CN102197428B - 可记录光盘、记录装置和记录方法 - Google Patents

Abstract

在四层盘中设有适当的内区块布局。在每个记录层上的每个内区块(内周侧区域)中设有测试区域。当在四个测试区域之中，外周侧的两个测试区域形成第一配对并且内周侧的两个测试区域形成第二配对时，来自第一配对的测试区域和来自第二配对的测试区域被部署成在层方向上不相互重叠。构成第一配对的两个测试区域具有相同的测试区域消耗方向，并且这些测试区域被部署成使得随后要使用的区域不容易相互重叠。构成第二配对的两个测试区域具有相同的测试区域消耗方向，这是与第一配对的测试区域消耗方向相反的方向，并且这些测试区域被部署成使得随后要使用的区域不容易相互重叠。

Description

可记录光盘、记录装置和记录方法

技术领域

本发明涉及诸如一次写入盘和可重写盘之类的可记录光盘、能够应对可记录光盘的记录装置和记录方法。 

背景技术

已知诸如Blu-ray Disc(蓝光盘)(注册商标)之类的光记录介质。在光记录介质中，通过使用半导体激光执行信息的记录和再现。 

利用半导体激光对光盘的记录受到由温度和随时间的变化而引起的激光功率变动、由制造时的调整误差引起的各种歪斜和偏差以及驱动控制中的记录条件差距的很大影响。因此，特别是对于诸如一次写入盘和可重写盘之类的可记录光盘，要抑制激光驱动电路和光学元件的变动并且执行精确的发光波形控制。 

在实际的信息记录装置中，一般地，在即将进行数据记录之前，通过使用部署在每个记录层中的测试写入区域(最优功率控制(OPC)区域)来探索最优激光功率并且调整记录激光功率和策略以便优化记录条件。 

在用于此记录激光功率调整的试验写入过程(测试写入)中，需要在最优记录条件不明的状态中执行上述的扰动的去除、记录功率的优化和激光驱动脉冲的优化。 

在探索最优条件时，取决于情况，利用具有过高能量的激光照射测试写入区域并且在激光驱动脉冲的宽度(激光发射时间)不适当的情况下执行激光照射。从而，可能对记录层中的测试写入区域造成严重损伤。 

另外，在其中在盘基板上形成多个记录层的所谓多层光盘中，某一记录层的记录/再现受另一记录层的影响。 

例如，发生由记录引起的记录层的透过率变化，这可能妨碍以适当的光量对期望记录层的光照射。 

另外，透过率变化对于记录功率有依从性。因此，在像OPC区域这样在记录功率变动的情况下执行记录的地方，无法控制透过率变化，即对其他记录层的影响程度。 

这些事实导致这样一个问题，即，取决于其他记录层的记录状态，无法实现期望的OPC控制，并且难以得出准确的优化条件。 

具体而言，在在某一记录层中的OPC区域中执行试验写入并且调整激光功率的情况下，此试验写入受到如下测试写入区域的影响：该测试写入区域在另一记录层中并且被部署在与此OPC区域在平面方向(盘半径方向)上相同的位置(即，与此OPC区域在厚度方向(＝层方向)上重叠的位置)。 

为了解决此问题，作为相关技术，例如，如在以下所示的专利文献1中可见，已经设计了使不同记录层中的测试写入区域沿着记录层的半径方向相互错开的方法，以及在不同记录层中的试验写入区域之间不为试验写入使用同一半径位置的方法。 

另外，在现有的Blu-ray Disc的双层标准中，规定部署在盘内周侧的导入区块中的各个记录层的测试写入区域被部署成沿着记录层的半径方向相互错开。 

现有技术文献 

专利文献 

专利文献1：PCT专利公布No.WO05/034110小册子 

专利文献2：日本专利早期公布No.2004-295940 

发明内容

顺便说一下，对于信息记录介质，始终希望其记录容量增大。例如，在Blu-ray Disc的情况下，设想了记录层数目的增大将向三层结构和四层结构推进，并且将实现容量的显著增大。 

在开发四层光盘时，难以在各个记录层中设计OPC区域并且设计记录和再现各种管理信息的区域。 

其原因之一如下。因为如上所述由于对记录层的记录操作而发生透过率变化，所以OPC操作和记录/再现操作受到另一层的影响。因此，需要考虑到这一点来设计这些区域。 

另外，由于透过率变化对记录功率的依从性，对其他层的影响程度是不定的，并且难以预测透过率变化。这也是原因之一。 

另外，在设计OPC区域和管理信息区域时，也考虑了与现有单层盘和双层盘的兼容性。从而，所有必要的区域都需要被适当地布置在预定的有限半径范围（例如导入区域）中。 

需要本发明考虑上述这些点并且提出一种适合于可记录四层光盘的区域布置。 

根据本发明的一个实施例，提供了一种可记录光盘，包括被配置为设在盘基板上的四个记录层以及被配置为形成在激光入射表面侧的透光层。在该可记录光盘中，用于激光功率控制的四个测试区域的每一个被设在各个记录层中的比记录用户数据的数据区块更靠近内周的内周侧区域中。另外，如果四个测试区域之中更靠近盘外周的两个测试区域被定义为第一配对并且四个测试区域之中更靠近盘内周的两个测试区域被定义为第二配对，则第一配对的测试区域和第二配对的测试区域被部署成避免在层方向上相互重叠。 

另外，第一配对的两个测试区域具有相同的测试区域消耗方向，并且被部署成防止这些测试区域中接下来要使用的部分在层方向上相互重叠。 

此外，第二配对的两个测试区域具有与第一配对中的测试区域消耗方向相反的相同测试区域消耗方向，并且被部署成防止这些测试区域中接下来要使用的部分在层方向上相互重叠。 

此外，第一配对的两个测试区域具有作为第一消耗方向的相同测试区域消耗方向，并且第一配对的两个测试区域之中的在更靠近盘基板的记录层中的测试区域在第一消耗方向上位于第一配对的两个测试区域之中的在更靠近激光入射表面的记录层中的测试区域的前方。 

此外，第二配对的两个测试区域具有作为与第一消耗方向相反的第二消耗方向的相同测试区域消耗方向，并且第二配对的两个测试区域之中的在更靠近盘基板的记录层中的测试区域在第二消耗方向上位于第二配对的两个测试区域之中的在更靠近激光入射表面的记录层中的测试区域的前方。 

具体而言，该光盘具有12cm的直径。在该光盘中：每个测试区域以约250μm的半径宽度形成在作为光盘的半径位置范围的22.5mm至24.0mm的范围中；记录层被形成为使得记录层的半径位置的相对误差在约150μm的公差内；第一配对的测试区域的最内周半径位置和第二配对的测试区域的最外周半径位置被部署于在层方向上不相互重叠并且在半径位置的相对误差为零的情况下沿着半径方向具有至少约150μm的间隔距离的位置；第一配对的两个测试区域被形成于在层方向上不相互重叠并且在半径位置的相对误差为零的情况下沿着半径方向具有至少约50μm的间隔距离的位置；并且第二配对的两个测试区域被形成于在层方向上不相互重叠并且在半径位置的相对误差为零的情况下沿着半径方向具有至少约50μm的间隔距离的位置。 

另外，在该可记录光盘中，在每个记录层中的内周侧区域中设有用于管理信息的记录和再现的管理信息记录/再现区域，并且管理信息记录/再现区域被部署成使得，对于记录层中的每个测试区域，在比该测试区域更靠近激光入射表面的位置处与该测试区域在层方向上重叠的管理信息记录/再现区域的数目等于或小于一个。 

此外，管理信息记录/再现区域的每一个被部署成避免与记录层中的测试区域在该测试区域的盘基板侧在层方向上重叠。 

此外，管理信息记录/再现区域包括存储最新管理信息的确定管理信息区域，并且确定管理信息区域在所有记录层中被部署成相互分离至少与允许的缺陷大小相当的距离。 

此外，管理信息记录/再现区域包括根据需要追加存储管理信息的临时管理信息区域，并且临时管理信息区域被基本均等地部署在除最靠近盘基板的记录层以外的记录层中。 

根据本发明的另一实施例，提供了一种记录装置，该记录装置包括控制器，该控制器被配置为在上述可记录光盘的每个记录层中在比记录用户数据的数据区块更靠近内周的内周侧区域中以如下方式部署用于激光功率控制的测试区域：如果在记录层中形成的四个测试区域之中更靠近盘外周的两个测试区域被定义为第一配对并且四个测试区域之中更靠近盘内周的两个测试区域被定义为第二配对，则防止第一配对的测试区域和第二配对的测试区域在层方向上相互重叠。控制器进行控制以在利用部署的测试区域进行激光功率调整后执行信息记录。

控制器以如下方式对第一配对和第二配对的每个中的两个测试区域执行与用于激光功率调整的测试写入有关的控制：防止这些测试区域中接下来要使用的部分在层方向上相互重叠。 

例如，对于作为第一配对或第二配对的配对中的两个测试区域，控制器判定是否确保了取决于与记录层的重叠有关的允许公差的必要间隔距离作为这些测试区域的一个中接下来要使用的部分与这些测试区域的另一个中接下来要使用的部分之间的间隔距离，并且如果未确保必要间隔距离，则控制器执行改变这些测试区域的至少一个中接下来要使用的部分的起始位置的处理，从而对于配对中的两个测试区域，防止这些测试区域中接下来要使用的部分在层方向上相互重叠。 

根据本发明的另一实施例，提供了一种记录方法，包括以下步骤：以防止上述第一配对的测试区域和上述第二配对的测试区域在层方向上相互重叠的方式部署测试区域，并且在利用部署的测试区域进行激光功率调整后执行信息记录。 

根据本发明的另一实施例，提供了一种用于可记录光盘的记录装置，该可记录光盘包括设在盘基板上的四个记录层和形成在激光入射表面侧的透光层，并且具有以下特性。具体而言，用于激光功率控制的四个测试区域的每一个被设在各个记录层中的比记录用户数据的数据区块更靠近内周的内周侧区域中。如果四个测试区域之中更靠近盘外周的两个测试区域被定义为第一配对并且四个测试区域之中更靠近盘内周的两个测试区域被定义为第二配对，则第一配对的测试区域和第二配对的测试区域被部署成避免在层方向上相互重叠。在每个记录层中的内周侧区域中设有用于管理信息的记录和再现的管理信息记录/再现区域。管理信息记录/再现区域被部署成使得，对于记录层中的每个测试区域，在比该测试区域更靠近激光入射表面的位置处与该测试区域在层方向上重叠的管理信息记录/再现区域的数目等于或小于一个。该记录装置包括控制器，该控制器被配置为管理所述管理信息记录/再现区域之中的临时管理信息区域，该临时管理信息区域在允许部署临时管理信息区域的记录层中被部署成容量基本均等。控制器执行控制以利用临时管理信息区域记录替换记录的管理信息。 

根据本发明的另一实施例，提供了一种记录方法，包括以下步骤：管理临时管理信息区域，该临时管理信息区域在允许部署临时管理信息区域的记录层中被部署成容量基本均等；并且利用临时管理信息区域来记录替换记录的管理信息。 

在本发明的这些实施例中，首先在四个记录层的每一层中的内周侧区域中形成测试区域(OPC区域)。 

考虑防止各个记录层中的测试区域在层方向上相互重叠。这是为了防止每个记录层中的测试区域受到由另一层中的测试区域中的记录引起的透过率变化和透过率变化对激光功率的依从性的影响。 

为此，四个OPC区域被分成第一配对和第二配对，并且首先第一配对的测试区域和第二配对的测试区域被部署成避免在层方向上相互重叠。对于每个配对中的测试区域，通过防止接下来要使用的部分相互重叠来确保表观间隔距离。另外，在比测试区域更靠近激光入射表面的位置处与该测试区域在层方向上重叠的管理信息记录/再现区域的数目被设定成等于或小于一个，从而最小化了由管理信息记录/再现区域中的记录引起的透过率变化对测试区域中的OPC操作的影响，并且实现了与现有双层盘的兼容性。 

管理信息记录/再现区域的每一个被部署成避免与各个记录层中的测试区域在该测试区域的盘基板侧在层方向上重叠。从而，防止了管理信息记录/再现区域中的记录/再现受到测试区域的透过率变化和透过率变化对激光功率的依从性的影响。 

本发明的实施例提供了如下优点：在诸如和四层盘之类的可记录多层光盘中，可以实现内周侧区域中的适当布置并且允许了适当的OPC操作和对管理信息的记录/再现。 

附图说明

图1是根据本发明实施例的盘的区域结构的说明图。 

图2是实施例的盘中的DMA的说明图。 

图3是实施例的盘中的DDS的内容的说明图。 

图4是实施例的盘中的DFL的内容的说明图。 

图5是实施例的盘中的DFL和TDFL中的缺陷列表管理信息的说明图。 

图6是实施例的盘中的DFL和TDFL中的替换地址信息的说明图。 

图7是实施例的盘中的TDMA的说明图。 

图8是实施例的盘中的空间位图的说明图。 

图9是实施例的盘中的TDFL的说明图。 

图10是实施例的盘中的TDDS的说明图。 

图11是实施例的盘的层结构的说明图。 

图12是现有的双层BD-R的内区块配置的说明图。 

图13是新颖的三层BD-R的内区块配置的说明图。 

图14是新颖的三层BD-R的内区块中的各个区域的位置的说明图。 

图15是新颖的三层盘中的各个记录层的公差的说明图。 

图16是新颖的三层BD-RE的内区块配置的说明图。 

图17是实施例的四层BD-R的内区块配置的说明图。 

图18是实施例的四层BD-R的内区块中的各个区域的位置的说明图。 

图19是实施例的四层盘中的OPC配对的说明图。 

图20是实施例的四层盘中的配对中的OPC布置的说明图。 

图21是实施例的四层盘中的各个记录层的公差的说明图。 

图22是实施例的四层BD-RE的内区块配置的说明图。 

图23是实施例的盘驱动装置的框图。 

图24是实施例的盘驱动装置进行的处理的流程图。 

图25是实施例的盘驱动装置进行的OPC处理的流程图。 

图26是实施例的盘驱动装置进行的OPC处理的流程图。 

具体实施方式

下面将按以下顺序描述本发明的实施例。 

[1.盘结构] 

[2.DMA] 

[3.TDMA] 

[4.多层盘/现有双层盘的内区块] 

[5.新开发的三层盘的内区块] 

[6.实施例的四层盘的内区块] 

[7.盘驱动装置] 

[1.盘结构] 

首先，将描述实施例的光盘的概要。在被称为所谓的Blu-ray Disc的高密度光盘***的范畴中，此光盘可实现为一次写入盘(BD-R)或可重写盘(BD-RE)。 

将描述本实施例的高密度光盘的物理参数的一个示例。 

作为本实施例的光盘的盘大小，直径是120mm并且盘厚度是1.2mm。即，从这些点来看，此光盘就外形而言与CD(压缩盘)***的盘和DVD(数字多功能盘)***的盘相同。 

所谓的蓝色激光被用作用于记录/再现的激光，并且对于光学***设定了高NA(例如0.85)。另外，实现了窄轨道间距(例如0.32μm)和高线密度(例如记录线密度是0.12μm/比特)。基于这些特征，在12cm直径盘中实现了大约23至25千兆字节(GB)作为用户数据容量。另外，认为通过更高密度记录，也允许大约30GB的容量。 

此外，也已开发了具有多个记录层的所谓多层盘。在多层盘中，用户数据容量基本上按层数倍增。 

图1示出了整个盘的布局(区域配置)。 

作为盘上的区域，从内周侧起部署了内区块、数据区块和外区块。 

在图1中，盘被示为具有包括一个记录层的结构(单层结构)。在此 情况下，内区块充当导入区域，而外区块充当导出区域。 

实施例的盘是如后所述的四层盘。在此盘中，第一层(层L0)的内区块充当导入区域。最终，取决于记录于其上的用户数据容量，第一层(层L0)的外区块及其后区块(层L1、L2和L3的内区块和外区块)中的任何一个被用作导出区域。 

为了便于描述，包括第一层(层L0)的导入区域在内的各个记录层的内周侧区域将被统称为内区块。另外，各个记录层的外周侧区域将被统称为外区块。 

就与记录和再现有关的区域配置而言，内区块(导入区域)的最内周侧的区域被用作再现专用区域，并且从内区块的中间到外区块的区域被用作可记录区域。 

在再现专用区域中，设有BCA(Burst Cutting Area，突发切割区域)和PIC(pre-recorded information area，预记录信息区域)。然而，在具有两层或更多层的多层盘的内区块结构中，如下文中详细描述的，仅在第一层(层L0)中设有PIC，而在第二层(层L1)及其后的记录层中，与PIC具有相同半径的部分充当可记录区域。 

