CN102224536A - 显示面板用基板、显示面板 - Google Patents

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CN102224536A CN2009801464918A CN200980146491A CN102224536A CN 102224536 A CN102224536 A CN 102224536A CN 2009801464918 A CN2009801464918 A CN 2009801464918A CN 200980146491 A CN200980146491 A CN 200980146491A CN 102224536 A CN102224536 A CN 102224536A
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Abstract

提供可以防止配线电极端子彼此的短路的显示面板用基板、显示面板。具备：用于连接外部的配线基板的配线电极端子(121)；与配线电极端子(121)电导通的引出配线(122)；覆盖引出配线(122)的层间绝缘膜(209)；与配线电极端子(121)重叠而形成并且与配线电极端子(121)电导通的导电性材料的膜(210)；以及隔着层间绝缘膜(209)与引出配线(122)重叠而形成并且与引出配线(122)电导通的导电性材料的膜(211)，与配线电极端子(121)重叠而形成的导电性材料的膜(210)和隔着层间绝缘膜(209)与引出配线(122)重叠而形成的导电性材料的膜(211)在层间绝缘膜(209)的周缘部是分离的。

Description

显示面板用基板、显示面板
技术领域
本发明涉及显示面板用基板、显示面板，尤其涉及在周缘部设有用于与TCP(Tape Carrier Package：卷带式封装)等进行电连接的端子(具体地说，例如带板状焊盘)的显示面板用基板、具备该显示面板用基板的显示面板。
背景技术
一般的液晶显示面板具备2个基板。例如有源矩阵类型的液晶显示面板具备TFT阵列基板和相对基板(作为相对基板，例如可以适用彩色滤光片)。并且，隔开规定的微小间隔相对地贴合这些基板，在这些基板之间填充有液晶。
在TFT阵列基板的表面设有显示区域(也称为有源区域)和围绕该显示区域的面板边框区域。在显示区域，矩阵状地排列多个像素电极，并且排列分别驱动各像素电极的开关元件(例如，薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)。而且，在显示区域，形成向各开关元件传送规定的信号的扫描线(也称为栅极总线)、数据线(也称为源极总线)。另一方面，在面板边框区域，形成用于连接安装了驱动器IC(例如，源极驱动器或者栅极驱动器)的TCP(Tape Carrier Package：卷带式封装)等的配线电极端子(具体地说，例如焊盘)。而且，在面板边框区域，形成将该端子和形成在显示区域的规定的扫描线或者规定的数据线连接起来的配线。
这样构成的话，安装于TCP的驱动器IC所生成的信号通过设于面板边框区域的配线电极端子和配线，向形成在显示区域的扫描线、数据线传送。并且通过扫描线、数据线分配到各开关元件。
在形成在面板边框区域的端子和配线中，具有如下的构造。在显示面板用基板的表面，利用相同的材料在相同的层(例如包括玻璃等的透明基板的正上方的层)形成配线电极端子和配线。端子例如形成为细长的带板状。并且在面板边框区域的周缘部，多个配线电极端子隔开规定的间隔大致平行地排列而形成。另外，在除去面板边框区域中的形成有配线电极端子的区域，形成有层间绝缘膜。因此，配线被层间绝缘膜覆盖，配线电极端子不被层间绝缘膜覆盖而露出。
在配线电极端子的表面形成导电性材料的膜(例如包括铟锡氧化物的膜)。另外，在配线上也以隔着层间绝缘膜重叠的方式形成导电性材料的膜。在层间绝缘膜的规定的位置形成接触孔，配线与导电性材料的膜通过该接触孔电连接。这样构成的话，配线电极端子和配线成为多层构造，因此可以降低配线电极端子和配线的电阻。并且，其结果是：可以减少传送信号的损失。
在上述这种导电性材料的膜的形成方法中，可以适用光刻法。简单说明的话，如下所示。首先，在形成有配线电极端子、配线的图案和层间绝缘膜的显示面板用基板的表面，遍及大致整个面形成导电性材料的膜。接着，覆盖所形成的导电性材料的膜而形成光致抗蚀材料的膜。接着，通过形成有规定的遮光图案、透光图案的光掩模，对光致抗蚀剂材料的膜照射光能。例如，如果光致抗蚀剂材料是正型，则遮挡形成在配线电极端子的表面和配线的表面的光致抗蚀剂材料的膜，对形成在配线电极端子彼此之间和配线彼此之间的光致抗蚀剂材料的膜照射光能。
接着，通过显影除去曝光了的光致抗蚀剂材料的规定部分。如果光致抗蚀剂材料是正型，则除去光能所照射的部分，残留被遮挡的部分。因此，在配线电极端子的表面和配线的表面残留光致抗蚀剂材料的膜，除去形成在配线电极端子彼此之间和配线彼此之间的光致抗蚀剂材料的膜。其结果是：导电性材料的膜中的、形成在配线电极端子彼此之间和配线彼此之间的部分露出。
接着，将形成为规定的图案的光致抗蚀剂材料的膜用作掩模，通过蚀刻图案化导电性材料的膜。由此，除去露出的导电性材料的膜。具体地说，残留导电性材料的膜中的、隔着配线电极端子的表面和层间绝缘膜与配线重叠的部分，除去形成在配线电极端子彼此之间和配线彼此之间的部分。其结果是：配线电极端子和配线成为多层构造。
但是，最近出现为了降低成本而希望削减驱动器IC的数量的要求。为了削减驱动器IC的数量，需要使用单位输出端子数较多的驱动器IC。当安装于TCP的驱动器IC的输出端子数变多时，在TCP和显示面板用基板之间所连接的端子的数量有所增加。因此，需要缩小形成于显示面板用基板的配线电极端子彼此之间的间隔、配线彼此之间的间隔。当缩小配线电极端子彼此之间的间隔、配线彼此之间的间隔时，在配线电极端子彼此之间、配线彼此之间发生短路的可能性变大。特别是通过与配线电极端子、配线重叠而形成的导电性材料的膜发生短路的可能性变大。
其理由如下所示。如上所述，通过光刻法形成导电性材料的膜。即，首先，形成导电性材料的膜，在其表面形成光致抗蚀剂材料的膜。并且，图案化光致抗蚀剂材料的膜，将进行了图案化的光致抗蚀剂材料的膜用作掩模来图案化导电性材料的膜。
光致抗蚀剂材料的膜还在层间绝缘膜的周缘部的台阶面形成。在层间绝缘膜的周缘部的台阶面所形成的光致抗蚀剂材料的膜的厚度依赖于层间绝缘膜的厚度。即，光致抗蚀剂材料的膜的厚度与层间绝缘膜的周缘部的台阶面的高度大致相等。因此，形成在层间绝缘膜的周缘部的台阶面的光致抗蚀剂材料的膜的厚度与其它部分相比变厚。当光致抗蚀剂材料的膜的厚度变厚时，在曝光工序中有时会曝光不足。
