CN101169531A - 像素结构 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种像素结构，其适于通过一多域垂直配向式液晶显示面板的一薄膜晶体管阵列基板的一扫描线与一数据线所控制。此像素结构包括一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管、一第一像素电极、一第二像素电极与多个配向构件，其中第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管均电性连接至扫描线与数据线。第一薄膜晶体管具有一第一漏极，且第一像素电极电性连接至第一漏极。第二薄膜晶体管具有一第二漏极，且第二像素电极浮置于第二漏极的上方，以形成一耦合电容，且第二像素电极与第一像素电极之间具有一电压差。配向构件配置于第一像素电极与第二像素电极上。

Description

像素结构
技术领域
本发明有关于一种液晶显示面板(liquid crystal display panel)的像素(pixel)结构，且特别有关于一种多域垂直配向式(multi-domain verticalalignment，MVA)液晶显示面板的像素结构。
背景技术
现有的液晶显示器多朝向高亮度、高对比、大面积显示与广视角的趋势发展，其中为了改善液晶显示器的视角，已有多种广视角技术被提出。目前较常见的广视角液晶显示器例如有多域垂直配向式液晶显示器、共平面转换式(in-planeswitching，IPS)液晶显示器以及边缘电场转换式(fringe field switching，FFS)液晶显示器等等。
图1为现有的现有的一种应用于多域垂直配向式液晶显示器的像素结构的上视示意图。请参照图1，像素结构100配置于一薄膜晶体管阵列基板上，此像素结构100包括一扫描线110、一数据线120、一薄膜晶体管130、一像素电极140与一凸起物150。其中薄膜晶体管130包括栅极132、半导体层134、源极136a、漏极136b以及接触窗138。栅极132与扫描线110电性连接，而半导体层134配置于栅极132上方。源极136a与漏极136b配置于半导体层134上，其中源极136a与数据线120电性连接。
像素电极140透过接触窗138而与漏极136b电性连接。此外，为了达到液晶分子能够产生多域垂直配向，凸起物150配置于像素电极140上，而在相对的彩色滤光基板(未绘示)上配置多个凸起物(未绘示)。因此，通过凸起物150与凸起物的搭配，可以使得配置于薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板之间的液晶分子呈现多方向的倾倒，进而达到广视角显示的效果。
虽然上述的多域垂直配向式液晶显示器可以增加视角范围，但是，当视角由0度往90度变化时，此多域垂直配向式液晶显示器的光穿透率(transmission)相对于灰阶(gray level)的迦玛曲线(gamma curve)将有所不同。简单而言，随着视角的改变，此多域垂直配向式液晶显示器所提供的画面的色调及亮度分布失真的程度将越明显。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的就是提供一种像素结构，以降低显示品质随着视角改变的程度。
为达上述或其他目的，本发明提出一种像素结构，其适于通过一多域垂直配向式液晶显示面板的一薄膜晶体管阵列基板的一扫描线与一数据线所控制。此像素结构包括一第一薄膜晶体管、一第二薄膜晶体管、一第一像素电极、一第二像素电极与多个配向构件，其中第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管均电性连接至扫描线与数据线。第一薄膜晶体管具有一第一漏极，且第一像素电极电性连接至第一漏极。第二薄膜晶体管具有一第二漏极，且第二像素电极浮置(floating)于第二漏极的上方，以形成一耦合电容，且第二像素电极与第一像素电极之间具有一电压差。配向构件配置于第一像素电极与第二像素电极上。
在本发明的一实施例中，第一像素电极与第二像素电极的面积比可以是1∶1。
在本发明的一实施例中，第一像素电极与第二像素电极的面积比可以是1∶2。
在本发明的一实施例中，第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管可以是具有一共用源极。
在本发明的一实施例中，第一像素电极与第二像素电极可以是分别位于扫描线的两侧。
在本发明的一实施例中，像素结构还包括一共通线，其配置于第一像素电极与第二像素电极下方。
在本发明的一实施例中，配向构件可以是凸起物或狭缝。
基于上述，由于本发明的像素结构采用两个像素电极，并让其中一个像素电极浮置于两个薄膜晶体管其中之一的漏极上方，以形成耦合电容，故两像素电极之间可产生一电压差。此电压差能使位于两像素电极上方的液晶分子的倾倒角度不同，而降低多域垂直配向式液晶显示面板的光穿透率相对于灰阶的迦玛曲线随着视角改变的程度。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1为现有的一种应用于多域垂直配向式液晶显示器的像素结构的上视示意图。
图2为本发明一实施例的一种像素结构的上视示意图。
图3为图2所示的像素结构的等效电路图。
具体实施方式