在内区块中的可记录区域中，为了管理/控制信息的记录等等，形成了下文中将描述的OPC、TDMA、INFO(包括DMA等等)和保留区域RSV等等。 

在再现专用区域和可记录区域中，基于摆动沟槽(蛇行沟)的记录轨道被形成为螺旋状。沟槽在激光光斑跟踪时被用作循轨的引导，并且数据记录/再现是在此沟槽被用作记录轨道的情况下执行的。 

本示例是基于对在沟槽中记录数据的光盘的假设的。然而，本发明的实施例并不限于这种沟槽记录***的光盘，而是可以应用到岸台记录***的光盘，其中数据被记录在沟槽之间的岸台中。另外，它也可应用到岸台和沟槽记录***的光盘，其中数据被记录在沟槽和岸台中。 

用作记录轨道的沟槽具有与摆动信号相对应的蛇行形状。因此，在用于该光盘的盘驱动装置中，可通过从发射到沟槽上的激光光斑的反射光检测沟槽的两边缘位置并且在沿着记录轨道移动激光光斑的同时提取两边缘 位置在盘半径方向上的波动成分来再现摆动信号。 

在此摆动信号中，调制了其记录位置处的记录轨道的地址信息(物理地址、其他附加信息等等)。从而，在盘驱动装置中，可以通过对来自此摆动信号的地址信息等等解调来执行数据记录/再现中的地址控制等等。 

图1中所示的内区块例如是半径24mm的位置内侧的区域。 

在内区块中的PIC(预记录信息区域)中，通过沟槽的摆动预先记录了诸如记录和再现功率条件之类的盘信息、关于盘上的区域的信息、用于拷贝保护的信息等等，作为再现专用信息。可以通过压纹坑之类的来记录这些信息。 

BCA被设在比PIC更靠近内周之处。BCA是通过利用例如烧掉记录层的记录***记录依盘记录介质而定的唯一ID来制作的。具体而言，通过形成以同心圆形式对齐的记录标记来形成条码式的记录数据。 

另外，在内区块中，设定了具有TDMA(Temporary DefectManagement Area，临时缺陷管理区域)、OPC(Optimum Power Control(最优功率控制)区域：测试写入区域)、INFO(信息区域：管理信息区域)、保留区域RSV、缓冲区域BUF等等的预定区域格式。 

OPC用于例如在设定诸如记录/再现时的激光功率之类的数据记录/再现条件时的试验写入。即，它是用于记录/再现条件的调整的区域。 

INFO包括DMA(Defect Management Area，缺陷管理区域)和控制数据区域。 

在控制数据区域中，例如记录了盘类型、盘大小、盘版本、层结构、通道比特长度、BCA信息、传送速率、数据区块位置信息、记录线速度以及关于记录/再现激光功率的信息。 

DMA设于INFO中。一般地，在光盘的领域中，用于缺陷管理的替换管理信息被记录在DMA中。然而，在本示例的盘中，在DMA中记录了管理/控制信息，其不仅用于实现缺陷部位的替换管理，还用于实现此一次写入盘中的数据重写。在此情况下，特别地，在DMA中记录了下文中将描述的ISA和OSA的管理信息。 

为了允许利用替换处理的数据重写，也需要响应于数据重写而更新 DMA的内容。为了此更新，设有TDMA。 

替换管理信息被追加记录到TDMA并被更新。在DMA中，记录了最终在TDMA中记录的最后(最新)的替换管理信息。 

DMA和TDMA的细节将在下文中描述。 

包括DMA等等的INFO是最终存储最新的管理信息的确定管理信息区域。INFO(确定管理信息区域)在所有记录层中被部署成相互分开至少与允许的缺陷大小相当的距离。 

另一方面，TDMA是临时管理信息区域，其中根据需要追加存储管理信息。TDMA(临时管理信息区域)例如被几乎均等地部署在每个记录层中。在一些情况下，对于四层盘的示例，如下文中所述，它被几乎均等地部署在除了最靠近盘基板的记录层以外的多个记录层中。 

比内区块更靠近外周的区域，具体而言例如是与24.0至58.0mm的半径范围相对应的区域，被用作数据区块。数据区块是实际记录和再现用户数据的区域。数据区块的起始地址ADdts和结束地址ADdte由上述控制数据区域中的数据区块位置信息指示。 

在数据区块中，在数据区块的最内周侧设有ISA(Inner Spare Area，内备用区域)，并且在数据区块的最外周侧设有OSA(Outer Spare Area，外备用区域)。ISA和OSA被用作缺陷和数据重写(覆写)的替换区域。 

ISA是从数据区块的起始位置起形成的，具有相当于预定簇数目(一个簇＝65536字节)的大小。 

OSA是从数据区块的结束位置朝着内周形成的，具有相当于预定簇数目的大小。ISA和OSA的大小在上述DMA中记载。 

数据区块中介于ISA与OSA之间的区间被用作用户数据区域。此用户数据区域是用于通常的用户数据的记录和再现的通常记录/再现区域。 

用户数据区域的位置，即起始地址ADus和结束地址ADue，在DMA中记载。 

比数据区块更靠近外周的区域，具体而言是与58.0至58.5mm的半径范围相对应的区域，被用作外区块(例如导出区块)。在外区块中也记录了管理/控制信息。具体而言，以预定的格式形成了INFO(控制数据区 域、DMA、缓冲区域)。 

在控制数据区域中，例如与内区块中的控制数据区域类似地记录了各种管理/控制信息。与内区块中的DMA类似地，作为记录ISA和OSA的管理信息的区域，准备了DMA。 

本实施例具有关于四层盘的内区块的结构的特征。下文中将描述内区块中的各个区域的布局，包括现有的双层盘和新开发的三层盘。 

[2.DMA] 

下面将描述记录内区块和外区块中记录的DMA的结构。图2示出了DMA的结构。 

这里，示出了DMA的大小是32个簇(32×65536字节)的示例。簇是数据记录的最小单位。 

当然，DMA大小并不限于32个簇。在图2中，32个簇被赋予了簇号码1至32，从而指示出DMA中的每个内容的数据位置。另外，每个内容的大小是以簇数目的形式指示的。 

在DMA中，在簇号码为1至4的四个簇的区间中，以盘定义结构(disc definition structure，DDS)的形式记录了关于盘的详细信息。 

此DDS的内容将在下文中利用图3来描述。DDS具有一个簇的大小，并且在此四簇区间中被反复记录四次。 

簇号码为5至8的四个簇的区间充当缺陷列表DFL的第一记录区域(DFL#1)。缺陷列表DFL的结构将在下文中利用图4来描述。缺陷列表DFL是大小为四个簇的数据，并且其中列出了各条替换地址信息。 

簇号码为9至12的四个簇的区间充当缺陷列表DFL的第二记录区域(DFL#2)。 

另外，四个簇一组地准备第三及其后的缺陷列表DFL#3至DFL#6的记录区域，从而簇号码为29至32的四个簇的区间充当缺陷列表DFL的第七记录区域(DFL#7)。 

即，在由32个簇构成的DMA中，准备了用于缺陷列表DFL#1至DFL#7的七个记录区域。 

在BD-R(一次写入光盘)的情况下，需要执行封闭(closing)的处理来记录此DMA的内容。在此情况下，在DMA中写入的所有七个缺陷列表DFL#1至DFL#7包括相同的内容。写入的内容等于最新的TDMA的内容。 

在BE-RE(可重写光盘)中，未设有TDMA。这是因为每次执行记录时可以重写DMA。 

在图2的DMA的开头处记录的DDS的内容在图3中示出。 

如上所述，DDS的大小是一个簇(＝65536个字节)。 

在图3中，“字节位置”将字节0示为由65536个字节构成的DDS的开头字节。“字节数目”指示出每个数据内容的字节数目。 

在字节位置0和1处的两个字节中，记录有用于识别出这个簇是DDS的簇的DDS标识符＝“DS”。 

在字节位置2处的一个字节中，指示出DDS格式号码(格式版本)。 

在字节位置4至7处的四个字节中，记录了DDS的更新次数。在本示例中，不更新DMA本身，而是在封闭时向其中写入替换管理信息。在TDMA中更新替换管理信息。因此，当最终执行封闭时，TDMA中的DDS(TDDS：临时DDS)的更新次数被记录在这些字节位置处。 

在字节位置16至19处的四个字节中，记录了DMA中的驱动区域的起始物理扇区地址(AD DRV)。 

在字节位置24至27处的四个字节中，记录了DMA中的缺陷列表DFL的起始物理扇区地址(AD DFL)。 

字节位置32至35处的四个字节用PSN(物理扇区号码：物理扇区地址)指示出数据区块中的用户数据区域的开头位置，即LSN(逻辑扇区号码：逻辑扇区地址)为“0”的位置。 

字节位置36至39处的四个字节用LSN(逻辑扇区地址)指示出数据区块中的用户数据区域的结束位置。 

在字节位置40至43处的四个字节中，指示出了数据区块中的ISA(单层盘的ISA或双层盘的层0中的ISA)的大小。 

在字节位置44至47处的四个字节中，指示出了数据区块中的OSA的大小。 

在字节位置48至51处的四个字节中，指示出了数据区块中的ISA(双层盘的层1中的ISA)的大小。 

在字节位置52处的一个字节中，指示出了替换区域可用性标志，该标志指示出是否可利用ISA或OSA来重写数据。当ISA或OSA的整体被使用时，替换区域可用性标志指示出这一点。 

除了上述位置以外的字节位置被认为是保留的(未定义的)，并且在所有这些字节位置处设定00h。 

如上所述，DDS包括用户数据区域的地址、ISA和OSA的大小以及替换区域可用性标志。即，DDS被用作数据区块中的ISA和OSA的区域管理的管理/控制信息。 

接下来，缺陷列表DFL的结构在图4中示出。 

如利用图2所述，缺陷列表DFL被记录在四个簇的记录区域中。 

在图4中，以“字节位置”的形式示出了由四个簇构成的缺陷列表DFL中的每个数据内容的数据位置。一个簇＝32个扇区＝65536个字节的关系成立，并且一个扇区＝2048个字节。 

“字节数目”指示出作为每个数据内容的大小的字节数目。 

缺陷列表DFL中的开头64个字节被用作缺陷列表管理信息。 

在此缺陷列表管理信息中，记录了用于识别出这些簇是缺陷列表的簇的信息、版本、缺陷列表的更新次数、缺陷列表中的条目数目等等。 

在字节位置64及其后的字节位置处，作为缺陷列表中的条目的内容，记录了各自由八个字节构成的多条替换地址信息ati。 

紧挨着最后的有效替换地址信息ati#N之后，记录了由八个字节构成并且充当替换地址信息末端的末端符信息。 

在此DFL中，在从替换地址信息末端以后的字节到这些簇的最后的所有字节中设定了00h。 

由64个字节构成的缺陷列表管理信息如图5所示。 

在从字节位置0起的两个字节中，作为缺陷列表DFL的标识符，记录 了字符串“DL”。 

字节位置2处的一个字节指示出缺陷列表DFL的格式号码。 

从字节位置4起的四个字节指示出缺陷列表DFL的更新次数。此数字是遵循下文中将描述的临时缺陷列表TDFL的更新次数的值。 

从字节位置12起的四个字节指示出缺陷列表DFL中的条目数目，即替换地址信息ati的条数。 

从字节位置24起的四个字节用簇数目指示出替换区域ISA0、ISA1、OSA0和OSA1的每一个中的空闲区域的大小。 

除上述位置以外的字节位置被用作保留，并且在所有这些字节位置处设定了00h。 

图6示出了替换地址信息ati的结构。具体而言，替换地址信息ati指示出由于替换处理而得到的条目的内容。 

替换地址信息ati的最大总条数在单层盘的情况下是32759。 

一条替换地址信息ati由八个字节(64个比特)构成。各个比特被表示为比特b63至b0。 

在比特b63至b60中，记录了条目的状态信息(状态1) 

在DFL中，状态信息被设定为“0000”，指示通常替换处理条目。 

其他状态信息值将在下文中描述TDMA中的TDFL中的替换地址信息ati时描述。 

在比特b59至b32中，指示出了替换对象簇的起始物理扇区地址PSN。具体而言，由于缺陷或重写而被取代的簇由该簇的开头扇区的物理扇区地址PSN指示。 

比特b31至b28被用作保留。或者，其中可记录条目的另一条状态信息(状态2)。 

在比特b27至b0中，指示出了替代簇的起始物理扇区地址PSN。 

具体而言，如果一个簇由于缺陷或重写而被取代，则作为其替代者的簇由该簇的开头扇区的物理扇区地址PSN指示。 

上述替换地址信息ati被视为一个条目，并且指示出与一轮替换处理有关的替换对象簇和替代簇。 

这种条目被登记在具有图4的结构的缺陷列表DFL中。 

在DMA中，利用上述数据结构记录替换管理信息。然而，如上所述，在DMA中记录这些信息的时间是盘的封闭被执行时。此时，反映出TDMA中的最新替换管理信息。 

用于缺陷管理和数据重写的替换处理和响应于替换处理的替换管理信息的更新在接下来要描述的TDMA中执行。 

[3.TDMA] 

下面将描述在内区块中设置的TDMA。TDMA(临时DMA)像DMA一样被用作记录替换管理信息的区域。然而，TDMA是通过响应于为了数据重写或缺陷检出而发生替换处理而在其中追加记录替换管理信息来更新的。 

图7示出了TDMA的结构。 

TDMA的大小例如是2048个簇。 

如图中所示，在被赋予簇号码1的第一簇中，记录了用于层0的空间位图。 

空间位图是通过向充当主数据区域的数据区块以及作为记录管理/控制信息的区域的内区块和外区块的每个簇分配一个比特来做成的。空间位图被用作写入有无提示信息，该信息被配置为用一比特值来指示出在各个簇中是否已完成写入。 

虽然在空间位图中向从内区块到外区块的所有簇中的每一个分配了一个比特，但是此空间位图可以用一簇的大小来构成。 

簇号码1的簇被用作用于层L0(第一层)的空间位图。簇号码2的簇的被用作用于层L1(第二层)的空间位图。虽然在图中没有示出，但在三层盘和四层盘的情况下，在预定簇号码的簇中准备了用于层L2(第三层)和层L3(第四层)的空间位图。例如，簇号码3和4被分配给这些空间位图。 

在TDMA中，如果因为数据内容的改变等等而执行替换处理，则在TDMA中的未记录区域的开头簇中追加记录TDFL(临时缺陷列表)。因 此，在双层盘的情况下，第一TDFL如图中所示被记录在簇号码3的位置处。在单层盘的情况下，第一TDFL被记录在簇号码2的位置处，因为不需要用于层L1的空间位图。从此时起，响应于替换处理的发生，在被记录的簇之间没有未记录区域的情况下在各簇位置处追加记录TDFL。 

TDFL的大小在一个簇到四个簇的范围中。 

因为空间位图是指示出每个簇的写入状态的信息，所以它响应于数据写入的发生而被更新。在此情况下，与TDFL类似地，从TDMA中的空闲区域的开头起记录新的空间位图。 

即，在TDMA中，根据需要追加记录空间位图或TDFL。 

如接下来关于空间位图和TDFL的配置的描述中所述，作为光盘的详细信息的TDDS(临时DDS(临时盘定义结构))被记录在用作空间位图的一个簇的最后扇区(2048个字节)和用作TDFL的一至四个簇的最后扇区(2048个字节)中。 

图8示出了空间位图的配置。 

如上所述，空间位图是用一比特表示盘上的一个簇的记录/未记录状态的位图，其中例如如果簇处于未记录状态中则向相应的比特设定“1”。图8示出了双层盘的情况的空间位图，作为各层独立保存信息的位图的示例。在三层盘和四层盘的情况下，扩展地看待此位图。 