如果光致抗蚀剂材料的膜是正型，则当显影时，有时不会完全地除去成为曝光不足的部分。在导电性材料的膜的图案化中，残留的光致抗蚀剂材料的膜成为蚀刻的掩模，因此当残留光致抗蚀剂材料的膜时，会残留被该光致抗蚀剂材料覆盖的导电性材料的膜。其结果是：在层间绝缘膜的周缘部，在配线电极端子彼此之间或者配线彼此之间残留导电性材料的膜，因为所残留的导电性材料的膜，在相邻的端子彼此之间、配线彼此之间发生短路。
作为防止起因于导电性材料的膜的端子彼此的短路、配线彼此的短路的结构，提出例如专利文献1、专利文献2所述的结构。专利文献1所述的结构是通过在端子彼此之间形成层间绝缘膜的壁来防止端子彼此之间的短路。另外，专利文献2所述的结构是通过使层间绝缘膜的表面变得平滑来控制在其表面所形成的导电性材料的膜的蚀刻状态，防止端子彼此之间的短路。根据这种结构，可以使导电性材料的膜不在端子彼此之间形成，可以防止端子彼此之间的短路。但是，在该专利文献1、专利文献2中，不能防止在层间绝缘膜的周缘部残留光致抗蚀剂材料的膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2000-180890号公报
专利文献2：特开2000-155335号公报
发明内容
发明要解决的问题
鉴于上述实际情况，本发明要解决的问题是提供可以防止配线电极端子彼此之间的短路的显示面板用基板、显示面板，或者提供可以防止起因于与配线电极端子、配线重叠而形成的导电性材料的膜的端子彼此之间的短路的显示面板用基板、显示面板，或者提供可以防止起因于在层间绝缘膜的周缘部残留光致抗蚀剂材料的膜的配线电极端子彼此之间的短路的显示面板用基板、显示面板。
用于解决问题的方案
为了解决上述问题，本发明的要点在于，具备：用于连接外部的配线基板的配线电极端子；与该配线电极端子电导通的引出配线；覆盖该引出配线的层间绝缘膜；与上述配线电极端子重叠而形成并且与上述配线电极端子电导通的导电性材料的膜；以及隔着上述层间绝缘膜与上述引出配线重叠而形成并且与上述引出配线电导通的导电性材料的膜，与上述配线电极端子重叠而形成的导电性材料的膜和隔着上述层间绝缘膜与上述引出配线重叠而形成的导电性材料的膜，在上述层间绝缘膜的周缘部是分离的。
优选如下结构：隔着上述层间绝缘膜与上述引出配线重叠而形成并且与上述引出配线电导通的导电性材料的膜通过形成于上述层间绝缘膜的开口部与上述引出配线电导通。
优选如下结构：隔着上述层间绝缘膜与上述引出配线重叠而形成的导电性材料的膜形成为：其接近上述层间绝缘膜的周缘部的部分与其它的部分相比，宽度较窄。
本发明的要点在于，具备：用于连接外部的配线基板的多个配线电极端子；对各该多个配线电极端子电导通的多个引出配线；覆盖该多个引出配线的层间绝缘膜；与上述多个配线电极端子分别重叠而形成并且与上述多个配线电极端子分别电导通的导电性材料的膜；以及隔着上述层间绝缘膜与上述多个引出配线分别重叠而形成并且与上述多个引出配线分别电导通的导电性材料的膜，上述多个引出配线并列而形成，与上述多个配线电极端子分别重叠而形成的导电性材料的膜和隔着上述层间绝缘膜与上述多个引出配线分别重叠而形成的导电性材料的膜，在上述层间绝缘膜的周缘部是分离的，并且相邻的隔着上述层间绝缘膜与多个引出配线分别重叠而形成的导电性材料的膜是分离的。
优选如下结构：隔着上述层间绝缘膜与上述引出配线重叠而形成并且与上述引出配线电导通的导电性材料的膜通过形成于上述层间绝缘膜的开口部与上述引出配线电导通。
优选如下结构：隔着上述层间绝缘膜与上述引出配线重叠而形成的导电性材料的膜形成为：其接近上述层间绝缘膜的周缘部的部分与其它的部分相比，宽度较窄。
优选如下结构：隔着上述层间绝缘膜与上述引出配线重叠而形成的导电性材料的膜形成为：其接近上述层间绝缘膜的周缘部的部分与其它的部分相比，宽度较窄，并且在该宽度较窄地形成的部分，相邻的隔着上述层间绝缘膜与引出配线重叠而形成的导电性材料的膜的间隔与其它的部分相比较宽。
优选上述层间绝缘膜的周缘部中的形成在上述多个引出配线彼此之间的部分形成为：其和与上述多个引出配线分别重叠而形成的部分相比，厚度较薄。
本发明的要点在于：具备上述任一显示面板用基板、以及相对基板，上述任一显示面板用基板和上述相对基板隔开规定的间隔相对配设，上述任一显示面板用基板和上述相对基板之间填充有液晶。
发明效果
根据本发明，与配线电极端子重叠而形成的导线性材料的膜和隔着层间绝缘膜与引出配线重叠而形成的导电性材料的膜，在层间绝缘膜的周缘部是分离的。即，在层间绝缘膜的周缘部，未形成导电性材料的膜。因此，可以防止或者抑制：在层间绝缘膜的周缘部，因为与配线电极端子重叠而形成的导电性材料的膜，相邻的配线电极端子发生短路；因为隔着层间绝缘膜与引出配线重叠的导电性材料的膜，相邻的引出配线发生短路。
另外，隔着上述层间绝缘膜与引出配线重叠而形成的导电性材料的膜形成为：其接近层间绝缘膜的周缘部的部分与其它的部分相比，宽度较窄。因此，相邻的导电性材料的膜的间隔在层间绝缘膜的周缘部变宽。因此，可以防止或者抑制：在层间绝缘膜的周缘部，因为隔着层间绝缘膜与引出配线重叠的导电性材料的膜，相邻的引出配线发生短路。
另外，在上述层间绝缘膜的周缘部中的上述多个引出配线彼此之间所形成的部分形成为：其和与上述多个引出配线分别重叠而形成的部分相比，厚度较薄。根据这种结构，当用光刻法在层间绝缘膜的表面形成导电性材料的膜时，可以使形成在层间绝缘膜的周缘部的台阶面的光致抗蚀剂材料的膜的厚度较薄。即，在层间绝缘膜的表面形成光致抗蚀剂材料的膜的工序中，在层间绝缘膜的周缘部的台阶面也形成光致抗蚀剂材料的膜。形成在层间绝缘膜的周缘部的台阶面的光致抗蚀剂材料的膜的厚度依赖于层间绝缘膜的厚度。因此，当形成在引出配线彼此之间的层间绝缘膜与其它部分相比较薄地形成时，形成在引出配线彼此之间的光致抗蚀剂材料的膜的厚度变薄。并且使光致抗蚀剂材料的膜的厚度变薄，由此在曝光工序中，可以防止光致抗蚀剂材料的膜曝光不足。因此，如果光致抗蚀剂材料的膜是正型，则在显影工序中，可以防止在引出配线彼此之间残留光致抗蚀剂材料的膜。因此，在将该光致抗蚀剂材料的膜作为掩模来图案化导电性材料的膜的工序中，可以防止在引出配线彼此之间残留导电性材料的膜。因此，可以防止或者抑制因为导电性材料的膜，相邻的引出配线发生短路。
附图说明
图1是示意地示出本发明的实施方式的显示面板用基板的概要结构的外观立体图。
图2是示意地示出设于显示区域的像素、配线等的结构的平面图。
图3是抽取本发明的实施方式的显示面板用基板的端子区域的一部分并放大示出的平面示意图。
