CN102213797B - 波导型偏振器 - Google Patents

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Abstract

一种波导型偏振器，不使用特别的制造工序也能够稳定地对光波导本身附加偏振器作用。上述波导型偏振器具有Z切型的铌酸锂基板（1）和形成在该基板上的脊形结构的光波导，其特征在于，该脊形结构的宽度是在该光波导中传播的光波的寻常光的光分布变化、且该光波的非常光的光分布不变化的脊形宽度，该脊形结构的角度小于90°，在该脊形结构的侧面上形成有膜厚满足0＜n·t/λ≤0.3742的条件（其中，n为折射率，t为膜厚，λ为光波的波长，膜厚、波长的单位为μm）的低折射率膜（3），在该低折射率膜上形成有膜厚满足0.089≤n·t/λ的条件的高折射率膜（4），上述波导型偏振器具有非常光透过型偏振器的功能。

Description

波导型偏振器
技术领域
本发明涉及一种波导型偏振器，尤其是涉及在Z切型的铌酸锂基板上形成有脊形结构的光波导的波导型偏振器。
背景技术
在光通信及光信息处理的技术领域中，利用了铌酸锂(LN)等具有电光效应的基板的光波导元件被广泛利用。例如，作为LN光调制器，存在波导形状具有马赫-曾德尔(MZ)结构的光调制器。MZ结构的调制器通过施加电压来控制光的on/off。具体来说，MZ结构波导的输出波导是单模式波导，根据施加电压，光的传播速度发生变化，从而进行基本模式、激励模式控制，由此能够实现光的on/off。
这种LN光调制器的特性中存在VΠ、光频带。VΠ是指使光从on成为off时所需的施加电压，光频带是指on/off动作的频率。VΠ越小且光频带越大，LN光调制器的特性就越良好。
为了减小VΠ，需要减薄缓冲层的厚度以缩短电极与光的距离。而为了达到光频带的宽频化，需要增加缓冲层的厚度，以防止电极中的电流集中于一个部位。因此，在VΠ和光频带中，存在一定的相反规则。为了同时实现VΠ的减小和光频带的宽频化，Z切型的LN基板使用了脊形结构。
另一方面，近年来，对随机型光调制器等的强度、相位进行调制的方式成为主流。为了对强度、相位进行操作，需要配置多个MZ结构的光波导。尤其是在使用了Z切型LN基板的DQPSK调制器的情况下，需要六个电极。因此，调制电极占据了LN光调制器芯片的表面的大部分，从而难以对提供附加特性的部件进行集成化。
另外，作为晶体的LN在电光效应方面具有各向异性，因此向LN光调制器入射特定偏振波的光而使用。在LN光调制器的情况下，通常入射光偏振波为非常光(ne)。然而，商用的实施了Ti扩散的脊形结构的光波导对非常光(ne)、寻常光(no)这双方进行波导，因此需要除去寻常光(no)。
作为对Z切型的LN基板进行了Ti扩散的光波导的非常光(ne)路径偏振器，有非专利文献1所公开的在芯片与光纤的连接部上粘贴薄膜状的偏振器的方法，或者专利文献1及非专利文献2至4所公开的在Ti扩散的光波导上形成低折射率膜、高折射率膜等的方法等。
然而，在上述非常光(ne)透过型偏振器中存在以下的缺点。
(1)由于在芯片与光纤之间(波导间)粘贴偏振器，因此光损失大。而且，对每个芯片进行粘贴，因此生产率差。
(2)在VΠ与光频带的关系方面，需要分别形成偏振器部分的薄膜和电极下部的薄膜，生产率差。而且，由于需要偏振器的区域，因此LN芯片增大。
专利文献1：日本专利第2613942号公报
非专利文献1：住友大阪セメントテクニカルレポート(cementtechnical report)1996年，pp24
非专利文献2：Electronics Letters,Vol.24,No.4,pp229(1988)
非专利文献3：Optics Letters,Vol.16,No.10,pp717(1991)
非专利文献4：Chinese Optics Letters,Vol.2,No.2,pp89(2004)
非专利文献5：電子情報通信学会論文誌(电子信息通信学会论文志)C-I Vol.J77-C-I,No.5,pp194(1994)