图2为本发明一实施例的一种像素结构的上视示意图。请参照图2，本实施例的像素结构200适于配置于一多域垂直配向式液晶显示面板的一薄膜晶体管阵列基板的一扫描线310与一数据线320所控制。像素结构200包括一第一薄膜晶体管210、一第二薄膜晶体管220、一第一像素电极230、一第二像素电极240以及多个配向构件250。其中，第一薄膜晶体管210电性连接至扫描线310及数据线320，且第二薄膜晶体管220也电性连接至扫描线310及数据线320。此外，第一薄膜晶体管210具有一第一漏极212，且第一像素电极230电性连接至第一漏极212。第二薄膜晶体管220具有一第二漏极222，且第二像素电极240浮置于第二漏极222的上方，以形成一耦合电容Ccp，且第二像素电极240与第一像素电极230之间具有一电压差。另外，该些配向构件250配置于第一像素电极230与第二像素电极240上。
更详细而言，由于第二像素电极240以浮置方式配置于第二漏极222的上方，因此第二像素电极240与第一像素电极230之间便产生了一电压差。故能使位于第一像素电极230与第二像素电极240上方的液晶分子的倾倒角度不同，以减少光穿透率相对于灰阶的迦玛曲线随着视角改变的现象。因此，采用本实施例之像素结构200的多域垂直配向式液晶显示器将能提供较佳的显示品质。
在本实施例中，第一像素电极230与第二像素电极240分别位于扫描线310的两侧，然而第一像素电极230与第二像素电极240也可以是位在扫描线310的同一侧。此外，在本实施例中，第一像素电极230与第二像素电极240的面积比为1∶1，然而在另一实施例中，第一像素电极230与第二像素电极240的面积比也可以是1∶2或其他比例。
在本实施例中，第一薄膜晶体管210与第二薄膜晶体管220具有一共用源极215。然而，在另一实施例中，第一薄膜晶体管210与第二薄膜晶体管220亦可个别具有独立的源极。此外，在本实施例中，第一薄膜晶体管210与第二薄膜晶体管220均采用部分的扫描线310作为栅极，然而在另一实施例中，第一薄膜晶体管210与第二薄膜晶体管220也可以具有独立的栅极。另外，在本实施例中，配向构件250为狭缝，然而在另一实施例中，配向构件250也可以是凸起物。再者，为了避免第二漏极222的电场对于液晶分子产生干扰，在第二漏极222对于配向构件250的区域同样配置有狭缝A。
在本实施例中，像素结构200还包括一共通线260，其配置于第一像素电极230与第二像素电极240下方，以形成一存储电容。换言之，本实施例所揭示的存储电容的架构为存储电容形成于共通线上(Cst on common)。然而，本发明并非限定存储电容的架构为存储电容形成于共通线(Cst on common)。在其他实施例中，存储电容的架构也可为存储电容形成于扫描线上(Cst on gate)。举例而言，由第一像素电极230及第二像素电极240分别与扫描线310有部分重叠而形成。以下将就本实施例的等效电路图进行说明。
图3为图2所绘示的像素结构的等效电路图。请参照图3，Clc1代表由第一像素电极230与对向基板上的共通电极(未绘示)所形成的第一液晶电容、Cst1代表由第一像素电极230与共通线260所形成的第一存储电容、Ccp代表由第二像素电极240与第二漏极222所形成的耦合电容、Clc2代表由第二像素电极240与共通电极所形成的第二液晶电容以及Cst2代表由第二像素电极240与共通线260所形成的第二存储电容。
请同时参考图2与图3，当开启信号输入扫描线310时，第一薄膜晶体管210与第二薄膜晶体管220将开启，而数据电压便经由第一漏极212而输入第一像素电极230。此外，数据电压也输入第二漏极222，然而由于第二像素电极240浮置于第二漏极222上方，因此第二像素电极240所感应到的电压将小于第一像素电极230的电压。换言之，位于第一像素电极230与第二像素电极240上方的液晶分子的倾倒角度将不同，以改善因视角改变所产生的色偏(color shift)的现象。因此，采用本实施例的像素结构200的多域垂直配向式液晶显示器将能提供较佳的显示品质。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域普通技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许更动与润饰，因此本发明的保护范围当以权利要求所界定的为准。

Claims (7)

1.一种像素结构，适于通过一多域垂直配向式液晶显示面板的一薄膜晶体管阵列基板的一扫描线与一数据线所控制，该像素结构包括：
一第一薄膜晶体管，电性连接至该扫描线与该数据线，且该第一薄膜晶体管具有一第一漏极；
一第二薄膜晶体管，电性连接至该扫描线与该数据线，且该第二薄膜晶体管具有一第二漏极；
一第一像素电极，电性连接至该第一漏极；
一第二像素电极，浮置于该第二漏极上方，以形成一耦合电容，且该第二像素电极与该第一像素电极之间具有一电压差；以及
多个配向构件，配置于该第一像素电极与该第二像素电极上。
2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一像素电极与该第二像素电极的面积比为1∶1。
3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一像素电极与该第二像素电极的面积比为1∶2。
4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一薄膜晶体管与该第二薄膜晶体管具有一共用源极。
5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一像素电极与该第二像素电极分别位于该扫描线的两侧。
6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括一共通线，配置于该第一像素电极与该第二像素电极下方。
7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该些配向构件包括凸起物或狭缝。
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