图4的(a)是图3的A-A线截面图，(b)是图3的B-B线截面图，(c)是图3的C-C线截面图。
图5是示意地示出配线电极端子、引出配线、层间绝缘膜等的形成方法的规定工序的截面图，(a)相当于图3的A-A线截面，各图的(b)相当于图3的B-B线截面，各图的(c)相当于图3的C-C线截面。
图6是示意地示出配线电极端子、引出配线、层间绝缘膜等的形成方法的规定工序的截面图，(a)相当于图3的A-A线截面，各图的(b)相当于图3的B-B线截面，各图的(c)相当于图3的C-C线截面。
图7是示意地示出配线电极端子、引出配线、层间绝缘膜等的形成方法的规定工序的截面图，(a)相当于图3的A-A线截面，各图的(b)相当于图3的B-B线截面，各图的(c)相当于图3的C-C线截面。
图8是示意地示出配线电极端子、引出配线、层间绝缘膜等的形成方法的规定工序的截面图，(a)相当于图3的A-A线截面，各图的(b)相当于图3的B-B线截面，各图的(c)相当于图3的C-C线截面。
图9是示意地示出配线电极端子、引出配线、层间绝缘膜等的形成方法的规定工序的截面图，(a)相当于图3的A-A线截面，各图的(b)相当于图3的B-B线截面，各图的(c)相当于图3的C-C线截面。
图10是示意地示出配线电极端子、引出配线、层间绝缘膜等的形成方法的规定工序的截面图，(a)相当于图3的A-A线截面，各图的(b)相当于图3的B-B线截面，各图的(c)相当于图3的C-C线截面。
图11是示意地示出配线电极端子、引出配线、层间绝缘膜等的形成方法的规定工序的截面图，(a)相当于图3的A-A线截面，各图的(b)相当于图3的B-B线截面，各图的(c)相当于图3的C-C线截面。
图12是示意地示出配线电极端子、引出配线、层间绝缘膜等的形成方法的规定工序的截面图，(a)相当于图3的A-A线截面，各图的(b)相当于图3的B-B线截面，各图的(c)相当于图3的C-C线截面。
图13是示意地示出配线电极端子、引出配线、层间绝缘膜等的形成方法的规定工序的截面图，(a)相当于图3的A-A线截面，各图的(b)相当于图3的B-B线截面，各图的(c)相当于图3的C-C线截面。
图14是示意地示出本发明的实施方式的显示面板用基板的制造方法的规定的工序的截面图。
图15是示意地示出本发明的实施方式的显示面板用基板的制造方法的规定的工序的截面图。
图16是示意地示出本发明的实施方式的显示面板用基板的制造方法的规定的工序的截面图。
图17是示意地示出本发明的实施方式的显示面板用基板的制造方法的规定的工序的截面图。
图18是示意地示出本发明的实施方式的显示面板用基板的制造方法的规定的工序的截面图。
图19是示意地示出本发明的实施方式的显示面板用基板的制造方法的规定的工序的截面图。
图20是示意地示出彩色滤光片的结构的图，(a)是示意地示出彩色滤光片的整体构造的立体图，(b)是抽取并示出形成于彩色滤光片的一个像素的结构的平面图，(c)是(b)的F-F线截面图，是示出像素的截面构造的图。
图21是示意地示出本发明的实施方式的显示面板的一部分的截面构造的截面图。
具体实施方式
下面，参照附图详细地说明本发明的各种实施方式。本发明的各实施方式的显示面板用基板是适用于有源矩阵类型的液晶显示面板的TFT阵列基板。
图1是示意地示出本发明的实施方式的显示面板用基板1的概要结构的外观立体图。如图1所示，在本发明的实施方式的显示面板用基板1中，设有显示区域(也称为有源区域)11。在显示区域11的外侧，围绕该显示区域11而设有面板边框区域12。
图2是示意地示出设于显示区域11的像素、配线等的结构的平面图。如图2所示，在显示区域11中矩阵状地排列有多个像素。各像素具备像素电极109和驱动像素电极109的开关元件105(具体地说，例如薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor))。像素电极109和开关元件105的漏极电极108通过漏极线104电导通。此外，在像素电极109中，有时为了控制液晶的取向而形成狭缝，但是在图2中省略。
另外，在显示区域11中，相互大致平行地形成有多个扫描线101(也称为栅极总线)。并且在扫描线101彼此之间，与扫描线101大致平行地形成辅助电容线103(也称为存储电容线)。而且相互平行地且与扫描线101和辅助电容线103大致正交地形成多个数据线102(也称为源极总线)。
并且，在扫描线101和数据线102的交叉点附近，设有驱动像素电极109的开关元件105。开关元件105具有栅极电极106、源极电极107以及漏极电极108。栅极电极106与扫描线101电导通。源极电极107与数据线102电导通。漏极电极108通过漏极线104与像素电极109电导通。辅助电容线103在与规定的像素电极109之间形成辅助电容(也称为存储电容)。这样构成的话，扫描线101可以向规定的开关元件105的栅极电极106传送规定的栅极信号(也称为选择脉冲)。另外，数据线102可以向规定的开关元件105的源极电极107传送数据信号。
回到图1进行说明。在显示区域11的周围，围绕该显示区域11而设有面板边框区域12。在面板边框区域12的外周缘设有端子区域13。该端子区域13是用于连接安装驱动器IC(或者驱动器LSI)的TCP(Tape Carrier Package：卷带式封装)的区域，是贴附各向异性导电膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)的区域。
在端子区域13中形成配线电极端子121。配线电极端子121是与形成于安装驱动器IC(或者驱动器LSI)的TCP(Tape Carrier Package：卷带式封装)的配线或者端子电连接的端子。配线电极端子121是例如包括电导体的细长的带板状焊盘。并且多个配线电极端子121隔开规定的间隔大致平行地排列而形成。
在面板边框区域12的端子区域13以外的部分，形成：规定的配线电极端子121、用于电导通形成于显示区域11的规定的扫描线101、数据线102或者辅助电容线103的配线122(为了便于说明，将该配线称为“引出配线122”)。
在端子区域13中贴附各向异性导电膜，通过所贴附的各向异性导电膜，安装有驱动器IC等的TCP被固定到端子区域13。当TCP通过各向异性导电膜被固定到端子区域时，形成于TCP的规定的配线或者端子与形成于端子区域13的规定的配线电极端子121电导通。这样构成的话，安装于TCP的驱动器IC等所生成的规定的信号通过设于面板边框区域12的配线电极端子121和引出配线，传送到设于显示区域11的规定的配线(即，规定的扫描线101、辅助电容线103或者数据线102)。