在图8中，一个簇中的32个扇区被示为扇区0至31。“字节位置”被示为扇区中的字节位置。 

在开头扇区0中，记录了空间位图的管理信息。 

在扇区0的从字节位置0起的两个字节中，记录有“UB”作为空间位图ID(未分配空间位图标识符)。 

在字节位置2处的一个字节中，记录了格式版本(格式号码)，其中例如设定了“00h”。 

在从字节位置4起的四个字节中，记录了层号码。具体而言，指示出了此空间位图是对应于层L0还是层L1。 

在从字节位置16起的48个字节中，记录了位图信息(BitmapInformation)。 

位图信息由与内区块、数据区块和外区块中的各个相对应的区块信息构成(关于内区块的区块信息)(关于数据区块的区块信息)(关于外区块的区块信息)。 

每条区块信息由16个字节构成。具体而言，在每条区块信息中，向区块的起始位置(起始簇第一PSN)、位图数据的起始位置(位图数据的起始字节位置)、位图数据的大小(位图数据中的有效比特长度)以及保留中的每一个分配四个字节。 

在区块的起始位置(起始簇第一PSN)中，盘上的区块的起始位置，即在将区块位图化时的起始地址，由PSN(物理扇区地址)来指示。 

在位图数据的起始位置(位图数据的起始字节位置)中，与区块有关的位图数据的起始位置由作为从空间位图的开头处的未分配空间位图标识符起的相对位置的字节数目来指示。 

在位图数据的大小(位图数据中的有效比特长度)中，区块的位图数据的大小由比特数目来指示。 

从空间位图的第二扇区(＝扇区1)的字节位置0起，记录了实际位图数据(Bitmap data)。位图数据的大小是每1GB一个扇区。 

从最后位图数据的后一字节到最终扇区(扇区31)的前一字节的区域被用作保留，并且其中设定了“00h”。 

在空间位图的最终扇区(扇区31)中，记录了TDDS。 

通过上述位图信息进行的管理如下。 

首先，将描述其中层L0被指示为字节位置4处的层号码的空间位图，即与单层盘或多层盘的层L0相对应的空间位图的情况。 

在此情况下，关于层L0中的内区块亦即导入区块的信息由关于内区块的区块信息来指示。 

利用区块的起始位置(起始簇第一PSN)，指示出内区块(在此情况下是导入区块)的起始位置的PSN，如实线箭头所示。 

利用位图数据的起始位置(位图数据的起始字节位置)，指示出此空间位图中与内区块相对应的位图数据的位置(指示扇区1中的字节位置0的信息)，如虚线所示。 

利用位图数据的大小(位图数据中的有效比特长度)，指示出用于内区块的位图数据的大小。 

在关于数据区块的区块信息中，指示出关于层L0中的数据区块的信息。 

利用区块的起始位置(起始簇第一PSN)，指示出数据区块的起始位置的PSN，如实线箭头所示。 

利用位图数据的起始位置(位图数据的起始字节位置)，指示出此空间位图中与数据区块相对应的位图数据的位置(指示扇区2中的字节位置0的信息)，如虚线所示。 

利用位图数据的大小(位图数据中的有效比特长度)，指示出用于数据区块的位图数据的大小。 

利用关于外区块的区块信息，指示出关于层L0中的外区块的信息(例如，单层盘的导出区块)。 

利用区块的起始位置(起始簇第一PSN)，指示出外区块的起始位置的PSN，如实线箭头所示。 

利用位图数据的起始位置(位图数据的起始字节位置)，指示出此空间位图中与外区块相对应的位图数据的位置(指示扇区N中的字节位置0的信息)，如虚线所示。 

利用位图数据的大小(位图数据中的有效比特长度)，指示出用于外区块的位图数据的大小。 

在关于第二及其后记录层(例如层L1)的空间位图中，也执行类似的管理。例如，在关于层L1的空间位图中，如点划线所示，执行关于层L1的内区块、数据区块和外区块的管理。 

接下来，将描述TDFL(临时DFL)的配置。如上所述，TDFL被记录在TDMA中空间位图之后的空闲区域中，并且响应于每次更新被追加记录在空闲区域的开头处。 

图9示出了TDFL的配置。 

TDFL由一至四个簇构成。通过与图4的DFL相比较清楚可见，TDFL的内容与DFL的内容的相同之处在于开头64个字节被用作缺陷列 表管理信息并且各自由八个字节构成的多条替换地址信息ati被记录在字节位置64及其后的字节位置处，并且最后的替换地址信息ati#N以后的八个字节被用作替换地址信息末端。 

然而，在由一至四个簇构成的TDFL中，与DFL不同的是，在作为其最后扇区的2048个字节中记录有临时DDS(TDDS)。 

在TDFL的情况下，在到替换地址信息末端所属的簇的最终扇区的前一字节为止的区域中设定了00h。TDDS被记录在最终扇区中。如果替换地址信息末端属于簇的最终扇区，则在到下一簇的最终扇区的前一字节为止的区域中设定0，并且在最终扇区中记录TDDS。 

由64个字节构成的缺陷列表管理信息与利用图5描述的DFL中的类似。 

然而，作为由从字节位置4起的四个字节指示的缺陷列表的更新次数，记录了缺陷列表的序列号。由于此特征，最新TDFL中的缺陷列表管理信息的序列号指示出缺陷列表的更新次数。 

另外，利用从字节位置12起的四个字节，作为缺陷列表DFL中的条目数目亦即替换地址信息ati的条数，以及利用从字节位置24起的四个字节，作为每个替换区域ISA0、ISA1、OSA0和OSA1中的空闲区域的大小(簇数目)，记录了在更新TDFL的时刻的值。 

TDFL中的替换地址信息ati的结构也与图6所示的DFL中的替换地址信息ati的结构类似。替换地址信息ati被视为一个条目，并且指示出与一轮替换处理有关的替换对象簇和替代簇。这种条目被登记在具有图9的结构的临时缺陷列表TDFL中。 

然而，作为TDFL中的替换地址信息ati的状态1，除了“0000”以外还经常设定“0101”或“1010”。 

当物理上连续的多个簇集体经历替换处理并且对于这多个簇的替换管理(突发传送管理)被集体执行时，“0101”或“1010”被设定为状态1。 

具体而言，如果状态1是“0101”，则替换地址信息ati中的替换对象簇的起始物理扇区地址和替代簇的起始物理扇区地址指示出关于物理上 连续的多个簇的开头簇的替换对象和替代者。 

如果状态1是“1010”，则替换地址信息ati中的替换对象簇的起始物理扇区地址和替代簇的起始物理扇区地址指示出关于物理上连续的多个簇的最后簇的替换对象和替代者。 

因此，在对物理上连续的多个簇集体执行替换管理的情况下，替换地址信息ati不需要被记录成对于所有多个簇中的每一个有一个条目，而只要关于开头簇和结束簇的两条替换地址信息ati被记录为条目就够了。 

如上所述，TDFL基本上具有与DFL相同的结构，但具有如下特性：其大小可被扩展到四个簇，TDDS被记录在最后扇区中，作为替换地址信息ati允许突发传送管理，等等。 

在TDMA中，如图7所示记录了空间位图和TDFL。如上所述，临时盘定义结构(TDDS)被记录在作为空间位图和TDFL的最后扇区的2048个字节中。 

此TDDS的结构在图10中示出。 

TDDS由一个扇区(2048个字节)构成，并且包括与上述DMS中的DDS相同的内容。虽然DDS的大小是一个簇(65536个字节)，但是在DDS中定义实质内容的区域是到字节位置52为止的区域，如利用图3所述。即，实质内容被记录在一个簇的开头扇区中。因此，TDDS可包含DDS的内容，虽然其大小是一个扇区。 

通过比较图10和图3清楚可见，TDDS在字节位置0至53处具有与DDS类似的内容。然而，在TDDS中，从字节位置4起记录了TDDS序列号。从字节位置16起记录了TDMA中的驱动区域的起始物理地址。从字节位置24起记录了TDMA中的TDFL的起始物理地址(AD DFL)。 

在TDDS中的字节位置1024及其后的字节位置中，记录了DDS中没有的信息。 

在从字节位置1024起的四个字节中，记录了用户数据区域中的数据记录区域的最外周的物理扇区地址PSN。 

在从字节位置1028起的四个字节中，记录了TDMA中用于层L0的最新空间位图的起始物理扇区地址(AD BP0)。 

在从字节位置1032起的四个字节中，记录了TDMA中用于层L1的最新空间位图的起始物理扇区地址(AD BP1)。 

在字节位置1036处的一个字节中，记录了用于控制覆写功能的使用的标志。 

除了这些字节位置处的字节以外的字节被用作保留，并且其所有内容都是00h。 

然而，例如在三层盘的情况下，决定了这些保留中的预定字节位置，并且在这些位置处记录了TDMA中的用于层L2的最新空间位图的起始物理扇区地址(AD BP2)。 

在四层盘的情况下，决定了这些保留中的预定字节位置，并且记录了TDMA中的用于层L2的最新空间位图的起始物理扇区地址(AD BP2)和用于层L3的最新空间位图的起始物理扇区地址(AD BP3)。 

另外，在图10中被视为保留的任何位置处，各用四个字节记录了关于各个层中的OPC区域的下个OPC操作可执行地址(下个可用Ln OPC地址)。即，记录了接下来要用于OPC操作的部分的地址。 

例如，在三层盘的情况下，一般地，作为接下来要使用的部分的地址，各用四个字节来描述如下文所述的层L0、L1和L2中设置的各个OPC区域中的未使用部分(尚未执行OPC操作的部分)的起始地址。 

在四层盘的情况下，一般地，作为接下来要使用的部分的地址，各用四个字节来描述如下文所述的层L0、L1、L2和L3中设置的各个OPC区域中的未使用部分的起始地址。 

然而，如下文中对图26的示例所述，作为接下来要使用的部分的地址的“下个可用Ln OPC地址”经常被改变成不在未使用部分的开头处的位置的地址。 

如上所述，TDDS包括用户数据区域的地址、ISA和OSA的大小以及替换区域可用性标志。即，TDDS被用作数据区块中的ISA和OSA的区域管理的管理/控制信息。TDDS在这一点上与DDS相同。 

另外，TDDS具有指示出最新有效空间位图的位置的信息(AD BP0、AD BP1(此外还有AD BP2、AD BP3))，并且具有指示出最新有效临 时DFL(TDFL)的信息(AD DFL)的位置的信息。 

此外，TDDS具有指示出各个层中的OPC区域的未使用部分的下个OPC操作可执行地址(下个可用Ln OPC地址)。 

此TDDS被记录在空间位图和TDFL的最终扇区中。因此，每次添加空间位图或TDFL时，就记录新的TDDS。从而，在图7的TDMA中，最后添加的空间位图或TDFL中的TDDS是最新TDDS，并且其中指示了最新空间位图和TDFL。 

下面将简单描述TDMA的更新。 

利用图1所示的充当替换区域的ISA和OSA进行的替换处理是以如下方式执行的。以数据重写的情况为例。例如，假定发出了对用户数据区域中已经记录有数据的簇进行数据写入的请求，即重写请求。在此情况下，不可能对此簇写入，因为盘是一次写入盘。因此，此重写数据被写入到ISA或OSA中的某个簇。这就是替换处理。 

此替换处理作为上述替换地址信息ati的条目被管理。具体而言，记录一条替换地址信息ati，作为指示出作为替换对象的其中原本记录了数据的簇的地址并且指示出作为替代者的其中重写数据被写入在ISA或OSA中的簇的地址的条目。 

即，在数据重写的情况下，重写数据被记录在ISA或OSA中，并且由于此重写而发生的数据位置的替换由TDMA中的TDFL中的替换地址信息ati来管理。从而，尽管是一次写入盘，实质上也可实现数据重写(从例如主机***的OS和文件***的角度来看)。 

在缺陷管理的情况下也执行类似的操作。如果某个簇被视为缺陷区域，则应当写入在其中的数据通过替换处理被写入在ISA或OSA中的某个簇中。为了此替换处理的管理，一条替换地址信息ati被记录作为一个条目。 

另外，响应于记录操作(簇消耗)，还执行空间位图的更新。 

这样，在TDMA中，响应于数据重写和替换处理根据需要更新空间位图和TDFL。在封闭时，最新TDMA的内容被记录在INFO中的DMA中，从而固定了管理信息。 

在诸如三层盘和四层盘之类的多层盘中，TDMA如下文所述被部署在各个记录层的全部或一部分中。这些TDMA以依次耗尽的方式用于TDFL/空间位图的更新。由于此特征，各个记录层中的TDMA被集体用作一个大的TDMA，从而多个TDMA可被高效地使用。 

另外，无论各层中的TDMA如何，只要通过探索最新记录的TDDS就可掌握有效TDFL/空间位图。 

另外，虽然在图7中没有示出，但对于最新TDMA的判定，仅在开头TDMA(例如下文中将描述的TDMA#1)中，TDMA中的最初预定数目的簇被用作TDMA访问指示符。 

假定在整个盘中设有12个TDMA，即TDMA0至TDMA11，则开头TDMA0中的前12个簇被用作TDMA访问指示符并且每一个表示TDMA1至11和DMA中相应一个的记录的信息。 

在开头TDMA0的使用期间，在TDMA访问指示符中没有记录数据。当整个TDMA0已被使用并且对TDMA1的使用开始时，例如“00h”数据被记录在TDMA访问指示符的整个第一簇(对应于TDMA1)中。当整个整个TDMA1已被使用并且对TDMA2的使用开始时，例如“00h”数据被记录在TDMA访问指示符的整个第二簇(对应于TDMA2)中。如果以这种方式使用TDMA访问指示符，则实现了以下优点。具体而言，例如在装载盘时，盘驱动装置可以通过访问第一TDMA0并且读取TDMA访问指示符来获知其中记录有此时刻最新的TDMA数据的TDMA。如果在TDMA访问指示符的所有12个簇中都已经记录了“00h”，则盘驱动装置可以知道数据被记录在DMA中。 

[4.多层盘/现有双层盘的内区块] 

下面利用图11来描述多层盘的层结构。 

图11(a)、(b)和(c)分别示意性地示出了现有双层盘、新开发的三层盘和实施例的四层盘的层结构。 

图11(a)、11(b)和11(c)的每个盘具有厚度约为1.1mm的盘基板201。盘基板201例如是通过聚碳酸酯树脂的注射成型来成形的。在用 于注射成型的模具中设有压模，从而形成了转印有沟槽形状的盘基板201。 

在双层盘的情况下，如图11(a)中所示，在基板201上形成第一层(层L0)，然后形成第二层(层L1)，其间有中间层204。另外，在第二层(层L1)上形成透光层203。 

