极；

在第二域中的多个第二像素电极，该多个第一像素电极和所述多个第二像素电极共用所述薄膜晶体管；

在第一域中的多个第一公共电极，该多个第一公共电极与所述多个第一像素电极交替布置；和

在第二域中的多个第二公共电极，该多个第二公共电极与所述多个第二像素电极交替布置。

2.如权利要求1所述的阵列基板，还包括：

延伸到与所述数据线交叉的第一公共线；和

延伸到与所述数据线交叉的第二公共线，

其中，所述栅线设置在所述第一公共线和所述第二公共线之间，所述第一公共线与所述栅线之间的区域用第一域来定义，以及所述第二公共线与所述栅线之间的区域用第二域来定义。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其中所述多个第一公共电极连接到所述第一公共线，所述多个第二公共电极连接到所述第二公共线。

4.如权利要求2所述的阵列基板，其中所述第一公共线具有沿所述栅线的直线形状，并且所述第二公共线具有沿所述栅线的楼梯形状。

5.如权利要求2所述的阵列基板，还包括：

在第一域中的第一辅助公共图案，该第一辅助公共图案从所述第一公共线延伸；

在第一域中的第二辅助公共图案，该第二辅助公共图案覆盖所述第一公共线，所述第二辅助公共图案设置在与所述第一公共线不同的层上并且接触所述第一公共线；

在第一域中的第一辅助像素图案，该第一辅助像素图案连接到薄膜晶体管；

在第二域中的第三辅助公共图案，该第三辅助公共图案从所述第二公共线延伸；

在第二域中的第四辅助公共图案，该第四辅助公共图案面对所述第三辅助公共图案，所述第四辅助公共图案设置在与所述第二公共线不同的层上并且接触所述第二公共线；和

在第二域中的第二辅助像素图案，该第二辅助像素图案连接到所述第一辅助像素图案。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其中所述第一辅助公共图案与所述第一公共线形成矩形形状，并且所述第三辅助公共图案与所述第二公共线形成C型。

7.如权利要求5所述的阵列基板，其中所述第一辅助像素图案覆盖所述第一辅助公共图案，并且所述第二辅助像素图案覆盖所述第三辅助公共图案。

8.如权利要求5所述的阵列基板，其中所述多个第一像素电极从所述第一辅助像素图案延伸，并且所述多个第二像素电极从所述第二辅助像素图案延伸。

9.如权利要求5所述的阵列基板，其中所述多个第一公共电极从所述第二辅助公共图案延伸，并且所述多个第二公共电极从第四辅助公共图案延伸。

10.如权利要求1所述的阵列基板，还包括：

在第一域中的第一取向层，该第一取向层具有第一摩擦方向；和

在第二域中的第二取向层，该第二取向层具有第二摩擦方向。

11.如权利要求10所述的阵列基板，其中所述第一摩擦方向基本上垂直于所述第二摩擦方向。

12.如权利要求11所述的阵列基板，其中所述第一摩擦方向基本上垂直于所述栅线。

13.如权利要求1所述的阵列基板，其中所述多个第一像素电极基本上垂直于所述多个第二像素电极。

14.如权利要求1所述的阵列基板，其中所述数据线在与所述栅线的交叉部处具有弯曲部。

15.如权利要求14所述的阵列基板，其中在第一域中所述多个第一像素电极基本上平行于所述数据线，并且在第二域中所述多个第二像素电极与所述数据线倾斜。

16.如权利要求1所述的阵列基板，其中两个第一域和两个第二域沿数据线彼此交替布置。

17.一种制造用于平面转换模式液晶显示器件的阵列基板的方法，包括：

在具有像素区的基板上形成栅线、第一公共线和第二公共线，所述栅线设置在所述第一公共线和所述第二公共线之间；

在栅线、第一公共线和第二公共线之上形成数据线，所述数据线与所述第一公共线和所述第二公共线交叉以分别限定在像素区中的第一域和第二域；

在像素区中形成薄膜晶体管，该薄膜晶体管在所述栅线与所述数据线的交叉部处；

在第一域中形成多个第一像素电极，在第二域中形成多个第二像素电极，在第一域中形成多个第一公共电极，在第二域中形成多个第二公共电极，

其中该多个第一像素电极和该多个第二像素电极共用该薄膜晶体管，并且其中该多个第一公共电极与该多个第一像素电极交替布置，该多个第二公共电极与该多个第二像素电极交替布置。

18.如权利要求17所述的方法，还包括：

在多个第一像素电极、多个第二像素电极、多个第一公共电极、和多个第二公共电极上形成取向层；

对所述取向层的第一部分进行取向，使得第一域中的取向层沿第一方向取向；和

对所述取向层的第二部分进行取向，使得第二域中的取向层沿第二方向取向。

19.如权利要求18所述的方法，其中所述第一方向基本上垂直于所述第二方向。

20.如权利要求19所述的方法，其中所述第一方向基本上垂直于所述栅线。

21.如权利要求17所述的方法，其中形成栅线、第一公共线和第二公共线的步骤包括：在第一域中形成第一辅助公共图案，该第一辅助公共图案从该第一公共线延伸，以及在第二域中形成第三辅助公共图案，该第三辅助公共图案从该第二公共线延伸。

22.如权利要求21所述的方法，其中形成多个第一像素电极、多个第二像素电极、多个第一公共电极、和多个第二公共电极的步骤包括：在第一域中形成第二辅助公共图案，该第二辅助公共图案覆盖第一公共线，在第一域中形成第一辅助像素图案，该第一辅助像素图案连接到薄膜晶体管，在第二域中形成第四辅助公共图案，该第四辅助公共图案面对所述第三辅助公共图案，以及在第二域中形成第二辅助像素图案，该第二辅助像素图案连接到所述第一辅助像素图案，

其中所述第二辅助公共图案设置在与所述第一公共线不同的层上并且接触所述第一公共线，并且所述第四辅助公共图案设置在与所述第二公共线不同的层上并且接触所述第二公共线。