图3是抽取本发明的实施方式的显示面板用基板1的端子区域13的一部分并放大示出的平面示意图。图4的(a)是图3的A-A线截面图，图4的(b)是图3的B-B线截面图，图4的(c)是图3的C-C线截面图。
如图3所示，在本发明的实施方式的显示面板用基板1的面板边框区域12，多个带板状的配线电极端子121和引出配线122隔开规定的间隔大致平行地排列而形成。配线电极端子121不被层间绝缘膜209覆盖，但是引出配线122被层间绝缘膜209覆盖。在配线电极端子121的表面形成导电性材料的膜210。另外，在层间绝缘膜209的表面，在隔着该层间绝缘膜209与引出配线122重叠的位置形成导电性材料的膜211。
如图4的(a)、(c)所示，在本发明的实施方式的显示面板用基板1的表面，配线电极端子121和引出配线122由相同的材料一体地形成。并且配线电极端子121和引出配线122被第一绝缘膜203覆盖。在第一绝缘膜203的表面，隔着第一绝缘膜203与配线电极端子121和引出配线122重叠地形成副配线123。
在第一绝缘膜203和副配线123中的、与配线电极端子121重叠的部分形成开口部(接触孔)。并且配线电极端子121的表面通过该开口部露出。而且，与配线电极端子121重叠地形成导电性材料的膜210。具体地说，该导电性材料的膜210跨越通过形成于第一绝缘膜203和副配线123的开口部而露出的配线电极端子121的表面、和该开口部的周缘部而形成。因此，配线电极端子121和副配线123通过导电性材料的膜210电导通。
另外，在与引出配线122重叠的第一绝缘膜203、副配线123以及层间绝缘膜209中，形成将它们整个贯通的开口部(接触孔)。因此，引出配线122的一部分通过该开口部露出。在层间绝缘膜209的表面，以隔着第一绝缘膜203、副配线123以及层间绝缘膜209与引出配线122重叠的方式形成导电性材料的膜211。并且导电性材料的膜211还在贯通第一绝缘膜203、副配线123以及层间绝缘膜209的开口部的内侧形成。因此，引出配线122和副配线123通过导电性材料的膜211电导通。
根据这种结构，规定的电信号除了可以在配线电极端子121和引出配线122中传导以外，还可以在副配线123和导电性材料的膜210、211中传导。因此，作为结果可以起到与增大配线电极端子121和引出配线122的截面面积来降低电阻相同的作用效果。因此，可以减少在配线电极端子121和引出配线122中进行传导的电信号的损失。
此外，如图3或者图4的(a)所示，导电性材料的膜210不在层间绝缘膜209的周缘部形成。因此，与配线电极端子121重叠而形成的导电性材料的膜210和形成在层间绝缘膜209的表面的导电性材料的膜211在物理上是分离的。根据这种结构，在层间绝缘膜209的周缘部，可以防止因为导电性材料的膜210，相邻的配线电极端子121发生短路。同样地，可以防止因为导电性材料的膜211，相邻的引出配线122发生短路。
如图4的(b)、(c)所示，层间绝缘膜209的周缘部中的、在引出配线122彼此之间所形成的部分(即，不与引出配线122重叠的部分)与在引出配线122的表面所形成的部分(即，与引出配线122重叠的部分)相比，厚度形成得较薄。因此，在层间绝缘膜209的周缘部，厚度台阶状变薄。
并且，如图3所示，形成于层间绝缘膜209的导电性材料的膜211中的、接近层间绝缘膜209的厚度较薄部分的部分与除此以外的部分相比，宽度形成得较窄。即，在靠近显示区域11的一侧，导电性材料的膜211的宽度形成为与引出配线122的宽度大致相同的尺寸，与此相对地，在靠近配线电极端子121的一侧(接近层间绝缘膜209的厚度较薄部分的部分)，导电性材料的膜211的宽度形成为比引出配线122的宽度窄的宽度。根据这种结构，在层间绝缘膜209的周缘部，相邻的导电性材料的膜211彼此的间隔变宽。因此，可以防止因为导电性材料的膜211，相邻的引出配线122发生短路。
具有这种结构的配线电极端子121、引出配线122、层间绝缘膜209等的形成方法如下所示。图5至图13是示意地示出配线电极端子121、引出配线122、层间绝缘膜209等的形成方法的各工序的截面图，图5至图13的各图的(a)相当于图3的A-A线截面，各图的(b)相当于图3的B-B线截面，各图的(c)相当于图3的C-C线截面。
如图5的(a)、(b)所示，在包括玻璃等的透明基板201的表面，形成配线电极端子121和引出配线122。具体地说，如下所示。首先，在透明基板201的表面，形成包括铬、钽、钼、铝等的单层或者多层的第一导体膜。在第一导体膜的形成方法中，可以适用公知的各种溅射法。不特别限定该第一导体膜的厚度，例如可以适用300nm左右的膜厚。并且，所形成的第一导体膜通过光刻法图案化为配线电极端子121的图案和引出配线122的图案。在第一导体膜的图案化中，可以适用公知的各种蚀刻法。此外，如图5的(b)所示，在配线电极端子121彼此之间和引出配线122彼此之间不形成第一导体膜。
下面，如图6的(a)、(b)、(c)所示，在形成有配线电极端子121和引出配线122的透明基板201的表面，形成第一绝缘膜203。在第一绝缘膜203中，可以适用氮化硅(SiNx)等。在第一绝缘膜203的形成方法中，可以适用等离子体CVD法。当形成第一绝缘膜203时，配线电极端子121和引出配线122被第一绝缘膜203覆盖。
下面，如图7的(a)、(c)所示，形成副配线123。副配线123是隔着第一绝缘膜203与配线电极端子121和引出配线122重叠的配线图案。并且，在与配线电极端子121重叠的部分形成开口部(接触孔)，配线电极端子121通过该开口部露出。此外，如图7的(b)所示，在配线电极端子121彼此之间以及引出配线122彼此之间不形成副配线123。
具体地说，首先，在经过上述工序的透明基板201的表面，形成成为副配线123的材料的导体膜(将该导体膜称为“第二导体膜”)。并且将所形成的第二导体膜图案化为副配线123的图案。在第二导体膜中，可以适用利用钽、铝、铬、钼等而具有二层以上的层叠构造的膜。在第二导体膜的形成方法中，可以适用公知的各种溅射法。在第二导体膜的图案化中，可以适用使用了Cl2和BCl3气体的干式蚀刻以及使用了磷酸、醋酸、硝酸的湿式蚀刻。
接着，如图8的(a)、(b)、(c)所示，在经过上述工序的透明基板201的表面，形成第二绝缘膜208，在第二绝缘膜208的表面，形成层间绝缘膜209。由此，配线电极端子121和引出配线122被第二绝缘膜208和层间绝缘膜209覆盖。在第二绝缘膜208中，可以适用氮化硅(SiNx)等。在第二绝缘膜208的形成方法中，可以适用等离子体CVD法。在层间绝缘膜209中，可以适用丙烯酸类感光性树脂材料。在层间绝缘膜209的形成方法中，可以适用利用旋转涂敷机、狭缝式涂敷机等涂敷层间绝缘膜209的材料的方法。