透光层203的表面充当激光入射表面。 

形成透光层203是为了保护光盘。信息信号的记录和再现是通过例如将激光通过透光层203聚焦在层L0或L1上来执行的。 

透光层203是通过例如旋转涂覆UV固化树脂并利用UV照射对其进行固化来形成的。或者，也可以利用UV固化树脂和聚碳酸酯片或者粘合层和聚碳酸酯片来形成透光层203。 

透光层203的厚度大约为100μm。当其与厚度大约为1.1mm的基板201相组合时，整个光盘的厚度大约是1.2mm。 

图11(b)的三层盘包括三个记录层，即层L0、L1和L2。 

在此盘中，层L0、L1和L2也形成在基板201上，其间有中间层204。 

图11(c)的四层盘包括四个记录层，即层L0、L1、L2和L3。在此盘中，层L0、L1、L2和L3也形成在基板201上，其间有中间层204。 

图11(a)、(b)和(c)中的每个中间层204是通过例如用旋转涂覆方法旋转地涂覆具有UV感光性的透光材料并且用UV照射对其进行固化来形成的。 

在向/从多层光盘记录介质执行信息信号的记录/再现的情况下，出于抑制层间串扰的目的来设计此中间层204的布置和膜厚度。 

在三层盘中，层L2被设在离激光入射表面大约50μm的位置处。在四层盘中，中间层204的厚度被调整并且层L3被设在离激光入射表面大约50μm的位置处。 

图11(b)的三层盘例如是通过以下过程(ST1至ST7)来制造的。 

(ST1)通过利用用于层L0的压模的注射成型来制作其上转印有层L0的沟槽图案的盘基板201。 

(ST2)通过溅镀之类的在用于L0的沟槽图案上淀积记录膜以形成层L0。 

(ST3)通过旋转涂覆在层L0上延展树脂，并且在把用于层L1的压模压在树脂上的同时固化树脂。从而，形成了其上转印有层L1的沟槽图案的中间层204。 

(ST4)通过溅镀之类的在用于L1的沟槽图案上淀积记录膜以形成层L1。 

(ST5)通过旋转涂覆在层L1上延展树脂，并且在把用于层L2的压模压在树脂上的同时固化树脂。从而，形成了其上转印有层L2的沟槽图案的中间层204。 

(ST6)通过溅镀之类的在用于L2的沟槽图案上淀积记录膜以形成层L2。 

(ST7)通过诸如旋转涂覆和固化或者片材粘结之类的技术形成透光层203。 

通过上述步骤，制造了三层盘。 

在四层盘的情况下，添加用于层L3的步骤，从而例如通过以下过程(ST11至ST19)来制造。 

(ST11)通过利用用于层L0的压模的注射成型来制作其上转印有层L0的沟槽图案的盘基板201。 

(ST12)通过溅镀之类的在用于L0的沟槽图案上淀积记录膜以形成层L0。 

(ST13)通过旋转涂覆在层L0上延展树脂，并且在把用于层L1的压模压在树脂上的同时固化树脂。从而，形成了其上转印有层L1的沟槽图案的中间层204。 

(ST14)通过溅镀之类的在用于L1的沟槽图案上淀积记录膜以形成层L1。 

(ST15)通过旋转涂覆在层L1上延展树脂，并且在把用于层L2的压模压在树脂上的同时固化树脂。从而，形成了其上转印有层L2的沟槽图案的中间层204。 

(ST16)通过溅镀之类的在用于L2的沟槽图案上淀积记录膜以形成层L2。 

(ST17)通过旋转涂覆在层L2上延展树脂，并且在把用于层L3的压模压在树脂上的同时固化树脂。从而，形成了其上转印有层L3的沟槽图案的中间层204。 

(ST18)通过溅镀之类的在用于L3的沟槽图案上淀积记录膜以形成层L3。 

(ST19)通过诸如旋转涂覆和固化或者片材粘结之类的技术形成透光层203。 

通过上述步骤，制造了四层盘。 

为了与下文中将描述的三层盘和实施例的四层盘相比较，下面将利用图12来描述现有的双层盘的内区块的布局。 

内区块被设在21.0mm至24.0mm的半径位置范围中。 

从21.0mm的半径位置起形成BCA。 

在层L0和L1的每一个中，出于将BCA与执行管理信息的记录/再现的区域相分离的目的，从22.2mm的半径位置起设有保护区块PZ1。 

在层L0中，在22.5mm到约23.1mm的半径位置范围中，形成了PIC，其中如上所述通过摆动沟槽记录了再现专用管理信息。 

在层L0中，到此PIC为止的区域充当再现专用区域。 

在从PIC朝着外周侧到24.0mm的半径位置的区域中，顺次部署了保护区块PZ2、缓冲区域BUF、INFO#2、OPC(L0)、TDMA#1和INFO#1。 

在层L1中，在22.5mm到约24.0mm的半径位置范围中，顺次部署了缓冲区域BUF、OPC(L1)、保留区域RSV、INFO#4、TDMA#2、保留区域RSV和INFO#3。 

缓冲区域BUF是不用于管理信息的记录/再现的区域。保留区域RSV是当前未使用但将来有可能用于管理信息的记录/再现的区域。 

在每个层中设有作为测试写入区域的OPC区域。在对内区块中的区域的描述中，表示法“OPC(Lx)”指的是“存在于层Lx中的OPC区 域”。 

虽然TDMA和INFO是带着符号#1至#n示出的，但是它们整体上被集体用作一个TDMA区域和一个INFO区域，无论其被部署在哪一层中。 

[5.新开发的三层盘的内区块] 

下面将描述新开发的三层盘的内区块。 

由于记录密度的增大，三层盘实现大约每一层33GB的容量。必需有适合于此情况的内区块布局。 

首先，将描述在开发三层盘时要注意的点P1至P6。 

(P1)固定锚定位置。 

鉴于现有的双层盘，考虑盘驱动装置的内区块的使用性和兼容性。为此，固定图12中箭头F所指示的位置，即BCA末端(半径位置22.2mm)、保护区块PZ1的末端(半径位置22.5mm)和内区块末端(半径位置24.0mm)。 

即，在22.5mm到24.0mm的半径位置中布置了PIC、OPC、TDMA等等。然而，由于双层盘、三层盘和四层盘之间的数据线密度的差异，发生半径位置的微小变动。 

(P2)防止各个层中的OPC区域在层方向上相互重叠。 

这一点是为了适当地执行OPC操作。当向记录层执行记录时，记录层的透过率发生变化，并且透过率变化对记录功率有依从性。从而，在像OPC区域这样的在记录功率变动的情况下执行记录的地方，发生多种透过率变化。如果某个OPC区域在层方向上与另一OPC区域重叠，则在更远离激光入射表面(更靠近盘基板201)的OPC区域中，可能无法执行适当的OPC操作。 

例如，假定OPC(L0)与OPC(L1)重叠。由于在OPC(L1)中在激光功率变动的情况下进行的OPC操作，OPC(L1)的透过率逐部分地变动。此后，由于OPC(L1)中的透过率变化的影响，不可能以期望功率对更远离激光入射表面的OPC(L0)进行激光照射。另外，对于该OPC区域经常执行过大功率的激光照射，从而经常损伤记录层。 

由于这些原因，OPC区域的层方向上的重叠导致更靠近盘基板201的OPC区域中的操作障碍。从而，需要防止各个层中的OPC区域在层方向上相互重叠。 

(P3)遵循现有双层盘的管理信息容量 

与现有的单层盘和双层盘一样，PIC被五重写入，并且其只要存在于至少一个记录层中就够了。 

例如，作为图12中所示的双层盘中的PIC，为了信息的安全和确保读出，相同的信息被重复记录五次。在三层盘中也遵循此方案。因此，PIC的半径范围取决于与五次记录相对应的数据量。 

另外，还遵循以下特性：TDMA的大小是每一层2048个簇，并且每个层中的OPC区域的大小也是2048个簇。这是为了避免TDMA和OPC的使用性的变化。 

从而，在三层盘中，总共为TDMA确保2048×3＝6144个簇。对于OPC区域，在每个层中确保2048个簇。 

TDMA的更新伴随着记录操作。因此，例如，在其中在即将进行记录操作之前在OPC区域中调整记录激光功率的装置的情况下，通过伴随盘弹出操作等等的频繁TDMA更新类似地消耗OPC区域。从而，在能够部署TDMA的各个层中，尽可能均等地部署TDMA的容量。 

(P4)管理信息记录/再现区域不被部署成在比OPC区域更靠近盘基板201的位置处与此OPC区域重叠。 

“管理信息记录/再现区域”是在内区块中执行管理/控制信息的记录/再现的区域的总称。即，INFO、TDMA和保留区域RSV相当于管理信息记录/再现区域。因为保留区域RSV将来有可能用于管理信息的记录/再现，所以其被包括在管理信息记录/再现区域中。 

因为PIC是再现区域，所以它不被包括在管理信息记录/再现区域中。另外，缓冲区域BUF和保护区块PZ2不被包括在管理信息记录/再现区域中，因为其中不执行记录和再现。 

防止管理信息记录/再现区域在比OPC区域更靠近盘基板201的位置处与此OPC区域重叠是为了在管理信息记录/再现区域中适当地进行记录 和再现。 

如上所述，在OPC区域中不定地发生透过率变动。因为其影响，如果在比OPC区域更靠近盘基板201的位置处存在与此OPC区域重叠的管理信息记录/再现区域，则不可能对此管理信息记录/再现区域以适当光量进行激光照射，并且其中的记录/再现操作不稳定。为了避免此问题，诸如TDMA之类的管理信息记录/再现区域不被部署在OPC区域的盘基板201侧。 

(P5)在比OPC区域更靠近激光入射表面的位置处只允许存在一个管理信息记录/再现区域。 

如上所述，由于向/从记录层的记录/再现，发生透过率变动。因此，为了准确的OPC操作，最好在比OPC区域更靠近激光入射表面的位置处不存在执行记录的区域。然而，在现有的双层盘中允许这种区域的存在。例如，在图12中，TDMA#2被部署在比OPC(L0)更靠近激光入射表面的位置处。 

其原因如下。在管理信息记录/再现区域中，记录/再现是以适当的激光功率执行的，因此伴随的透过率变动在预测范围内。从而，此透过率变动对于管理信息记录/再现区域的里侧的OPC区域中的测试写入没有很大影响。 

然而，诸如三层盘和四层盘之类的多层盘涉及如下可能性，即两个或更多个管理信息记录/再现区域被部署在比OPC区域更靠近激光入射表面的位置处。如果多个管理信息记录/再现区域与OPC区域重叠并且这些区域中的每一个处于记录状态或未记录状态中，则从这些区域的里侧的OPC区域的角度来看这些区域的透过率是不可预测的。 

为了避免此问题，两个或更多个管理信息记录/再现区域不被部署成在比OPC区域更靠近激光入射表面的位置处与此OPC区域重叠。 

(P6)一个层中的两个INFO相离至少150μm。 

因为规定一个层中的两个INFO相离至少150μm，其中150μm是允许的缺陷大小，所以三层盘也遵守此规定。 

在注意了上述的点P1至P6的情况下为三层盘(BD-R)开发的内区 块布局如图13所示。图14示出了每个区域的起始半径位置和簇数目。 

在层L0中，在BCA和保护区块PZ1之后，在外周侧部署了PIC。PIC根据上述点P3具有与用于五重写入的数据容量相对应的大小。BCA、保护区块PZ和PIC充当再现专用区域。 

在PIC之后，沿着朝向外周的方向部署了保护区块PZ2、缓冲区域BUF、INFO#2、OPC(L0)、TDMA#1和INFO#1。 

在层L1中，只有BCA和保护区块PZ1充当再现专用区域。在保护区块PZ1之后，沿着朝向外周的方向部署了缓冲区域BUF、OPC(L1)、保留区域RSV、INFO#4、TDMA#2、保留区域RSV和INFO#3。 

在层L2中，也只有BCA和保护区块PZ1充当再现专用区域。在保护区块PZ1之后，沿着朝向外周的方向部署了缓冲区域BUF、OPC(L2)、保留区域RSV、INFO#6、TDMA#3、缓冲区域BUF和INFO#5。 

参考图14将清楚看出每个区域的半径位置和簇数目。 

对于图13的这个内区块布局，考虑了上述的点P1至P6。 

作为点P1，固定了BCA、保护区块PZ1和内区块末端。基于此特征，在22.5mm到24.0mm的半径位置范围中布置了PIC、OPC、TDMA、INFO等等。 

作为点P3，遵循了PIC容量、TDMA容量和OPC大小。 

作为点P6，在层L0中的INFO#1与INFO#2之间、层L1中的INFO#3与INFO#4之间以及层L2中的INFO#5与INFO#6之间确保了至少150μm的分离。 

作为点P2，避免了层方向上OPC区域的重叠。 

如图13中所示，OPC(L2)和OPC(L1)之间沿着半径方向有间隔距离G1，从而防止了相互重叠。 

另外，在OPC(L1)与层L0中的INFO#2之间设定了间隔距离G2。从而，由于在OPC(L1)和OPC(L0)之间沿着半径方向有G2以上的间隔距离，所以防止了它们相互重叠。 

在图14的半径位置设定的示例中，间隔距离G1和G2为222μm。 

下面将描述为何具有间隔距离G1和G2的布置设定可避免层方向上 OPC区域的重叠。 

如上所述，用于形成层L0、L1和L2中的轨道的沟槽图案中的每一个是在制作盘基板201时和形成中间层204时用相应的压模来成形的。从而，很难使充当轨道的沟槽图案的中心点完全相互匹配，并且允许预定的公差。 

如图15(a)中所示，作为每个记录层的偏心量，允许最大75μm。另外，作为半径位置精度，作为每个记录层的半径24mm的位置的误差允许绝对值最大100μm。例如，基于层L0中的半径24mm的位置，只要其他层中的半径24mm的位置的误差小于100μm就够了。 

在此情况下，各个记录层之间的相互位置偏差在最坏情况下是175μm。 

然而，还需要考虑离焦。如图15(b)中所示，作为三层盘中最靠近激光入射表面的记录层的层L2与层L0相离略短于50μm距离。假定此距离例如是46.5μm。在此情况下，当在聚焦于层L0上的情况下向层L0执行记录时，层L2的激光照射范围是半径29μm的范围。 

考虑到上述特性，除非确保大约200μm以上的间隔距离，否则OPC区域就有可能重叠。 

在本示例中，通过如图13和图14所示布置各个区域，对于间隔距离G1和G2中的每一个，确保222μm。 

从而，即使层L1和L2被形成为有允许范围内的最大偏差时，OPC(L2)和OPC(L1)也不在层方向上相互重叠。类似地，OPC(L1)和OPC(L0)即使在最坏情况下也不相互重叠。 

因此，能够完全满足点P2的条件，这可以确保每个OPC区域中的适当OPC操作。 

也满足了点P4的条件，即管理信息记录/再现区域不被部署成在比OPC区域更靠近基板201的位置处与此OPC区域重叠这个条件。 

如图13中所示，在OPC(L2)的盘基板201侧，部署了层L1中的缓冲区域BUF和层L0中的PIC，从而不存在管理信息记录/再现区域。 

另外，在OPC(L1)的盘基板201侧，部署了层L0中的PIC、保护 区块PZ2和缓冲区域BUF，从而不存在管理信息记录/再现区域。即使在层L1与L0之间发生上述公差内的最大偏差，INFO#2也决不会位于OPC(L1)的盘基板201侧，因为间隔距离G2是222μm。 

因此，在OPC区域的里侧(盘基板201侧)不部署管理信息记录/再现区域。这避免了管理信息记录/再现区域中的记录/再现操作取决于OPC区域的记录状态而不稳定的问题。 

也满足了点P5的条件，即在比OPC区域更靠近激光入射表面的位置处只允许存在一个管理信息记录/再现区域这个条件。 

当考虑从层L0中的OPC(L0)的角度来看层L1和L2中的布置时，这一点成为了要关注的问题。这是因为不可能两个或更多个管理信息记录/再现区域被部署在比OPC(L1)和OPC(L2)更靠近激光入射表面的位置处。 

在比OPC(L0)更靠近激光入射表面的位置处，部署了层L1中的TDMA#2和层L2中的缓冲区域BUF。从而，比OPC(L0)更靠近激光入射表面的管理信息记录/再现区域只有TDMA#2。 

如果存在允许公差内的最大偏差，则层L1中的INFO#4和保留区域RSV在层方向上可能与OPC(L0)重叠。然而，因为间隔距离G2是222μm，所以层L2中的TDMA#3决不会在层方向上与OPC(L0)重叠。另外，图13中的间隔距离G3在图14的设计中是235μm。从而，层L2中的INFO#5也决不会在层方向上与OPC(L0)重叠。 

因此，即使在允许公差内的最坏情况下，在比OPC区域更靠近激光入射表面的位置处也决不会存在两个或更多个管理信息记录/再现区域。 

如上所述，本实施例的三层盘例如通过采用像图13和图14那样的内区块布局，可以具有满足点P1至P6的条件的适当布局。 

本示例的三层盘的要点如下。 

·此三层盘是作为通过在盘基板201上设置三个记录层(层L0至L2)并且在激光入射表面侧形成透光层203而获得的多层盘的可记录盘。 

·在每个记录层(层L0至L2)中，在比记录用户数据的数据区块更靠近内周的内区块中设有用于激光功率控制的测试区域(OPC(L0)、 OPC(L1)、OPC(L2))。 

·各个记录层(层L0至L2)中的测试区域(OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2))部署成不在层方向上相互重叠。 

·在各个记录层(层L0至L2)的内区块中，设有执行管理信息的记录和再现的管理信息记录/再现区域。 

·管理信息记录/再现区域被部署成使得，对于各个记录层中的每个测试区域(OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2))，在比测试区域更靠近激光入射表面的位置处与此测试区域在层方向上重叠的管理信息记录/再现区域的数目等于或小于一个。 

·管理信息记录/再现区域被部署成不在测试区域的盘基板201侧在层方向上与各个记录层中的测试区域(OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2))重叠。 

图13的示例是针对BD-R示出的，BD-R是一次写入盘。在作为可重写盘的BD-RE的情况下，内区块布局的设计可如图16所示。 

图16的布局是通过用保留区域RSV取代图13中的TDMA来获得的。每个区域的大小与图14所示的相同。图14中的TDMA的位置可被视为保留区域RSV的位置。 

如上所述，TDMA被用于直到最终封闭处理为止的数据重写和替换处理的TDFL和空间位图的顺次更新等等。在允许数据重写的可重写盘中，TDMA不是必需的，因为可以直接重写INFO中的DMA。 

因此，可以采用通过用保留区域RSV取代图13中的TDMA而获得的图16所示的布局。当然，此布局满足点P1至P6的条件。 

通过这种内区块布局，在BD-RE中也可以适当地执行内区块中的测试写入和管理信息的记录/再现。 

[6.实施例的四层盘的内区块] 