非专利文献6：藪哲郎，「光導波路解析入門(光波导解析入门)」(森北出版)
发明内容
本发明要解决的课题是解决上述问题，提供一种不使用特别的制造工序也能够稳定地对光波导本身附加偏振器作用的波导型偏振器。
为了解决上述课题，本发明的技术方案1涉及一种波导型偏振器，具有Z切型的铌酸锂基板和形成在该基板上的脊形结构的光波导，其特征在于，上述脊形结构的宽度是在上述光波导中传播的光波的寻常光的光分布变化、且上述光波的非常光的光分布不变化的脊形宽度，上述脊形结构的角度小于90°，在上述脊形结构的侧面上形成有膜厚满足0＜n·t/λ≤0.3742的条件(其中，n为折射率，t为膜厚，λ为光波的波长，膜厚、波长的单位为μm)的低折射率膜，在该低折射率膜上形成有膜厚满足0.089≤n·t/λ的条件的高折射率膜，上述波导型偏振器具有非常光透过型偏振器的功能。
本发明的技术方案2以技术方案1所记载的波导型偏振器为基础，其特征在于，上述低折射率膜的膜厚满足0.0935≤n·t/λ≤0.3742的条件。
本发明的技术方案3以技术方案1所记载的波导型偏振器为基础，其特征在于，上述高折射率膜是Si膜。
本发明的技术方案4以技术方案1所记载的波导型偏振器为基础，上述脊形结构的光波导是Ti扩散光波导。
本发明的技术方案5以技术方案1或4所记载的波导型偏振器为基础，其特征在于，上述低折射率膜的主要成分为SiO2，上述低折射率膜是在SiO2膜中混入杂质而控制折射率的膜体。
本发明的技术方案6以技术方案5所记载的波导型偏振器为基础，其特征在于，上述低折射率膜是在SiO2中添加适量TiO2、In2O3和SnO2杂质形成的。
发明效果
根据本发明的技术方案1，一种波导型偏振器，具有Z切型的铌酸锂基板和形成在该基板上的脊形结构的光波导，其特征在于，上述脊形结构的宽度是在上述光波导中传播的光波的寻常光的光分布变化、且上述光波的非常光的光分布不变化的脊形宽度，上述脊形结构的角度小于90°，在上述脊形结构的侧面上形成有膜厚满足0＜n·t/λ≤0.3742的条件(其中，n为折射率，t为膜厚，λ为光波的波长)的低折射率膜，在该低折射率膜上形成有膜厚满足0.089≤n·t/λ的条件的高折射率膜，上述波导型偏振器具有非常光透过型偏振器的功能，因此通过调整脊形宽度、低折射率膜及高折射率膜的膜厚，不使制造工序复杂化即可容易地将非常光透过型偏振器的功能附加给光波导例如施加调制电极的电场的作用部等。
根据本发明的技术方案2，由于低折射率膜的膜厚满足0.0935≤n·t/λ≤0.3742的条件，因此始终能够形成一定厚度以上的低折射率膜，从而也能够减少制造时的误差，能够发挥更稳定的性能。
根据本发明的技术方案5，由于低折射率膜的主要成分为SiO2，上述低折射率膜是在SiO2膜中混入杂质而控制折射率的膜体，因此不使用特殊的装置也能够进行低折射率膜的折射率控制，从而能够避免装置固有的覆盖特性。
附图说明
图1是本发明的波导型偏振器的剖视图。
图2是光波导的作用部的剖视图。
图3是表示现有偏振器的例子的剖视图。
图4是表示图3的Si膜厚与有效折射率的关系的曲线图。
图5是表示脊形宽度与有效折射率的关系的曲线图。
图6是说明在脊形结构的波导中传播的寻常光的状态的图。
图7是表示本发明的实施例1的测定结果的曲线图。
图8是说明本发明的实施例2的结构的图。
图9是表示本发明的实施例2的测定结果的曲线图。
具体实施方式
以下，使用优选例详细说明本发明的波导型偏振器。
如图1所示，本发明的波导型偏振器具有Z切型的铌酸锂基板1和形成在该基板上的脊形结构的光波导，该脊形结构的宽度w是在该光波导中传播的光波的寻常光的光分布变化、且该光波的非常光的光分布不变化的脊形宽度，该脊形结构的角度θ小于90°，在该脊形结构的侧面上形成有膜厚满足0≤n·t/λ≤0.3742的条件(其中，n为折射率，t为膜厚，λ为光波的波长，膜厚、波长的单位为μm)的低折射率膜3，在该低折射率膜上形成有膜厚满足0.089≤n·t/λ的条件的高折射率膜4，上述波导型偏振器具有非常光透过型偏振器的功能。