接着，如图9的(a)、(b)、(c)所示，对于所形成的层间绝缘膜209，使用光掩模4a来实施曝光处理。
在光掩模4a中，形成规定图案的透光区域42a、遮光区域41a以及中间色调区域43。具体地说，如果层间绝缘膜209包括正型的光致抗蚀剂材料，则在光掩模4a中，在与形成配线电极端子121的区域对应的位置形成透光区域42a，在与形成引出配线122的区域对应的位置形成遮光区域41a，在与引出配线122彼此之间对应的位置形成中间色调区域43。
因此，当使用这种光掩模4a时，对所形成的层间绝缘膜209中的、与配线电极端子121重叠而形成的部分，通过透光区域42a照射光能，对与引出配线122重叠而形成的部分不照射光能。并且，对形成在引出配线122彼此之间的部分，通过中间色调区域43照射光能。通过中间色调区域43所照射的光能比通过透光区域42a所照射的光能弱。
接着，如图10的(a)、(b)、(c)所示，对进行了曝光的光致抗蚀剂材料的膜实施显影处理。图10的(a)、(b)、(c)分别示出进行了显影处理的层间绝缘膜209的形状。当实施显影处理时，除去光致抗蚀剂材料的膜中的、通过光掩模4a的透光区域42a照射光能的部分。其结果是：除去形成的层间绝缘膜209中的、对形成配线电极端子121的区域进行覆盖而形成的部分，配线电极端子121露出。另外，在通过光掩模4a的中间色调区域43照射光能的部分，层间绝缘膜209的厚度变薄。其结果是：引出配线122彼此之间与其它的部分(被遮挡的部分)相比，厚度变薄(参照图10的(b)、(c))。因此，在引出配线122彼此之间形成厚度较薄的台阶面。
接着，如图11所示，将图案化的层间绝缘膜209用作掩模，图案化第二绝缘膜208。在该图案化中，也一并图案化第一绝缘膜203。在第一绝缘膜203和第二绝缘膜208的图案化中，可以适用使用了CF4+O2气体或者SF6+O2气体的干式蚀刻。
通过该图案化，除去第二绝缘膜208中的、在形成配线电极端子121的区域所形成的部分以及通过层间绝缘膜209的开口部(接触孔)露出的部分。而且，除去第一绝缘膜203中的、从形成于副配线123的开口部露出的部分。由此，形成开口部，其贯通层间绝缘膜209、第二绝缘膜208、副配线123、第一绝缘膜203，引出配线122的规定的一部分通过该开口部露出。另外，配线电极端子121通过形成于副配线123的开口部露出。
接着，形成第三导体膜212。在第三导体膜212中，可以适用厚度为100nm左右的ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)。第三导体膜212的形成方法如下所示。首先，在经过上述工序的透明基板201的表面，使用溅射法等沉积第三导体膜212。在所形成的第三导体膜212的表面，形成光致抗蚀剂材料的膜213。在光致抗蚀剂材料的膜213的形成中，例如可以使用旋转涂敷机、狭缝式涂敷机。
对于所形成的光致抗蚀剂材料的膜213，用形成规定的图案的透光区域42b和遮光区域41b的光掩模4b实施曝光处理。图12的(a)、(b)、(c)是示意地示出对光致抗蚀剂材料的膜213实施曝光处理的工序的图。图中的箭头示意地示出所照射的光能。
如果光致抗蚀剂材料的膜213是正型，则在配线电极端子121彼此之间、引出配线122彼此之间以及层间绝缘膜209的周缘部，通过形成于光掩模4b的透光区域42b照射光能。由光掩模4b的遮光区域41b遮挡与配线电极端子121和引出配线122重叠的部分。
但是，如图12所示，光致抗蚀剂材料的膜213还在层间绝缘膜209的周缘部的台阶面(例如，图12中的A部、B部)形成。形成在层间绝缘膜209的周缘部的台阶面的光致抗蚀剂材料的膜213的厚度依赖于层间绝缘膜209的周缘部的台阶面的高度。根据本实施方式，层间绝缘膜209的周缘部中的、形成在引出配线122彼此之间的部分与其它的部分相比，厚度较薄(参照图12的(b))。因此，可以使形成在层间绝缘膜209的周缘部的台阶面的光致抗蚀剂材料的膜213的厚度较薄。因此，可以防止该部分(特别是A部)曝光不足。
然后，对实施了曝光处理的光致抗蚀剂材料的膜213实施显影处理。当对光致抗蚀剂材料的膜213实施显影处理时，除去光能所照射的部分。具体地说，除去配线电极端子121彼此之间、引出配线122彼此之间以及覆盖层间绝缘膜209的周缘部的部分。如上所述，可以防止形成在层间绝缘膜209的周缘部的台阶面的光致抗蚀剂材料的膜213曝光不足。因此，当实施显影处理时，完全除去形成在层间绝缘膜209的周缘部的台阶面的光致抗蚀剂材料的膜213，不会发生膜残留。
接着，将进行了显影处理的光致抗蚀剂材料的膜213用作掩模，图案化第三导体膜212。图13的(a)、(b)、(c)是示出第三导体膜212被图案化后的状态的图。在第三导体膜212的图案化中，可以适用公知的各种蚀刻法。通过该图案化，在第三导体膜212中，残留被光致抗蚀剂材料的膜213覆盖的部分，除去除此以外的部分。具体地说，第三导体膜212在与配线电极端子121的表面和引出配线122重叠的部分残留，除此以外的部分(即、配线电极端子121彼此之间、引出配线122彼此之间、层间绝缘膜209的周缘部)被除去。
如上所述，完全除去形成在层间绝缘膜209的周缘部的台阶面的光致抗蚀剂材料的膜213，因此，还可以完全除去形成在层间绝缘膜209的周缘部的台阶面的导电性材料的膜。因此，在层间绝缘膜209的周缘部的台阶面不会残留导电性材料的膜，因此，可以防止发生：因为导电性材料的膜，相邻的引出配线122彼此短路、相邻的配线电极端子121彼此短路。
之后，除去光致抗蚀剂材料的膜213。当除去光致抗蚀剂材料的膜213时，本发明的实施方式的显示面板用基板1的端子区域13成为图4示出的结构。
经过上述工序，在配线电极端子121的表面形成导电性材料的膜210，并且在隔着层间绝缘膜209与引出配线122重叠的部分形成导电性材料的膜211。
下面，说明本发明的实施方式的显示面板用基板1的制造方法的整体流程。
图14至图19是示意地示出本发明的实施方式的显示面板用基板的制造方法的各工序的截面图。图14至图19的(a)是示出形成在显示区域11的像素、总线的制造工序的图。图14至图19的(b)、(c)是示出形成在面板边框区域12的配线电极端子121、引出配线122等的形成工序的图，各图的(b)相当于图3的A-A线截面图，(c)相当于B-B线截面图。此外，图14至图19的(a)是示意地示出本发明的实施方式的显示面板用基板1的显示区域11的截面构造的图，不是沿着特定的截面线切断的图。