下面将描述实施例的四层盘的内区块。 

由于记录密度的增大，此四层盘实现大约每一层32GB的容量。必需有适合于此情况的内区块布局。 

在开发实施例的四层盘时要注意的点与上述点P1至P6相同。然而，在四层盘中，因为以下原因，无法简单地实现对点P1至P6的条件的满足。 

首先，在四层盘中，为了遵守点P1，PIC、OPC、TDMA等等也被部署在22.5mm至24.0mm的半径位置范围中。另外，根据点P3，类似地确保OPC区域、TDMA等等的容量。 

具体而言，OPC区域的大小被设定为每个层中2048个簇。 

TDMA的大小是每一层2048个簇。因此，虽然其布置位置可在任何记录层中，但总体上确保2048×4＝8192个簇。另外，TDMA被部署成使得其容量在可以部署的TDMA的记录层中尽可能均等。 

然而，如果布局就这样基于此前提，则无法保持OPC区域之间的间隔距离G1和G2被设定到至少200μm的状态。 

这可能导致如下情形：即使当各个层之间的偏差在公差内时，也无法保持OPC区域在层方向上不相互重叠的点P2的条件。即，有可能不满足点P2的条件。 

因此，在四层盘的情况下，采用了OPC配对的概念和公差缩小的概念来解决此问题。 

首先，将参考图17来描述为本示例的四层盘(BD-R)开发的内区块布局。图18中示出了每个区域的起始半径位置和簇数目。 

在层L0中，在BCA和保护区块PZ1之后，在外周侧部署了PIC。PIC根据上述点P3具有与用于五重写入的数据容量相对应的大小。BCA、保护区块PZ和PIC充当再现专用区域。 

在PIC之后，沿着朝向外周的方向部署了保护区块PZ2、缓冲区域BUF、INFO#2、OPC(L0)、缓冲区域BUF和INFO#1。 

在层L1中，只有BCA和保护区块PZ1充当再现专用区域。在保护区块PZ1之后，沿着朝向外周的方向部署了缓冲区域BUF、OPC(L1)、INFO#4、TDMA#1、缓冲区域BUF和INFO#3。 

在层L2中，也只有BCA和保护区块PZ1充当再现专用区域。在保护区块PZ1之后，沿着朝向外周的方向部署了缓冲区域BUF、INFO#6、 TDMA#2、缓冲区域BUF、OPC(L2)、TDMA#3和INFO#5。 

在层L3中，也只有BCA和保护区块PZ1充当再现专用区域。在保护区块PZ1之后，沿着朝向外周的方向部署了OPC(L3)、缓冲区域BUF、INFO#8、TDMA#4和INFO#7。 

参考图18将清楚看出每个区域的半径位置和簇数目。 

在此情况下，内区块布局遵守点P1、P3和P6。 

作为点P1，固定了BCA、保护区块PZ1和内区块末端。基于此特征，在22.5mm到24.0mm的半径位置范围中布置了PIC、OPC、TDMA、INFO等等。 

作为点P3，遵循了PIC容量、TDMA容量和OPC大小。 

TDMA被部署成使得在可以部署TDMA的层L1、L2和L3之间容量是均等的。下文中将作为额外的点P7和P8来描述这一点。 

作为点P6，在层L0中的INFO#1与INFO#2之间、层L1中的INFO#3与INFO#4之间、层L2中的INFO#5与INFO#6之间以及层L3中的INFO#7与INFO#8之间确保了至少150μm的分离。 

下面将描述如何满足点P2(OPC区域不相互重叠)、P4(管理信息记录/再现区域不被部署在比OPC区域更靠近盘基板201的位置处)和P5(在比OPC区域更靠近激光入射表面的位置处不部署两个或更多个管理信息记录/再现区域)的条件。 

首先，下面将描述OPC配对的概念，即图17所示的第一OPC配对和第二OPC配对。 

图19示出了各个层中的OPC区域。 

本示例的四层盘基于这样一个假设，即采用了所谓的反向轨道路径。这是这样一种轨道路径：记录/再现的行进方向(地址的行进方向)在层与层之间交互逆转。具体而言，行进方向是在层L0中从内周朝着外周，在层L1中从外周朝着内周，在层L2中从内周朝着外周，并且在层L3中从外周朝着内周。在图19中，轨道路径方向由箭头OTP示出。 

记录/再现方向在所有层中都是从内周朝着外周的轨道路径被称为并行轨道路径。下文中将描述的本实施例的概念也可用于并行轨道路径。 

如图19中所示，作为在内区块中部署得更靠近外周的两个OPC区域的OPC(L0)和OPC(L2)被定义为第一OPC配对。 

另外，作为部署得更靠近内周的两个OPC区域的OPC(L1)和OPC(L3)被定义为第二OPC配对。 

规定在记录/再现方向(轨道路径)的相反方向上消耗OPC区域。这是因为以下原因。在OPC区域中，以非常高的激光功率执行测试写入，从而OPC区域经常被部分损伤。因此，如果从较小地址一侧起使用地址，则可能在OPC操作时无法访问OPC执行位置。 

从而，在每次测试写入中，按照测试写入中使用的预定扇区数，从较大地址一侧起使用OPC区域。图中的箭头OU指示OPC区域的消耗方向。 

因此，在反向轨道路径的情况下，在每次测试写入中从外周侧起按照预定扇区数顺次消耗OPC(L0)和OPC(L2)，而在每次测试写入中从内周侧起按照预定扇区数顺次消耗OPC(L1)和OPC(L3)。 

消耗方向OU在配对中的两个OPC区域之间是相同的。 

对于每个配对中的两个OPC区域，考虑表观的间隔距离。具体而言，考虑与OPC(L0)和OPC(L2)有关的间隔距离AB1和与OPC(L1)和OPC(L3)有关的间隔距离AB2。 

表观间隔距离AB1和AB2是OPC区域中接下来要使用的部分(下个OPC操作中要消耗的位置)的开头之间的间隔距离。一般地，表观间隔距离AB1和AB2是OPC区域中尚未消耗的未使用部分的开头之间的间隔距离。“接下来要使用的部分”的开头相当于上述TDDS中指示为OPC操作可执行地址(下个可用Ln OPC地址)的地址。 

如果假定在每个OPC区域中OPC操作已经消耗了由箭头OU的长度指示的部分，则表观间隔距离AB1和AB2如图中所示。 

如果确保了表观间隔距离AB1和AB2，则取决于使用OPC区域的方式，可以实现达到上述点P2的目的(OPC区域不相互重叠)的虚拟间隔距离。 

例如，如果在图19中的第一OPC配对中，如箭头OU所示消耗了 OPC(L0)和OPC(L2)，则接下来要使用的OPC位置不相互重叠。然而，如果考虑最大公差并且例如OPC(L2)的消耗量远大于OPC(L0)的消耗量，则有可能OPC区域会部分相互重叠。 

下面将以第一OPC配对为例利用图20来描述这一点。 

图20(a)示出了在OPC(L0)与OPC(L2)之间沿着半径方向不设间隔距离的布局的假设。 

由2048个簇构成的OPC区域的半径大小大约是250μm。 

即使如图20(a)中所示不设间隔距离，在理想状态下，OPC(L0)和OPC(L2)在层方向上也不相互重叠。 

然而，如果如上所述允许大约200μm的公差并且层L0与L2之间的偏差是最大值，则如图20(b)中所示在约200μm的范围中发生重叠。 

然而，如果考虑上述表观间隔距离AB1，则即使当如图20(b)中所示发生层方向上的重叠时，也可实现要用于OPC记录的位置不相互重叠的状态。例如，如果如图中的虚线箭头所示始终几乎均等地消耗OPC(L0)和OPC(L2)，则始终确保表观间隔距离AB1(表观间隔距离AB1相当于各虚线箭头尖端之间的间隔距离)。 

然而，各OPC区域的消耗量不一定是均等的。虽然OPC(L0)的消耗在许多情况下都进行得更迅速，但取决于情况，OPC(L2)的消耗也经常进行得更迅速。在图20(b)的情况下，如果OPC(L2)的消耗量变成OPC(L0)的消耗量的两倍，则表观间隔距离AB1变为零。 

这是当层L0与L2之间的偏差是公差内的最大值并且OPC(L0)与OPC(L2)之间的消耗平衡变得相当低时发生的罕见情况。然而，发生这种情形的可能性应尽可能低。 

下面再考查公差。 

图21(a)示出了在上述三层盘中最大公差被设定到大约200μm的条件。 

将再考查此条件。首先，偏心量是盘制造的问题，很难将其设定到小于75μm。另外，也不能改变作为离焦的29μm。 

因此，如图21(b)中所示，半径位置精度被定义成使得在24mm半 径的位置处最大误差的相对值为50μm。在三层盘的情况下，采用从基准层起的绝对值误差。然而，实际上，层的偏差在各层之间具有相对影响。从而，改变允许的公差。具体而言，只要四个层之中具有最大偏差的两个层之间在24mm半径位置处的偏差在50μm的范围内，层之间的偏差就是允许的。 

在此情况下，可估计最大公差为约150μm。因此，四层盘是基于各层之间的偏差即使在最坏情况下也等于或小于150μm这一前提的。 

在此情况下，当层L0与L2之间的偏差最大时，如图20(c)中所示，在大约150μm的范围中发生重叠。此状态比图20(b)的状态好。即，可以降低在OPC(L2)的消耗量变得大于OPC(L0)的消耗量时表观间隔距离AB1变成零的可能性。 

下面将考虑如何进一步降低表观间隔距离AB1变成零的可能性。 

首先，将考虑第一OPC配对与第二OPC配对之间的配对间间隔距离。 

因为最大公差被设定到150μm，所以只要配对之间的间隔距离，亦即图17中的OPC(L0)的最内周侧与OPC(L1)的最外周侧之间的间隔距离Gp，至少为150μm就够了。 

这是因为，当间隔距离Gp至少为150μm时，即使层L0与L1之间的偏差最大，OPC(L0)和OPC(L1)在层方向上也不相互重叠。 

在图17和图18中所示的布置的情况下，此间隔距离Gp是153μm。 

接来下将就点P4(在比OPC区域更靠近盘基板201的位置处不部署管理信息记录/再现区域)而言考虑OPC(L3)。 

在图17中，在比OPC(L3)更靠近盘基板201的位置处，部署了层L2中的缓冲区域BUF、层L1中的缓冲区域BUF和层L0中的PIC，从而不存在管理信息记录/再现区域。 

然而，考虑层的偏差，层L2中的INFO#6需要在半径方向上充分分离。这是图17中的间隔距离Gf2。 

在此情况下，如果最大公差被设定到200μm，则间隔距离Gf2需要至少为200μm。与之不同，如果最大公差如上所述被设定到150μm，则间 隔距离Gf2至少为150μm就够了。在图17和图18中所示的布置的情况下，此间隔距离Gf1是153μm。 

另外，将就点P5(在比OPC区域更靠近激光入射表面的位置处不部署两个或更多个管理信息记录/再现区域)而言关注OPC(L0)。 

只有层L1中的TDMA#1被部署为比OPC(L0)更靠近激光入射表面的管理信息记录/再现区域。然而，如果考虑层的偏差，则层L1中的TDMA#1与层L3中的INFO#8之间的位置关系成为了要关注的问题。这是图17中的间隔距离Gtf。 

在此情况下，如果除由离焦引起的误差外的最大公差被设定到175μm，则间隔距离Gtf也需要至少为175μm。然而，如果除由离焦引起的误差外的最大公差被设定到125μm，则间隔距离Gtf大约为125μm就够了。在图17和图18中所示的布置的情况下，此间隔距离Gtf是145μm。 

对于间隔距离Gtf可从最大公差中排除由离焦引起的误差的原因如下。参考图15(b)，即使从左侧和右侧向着图中的点划线记录层L1和层L2，对层L0的影响总体上也是由一层导致的，即层L1和层L2中的每个导致了一半的影响。 

如上所述，间隔距离Gf2和Gtf不需要分别是至少200μm和175μm，而只要间隔距离Gf2和Gtf分别是至少150μm和125μm就够了。这意味着通过将公差设定到150μm，可将间隔距离Gf2和Gtf中的每一个减小50μm。 

在此情况下，在各个OPC配对中，可向间隔距离Gi1和Gi2应用每个50μm的裕量。 

因为上述特性，如图20(d)中所示，在配对中的OPC(L0)和OPC(L2)的布置中可设定50μm的间隔距离(此间隔距离相当于图17中的间隔距离Gi1)。 

在此情况下，当层L0与L2之间的偏差最大时，如图20(e)中所示，在大约100μm的范围中发生重叠。此状态进一步好于图20(c)的状态。 

即，即使当OPC(L0)的消耗量变得远大于OPC(L0)的消耗量 时，表观间隔距离AB1变成零的可能性也很低。 

实际上，即使在最坏情况下，通常也能避免表观间隔距离AB1的消失。 

此外，可以在记录装置侧通过OPC(L2)和OPC(L0)的处理来调整OPC区域的使用，从而可以防止表观间隔距离AB1的消失。下文中将利用图25和图26来描述此特性。 

基于上述特性，在第一OPC配对的OPC(L2)与OPC(L0)之间设定间隔距离Gi1，并且在第二OPC配对的OPC(L3)与OPC(L1)之间设定间隔距离Gi2。在图17和图18中所示的布置的情况下，间隔距离Gi1＝Gi2＝57μm。 

由于此设定，确保了图19中所示的表观间隔距离AB1和AB2，并且实质上避免了OPC(L2)与OPC(L0)之间以及OPC(L3)与OPC(L1)之间在层方向上的重叠。 

另外，如上所述在OPC(L0)的最内周侧与OPC(L1)的最外周侧之间设定153μm的间隔距离Gp。从而，即使当层的偏差是公差内的最大时，也决不会发生OPC(L0)与OPC(L1)之间在层方向上的重叠。 

因此，图17和图18的布局实质上满足点P2的条件(OPC区域不相互重叠)。 

关于点P4(在比OPC区域更靠近盘基板201的位置处不部署管理信息记录/再现区域)的验证如下。 

对于OPC(L3)，如上所述在其盘基板201侧不部署管理信息记录/再现区域。 

至于OPC(L2)，层L1中的缓冲区域BUF和层L0中的缓冲区域BUF位于其盘基板201侧，从而不存在管理信息记录/再现区域。就层的偏差而言应当考虑的区域是层L0中的INFO#1和层L1中的INFO#3。然而，从以上所做的描述清楚可见，只要图17中所示的间隔距离Gi3至少为150μm就够了。在图17和图18中所示的布置的情况下，间隔距离Gi3是153μm。从而，管理信息记录/再现区域决不位于OPC(L2)的盘基板201侧。 

至于OPC(L1)，层L0中的PIC位于其盘基板201侧，从而不存在管理信息记录/再现区域。就层的偏差而言应当考虑的区域是层L0中的INFO#2。然而，与以上描述类似，只要间隔距离Gf1至少为150μm就够了。在图17和图18中所示的布置的情况下，间隔距离Gi2是153μm。从而，管理信息记录/再现区域决不位于OPC(L1)的盘基板201侧。 

根据上述事实，也满足了点P4的条件。 

关于点P5(在比OPC区域更靠近激光入射表面的位置处不部署两个或更多个管理信息记录/再现区域)的验证如下。 

验证的对象是OPC(L0)和OPC(L1)在层方向上的位置。对于OPC(L0)，不存在上述问题。 

至于OPC(L1)，在其激光入射表面侧，存在层L2中的INFO#6和TDMA#2以及层L3中的缓冲区域BUF。从而，不存在问题。 

即，满足了点P5的条件。 

从图17和图18清楚可见，在层L0中未部署TDMA。这是满足点P4和点P5的条件并且确保尽可能长的间隔距离Gi1和Gi2的技术。如上所述，各个记录层的TDMA被集体用作一个大的TDMA，因此TDMA不必被部署在所有记录层中。 

考虑四层盘的布局，重点在于OPC区域在层方向上的重叠，并且从最靠近盘基板的记录层中去除了TDMA。 

这被定义为针对四层盘的额外点P7，并且以下将参考它。 

另外，关于TDMA，从图17和图18清楚可见，层L1至L3中的TDMA的大小几乎是相等的。如果TDMA以集中方式被部署在一个记录层例如层L3中，则为了TDMA的更新，对层L3的记录调整消耗OPC(L3)。 

