像素结构、主动组件数组基板与液晶显示面板
技术领域
本发明涉及一种像素结构、与具有此像素结构的主动组件数组基板及液晶显示面板,尤其是一种能提升液晶效率(Liquid crystal efficiency)的像素结构、与具有此像素结构的主动组件数组基板及液晶显示面板。
背景技术
目前液晶显示面板,一般是采用垂直配向式(Vertical Alignment,VA)技术使液晶分子往特定方向倾倒,而达成广视角要求。关于液晶显示面板的垂直配向式技术,主要以多域垂直配向型(Multi-domain Vertically Alignment,MVA)与图案垂直配向型(PatternVertically Alignment,PVA)为主。
图1为现有技术的多域垂直配向型液晶显示面板的剖面示意图。请参照图1,多域垂直配向型液晶显示面板100包括:薄膜晶体管数组基板110、彩色滤光基板120与液晶层130。薄膜晶体管数组基板110具有组件基板112与像素电极114,且在像素电极114上刻画有狭缝S。彩色滤光基板120具有滤光基板122与对向电极124,且在对向电极124上设置有突出物P。
图2为现有技术的图案垂直配向型液晶显示面板的剖面示意图。请参照图2,图案垂直配向型液晶显示面板102包括:薄膜晶体管数组基板110、彩色滤光基板120与液晶层130。薄膜晶体管数组基板110具有组件基板112与像素电极114,且在像素电极114上刻画有狭缝S。彩色滤光基板120具有滤光基板122与对向电极124,且在对向电极124上也刻画有狭缝S。利用上下的两个狭缝S来产生电场E,以使液晶分子132往特定方向倾倒。
不论是多域垂直配向型液晶显示面板100或是图案垂直配向型液晶显示面板102,为了要获得较佳的光学特性,在加电压的过程中需使液晶分子132倒向45度的方向。更详细地说,需将上述的狭缝S以45度方向刻画在像素电极114(或对向电极124)中,且将上述的突出物P以45度方向设置在对向电极124上。
然而,设置大量的狭缝S与突出物P将增加像素结构的开口区的暗线数目,造成穿透率下降。另外,多域垂直配向型液晶显示面板100的突出物P附近的液晶分子132具有预倾角,将造成暗态漏光及对比值下降。
发明内容
为解决上述现有技术狭缝S与突出物P将增加像素结构的开口区的暗线数目,造成穿透率下降技术问题,有必要提供一种像素结构,在垂直配向模式时,此像素结构能提供良好的液晶效率、穿透率、对比值与液晶反应时间。
还有必要提供一种主动组件数组基板,具有数组排列的多数个像素结构,能提供良好的液晶效率、穿透率、对比值与液晶反应时间。
再有必要提供一种液晶显示面板,具有上述的主动组件数组基板,能够显示良好质量的影像。
一种像素结构,设置在具有水平方向与垂直方向的基板上,且借助扫描线与数据线而驱动。像素结构包括:像素电极以及主动组件。像素电极具有第一延伸部、与连接到第一延伸部的第二延伸部,其中,第一延伸部与水平方向的第一夹角为θ度,第二延伸部与水平方向的第二夹角为(360-θ)度,而数据线平行于第一延伸部与第二延伸部,像素电极还具有垂直于数据线的多个狭缝。像素电极通过主动组件而电性连接到扫描线与数据线。
一种主动组件数组基板包括:基板、扫描线与数据线以及像素结构。基板具有水平方向与垂直方向。扫描线与数据线设置于基板上。像素结构设置于基板上,像素结构借助扫描线与数据线而驱动,像素结构包括:像素电极以及主动组件。像素电极具有第一延伸部、与连接到第一延伸部的第二延伸部,其中,第一延伸部与水平方向的第一夹角为θ度,第二延伸部与水平方向的第二夹角为(360-θ)度,而数据线平行于第一延伸部与第二延伸部,像素电极还具有垂直于数据线的多个狭缝。像素电极通过主动组件而电性连接到扫描线与数据线。
一种液晶显示面板包括:上述的主动组件数组基板、彩色滤光基板以及液晶层。彩色滤光基板对向于主动组件数组基板。液晶层位于主动组件数组基板与彩色滤光基板之间。
在本发明的一实施例中,上述的第一夹角为45度,该第二夹角为315度。
在本发明的一实施例中,上述的数据线与像素电极之间相隔一间距。
在本发明的一实施例中,上述之间距的范围是从3微米((m)到10微米((m)。
在本发明的一实施例中,上述的像素电极的两侧均设置有数据线。
在本发明的一实施例中,上述的主动组件包括栅极、源极与漏极。栅极电性连接到对应的扫描线。源极电性连接到对应的数据线。漏极电性连接到对应的像素电极。