首先，如图14的(a)所示，在包括玻璃等的透明基板201的显示区域11，形成扫描线101、辅助电容线103以及开关元件105的栅极电极106。如图14的(b)所示，在该工序中，在面板边框区域12形成配线电极端子121和引出配线122。此外，如图14的(c)所示，在该工序中，在配线电极端子121彼此之间以及引出配线122彼此之间，什么都不会形成。
具体地说，在透明基板201的单侧表面，形成包括铬、钽、钼、铝等的单层或者多层的导体膜(即，第一导体膜)。在该第一导体膜的形成方法中，可以适用公知的各种溅射法等。另外，不特别限定该第一导体膜的厚度，例如可以适用300nm左右的膜厚。
所形成的第一导体膜在显示区域11中，如图14的(a)所示，被图案化为扫描线101、辅助电容线103、开关元件105的栅极电极106的形状。在面板边框区域12中，如图14的(b)所示，被图案化为配线电极端子121和引出配线122的形状。在第一导体膜的图案化中，可以适用公知的各种湿式蚀刻。在第一导体膜包括铬的结构中，可以适用使用了(NH4)2〔Ce(NH3)6〕+HNO3+H2O液的湿式蚀刻。
下面，如图15的(a)、(b)、(c)所示，在经过上述工序的透明基板201的表面，形成第一绝缘膜203。在第一绝缘膜203中，可以适用例如厚度为300nm左右的SiNx(氮化硅)。作为第一绝缘膜203的形成方法可以适用等离子体CVD法。当形成第一绝缘膜时，在显示区域中如图15的(a)所示，扫描线101、辅助电容线103以及开关元件105的栅极电极106被第一绝缘膜203覆盖。并且在显示区域11中，第一绝缘膜203成为栅极绝缘膜。另外，在面板绝缘区域12中，如图15的(b)所示，配线电极端子121和引出配线122被第一绝缘膜203覆盖。
下面，如图16的(a)所示，在显示区域11中，在第一绝缘膜203的表面的规定位置，形成规定形状的半导体膜204。具体地说，该半导体膜204在隔着第一绝缘膜203与栅极电极106重叠的位置以及隔着第一绝缘膜203与辅助电容线103重叠的位置形成。该半导体膜204具有第一副半导体膜205与第二副半导体膜206的二层构造。在第一副半导体膜205中，可以适用厚度约为100nm左右的非晶硅等。在第二副半导体膜206中，可以适用厚度约为20nm左右的n+型非晶硅等。
第一副半导体膜205在通过蚀刻来图案化数据线、漏极线等的工序中，发挥蚀刻阻挡层的功能。第二副半导体膜206用于使在后面的工序中所形成的源极电极107、漏极电极108的欧姆接触良好。
该半导体膜204(第一副半导体膜205和第二副半导体膜206)可以通过等离子体CVD法和光刻法来形成。
即，首先使用等离子体CVD法，使半导体膜204(第一副半导体膜205和第二副半导体膜206)的材料沉积到经过上述工序的透明基板201的单侧表面。并且，所形成的半导体膜204(第一副半导体膜205和第二副半导体膜206)通过光刻法等被图案化为规定的形状。具体地说，在半导体膜204的表面形成光致抗蚀剂材料的层。在光致抗蚀剂材料的层的形成中，可以适用旋转涂敷机等。并且，对于所形成的光致抗蚀剂材料的层，使用光掩模来实施曝光处理，之后实施显影处理。这样，在显示区域11的半导体膜204的表面残留规定图案的光致抗蚀剂材料的层。
并且，将进行了图案化的光致抗蚀剂材料的层用作掩模，进行半导体膜204的图案化。在该图案化中，可以适用例如使用了HF+HNO3溶液的湿式蚀刻、使用了Cl2和SF6气体的干式蚀刻。由此，半导体膜204(第一副半导体膜205和第二副半导体膜206)隔着第一绝缘膜203与栅极电极206重叠地形成，并且与辅助电容线103重叠地形成。
此外，在该工序中，如图16的(b)、(c)所示，在面板边框区域12中，不形成半导体膜。
下面，如图17的(a)所示，在显示区域11中，形成数据线102、漏极线104、开关元件105的源极电极107和漏极电极108。在该工序中，如图17的(b)所示，在面板边框区域12中，在与第一绝缘膜203的表面的配线电极端子121和引出配线122重叠的位置一并形成副配线123。此外，如图17的(c)所示，在配线电极端子121彼此之间以及引出配线122彼此之间形成副配线123。
具体地说，首先，在经过上述工序的透明基板201的单侧表面，形成成为数据线102、漏极线104、开关元件105的源极电极107和漏极电极108以及副配线123的材料的导体膜(将该导体膜称为“第二导体膜”)。作为第二导体膜的形成方法，可以适用溅射法等。之后，所形成的第二导体膜被图案化为规定的形状。在第二导体膜的图案化中，可以适用使用了Cl2和BCl3气体的干式蚀刻以及使用了磷酸、醋酸、硝酸的湿式蚀刻。
通过该图案化，在显示区域11中，形成包括第二导体膜的数据线102、漏极线104、开关元件105的源极电极107和漏极电极108。在面板边框区域12中，形成包括第二导体膜的副配线123。在该图案化中，将第一副半导体膜205作为蚀刻阻挡层，还蚀刻第二副半导体膜206。
第二导体膜利用钽、铝、铬、钼等而具有二层以上的层叠构造。在本发明的实施方式的显示面板用基板1中，第二导体膜具有二层构造。即，第二导体膜具有包括接近透明基板201侧的第一副导体膜和接近像素电极侧的第二副导体膜的二层构造。在第一副导体膜中，可以适用钽等。在第二副导体膜中，可以适用铝等。
经过上面的工序，如图17的(a)所示，在显示区域11中，形成开关元件105(即栅极电极106、源极电极107以及漏极电极108)、数据线102、扫描线101、漏极线104、辅助电容线103。另外，如图17的(b)所示，在面板边框区域12中，形成配线电极端子121、引出配线122以及副配线123。
接着，如图18的(a)、(b)、(c)所示，在经过上述工序的透明基板201的表面，形成第二绝缘膜208和层间绝缘膜209。在第二绝缘膜208中，可以适用厚度为300nm左右的SiNx(氮化硅)。在层间绝缘膜209中，可以适用丙烯酸类感光性树脂材料。
第二绝缘膜208和层间绝缘膜209的形成方法如下所示。首先在经过上述工序的透明基板201的表面形成第二绝缘膜208。在第二绝缘膜208的形成方法中，可以适用等离子体CVD法。并且在所形成的第二绝缘膜208的表面，形成层间绝缘膜209。在层间绝缘膜209的形成中，可以适用如下方法：使用旋转涂敷机等在透明基板201的表面形成光致抗蚀剂材料的膜。