因此，最好尽可能均等地向各个记录层分配TDMA，以便可以防止OPC区域消耗的不平衡。 

在本实施例中，如果具有最大分配大小的记录层中的TDMA分配大小等于或小于具有最小分配大小的记录层中的两倍，则可以认为TDMA是几乎均等分配的。 

这被定义为针对四层盘的额外点P8，并且以下将参考它。 

如上所述，通过例如采用像图17和图18中所示那样的内区块布局，本示例的四层盘可以具有满足点P1至P8的条件的适当布局。 

本示例的四层盘的要点如下。 

·此四层盘是通过在盘基板201上设置四个记录层(层L0至L3)并且在激光入射表面侧形成透光层203而获得的可记录光盘。 

·在记录层(层L0至L3)中，在比记录用户数据的数据区块更靠近内周的内周侧区域(内区块)中设有OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2)和OPC(L3)，作为用于激光功率控制的测试区域。从而，四层盘具有四个测试区域。 

·在四个测试区域之中，更靠近盘外周的两个测试区域(OPC(L0)和OPC(L2))被定义为第一OPC配对，并且更靠近盘内周的两个测试区域(OPC(L1)和OPC(L3))被定义为第二OPC配对。形成第一OPC配对的测试区域和形成第二OPC配对的测试区域被部署成在层方向上不相互重叠。 

·第一OPC配对的两个测试区域(OPC(L0)和OPC(L2))具有相同的测试区域消耗方向。另外，各个测试区域被部署成通过其间的表观间隔距离AB1来防止测试区域中接下来要使用的部分在层方向上相互重叠。 

·第二OPC配对的两个测试区域(OPC(L1)和OPC(L3))具有相同的测试区域消耗方向，与第一OPC配对中的测试区域消耗方向相反(然而，如果采用上述的并行轨道路径，则它们具有与第一OPC配对中的测试区域相同的消耗方向)。另外，各个测试区域(OPC(L1)和OPC(L3))被部署成通过其间的表观间隔距离AB2来防止测试区域中接下来要使用的部分在层方向上相互重叠。 

·在每个记录层中的上述内周侧区域中，设有用于管理信息的记录和再现的管理信息记录/再现区域。作为其总大小，确保了通过将现有单层盘的管理信息大小乘以层数而获得的大小。 

·管理信息记录/再现区域被部署成使得，对于各个记录层(层L0至L3)中的每个测试区域(OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2)、OPC (L3))，在比此测试区域更靠近激光入射表面的位置处与该测试区域在层方向上重叠的管理信息记录/再现区域的数目等于或小于一个。 

·管理信息记录/再现区域被部署成不与各个记录层中的测试区域(OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2)、OPC(L3))在测试区域的盘基板201侧在层方向上重叠。 

·重点在于OPC区域在层方向上的重叠，并且从最靠近盘基板的记录层(层L0)中去除了TDMA。 

·以尽可能均等的大小向部署TDMA的记录层分配TDMA。 

更具体而言，对于实际布置，可以列举以下要点。 

·本示例的四层盘是直径为12cm的光盘。各个测试区域(OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2)、OPC(L3))是在该光盘的22.5mm至24.0mm的半径位置范围中以大约250μm的半径宽度形成的。 

·各记录层(层L0至L3)被形成为层的半径位置的相对误差在大约150μm的公差内。 

·如果认为上述半径位置的相对误差为零，则形成第一OPC配对的测试区域的最内周半径位置(OPC(L0)的最内周侧)和形成第二OPC配对的测试区域的最外周半径位置(OPC(L1)的最外周侧)被部署于在层方向上不相互重叠、而是沿着半径方向具有至少约150μm的间隔距离Gp的位置处。 

·如果认为上述半径位置的相对误差为零，则第一OPC配对的两个测试区域(OPC(L0)和OPC(L2))被形成于在层方向上不相互重叠、而是沿着半径方向具有至少约50μm的间隔距离Gi1的位置处。 

·如果认为上述半径位置的相对误差为零，则第二OPC配对的两个测试区域(OPC(L1)和OPC(L3))被形成于在层方向上不相互重叠、而是沿着半径方向具有至少约50μm的间隔距离Gi2的位置处。 

·TDMA不被部署在层L0中，而是以均等的大小部署在层L1至L3中。 

针对作为一次写入盘的BD-R，示出了图17的示例。在作为可重写盘的BD-RE的情况下，内区块布局的设计可如图22所示。 

图22的布局是通过用保留区域RSV取代图17中的TDMA来获得的。每个区域的大小与图18中所示的相同。图18中的TDMA的位置可被视为保留区域RSV的位置。 

如上所述，TDMA被用于直到最终封闭处理为止的数据重写和替换处理的TDFL和空间位图的顺次更新等等。在允许数据重写的可重写盘中，TDMA不是必需的，因为可以直接重写INFO中的DMA。 

因此，可以采用通过用保留区域RSV取代图13中的TDMA而获得的图22所示的布局。当然，此布局满足点P1至P8的条件。 

通过这种内区块布局，在BD-RE中也可以适当地执行内区块中的测试写入和管理信息的记录/再现。 

[7.盘驱动装置] 

接下来，下面将描述能够应对例如作为BD-R和BD-RE的本示例的三层盘和四层盘的盘驱动装置(记录/再现装置)。 

本示例的盘驱动装置对如下的盘执行格式处理：在该盘中，例如仅形成了上述的BCA和PIC，而在可记录区域中没有记录数据。从而，可形成利用图13或图17描述的状态中的盘布局。另外，对于具有这种格式的盘，盘驱动装置向/从用户数据区域执行数据的记录/再现。盘驱动装置还根据需要执行TDMA、ISA和OSA的记录/更新。 

图23示出了盘驱动装置的配置。 

盘1是上述实施例的三层盘或四层盘。盘1被放置在转盘中(未示出)并且在记录/再现时被主轴电机52以恒定的线速度(CLV)旋转驱动。 

光学读取头(光学头)51读出作为以盘1上的沟槽轨道的摆动的形式嵌入的ADIP地址和预记录信息的管理/控制信息。 

在初始化格式时和用户数据记录时，管理/控制信息和用户数据被光学读取头51记录在可记录区域中的轨道中。在再现时，记录的数据被光学读取头51读出。 

在光学读取头51中，形成了以下组件(未示出)：充当激光源的激 光二极管；用于检测反射光的光电检测器；充当激光的输出端的物镜；以及经由物镜向数据记录表面发射激光并且将激光的反射光引导至光电检测器的光学***。 

在光学读取头51中，双轴机构在循轨方向和聚焦方向上可移动地支撑物镜。 

滑车机构使得整个光学读取头51可以在盘半径方向上移动。 

来自激光驱动器63的驱动信号(驱动电流)驱动光学读取头51中的激光二极管发射激光。 

来自盘1的反射光信息被光学读取头51中的光电检测器检测到，并且被转换成依接收光量而定的电信号，然后被提供到矩阵电路54。 

矩阵电路54包括用于来自作为光电检测器的多个光接收元件的输出电流的电流-电压转换电路、矩阵计算/放大电路等等，并且通过矩阵计算处理生成必要的信号。 

例如，矩阵电路54生成与再现数据相当的高频信号(再现数据信号)、用于伺服控制的聚焦误差信号和循轨误差信号等等。 

另外，矩阵电路54生成推-拉信号，作为与沟槽的摆动有关的信号，即用于检测摆动的信号。 

矩阵电路54在一些情况下是一体地形成在光学读取头51中的。 

从矩阵电路54输出的再现数据信号被提供到读取器/写入器电路55。聚焦误差信号和循轨误差信号被提供到伺服电路61。推-拉信号被提供到摆动电路58。 

读取器/写入器电路55对于再现数据信号执行二值化处理、通过PLL进行的再现时钟生成处理等等，以再现光学读取头51读出的数据并将该数据提供给调制/解调电路56。 

调制/解调电路56包括在再现时充当解码器的功能部件和在记录时充当编码器的功能部件。 

在再现时，作为解码处理，调制/解调电路56基于再现时钟执行游程长度有限代码的解调处理。 

ECC编码器/解码器57在记录时进行添加纠错码的ECC编码处理，并 且在再现时进行执行纠错的ECC解码处理。 

在再现时，ECC编码器/解码器57把由调制/解调电路56进行的解调产生的数据捕捉到内部存储器中并且执行检错/纠错处理、去交织处理等等以获得再现数据。 

通过ECC编码器/解码器57解码成再现数据而获得的数据基于***控制器60的命令被读出并传送到诸如AV(视听)***120之类的连接的装置。 

作为与沟槽的摆动有关的信号从矩阵电路54输出的推-拉信号在摆动电路58中被处理。作为ADIP信息的推-拉信号在摆动电路58中被解调成形成ADIP地址的数据流并被提供到地址解码器59。 

地址解码器59对提供来的数据解码以获得地址值并将其提供给***控制器60。 

另外，地址解码器59利用从摆动电路58提供来的摆动信号通过PLL处理生成时钟，并将该时钟作为例如记录时的编码时钟提供给各个单元。 

另外，作为从矩阵电路54输出的作为与沟槽的摆动有关的推-拉信号，作为预记录信息(PIC)的推-拉信号在摆动电路58中经历带通滤波处理，然后被提供到读取器/写入器电路55。随后，该信号被二值化以变成数据比特流，然后在ECC编码器/解码器57中经历ECC解码和去交织，从而提取出作为预记录信息的数据。所提取的预记录信息被提供到***控制器60。 

***控制器60可基于读取的预记录信息来执行各种操作设定处理、拷贝保护处理等等。 

在记录时，记录数据从AV***120传送来。此记录数据被发送到ECC编码器/解码器57中的存储器并被缓冲于其中。 

在此情况下，作为对于缓冲的记录数据的编码处理，ECC编码器/解码器57执行纠错代码添加、交织以及子码等等的添加。 

由ECC编码产生的数据在调制/解调电路56中经历例如RLL(1-7)PP***的调制，然后被提供到读取器/写入器电路55 

作为充当用于记录时的编码处理的基准时钟的编码时钟，使用从上述 摆动信号生成的时钟。 

通过编码处理生成的记录数据被读取器/写入器电路55进行记录补偿处理。作为记录补偿处理，读取器/写入器电路55例如执行取决于记录层的特性、激光的光斑形状、记录线速度等等的最优记录功率精细调整以及激光驱动脉冲波形调整。然后，记录数据作为激光驱动脉冲被发送到激光驱动器63。 

激光驱动器63将所提供的激光驱动脉冲给予光学读取头51中的激光二极管以执行激光发射驱动。从而，在盘1上形成与记录数据相对应的凹坑。 

激光驱动器63包括所谓的APC电路(自动功率控制)，并且在基于光学读取头51中设置的用于激光功率监视的检测器的输出监视激光输出功率的同时控制激光输出，以使得无论温度等等如何激光输出都可保持恒定。记录和再现中激光输出的目标值是从***控制器60给出的，并且激光输出水平被控制成在记录和再现中均处于目标值。 

伺服电路61根据来自矩阵电路54的聚焦误差信号和循轨误差信号生成用于聚焦、循轨和滑车的各种伺服驱动信号，以使得有关组件执行伺服操作。 

具体而言，伺服电路61依据聚焦误差信号和循轨误差信号生成聚焦驱动信号和循轨驱动信号以驱动光学读取头51中的双轴机构的聚焦线圈和循轨线圈。从而，形成了由光学读取头51、矩阵电路54、伺服电路61和双轴机构构成的循轨伺服环和聚焦伺服环。 

另外，响应于来自***控制器60的跳轨命令，伺服电路61关断循轨伺服环并输出跳动驱动信号，从而使得有关组件执行跳轨操作。 

此外，伺服电路61基于作为循轨误差信号的低频成分获得的滑车误差信号、来自***控制器60的访问执行控制等等生成滑车驱动信号以驱动滑车机构53。滑车机构53具有由用于支撑光学读取头51的总轴、滑车电机、传动齿轮等等形成的机构，但这些在图中没有示出。滑车机构53根据滑车驱动信号来驱动滑车电机，从而执行光学读取头51的必要滑动。 

主轴伺服电路62执行控制以引起主轴电机62的CLV旋转。 

主轴伺服电路62获得通过对摆动信号的PLL处理生成的时钟作为关于主轴电机52的当前旋转速度的信息，并且将该信息与预定的CLV基准速度信息相比较，从而生成主轴误差信号。 

在数据再现时，由读取器/写入器电路55中的PLL生成的再现时钟(充当解码处理的基础的时钟)充当关于主轴电机52的当前旋转速度的信息。从而，主轴伺服电路62也可以通过将此信息与预定的CLV基准速度信息相比较来生成主轴误差信号。 

主轴伺服电路62输出依据主轴误差信号生成的主轴驱动信号以引起主轴电机62的CLV旋转。 

此外，主轴伺服电路62响应于来自***控制器60的主轴反冲/制动(kick/brake)控制信号生成主轴驱动信号，从而使得主轴电机2也执行起动、停止、加速、减速等等的操作。 

上述伺服***和记录/再现***的各种操作受由微计算机形成的***控制器60的控制。 

***控制器60响应于来自AV***120的命令执行各种处理。 

例如，当从AV***120发出写入指令(写入命令)时，首先***控制器60使光学读取头51移动到应当写入数据的地址。然后，***控制器60使ECC编码器/解码器57和调制/解调电路56以上述方式对从AV***120传送来的数据(例如诸如MPEG2之类的各种***的任何一种的视频数据和音频数据)执行编码处理。然后，来自读取器/写入器电路55的激光驱动脉冲被提供到激光驱动器63，从而执行记录。 

例如，当要求传送盘1中记录的特定数据(例如MPEG2视频数据)的读取命令被从AV***120提供来时，首先***控制器60借助于所指示的地址执行搜寻操作控制。具体而言，***控制器60向伺服电路61发出命令以使得光学读取头51以搜寻命令指定的地址为目标执行访问操作。 

然后，***控制器60执行必要的操作控制以将所指示的数据区间的数据传送到AV***120。即，***控制器60从盘1执行数据读出，并且使得读取器/写入器电路55、调制/解调电路56和ECC编码器/解码器57执 行解码/缓冲等等以传送所请求的数据。 

在这些数据的记录/再现时，***控制器60可通过利用由摆动电路58和地址解码器59检测到的ADIP地址来控制访问和记录/再现操作。 

另外，在诸如装载盘1时的预定时刻，***控制器60使得有关单元执行对记录在盘1的BCA中的唯一ID和以摆动沟槽的形式记录在再现专用区域中的预记录信息(PIC)的读出。 

在此情况下，首先***控制器60借助于BCA和PIC执行搜寻操作控制。具体而言，***控制器60向伺服电路61发出命令以使得光学读取头51对盘的最内周侧执行访问操作。 

然后，***控制器60使光学读取头51执行再现追踪，以获得作为反射光信息的推-拉信号，并且使摆动电路58、读取器/写入器电路55和ECC编码器/解码器57执行解码处理。从而，***控制器60获得作为BCA信息和预记录信息的再现数据。 

***控制器60基于以这种方式读出的BCA信息和预记录信息来执行激光功率设定、拷贝保护处理等等。 

在图23中，在***控制器60中示出了缓存存储器60a。此缓存存储器60a例如用于对从盘1中的TDMA读出的TDFL/空间位图的保存和更新。 

例如当盘1被装载时，***控制器60控制各个单元以使它们执行对TDMA中记录的TDFL/空间位图的读出，并且将读取的信息保存在缓存存储器60a中。 

然后，当执行由于数据重写或缺陷而引起的替换处理时，缓存存储器60a中的TDFL/空间位图被更新。 

例如，每次由于数据写入、数据重写之类而执行替换处理并且更新空间位图或TDFL时，TDFL或空间位图可被追加记录在盘1中的TDMA中。然而，此方案迅速地消耗盘1中的TDMA。 

为了避免此缺点，例如，在直到盘1从盘驱动装置中弹出为止的时段期间，在缓存存储器60a中更新TDFL/空间位图。在弹出之类时，缓存存储器60a中的最终(最新)TDFL/空间位图被写入到盘1中的TDMA。从 而，对盘1的更新是以对TDFL/空间位图的很多次更新被放到一起的方式执行的。这可以减少对盘1中的TDMA的消耗。 

在图23的盘驱动装置的配置示例中，盘驱动装置连接到AV***120。然而，根据本发明实施例的盘驱动装置可连接到例如个人计算机。 

或者，也可以采用盘驱动装置未连接到另一装置的形式。在此情况下，盘驱动装置设有操作单元和显示单元，并且用于数据输入/输出的接口部件的配置与图23中的不同。即，根据用户的操作执行记录和再现，并且形成用于各种数据的输入/输出的端子部。 