作为光波导的形成方法，在形成有热扩散了Ti的光波导2的铌酸锂(LN)晶片上，在光波导2的旁边形成槽而制作脊形结构的光波导。Ti的扩散工序使用非专利文献5所记载的已知的技术。而且，在制作槽时，能够利用将抗蚀剂、金属(Ti、Ni等)作为遮挡掩模并对LN基板进行湿式或干式蚀刻的方法、或利用受激准分子等的激光加工、喷砂器等。
在上述晶片上通过现有技术的方法(在Ti扩散的光波导上形成低折射率膜或高折射率膜等的方法)制作偏振器时，在偏振器形成区域以外也形成缓冲层(BF层)(SiO2)、电荷分散层(Si)。由于根据光学元件的设计目的来确定VΠ、光频带，因此BF层膜厚、电荷分散层膜厚形成符合该目的的膜厚。通常的LN光调制器的BF层使用SiO2或在SiO2中添加有微量杂质的膜。因此，形成BF层后，为了增加LN基板和BF层的附着力或缓和膜应力而进行热处理。因此，若在形成BF层或电荷分散层之前形成偏振器，则在BF层的热处理时，会发生偏振器氧化或由于膜的体积变化而引起偏振器剥落的不良情况。因此，需要在必要的部分、例如调制电极的电场所作用的光波导部分(以下称为“作用部”)上形成BF层、电荷分散层后，形成上述的现有技术的偏振器。
本发明的波导型偏振器同时进行BF层或电荷分散层的形成和偏振器的形成，能够使用膜的覆盖率(Coverage)(脊形的侧面的膜厚/脊形的上表面的膜厚)低的成膜装置(蒸镀、溅射装置等)进行制作。首先，使用覆盖率低的装置在形成有上述脊形波导的晶片上形成BF层后，进行热处理。
图2是在作用部形成有BF层(低折射率膜)和电荷分散层(高折射率膜)时的剖视图，标号5表示作为调制电极的一部分的信号电极。
在制造本发明的波导型偏振器时，由于使用覆盖率低的装置，因此即使在脊形的上表面的BF层膜厚为0.7μm的情况下，脊形的侧面的膜厚也为0.4μm以下。覆盖率根据装置的形状、规格、晶片的配置等而不同，作为标准，蒸镀装置为～0，溅射装置为～0.5。
通常，脊形的上表面的BF层膜厚需要为主信号光(非常光(ne))不会因电荷分散膜、金属膜(电极)而衰减的膜厚，需要为0.4μm以上。即，以0.4μm附近为界，主信号光开始衰减。接下来，通过形成半导体、高折射率膜(Si等)的电荷分散膜，形成使非常光(ne)透过的偏振器。
图3是表示现有偏振器的结构的图。在波导2上形成有Si膜(高折射率膜)4。根据文献，也存在没有SiO2膜3的情况。如非专利文献6所记载，随着Si膜厚增加，Si膜作为波导起作用。
作为偏振器发挥作用的主要原因在于，Si膜增厚时，TE模式先成为传播模式(参照图4的曲线图。图4是表示在Z切型的LN基板上堆叠SiO2膜(n＝1.45)、Si膜(n＝3.47)时的有效折射率与Si膜厚的关系的曲线图)。通过将Si膜的膜厚调整为TE光为传播模式(0.03μm以上)、TM光为leaky(漏出)模式(0.11μm以下)，能够使Ti扩散的波导的寻常光向Si膜4的TE模式光转变并扩散。此时，Ti扩散波导的非常光由于无法与Si膜的TM模式光耦合(即，在TM模式中，没有Si的传播模式)，所以能够透过Ti扩散波导，形成非常光透过型偏振器。在非专利文献6中记载有与波导的芯厚相关的TE模式和TM模式的相关描述。
另一方面，在脊形结构的扩散有Ti的光波导的侧面上形成有SiO2膜、Si膜时，若光的模式分布不根据偏振波进行变化，则同理能够形成寻常光透过型偏振器。
如图1所示，实际的脊形结构的形状存在脊形角度θ。LN光调制器的特性即VΠ根据LN基板的脊形角度θ而变化，随着脊形角度接近垂直而减小。然而，当脊形角度为70°以上时，对VΠ不太起作用(参照非专利文献5)，而且，由于难以使脊形角度垂直，因此通常为θ＝70°～80°。
使用Z切型的LN基板形成Ti扩散的光波导时，与Ti密度相关的折射率变化量在寻常光和非常光中不同，因此寻常光的模式分布大，非常光的模式分布小。因此，从不是脊形结构的状态使脊形宽度变窄时，光模式分布的TE模式光先变化。