所形成的层间绝缘膜209通过光刻法被图案化为规定的图案。通过该图案化，在显示区域11中，形成用于使像素电极109和漏极线104电导通的开口部(接触孔)。另外，在面板边框区域12中，除去层间绝缘膜209中的、与形成有配线电极端子121的区域重叠的部分。另外，形成用于使引出配线122和副配线123电导通的开口部(接触孔)。而且，形成于面板边框区域12的层间绝缘膜209中的、形成在引出配线122彼此之间的部分的厚度与其它的部分相比变薄。
如果光致抗蚀剂材料是正型，则在曝光工序中，对形成开口部的位置照射光能，遮挡残留层间绝缘膜209的位置即可。在面板边框区域12中，对层间绝缘膜209中的、在形成配线电极端子121的区域形成的部分照射光能，遮挡在形成引出配线122的区域形成的部分。另外，在引出配线122彼此之间，通过形成于光掩模的中间色调区域照射光能。即，对形成在引出配线122彼此之间的层间绝缘膜209照射与在形成配线电极端子121的区域形成的层间绝缘膜209相比较弱的光能。
当对实施了曝光处理的层间绝缘膜209进行显影处理时，除去光能所照射的部分，残留被遮挡的部分。另外，在通过中间色调区域进行了曝光的部分中，层间绝缘膜209残留，与被遮挡的部分相比，厚度变薄。因此，在显示区域11中，形成用于使像素电极109和漏极线104电导通的开口部。在面板边框区域12中，除去与配线电极端子121重叠的层间绝缘膜209。另外，形成在引出配线122之间的层间绝缘膜209与其它的部分相比，厚度变薄。
当图案化层间绝缘膜209且除去规定的部分时，第二绝缘膜208通过除去的部分露出。接着，将进行了图案化的层间绝缘膜209用作掩模，图案化第二绝缘膜208。通过该图案化，除去第二绝缘膜208中的、从层间绝缘膜209露出的部分(不被层间绝缘膜209覆盖的部分)。另外，在该图案化中，也一并图案化第一绝缘膜203。具体地说，在面板边框区域12中，除去从形成在副配线123的开口部露出的第一绝缘膜203。由此，配线电极端子121通过形成在第一绝缘膜203和副配线123的开口部露出。另外，引出配线122的规定部分从形成在层间绝缘膜209的开口部、形成在副配线123的开口部以及形成在第一绝缘膜203的开口部露出。
在层间绝缘膜209和第一绝缘膜203的图案化中，可以适用使用了CF4+O2气体或者SF6+O2气体的干式蚀刻。
下面，如图19的(a)所示，在显示区域11中，形成像素电极109。如图19的(b)所示，在该工序中，在面板边框区域12中，形成与配线电极端子121重叠的导电性材料的膜210以及与引出配线122重叠的导电性材料的膜211。
具体地说，首先，在经过上述工序的透明基板201的表面，使用溅射法形成像素电极109和导电性材料的膜210、211的材料(将像素电极109和导电性材料的膜210、211的材料称为第三导体膜)。在第三导体膜中，可以适用厚度为100nm左右的ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)。接着，在所形成的第三导体膜的表面形成光致抗蚀剂材料的膜。对所形成的光致抗蚀剂材料的膜，通过形成了规定的遮光图案和透光图案的光掩模来照射光能。
如果光致抗蚀剂材料是正型，则在显示区域11中，遮挡成为像素电极109的部分，对除此以外的部分照射光能。在面板边框区域12中，对配线电极端子121彼此之间、引出配线122彼此之间以及层间绝缘膜209的周缘部照射光能，遮挡与配线电极端子121和引出配线122重叠的部分。
并且，对光能所照射的光致抗蚀剂材料进行显影。当对光致抗蚀剂材料进行显影处理时，除去光能所照射的部分。在显示区域11中，残留与像素电极109对应的部分，除去与像素电极109之间对应的部分。在面板边框区域12中，除去配线电极端子121彼此之间、引出配线122彼此之间以及覆盖层间绝缘膜209的周缘部的部分。
接着，将进行了显影处理的光致抗蚀剂材料用作掩模，图案化第三导体膜。在第三导体膜的图案化中，可以适用使用了三氯化铁的湿式蚀刻。通过该图案化，在第三导体膜中，残留被光致抗蚀剂材料覆盖的部分，除去除此以外的部分。因此，在显示区域11中，残留像素电极109，除去像素电极109之间的部分。在面板边框区域12中，在配线电极端子121的表面以及与引出配线122重叠的部分残留第三导体膜，除去除此以外的部分。由此，在配线电极端子121的表面，形成包括第三导体膜的导电性材料的膜210。另外，还在隔着层间绝缘膜209与引出配线122重叠的位置形成导电性材料的膜211。在配线电极端子121的表面形成的导电性材料的膜210和与引出配线122重叠而形成的导电性材料的膜211在物理上是分离的。
经过上述工序，制造本发明的实施方式的显示面板用基板1。
下面，说明本发明的实施方式的显示面板的制造方法。本发明的实施方式的显示面板的制造方法包括TFT阵列基板制造工序、彩色滤光片制造工序以及面板制造工序(也称为单元制造工序)。此外，TFT阵列基板制造工序如上所述。
彩色滤光片5的结构和彩色滤光片制造工序如下所示。图20是示意地示出彩色滤光片5的结构的图，具体地说，图20的(a)是示意地示出彩色滤光片5的整体构造的立体图，图20的(b)是抽取并示出形成于彩色滤光片5的一个像素的结构的平面图，图20的(c)是图20的(b)的F-F线截面图，是示出像素的截面构造的图。
如图20的(a)、(b)、(c)所示，彩色滤光片5在包括玻璃等的透明基板51的单侧表面形成黑矩阵52。在黑矩阵52的各格子的内侧，形成包括红色、绿色、蓝色的各种颜色的着色感光材料的着色层53。并且，按规定的顺序排列形成该各色的着色层53的格子。在黑矩阵52和各色的着色层53的表面，形成保护膜54。在保护膜54的表面，形成共用电极55。在共用电极55的表面，形成控制液晶的取向的取向限制构造物56。
在彩色滤光片制造工序中，包括黑矩阵形成工序、着色层形成工序、保护膜形成工序以及共用电极形成工序。
如果黑矩阵形成工序的内容例如是树脂BM法，则如下所示。首先，对透明基板的表面涂敷BM抗蚀剂(即含有黑色着色剂的感光性树脂组合物)等。接着，使用光刻法等将涂敷的BM蚀刻剂形成为规定的图案。由此，得到规定图案的黑矩阵52。
在着色层形成工序中，形成彩色显示用红色、绿色、蓝色的各色的着色层53。如果例如是着色感光材料法，则如下所示。首先，对形成了黑矩阵52的透明基板的表面涂敷着色感光材料(即在感光性材料中分散了规定颜色的颜料的溶液)。接着，使用光刻法等将所涂敷的着色感光材料形成为规定的图案。并且对于红色、绿色、蓝色各色进行该工序。由此得到各色的着色层53。此外，也可以是使用喷墨印刷机，对黑矩阵52的各格子的内侧滴下着色层的材料(例如，含有规定颜色的着色剂的树脂组合物)的方法。
在黑矩阵形成工序中所用的方法不限定于树脂BM法。例如可以适用铬BM法、聚合法等公知的各种方法。在着色层形成工序中所用的方法也不限定于着色感光材料法。可以适用例如印刷法、染色法、电镀法、转印法、蚀刻法等公知的各种方法。另外，也可以使用先形成着色层53，之后形成黑矩阵52的背面曝光法。