当然，多种其他配置示例也是可能的。例如，作为记录专用装置或再现专用装置的示例也是可用的。 

图24示出了用于盘驱动装置的操作的***控制器60的控制处理示例。 

图24(a)示出了格式处理。 

当装载未格式化的盘1并执行格式处理时，首先***控制器60执行盘辨别以确认内区块布局并掌握OPC区域的位置。 

至于盘辨别的技术，有多种方法可用。虽然这里不详细描述，但例如当装载作为Blu-ray Disc的盘1时，判定记录层的数目。以下描述将涉及在装载三层盘或四层盘时的处理。 

对于三层盘，***控制器60在其内部存储器中保存关于利用图13和图14描述的内区块的区域配置的信息，对于四层盘，***控制器60在其内部存储器中保存关于利用图17和图18描述的内区块的区域配置的信息。 

在步骤F101中，***控制器60根据此区域配置信息来确认装载的盘1(三层盘或四层盘)中的OPC区域的位置。 

在步骤F102中，***控制器60执行OPC控制处理。具体而言，***控制器60指示伺服电路61和主轴电路62使光学读取头54访问OPC区域。另外，***控制器60使读取器/写入器电路55向激光驱动器63提供作为OPC测试图案的信号，并且使激光驱动器63对OPC区域执行测试记录。另外，***控制器60从已执行了记录的OPC区域中执行再现，并且 获得关于再现信息信号的评估值，例如抖动、不对称性、差错率等等，以判定最优记录激光功率。然后***控制器60将激光功率设定成最优功率。 

然后，在步骤F103中，***控制器60控制作为格式处理的记录操作。 

例如，***控制器60控制例如在TDDS中记录以尽可能均等的容量部署在能够部署TDMA的记录层中的TDMA的空间位图、TDFL等等的地址的记录操作的执行，以便从此以后可根据TDDS的信息来掌握TDMA的结构。 

通过这种格式处理，从此以后就可以使用具有图13或图17的格式的盘1。 

图24(b)示出了记录时的处理。 

在对用户数据或管理信息的记录操作中，首先在步骤F201中，***控制器60确认关于TDMA的信息以掌握诸如TDDS、缺陷列表、空间位图以及接下来可使用的OPC区域之类的必要事项。 

接下来，在步骤F202中，***控制器60使有关单元利用OPC区域执行OPC操作，并且根据OPC操作的结果设定最优记录激光功率。 

在步骤F203中，***控制器60使有关单元执行对用户数据等的记录操作。 

在记录之后，在步骤F204中，***控制器60更新TDMA。具体而言同，***控制器60新记录由对诸如TDDS、缺陷列表、空间位图和接下来可使用的OPC区域之类的信息之中的必要信息的更新而得到的TDMA。 

图24(c)示出了再现时的处理。 

在步骤F301中，***控制器60根据诸如TDMA和文件***之类的读取数据来掌握各种管理信息。 

在步骤F302中，***控制器60使光学读取头51访问根据来自AV***120的读取命令的期望地址，并且在步骤F303中使有关单元执行再现操作。具体而言，***控制器60从盘1执行数据读出并且使得读取器/写入器电路55、调制/解调电路56和ECC编码器/解码器57执行解码/缓冲等 等以将请求的数据传送到AV***120。 

以上描述涉及盘驱动装置对三层盘和四层盘执行的格式处理、记录处理和再现处理。 

下面将描述当盘1是四层盘时与OPC操作有关的处理。 

如上所述，在四层盘中，对于四个OPC区域，引入了第一OPC配对和第二OPC配对的概念。另外，在每个配对中的两个OPC区域之间确保表观间隔距离(接下来要使用的部分的开头之间的间隔距离)，从而防止了在OPC操作中使用的部分在层方向上相互重叠。 

例如，在上述的图17和图18的布局中，即使当层的偏差是允许公差内的最差情况时，通常也确保表观间隔距离(图19中的AB1和AB2)。然而，例如，对于第一OPC配对，如果OPC(L2)的消耗量比OPC(L0)的消耗量大得太多，则表观间隔距离(AB1)消失的可能性不是零。从而，最好盘驱动装置侧也具有与用于保持表观间隔距离的OPC操作处理有关的独创设计。 

接下来要描述的图25和图26均示出了对于第一OPC配对和第二OPC配对中的每一配对，防止该配对中的OPC区域之间的表观间隔距离消失的情形发生的盘驱动装置侧的处理示例。 

首先，下面将描述图25的处理示例。 

在图25中，最初在盘装载时的处理被示为步骤F401至F408。在装载的盘1是三层盘时也类似地执行步骤F401至F408的处理。此处理例如是在图24(a)、(b)和(c)的处理之前执行的。 

在步骤F401中，执行盘装载。***控制器60检测盘***以控制盘装载机构(图23中未示出)并使得盘1进入可以被光学读取头51和主轴电机52记录/再现驱动的状态(夹住状态)。 

在步骤F402中，执行伺服调整。具体而言，***控制器60控制主轴电机52的起动和光学读取头51的伺服启动。***控制器60控制主轴电路62以稳定到预定的旋转速度，并且控制伺服电路61以使其执行聚焦搜索、聚焦伺服启动、循轨伺服启动等等，从而实现可再现状态。 

在完成上述启动操作后，在步骤F403中，***控制器60使光学读取 头51访问盘1中的PIC区域。在步骤F403中，***控制器60使有关单元再现PIC区域中的数据，从而执行对诸如各记录层的记录条件之类的PIC信息的读取。 

接下来，在步骤F405中，***控制器60使光学读取头51访问开头TDMA。如上所述，在开头TDMA(例如图17中的TDMA#1)中设有TDMA访问指示符。在步骤F406中，通过使有关单元再现TDMA访问指示符，***控制器60可判别其中记录有最新TDDS等等的使用中的TDMA(以下称为TDMA_N)。 

然后，在步骤F407中，***控制器60使光学读取头51访问TDMA_N。在步骤F408中，***控制器60使有关单元再现此TDMA_N以读取最新TDMA数据(最新TDDS等等)。 

步骤F408的结束相当于完成了盘装载时的管理信息读取。从此刻起，***控制器60等待来自主机设备(AV***120)的命令。 

作为响应于写入命令的发出而执行OPC处理的示例，下面将描述步骤F501至F511的处理。 

如下示例也是可能的：即使没有发出写入命令，也可以在盘装载时的管理信息读取后，执行关于各个记录层的OPC操作。 

图25中的步骤F501至F511的OPC处理示例是响应于写入命令对各层L0至L3中的每一个执行OPC操作的示例。 

在发出写入命令后，***控制器60使处理从步骤F501前进到步骤F502，其中***控制器60对于各层中的OPC区域，掌握可执行下个OPC操作的地址ADD[n]。此地址ADD[n]是作为OPC操作可执行地址(下个可用Ln OPC地址)在上述TDDS中指示的。 

对于各OPC区域(OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2)、OPC(L3))中的每一个，***控制器60从已从中读取可执行下个OPC操作的地址ADD[n]的最新TDDS中掌握地址ADD[n]。 

在步骤F503中，***控制器60将指示层的变量X设定到0。然后，在步骤F504至F509中，***控制器60使有关单元在各层中的OPC区域(OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2)、OPC(L3))中执行OPC操 作。 

在步骤F504中，***控制器60使光学读取头51访问层L(X)中的OPC区域(OPC(L(X)))中接下来要使用的部分的地址ADD[n]。 

在步骤F505中，***控制器60确认此地址ADD[n]是否确实未被记录(即地址ADD[n]是否可用于OPC操作)。例如，***控制器60使有关单元从地址ADD[n]执行再现以确认在此地址ADD[n]处是否存在记录。如果从此地址ADD[n]起的部分已被使用，则***控制器60搜寻未使用部分并且使得移动到此未使用部分。 

在步骤F506中，***控制器60指示记录***的各个必要单元(ECC编码器/解码器57、调制/解调电路56、读取器/写入器电路55、激光驱动器63等等)在从地址ADD[n]起的部分中执行测试写入。例如，***控制器60使这些单元在记录激光功率逐步变化的情况下用预定的测试图案、随机数据等等执行数据记录操作。 

在测试写入结束之后，在步骤F507中，***控制器60使光学读取头51再现其中执行了测试写入的部分。此时，***控制器60测量与记录激光功率的各个值相对应的指标值(例如抖动、不对称性、差错率和SAM值)，并且决定最优记录激光功率。 

***控制器60在步骤F508中递增变量X。如果在步骤F509中变量X等于或小于3，则处理返回到步骤F504。 

因此，在递增变量X的同时执行步骤F504至F507。即，在OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2)和OPC(L3)中顺次执行OPC操作。 

在四个OPC区域中的上述OPC操作完成的时刻，对于各个层L0至L3中的每一个决定了最优记录激光功率。此时，处理从步骤F509进到步骤F510。 

在步骤F510，***控制器60使光学读取头51访问TDMA_N。在步骤F511中，***控制器60对于各个层L0至L3中的每一个更新OPC操作可执行地址(下个可用Ln OPC地址)。具体而言，因为此时的OPC操作使得每一层中接下来要使用的部分的地址变化，所以其中为每一层记载了新的“下个可用Ln OPC地址”的最新TDDS被记录在TDMA_N中。 

如上，完成了OPC操作。然后，以最优记录激光功率执行写入命令所指令的记录操作。 

在图25的处理中，作为描述的一个示例，实际数据记录是在步骤F510和F5111中的TDDS记录处理之后执行的。然而，盘1上TDDS的实际更新可在数据记录结束的时刻或在盘弹出、断电之类的时刻执行。这是为了抑制对TDMA区域的不必要消耗。 

即，盘1上TDDS更新的时刻不需要是如步骤F510和F511所示的时刻。从而，步骤F510和F511的这个处理可被认为是***控制器60将新的TDDS信息(在此情况下是“下个可用Ln OPC地址”)存储在内部存储器中，以至少用于以后某个时刻的TDDS记录的处理。 

上述OPC操作是一个示例。在此示例中，因为响应于写入命令对所有层执行OPC操作，所以OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2)和OPC(L3)的消耗量始终相等。即使因为发生了由任何差错导致的OPC重试等等而使得消耗量不是精确意义上的相等，也可以认为消耗量几乎相等。 

从而，决不会发生消耗量的“追上”，而这种追上会导致配对中的两个OPC区域之间的表观间隔距离消失。 

例如，下面将考虑利用图20描述的配对中的两个OPC区域(OPC(L0)和OPC(L2))。在消耗方向上作为追赶方的OPC(L2)中接下来要使用的部分的地址(下个可用Ln OPC地址)和作为被追赶方的OPC(L0)中接下来要使用的部分的地址(下个可用Ln OPC地址)以几乎相等的消耗量朝着盘内周前进。因此，可以说“追上”的可能性，即表观间隔距离AB1变得短于作为记录层偏差的允许公差的150μm并且消失的可能性，基本上为零。 

响应于每个写入命令对所有记录层执行OPC操作也可被视为是对OPC区域的不必要消耗。从而，例如以下处理方式也是可用的。具体而言，只在盘装载后的第一次OPC操作时执行像图25那样的OPC处理，而在以后的写入命令时刻则不执行OPC操作。 

在此情况下，为了解决随着时间的变化、温度变化等等，也可以不是响应于每个写入命令执行对所有层的OPC处理，而是根据需要例如在经过 预定时间以后执行对所有层的OPC处理。 

接下来，利用图26，下面将描述响应于写入命令仅对将执行记录的层执行OPC操作的处理示例。 

图26中的步骤F401至F408是与图25中的相同的盘装载时的处理步骤，因此省略对其的重复描述。 

以下描述将涉及作为响应于写入命令的发出而执行OPC处理的示例的步骤F601至F612处理。 

在发出写入命令时，***控制器60使处理从步骤F601前进到步骤F602，其中***控制器60对于各层中的OPC区域，掌握可执行下个OPC操作的地址ADD[n]。此地址ADD[n]是作为OPC操作可执行地址(下个可用Ln OPC地址)在上述TDDS中指示的。 

对于各OPC区域(OPC(L0)、OPC(L1)、OPC(L2)、OPC(L3))中的每一个，***控制器60从已从中读取可执行下个OPC操作的地址ADD[n]的最新TDDS中掌握地址ADD[n]。 

在步骤F603中，***控制器60判别作为此时的写入命令指令的数据记录对象的层。 

取决于对象层是层L0或L1还是层L2或L3，处理分支到不同的方向。 

层L0或L1是OPC区域(OPC(L0)、OPC(L1))在消耗方向上是配对中的被追赶方的层。 

层L2或L3是OPC区域(OPC(L2)、OPC(L3))在消耗方向上是配对中的追赶方的层。 

首先，下面将描述记录的对象层是层L0或L1的情况。 

在此情况下，***控制器60使处理前进到步骤F607，其中***控制器60使得光学读取头51访问对象层中的OPC区域中接下来要使用的部分的地址ADD[n]。例如，如果层L1是记录对象层，则***控制器60使光学读取头51访问OPC(L1)中的地址ADD[n]。 

在步骤F608中，***控制器60确认此地址ADD[n]是否确实未被记录(即地址ADD[n]是否可用于OPC操作)。例如，***控制器60使有 关单元从地址ADD[n]执行再现以确认在此地址ADD[n]处是否存在记录。如果从此地址ADD[n]起的部分已被使用，则***控制器60搜寻未使用部分并且使得移动到此未使用部分。 

在步骤F609中，***控制器60指示记录***的各个必要单元在从地址ADD[n]起的部分中执行测试写入。例如，***控制器60使这些单元在记录激光功率逐步变化的情况下用预定的测试图案、随机数据等等执行数据记录操作。 

在测试写入结束之后，在步骤F610中，***控制器60使光学读取头51再现其中执行了测试写入的部分。此时，***控制器60测量与记录激光功率的各个值相对应的指标值(例如抖动、不对称性、差错率和SAM值)，并且决定最优记录激光功率。 

在步骤F611中，***控制器60使光学读取头51访问TDMA_N。在步骤F612中，***控制器60对于已执行OPC操作的层更新OPC操作可执行地址(下个可用Ln OPC地址)。具体而言，因为此时的OPC操作使得这一层中的OPC区域中接下来要使用的部分的地址变化，所以其中为每一层记载了新的“下个可用Ln OPC地址”的最新TDDS被记录在TDMA_N中。 

步骤F612的结束相当于OPC操作的完成。然后，以最优记录激光功率执行写入命令所指令的记录操作。 

与图25的处理类似，盘1上的实际TDDS更新不需要在步骤F611和F612的时刻执行。从而，步骤F611和F612的这个处理可被认为是***控制器60将新的TDDS信息(在此情况下是对象层中的“下个可用Ln OPC地址”)存储在内部存储器中，以至少用于以后某个时刻的TDDS记录的处理。 

如上所述，如果记录对象层是层L0或L1并且在此层中的OPC操作中使用配对中作为被追赶方的OPC区域(OPC(L0)或OPC(L1))，则根据“下个可用Ln OPC地址”以通常方式执行OPC处理。 

另一方面，如果记录对象层是层L2或L3并且在此层中的OPC操作中使用配对中作为追赶方的OPC区域(OPC(L2)或OPC(L3))，则 添加防止发生OPC区域消耗的“追上”的处理。 

这是步骤F604至F606的处理。 

如果记录对象层是层L2或L3，则***控制器60使处理从步骤F603前进到步骤F604。 

在此步骤中，***控制器60确认配对中的表观间隔距离。 

以下描述将涉及记录对象层是层L2的情况。 

在此步骤F604的时刻，***控制器60获得图19中所示的配对中的表观间隔距离AB1。具体而言，***控制器60获得在步骤F602中确认的同一配对中的OPC(L2)的地址ADD[n]与OPC(L0)的地址ADD[n]之间的地址差，并且将地址差转换成沿着半径方向的间隔距离。 

就获得此次OPC之后的间隔距离AB1而言，不直接原样使用OPC(L2)中的地址ADD[n]，而是使用通过使地址从地址ADD[n]起前进此次OPC操作中使用的预定扇区数来获得的地址，是适当的。 