在本发明的一实施例中,上述的狭缝是位于第一延伸部及第二延伸部的两侧,且构成一梳子状结构。
在本发明的一实施例中,上述的像素电极还包括:一第三延伸部,连接该第一延伸部与该第二延伸部。
在本发明的一实施例中,上述的彩色滤光基板包括:玻璃基板、彩色滤光层以及对向电极。彩色滤光层设置于玻璃基板上。对向电极设置于彩色滤光层上。
利用上述的方式,本发明使像素电极本身(第一延伸部与第二延伸部)形成在液晶分子的倾倒方向上,可驱动液晶分子进行明确倒向。因此,本发明的像素结构能提供良好的液晶效率、穿透率、对比值与液晶反应时间。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1是一种现有技术多域垂直配向型液晶显示面板的剖面示意图。
图2是一种现有技术图案垂直配向型液晶显示面板的剖面示意图。
图3是本发明较佳实施例的一种像素结构的俯视示意图。
图4A~图4B为本发明较佳实施例的另外两种像素结构的俯视示意图。
图5A为图3的像素结构的照片图。
图5B为现有技术图1的多域垂直配向型液晶显示面板的像素结构的照片图。
图6为本发明较佳实施例的一种主动组件数组基板的俯视示意图。
图7为本发明较佳实施例的一种液晶显示面板的示意图。
具体实施方式
图3为本发明较佳实施例的一种像素结构的俯视示意图。请参照图3,像素结构200设置在具有水平方向X与垂直方向Y的基板G上,且借助扫描线310与数据线320而驱动。像素结构200包括:像素电极210以及主动组件220。像素电极210具有第一延伸部212、与连接到第一延伸部212的第二延伸部214,其中,第一延伸部212与水平方向X的第一夹角θ1为θ度,第二延伸部214与水平方向X的第二夹角θ2为(360-θ)度,而数据线320平行于第一延伸部212与第二延伸部214。
像素电极210还具有垂直于数据线320的多个狭缝FS,这些狭缝FS可位于第一延伸部212及第二延伸部214的两侧,并相隔一既定的距离,以提供后续液晶分子(未绘示)的指向。此外,上述狭缝FS也可以称为微狭缝,且在第一延伸部212及第二延伸部214的两侧构成梳子状(jagger)或锯齿状(tooth)的结构。像素电极210通过主动组件220而电性连接到扫描线310与数据线320。
在一实施例中,第一夹角θ1较佳为45度,第二夹角θ2较佳为315度。也就是说,在液晶分子进行倒向的方向(即45度角或315度角)上制作像素电极210,也就是说,使第一延伸部212在45度方向上延伸,且使第二延伸部214在315度方向上延伸。然而,本发明并不限定第一夹角θ1与第二夹角θ2的数值(即第一延伸部212与第二延伸部214的延伸方向),需看液晶显示面板的设计需求而定。
另外,当第一夹角θ1为45度,第二夹角θ2为315度时,如第一延伸部212与第二延伸部214之间的夹角为90度,且形成为图3所示的”ㄑ形”像素结构200。然而,本发明并不限定于此,只要第一延伸部212与水平方向X的第一夹角θ1为θ度,第二延伸部214与水平方向X的第二夹角θ2为(360-θ)度,那么第一延伸部212与第二延伸部214互相连接处的角度可为任意值。
请继续参照图3,数据线320与像素电极210之间相隔一间距D。此间距D的范围例如是从3微米((m)到10微米((m)。更详细而言,如图3所示的像素结构200直接利用数据线320与像素电极210之间之间距D来作为主狭缝(Main slit),用来使液晶分子进行明确的倒向。另外,调整间距D的范围,可以改变使液晶分子倒向的电场的大小。
值得注意的是,在如图3所示的像素结构200中,像素电极210的两侧均设置有数据线320。利用像素电极210与两侧的数据线320,来提供使液晶分子进行倒向的均匀电场。特别是,像素电极210具有垂直于数据线320的狭缝FS。利用这些狭缝FS所产生的电场可协助液晶分子进行倾倒,以缩短液晶分子的液晶反应时间。
另外,主动组件220可包括栅极220a、源极220b与漏极220c。栅极220a电性连接到对应的扫描线310。源极220b电性连接到对应的数据线320。漏极220c电性连接到对应的像素电极210。在图3中,直接以扫描线310的一部分来作为栅极220a,然而,也可以另外设置的方式来制作栅极220a。另外,像素电极210的材料可以是铟锡氧化物或铟锌氧化物之类的透明导电材质。