伴随光分布的变化，光向脊形部分外漏出，因此有效折射率(＝真空中的光的速度/波导光的速度)减小，得出有效折射率与光分布相关。Ti扩散波导的脊形宽度与有效折射率的关系如图5的曲线图所示。图5(a)的曲线图表示1550nm的TM模式所涉及的脊形宽度和有效折射率的关系，图5(b)的曲线图表示1550nm的TE模式所涉及的脊形宽度和有效折射率的关系。脊形宽度变窄时，有效折射率成为小于LN基板折射率的值。这是因为，传播光向脊形外部漏出的结果，存在有效折射率低于基板折射率的区域。根据各偏振波，有效折射率低于基板折射率的脊形宽度的部位不同，因此存在满足以下条件的区域。
寻常光有效折射率＜LN基板折射率＜非常光有效折射率
然而，通过在脊形的侧面上形成Si膜，能够形成寻常光透过型偏振器。即，在脊形结构的Ti扩散波导中，脊形宽度变窄时，寻常光先向脊形外部漏出，使光与Si膜耦合。脊形角度为90°时，寻常光相对于侧面的Si膜为TM模式。由此，侧面的Si膜的膜厚仅对一个偏振波进行波导时，Ti扩散波导的寻常光无法与侧面Si膜耦合并放射。
然而，脊形角度小于90°时，Ti扩散波导的寻常光相对于侧面Si膜成为TM模式和TE模式混合的状态。由此，即使侧面的Si膜的膜厚仅对一个偏振波进行波导时，虽然效果比非脊形结构时小，但是Ti扩散波导的寻常光能够与侧面的Si膜耦合并放射。图6是寻常光与侧面的Si膜耦合并放射的说明图，图6(a)表示脊形结构的Ti扩散波导中传播寻常光10的状态，图6(b)是将(a)的寻常光10展开成以脊形侧面为一个轴的正交坐标系的图，平行于脊形侧面的分量与Si膜耦合并放射。在图中以右侧的脊形侧面为基准，但也可以以左侧的脊形侧面为基准。
上表面的Si膜的膜厚固定时，侧面的Si膜的膜厚由成膜装置固有的覆盖率确定。并且，侧面的SiO2膜变化时，侧面的SiO2膜的膜厚的制造误差直接影响偏振器特性(参照图4)。为了减少该制造误差，通过使BF层的厚度为0.1μm以上，能够减轻侧面的SiO2膜的膜厚对偏振器特性的影响。
然而，上表面的SiO2膜的膜厚由LN光调制器的特性确定，覆盖率为装置所固有的(难以改变覆盖率)，因此为了维持偏振器的特性，需要改变SiO2的折射率。作为低折射率膜的折射率变更方法，可以向SiO2添加适量的TiO2、In2O3、SnO2等杂质。
对以上条件进行归纳，需要满足以下的三个条件。
(条件1)为了产生偏振器作用，
·脊形角小于90°，
·脊形结构Ti扩散波导的有效折射率在满足“寻常光有效折射率＜LN基板折射率＜非常光有效折射率”的区域中，
·在脊形侧面上形成0.04μm以上的高折射率膜。
(条件2)通过在脊形侧面与侧面高折射率膜之间存在0.1～0.4μm的低折射率膜，偏振光作用的制造依赖性减小。
(条件3)在覆盖率不变的装置中，通过对低折射率膜添加杂质而使折射率变化，满足条件2。
但是，上述膜厚是高折射率膜的折射率为3.47、低折射率膜的折射率为1.45的情况下的厚度。因此，对上述膜厚进行规格化时，“高折射率膜为0.04μm以上”成为“n·t/λ为0.089以上”的条件，“侧面高折射率膜之间为0.1～0.4μm左右”成为“n·t/λ为0.0935～0.3742左右”的条件。其中，n表示折射率，t表示膜厚，λ表示光的波长。而且，实际上难以直接确认脊形结构Ti扩散波导的有效折射率为“寻常光有效折射率＜LN基板折射率＜非常光有效折射率”。因此，当判断为寻常光成分的光分布变化且非常光成分的光分布不变化的边界时，可确认为本发明的结构的形状具有作为偏振器的功能。
[实施例1]
使用通常的光刻法或蒸镀装置在Z切型的LN基板上形成Ti(宽度7.0μm、厚度75nm)的图案。在晶片上热扩散上述Ti(温度1000℃、14小时)。然后，为了在Ti扩散波导的侧方形成槽，以抗蚀剂为蚀刻掩模进行干式蚀刻，形成槽深度5.0μm、脊形宽度8.0μm、脊形角度75°。然后，作为低折射率膜，通过磁控管溅射装置形成SiO2膜(平坦部膜厚0.6μm、脊形侧面0.3μm)，进行退火处理(600℃、5小时)。然后，作为高折射率膜，通过磁控管溅射装置形成了非晶Si膜(平坦部膜厚100nm、脊形的侧面50nm)。然后，切断成长度为40mm的样品。为了确认样品作为偏振器的效果，测定了对各偏振波的光损失。结果是，在通信波长频带中，能够确认-10dB以上的偏振器功能(TM***损失-TE***损失)。