***控制器60判定作为此配对中的表观间隔距离AB1是否可保持预定的间隔距离。具体而言，***控制器60判定是否确保至少150μm的间隔距离，其中150μm相当于上述层重叠误差的允许公差。 

如果确保了等于或长于允许公差的间隔距离AB1，则***控制器60使处理从步骤F605前进到步骤F607，并且在层2中的OPC(L2)中从地址ADD[n]起执行此次的OPC操作(F607至F610)。然后，在TDMA_N中，***控制器60执行用于更新关于在其中执行此次的OPC操作的层L2的OPC操作可执行地址(下个可用Ln OPC地址)的TDDS写入(或者存储以便以后进行TDDS写入)(F611、F612)。 

然后，以最优记录激光功率执行针对层L2的预定写入命令所指令的记录操作。 

另一方面，如果在步骤F605中判定作为配对中的表观间隔距离AB1无法确保预定的间隔距离，则***控制器60使处理前进到步骤F606，其中***控制器60执行改变关于作为该配对中的对方的层L0中的OPC(L0)的OPC操作可执行地址(下个可用Ln OPC地址)的处理。 

此处理是使作为被追赶方的OPC(L0)中接下来要使用的部分在消耗 方向上前进的处理，因为当在此次的OPC操作中使用作为追赶方的OPC区域(OPC(L2))时，失去了充分的间隔距离AB1。在OPC(L0)的情况下，在此处理中使OPC操作可执行地址(下个可用Ln OPC地址)朝着内周前进预定量。 

***控制器60新设定关于OPC(L0)的OPC操作可执行地址(下个可用Ln OPC地址)并将其存储在内部存储器中，然后处理前进到步骤F607。 

在步骤F607至F610中，执行对作为对象的层L2的OPC操作。 

在随后的步骤F611和F612中，***控制器60执行用于关于此次在其中执行OPC操作的层L2的OPC操作可执行地址(下个可用Ln OPC地址)和关于层L0的经改变的OPC操作可执行地址(下个可用Ln OPC地址)的更新的处理。即，***控制器60执行TDDS写入或存储以便以后进行TDDS写入。 

然后，以最优记录激光功率执行针对层L2的预定写入命令所指令的记录操作。 

在上述示例中，层L2是记录对象层。当层L3是记录对象时，也联系层L1执行相同的处理。 

如上所述，在图26的示例中，响应于写入命令执行对对象层的OPC操作，并且此时执行用于保持相当于允许公差的至少150μm的间隔距离作为配对中的表观间隔距离的处理。 

具体而言，当使用配对中作为追赶方的OPC区域时，***控制器60判定是否确保了取决于与各记录层的重叠有关的允许公差的必要间隔距离(至少150μm)作为表观间隔距离。如果不能确保必要间隔距离，则***控制器60执行改变作为追赶方的OPC区域中接下来要使用的部分的起始位置的处理。 

即使记录层的偏差是允许公差内的最大值，此处理也防止了第一OPC配对和第二OPC配对中的OPC区域中接下来要使用的部分在层方向上的重叠。 

在图26的示例中，当使用作为追赶方的OPC区域时确认表观间隔距 离。或者，在OPC操作中，可以无论使用哪个OPC区域都执行确认表观间隔距离的处理。当然，在此情况下，也可以根据需要改变一个OPC操作可执行地址(下个可用Ln OPC地址)。 

在图26的示例中，当使用作为追赶方的OPC区域时执行改变OPC操作可执行地址(下个可用Ln OPC地址)的处理。类似地，当使用作为被追赶方的OPC区域时可执行改变OPC操作可执行地址(下个可用Ln OPC地址)的处理。 

在图26的示例中，OPC操作可执行地址(下个可用Ln OPC地址)是在步骤F602中从TDDS获取的。或者，也可以通过搜索OPC区域中的未记录部分来搜寻OPC操作可执行地址。因此，在步骤F606中，可以添加将由于改变OPC操作可执行地址(下个可用Ln OPC地址)的处理而生成的未记录部分视为已经记录的区域的处理或者将未记录区域的长度设定得短于预定长度的处理。 

以上已经描述了本发明的实施例的盘和能够应对该盘的盘驱动装置。然而，本发明并不限于这些示例，而是可以在不脱离本发明范围的情况下做出各种修改例。 

标号说明 

1：盘，51：读取头，52：主轴电机，53：滑车机构，54：矩阵电路，55：读取器/写入器电路，56：调制/解调电路，57：ECC编码器/解码器，58：摆动电路，59：地址解码器，60：***控制器，60a：缓存存储器，61：伺服电路，62：主轴伺服电路，63：激光驱动器，120：AV***，201：盘基板，203：透光层，204：中间层。 

Claims (17)

1.一种可记录光盘，包括：

被配置为设在盘基板上的四个记录层；以及

被配置为形成在激光入射表面侧的透光层，其中

用于激光功率控制的四个测试区域的每一个被设在所述记录层中的相应一个中的比记录用户数据的数据区块更靠近内周的内周侧区域中，

如果所述四个测试区域之中更靠近盘外周的两个测试区域被定义为第一配对并且所述四个测试区域之中更靠近盘内周的两个测试区域被定义为第二配对，则所述第一配对的测试区域和所述第二配对的测试区域被部署成避免在层方向上相互重叠，并且

所述第一配对的两个测试区域具有相同的测试区域消耗方向，并且被部署成防止这些测试区域中接下来要使用的部分在层方向上相互重叠，

其中，所述第一配对的测试区域的最内周半径位置和所述第二配对的测试区域的最外周半径位置被部署于在层方向上不相互重叠并且在所述半径位置的相对误差为零的情况下沿着半径方向具有至少约150μm的间隔距离的位置，

所述第一配对的两个测试区域被形成于在层方向上不相互重叠并且在所述半径位置的相对误差为零的情况下沿着半径方向具有至少约50μm的间隔距离的位置，并且

所述第二配对的两个测试区域被形成于在层方向上不相互重叠并且在所述半径位置的相对误差为零的情况下沿着半径方向具有至少约50μm的间隔距离的位置。

2.根据权利要求1所述的可记录光盘，其中

所述第二配对的两个测试区域具有与所述第一配对中的测试区域消耗方向相反的相同测试区域消耗方向，并且被部署成防止这些测试区域中接下来要使用的部分在层方向上相互重叠。

3.根据权利要求1所述的可记录光盘，其中

所述第一配对的两个测试区域具有作为第一消耗方向的相同测试区域消耗方向，并且所述第一配对的两个测试区域之中的在更靠近盘基板的记录层中的测试区域在所述第一消耗方向上位于所述第一配对的两个测试区域之中的在更靠近激光入射表面的记录层中的测试区域的前方。

4.根据权利要求3所述的可记录光盘，其中

所述第二配对的两个测试区域具有作为与所述第一消耗方向相反的第二消耗方向的相同测试区域消耗方向，并且所述第二配对的两个测试区域之中的在更靠近盘基板的记录层中的测试区域在所述第二消耗方向上位于所述第二配对的两个测试区域之中的在更靠近激光入射表面的记录层中的测试区域的前方。

5.根据权利要求2所述的可记录光盘，其中

所述光盘具有12cm的直径，

每个测试区域以约250μm的半径宽度形成在作为所述光盘的半径位置范围的22.5mm至24.0mm的范围中所述记录层被形成为使得所述记录层的半径位置的相对误差在约150μm的公差内。

6.根据权利要求1所述的可记录光盘，其中

在每个所述记录层中的所述内周侧区域中设有用于管理信息的记录和再现的管理信息记录/再现区域，并且

所述管理信息记录/再现区域被部署成使得，对于所述记录层中的每个测试区域，在比该测试区域更靠近激光入射表面的位置处与该测试区域在层方向上重叠的管理信息记录/再现区域的数目等于或小于一个。

7.根据权利要求6所述的可记录光盘，其中

所述管理信息记录/再现区域的每一个被部署成避免与所述记录层中的测试区域在该测试区域的盘基板侧在层方向上重叠。

8.根据权利要求6所述的可记录光盘，其中

所述管理信息记录/再现区域包括存储最新管理信息的确定管理信息区域，并且

所述确定管理信息区域在所有记录层中被部署成相互分离至少与允许的缺陷大小相当的距离。

9.根据权利要求6所述的可记录光盘，其中

所述管理信息记录/再现区域包括根据需要追加存储管理信息的临时管理信息区域，并且

所述临时管理信息区域被基本均等地部署在除最靠近盘基板的记录层以外的记录层中。

10.一种用于可记录光盘的记录装置，该可记录光盘包括设在盘基板上的四个记录层和形成在激光入射表面侧的透光层，所述记录装置包括：

控制器，该控制器被配置为在所述可记录光盘的每个所述记录层中在比记录用户数据的数据区块更靠近内周的内周侧区域中以如下方式部署用于激光功率控制的测试区域：如果在所述记录层中形成的四个测试区域之中更靠近盘外周的两个测试区域被定义为第一配对并且所述四个测试区域之中更靠近盘内周的两个测试区域被定义为第二配对，则防止所述第一配对的测试区域和所述第二配对的测试区域在层方向上相互重叠，

所述第一配对的两个测试区域具有相同的测试区域消耗方向，并且被部署成防止这些测试区域中接下来要使用的部分在层方向上相互重叠，

并且所述控制器进行控制以在利用部署的测试区域进行激光功率调整后执行信息记录，

其中，所述第一配对的测试区域的最内周半径位置和所述第二配对的测试区域的最外周半径位置被部署于在层方向上不相互重叠并且在所述半径位置的相对误差为零的情况下沿着半径方向具有至少约150μm的间隔距离的位置，

所述第一配对的两个测试区域被形成于在层方向上不相互重叠并且在所述半径位置的相对误差为零的情况下沿着半径方向具有至少约50μm的间隔距离的位置，并且

所述第二配对的两个测试区域被形成于在层方向上不相互重叠并且在所述半径位置的相对误差为零的情况下沿着半径方向具有至少约50μm的间隔距离的位置。

11.根据权利要求10所述的记录装置，其中

所述控制器以如下方式对所述第一配对和所述第二配对的每个中的两个测试区域执行与用于激光功率调整的测试写入有关的控制：防止这些测试区域中接下来要使用的部分在层方向上相互重叠。

12.根据权利要求11所述的记录装置，其中

对于作为所述第一配对或所述第二配对的配对中的两个测试区域，所述控制器判定是否确保了取决于与所述记录层的重叠有关的允许公差的必要间隔距离作为这些测试区域的一个中接下来要使用的部分与这些测试区域的另一个中接下来要使用的部分之间的间隔距离，并且

如果未确保所述必要间隔距离，则所述控制器执行改变这些测试区域的至少一个中接下来要使用的部分的起始位置的处理，从而对于所述配对中的两个测试区域，防止这些测试区域中接下来要使用的部分在层方向上相互重叠。

13.一种用于可记录光盘的记录装置，该可记录光盘包括设在盘基板上的四个记录层和形成在激光入射表面侧的透光层，用于激光功率控制的四个测试区域的每一个被设在各个所述记录层中的比记录用户数据的数据区块更靠近内周的内周侧区域中，

如果所述四个测试区域之中更靠近盘外周的两个测试区域被定义为第一配对并且所述四个测试区域之中更靠近盘内周的两个测试区域被定义为第二配对，则所述第一配对的测试区域和所述第二配对的测试区域被部署成避免在层方向上相互重叠，

在每个所述记录层中的所述内周侧区域中设有用于管理信息的记录和再现的管理信息记录/再现区域，

所述管理信息记录/再现区域被部署成使得，对于所述记录层中的每个测试区域，在比该测试区域更靠近激光入射表面的位置处与该测试区域在层方向上重叠的管理信息记录/再现区域的数目等于或小于一个，

所述记录装置包括

控制器，该控制器被配置为管理所述管理信息记录/再现区域之中的临时管理信息区域，该临时管理信息区域在允许部署临时管理信息区域的记录层中被部署成容量基本均等，所述控制器执行控制以利用所述临时管理信息区域记录替换记录的管理信息，

其中，所述第一配对的测试区域的最内周半径位置和所述第二配对的测试区域的最外周半径位置被部署于在层方向上不相互重叠并且在所述半径位置的相对误差为零的情况下沿着半径方向具有至少约150μm的间隔距离的位置，

所述第一配对的两个测试区域被形成于在层方向上不相互重叠并且在所述半径位置的相对误差为零的情况下沿着半径方向具有至少约50μm的间隔距离的位置，并且

所述第二配对的两个测试区域被形成于在层方向上不相互重叠并且在所述半径位置的相对误差为零的情况下沿着半径方向具有至少约50μm的间隔距离的位置。

14.一种用于可记录光盘的记录方法，该可记录光盘包括设在盘基板上的四个记录层和形成在激光入射表面侧的透光层，所述记录方法包括以下步骤：

在所述可记录光盘的每个所述记录层中在比记录用户数据的数据区块更靠近内周的内周侧区域中以如下方式部署用于激光功率控制的测试区域：如果在所述记录层中形成的四个测试区域之中更靠近盘外周的两个测试区域被定义为第一配对并且所述四个测试区域之中更靠近盘内周的两个测试区域被定义为第二配对，则防止所述第一配对的测试区域和所述第二配对的测试区域在层方向上相互重叠，所述第一配对的两个测试区域具有相同的测试区域消耗方向，并且被部署成防止这些测试区域中接下来要使用的部分在层方向上相互重叠，并且

在利用部署的测试区域进行激光功率调整后执行信息记录，

其中，所述第一配对的测试区域的最内周半径位置和所述第二配对的测试区域的最外周半径位置被部署于在层方向上不相互重叠并且在所述半径位置的相对误差为零的情况下沿着半径方向具有至少约150μm的间隔距离的位置，

所述第一配对的两个测试区域被形成于在层方向上不相互重叠并且在所述半径位置的相对误差为零的情况下沿着半径方向具有至少约50μm的间隔距离的位置，并且

所述第二配对的两个测试区域被形成于在层方向上不相互重叠并且在所述半径位置的相对误差为零的情况下沿着半径方向具有至少约50μm的间隔距离的位置。

15.根据权利要求14所述的记录方法，其中

以如下方式对所述第一配对和所述第二配对的每个中的两个测试区域执行用于激光功率调整的测试写入：防止这些测试区域中接下来要使用的部分在层方向上相互重叠。

16.根据权利要求15所述的记录方法，还包括以下步骤：

对于作为所述第一配对或所述第二配对的配对中的两个测试区域，判定是否确保了取决于与所述记录层的重叠有关的允许公差的必要间隔距离作为这些测试区域的一个中接下来要使用的部分与这些测试区域的另一个中接下来要使用的部分之间的间隔距离；并且

如果未确保所述必要间隔距离，则执行改变这些测试区域的至少一个中接下来要使用的部分的起始位置的处理，从而对于所述配对中的两个测试区域，防止这些测试区域中接下来要使用的部分在层方向上相互重叠。

17.一种用于可记录光盘的记录方法，该可记录光盘包括设在盘基板上的四个记录层和形成在激光入射表面侧的透光层，用于激光功率控制的四个测试区域的每一个被设在各个所述记录层中的比记录用户数据的数据区块更靠近内周的内周侧区域中，

如果所述四个测试区域之中更靠近盘外周的两个测试区域被定义为第一配对并且所述四个测试区域之中更靠近盘内周的两个测试区域被定义为第二配对，则所述第一配对的测试区域和所述第二配对的测试区域被部署成避免在层方向上相互重叠，

在每个所述记录层中的所述内周侧区域中设有用于管理信息的记录和再现的管理信息记录/再现区域，

所述管理信息记录/再现区域被部署成使得，对于所述记录层中的每个测试区域，在比该测试区域更靠近激光入射表面的位置处与该测试区域在层方向上重叠的管理信息记录/再现区域的数目等于或小于一个，

所述记录方法包括以下步骤：

管理所述管理信息记录/再现区域之中的临时管理信息区域，该临时管理信息区域在允许部署临时管理信息区域的记录层中被部署成容量基本均等；并且利用所述临时管理信息区域来记录替换记录的管理信息，

其中，所述第一配对的测试区域的最内周半径位置和所述第二配对的测试区域的最外周半径位置被部署于在层方向上不相互重叠并且在所述半径位置的相对误差为零的情况下沿着半径方向具有至少约150μm的间隔距离的位置，

所述第一配对的两个测试区域被形成于在层方向上不相互重叠并且在所述半径位置的相对误差为零的情况下沿着半径方向具有至少约50μm的间隔距离的位置，并且

所述第二配对的两个测试区域被形成于在层方向上不相互重叠并且在所述半径位置的相对误差为零的情况下沿着半径方向具有至少约50μm的间隔距离的位置。

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