综上所述,借助像素电极210的形状设计、且像素电极310的两侧设置有数据线320,当对于像素电极210施加电压,由于像素电极210本身已经在45度或315度方向延伸,所以液晶分子(未绘示)可明确倒向45度或315度的方向。如此一来,能得到较佳的液晶效率与穿透率。
上述的像素结构200具有至少下列优点:第一,相较于现有技术还需要在像素电极114或对向电极124上制作45度方向的狭缝S而言,本发明的像素结构200无需额外刻画狭缝S,直接利用间距D作为主狭缝,能减少像素结构200的开口区的暗线数量,以增加穿透率;第二,在像素结构200中,像素电极210的边缘电场方向一致,所以像素电极210的边缘不会产生不连续线(Disclination),能增加穿透率;第三,像素电极210本身已经为45度角或315度角设计,在施加电压后,液晶分子可明确倒向45度或315度角,而能缩短液晶反应时间;第四,像素结构200的制作步骤不会增加,能够以低成本得到高质量(高穿透率、低暗态漏光)的像素结构200。
图4A~图4B为本发明较佳实施例的另外两种像素结构的俯视示意图。请同时参照图4A与图4B,像素结构202、204类似于图3所示的像素结构200。相同的组件标示以相同的符号,不同的处在于:像素电极210还包括第三延伸部216,连接第一延伸部212与第二延伸部214。
如图4A所示,在圆圈A中,第三延伸部216在垂直方向Y上延伸。另外,如图4B所示,在圆圈B中,第三延伸部216为圆弧线段。本发明并不限定第三延伸部216的形状,本领域技术人员可根据不同的设计需求进行改变。
图5A为图3的像素结构的照片图。图5B为现有技术中图1的多域垂直配向型液晶显示面板的像素结构的照片图。比较图5A与图5B可知,像素结构200的开口区内的暗线数量明显变少,穿透率大幅提升。相较于32寸广视角高分辨率的多域垂直配向型液晶显示面板100而言,像素结构200的液晶效率(穿透率)提升了约10%。
另外,像素结构200、202、204可配合使用过驱动技术(Over drive,OD),在第一图框(未绘示)中施加比设定的电压还高的电压,以使像素结构200、202、204的灰阶对灰阶反应时间(Gray to Gray respond time)小于6微秒(ms)。此灰阶对灰阶反应时间相当接近一般多域垂直配向型液晶显示面板100的灰阶对灰阶反应时间。
图6为本发明较佳实施例的一种主动组件数组基板的俯视示意图。请参照图6,此主动组件数组基板400,包括:基板G、扫描线310与数据线320以及像素结构200。基板G具有水平方向X与垂直方向Y。扫描线310与数据线320设置于基板G上。像素结构200设置于基板G上,像素结构200通过扫描线310与数据线320而驱动。
此主动组件数组基板400采用如图3所示的像素结构200,因而能够良好地驱动液晶分子进行倒向,而得到良好的液晶效率、穿透率、对比值与液晶反应时间。当然,也能够采用图4A与图4B所示的像素结构202、204来制作上述的主动组件数组基板400。
图7为本发明较佳实施例的一种液晶显示面板的示意图。此液晶显示面板500包括:主动组件数组基板510、彩色滤光基板520以及液晶层530。彩色滤光基板520对向于主动组件数组基板510。液晶层530位于主动组件数组基板510与彩色滤光基板520之间。
值得注意的是,主动组件数组基板510可采用上述的主动组件数组基板400。因此,能够良好地驱动液晶分子,以显示具有良好质量的影像。
请继续参照图7,彩色滤光基板520可包括:玻璃基板522、彩色滤光层524以及对向电极526。彩色滤光层524设置于玻璃基板522上。对向电极526设置于彩色滤光层524上。尤其是,主动组件数组基板510具有上述的像素结构200、202、204,可使液晶分子进行明确的倒向。因此,彩色滤光基板520侧不需要再设置突起物P或狭缝S,故暗态漏光明显变少,对比值可大幅提升,对比值约可大于5,000。
综上所述,本发明的像素结构、主动组件数组基板与液晶显示面板至少具有以下优点:
直接在液晶分子的倒向上(如45度与315度)制作像素电极,且在像素电极的两侧平行设置数据线。可直接利用数据线与像素电极之间的间距来作为主狭缝,使液晶分子具有明确倒向。因此,在像素电极内部就不需要再挖45度方向的主狭缝,可减少暗线数量并增加穿透率。这样的像素结构可达到高穿透率与广视角的功能,并能省略彩色滤光基板侧的狭缝或突起物,进一步降低暗态漏光、且能提升对比值。