图7的曲线图是表示实施例1的样品的测定结果的曲线图。TM模式(非常光)的***损失没有波长依赖性，为-5dB。另一方面，TE模式(寻常光)的***损失，由于低折射率膜的厚度增厚为0.3μm，因此在短波长侧光损失小，但在长波长侧成为-30dB以上。
[实施例2]
通过与实施例1记载的内容同样的方法，如图8所示，确认了仅在Ti扩散波导的单侧形成有槽时的效果。其结果如图9的曲线图所示。在图9中，TE模式(寻常光)的***损失与实施例1同样地，在短波长侧光损失小，但在长波长侧成为-30dB以上。
如以上说明所示，根据本发明，能够提供一种不使用特别的制造工序也能够稳定地对光波导本身附加偏振器作用的波导型偏振器。

Claims (6)

1.一种波导型偏振器，具有Z切型的铌酸锂基板和形成在该基板上的脊形结构的光波导，其特征在于，
上述脊形结构的宽度是在上述光波导中传播的光波的寻常光的光分布变化、且上述光波的非常光的光分布不变化的脊形宽度，
上述脊形结构的角度小于90°，
在上述脊形结构的侧面上形成有膜厚满足0＜n·t/λ≤0.3742的条件的低折射率膜，其中，n为折射率，t为膜厚，λ为光波的波长，膜厚、波长的单位为μm，
在上述低折射率膜上形成有膜厚满足0.089≤n·t/λ的条件的高折射率膜，
上述波导型偏振器具有非常光透过型偏振器的功能。
2.根据权利要求1所述的波导型偏振器，其特征在于，
上述低折射率膜的膜厚满足0.0935≤n·t/λ≤0.3742的条件。
3.根据权利要求1所述的波导型偏振器，其特征在于，上述高折射率膜是Si膜。
4.根据权利要求1所述的波导型偏振器，其特征在于，上述脊形结构的光波导是Ti扩散光波导。
5.根据权利要求1或4所述的波导型偏振器，其特征在于，
上述低折射率膜的主要成分为SiO2，上述低折射率膜是在SiO2膜中混入杂质而控制折射率的膜体。
6.根据权利要求5所述的波导型偏振器，其特征在于，上述低折射率膜是在SiO2中添加适量TiO2、In2O3和SnO2杂质形成的。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013071481A1 (zh) * 2011-11-15 2013-05-23 中科中涵激光设备（福建）股份有限公司 一种在石英或光纤内部写入波导偏振片的***及方法
JP2013225148A (ja) * 2013-07-03 2013-10-31 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 導波路型偏光子
JP5951589B2 (ja) * 2013-11-28 2016-07-13 日本碍子株式会社 光導波路素子
JP2015172629A (ja) * 2014-03-11 2015-10-01 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光変調器
US9401583B1 (en) * 2015-03-30 2016-07-26 International Business Machines Corporation Laser structure on silicon using aspect ratio trapping growth
WO2017201459A1 (en) * 2016-05-20 2017-11-23 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Semiconductor lasers and processes for the planarization of semiconductor lasers
CN109844621A (zh) * 2016-08-12 2019-06-04 哈佛学院院长等 微机械薄膜锂铌酸锂电光装置
JP6437169B2 (ja) 2016-08-17 2018-12-12 三菱電機株式会社 リッジ導波路型レーザ装置