通过保护膜形成工序，在黑矩阵52和着色层53的表面形成保护膜54。可以适用例如对经过上述工序的透明基板51的表面，用旋转涂敷机涂敷保护膜材料的方法(整面涂敷法)、使用印刷或者光刻法等来形成规定图案的保护膜54的方法(图案化法)等。在保护膜材料中，可以适用例如丙烯酸树脂、环氧树脂等。
在共用电极形成工序中，在保护膜54的表面形成共用电极55。如果例如是掩模法，则在经过上述工序的透明基板51的表面配置掩模，通过溅射等蒸镀铟锡氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)等来形成共用电极55。
接着，形成取向限制构造物56。该取向限制构造物56包括例如感光性的树脂材料等，使用光刻法等形成。对经过上述工序的透明基板51的表面涂敷感光性材料，通过光掩模曝光为规定的图案。并且，在之后的显影工序中，除去不要的部分。由此，得到规定图案的取向限制构造物56。
经过该工序，制造彩色滤光片5。
接着，说明面板制造工序。图21是示意地示出本发明的实施方式的显示面板6的一部分的截面构造的截面图。首先，在经过上述工序得到的TFT阵列基板(即本发明的实施方式的显示面板用基板1)和彩色滤光片5的各自的表面形成取向膜61、62。并且对所形成的取向膜61、62实施取向处理(此外，也可以是不实施取向处理的结构)。之后，贴合本发明的实施方式的显示面板用基板1和彩色滤光片5。而且，在本发明的实施方式的显示面板用基板1和彩色滤光片5之间注入液晶。
在本发明的实施方式的显示面板用基板1和彩色滤光片5的各自的表面形成取向膜61、62的方法如下所示。首先，使用取向材料涂敷装置等，对本发明的实施方式的显示面板用基板1和彩色滤光片5各自的显示区域的表面涂敷取向材料。取向材料是指包括成为取向膜的原料的物质的溶液。在取向材料涂敷装置中，可以适用喷墨方式的印刷装置(分注器)。
使用取向膜焙烧装置等来加热、焙烧所涂敷的取向材料。
接着，对进行了焙烧的取向膜61、62实施取向处理。作为该取向处理，可以使用用摩擦辊等对取向膜的表面造成微小损伤的方法、对取向膜的表面照射紫外线等光能来调整取向膜的表面性状的光取向处理等公知的各种处理方法。此外，也可以如上所述不实施取向处理。
接着，用密封图案化装置等以围绕本发明的实施方式的显示面板用基板1的显示区域11的方式来涂敷密封材料63。
并且，使用间隔物散布装置等，对本发明的实施方式的显示面板用基板1的表面散布用于将单元间距均匀地保持为规定的值的间隔物。此外，也可以是在本发明的实施方式的显示面板用基板1或者彩色滤光片5的表面，形成柱状的间隔物的结构。在这种情况下，不需要散布间隔物。并且，使用液晶滴下装置等对本发明的任一实施方式的显示面板用基板1的表面的被密封材料63包围的区域滴下液晶。
并且，在减压气氛下贴合本发明的实施方式的显示面板用基板1和彩色滤光片5。并且对密封材料63照射紫外线，使密封材料63固化。此外，也可以是如下方法：在使密封材料63固化后，在本发明的实施方式的显示面板用基板1和彩色滤光片5之间注入液晶。
经过这种工序，得到本发明的实施方式的显示面板6。
上面参照附图详细地说明了本发明的实施方式，但是本发明不限定于上述各实施方式，当然可以在不脱离本发明的宗旨的范围内进行各种改变。

Claims (9)

1.一种显示面板用基板，其特征在于：
具备：
用于连接外部的配线基板的配线电极端子；
与该配线电极端子电导通的引出配线；
覆盖该引出配线的层间绝缘膜；
与上述配线电极端子重叠而形成并且与上述配线电极端子电导通的导电性材料的膜；以及
隔着上述层间绝缘膜与上述引出配线重叠而形成并且与上述引出配线电导通的导电性材料的膜，
与上述配线电极端子重叠而形成的导电性材料的膜和隔着上述层间绝缘膜与上述引出配线重叠而形成的导电性材料的膜，在上述层间绝缘膜的周缘部是分离的。
2.根据权利要求1所述的显示面板用基板，其特征在于：
隔着上述层间绝缘膜与上述引出配线重叠而形成并且与上述引出配线电导通的导电性材料的膜通过形成于上述层间绝缘膜的开口部与上述引出配线电导通。
3.根据权利要求1或者权利要求2所述的显示面板用基板，其特征在于：
隔着上述层间绝缘膜与上述引出配线重叠而形成的导电性材料的膜形成为：其接近上述层间绝缘膜的周缘部的部分与其它的部分相比，宽度较窄。
4.一种显示面板用基板，其特征在于：
具备：
用于连接外部的配线基板的多个配线电极端子；
对各该多个配线电极端子电导通的多个引出配线；
覆盖该多个引出配线的层间绝缘膜；
与上述多个配线电极端子分别重叠而形成并且与上述多个配线电极端子分别电导通的导电性材料的膜；以及
隔着上述层间绝缘膜与上述多个引出配线分别重叠而形成并且与上述多个引出配线分别电导通的导电性材料的膜，
上述多个引出配线并列而形成，
与上述多个配线电极端子分别重叠而形成的导电性材料的膜和隔着上述层间绝缘膜与上述多个引出配线分别重叠而形成的导电性材料的膜，在上述层间绝缘膜的周缘部是分离的，并且相邻的隔着上述层间绝缘膜与多个引出配线分别重叠而形成的导电性材料的膜是分离的。
5.根据权利要求4所述的显示面板用基板，其特征在于：
隔着上述层间绝缘膜与上述引出配线重叠而形成并且与上述引出配线电导通的导电性材料的膜通过形成于上述层间绝缘膜的开口部与上述引出配线电导通。
6.根据权利要求4或者权利要求5所述的显示面板用基板，其特征在于：
隔着上述层间绝缘膜与上述引出配线重叠而形成的导电性材料的膜形成为：其接近上述层间绝缘膜的周缘部的部分与其它的部分相比，宽度较窄。
7.根据权利要求4或者权利要求5所述的显示面板用基板，其特征在于：
隔着上述层间绝缘膜与上述引出配线重叠而形成的导电性材料的膜形成为：其接近上述层间绝缘膜的周缘部的部分与其它的部分相比，宽度较窄，并且在该宽度较窄地形成的部分，相邻的隔着上述层间绝缘膜与引出配线重叠而形成的导电性材料的膜的间隔与其它的部分相比较宽。
8.根据权利要求4至权利要求7中的任一项所述的显示面板用基板，其特征在于：
上述层间绝缘膜的周缘部中的形成在上述多个引出配线彼此之间的部分形成为：其和与上述多个引出配线分别重叠而形成的部分相比，厚度较薄。
9.一种显示面板，其特征在于：
具备权利要求1至权利要求8中所述的任一显示面板用基板、以及相对基板，上述显示面板用基板和上述相对基板隔开规定的间隔相对配设，在上述显示面板用基板和上述相对基板之间填充有液晶。
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