CN108241225A (zh) * 2016-12-23 2018-07-03 天津领芯科技发展有限公司 一种低驱动电压铌酸锂电光调制器及其制造方法
CN107505736B (zh) * 2017-10-13 2019-11-08 上海交通大学 基于周期性极化铌酸锂脊型波导结构的电光偏振旋转器
JP7069966B2 (ja) * 2018-03-29 2022-05-18 住友大阪セメント株式会社 光制御素子
JP2019215488A (ja) * 2018-06-14 2019-12-19 日本電気株式会社 電気光学変調器
JP2022056979A (ja) * 2020-09-30 2022-04-11 住友大阪セメント株式会社 光導波路素子及びそれを用いた光変調デバイス並びに光送信装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2613942B2 (ja) * 1989-07-27 1997-05-28 日本電気株式会社 導波路型光デバイス
US5960020A (en) * 1997-02-20 1999-09-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor laser diode including ridge and partially disordered active layer

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2831407B2 (ja) * 1989-12-21 1998-12-02 日立電線株式会社 希土類元素添加導波路の製造方法
JP2000266951A (ja) * 1999-03-16 2000-09-29 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 導波路型偏光子及びその形成方法
US7502530B2 (en) * 2003-08-21 2009-03-10 Ngk Insulators, Ltd. Optical waveguide devices and traveling wave type optical modulators
WO2006035992A1 (ja) * 2004-09-29 2006-04-06 Ngk Insulators, Ltd. 光機能デバイス
JP2007133135A (ja) * 2005-11-10 2007-05-31 Ngk Insulators Ltd 光導波路デバイス
JP2007333756A (ja) * 2006-06-12 2007-12-27 Fujitsu Ltd 光導波路デバイスおよび光変調器
JP4149490B2 (ja) * 2006-08-21 2008-09-10 アンリツ株式会社 光変調器
JP4993309B2 (ja) * 2008-05-09 2012-08-08 株式会社リコー 光導波路素子および波長変換素子および高調波レーザ光源装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2613942B2 (ja) * 1989-07-27 1997-05-28 日本電気株式会社 導波路型光デバイス
US5960020A (en) * 1997-02-20 1999-09-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor laser diode including ridge and partially disordered active layer

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2009-271435A 2009.11.19
JP第2613942号B2 1997.02.27

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